JP2019038764A - スルホニウム化合物、レジスト組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1.下記式(1)で表されるスルホニウム化合物。
2.Rf1及びRf2が、トリフルオロメチル基である1のスルホニウム化合物。
3.式(1)で表されるスルホニウム化合物が、下記式(2)で表されるものである1又は2のスルホニウム化合物。
4.Rf5及びRf6が、ともにフッ素原子である3のスルホニウム化合物。
5.1〜4のいずれかのスルホニウム化合物からなる光酸発生剤。
6.5の光酸発生剤を含むレジスト組成物。
7.下記式(a)で表される繰り返し単位及び下記式(b)で表される繰り返し単位を有するポリマーを含むベース樹脂を含む6のレジスト組成物。
8.更に、有機溶剤を含む6又は7のレジスト組成物。
9.更に、5の光酸発生剤以外のその他の光酸発生剤を含む6〜8のいずれかのレジスト組成物。
10.前記その他の光酸発生剤が、下記式(4)又は(5)で表されるものである9のレジスト組成物。
11.更に、下記式(6)又は(7)で表されるオニウム塩を含む6〜10のいずれかのレジスト組成物。
12.更に、アミン化合物を含む6〜11のいずれかのレジスト組成物。
13.更に、水不溶又は難溶でアルカリ現像液可溶な界面活性剤、及び/又は水及びアルカリ現像液に不溶又は難溶な界面活性剤を含む6〜12のいずれかのレジスト組成物。
14.6〜13のいずれかのレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理をしてレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をフォトマスクを介して、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EB又はEUVで露光する工程と、前記露光したレジスト膜を加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成方法。
15.現像液としてアルカリ水溶液を用いて、露光部を溶解させ、未露光部が溶解しないポジ型パターンを得る14のパターン形成方法。
16.現像液として有機溶剤を用いて、未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得る14のパターン形成方法。
17.前記有機溶剤が、2−オクタノン、2−ノナノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ペンチル、酢酸ブテニル、酢酸イソペンチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、ギ酸イソペンチル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸ペンチル、乳酸イソペンチル、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル、2−ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、ギ酸ベンジル、ギ酸フェニルエチル、3−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル及び酢酸2−フェニルエチルから選ばれる少なくとも1種である16のパターン形成方法。
18.前記露光が、屈折率1.0以上の液体をレジスト塗布膜と投影レンズとの間に介在させて行う液浸露光である14〜17のいずれかのパターン形成方法。
19.前記レジスト塗布膜の上に更に保護膜を塗布し、該保護膜と投影レンズとの間に前記液体を介在させて液浸露光を行う18のパターン形成方法。
本発明のスルホニウム化合物は、下記式(1)で表されるものである。
本発明のレジスト組成物は、(A)式(1)で表されるスルホニウム化合物からなる光酸発生剤を必須成分とし、その他の材料として
(B)ベース樹脂、及び
(C)有機溶剤
を含み、更に必要に応じて
(D)式(1)で表されるスルホニウム化合物以外の光酸発生剤、
(E)クエンチャー、及び
(F)水不溶又は難溶でアルカリ現像液可溶な界面活性剤、及び/又は水及びアルカリ現像液に不溶又は難溶な界面活性剤
を含むことができる。
(B)成分のベース樹脂は、下記式(a)で表される繰り返し単位及び下記式(b)で表される繰り返し単位を含むポリマーを含むものである。
(I)式(a)で表される繰り返し単位の1種又は2種以上を、好ましくは1〜60モル%、より好ましくは5〜50モル%、更に好ましくは10〜50モル%、
(II)式(b)で表される繰り返し単位の1種又は2種以上を、好ましくは40〜99モル%、より好ましくは50〜95モル%、更に好ましくは50〜90モル%、
(III)式(c1)及び(c2)から選ばれる繰り返し単位の1種又は2種以上を、好ましくは0〜30モル%、より好ましくは0〜20モル%、更に好ましくは0〜10モル%、及び
(IV)その他の単量体に由来する繰り返し単位の1種又は2種以上を、好ましくは0〜80モル%、より好ましくは0〜70モル%、更に好ましくは0〜50モル%。
本発明で使用される(C)成分の有機溶剤としては、前述した各成分及び後述する各成分が溶解可能な有機溶剤であれば、特に限定されない。このような有機溶剤としては、例えば、特開2008−111103号公報の段落[0144]〜[0145]に記載の、シクロヘキサノン、メチル−2−n−ペンチルケトン等のケトン類;3−メトキシブタノール、3−メチル−3−メトキシブタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノール、ジアセトンアルコール等のアルコール類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類;PGMEA、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert−ブチル、プロピオン酸tert−ブチル、プロピレングリコールモノtert−ブチルエーテルアセテート等のエステル類;γ−ブチロラクトン等のラクトン類、及びこれらの混合溶剤が挙げられる。アセタール系の酸不安定基を用いる場合は、アセタールの脱保護反応を加速させるために高沸点のアルコール系溶剤、具体的にはジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、1,4−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール等を加えることもできる。
本発明のレジスト組成物は、更に、前述したスルホニウム化合物以外のその他の光酸発生剤を含んでいてもよい。前記その他の光酸発生剤としては、紫外線、遠紫外線、EB、EUV、X線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線等の高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であれば、特に限定されない。好適な光酸発生剤としては、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N−スルホニルオキシジカルボキシイミド、O−アリールスルホニルオキシム、O−アルキルスルホニルオキシム等の光酸発生剤等が挙げられる。これらは、1種単独又は2種以上を混合して用いることができる。これらの光酸発生剤としては、例えば、特開2007−145797号公報の段落[0102]〜[0113]に記載のものが挙げられる。なお、ヨードニウム塩のカチオンとしてはジフェニルヨードニウム及びジ−tert−ブチルフェニルヨードニウムが好ましい。
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、更に、クエンチャーを含んでもよい。なお、本発明においてクエンチャーとは、光酸発生剤から発生した酸をトラップする化合物を意味する。これによって、光酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができる。
本発明のレジスト組成物は、(F)水に不溶又は難溶でアルカリ現像液に可溶な界面活性剤、及び/又は水及びアルカリ現像液に不溶又は難溶な界面活性剤を含んでもよい。このような界面活性剤としては、特開2010−215608号公報や特開2011−16746号公報に記載のものを参照することができる。
本発明は、更に、前述したレジスト組成物を用いるパターン形成方法を提供する。本発明のレジスト組成物を使用してパターンを形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができる。具体的には、例えば、集積回路製造用の基板(Si、SiO2、SiN、SiON、TiN、WSi、BPSG、SOG、有機反射防止膜等)、あるいはマスク回路製造用の基板(Cr、CrO、CrON、MoSi2、SiO2等)に、スピンコーティング等の方法で膜厚が0.05〜2μmとなるように本発明のレジスト組成物を塗布し、これをホットプレート上で好ましくは60〜150℃、1〜10分間、より好ましくは80〜140℃、1〜5分間プリベークし、レジスト膜を形成する。
・IR:サーモフィッシャーサイエンティフィック社製、NICOLET 6700
・1H-NMR:日本電子(株)製ECA-500
・19F-NMR:日本電子(株)製ECA-500
・MALDI-TOF-MS:日本電子(株)製S3000
・GC-MS:アジレント・テクノロジー社製GC.6890N MS.5973
[実施例1−1]PAG−1の合成
[実施例1−1−1]中間体Aの合成
IR(D-ATR): 3527, 3072, 1594, 1583, 1494, 1478, 1440, 1408, 1373, 1320, 1222, 1171, 1084, 1062, 1025, 1011, 983, 918, 828, 741, 729, 690 cm-1.
GC-MS: [M] 382
IR(D-ATR): 3091, 3062, 1595, 1579, 1500, 1464, 1445, 1417, 1387, 1316, 1249, 1217, 1185, 1165, 1090, 1068, 1057, 1016, 997, 970, 947, 936, 838, 829, 757, 729, 690, 636, 629, 582, 569, 559 cm-1.
TOF-MS(MALDI): POSITIVE [M+H]+399
IR(D-ATR): 3467, 3065, 2911, 2832, 1593, 1496, 1476, 1444, 1408, 1334, 1284, 1245, 1216, 1152, 1107, 1091, 1079, 1046, 1022, 999, 966, 924, 876, 830, 750, 731, 709, 689, 640, 614, 562 cm-1.
TOF-MS(MALDI): POSITIVE [M+H]+443
IR(D-ATR): 3280, 3103, 2979, 1589, 1494, 1478, 1448, 1407, 1260, 1228, 1156, 1106, 1072, 989, 966, 924, 836, 750, 732, 685, 644, 560 cm-1.
TOF-MS(MALDI): POSITIVE M+521((C6H5)(C6H4F)(C6H4OCH2CH(CF3)2OCH2OCH3)S+相当)
NEGATIVE M-229(CCF3(OH)CF2SO3 -相当)
IR(D-ATR): 3511, 3100, 2981, 1588, 1494, 1448, 1417, 1248, 1183, 1154, 1106, 1073, 996, 966, 924, 884, 834, 750, 732, 685, 642, 584 cm-1.
TOF-MS(MALDI): [M] 731
IR(D-ATR): 3102, 1589, 1495, 1448, 1417, 1368, 1248, 1180, 1162, 1075, 991, 885, 833, 750, 729, 703, 685, 643, 586, 525 cm-1.
LCMS: [M+H]+ 687
[実施例1−2−1]中間体Hの合成
IR(D-ATR): 3404, 3073, 2885, 2727, 1595, 1498, 1466, 1412, 1373, 1290, 1250, 1218, 1167, 1087, 1065, 1021, 997, 923, 828, 806, 728, 688 cm-1.
TOF-MS(MALDI): POSITIVE M+673
IR(D-ATR): 3390, 3045, 3019, 2975, 1589, 1492, 1463, 1417, 1339, 1305, 1258, 1240, 1221, 1185, 1153, 1105, 1080, 1003, 988, 968, 922, 844, 816, 730, 700, 649 cm-1.
TOF-MS(MALDI): POSITIVE M+761
IR(D-ATR): 1589, 1494, 1468, 1336, 1247, 1217, 1182, 1153, 1107, 1079, 993, 966, 924, 881, 833, 732, 644 cm-1.
TOF-MS(MALDI): [M] 971
IR(D-ATR): 3258, 3107, 2962, 1702, 1589, 1495, 1470, 1417, 1247, 1218, 1176, 1158, 1075, 1059, 987, 884, 830, 729, 643 cm-1.
TOF-MS(MALDI): [M] 883
[実施例1−3−1]中間体Nの合成
中間体Mの水溶液466.4g(70mmol相当)、化合物B37.2g及び塩化メチレン500gを混合攪拌した後、濾過により不溶物を除去し、有機層を分取した。有機層を合わせて純水で3回洗浄した。得られた有機層を減圧濃縮した後、更にMIBKを加えて濃縮し、DIPEを加えて攪拌後上澄み液を除去する操作を2回行い、再度減圧濃縮を行い、溶剤を除去することで目的の中間体N34.8gを得た(二工程収率83%)。
中間体Nの核磁気共鳴スペクトル(1H-NMR、19F-NMR/DMSO-d6)の結果を図25及び図26に示す。なお、1H-NMRにおいて微量の残溶剤(DIPE、THF、MIBK、水)が観測された。
中間体Oの核磁気共鳴スペクトル(1H-NMR、19F-NMR/DMSO-d6)の結果を図27及び図28に示す。
中間体Pの核磁気共鳴スペクトル(1H-NMR、19F-NMR/DMSO-d6)の結果を図29及び図30に示す。なお、1H-NMRにおいて微量の残溶剤(メタノール、水)が観測された。
IR(D-ATR): 3304, 3073, 1595, 1510, 1475, 1449, 1412, 1373, 1316, 1261, 1242, 1169, 1089, 1074, 1045, 984, 882, 838, 812, 746, 682, 644, 586 cm-1.
TOF-MS(MALDI): [M] 687
更に、前述した実施例を参考に、以下に示すPAG−4〜PAG−9を合成した。
本発明のレジスト組成物に用いるポリマーを以下に示す処方で合成した。なお、Mwは、溶剤としてTHFを用いたGPCによるポリスチレン換算測定値である。
窒素雰囲気下、メタクリル酸1−tert−ブチルシクロペンチル22g、メタクリル酸2−オキソテトラヒドロフラン−3−イル17g、V−601(和光純薬工業(株)製)0.48g、2−メルカプトエタノール0.41g、及びメチルエチルケトン50gをフラスコに入れ、単量体−重合開始剤溶液を調製した。窒素雰囲気とした別のフラスコにメチルエチルケトン23gを入れ、攪拌しながら80℃まで加熱した後、そこへ前記単量体−重合開始剤溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま2時間攪拌を続け、次いで室温まで冷却した。得られた反応液を、激しく攪拌したメタノール640g中に滴下し、析出したポリマーを濾別した。前記ポリマーをメタノール240gで2回洗浄した後、50℃で20時間真空乾燥して36gの白色粉末状のポリマーP1を得た(収率90%)。ポリマーP1をGPCにて分析したところ、Mwは8,800、分散度(Mw/Mn)は1.94であった。
各単量体の種類、配合比を変えた以外は、合成例1と同様の手順により、ポリマーP2〜P5を合成した。
[実施例2−1〜2−17、比較例1−1〜1−13]
界面活性剤としてスリーエム社製FC-4430を100ppm溶解させた溶剤に、下記表1及び2に示す組成で各成分を溶解し、得られた溶液を0.2μmのテフロン(登録商標)製フィルターで濾過することで、レジスト組成物を調製した。
PGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)
GBL(γ−ブチロラクトン)
CyH(シクロヘキサノン)
EL(乳酸エチル)
DAA(ジアセトンアルコール)
PAG−X:特開2010−215608号公報に記載の化合物
Q−1:1−(tert−ブトキシカルボニル)−4−ヒドロキシピペリジン
[実施例3−1〜3−12、比較例2−1〜2−8]
レジスト組成物R1〜R12及びR18〜R25を、それぞれシリコンウエハーに信越化学工業(株)製スピンオンカーボン膜ODL-102(カーボンの含有量が80質量%)を200nm、その上にケイ素含有スピンオンハードマスクSHB-A940(ケイ素の含有量が43質量%)を35nmの膜厚で成膜したトライレイヤープロセス用の基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベークし、膜厚80nmのレジスト膜を作製した。これをArFエキシマレーザースキャナー((株)ニコン製NSR-S610C、NA1.30、σ0.98/0.78、35度クロスポール照明、Azimuthally偏光照明、6%ハーフトーン位相シフトマスク)を用いて、ウエハー上寸法が50nmライン、100nmピッチのマスクを用いて液浸露光し、100℃で60秒間PEBを行った。なお、液浸液としては水を用いた。その後、酢酸n−ブチルで30秒間現像を行い、寸法が50nmスペース、100nmピッチのラインアンドスペースのネガパターンを形成した。(株)日立ハイテクノロジーズ製測長SEM(CG4000)を用いて、ラインアンドスペースパターンが1:1で形成されるときの露光量を測定してこれを感度とし、また、このときのエッジラフネス(LWR)、マスクエラーファクター(MEF)、欠陥密度を下記方法に従い測定した。結果を表3に示す。
最適露光量で照射して得たLSパターンを、(株)日立ハイテクノロジーズ製TDSEM(S−9380)でスペース幅の長手方向に10箇所の寸法を測定し、その結果から標準偏差(σ)の3倍値(3σ)をLWRとして求めた。この値が小さいほど、ラフネスが小さく均一なスペース幅のパターンが得られる。
マスクのピッチは固定したまま、マスクのライン幅を変えて、前記感度評価における最適露光量で照射してパターン形成した。マスクのライン幅とパターンのスペース幅の変化から、次式によりMEFの値を求めた。この値が1に近いほど性能が良好である。
MEF=(パターンのスペース幅/マスクのライン幅)−b
現像後に形成されたパターン中の欠陥数を欠陥検査装置KLA2800(KLA−Tencor(株)製)により検査し、次式に従って欠陥密度を求めた。
欠陥密度(個/cm2)=検出された総欠陥数/検査面積
形成したパターン:50nmの1:1ラインアンドスペースの繰り返しパターン
欠陥検査条件:光源UV、検査ピクセルサイズ0.28μm、セルツーセルモード
本評価においては、良好:0.05個/cm2未満、不良:0.05個/cm2以上とした。
[実施例4−1〜4−3、比較例3−1〜3−3]
レジスト組成物R13〜R15及びR26〜R28を、それぞれ信越化学工業(株)製ケイ素含有スピンオンハードマスクSHB-A940(ケイ素の含有量が43質量%)を20nm膜厚で形成したSi基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて105℃で60秒間プリベークし、膜厚60nmのレジスト膜を作製した。これに、ASML社製EUVスキャナーNXE3300(NA0.33、σ0.9/0.6、クアドルポール照明、ウエハー上寸法がピッチ46nm、+20%バイアスのホールパターンのマスク)を用いて露光し、ホットプレートを用いて100℃で60秒間PEBを行い、2.38質量%TMAH水溶液で30秒間現像を行って、寸法23nmのホールパターンを形成した。(株)日立ハイテクノロジーズ製測長SEM(CG5000)を用いて、ホール寸法が23nmで形成されるときの露光量を測定してこれを感度とし、また、このときのホール50個の寸法バラツキ(CDU、3σ)を求めた。結果を表4に示す。
[実施例5−1〜5−2、比較例4−1〜4−2]
レジスト組成物R16、R17、R29及びR30を、それぞれACT-M(東京エレクトロン(株)製)を用いてヘキサメチルジシラザンでベーパープライム処理した152mm角の最表面が酸化ケイ素であるマスクブランク上にスピンコーティングし、ホットプレート上で、110℃で600秒間プリベークし、膜厚80nmのレジスト膜を作製した。得られたレジスト膜の膜厚測定は、光学式測定器ナノスペック(ナノメトリックス社製)を用いて行った。測定は、ブランク外周から10mm内側までの外縁部分を除くブランク基板の面内81箇所で行い、膜厚平均値と膜厚範囲を算出した。更に、EB露光装置((株)ニューフレアテクノロジー製EBM-5000plus、加速電圧50kV)を用いて露光し、110℃で600秒間PEBを施し、2.38質量%TMAH水溶液で現像を行い、ネガ型のレジストパターンを得た。
前記と同様の条件でレジスト膜を作製し、描画をせずにそのまま110℃で600秒間ベークを施し、2.38質量%TMAH水溶液で現像を行った後、マスク欠陥検査装置(レーザーテック社製M2351)で現像残渣の評価を行い、現像後の総欠陥個数を求めた。本評価においては、総欠陥個数が300個未満であるものを良好とし、300個以上であるものと不良とした。
Claims (19)
- 下記式(1)で表されるスルホニウム化合物。
- Rf1及びRf2が、トリフルオロメチル基である請求項1記載のスルホニウム化合物。
- 式(1)で表されるスルホニウム化合物が、下記式(2)で表されるものである請求項1又は2記載のスルホニウム化合物。
- Rf5及びRf6が、ともにフッ素原子である請求項3記載のスルホニウム化合物。
- 請求項1〜4のいずれか1項記載のスルホニウム化合物からなる光酸発生剤。
- 請求項5記載の光酸発生剤を含むレジスト組成物。
- 下記式(a)で表される繰り返し単位及び下記式(b)で表される繰り返し単位を有するポリマーを含むベース樹脂を含む請求項6記載のレジスト組成物。
- 更に、有機溶剤を含む請求項6又は7記載のレジスト組成物。
- 更に、請求項5記載の光酸発生剤以外のその他の光酸発生剤を含む請求項6〜8のいずれか1項記載のレジスト組成物。
- 前記その他の光酸発生剤が、下記式(4)又は(5)で表されるものである請求項9記載のレジスト組成物。
- 更に、下記式(6)又は(7)で表されるオニウム塩を含む請求項6〜10のいずれか1項記載のレジスト組成物。
- 更に、アミン化合物を含む請求項6〜11のいずれか1項記載のレジスト組成物。
- 更に、水不溶又は難溶でアルカリ現像液可溶な界面活性剤、及び/又は水及びアルカリ現像液に不溶又は難溶な界面活性剤を含む請求項6〜12のいずれか1項記載のレジスト組成物。
- 請求項6〜13のいずれか1項記載のレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理をしてレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をフォトマスクを介して、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、電子線又は極端紫外線で露光する工程と、前記露光したレジスト膜を加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むパターン形成方法。
- 現像液としてアルカリ水溶液を用いて、露光部を溶解させ、未露光部が溶解しないポジ型パターンを得る請求項14記載のパターン形成方法。
- 現像液として有機溶剤を用いて、未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得る請求項14記載のパターン形成方法。
- 前記有機溶剤が、2−オクタノン、2−ノナノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−ヘキサノン、3−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノン、アセトフェノン、メチルアセトフェノン、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ペンチル、酢酸ブテニル、酢酸イソペンチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、ギ酸イソペンチル、吉草酸メチル、ペンテン酸メチル、クロトン酸メチル、クロトン酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソブチル、乳酸ペンチル、乳酸イソペンチル、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル、2−ヒドロキシイソ酪酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、酢酸フェニル、酢酸ベンジル、フェニル酢酸メチル、ギ酸ベンジル、ギ酸フェニルエチル、3−フェニルプロピオン酸メチル、プロピオン酸ベンジル、フェニル酢酸エチル及び酢酸2−フェニルエチルから選ばれる少なくとも1種である請求項16記載のパターン形成方法。
- 前記露光が、屈折率1.0以上の液体をレジスト塗布膜と投影レンズとの間に介在させて行う液浸露光である請求項14〜17のいずれか1項記載のパターン形成方法。
- 前記レジスト塗布膜の上に更に保護膜を塗布し、該保護膜と投影レンズとの間に前記液体を介在させて液浸露光を行う請求項18記載のパターン形成方法。
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