WO2009096420A1 - 凹凸パターン形成方法、およびそれを利用した磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 title abstract description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 101
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 56
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 35
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 35
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 claims description 8
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 7
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 7
- 125000005017 substituted alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 5
- 125000005415 substituted alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 17
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000004049 embossing Methods 0.000 abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 4
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 siloxane compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000005206 1,2-dihydroxybenzenes Chemical class 0.000 description 2
- 150000005207 1,3-dihydroxybenzenes Chemical class 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000005054 phenyltrichlorosilane Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N trichloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FCVNATXRSJMIDT-UHFFFAOYSA-N trihydroxy(phenyl)silane Chemical compound O[Si](O)(O)C1=CC=CC=C1 FCVNATXRSJMIDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- KBXJHRABGYYAFC-UHFFFAOYSA-N octaphenylsilsesquioxane Chemical compound O1[Si](O2)(C=3C=CC=CC=3)O[Si](O3)(C=4C=CC=CC=4)O[Si](O4)(C=5C=CC=CC=5)O[Si]1(C=1C=CC=CC=1)O[Si](O1)(C=5C=CC=CC=5)O[Si]2(C=2C=CC=CC=2)O[Si]3(C=2C=CC=CC=2)O[Si]41C1=CC=CC=C1 KBXJHRABGYYAFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/855—Coating only part of a support with a magnetic layer
Definitions
- the present invention relates to a method for forming a concavo-convex pattern using a specific concavo-convex pattern forming material and a method for producing a magnetic recording medium using the concavo-convex pattern formed by the method for forming the concavo-convex pattern.
- the following techniques are well known as a method for forming an uneven microstructure on the surface of a material to be processed with high throughput.
- the uneven pattern is transferred to the film by embossing the film with a mold having an uneven pattern.
- the workpiece material is processed using a concavo-convex pattern made of the film formed thereby as a resist.
- the material to be processed is a material for forming a concavo-convex pattern.
- a substrate such as a glass plate, a substrate on which a magnetic film or a protective film is formed, or a substrate or a substrate subjected to masking treatment Etc.
- thermoplastic polymer such as polymethyl methacrylate (PMMA) has been used as the material for forming the concavo-convex pattern, that is, a resist (a method proposed by Steohen Y. Chou et al., See Non-Patent Document 1).
- PMMA polymethyl methacrylate
- nanoimprinting using this resist forming material requires heating at the time of stamping, and there is a problem that the position and line width of the transferred pattern after stamping change due to temperature changes when cooling after stamping. .
- the nanoimprint has a process of heating and cooling, so that the workability is not so good.
- the resist forming material adheres to the mold (embossing) mask in the transfer process, and the pattern transfer accuracy is lowered. It was.
- hydrogenated silsesquioxane which is one of the siloxane compounds, is used as a resist forming material. After the coating film is formed on the substrate, it is embossed at room temperature, and the hydrogenated silsesquioxane is further hydrolyzed.
- a technique for obtaining a fine concavo-convex pattern by decomposing and hardening has been developed (see Patent Document 1).
- a technology has been developed to obtain a fine concavo-convex pattern by forming a coating film comprising a composition containing a catechol derivative and a resorcinol derivative on a substrate, then embossing at room temperature, and further curing the composition. (See Patent Document 2).
- the former method using silsesquioxane hydride has a drawback that it is very difficult to use industrially to produce a fine concavo-convex pattern (resist). This is because hydrogenated silsesquioxane is unstable and thus has a short life as a coating solution, and also has a short usable time after being applied to a substrate and drying the solvent.
- the latter method using an organic material has a drawback that a composition containing a catechol derivative and a resorcinol derivative has low resistance to oxygen, and is particularly restricted in processing a magnetic medium having high resistance to etching by oxygen gas. is there.
- a dry etching method or the like is known as a method for transferring the resist pattern formed by the nanoimprint to a magnetic film.
- the dry etching method is a method of selectively removing part or all of a portion of a substrate on which a resist is not formed by spraying an etching gas on the substrate on which a resist pattern is formed, for example. Since there is a difference in the ease of removal of the resist and the substrate by the etching gas, such removal is possible. That is, the resist is difficult to remove and the substrate is easy to remove.
- the magnetic film is made of a metal oxide that is highly resistant to etching gas (usually oxygen gas). Even if sesquioxane or the like is used, there is a problem that the uneven shape of the resist, that is, the rectangle is deformed, and the patterning of the magnetic film cannot be performed cleanly.
- an object of the present invention is to provide the following two methods.
- (1) A method for forming a concavo-convex pattern that can be imprinted (embossed) at room temperature with good rectangularity, using a resist forming material that has excellent oxygen etching resistance and a long pot life.
- (2) A method of manufacturing a magnetic recording medium that can perform patterning with good rectangularity on a workpiece such as a substrate provided with a magnetic film, using the uneven pattern formed by the method of (1).
- the present inventors include a silsesquioxane compound having a specific weight average molecular weight represented by a composition formula of R 1 R 2 Si 2 O 3. It has been found that the solution can solve the above problems (1) and (2).
- the magnetic film is highly resistant to ion etching, so that the concavo-convex pattern having good rectangularity is formed on the magnetic film.
- it is difficult to form a pattern consisting of a resist and carbon thin film on the magnetic film by oxygen etching in advance by introducing a carbon thin film having high ion milling resistance onto the magnetic film the magnetic film has good rectangularity.
- the present inventors have also found that an uneven pattern can be formed.
- the present invention is as described in the following [1] to [13].
- a solution containing a silsesquioxane compound represented by the following composition formula (A) and having a weight average molecular weight of 10,000 or more in terms of standard polystyrene measured by gel permeation chromatography is applied to the surface of the work material. And forming a thin film (1), A step (2) of pressing a master having an uneven pattern on the thin film; And a step (3) of peeling the master from the thin film.
- R 1 R 2 Si 2 O 3 composition formula (A) (In the above compositional formula (A), R 1 and R 2 are each independently an optionally substituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an optionally substituted alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, and a substituted group. Represents an optionally substituted alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms or an optionally substituted aryl group having 6 to 10 carbon atoms).
- R 1 and R 2 are each independently an optionally substituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an optionally substituted alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, Represents an optionally substituted alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms or an optionally substituted aryl group having 6 to 10 carbon atoms).
- [8] Forming a concavo-convex pattern made of a thin film on the magnetic film by the method for forming a concavo-convex pattern according to any one of [1] to [7] using a substrate having a magnetic film on a substrate as a material to be processed And Removing the thin film present at the bottom of the concave portion of the concave-convex pattern;
- a method of manufacturing a concavo-convex patterned magnetic recording medium comprising a step of removing at least a part of the magnetic film present at the bottom of the concave portion exposed by the removal.
- a magnetic recording / reproducing apparatus comprising the magnetic recording medium according to [12].
- the solution containing the silsesquioxane compound since the solution containing the silsesquioxane compound has a long pot life, the solution is applied to the surface of the material to be processed to form a thin film, and then a long time at room temperature. Even if the mold is pressed after being allowed to stand for a long time, an uneven pattern with good rectangularity can be transferred to the thin film.
- a magnetic recording medium of the present invention it is possible to perform patterning with good rectangularity on a material to be processed such as a substrate provided with a magnetic film.
- the etching gas is, for example, a fluorine-based gas
- the etching gas is, for example, an oxygen gas.
- corrugated pattern formation method with respect to a desirable magnetic film, when a workpiece material is a board
- the etching gas is, for example, a fluorine-based gas
- the etching gas is, for example, an oxygen gas.
- SR-20 weight average molecular weight 5470
- SR-20 weight average molecular weight 16900
- FIG. 4 It is a figure which shows the cross-sectional SEM image of the board
- a solution containing polydiphenylsilsesquioxane is applied to the surface of the material to be processed to form a thin film, and a concavo-convex pattern is transferred to the thin film by a stamper.
- corrugated pattern formation method of this invention covers the solution containing the silsesquioxane compound whose weight average molecular weight of the standard polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography represented by the following compositional formula (A) is 10,000 or more.
- a good aryl group having 6 or 7 carbon atoms is preferred,
- An alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 4 carbon atoms, or an aryl group having 6 or 7 carbon atoms is more preferable from the viewpoint of fluidity of the solution and rectangularity of the uneven pattern.
- Examples of the substituent in the optionally substituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms include a halogen atom and a hydroxyl group.
- Examples of the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group.
- Examples of the alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms include a vinyl group, an allyl group, and a butenyl group.
- Examples of the alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms include a methoxy group and an ethoxy group.
- Examples of the aryl group having 6 to 10 carbon atoms include a phenyl group and a tolyl group.
- a phenyl group and a methyl group are particularly preferable from the viewpoint of the ability to hold a thin film rectangle during embossing.
- the silsesquioxane compound has a weight average molecular weight in terms of standard polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC) of 10,000 or more, preferably 30000 or less, more preferably 12000 or more and 25000 or less, and still more preferably. Is 15000 or more and 20000 or less.
- GPC gel permeation chromatography
- the viscosity of the solution containing the silsesquioxane compound will increase and the fluidity will decrease, so excessive pressure will be required when embossing with the master and the life of the master (stamper) will be shortened. It may end up.
- the silsesquioxane compound is preferably composed of a repeating unit having a structure represented by the following formula (B) from the viewpoint of fluidity of the solution containing the silsesquioxane compound and rectangularity of the uneven pattern. .
- R 1 and R 2 have the same meanings as R 1 and R 2 in formula (A). That is, R 1 and R 2 are each independently an optionally substituted alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, an optionally substituted alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, or an optionally substituted carbon number 1 Represents an alkoxy group having 6 to 6 atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms which may be substituted; These examples and preferred ones are also as described for R 1 and R 2 in the composition formula (A).
- an alkali metal carboxylate and a lower alcohol are dissolved in a mixed solution in which two layers of water and an organic solvent are formed, and methyltrichlorosilane is dropped into the system to hydrolyze the methyltrichlorosilane, followed by further hydrolysis.
- a decomposition product can be condensed to synthesize polymethylsilsesquioxane (see Japanese Patent No. 2977218).
- a polyphenylsilsesquioxane can be synthesized by condensing a prepolymer or phenylsilanetriol (see Japanese Patent Publication No. 3-60336 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-143578).
- an alkali metal carboxylate and a lower aliphatic alcohol are dissolved in a mixed solution in which two layers of water and an organic solvent are formed, and phenyltrichlorosilane is dropped into this system to be hydrolyzed and further condensed.
- phenyltrichlorosilane is dropped into this system to be hydrolyzed and further condensed.
- a prepolymer obtained by hydrolyzing methyltriethoxysilane and phenyltrimethoxysilane in the presence of an acidic catalyst is condensed in a methyl isobutyl ketone solvent in the presence of a basic catalyst to produce an ultrahigh molecular weight polymethyl ester.
- Phenyl silsesquioxane can be synthesized (see Japanese Patent No. 3272002).
- the silsesquioxane compound used in the method for forming a concavo-convex pattern according to the present invention can be produced by various known methods and is also commercially available.
- the compound When forming a fine concavo-convex pattern using these compounds, the compound is dissolved in a solvent to form a solution, which is applied to the surface of the work material by a method such as spin coating or dip coating.
- the solvent include ketone solvents such as methyl isobutyl ketone and cyclohexanone, Aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene, Ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, Examples include alcohol solvents such as 2-propanol, butanol, hexanol, propylene glycol mono-n-propyl ether, and ethylene glycol monoethyl ether.
- the amount of the solvent used is such that the silsesquioxane compound is usually 1 to 40% by mass, preferably 3 to 6% by mass with respect to 100% by mass of the solvent.
- the concavo-convex pattern forming method of the present invention can carry out all the steps at room temperature, and also described in Patent Documents 1 and 2. Since it is not necessary to carry out the curing reaction required by the method, workability is good.
- the thin film used as a resist, which is formed by this method is highly resistant to oxygen etching, and has a long pot life, so even if it is left at room temperature for a long time after forming the thin film, it has good rectangularity. A pattern can be formed.
- the method for forming a concavo-convex pattern according to the present invention includes a step of applying a solution containing the specific silsesquioxane compound to the surface of a material to be processed to form a thin film (application step), and a master having a concavo-convex pattern on the thin film. It has a process of pressing (transfer process) and a process of peeling the master from the thin film (peeling process).
- a solution containing the silsesquioxane compound is applied to a work material such as a substrate to form a thin film on the work material surface.
- a work material such as a substrate
- a thin film forming method include spin coating and dip coating, but it is preferable to appropriately select a method in which the thickness of the thin film on the substrate is uniform. Further, it is desirable to select a solvent having a boiling point as a solvent of the solution so that it is not necessary to perform a prebake treatment after the application according to each application method.
- the concavo-convex pattern is transferred to the thin film by pressing the master (mold with concavo-convex pattern) on the thin film formed in the coating process under pressure at room temperature without any special treatment such as pre-baking.
- the FIG. 1B shows a process of pressing the master against the thin film formed in the coating process.
- normal temperature means a temperature range of 0 to 50 ° C.
- this transfer step is particularly preferably carried out at a temperature of 10 to 40 ° C. This step can usually be performed in air.
- the pressure is usually 100 to 250 MPa, more preferably 140 to 180 MPa. If the pressure is too low, transfer may be insufficient. On the other hand, if it is too high, the life of the master may be shortened, which is not economical.
- a fine concavo-convex pattern can be formed on the thin film by the above operation.
- the fine uneven pattern is a pattern in which the line width dimension of the unevenness formed on the thin film is 10 ⁇ m or less, that is, a pattern in which the sum of one concave line width and one convex line width is 10 ⁇ m or less. Means.
- FIG. 1C shows a process of peeling the master from the thin film.
- the thin film having the concavo-convex pattern transferred thereon can be used as a resist.
- a fluorine-based etching gas such as CF 4 or SF 6
- the remaining film at the bottom of the pattern recess is removed (residual film processing), and only the bottom of the recess is processed.
- the pattern of the master can be transferred to the material to be processed by performing etching according to the characteristics of the material to be processed.
- FIG. 2A shows the remaining film treatment
- FIG. 2B shows the step of etching the material to be processed.
- a solution containing a specific silsesquioxane compound is applied to a surface of a work material to form a thin film on the surface of the work material, and a master is formed on the thin film.
- a concave / convex pattern with good rectangularity can be formed on the thin film.
- oxygen etching or the like is sufficient for etching the work material.
- the work material is a magnetic material in which a magnetic film is formed on a base such as a hard disk substrate, such work material is Since the resistance to various etching gases is high, it may be difficult to form a concavo-convex pattern on the work material with good rectangularity by the above method.
- a carbon thin film such as diamond-like carbon
- Such a carbon thin film can be formed in advance on the magnetic film by a known method such as a known CVD method or PVD method.
- the concave and convex pattern is formed on the material to be processed (magnetic film) with good rectangularity by performing the following steps until the remaining film treatment, and then performing the following steps. Can be formed.
- the thin film formed on the carbon thin film has excellent oxygen etching resistance, while the carbon thin film has low oxygen etching resistance, so by performing oxygen etching on the thin film and the carbon thin film after performing the residual film treatment, It is possible to selectively remove the carbon thin film that is not covered with the thin film, that is, exposed by the residual film treatment and that exists at the bottom of the concave portion.
- FIG. 3B shows the process.
- the thickness of the carbon thin film is usually 10 to 30 nm.
- ⁇ Magnetic film removal process By performing a process such as ion milling after the carbon thin film removing step, the portion of the material to be processed (magnetic film) that is not covered with the carbon thin film, that is, exposed by the oxygen etching, is present at the bottom of the concave portion. It can be selectively removed. This is because the diamond-like carbon constituting the carbon thin film has high resistance to ion milling, and the magnetic film has low resistance to ion milling. In this way, a concavo-convex pattern can be formed on the substrate. The thin film (resist) is also removed by ion milling. FIG. 3C shows this process.
- the carbon thin film can be easily removed by ion etching with oxygen gas after patterning of the workpiece material, the carbon thin film is a preferable material as a mask for patterning the magnetic material.
- the magnetic recording medium obtained by the method of manufacturing a magnetic recording medium having a concavo-convex pattern according to the present invention can be applied to various known applications, for example, can be provided in a magnetic recording / reproducing apparatus.
- polydiphenylsilsesquioxane (SR-20, manufactured by Konishi Chemical Co., Ltd.), which is a compound comprising a repeating unit having the structure represented by the formula (B) described above, wherein R 1 and R 2 are phenyl groups
- R 1 and R 2 are phenyl groups
- Two types having different average molecular weights were prepared (two types having weight average molecular weights of 5470 and 16900 in terms of standard polystyrene measured by GPC).
- a 5% solution of each propylene glycol monomethyl ether acetate (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.) was prepared and used as a resist solution.
- a substrate provided with a magnetic film on a base was prepared, and a carbon thin film was formed on the surface of the substrate, that is, the magnetic film with a thickness of about 10 nm, and this was used as a material to be processed.
- the resist solution was spin-coated on the surface of the material to be processed, that is, on the carbon thin film so as to have a thickness of about 100 nm.
- a stamper made of nickel having a concavo-convex pattern with a concave and convex width of about 50 to 100 nm and a depth of about 50 nm is pressed onto this thin film for 60 seconds at room temperature and about 180 MPa using a pressing device. did. After pressing, the stamper was peeled off, and it was confirmed that the uneven pattern of the stamper was transferred to the surface of the material to be processed (see FIG. 4).
- the shape of the concavo-convex pattern obtained by pressing a stamper under the same conditions as described above after 20 minutes have passed after spin coating a solution containing silsesquioxane hydride in an organic solvent on the surface of the work material. As shown in FIG.
- CF 4 residual film processing
- O 2 carbon thin film processing
- CF 4 and O 2 carbon thin film processing
- a discrete track medium magnetic recording medium
- the cross-sectional shape after transferring the concavo-convex pattern to a thin film with a stamper and the cross-sectional shape after oxygen etching after ion milling are greatly different, and the concavo-convex pattern of the magnetic recording medium is rectangular. Not good.
- the cross-sectional shape after transferring the concavo-convex pattern to the thin film with a stamper and the cross-sectional shape after oxygen etching after ion milling are approximately the same, and magnetic recording The rectangularity of the uneven pattern of the medium is good.
- the solution containing the silsesquioxane compound represented by the composition formula (A) having a weight average molecular weight of less than 10,000 can form a concavo-convex pattern having good rectangularity on the substrate and can be used. Although the time is long, with this solution, it is not possible to obtain a magnetic recording medium having a concavo-convex pattern with good rectangularity, which is a target product in the actual industry.
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Abstract
本発明は、酸素エッチング耐性が優れ且つ可使時間の長いレジスト形成材料を用いた、矩形性良く常温でインプリント（型押し）を行うことができる凹凸パターン形成方法を提供することを目的とする。
本発明の凹凸パターン形成方法は、下記組成式（Ａ）で表されるシルセスキオキサン化合物を含む溶液を、被加工材料表面に塗布して薄膜を形成する工程（１）と、その薄膜に凹凸パターンを有する原盤を押し付ける工程（２）と、前記原盤を前記薄膜から剥離する工程（３）とを有することを特徴としている：
R1R2Si2O3 組成式（Ａ）（上記組成式（Ａ）において、R1およびR2はそれぞれ独立に特定の基を表す。）。
Description
本発明は、特定の凹凸パターン形成材料を用いた凹凸パターンの形成方法およびその凹凸パターン形成方法により形成された凹凸パターンを利用した磁気記録媒体の製造方法に関する。
凹凸微細構造を高スループットで被加工材料表面に形成する手法として、以下のような技術が公知である。
被加工材料表面に膜を形成後、その膜に対して凹凸パターンを有する型材により型押しすることで前記膜に凹凸パターンを転写する。それにより形成された膜からなる凹凸パターンをレジストとして利用して前記被加工材料を加工する。
この技術はナノ・インプリントリソグラフィ（以下、ナノインプリントと記載する。）と呼ばれている。なお被加工材料とは、凹凸パターンを形成させようとする材料であり、例えばガラス板などの基体、基体上に磁性膜や保護膜を形成させた基板、基体または基板にマスキング処理を施したもの等が挙げられる。
これまでは、前記凹凸パターンすなわちレジストの形成材料として熱可塑性ポリマー、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）が用いられていた（Ｓｔｅｏｈｅｎ Ｙ．Ｃｈｏｕ等により提案された方法。非特許文献１参照）。そのため、このレジスト形成材料を用いたナノインプリントでは型押し時に加熱が必要であり、型押し後の冷却の際、温度変化により型押し後の転写パターンの位置および線幅が変化するという問題があった。また、上記ナノインプリントには加熱－冷却という工程が存在するため作業性もあまり良くないし、転写工程においてモールド（型押し）マスクへレジスト形成材料が付着して、パターン転写精度が低下するという不都合もあった。
そこで、シロキサン化合物の一つである水素化シルセスキオキサンをレジスト形成材料として用い、その塗布膜を基板上に形成後、室温で型押しをして、更に前記水素化シルセスキオキサンを加水分解硬化することにより微細な凹凸パターンを得る技術が開発されている（特許文献１参照）。また、カテコール誘導体およびレゾルシノール誘導体を含む組成物からなる塗布膜を基板上に形成後、室温で型押しをして、さらに前記組成物を硬化させることにより、微細な凹凸パターンを得る技術も開発されている（特許文献２参照）。
しかし、前者の水素化シルセスキオキサンを用いる方法には、工業的に微細な凹凸パターン（レジスト）を製造する上で使いこなすことが非常に難しいという欠点がある。水素化シルセスキオキサンは不安定なために塗布液としての寿命が短く、また基板に塗布して溶媒を乾燥した後の可使時間が短いからである。
また、後者の有機材料を用いる方法には、カテコール誘導体およびレゾルシノール誘導体を含む組成物は酸素に対する耐性が低く、特に酸素ガスによるエッチングに対する耐性の高い磁気媒体を加工する上で制約を受けるという欠点がある。
一方、上記ナノインプリントで形成されたレジストパターンを磁性膜に転写する方法として、ドライエッチング法等が公知である。ドライエッチング法とは、たとえばレジストパターンが形成された基板に対してエッチングガスを吹き付けることにより、レジストが形成されていない基板の部分を選択的に一部ないし全部除去する方法である。レジストと基板のエッチングガスによる除去のされやすさに差があることから、このような除去が可能である。すなわちレジストは除去されにくく、基板は除去されやすい。
しかしながら、半導体で使用されるシリコーンウェハーと異なり、磁性膜はエッチングガス（通常酸素ガス）に対する耐性の高い金属酸化物でできているため、レジスト形成材料として比較的エッチングガスに対する耐性の高い水素化シルセスキオキサン等を用いても、レジストの凹凸形状、すなわち矩形が変形し、磁性膜のパターニングをきれいに行えないという問題がある。
なお、特許文献３の比較例１では、ポリフェニルシルセスキオキサンのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート溶液をガラス基板にスピンコーターで塗布し、その塗布により基板上に形成された薄膜を金型に押し付け、基板上に微細パターンを形成させている。
Appl.Phys. Lett., Vol.76, p.3114(1995) 特開２００３－１００６０９号公報
特開２００５－２７７２８０号公報
特開２００８－１９４８９４号公報
Appl.Phys. Lett., Vol.76, p.3114(1995)
従って本発明の課題は、以下の二つの方法を提供することである。
（１）酸素エッチング耐性が優れ且つ可使時間の長いレジスト形成材料を用いた、矩形性良く常温でインプリント（型押し）を行うことができる凹凸パターン形成方法。
（２）（１）の方法により形成された凹凸パターンを用いた、磁性膜を備えた基板等の被加工材料に矩形性の良いパターニングを行うことができる磁気記録媒体の製造方法。
（１）酸素エッチング耐性が優れ且つ可使時間の長いレジスト形成材料を用いた、矩形性良く常温でインプリント（型押し）を行うことができる凹凸パターン形成方法。
（２）（１）の方法により形成された凹凸パターンを用いた、磁性膜を備えた基板等の被加工材料に矩形性の良いパターニングを行うことができる磁気記録媒体の製造方法。
ここで、"矩形性が良い"とは凹凸パターンの凹凸のラインやコーナー部の形状がクリアであることを意味し、その程度は目視や電子顕微鏡画像で評価することができる。
本発明者らは、この課題を解決するために鋭意研究を行った結果、R1R2Si2O3の組成式で表される、特定の重量平均分子量を有するシルセスキオキサン化合物を含む溶液が、上記課題（１）および（２）を解決することができることを見出した。
また、レジストの凹凸パターンを利用して凹凸パターンを形成させる被加工材料が磁性膜を備えた基板の場合、磁性膜のイオンエッチング耐性が高いため、磁性膜に矩形性の良い凹凸パターンを形成させることが困難であるが、磁性膜上にイオンミリング耐性が高い炭素薄膜を導入して予め酸素エッチングにより磁性膜上にレジストおよび炭素薄膜からなるパターン形成をすることで、磁性膜に矩形性の良い凹凸パターンを形成させることができることをも本発明者らは見出した。
具体的には、本発明は以下の［１］～［１３］に記載する通りのものである。
［１］下記組成式（Ａ）で表される、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が１００００以上であるシルセスキオキサン化合物を含む溶液を、被加工材料表面に塗布して薄膜を形成する工程（１）と、
その薄膜に凹凸パターンを有する原盤を押し付ける工程（２）と、
前記原盤を前記薄膜から剥離する工程（３）と
を有することを特徴とする凹凸パターン形成方法：
R1R2Si2O3 組成式（Ａ）
（上記組成式（Ａ）において、R1およびR2はそれぞれ独立に、置換されていてもよい炭素数１～８のアルキル基、置換されていてもよい炭素数２～８のアルケニル基、置換されていてもよい炭素数１～６のアルコキシ基または置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基を表す。）。
その薄膜に凹凸パターンを有する原盤を押し付ける工程（２）と、
前記原盤を前記薄膜から剥離する工程（３）と
を有することを特徴とする凹凸パターン形成方法：
R1R2Si2O3 組成式（Ａ）
（上記組成式（Ａ）において、R1およびR2はそれぞれ独立に、置換されていてもよい炭素数１～８のアルキル基、置換されていてもよい炭素数２～８のアルケニル基、置換されていてもよい炭素数１～６のアルコキシ基または置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基を表す。）。
[２]前記工程（２）を、１０～４０℃の温度で行うことを特徴とする[１]に記載の凹凸パターン形成方法。
[３]前記工程（２）において、原盤を押し付ける圧力が１００～２５０ＭＰａであることを特徴とする[１]または[２]に記載の凹凸パターン形成方法。
[４]前記シルセスキオキサン化合物が、下記式（Ｂ）で表される構造の繰り返し単位からなることを特徴とする[１]に記載の凹凸パターン形成方法：
（上記式（Ｂ）において、R1およびR2はそれぞれ独立に、置換されていてもよい炭素数１～８のアルキル基、置換されていてもよい炭素数２～８のアルケニル基、置換されていてもよい炭素数１～６のアルコキシ基または置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基を表す。）。
[５]前記式（Ｂ）のＲ1及びＲ2がそれぞれ独立にメチル基またはフェニル基であることを特徴とする[４]に記載の凹凸パターン形成方法。
[６]前記シルセスキオキサン化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が１００００～３００００であることを特徴とする[１]～[５]のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法。
[７]前記シルセスキオキサン化合物がポリジフェニルシルセスキオキサンであることを特徴とする[１]～[６]のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法。
[８]基体上に磁性膜を備えた基板を被加工材料として用いた[１]～[７]のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法により、該磁性膜上に薄膜からなる凹凸パターンを形成し、
該凹凸パターンの凹部分の底部に存在する前記薄膜を除去し、
その除去により露出した、前記凹部分の底部に存在する前記磁性膜の少なくとも一部を除去する工程を有することを特徴とする凹凸パターン化された磁気記録媒体の製造方法。
該凹凸パターンの凹部分の底部に存在する前記薄膜を除去し、
その除去により露出した、前記凹部分の底部に存在する前記磁性膜の少なくとも一部を除去する工程を有することを特徴とする凹凸パターン化された磁気記録媒体の製造方法。
[９]基体、磁性膜、炭素薄膜がこの順に積層された基板を被加工材料として用いた[１]～[７]のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法により、該炭素薄膜上に薄膜からなる凹凸パターンを形成し、
該凹凸パターンの凹部分の底部に存在する前記薄膜を除去し、
その除去により露出した、前記凹部分の底部に存在する前記炭素薄膜を除去し、
炭素薄膜の除去により露出した、前記凹部分の底部に存在する前記磁性膜の少なくとも一部を除去する工程を有することを特徴とする凹凸パターン化された磁気記録媒体の製造方法。
該凹凸パターンの凹部分の底部に存在する前記薄膜を除去し、
その除去により露出した、前記凹部分の底部に存在する前記炭素薄膜を除去し、
炭素薄膜の除去により露出した、前記凹部分の底部に存在する前記磁性膜の少なくとも一部を除去する工程を有することを特徴とする凹凸パターン化された磁気記録媒体の製造方法。
[１０]前記炭素薄膜の除去を酸素ガスによるエッチングにより行い、かつ
前記磁性膜の除去をイオンミリングにより行うことを特徴とする[９]に記載の凹凸パターン化された磁気記録媒体の製造方法。
前記磁性膜の除去をイオンミリングにより行うことを特徴とする[９]に記載の凹凸パターン化された磁気記録媒体の製造方法。
[１１]前記炭素薄膜の厚さが１０～３０ｎｍであることを特徴とする[９]または[１０]に記載の凹凸パターン化された磁気記録媒体の製造方法。
[１２][９]～[１１]のいずれかに記載の凹凸パターン化された磁気記録媒体の製造方法で得られる磁気記録媒体。
[１３][１２]に記載の磁気記録媒体を備えたことを特徴とする磁気記録再生装置。
本発明の凹凸パターン形成方法によれば、上記のシルセスキオキサン化合物を含む溶液は可使時間が長いので、被加工材料表面に前記溶液を塗布して薄膜を形成させた後、常温で長時間放置した後に型押ししても、前記薄膜に矩形性の良い凹凸パターンを転写できる。
また本発明の磁気記録媒体の製造方法においては、磁性膜を備えた基板等の被加工材料に矩形性の良いパターニングを行うことができる。
１２ 原盤
１４ 薄膜
１６ 被加工材料
１８ 凹凸パターンが転写された薄膜
２０ エッチングガス
２２ イオンミリング
２４ 炭素薄膜
１４ 薄膜
１６ 被加工材料
１８ 凹凸パターンが転写された薄膜
２０ エッチングガス
２２ イオンミリング
２４ 炭素薄膜
以下、本発明をより詳細に説明する。
本発明の凹凸パターン形成方法は、下記組成式（Ａ）で表される、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が１００００以上であるシルセスキオキサン化合物を含む溶液を被加工材料表面に塗布して薄膜を形成させる工程（１）と、その薄膜に凹凸パターンを有する原盤を押し付ける工程（２）と、前記原盤を前記薄膜から剥離する工程（３）とを有することを特徴としている。
R1R2Si2O3 組成式（Ａ）
まず前記シルセスキオキサン化合物を含む溶液について説明する。
まず前記シルセスキオキサン化合物を含む溶液について説明する。
［シルセスキオキサン化合物を含む溶液］
本発明の凹凸パターン形成方法で使用される溶液は、特定のシルセスキオキサン化合物を含み、そのシルセスキオキサン化合物は以下の組成式（Ａ）で表される。
本発明の凹凸パターン形成方法で使用される溶液は、特定のシルセスキオキサン化合物を含み、そのシルセスキオキサン化合物は以下の組成式（Ａ）で表される。
R1R2Si2O3 組成式（Ａ）
上記組成式（Ａ）において、
R1及びR2はそれぞれ独立に、置換されていてもよい炭素数１～８のアルキル基、置換されていてもよい炭素数２～８のアルケニル基、置換されていてもよい炭素数１～６のアルコキシ基または置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基を表し、
置換されていてもよい炭素数１～４のアルキル基、置換されていてもよい炭素数２～４のアルケニル基、置換されていてもよい炭素数１もしくは２のアルコキシ基または置換されていてもよい炭素数６もしくは７のアリール基が好ましく、
炭素数１～４のアルキル基、炭素数２～４のアルケニル基または炭素数６もしくは７のアリール基が前記溶液の流動性及び凹凸パターンの矩形性保持の点からより好ましい。
上記組成式（Ａ）において、
R1及びR2はそれぞれ独立に、置換されていてもよい炭素数１～８のアルキル基、置換されていてもよい炭素数２～８のアルケニル基、置換されていてもよい炭素数１～６のアルコキシ基または置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基を表し、
置換されていてもよい炭素数１～４のアルキル基、置換されていてもよい炭素数２～４のアルケニル基、置換されていてもよい炭素数１もしくは２のアルコキシ基または置換されていてもよい炭素数６もしくは７のアリール基が好ましく、
炭素数１～４のアルキル基、炭素数２～４のアルケニル基または炭素数６もしくは７のアリール基が前記溶液の流動性及び凹凸パターンの矩形性保持の点からより好ましい。
前記置換されていてもよい炭素数１～８のアルキル基等における置換基としては、ハロゲン原子およびヒドロキシル基などが挙げられる。
また炭素数１～８のアルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基およびブチル基を例示でき、
炭素数２～８のアルケニル基としてはビニル基、アリル基およびブテニル基を例示でき、
炭素数１～６のアルコキシ基としては、メトキシ基およびエトキシ基を例示でき、
炭素数６～１０のアリール基としてはフェニル基およびトリル基を例示できる。
炭素数２～８のアルケニル基としてはビニル基、アリル基およびブテニル基を例示でき、
炭素数１～６のアルコキシ基としては、メトキシ基およびエトキシ基を例示でき、
炭素数６～１０のアリール基としてはフェニル基およびトリル基を例示できる。
この中では特にフェニル基およびメチル基が、型押し時に薄膜の矩形を保持する能力の点で好ましい。
前記シルセスキオキサン化合物は、そのゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が１００００以上であり、好ましくは３００００以下、より好ましくは１２０００以上２５０００以下であり、さらに好ましくは１５０００以上２００００以下である。分子量が低いほどシルセスキオキサン化合物の流動性は高く、原盤のパターンを再現しやすいが、後述するエッチングの耐性は分子量が高いほど良好な傾向がある。種々の重量平均分子量のシルセスキオキサン化合物を用いて評価してみたところ、重量平均分子量が１００００よりも低いとナノインプリント後の熱安定性が悪く、ダレ等の問題を生じることがわかった。また重量平均分子量が１００００～３００００であると、ナノインプリントを行って基板にパターンを転写した後、残ったレジストを除去するためにエッチングを行う際に、基板にかかる熱による、基板に転写されたパターンの変形を起こすことがない。分子量が３００００を超えると、シルセスキオキサン化合物を含む溶液の粘度が高くなり流動性が低下するため、原盤による型押し時に過度の圧力が必要となり、原盤(スタンパー)等の寿命が短くなってしまうことがある。
なお前記シルセスキオキサン化合物は、下記式（Ｂ）で表される構造の繰り返し単位からなることが、前記シルセスキオキサン化合物を含む溶液の流動性及び凹凸パターンの矩形性保持の点から望ましい。
上記式（Ｂ）において、R1およびR2は組成式（Ａ）のR1およびR2と同義である。すなわちR1およびR2はそれぞれ独立に、置換されていてもよい炭素数１～８のアルキル基、置換されていてもよい炭素数２～８のアルケニル基、置換されていてもよい炭素数１～６のアルコキシ基または置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基を表す。これらの例、好ましいものも組成式（Ａ）におけるR1およびR2について説明したとおりである。
このようなシルセスキオキサン化合物は公知の方法で合成することができる。例えばケトン又はエーテル溶媒中に、アミンの存在下でメチルトリクロロシランを加え、低温で水を滴下してメチルトリクロロシランを加水分解し、更にその加水分解物を縮合させてポリメチルシルセスキオキサンを合成することができる（特公平１－４３７７３号公報参照）。
また、水と有機溶剤の二層が形成された混合液にアルカリ金属カルボン酸塩と低級アルコールを溶存させ、この系内にメチルトリクロロシランを滴下して、メチルトリクロロシランを加水分解し、更に加水分解物を縮合させてポリメチルシルセスキオキサンを合成することができる（特許２９７７２１８号公報参照）。
また、フェニルトリクロロシランを加水分解してプレポリマー又はフェニルシラントリオールを得て、更にトルエン溶媒中、塩基性触媒の存在下で、縮合反応により生成する水を共沸で系外に除去しながら前記プレポリマー又はフェニルシラントリオールを縮合させてポリフェニルシルセスキオキサンを合成することができる（特公平３－６０３３６号公報および特開平８－１４３５７８号公報参照）。
また、水と有機溶剤の二層が形成された混合液にアルカリ金属カルボン酸塩と低級脂肪族アルコールを溶存させ、この系内にフェニルトリクロロシランを滴下して、加水分解し、更に縮合させて、有機溶媒との相溶性が優れ、分子量分布が狭い低分子量のポリフェニルシルセスキオキサンを合成することができる（特開平５－３９３５７号公報参照）。
更に、メチルトリエトキシシランとフェニルトリメトキシシランを酸性触媒の存在下で加水分解して得られるプレポリマーを、メチルイソブチルケトン溶媒中、塩基性触媒の存在下で縮合させ、超高分子量のポリメチルフェニルシルセスキオキサンを合成することができる（特許３２７２００２号公報参照）。
以上説明したように、本発明の凹凸パターン形成方法に用いられるシルセスキオキサン化合物は種々の公知の方法により製造することができ、また市販もされている。
これらの化合物を用いて微細な凹凸パターンを形成する場合、化合物を溶媒に溶解して溶液とし、これをスピンコートやディップコート等の方法により、被加工材料表面に塗布する。溶媒としては、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、
トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、
酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル系溶媒、
２－プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、プロピレングリコールモノ－ｎ－プロピルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のアルコール系溶媒などを挙げることができる。
トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、
酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル系溶媒、
２－プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、プロピレングリコールモノ－ｎ－プロピルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のアルコール系溶媒などを挙げることができる。
溶媒の使用量は、溶媒１００質量％に対してシルセスキオキサン化合物が通常１～４０質量％、好ましくは３～６質量％となるような量とする。
このようなシルセスキオキサン化合物を含む溶液をレジスト形成材料として用いるので、本発明の凹凸パターン形成方法はそのすべての工程を常温で実施することができる上に、特許文献１や２に記載の方法で必要な硬化反応を行う必要もないため作業性が良い。またその方法により形成された、レジストとして利用される薄膜は酸素エッチングに対する耐性が高く、更に可使時間が長いので、たとえ薄膜を形成させてから長時間常温で放置したとしても、矩形性良く凹凸パターンを形成させることができる。
［本発明の凹凸パターン形成方法］
次に、本発明の凹凸パターン形成方法について説明する。
次に、本発明の凹凸パターン形成方法について説明する。
本発明の凹凸パターン形成方法は、上記の特定のシルセスキオキサン化合物を含む溶液を被加工材料表面に塗布して薄膜を形成させる工程（塗布工程）と、その薄膜に凹凸パターンを有する原盤を押し付ける工程（転写工程）と、前記原盤を前記薄膜から剥離する工程（剥離工程）とを有することを特徴としている。
＜１、塗布工程＞
まず、基板などの被加工材料に上記シルセスキオキサン化合物を含む溶液を塗布して被加工材料表面上に薄膜を形成する。薄膜形成方法としては、スピンコートやディップコートなどを例示することができるが、基板上の薄膜の膜厚が均一になる方法を適宜選択することが好ましい。また、それぞれの塗布方法に応じて、塗布後にプリベーク等の処理を行わずに済むような沸点を持つ溶媒を前記溶液の溶媒として選択することが望ましい。
まず、基板などの被加工材料に上記シルセスキオキサン化合物を含む溶液を塗布して被加工材料表面上に薄膜を形成する。薄膜形成方法としては、スピンコートやディップコートなどを例示することができるが、基板上の薄膜の膜厚が均一になる方法を適宜選択することが好ましい。また、それぞれの塗布方法に応じて、塗布後にプリベーク等の処理を行わずに済むような沸点を持つ溶媒を前記溶液の溶媒として選択することが望ましい。
＜２、転写工程＞
凹凸パターンは、塗布膜に対してプリベーク等の処理を特に行うことなく、原盤（凹凸パターンを有する型）を塗布工程で形成された薄膜に、常温で圧力をかけて押し付けることで薄膜に転写される。図１（ｂ）は、塗布工程で形成された薄膜に原盤を押し付ける工程を示している。
凹凸パターンは、塗布膜に対してプリベーク等の処理を特に行うことなく、原盤（凹凸パターンを有する型）を塗布工程で形成された薄膜に、常温で圧力をかけて押し付けることで薄膜に転写される。図１（ｂ）は、塗布工程で形成された薄膜に原盤を押し付ける工程を示している。
なお、本明細書において常温とは０～５０℃の温度範囲を示し、またこの転写工程は１０～４０℃の温度で実施されることが特に好ましい。この工程は、通常空気中で行うことができる。
前記圧力は通常１００～２５０ＭＰａ、より好ましくは１４０～１８０ＭＰａである。圧力が低すぎると転写が不十分となる可能性がある。一方あまりに高すぎる場合には、原盤の寿命が短くなってしまう可能性があり、経済的でない。
本発明の凹凸パターン形成方法では、以上の操作により前記薄膜に微細な凹凸パターンを形成させることができる。本明細書において微細な凹凸パターンとは、薄膜に形成される凹凸の線幅寸法が１０μｍ以下のパターン、つまり１つの凹の線幅と１つの凸の線幅との合計が１０μｍ以下であるパターンを意味する。
＜３、剥離工程＞
原盤の凹凸パターンを薄膜に転写した後に、原盤を薄膜から剥離する。図１（ｃ）は、原盤を薄膜から剥離する工程を示している。
原盤の凹凸パターンを薄膜に転写した後に、原盤を薄膜から剥離する。図１（ｃ）は、原盤を薄膜から剥離する工程を示している。
このようにして凹凸パターンを転写された薄膜はレジストとして使用可能である。CF4やSF6などのようなフッ素系のエッチングガスを用いたイオンエッチングにより、パターンの凹部分の底部に存在する残膜を除去して（残膜処理）、凹部分の底部にのみ被加工材料の表面を露出させた後に、被加工材料の特性に応じてエッチングを行うことにより、被加工材料に原盤のパターンを転写することが出来る。図２（ａ）は残膜処理を、図２（ｂ）は被加工材料をエッチングする工程を示している。
このように本発明の凹凸パターン形成方法によれば、特定のシルセスキオキサン化合物を含む溶液を被加工材料表面に塗布して該被加工材料表面上に薄膜を形成させ、その薄膜に原盤を押し付け（型押し）、さらに原盤を薄膜から剥離することにより前記薄膜に矩形性の良い凹凸パターンを形成することができる。また、本発明の凹凸パターン形成方法では、酸素エッチング耐性が優れ且つ可使時間の長いレジスト形成材料を用いるので、被加工材料表面に前記溶液を塗布後、常温で長時間放置した後に型押ししても、同様に前記薄膜に矩形性の良い凹凸パターンを転写できる。
一般には前記被加工材料のエッチングは酸素エッチングなどで十分であるが、被加工材料がハードディスク基板のような基体上に磁性膜が形成された磁性材料の場合には、そのような被加工材料は各種エッチングガスに対して耐性が高いため、上記方法では矩形性良く被加工材料に凹凸パターンを形成させることが難しい場合がある。
このような場合には、前記磁性膜上にダイヤモンドライクカーボンのような炭素薄膜を設け、その上に前記薄膜を設けることが望ましい。このような炭素薄膜は、予め磁性膜に対して公知のＣＶＤ法、ＰＶＤ法等の公知の方法により製膜することが出来る。
このような炭素薄膜を用いた場合には、残膜処理までは前記の工程と同様にして、その後以下のような工程を経る行うことにより、被加工材料（磁性膜）に矩形性良く凹凸パターンを形成させることが出来る。
＜炭素薄膜除去工程＞
前記炭素薄膜上に形成された薄膜は酸素エッチング耐性が優れており、一方炭素薄膜は酸素エッチング耐性が低いので、残膜処理を施した後に薄膜および炭素薄膜に対して酸素エッチングをすることにより、薄膜に覆われていない、すなわち残膜処理により露出した、凹部分の底部に存在する炭素薄膜を選択的に除去することができる。図３（ｂ）にその工程を示す。なお、炭素薄膜の厚さは通常１０～３０ｎｍである。
前記炭素薄膜上に形成された薄膜は酸素エッチング耐性が優れており、一方炭素薄膜は酸素エッチング耐性が低いので、残膜処理を施した後に薄膜および炭素薄膜に対して酸素エッチングをすることにより、薄膜に覆われていない、すなわち残膜処理により露出した、凹部分の底部に存在する炭素薄膜を選択的に除去することができる。図３（ｂ）にその工程を示す。なお、炭素薄膜の厚さは通常１０～３０ｎｍである。
＜磁性膜除去工程＞
前記炭素薄膜除去工程の後にイオンミリング等の処理を施すことにより、炭素薄膜で覆われていない、すなわち前記酸素エッチングにより露出した、凹部分の底部に存在する被加工材料（磁性膜）の部分を選択的に除去することができる。これは、炭素薄膜を構成するダイヤモンドライクカーボンがイオンミリングに対して耐性が高く、磁性膜がイオンミリングに対して耐性が低いからである。このようにして基板に凹凸パターンを形成させることができる。なお、薄膜（レジスト）もイオンミリングで除去される。図３（ｃ）にこの工程を示す。
前記炭素薄膜除去工程の後にイオンミリング等の処理を施すことにより、炭素薄膜で覆われていない、すなわち前記酸素エッチングにより露出した、凹部分の底部に存在する被加工材料（磁性膜）の部分を選択的に除去することができる。これは、炭素薄膜を構成するダイヤモンドライクカーボンがイオンミリングに対して耐性が高く、磁性膜がイオンミリングに対して耐性が低いからである。このようにして基板に凹凸パターンを形成させることができる。なお、薄膜（レジスト）もイオンミリングで除去される。図３（ｃ）にこの工程を示す。
被加工材料のパターニングが終われば酸素ガスによるイオンエッチングにより炭素薄膜を容易に除去することができるので、磁性材料のパターニングを行うためのマスクとして炭素薄膜は好ましい素材である。
以上説明したようにして、被加工材料が基体上に磁性膜を備えた基板などの場合には、凹凸パターン化された磁気記録媒体を得ることができる。なお、本発明においては重量平均分子量が１００００以上である特定のシルセスキオキサン化合物を含む溶液を使用する。シルセスキオキサン化合物の重量平均分子量が１００００未満であると、上記の炭素薄膜を除去して得られるパターニングされた磁気記録媒体における凹凸パターンの矩形性が良くない。
本発明の凹凸パターン化された磁気記録媒体の製造方法により得られる磁気記録媒体は公知の種々の用途に適用することができ、たとえば磁気記録再生装置に備え付けることができる。
［実施例および比較例］
以下実施例および比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例にのみ制限されるものではない。
以下実施例および比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例にのみ制限されるものではない。
上述の式（Ｂ）で表される構造の繰り返し単位からなる化合物であって、R1およびR2がフェニル基であるポリジフェニルシルセスキオキサン（小西化学工業株式会社製 SR-20）の重量平均分子量の違う２種を準備した（ＧＰＣにより測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が５４７０および１６９００の２種）。それぞれのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ダイセル化学工業株式会社製）５％溶液を調製し、これをレジスト溶液とした。
一方、基体上に磁性膜を備えた基板を準備し、該基板表面すなわち磁性膜上に炭素薄膜を約１０ｎｍの厚さで成膜し、これを被加工材料とした。
被加工材料表面すなわち前記炭素薄膜上に約１００ｎｍ厚になるように前記レジスト溶液をスピンコートした。
この薄膜に、凹部幅および凸部幅がそれぞれ約５０～１００ｎｍ、深さ約５０ｎｍの凹凸パターンを有するニッケル製のスタンパー（原盤）を、プレス装置により、常温、約１８０ＭＰａで６０秒押しつけパターンを転写した。プレス後、スタンパーを剥離し、被加工材料表面にスタンパーの凹凸パターンが転写されていることを確認した（図４参照）。
なお、ここでレジスト溶液をスピンコート後、常温で一日および七日間放置した被加工材料を同条件でプレスしても、同様に凹凸パターンが転写されることを確認した（図５参照）。
また、有機溶媒に水素化シルセスキオキサンを含有させた溶液を被加工材料表面にスピンコート後２０分経過してからスタンパーを上記と同様の条件でプレスして得られた凹凸パターンの形状を図６に示す。
続いて、凹凸パターンが転写された前述の図４で示される被加工材料に対してイオンエッチング装置（ULVAC社製 NE550）で、CF4（残膜処理）、O2（炭素薄膜加工）の順序でガスを噴射して凹部レジスト膜および炭素薄膜を除去し、更にイオンミリングによる磁性膜（磁性層）加工（これにより残ったレジスト膜は除去される）、残った炭素薄膜の酸素エッチングによる除去を行うことでディスクリートトラックメディア（磁気記録媒体）を製造した。
以上の操作における、薄膜への凹凸パターン転写（型押し）後及び残炭素薄膜除去後（酸素エッチング後）のパターン形状を図７に示す（上が型押し後の形状で、下が酸素エッチング後の形状である。また左が重量平均分子量５４７０のもので、右が重量平均分子量１６９００のものである）。重量平均分子量が５４７０と１６９００の場合を比較すると、以下のことが分かる。
（１）前者（重量平均分子量５４７０）では、薄膜にスタンパーにより凹凸パターンを転写した後の断面形状とイオンミリングの後の酸素エッチング後の断面形状とが大きく異なり、磁気記録媒体の凹凸パターンの矩形性が良くない。
（２）後者（重量平均分子量１６９００）では、薄膜にスタンパーにより凹凸パターンを転写した後の断面形状とイオンミリングの後の酸素エッチング後の断面形状とが概ね同等の形状となっており、磁気記録媒体の凹凸パターンの矩形性が良い。
（１）前者（重量平均分子量５４７０）では、薄膜にスタンパーにより凹凸パターンを転写した後の断面形状とイオンミリングの後の酸素エッチング後の断面形状とが大きく異なり、磁気記録媒体の凹凸パターンの矩形性が良くない。
（２）後者（重量平均分子量１６９００）では、薄膜にスタンパーにより凹凸パターンを転写した後の断面形状とイオンミリングの後の酸素エッチング後の断面形状とが概ね同等の形状となっており、磁気記録媒体の凹凸パターンの矩形性が良い。
このように、重量平均分子量が１００００未満である、組成式（A）で表わされるシルセスキオキサン化合物を含む溶液は、基板上に矩形性の良い凹凸パターンを形成することができ、しかも可使時間が長いものの、該溶液では、実際の工業における目的製品である、矩形性の良い凹凸パターンを有する磁気記録媒体を得ることはできない。
Claims (13)
- 下記組成式（Ａ）で表される、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が１００００以上であるシルセスキオキサン化合物を含む溶液を、被加工材料表面に塗布して薄膜を形成する工程（１）と、
その薄膜に凹凸パターンを有する原盤を押し付ける工程（２）と、
前記原盤を前記薄膜から剥離する工程（３）と
を有することを特徴とする凹凸パターン形成方法：
R1R2Si2O3 組成式（Ａ）
（上記組成式（Ａ）において、R1およびR2はそれぞれ独立に、置換されていてもよい炭素数１～８のアルキル基、置換されていてもよい炭素数２～８のアルケニル基、置換されていてもよい炭素数１～６のアルコキシ基または置換されていてもよい炭素数６～１０のアリール基を表す。）。 - 前記工程（２）を、１０～４０℃の温度で行うことを特徴とする請求項１に記載の凹凸パターン形成方法。
- 前記工程（２）において、原盤を押し付ける圧力が１００～２５０ＭＰａであることを特徴とする請求項１または２に記載の凹凸パターン形成方法。
- 前記シルセスキオキサン化合物が、下記式（Ｂ）で表される構造の繰り返し単位からなることを特徴とする請求項１に記載の凹凸パターン形成方法：
- 前記式（Ｂ）のＲ1及びＲ2がそれぞれ独立にメチル基またはフェニル基であることを特徴とする請求項４に記載の凹凸パターン形成方法。
- 前記シルセスキオキサン化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が１００００～３００００であることを特徴とする請求項１～５のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法。
- 前記シルセスキオキサン化合物がポリジフェニルシルセスキオキサンであることを特徴とする請求項１～６のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法。
- 基体上に磁性膜を備えた基板を被加工材料として用いた請求項１～７のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法により、該磁性膜上に薄膜からなる凹凸パターンを形成し、
該凹凸パターンの凹部分の底部に存在する前記薄膜を除去し、
その除去により露出した、前記凹部分の底部に存在する前記磁性膜の少なくとも一部を除去する工程を有することを特徴とする凹凸パターン化された磁気記録媒体の製造方法。 - 基体、磁性膜、炭素薄膜がこの順に積層された基板を被加工材料として用いた請求項１～７のいずれかに記載の凹凸パターン形成方法により、該炭素薄膜上に薄膜からなる凹凸パターンを形成し、
該凹凸パターンの凹部分の底部に存在する前記薄膜を除去し、
その除去により露出した、前記凹部分の底部に存在する前記炭素薄膜を除去し、
炭素薄膜の除去により露出した、前記凹部分の底部に存在する前記磁性膜の少なくとも一部を除去する工程を有することを特徴とする凹凸パターン化された磁気記録媒体の製造方法。 - 前記炭素薄膜の除去を酸素ガスによるエッチングにより行い、かつ
前記磁性膜の除去をイオンミリングにより行うことを特徴とする請求項９に記載の凹凸パターン化された磁気記録媒体の製造方法。 - 前記炭素薄膜の厚さが１０～３０ｎｍであることを特徴とする請求項９または１０に記載の凹凸パターン化された磁気記録媒体の製造方法。
- 請求項９～１１のいずれかに記載の凹凸パターン化された磁気記録媒体の製造方法で得られる磁気記録媒体。
- 請求項１２に記載の磁気記録媒体を備えたことを特徴とする磁気記録再生装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2009801031470A CN101970209A (zh) | 2008-01-31 | 2009-01-28 | 凹凸图案形成方法和利用该方法的磁记录介质的制造方法 |
| JP2009551535A JPWO2009096420A1 (ja) | 2008-01-31 | 2009-01-28 | 凹凸パターン形成方法、およびそれを利用した磁気記録媒体の製造方法 |
| US12/865,649 US20110003176A1 (en) | 2008-01-31 | 2009-01-28 | Process for forming concavo-convex patterns, and process for manufacturing magnetic recording media using the same |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008-020977 | 2008-01-31 | ||
| JP2008020977 | 2008-01-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2009096420A1 true WO2009096420A1 (ja) | 2009-08-06 |
Family
ID=40912772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2009/051342 WO2009096420A1 (ja) | 2008-01-31 | 2009-01-28 | 凹凸パターン形成方法、およびそれを利用した磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110003176A1 (ja) |
| JP (1) | JPWO2009096420A1 (ja) |
| CN (1) | CN101970209A (ja) |
| WO (1) | WO2009096420A1 (ja) |
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-
2009
- 2009-01-28 CN CN2009801031470A patent/CN101970209A/zh active Pending
- 2009-01-28 WO PCT/JP2009/051342 patent/WO2009096420A1/ja active Application Filing
- 2009-01-28 US US12/865,649 patent/US20110003176A1/en not_active Abandoned
- 2009-01-28 JP JP2009551535A patent/JPWO2009096420A1/ja active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110003176A1 (en) | 2011-01-06 |
| JPWO2009096420A1 (ja) | 2011-05-26 |
| CN101970209A (zh) | 2011-02-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 200980103147.0 Country of ref document: CN |
|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 09705179 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2009551535 Country of ref document: JP |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 12865649 Country of ref document: US |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 09705179 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |