JP2010184485A - インプリント用型、インプリント用型の製造方法及び再生方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ワークを容易に離型することができ、耐久性にも優れたインプリント用型とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のインプリント用型は、ワークに対して形状を転写する転写面と、前記転写面にシロキサン結合を介して結合したポリシロキサンを有する結合層と、前記結合層にシロキサン結合を介して結合した有機官能基を有する離型機能層と、を備えていることを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は、インプリント用型、インプリント用型の製造方法及び再生方法に関するものである。
近年、表面微細構造の製造方法が求められ、ナノインプリントに注目が集まっている。ナノインプリントとは熱軟化性材料やUV硬化材料に対して、インプリント用型の微細形状を転写し、その表面に反射防止や摩擦低減、撥水又は親水機能を付与する加工技術である。
ところで、ナノインプリント技術においては、インプリント用型に被処理材(ワーク)の樹脂やガラスが付着することによるワークや型の破損や型の寿命低下が問題となっていた。従来は、ワークの離型を容易にするために、インプリント用型の表面にシランカップリング剤を塗布していた(例えば特許文献1参照)。
特開2002−270541号公報
特許文献1記載の技術によれば、ワークの離型は容易になるものの、インプリント用型に塗布したシランカップリング剤の耐久性が低く、繰り返し使用すると比較的早期にシランカップリング剤が剥離してしまい、離型性を高める効果が失われてしまうという課題があった。
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、ワークを容易に離型することができ、耐久性にも優れたインプリント用型と、かかるインプリント用型の製造方法及び再生方法を提供することを目的の一つとする。
本発明のインプリント用型は、ワークに対して形状を転写する転写面と、前記転写面にシロキサン結合を介して結合したポリシロキサンを有する結合層と、前記結合層にシロキサン結合を介して結合した有機官能基を有する離型機能層と、を備えていることを特徴とする。
この構成によれば、ワークの離型性を向上させる機能を奏する離型機能層を、転写面との間に設けられた結合層によって強固に転写面上に固定することができる。これにより、インプリント用型を繰り返し使用しても離型機能層が剥がれて劣化することがなく、長期間にわたって良好な離型性を奏するインプリント用型とすることができる。
前記離型機能層の前記有機官能基が、前記結合層の有機官能基又はポリシロキサン主鎖に結合していることが好ましい。
この構成によれば、結合層によって離型機能層の有機官能基を転写面上に強固に固定でき、長寿命のインプリント用型とすることができる。また、離型機能層が劣化した場合に、プラズマ照射などにより離型機能層のみを容易に選択的に除去することができる。これにより、容易に離型機能層を再生することができるインプリント用型とすることができる。
前記結合層と前記離型機能層との合計厚さが、1μm以下であることが好ましい。
この構成によれば、結合層及び離型機能層の厚さをほとんど考慮することなく転写面の形状を形成することができるため、製造性に優れたインプリント用型となる。
本発明のインプリント用型の製造方法は、基材の一面に、ワークに対して形状を転写する転写面を形成する工程と、シロキサンモノマーを原料とする気相法により前記転写面に結合層を形成する工程と、前記結合層にシランカップリング剤を結合させることで前記結合層上に離型機能層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
この製造方法によれば、結合層を形成する工程において、気相法を用いてシロキサンモノマーをプラズマ重合させることで、ポリシロキサンを形成している。このような工程とすることで、転写面上にシロキサン結合を介して結合したポリシロキサンの緻密な膜を形成することができる。そして、かかる結合層上にシランカップリング剤を結合させているので、従来に比してシランカップリング剤の耐久性が向上し、繰り返し使用に耐える長寿命のインプリント用型を製造することができる。
前記結合層を形成する工程に先立って、前記転写面をプラズマ洗浄処理することが好ましい。
この製造方法によれば、洗浄処理によって転写面の表面にポリシロキサンの結合サイトとなる水酸基を導入することができ、転写面に強固に結合した結合層を得やすくなる。
前記結合層を形成する工程が、シロキサンモノマーをプラズマ重合することで前記転写面に結合したポリシロキサンを形成する工程であることが好ましい。
このような製造方法とすることで、転写面にポリシロキサンの緻密な膜を容易に形成することができ、繰り返し使用しても剥がれにくい結合層を有するインプリント用型を製造することができる。
前記離型機能層を形成する工程が、前記結合層をプラズマと接触させることで前記結合層の表面を活性化する工程と、活性化された前記結合層上にシランカップリング剤を供給し、前記結合層を構成するポリシロキサンと前記シランカップリング剤とを結合させる工程と、を有することが好ましい。
離型機能層を形成する工程に先立って結合層を活性化することで結合層のポリシロキサンに水酸基を導入し、結合層上に供給されるシランカップリング剤と結合層のポリシロキサンとを容易かつ強固に結合させることができる。これにより、繰り返し使用しても離型機能層の機能が損なわれにくく、耐久性に優れた長寿命のインプリント用型を製造することができる。
本発明の再生方法は、先に記載のインプリント用型の再生方法であって、前記転写面から前記離型機能層の少なくとも前記有機官能基を除去する工程と、前記除去により露出した前記結合層にシランカップリング剤を結合させて前記離型機能層を再生する工程と、を有することを特徴とする。
この再生方法によれば、結合層を除去することなく離型機能層のみを再生することができ、低コストでインプリント用型の離型性を維持することができる。
実施の形態に係るインプリント用型を示す模式断面図。 インプリント用型を用いたパターン形成工程を示す図。 インプリント用型の製造方法を示すフローチャート。 インプリント用型の再生方法を示すフローチャート。
以下、図面を用いて本発明のインプリント用型について説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせている。
図1(a)は、本発明の一実施の形態であるインプリント用型を示す模式断面図である。図1(b)は、図1(a)に示すインプリント用型の転写面周辺を拡大して示す模式断面図である。
図1(a)に示すように、インプリント用型100は、基板10と、基板10の転写面10aに形成された離型膜20とを有する。転写面10aは、基板10の一面(図示上面)であって、インプリント用型100により転写すべきパターンとは逆凹凸の凹凸形状(反転パターン)が形成された面である。
基板10としては、種々の材質のものを用いることができる。例えば、金属基板やガラス基板、石英基板、シリコン基板、炭化シリコン基板などを用いることができる。また、基板10の表面に、シリコン膜や酸化シリコン膜、炭化シリコン膜等からなるパターン形成層が形成されていてもよい。
転写面10aの凹凸形状は、図示のように基板10を直接加工して形成してもよいし、基板10上に形成されたパターン形成層の表面に形成してもよい。上記凹凸形状の形成方法としては、レーザー光を照射して基板10やパターン形成層を加工する方法や、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程とを用いた加工方法など、公知の手法を採用することができる。
離型膜20は、図1(b)に示すように、転写面10a上に形成された結合層21と、結合層21上に形成された離型機能層22とからなる。結合層21は、基板10の転写面10aとシロキサン結合を介して結合したポリシロキサンを有しており、離型機能層22は、結合層21にシロキサン結合を介して結合した有機官能基を有する。
より詳細には、結合層21は、オクタメチルトリシロキサンやヘキサメチルシクロトリシロキサンなどのシロキサンモノマーをプラズマ重合させて形成されたポリシロキサンからなる層であり、ポリシロキサンはシロキサン結合を介して転写面10a表面に結合されている。
離型機能層22は、一般式YSiX(4−n)で表されるシランカップリング剤を、結合層21のポリシロキサンに結合させてなる層である。上記一般式において、Xは加水分解によりシラノール基を生成する加水分解性基であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン元素などである。加水分解性基Xの加水分解により生成したシラノール基が、結合層21のポリシロキサンに含まれるアルキル基などの有機官能基やシロキサン骨格の水酸基と反応してシロキサン結合を形成し、結合層21と離型機能層22との結合構造を形成する。
上記一般式のYは、離型機能を奏する有機官能基であり、例えばアルキル基やフルオロアルキル基、パーフルオロアルキル基などである。これらのうちでも、フルオロアルキル基を含むフルオロアルキルシランを用いることが好ましい。これにより、良好な離型性を奏する離型機能層22を形成することができる。
フルオロアルキルシランとしては、例えば、ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−1,1,2,2テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−1,1,2,2テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−1,1,2,2テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等を挙げることができる。
次に、上記構成を備えたインプリント用型100を用いた転写工程について、図2を参照しつつ説明する。図2は、インプリント用型100による転写工程の説明図である。
まず、図2(a)に示すように、離型膜20が形成された転写面10aを備えたインプリント用型100と、ワーク30とを用意する。ワーク30は、支持基板31上に、熱可塑性樹脂や光硬化性樹脂などからなる被転写層32を形成してなる。
次いで、図示のように、インプリント用型100の転写面10aと被転写層32とを対向させて図示上下方向に押圧する。このとき、被転写層32が熱可塑性樹脂からなる場合には、加熱して軟化させておく。これにより、図2(b)に示すように、インプリント用型100の転写面10aを被転写層32に圧入させ、被転写層32を加工することができる。
次に、インプリント用型100を被転写層32に圧入した状態で、冷却や光照射により被転写層32を硬化させる。その後、図2(c)に示すように、インプリント用型100をワーク30から引きはがすことで、転写面10aの凹凸形状が転写された被転写層32を得ることができる。
以上詳細に説明したように、本実施形態のインプリント用型100では、離型膜20が、転写面10a及び離型機能層22の双方とシロキサン結合を介して結合した結合層21を有していることで、離型機能層22を転写面10a上に強固に固定されている。これにより、インプリント用型100を繰り返し使用した際にも、離型機能層22が転写面10aから剥離しにくくなる。その結果、良好な離型性を長期間にわたって得られる長寿命のインプリント用型を実現することができる。
また、本実施形態のインプリント用型100は、良好な離型性が得られるものであるから、高アスペクト比の形状も良好に転写することができる。さらに、インプリント用型100は、良好な離型性を有することからワークや型の破損が生じにくいため、ワークの硬化時間を短くすることができる。これにより、転写工程のサイクルタイムを短縮することができ、製造工程の効率化に大きく寄与する。
また、本実施形態のインプリント用型100では、結合層21が気相法により形成されたポリシロキサンの膜であるため、その厚さを1μm以下とすることができ、典型的には200〜500nm程度とすることができる。そして、離型機能層22はシランカップリング剤からなるごく薄い膜であるから、離型膜20の膜厚もほぼ1μm以下となる。
例えば樹脂材料を用いて離型膜を形成した場合には、その厚さが3μm程度となるのが通常であるため、離型膜の厚さを勘案して転写面10aの形状を形成しなければならず、また繰り返しの使用により離型膜が削れると、転写精度が低下する。
これに対して本実施形態では、離型膜20を薄くできるため転写面10aの形状形成が容易になる。また、結合層21にポリシロキサンの緻密な膜を用いているため、繰り返し使用しても結合層21までが削れてしまうことはなく、転写精度を長期間にわたって維持することができる。
本発明に係るインプリント用型は、集積回路やプリント基板のような一般的な電子部品の製造や、光導波路や回折格子等の光デバイス製造、磁気記録媒体(パターンドメディア)やDVD等の記録デバイス製造、DNA分析等のバイオチップの製造、拡散板や導光板などのディスプレイデバイス製造などのパターン形成に好適に用いることができる。
[製造方法]
次に、図3は、図1に示したインプリント用型100の製造工程を示すフローチャートである。
図3に示すように、本実施形態のインプリント用型の製造方法は、転写面洗浄工程ST11と、結合層形成工程ST12と、結合層活性化工程ST13と、離型機能層形成工程ST14とを含む。
まず、転写面洗浄工程ST11に先立って、図1に示した転写面10aを有する基板10が用意される。すなわち、シリコンや金属、ガラス、石英等からなる基板10の一方の面に、インプリント用型100が転写すべき形状とは逆凹凸の形状を、典型的にはフォトリソグラフィー工程及びエッチング工程を用いて形成することで転写面10aを形成する。
転写面10aが形成された基板10を用意したならば、転写面洗浄工程ST11が実行される。転写面洗浄工程ST11では、例えば、Oプラズマを用いたプラズマ洗浄処理により、転写面10a上の汚れや不純物等を除去する。また、基板10の材質によっては、この工程により、転写面10aに水酸基が導入され、後段の結合層形成工程ST12において結合層21と転写面10aとの結合が促進される。転写面洗浄工程ST11では、Oプラズマ処理に代えて、あるいはOプラズマ処理と併用して、Arプラズマ処理を行ってもよい。
次に、結合層形成工程ST12では、洗浄後の転写面10aに、気相法を用いてポリシロキサンを含む層を形成する。
例えば、オクタメチルトリシロキサンやヘキサメチルシクロトリシロキサンなどの環状シラン化合物(シロキサンモノマー)を、キャリアガスとしてのArガスを用いたプラズマCVD処理により、上記環状シラン化合物を転写面10a上でプラズマ重合させ、転写面10a上にポリシロキサンからなる結合層21を形成する。プラズマ重合により架橋されたポリシロキサンは、転写面10a上に薄く緻密な膜を形成するとともに、転写面10a上にシロキサン結合を介して強固に結合した状態となる。
なお、オクタメチルトリシロキサンやヘキサメチルシクロトリシロキサンなどの環状シラン化合物に代えて、アルキルシラノ−ルやクロロシラン等の官能基を有するシラン化合物を用いて結合層21を形成してもよい。
次に、結合層活性化工程ST13では、結合層21を構成するポリシロキサンの一部に水酸基を導入する。具体的には、例えば結合層21の表面にOプラズマを接触させることで、ポリシロキサンの構造の一部(ポリシロキサンの主鎖、あるいは側鎖に結合した有機官能基の一部)を切断し、かかる切断箇所に水酸基を導入することができる。
結合層活性化工程ST13では、上記のOプラズマ照射に限らず、他のガス(N、Ar、Heなど)を用いたプラズマ照射や紫外線照射、電子ビーム照射、加熱等によって行ってもよい。またこれらのうち複数の手法を組み合わせて用いてもよい。
次に、離型機能層形成工程ST14では、結合層21上にシランカップリング剤を供給し、シランカップリング剤を結合層21のポリシロキサンと結合させる。これにより、ポリシロキサンとシロキサン結合を介して結合した有機官能基を含む離型機能層22が結合層21上に形成される。
具体的には、例えばフルオロアルキルシランを有機溶媒に溶解させた溶液をディップコート法により転写面10a上に塗布する。次いで、例えば80℃、湿度75%の条件でシランカップリング剤を加水分解させる。その後、例えば200℃、4分間の条件で加熱することにより、シランカップリング剤を縮重合反応させる。これにより、シランカップリング剤と結合層21のポリシロキサンとがシロキサン結合を介して結合し、シランカップリング剤に由来する有機官能基(フルオロアルキル基)を含む離型機能層22が形成される。
以上の工程により、本発明に係るインプリント用型100を製造することができる。
以上詳細に説明したように、本実施形態の製造方法によれば、結合層形成工程ST12において、気相法を用いてシラン化合物をプラズマ重合させることで、ポリシロキサンを形成している。このような工程とすることで、転写面10a上にシロキサン結合を介して結合したポリシロキサンの緻密な膜を形成することができ、インプリント用型100を繰り返し使用しても剥がれることのない耐久性に優れた結合層21が得られる。
また、離型機能層形成工程ST14に先立って結合層活性化工程ST13を実行することで結合層21のポリシロキサンに水酸基を導入し、離型機能層形成工程ST14で供給されるシランカップリング剤と結合層21のポリシロキサンとを容易かつ強固に結合させることができる。これにより、繰り返し使用しても離型機能層22の機能が損なわれにくく、耐久性に優れた長寿命のインプリント用型を製造することができる。
[再生方法]
次に、図4は、図1に示したインプリント用型100の再生工程を示すフローチャートである。
図4に示すように、本実施形態の再生方法は、ドライクリーニング工程ST21と、離型機能層形成工程ST22とを有する。
まず、ドライクリーニング工程ST21では、繰り返し使用により劣化した離型機能層22を除去する。例えば、炭化フッ素ガス(Cガスなど)やOガス、Nガスを用いたプラズマ処理により、離型機能層22を除去する。このとき、結合層21は気相法を用いて形成されたポリシロキサンの緻密な膜であるため、ドライクリーニングによって容易に除去されることはなく、離型機能層22のみを容易に選択的に除去することができる。これにより、転写面10a上に結合層21が露出した状態となる。
次に、ドライクリーニング工程ST21で露出された結合層21上に、図3に示した離型機能層形成工程ST14と同様の工程により、離型機能層22を形成する。すなわち、結合層21上にシランカップリング剤を供給し、加水分解、縮重合処理を経て、結合層21のポリシロキサンにシロキサン結合を介して結合した有機官能基からなる離型機能層22を再生する。
以上の工程により、離型機能層22を再生することができる。
以上詳細に説明したように、本発明のインプリント用型100では、繰り返しの使用によって離型機能層22の有機官能基が脱離し、離型機能が低下したとしても、上記ドライクリーニング工程ST21と離型機能層形成工程ST22とを順次行うことで、離型機能層22を容易に再生することができる。したがって、本実施形態のインプリント用型100は、優れた離型性を長期間にわたって低コストで維持することができる長寿命のインプリント用型である。
100 インプリント用型、10 基板、10a 転写面、20 離型膜、21 結合層、22 離型機能層、30 ワーク、31 支持基板、32 被転写層

Claims (8)

  1. ワークに対して形状を転写する転写面と、
    前記転写面にシロキサン結合を介して結合したポリシロキサンを有する結合層と、
    前記結合層にシロキサン結合を介して結合した有機官能基を有する離型機能層と、
    を備えていることを特徴とするインプリント用型。
  2. 前記離型機能層の前記有機官能基が、前記結合層の有機官能基又はポリシロキサン主鎖に結合していることを特徴とする請求項1に記載のインプリント用型。
  3. 前記結合層と前記離型機能層との合計厚さが、1μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリント用型。
  4. 基材の一面に、ワークに対して形状を転写する転写面を形成する工程と、
    シロキサンモノマーを原料とする気相法により前記転写面に結合層を形成する工程と、
    前記結合層にシランカップリング剤を結合させることで前記結合層上に離型機能層を形成する工程と、
    を有することを特徴とするインプリント用型の製造方法。
  5. 前記結合層を形成する工程に先立って、
    前記転写面をプラズマ洗浄処理することを特徴とする請求項4に記載のインプリント用型の製造方法。
  6. 前記結合層を形成する工程が、
    シロキサンモノマーをプラズマ重合することで前記転写面に結合したポリシロキサンを形成する工程であることを特徴とする請求項4又は5に記載のインプリント用型の製造方法。
  7. 前記離型機能層を形成する工程が、
    前記結合層をプラズマと接触させることで前記結合層の表面を活性化する工程と、
    活性化された前記結合層上にシランカップリング剤を供給し、前記結合層を構成するポリシロキサンと前記シランカップリング剤とを結合させる工程と、
    を有することを特徴とする請求項4から6のいずれか1項に記載のインプリント用型の製造方法。
  8. 請求項1から3のいずれか1項に記載のインプリント用型の再生方法であって、
    前記転写面から前記離型機能層の少なくとも前記有機官能基を除去する工程と、
    前記除去により露出した前記結合層にシランカップリング剤を結合させて前記離型機能層を再生する工程と、
    を有することを特徴とするインプリント用型の再生方法。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012018045A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 綜研化学株式会社 樹脂製モールド、その製造方法およびその使用方法
JP2012101474A (ja) * 2010-11-11 2012-05-31 Asahi Kasei Corp 樹脂モールド
JP2012183642A (ja) * 2011-03-03 2012-09-27 Dainippon Printing Co Ltd モールドおよびその製造方法
KR20120116348A (ko) * 2011-04-12 2012-10-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 나노임프린트 몰드용 이형제, 표면 처리 방법 및 나노임프린트용 몰드
JP2012212779A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Fujifilm Corp モールドの製造方法
JP2013069902A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Toshiba Corp テンプレートの再生方法および再生装置
JP2014120584A (ja) * 2012-12-14 2014-06-30 Toshiba Corp インプリント用マスクの洗浄方法
JP2015511400A (ja) * 2012-01-31 2015-04-16 シーゲイト テクノロジー エルエルシー 捕捉される気泡を低減するための表面張力制御方法
WO2017099492A1 (ko) * 2015-12-08 2017-06-15 주식회사 기가레인 임프린트 장치 및 방법

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9511535B2 (en) 2010-08-06 2016-12-06 Soken Chemical & Engineering Co., Ltd. Resin mold, production method thereof, and use thereof
JP5292622B2 (ja) * 2010-08-06 2013-09-18 綜研化学株式会社 樹脂製モールド、その製造方法およびその使用方法
WO2012018045A1 (ja) * 2010-08-06 2012-02-09 綜研化学株式会社 樹脂製モールド、その製造方法およびその使用方法
JP2012101474A (ja) * 2010-11-11 2012-05-31 Asahi Kasei Corp 樹脂モールド
JP2012183642A (ja) * 2011-03-03 2012-09-27 Dainippon Printing Co Ltd モールドおよびその製造方法
JP2012212779A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Fujifilm Corp モールドの製造方法
TWI483308B (zh) * 2011-03-31 2015-05-01 Fujifilm Corp 模具的製造方法
KR20120116348A (ko) * 2011-04-12 2012-10-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 나노임프린트 몰드용 이형제, 표면 처리 방법 및 나노임프린트용 몰드
KR101869982B1 (ko) * 2011-04-12 2018-06-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 나노임프린트 몰드용 이형제, 표면 처리 방법 및 나노임프린트용 몰드
JP2013069902A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Toshiba Corp テンプレートの再生方法および再生装置
US9475213B2 (en) 2011-09-22 2016-10-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for reproducing template and reproducing apparatus
JP2015511400A (ja) * 2012-01-31 2015-04-16 シーゲイト テクノロジー エルエルシー 捕捉される気泡を低減するための表面張力制御方法
US9610712B2 (en) 2012-01-31 2017-04-04 Seagate Technology Llc Method of surface tension control to reduce trapped gas bubbles
US10828666B2 (en) 2012-01-31 2020-11-10 Seagate Technology Llc Method of surface tension control to reduce trapped gas bubbles
JP2014120584A (ja) * 2012-12-14 2014-06-30 Toshiba Corp インプリント用マスクの洗浄方法
WO2017099492A1 (ko) * 2015-12-08 2017-06-15 주식회사 기가레인 임프린트 장치 및 방법

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