JP4467611B2 - 光インプリント方法 - Google Patents
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Description
(化1)
YnSiX(4−n)
ここで、Yはアルキル基,フルオロアルキル基,ビニル基,アミノ基,フェニル基,クロロアルキル基,イソシアネート基、もしくはエポキシ基、またはこれらを含む有機基であり、Xはアルコキシル基,アセチル基またはハロゲンを示す。nは0〜3までの整数である。また、Xで示されるアルコキシル基はメトキシ基,エトキシ基,プロポキシ基,ブトキシ基であることが好ましい。また、Yで示される有機基全体の炭素数は1〜20の範囲内、特に5〜10の範囲内であることが好ましい。
CF3(CF2)3CH2CH2Si(OCH3)3
CF3(CF2)5CH2CH2Si(OCH3)3
CF3(CF2)7CH2CH2Si(OCH3)3
CF3(CF2)9CH2CH2Si(OCH3)3
CF3(CF2)9CH2CH2Si(OCH3)3
(CF3)2CF(CF2)4CH2CH2Si(OCH3)3
(CF3)2CF(CF2)6CH2CH2Si(OCH3)3
(CF3)2CF(CF2)8CH2CH2Si(OCH3)3
CF3(C6H4)C2H4Si(OCH3)3
CF3(CF2)3(C6H4)C2H4Si(OCH3)3
CF3(CF2)5(C6H4)C2H4Si(OCH3)3
CF3(CF2)7(C6H4)C2H4Si(OCH3)3
CF3(CF2)3CH2CH2SiCH3(OCH3)2
CF3(CF2)5CH2CH2SiCH3(OCH3)2
CF3(CF2)7CH2CH2SiCH3(OCH3)2
CF3(CF2)9CH2CH2SiCH3(OCH3)2
(CF3)2CF(CF2)4CH2CH2SiCH3(OCH3)2
(CF3)2CF(CF2)6CH2CH2SiCH3(OCH3)2
(CF3)2CF(CF2)8CH2CH2SiCH3(OCH3)2
CF3(C6H4)C2H4SiCH3(OCH3)2
CF3(CF2)3(C6H4)C2H4SiCH3(OCH3)2
CF3(CF2)5(C6H4)C2H4SiCH3(OCH3)2
CF3(CF2)7(C6H4)C2H4SiCH3(OCH3)2
CF3(CF2)3CH2CH2Si(OCH2OCH3)3
CF3(CF2)5CH2CH2Si(OCH2OCH3)3
CF3(CF2)7CH2CH2Si(OCH2OCH3)3
CF3(CF2)9CH2CH2Si(OCH2OCH3)3
CF3(CF2)7SO2N(C2H5)C2H4CH2Si(OCH3)3
前記した中間層102aの作製方法としては、例えば、スピンコート,ディップ法、または気相蒸着法などが挙げられる。また、上記中間層がシランカップリング剤またはその重合体のみからなる層である場合には、上記材料を必要に応じて溶媒などに分散させて、例えばスピンコート,スプレーコート,ディップコート,ロールコート,ビードコートなどの公知の塗布方法によって基材上に塗布することにより行うことが出来る。
本実施例では、ディスク基板に溝構造を形成した。
実施例1と同様な手順により、種々のシランカップリング剤を用いて中間層を形成し、インプリントしたベース層の膜厚および表面粗さRaの結果を説明する。具体的には以下の化学式で表されるシランカップリング剤を用いた。
Y−Si−(OCH3)3
まず、表面が平滑な石英ディスク基板表面に中間層102aを形成し、その水に対する接触角を評価した。また、その中間層102aを形成した石英ディスク基板を用いて、インプリントを行いベース膜厚および表面粗さRaを評価した。その結果を表1に示す。なお、表1において、ベース膜厚および表面粗さRaは中間層102aの厚みを含めた値である。
実施例1と同様な手順により、インクジェットによるレジスト103の1滴当りの滴下量を変え、インプリントしたベース層の膜厚および表面粗さRaの結果を説明する。レジスト103の1滴あたりの滴下量に対するベース層の膜厚および表面粗さRaの結果を表2に示す。
本実施例では、本発明のインプリント方法を使用したディスクリートトラックメディアの製造方法について適宜図面を参照しながら説明する。参照する図面において、図7は、本実施例に関わる記録媒体を示す模式図である。
本実施例では、本発明のインプリント方法を使用して製造した光情報処理装置について説明する。
101 凹凸形状形成部
102,201,501 基板
102a,208a 中間層形成部
102b 下地基板
103,104,209 レジスト
105 ベース層
106 下部ステージ
107 上部ステージ
108 緩衝層
200 磁気記録媒体
202 穴
203 記録トラック
204 サーボパターン
205 外周部
206 内周部
207 軟磁性裏打層
208 記録層
211 硬化したレジスト
212 非磁性体
213 保護膜
500 光回路
502 発信ユニット
503,503′ 光導波路
504,504′ 光コネクタ
508 微小突起物
Claims (13)
- 基板上に光硬化性レジストを離散的に滴下する工程と、
前記光硬化性レジストに凹凸パターンが形成されたモールドを接触させ、モールドの凹凸パターンに前記光硬化性レジストを充填させる工程と、
光を照射して前記光硬化性レジストを硬化させる工程と、
モールドと光硬化させた光硬化性レジストを剥離する工程とを有する光インプリント方法において、
モールドと基板上に滴下した光硬化性レジストとが接触するまでの間、基板上に滴下した光硬化性レジストの離散的な配置を保持する中間層を前記基板表面に形成してなることを特徴とする光インプリント方法。 - 前記中間層の水に対する接触角θが、前記基板の水に対する接触角θよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の光インプリント方法。
- 前記中間層の水に対する接触角θが、
30°<θ<90°
であることを特徴とする請求項1に記載の光インプリント方法。 - 前記中間層が前記基板表面と化学結合により結合してなることを特徴とする請求項1に記載の光インプリント方法。
- 前記中間層は、前記レジストと化学結合により結合を形成する官能基を少なくとも1つ以上有する有機化合物を有してなることを特徴とする請求項1に記載の光インプリント方法。
- 基板上に光硬化性レジストを離散的に滴下する工程と、
前記光硬化性レジストに凹凸パターンが形成されたモールドを接触させ、モールドの凹凸パターンに前記光硬化性レジストを充填させる工程と、
光を照射し前記光硬化性レジストを硬化させる工程と、
モールドと光硬化させた光硬化性レジストを剥離する工程とを有する光インプリント方法において、
基板表面の水に対する接触角よりも大きな接触角を有する中間層を前記基板表面に形成してなることを特徴とする光インプリント方法。 - 前記中間層の水に対する接触角θが、
30°<θ<90°
であることを特徴とする請求項6に記載の光インプリント方法。 - 前記中間層が前記基板表面と化学結合により結合してなることを特徴とする請求項6に記載の光インプリント方法。
- 前記中間層は、前記レジストと化学結合により結合を形成する官能基を少なくとも1つ以上有する有機化合物を有してなることを特徴とする請求項6に記載の光インプリント方法。
- 前記中間層が下記一般式1で示されるシランカップリング剤を含むことを特徴とする請求項6に記載の光インプリント方法。
YnSiX(4−n) ・・・(一般式1)
(ここで、Yはアルキル基,フルオロアルキル基,ビニル基,アミノ基,フェニル基,クロロアルキル基,イソシアネート基、もしくはエポキシ基、またはこれらを含む有機基であり、Xはアルコキシル基,アセチル基またはハロゲンを示し、nは0〜3までの整数である。) - 離散的に光硬化性レジストを滴下する工程において、
インクジェット法によって前記光硬化性レジスト液滴を前記中間層表面に配することを特徴とする請求項6に記載の光インプリント方法。 - インクジェット法によって前記光硬化性レジスト液滴を前記中間層表面に配する工程において、
インクジェットから吐出した液滴の吐出量が1滴当り0.005以上100pl以下であり、
前記インクジェットにより前記中間層表面に配した液滴の中心間距離が液滴の直径より大きいことを特徴とする請求項6に記載の光インプリント方法。 - 前記中間層の厚さが、前記凹凸パターンの高さの1/2以下であることを特徴とする請
求項6に記載の光インプリント方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007252973A JP4467611B2 (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | 光インプリント方法 |
US12/190,607 US8133427B2 (en) | 2007-09-28 | 2008-08-13 | Photo nanoimprint lithography |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007252973A JP4467611B2 (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | 光インプリント方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009083172A JP2009083172A (ja) | 2009-04-23 |
JP4467611B2 true JP4467611B2 (ja) | 2010-05-26 |
Family
ID=40507295
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007252973A Expired - Fee Related JP4467611B2 (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | 光インプリント方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8133427B2 (ja) |
JP (1) | JP4467611B2 (ja) |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8303866B2 (en) * | 2007-04-23 | 2012-11-06 | Digitaloptics Corporation East | Mass production of micro-optical devices, corresponding tools, and resultant structures |
JP5480530B2 (ja) * | 2009-04-24 | 2014-04-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 微細構造転写方法及び微細構造転写装置 |
JP2011071500A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-04-07 | Fujifilm Corp | パターン転写装置及びパターン形成方法 |
JP5499596B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2014-05-21 | Jsr株式会社 | パターン形成方法及び半導体素子 |
JP5351069B2 (ja) * | 2010-02-08 | 2013-11-27 | 株式会社東芝 | インプリント方法及びインプリント装置 |
JP5283647B2 (ja) * | 2010-03-03 | 2013-09-04 | 富士フイルム株式会社 | パターン転写方法及びパターン転写装置 |
US8366431B2 (en) * | 2010-04-13 | 2013-02-05 | Sematech, Inc. | Partial die process for uniform etch loading of imprint wafers |
JP5533297B2 (ja) * | 2010-06-09 | 2014-06-25 | 大日本印刷株式会社 | インプリント方法 |
JP6215512B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2017-10-18 | 富士フイルム株式会社 | メンテナンス液 |
JP5337776B2 (ja) * | 2010-09-24 | 2013-11-06 | 富士フイルム株式会社 | ナノインプリント方法およびそれを利用した基板の加工方法 |
JP5002695B2 (ja) * | 2010-09-24 | 2012-08-15 | 株式会社東芝 | 微細加工方法、微細加工装置、および微細加工プログラム |
WO2013010111A2 (en) | 2011-07-13 | 2013-01-17 | University Of Utah Research Foundation | Nanoimprint lithography |
KR101384457B1 (ko) * | 2011-08-04 | 2014-04-14 | 주식회사 엘지화학 | 실란계 화합물 및 이를 포함하는 감광성 수지 조성물 |
JP5611912B2 (ja) * | 2011-09-01 | 2014-10-22 | 株式会社東芝 | インプリント用レジスト材料、パターン形成方法、及びインプリント装置 |
JP5667953B2 (ja) * | 2011-09-27 | 2015-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法及び基板の処理装置 |
JP2013138179A (ja) * | 2011-11-30 | 2013-07-11 | Central Glass Co Ltd | 光重合性組成物並びにそれを用いたパターン形成方法 |
US10677969B2 (en) * | 2013-11-27 | 2020-06-09 | Magic Leap, Inc. | Manufacturing for virtual and augmented reality systems and components |
US11726241B2 (en) | 2015-01-26 | 2023-08-15 | Magic Leap, Inc. | Manufacturing for virtual and augmented reality systems and components |
US20170068159A1 (en) * | 2015-09-08 | 2017-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
JP6141500B2 (ja) * | 2015-09-08 | 2017-06-07 | キヤノン株式会社 | ナノインプリントリソグラフィーにおける充填時間を短縮するための基板の前処理 |
US20170066208A1 (en) * | 2015-09-08 | 2017-03-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
CN108026330B (zh) * | 2015-09-08 | 2020-12-22 | 佳能株式会社 | 在纳米压印光刻中的基材预处理和蚀刻均匀性 |
US10488753B2 (en) | 2015-09-08 | 2019-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment and etch uniformity in nanoimprint lithography |
KR102285063B1 (ko) | 2016-01-25 | 2021-08-04 | 캐논 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법, 가공 기판의 제조 방법, 광학 부품의 제조 방법, 회로 기판의 제조 방법, 전자 부품의 제조 방법, 임프린트 몰드의 제조 방법 |
JP6335948B2 (ja) | 2016-02-12 | 2018-05-30 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品製造方法 |
US10134588B2 (en) * | 2016-03-31 | 2018-11-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
US10754243B2 (en) * | 2016-03-31 | 2020-08-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold |
US10095106B2 (en) * | 2016-03-31 | 2018-10-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Removing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
US10845700B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-11-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold |
US10620539B2 (en) * | 2016-03-31 | 2020-04-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Curing substrate pretreatment compositions in nanoimprint lithography |
US10754244B2 (en) * | 2016-03-31 | 2020-08-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold |
US10754245B2 (en) * | 2016-03-31 | 2020-08-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold |
US10829644B2 (en) * | 2016-03-31 | 2020-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold |
JP6983760B2 (ja) * | 2016-04-08 | 2021-12-17 | キヤノン株式会社 | 硬化物パターンの形成方法、加工基板の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子部品の製造方法、インプリントモールドの製造方法、およびインプリント前処理コート用材料 |
US10509313B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-12-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint resist with fluorinated photoinitiator and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography |
CN106647187A (zh) * | 2017-01-16 | 2017-05-10 | 中国科学院物理研究所 | 一种小周期阵列结构的制备方法 |
US10317793B2 (en) * | 2017-03-03 | 2019-06-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate pretreatment compositions for nanoimprint lithography |
JP6942487B2 (ja) * | 2017-03-03 | 2021-09-29 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、および物品製造方法 |
KR102385158B1 (ko) | 2017-03-08 | 2022-04-12 | 캐논 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법, 임프린트 전처리 코팅 재료, 및 기판의 전처리 방법 |
JP7328888B2 (ja) * | 2017-03-08 | 2023-08-17 | キヤノン株式会社 | 硬化物パターンの製造方法、光学部品、回路基板および石英モールドレプリカの製造方法、ならびにインプリント前処理コート用材料およびその硬化物 |
JP7071331B2 (ja) | 2017-03-08 | 2022-05-18 | キヤノン株式会社 | 光ナノインプリント技術を用いたパターン形成方法、インプリント装置、および硬化性組成物 |
JP7425602B2 (ja) | 2017-03-08 | 2024-01-31 | キヤノン株式会社 | パターン形成方法、ならびに加工基板、光学部品及び石英モールドレプリカの製造方法、ならびにインプリント前処理コーティング材料及びそれとインプリントレジストとのセット |
WO2019031409A1 (ja) | 2017-08-10 | 2019-02-14 | キヤノン株式会社 | パターン形成方法 |
JP6938313B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2021-09-22 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、インプリント材の配置パターンの決定方法、および物品の製造方法 |
JP7077178B2 (ja) * | 2018-08-09 | 2022-05-30 | キヤノン株式会社 | パターン形成方法 |
US11249397B2 (en) | 2019-11-22 | 2022-02-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of forming a cured layer by controlling drop spreading |
EP3929658A1 (en) | 2020-06-23 | 2021-12-29 | Koninklijke Philips N.V. | Imprinting method and patterned layer |
JP2023157024A (ja) * | 2020-09-14 | 2023-10-26 | 日産化学株式会社 | インプリント用プライマー層形成組成物 |
CN113189840A (zh) * | 2021-04-16 | 2021-07-30 | 深圳先进技术研究院 | 微纳结构制作方法及微纳结构制作装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4236081B2 (ja) * | 2001-10-16 | 2009-03-11 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成体の製造方法 |
MY164487A (en) | 2002-07-11 | 2017-12-29 | Molecular Imprints Inc | Step and repeat imprint lithography processes |
US8349241B2 (en) * | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
KR101061891B1 (ko) * | 2003-02-05 | 2011-09-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 배선의 제작 방법 |
JP2004304097A (ja) | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Sharp Corp | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
US7125949B2 (en) * | 2004-01-21 | 2006-10-24 | Lumera Corporation | Fluorinated sol-gel electro-optic materials, process for producing same, and devices therefrom |
US7214725B2 (en) * | 2004-04-30 | 2007-05-08 | Ashland Licensing And Intellectual Property Llc | Radiation-curable lithographic inks from multifunctional acrylate oligomers |
-
2007
- 2007-09-28 JP JP2007252973A patent/JP4467611B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-08-13 US US12/190,607 patent/US8133427B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090085255A1 (en) | 2009-04-02 |
JP2009083172A (ja) | 2009-04-23 |
US8133427B2 (en) | 2012-03-13 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091002 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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