JP5611912B2 - インプリント用レジスト材料、パターン形成方法、及びインプリント装置 - Google Patents
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Description
本実施形態では、インプリントプロセスに使用するインプリント用レジスト材料について説明する。特に、インクジェットノズルを用いて基板上に離散的に載置する例に適用するものである。
次に、先の第1の実施形態のレジスト材料を用いたインプリントプロセスについて説明する。
次に、第2の実施形態のインプリントプロセスを実施するためのインプリント装置の例を説明する。
次に、第2の実施形態のインプリントプロセスを実施するためのインプリント装置の別の例を説明する。
第3の実施形態では、室温において第2の樹脂成分が十分な揮発速度を有する場合について記載した。本実施形態では、室温では第2の樹脂成分の揮発速度が遅く、インプリント装置のスループット低下をもたらす場合の対策について説明する。この場合、基本的な装置構成図は、第4の実施形態の図5に示すように、レジスト体積収縮処理部を有する構成となる。
本実施形態では、第1〜第5の実施形態までとは異なり、レジスト材料が揮発性を有さない場合において、載置されたレジスト材料の体積減少処理方法について説明する。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。レジスト材を構成する第1の樹脂成分、第2の樹脂成分、及び結合反応開始材は、必ずしも実施形態で説明したものに限らず、仕様に応じて適宜変更可能である。さらに、第2の樹脂成分の割合は、インクジェットヘッド等により形成されるレジスト小滴の量と最終的に必要なレジスト小滴の量との関係から定めればよい。
20…レジスト小滴
21…レジスト
30…テンプレート
40…ステージ
50…テンプレート保持機構
60…制御部
70…インクジェット機構
80…テンプレート押印機構
90,302…UV光源
100…第1のチャンバ
101,201,301…基板ステージ
102…インクジェット機構(レジスト載置機構)
200…第2のチャンバ
202…赤外線ヒータ
300…第3のチャンバ
303…ミラー
Claims (7)
- 基板上に、不揮発性の第1の樹脂成分、揮発性の第2の樹脂成分、及び第1の樹脂成分の硬化反応を促進する結合反応開始材を含むインプリント用のレジストを、空間的に離散した液滴として載置する工程と、
前記レジスト液滴中の前記第2の樹脂成分を揮発させることにより、前記レジスト液滴の体積を減少させる工程と、
前記第2の樹脂成分の揮発により体積が減少した前記レジスト液滴に対して、テンプレートのパターン面を押印する工程と、
前記テンプレートのパターン面が押印された状態で前記レジストを硬化させる工程と、
前記レジストが硬化した後に該レジストから前記テンプレートを剥離する工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記レジスト液滴の体積を減少させる工程として、一定時間以上放置、又は熱処理を施すことを特徴とする、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記基板上にレジスト液滴を載置する工程として、インクジェット方式のノズルから前記基板上に前記レジスト液滴を吐出することを特徴とする、請求項1または2に記載のパターン形成方法。
- 前記レジストを硬化させる工程として、前記レジストに対して紫外光を照射することを特徴とする、請求項1乃至3の何れか一項に記載のパターン形成方法。
- 第1のチャンバ内に収容された基板上に、不揮発性の第1の樹脂成分、揮発性の第2の樹脂成分、及び第1の樹脂成分の硬化反応を促進する結合反応開始材を含むインプリント用のレジストを、空間的に離散的に液滴として載置するレジスト載置機構と、
第2のチャンバ内に収容された前記基板上のレジスト液滴の体積を減少させるレジスト液滴体積減少処理機構と、
第3のチャンバ内で、前記体積減少処理を施した前記レジスト液滴に対してテンプレートのパターン面を押印し、該パターン面が押印された状態で前記レジストを硬化させ、該硬化させた前記レジストから前記テンプレートを剥離するインプリント機構と、
前記基板を第1乃至第3のチャンバ間で搬送する搬送機構と、
を具備したことを特徴とするインプリント装置。 - 前記レジスト液滴体積減少処理機構は、前記レジスト液滴に対する加熱機構であることを特徴とする、請求項5に記載のインプリント装置。
- 前記インプリント機構で前記レジストを硬化させるために、前記レジストに対して紫外光を照射することを特徴とする、請求項5または6に記載のインプリント装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011190959A JP5611912B2 (ja) | 2011-09-01 | 2011-09-01 | インプリント用レジスト材料、パターン形成方法、及びインプリント装置 |
US13/424,677 US9023432B2 (en) | 2011-09-01 | 2012-03-20 | Resist material for imprinting, pattern formation method, and imprinting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011190959A JP5611912B2 (ja) | 2011-09-01 | 2011-09-01 | インプリント用レジスト材料、パターン形成方法、及びインプリント装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013055146A JP2013055146A (ja) | 2013-03-21 |
JP5611912B2 true JP5611912B2 (ja) | 2014-10-22 |
Family
ID=47753379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011190959A Expired - Fee Related JP5611912B2 (ja) | 2011-09-01 | 2011-09-01 | インプリント用レジスト材料、パターン形成方法、及びインプリント装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9023432B2 (ja) |
JP (1) | JP5611912B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11953825B2 (en) | 2018-08-28 | 2024-04-09 | Kioxia Corporation | Imprint apparatus, imprint method, and manufacturing method of semiconductor device |
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JP5971561B2 (ja) * | 2013-01-29 | 2016-08-17 | 株式会社東芝 | パターン形成方法およびパターン形成装置 |
JP6486206B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2019-03-20 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | インプリント用のテンプレート製造装置 |
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JP2021184413A (ja) * | 2020-05-21 | 2021-12-02 | キヤノン株式会社 | インプリント方法及び物品の製造方法 |
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US20070228593A1 (en) | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Residual Layer Thickness Measurement and Correction |
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-
2011
- 2011-09-01 JP JP2011190959A patent/JP5611912B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-20 US US13/424,677 patent/US9023432B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130059090A1 (en) | 2013-03-07 |
JP2013055146A (ja) | 2013-03-21 |
US9023432B2 (en) | 2015-05-05 |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130905 |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20140109 |
|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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