JP5411893B2 - スルホニウム塩、高分子化合物、該高分子化合物を用いた化学増幅型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 - Google Patents
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Description
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、下記一般式(3)〜(5)のような芳香環を含む繰り返し単位を主たる構成要素として含有する化学増幅型レジスト用ポリマーに、下記一般式(1)で示される重合性アニオンを有するスルホニウム塩を繰り返し単位(即ち繰り返し単位(2))として導入した場合、ポリマーの有機溶剤に対する好ましい溶解性と共に、パターン形成時にはレジスト膜中での酸拡散が抑制されたことによりLERの小さなパターンが得られ、パターン形成に際してパターン剥がれやパターン崩壊を起こしやすい材料を最表面に持つ被加工基板上でも、安定したパターン形成ができることを知見し、本発明をなすに至った。
置換若しくは非置換のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等が挙げられる。
置換若しくは非置換のオキソアルキル基としては、2−オキソシクロペンチル基、2−オキソシクロヘキシル基、2−オキソプロピル基、2−オキソエチル基、2−シクロペンチル−2−オキソエチル基、2−シクロヘキシル−2−オキソエチル基、2−(4−メチルシクロヘキシル)−2−オキソエチル基等を挙げることができる。
置換若しくは非置換のアラルキル基としてはベンジル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基等が挙げられる。
置換若しくは非置換のアリールオキソアルキル基としては、2−フェニル−2−オキソエチル基、2−(1−ナフチル)−2−オキソエチル基、2−(2−ナフチル)−2−オキソエチル基等の2−アリール−2−オキソエチル基等が挙げられる。
より好ましくはトリフェニルスルホニウム、4−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム、4−tert−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム、トリス(4−tert−ブチルフェニル)スルホニウム、トリス(4−tert−ブトキシフェニル)スルホニウム、ジメチルフェニルスルホニウム等が挙げられる。
で示される置換基を表す。M+はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、及び置換若しくは未置換のアンモニウムイオンのいずれかを示す。X3−はハライドイオン又はメチル硫酸イオンを示す。)
反応に用いることができる溶媒として、水、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジ−n−ブチルエーテル、1,4−ジオキサン等のエーテル類、n−ヘキサン、n−ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド(DMSO)、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)等の非プロトン性極性溶媒類、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等の塩素系有機溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は、反応条件により適宜選択して用いればよく、1種単独又は2種以上を混合して用いることができる。
また、上記ステップ(iv)で示される反応に用いることができる塩基として、例えば、アンモニア、トリエチルアミン、ピリジン、ルチジン、コリジン、N,N−ジメチルアニリン等のアミン類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等の水酸化物類、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム等の炭酸塩類等が挙げられる。これらの塩基は、1種単独又は2種以上を混合して用いることができる。
酸クロリドを用いる場合は、無溶媒あるいは塩化メチレン、アセトニトリル、トルエン、ヘキサン等の溶媒中、ヒドロキシラクトン(7)、2−クロロ酢酸クロリド、3−クロロプロピオン酸クロリド等の対応する酸クロリド、トリエチルアミン、ピリジン、4−ジメチルアミノピリジン等の塩基を順次または同時に加え、必要に応じ冷却あるいは加熱するなどして行うのがよい。
また、カルボン酸を用いる場合は、トルエン、ヘキサン等の溶媒中、ヒドロキシラクトン(7)と2−クロロ酢酸、3−クロロプロピオン酸等の対応するカルボン酸を酸触媒の存在下加熱し、必要に応じて生じる水を系外に除くなどして行うのがよい。
用いる酸触媒としては例えば、塩酸、硫酸、硝酸、過塩素酸などの無機酸類、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸等の有機酸類等が挙げられる。反応時間はガスクロマトグラフィー(GC)やシリカゲル薄層クロマトグラフィー(TLC)で反応を追跡して反応を完結させることが収率の点で望ましいが、通常0.5〜24時間程度である。反応混合物から通常の水系処理(aqueous work−up)によりハロエステル(17)を得ることができ、必要があれば蒸留、クロマトグラフィー、再結晶などの常法に従って精製することができる。
尚、aは、a≦5+2r−bを満足する整数であり、R6の全てが水素原子の場合、a=5+2r−bとなり、R6の全てが炭素数1〜6のアルキル基の場合、0〜3の整数である。
尚、cは、c≦5+2t−eを満足する整数であり、R6の全てが水素原子の場合、c=5+2t−eとなり、R6の全てが炭素数1〜6のアルキル基の場合、0〜3の整数である。
で示されるアセタール基は酸不安定基としてよく利用され、比較的パターンと基板の界面が矩形であるパターンを安定して与える酸不安定基として有用な選択肢である。特に、より高い解像性を得るためには炭素数7〜30の多環式アルキル基が含まれることが好ましい。またYが多環式アルキル基を含む場合、該多環式環構造を構成する2級炭素とアセタール酸素との間で結合を形成していることが好ましい。なぜなら、環構造の3級炭素上で結合している場合、ポリマーが不安定な化合物となり、レジスト材料として保存安定性に欠け、解像力も劣化することがあるためである。逆にYが炭素数1以上の直鎖状のアルキル基を介在した1級炭素上で結合した場合、ポリマーのガラス転移温度(Tg)が低下し、現像後のレジストパターンがベークにより形状不良を起こすことがある。
また、全構成単位が(2)〜(6)より選ばれた繰り返し単位である高分子化合物である場合は、高いエッチング耐性と解像性の両立に優れる。(2)〜(6)以外の繰り返し単位としては、特許文献2にも示されたような、常用される酸不安定基で保護された(メタ)アクリル酸エステル単位や、ラクトン構造等の密着性基を持つ(メタ)アクリル酸エステル単位を使用してもよい。これらのその他の繰り返し単位によってレジスト膜の特性の微調整を行ってもよいが、これらの単位を含まなくてもよい。
その配合量は、上記高分子化合物100質量部に対し、15質量部以上の添加は本発明のポリマーに結合された酸発生剤による効果を損なうため、15質量部未満、より好ましくは10質量部以下が好ましい。特に、分子量の小さなスルホン酸、例えば炭素数が6以下のスルホン酸を発生する酸発生剤の場合には、5質量部以下とすることが好ましい。
本発明の重合性アニオンを有するスルホニウム塩PM−1〜PM−6を以下に示す処方で合成した。なお、合成した本発明のスルホニウム塩(PM−1〜PM−6)の構造、及び比較例で使用するPM−7のスルホニウム塩の構造は、後述の表2に示した。
(合成実施例1−1−1)
メタクリル酸7−ターシャリーブトキシカルボニル−2−オキソヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−6−イル(25)の合成
6−ヒドロキシ−2−オキソヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−7−カルボン酸ターシャリーブチル(24)226.8g及びトリエチルアミン135.2gをアセトニトリル900mlに溶解した。20℃以下にて、メタクリル酸クロリド121.1gを滴下した。室温で3時間撹拌した後、水を300gを加え、通常の後処理操作を行った。酢酸エチルより再結晶を行い、目的物202.2gを得た(収率70%)。
6−メタクリロイルオキシ−2−オキソヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−7−カルボン酸(26)の合成
(合成実施例1−1−1)で得たメタクリル酸エステル(25)202.2gをギ酸810gに溶解し、25℃にて16時間撹拌した。ギ酸を減圧下で留去し酢酸エチルから再結晶を行い、目的物135.1gを得た(収率81%)。
メタクリル酸7−クロロカルボニル−2−オキソヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−6−イル(27)の合成
(合成実施例1−1−2)で得たカルボン酸(26)18.0gをトルエン135mlに懸濁させ、80℃で二塩化オキサリル10.3gを滴下した。4時間撹拌した後、トルエンを減圧下で留去し、目的物を得た。得られた酸塩化物はこれ以上の精製はせずに、次の反応に用いた。
2’−(6−メタクリロイルオキシ−2−オキソヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−7−カルボニルオキシ)エタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム(PM−1)の合成
CH3CN40gとH2O36gの混合溶媒に2−ヒドロキシエタンスルホン酸ナトリウム(28)16.8g、トリエチルアミン8.2g、4−ジメチルアミノピリジン0.042gを溶解し、(合成実施例1−1−3)で得た酸塩化物(27)をCH3CN40gに溶かした溶液を20℃以下で滴下しオニウム塩(29)を得た。25℃で2時間撹拌した後、CH2Cl240g、トリフェニルスルホニウムクロリドの水溶液166gを加え、30分撹拌した。有機層を分液後、水層をCH2Cl2で抽出し、あわせた有機層をH2Oで3回洗浄した。溶媒を減圧下で留去し、目的物(PM−1)を22.0g得た(3段階収率51%)。
THF300g、H2O250g、4−フェノールスルホン酸ナトリウム58.8g、25%水酸化ナトリウム水溶液48.0gを溶解し、25℃で(合成実施例1−1−3)で得られた酸塩化物(27)79.9gのTHF溶液を滴下した。25℃で2時間撹拌した後、CH2Cl2500g、トリフェニルスルホニウムクロリドの水溶液742gを加え、30分撹拌した。有機層を分液後、水層をCH2Cl2で抽出し、あわせた有機層をH2Oで3回洗浄した。溶媒を減圧下で留去し、目的物(PM−2)を119.2g得た(3段階収率58%)。
(合成実施例1−1)中の(合成実施例1−1−1)で、6−ヒドロキシ−2−オキソヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−7−カルボン酸ターシャリーブチル(24)の代わりに6−ヒドロキシ−2−オキソ−4−オキサヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−7−カルボン酸ターシャリーブチル38.5gを用いた以外は、(合成実施例1−1)と同様の手順で合成を行い、2’−(6−メタクリロイルオキシ−2−オキソ−4−オキサヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−7−カルボニルオキシ)エタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム(PM−3)を34.5g得た(5段階収率36%)。
(合成実施例1−1)中の(合成実施例1−1−1)で6−ヒドロキシ−2−オキソヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−7−カルボン酸ターシャリーブチル(24)の代わりに6−ヒドロキシ−2−オキソ−4−オキサヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−7−カルボン酸ターシャリーブチル29.9gを用い、(合成実施例1−1−3)まで同様に合成を行い酸塩化物を合成した。これを用いて(合成実施例1−2)と同様の手順で合成を行い、4−(6−メタクリロイルオキシ−2−オキソ−4−オキサヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−7−カルボニルオキシ)ベンゼンスルホン酸トリフェニルスルホニウム(PM−4)を32.9g得た(5段階収率41%)。
(合成実施例1−2)で、トリフェニルスルホニウムクロリドの水溶液の代わりに、10−フェニルフェノキサチイニウムヨージドを用いた以外は、(合成実施例1−2)と同様の手順で合成を行い、4’−(6−メタクリロイルオキシ−2−オキソヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−7−カルボニルオキシ)ベンゼンスルホン酸10−フェニルフェノキサチイニウム(PM−5)を31.0g得た(3段階収率57%)。
(合成実施例1−5)で、10−フェニルフェノキサチイニウムヨージドの代わりに、9−フェニルジベンゾチオフェニウムクロリドの水溶液を用いた以外は、(合成実施例1−5)と同様の手順で合成を行い、4’−(6−メタクリロイルオキシ−2−オキソヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−7−カルボニルオキシ)ベンゼンスルホン酸9−フェニルジベンゾチオフェニウム(PM−6)を32.0g得た3段階収率56%)。
本発明の高分子化合物を以下の処方で合成した。合成した各ポリマーの組成比は表1に、繰り返し単位の構造は、表2〜表5に示した。
窒素雰囲気とした滴下用シリンダーに168.8gの4−(1−エトキシエトキシスチレン)、15.3gのアセナフチレン、16.0gの2’−(6−メタクリロイルオキシ−2−オキソヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−7−カルボニルオキシ)エタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム(PM−1)、19.4gのジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)=V−601、303gのメチルエチルケトンをとり、単量体溶液を調製した。窒素雰囲気とした別の重合用フラスコに、106gのメチルエチルケトンをとり、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま20時間撹拌を続け、次いで室温まで冷却した。得られた重合液にメタノール100g、シュウ酸1.2gを加えて40℃で5時間撹拌し、脱保護反応を行った。トリエチルアミンにて中和処理した後に、反応液を濃縮し、アセトン400gに再度溶解後、2000gのH2Oに滴下し、析出した共重合体を濾別した。共重合体をH2O400gで2回洗浄した後、50℃で20時間真空乾燥して、白色粉末固体状のポリマーを得た。得られたポリマーに(2−メチル−1−プロペニル)メチルエーテル31.8gを酸性条件下反応させて、中和、分液処理、晶出工程を経て、下記に示すポリマー1を得た。収量は118gであった。
ポリマー合成例2−1における(2−メチル−1−プロペニル)メチルエーテルを、2−メチル−1−プロペニル)−8−(トリシクロ[5,2,1,02,6]デカニルエーテルに代えた以外はポリマー合成例2−1と同様の手順で合成を行い、ポリマー2を得た。
窒素雰囲気とした滴下用シリンダーに166.7gの4−ヒドロキシフェニルメタクリレート、16.3gのアセナフチレン、17.0gの2’−(6−メタクリロイルオキシ−2−オキソヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−7−カルボニルオキシ)エタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム(PM−1)、20.7gのジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)=V−601、303gのメチルエチルケトンをとり、単量体溶液を調製した。窒素雰囲気とした別の重合用フラスコに、106gのメチルエチルケトンをとり、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま4時間撹拌を続け、次いで室温まで冷却した。得られた重合液を、4000gのヘキサン/ジイソプロピルエーテル溶液に滴下し、析出した共重合体を濾別した。共重合体をヘキサン200gで2回洗浄した後、50℃で20時間真空乾燥して、白色粉末固体状のポリマーを得た。得られたポリマーに(2−メチル−1−プロペニル)メチルエーテル33.8gを酸性条件下反応させて、中和、分液処理、晶出工程を経て、ポリマー3を得た。収量は183gであった。
ポリマー合成例2−3における(2−メチル−1−プロペニル)メチルエーテルを、2−メチル−1−プロペニル)−8−(トリシクロ[5,2,1,02,6]デカニルエーテルに代えた以外はポリマー合成例2−3と同様の手順で合成を行い、ポリマー4を得た。
ヒドロキシスチレンユニットを含むポリマーの場合は、各単量体の種類、配合比を変えた以外は、ポリマー合成例2−1又は2−2と同様の手順により、表1に示した樹脂を製造した。また、4−ヒドロキシフェニルメタクリレートユニットを含むポリマーの場合は、各単量体の種類、配合比を変えた以外は、ポリマー合成例2−3又は2−4と同様の手順により、表1に示した樹脂を製造した。
窒素雰囲気とした滴下用シリンダーに44.2gの4−ヒドロキシフェニルメタクリレート、48.3gのメタクリル酸5−オキソ−4−オキサトリシクロ[4.2.1.03,7]ノナン−2−イル、16.0gのメタクリル酸1−メトキシ−2−メチル−1−プロピル、41.5gの2’−(6−メタクリロイルオキシ−2−オキソヘキサヒドロ−3,5−メタノ−2H−シクロペンタ[b]フラン−7−カルボニルオキシ)エタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム(PM−1)、11.1gのジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)=V−601、209gのメチルエチルケトンをとり、単量体溶液を調製した。窒素雰囲気とした別の重合用フラスコに、69.6gのメチルエチルケトンをとり、撹拌しながら80℃まで加熱した後、上記単量体溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合液の温度を80℃に保ったまま4時間撹拌を続け、次いで室温まで冷却した。得られた重合液を、4000gのヘキサン/ジイソプロピルエーテル溶液に滴下し、析出した共重合体を濾別した。共重合体をヘキサン200gで2回洗浄した後、50℃で20時間真空乾燥して、白色粉末固体状のポリマーを得た。
各単量体の種類、配合比を変えた以外は、ポリマー合成例2−29と同様の手順により、表1に示した樹脂を製造した。
表1中、各単位の構造を表2〜5に示す。なお、下記表1において、導入比はモル比を示す。
上記で合成したポリマー(ポリマー1〜30、比較ポリマー1〜5)、塩基性化合物(下記式で示されるBase−1)を表6に示す組成で有機溶剤中に溶解してレジスト材料を調合し、更に各組成物を0.2μmサイズのフィルターもしくは0.02μmサイズのナイロン又はUPEフィルターで濾過することにより、ポジ型レジスト材料の溶液をそれぞれ調製した。
上記調製したポジ型レジスト材料(実施例1〜28、比較例1〜4)をACT−M(東京エレクトロン(株)製)152mm角の最表面が酸化窒化クロム膜であるマスクブランク上にスピンコーティングし、ホットプレート上で100℃で600秒間プリベークして60nmのレジスト膜を作製した。得られたレジスト膜の膜厚測定は、光学式測定器ナノスペック(ナノメトリックス社製)を用いて行った。測定はブランク外周から10mm内側までの外縁部分を除くブランク基板の面内81箇所で行い、膜厚平均値と膜厚範囲を算出した。
上記調製したポジ型レジスト材料(実施例29〜30、比較例5)をヘキサメチルジシラザン(HMDS)ベーパープライム処理した直径4インチのSi基板上にスピンコートし、ホットプレート上で105℃で60秒間プリベークして50nmのレジスト膜を作製した。これに、NA0.3、ダイポール照明でEUV露光を行った。
Claims (9)
- 下記一般式(1)で表されるスルホニウム塩。
- 下記一般式(2)で表される繰り返し単位、及び、下記一般式(3)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物。
- 前記高分子化合物は、更に、下記一般式(5)及び/又は(6)で示される繰り返し単位を含むものであることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の高分子化合物。
- ベースポリマーとして、請求項2乃至請求項4のいずれか一項に記載の高分子化合物を含むものであることを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。
- 被加工基板上に請求項5に記載の化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、高エネルギー線をパターン照射する工程、アルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程を含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
- 前記高エネルギー線として、EUV又は電子線を用いることを特徴とする請求項6に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記被加工基板の最表面は、クロムを含む材料からなることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記被加工基板としてフォトマスクブランクを用いることを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれか一項に記載のレジストパターン形成方法。
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