JP2007266308A - パターン転写方法、パターン転写装置及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】スループットが高いパターン転写方法、パターン転写装置及び電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】パターン転写装置1において、基板上に樹脂を塗布して樹脂膜を成膜する塗布室2を設け、塗布室2に連通され基板を搬送する搬送手段が配設された搬送室3を設け、基板を樹脂のガラス転移点未満の温度まで予備加熱する予備加熱室4を設け、膜の一部を局所的に樹脂のガラス転移点以上の温度に加熱しつつ、この加熱した部分に基板よりも小さいモールドを押し付けることにより、膜にパターンを転写するプロセス室5を設ける。予備加熱室4及びプロセス室5はそれぞれ搬送室3に連通させる。プロセス室5においては、ステップ・アンド・リピート方式により、膜の複数の領域に繰り返しモールドを押し付けることにより、膜全体にパターンを転写する。
【選択図】図1
【解決手段】パターン転写装置1において、基板上に樹脂を塗布して樹脂膜を成膜する塗布室2を設け、塗布室2に連通され基板を搬送する搬送手段が配設された搬送室3を設け、基板を樹脂のガラス転移点未満の温度まで予備加熱する予備加熱室4を設け、膜の一部を局所的に樹脂のガラス転移点以上の温度に加熱しつつ、この加熱した部分に基板よりも小さいモールドを押し付けることにより、膜にパターンを転写するプロセス室5を設ける。予備加熱室4及びプロセス室5はそれぞれ搬送室3に連通させる。プロセス室5においては、ステップ・アンド・リピート方式により、膜の複数の領域に繰り返しモールドを押し付けることにより、膜全体にパターンを転写する。
【選択図】図1
Description
本発明は、パターン転写方法、パターン転写装置及び電子デバイスの製造方法に関し、特に、ナノインプリントによるパターン転写方法、パターン転写装置及び電子デバイスの製造方法に関する。
従来より、基板表面に形成された樹脂膜に対して、所定のパターンが形成されたモールドを繰り返し押し当ててパターン転写を行う技術、すなわち、インプリントリソグラフィー技術が知られている。また、この技術を用いて、電子デバイス、バイオチップ及び光学素子等の微細パターンを形成する方法が検討されている。
しかしながら、この技術においては、基板全体を樹脂のガラス転移点以上の温度まで加熱した状態でモールドを樹脂膜に押し付け、その後、基板全体をガラス転移点未満の温度まで冷却し、モールドを樹脂膜から離している。そして、この加熱冷却のサイクルを、モールドを樹脂膜に押し付ける度に繰り返している(例えば、特許文献1参照。)。このため、この方法はスループットが低いという問題がある。
本発明の目的は、スループットが高いパターン転写方法、パターン転写装置及び電子デバイスの製造方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、基板上に形成された膜を前記膜の軟化点未満の温度に予備加熱する工程と、前記膜の一部の領域を前記軟化点以上の温度に加熱すると共に、パターンが形成されたモールドを前記領域の少なくとも一部に押しつけて、前記膜の前記一部に前記パターンを転写する工程と、を備えたことを特徴とするパターン転写方法が提供される。
本発明の他の一態様によれば、基板上に形成された膜を前記膜の軟化点未満の温度に予備加熱する予備加熱部と、前記膜の一部の領域を前記軟化点以上の温度に加熱すると共に、パターンが形成されたモールドを前記領域の少なくとも一部に押しつけて、前記膜の前記一部に前記パターンを転写するプロセス部と、を備えたことを特徴とするパターン転写装置が提供される。
本発明の更に他の一態様によれば、基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をこのレジスト膜の軟化点未満の温度に予備加熱する工程と、前記レジスト膜の一部の領域を前記軟化点以上の温度に加熱すると共に、パターンが形成されたモールドを前記領域の少なくとも一部に押しつけて、前記レジスト膜の前記一部に前記パターンを転写する工程と、前記レジスト膜をマスクとして前記基板に対して処理を施す工程と、を備えたことを特徴とする電子デバイスの製造方法が提供される。
本発明の更に他の一態様によれば、基板上に膜を形成する工程と、前記膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をこのレジスト膜の軟化点未満の温度に予備加熱する工程と、前記レジスト膜の一部の領域を前記軟化点以上の温度に加熱すると共に、パターンが形成されたモールドを前記領域の少なくとも一部に押しつけて、前記レジスト膜の前記一部に前記パターンを転写する工程と、前記レジスト膜をマスクとして前記膜に対して処理を施す工程と、を備えたことを特徴とする電子デバイスの製造方法が提供される。
本発明によれば、スループットが高いパターン転写方法、パターン転写装置及び電子デバイスの製造方法を実現することができる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係るパターン転写装置を例示する平面図であり、
図2は、このパターン転写装置のプロセス室を例示する側面図である。
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係るパターン転写装置を例示する平面図であり、
図2は、このパターン転写装置のプロセス室を例示する側面図である。
図1に示すように、本実施形態に係るパターン転写装置1においては、基板11(図2参照)上に樹脂を塗布することにより、樹脂からなる膜12(図2参照)を成膜する塗布室2が設けられている。また、パターン転写装置1には、塗布室2に連通され、基板11を搬送する搬送手段(図示せず)が配設された搬送室3が設けられている。更に、パターン転写装置1には、基板11を膜12を形成する樹脂の軟化点未満の温度まで予備加熱する予備加熱室4が設けられている。なお、軟化点とは、例えば、膜12を形成する材料が高分子材料の場合はガラス転移点であり、低分子材料の場合は融点である。
更にまた、パターン転写装置1においては、膜12の一部を局所的に樹脂の軟化点以上の温度に加熱しつつ、この加熱した部分に基板11よりも小さいモールド7(図2参照)を押し付けることにより、膜12にパターンを転写するプロセス室5が設けられている。予備加熱室4及びプロセス室5はそれぞれ搬送室3に連通されている。また、塗布室2、搬送室3、予備加熱室4及びプロセス室5はそれぞれチャンバにより構成されており、それぞれの内部を密封できるようになっている。
塗布室2においては、例えばスピンコータ等の成膜装置(図示せず)が設けられており、例えばシリコンウェーハ等の基板11上に、例えばPMMA(Poly Methyl Meth Acrylate:ポリメチルメタクリレート)等の熱可塑性樹脂を、例えば300nmの厚さに塗布し、膜12を成膜する。搬送室3に設けられた搬送手段は、基板11を保持して、塗布室2、予備加熱室4及びプロセス室5の相互間で搬送するものである。
予備加熱室4の内部は温度制御されており、加熱ステージ(図示せず)が設けられている。この加熱ステージは、基板11の裏面を真空吸着により保持しつつ、基板11の裏面に対してヘリウム(He)ガスを流すことにより基板11との間の熱伝導効率を高くして、基板11を膜12を形成する材料の軟化点未満の温度、例えば、PMMAのガラス転移点未満の温度である70℃まで加熱するものである。
図2に示すように、プロセス室5においては、基板11を保持して基板11の位置を制御すると共に、基板11及び膜12の温度をPMMAのガラス転移温度未満の温度、例えば70℃に保持する加熱ステージ6が設けられている。また、プロセス室5には、その下面にパターン7aが形成されており、このパターン7aを膜12に対して転写するモールド7が設けられている。モールド7は例えばニッケル(Ni)により形成されている。モールド7はそれ自体が加熱されており、膜12に押し付けられたときに、膜12を例えばPMMAのガラス転移点以上で且つ融点以下の温度、例えば120℃に加熱する。そして、加熱ステージ6が基板11及び膜12をモールド7に対して相対的に移動させつつ、モールド7を膜12に繰り返し押し付けることにより、ステップ・アンド・リピート方式により、膜12の複数の領域にパターンを転写する。
次に、上述の如く構成された本実施形態に係るパターン形成装置の動作、すなわち、本実施形態に係るパターン形成方法について説明する。
図3は、横軸に時間をとり、縦軸に温度をとって、本実施形態に係るパターン転写方法の温度プロファイルを例示するグラフ図である。なお、図3において、実線は基板11及び膜12全体の温度を示し、波線は膜12におけるモールドが押し当てられた領域の温度を示す。また、図3の上部の矢印は対応する時間における基板11の位置を示しており、例えば「4」の符号を付した矢印は、この時間帯に基板11が予備加熱室4に位置していることを示す。更に、「RT」は室温を意味している。
図3は、横軸に時間をとり、縦軸に温度をとって、本実施形態に係るパターン転写方法の温度プロファイルを例示するグラフ図である。なお、図3において、実線は基板11及び膜12全体の温度を示し、波線は膜12におけるモールドが押し当てられた領域の温度を示す。また、図3の上部の矢印は対応する時間における基板11の位置を示しており、例えば「4」の符号を付した矢印は、この時間帯に基板11が予備加熱室4に位置していることを示す。更に、「RT」は室温を意味している。
先ず、パターン形成装置1の塗布室2に設けられたスピンコータに、例えばシリコンウェーハである基板11を装入する。スピンコータは、基板11の上面に例えばPMMAを塗布し、PMMAからなり厚さが例えば300nmの膜12を成膜する。
次に、搬送室3の搬送手段が、膜12が形成された基板11を塗布室2から搬送室3を経由して予備加熱室4に搬送し、基板11を予備加熱室4内の加熱ステージ上に載置する。このとき、加熱ステージは、予め所定の温度に加熱しておく。
次に、搬送室3の搬送手段が、膜12が形成された基板11を塗布室2から搬送室3を経由して予備加熱室4に搬送し、基板11を予備加熱室4内の加熱ステージ上に載置する。このとき、加熱ステージは、予め所定の温度に加熱しておく。
予備加熱室4においては、加熱ステージから基板11を介して膜12に熱が伝導することにより、図3に示すように、膜12の温度をそのガラス転移点(Tg)未満の温度、例えば、70℃まで加熱し、この温度に保持する。
次に、搬送室3の搬送手段が、予備加熱室4から予備加熱された基板11を取り出し、搬送室3を介してプロセス室5に搬送し、プロセス室5に設けられた加熱ステージ6上に載置する。
次に、搬送室3の搬送手段が、予備加熱室4から予備加熱された基板11を取り出し、搬送室3を介してプロセス室5に搬送し、プロセス室5に設けられた加熱ステージ6上に載置する。
そして、図2及び図3に示すように、プロセス室5においては、加熱ステージ6により、基板11及び膜12を、PMMAのガラス転移点未満の温度、例えば70℃に保持する。この状態で、モールド7を膜12の一部の領域に押し付ける。これにより、モールド7から膜12に熱が伝導し、膜12におけるモールド7が押し付けられた領域の温度を膜12のガラス転移点(Tg)以上の温度、例えば120℃まで加熱する。これにより、膜12が軟質化し、モールド7に形成されたパターン7aが転写される。その後、モールド7を膜12から離脱させる。これにより、この領域にパターン7aの反転パターンを形成することができる。次に、加熱ステージ6が基板11の位置を移動させて、膜12におけるモールド7が当接する予定の領域に、未だパターンが形成されていない領域を位置させる。そして、この転写及び移動のサイクルを複数回繰り返すステップ・アンド・リピート方式により、膜12の全面にパターンを転写する。その後、基板11及び膜12を室温まで冷却し、パターン形成装置1から取り出す。
次に、本実施形態の効果について説明する。
従来の方法では、基板をプロセス室の加熱ステージ上に搬送してから、膜の温度がガラス転移点以上の温度になるまで、基板を加熱ステージ上で保持するため、この加熱に長時間を要し、スループットが低くなっていた。これに対して、本実施形態によれば、プロセス室5においてプレスを行う前に、予め予備加熱室4で軟化温度の直下まで加熱しておくため、プロセス室5において膜12の温度を所望の温度まで加熱するための時間を短縮することができる。これにより、複数枚の基板を連続的に処理する場合に、塗布室2における塗布処理と、予備加熱室4における予備加熱処理と、プロセス室5におけるプレス処理と、を並行して実施することができる。例えば、塗布処理、予備加熱処理及びプレス処理のうち、予備加熱処理に最も長時間を要する場合には、予備加熱室4における基板11の保持枚数を多くすれば、予備加熱処理がボトルネックになることなく、全体のスループットを向上させることができる。
従来の方法では、基板をプロセス室の加熱ステージ上に搬送してから、膜の温度がガラス転移点以上の温度になるまで、基板を加熱ステージ上で保持するため、この加熱に長時間を要し、スループットが低くなっていた。これに対して、本実施形態によれば、プロセス室5においてプレスを行う前に、予め予備加熱室4で軟化温度の直下まで加熱しておくため、プロセス室5において膜12の温度を所望の温度まで加熱するための時間を短縮することができる。これにより、複数枚の基板を連続的に処理する場合に、塗布室2における塗布処理と、予備加熱室4における予備加熱処理と、プロセス室5におけるプレス処理と、を並行して実施することができる。例えば、塗布処理、予備加熱処理及びプレス処理のうち、予備加熱処理に最も長時間を要する場合には、予備加熱室4における基板11の保持枚数を多くすれば、予備加熱処理がボトルネックになることなく、全体のスループットを向上させることができる。
また、従来の方法では、ステップ・アンド・リピート方式によりモールドを膜に対して当接及び離脱させる度に、基板全体を加熱及び冷却していた。このため、基板全体の面積が大きい場合には、加熱及び冷却に相当な時間がかかってしまう。更に、基板全体に対して加熱及び冷却を繰り返すことにより、既に形成したパターンが、その後の加熱により熱変形してしまうことがある。これに対して、本実施形態によれば、モールドを押し付ける領域のみを加熱するため、加熱及び冷却を素早く行うことができると共に、既に形成したパターンが熱変形することがない。
なお、本実施形態においては、モールド7を膜12のある領域に対して当接及び離脱させた後、隣接する領域に対して当接及び離脱させてもよいが、本実施形態はこれに限定されず、モールド7をある領域に対して当接及び離脱させた後、この領域から離隔した領域に対して当接及び離脱させてもよい。これにより、一旦パターンが形成された領域が十分に冷却される前に、隣接する領域が加熱されることがなくなり、形成されたパターンの熱変形をより確実に防止することができる。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図4は、本実施形態に係るパターン転写装置のプロセス室を例示する断面図である。
図4に示すように、本実施形態に係るパターン転写装置のプロセス室5においては、加熱ステージ6の上方に、膜12の一部の領域13に対して、領域13の斜め上方から光を照射するランプ8が設けられている。ランプ8は、例えば、RTA(Rapid Thermal Anneal:瞬間熱アニール)に使用されるような赤外線ランプ又はハロゲンランプ等である。また、プロセス室5においては、ランプ8から出射した光が領域13のみに照射されるように、ランプ8から出射した光を整形するマスク9が設けられている。これにより、本実施形態においては、プロセス室5において、モールド7ではなくランプ8によって、膜を局所的に軟化点以上の温度に加熱する。本実施形態における上記以外の構成は、前述の第1の実施形態と同様である。
図4は、本実施形態に係るパターン転写装置のプロセス室を例示する断面図である。
図4に示すように、本実施形態に係るパターン転写装置のプロセス室5においては、加熱ステージ6の上方に、膜12の一部の領域13に対して、領域13の斜め上方から光を照射するランプ8が設けられている。ランプ8は、例えば、RTA(Rapid Thermal Anneal:瞬間熱アニール)に使用されるような赤外線ランプ又はハロゲンランプ等である。また、プロセス室5においては、ランプ8から出射した光が領域13のみに照射されるように、ランプ8から出射した光を整形するマスク9が設けられている。これにより、本実施形態においては、プロセス室5において、モールド7ではなくランプ8によって、膜を局所的に軟化点以上の温度に加熱する。本実施形態における上記以外の構成は、前述の第1の実施形態と同様である。
本実施形態においては、予備加熱室4でガラス転移点(Tg)未満の温度まで加熱された基板11及び膜12を、プロセス室5に搬入して加熱ステージ6上に載置した後、ランプ8がマスク9を介して膜12の領域13に対して光を照射することにより、領域13を局所的にガラス転移点以上の温度まで加熱する。なお、このとき、領域13の形状は、例えば、縦が22ミリメートル、横が22ミリメートルの正方形の領域とする。そして、ランプ8を消灯し、加熱された領域13の一部に対して、モールド7を押し当てる。モールド7の押し当て面の形状は、例えば、縦が20ミリメートル、横が20ミリメートルの正方形とする。その後、領域13の温度がガラス転移点未満の温度まで冷却された後、モールド7を領域13から離す。次に、加熱ステージ6が基板11を移動させ、膜12における他の領域に対して、ランプ8の照射並びにモールド7の当接及び離脱による転写処理を行う。この転写処理及び基板の移動を繰り返すことにより、膜12の全面にパターンを形成する。本実施形態における上記以外の動作は、前述の第1の実施形態と同様である。
前述の第1の実施形態においては、モールドから膜に熱を伝導させることにより、膜をガラス転移点以上の温度に加熱しているため、モールド面内においてモールドのパターン密度が異なる場合、膜の表面において、モールドとの接触面積に分布が生じ、膜に温度分布が生じてしまうことがある。また、モールドから膜に熱が伝わるのにやや長時間を要することがある。更に、膜の軟化に合わせて膜にモールドを押し込んでいかなくてはならず、モールドを押し付ける際の圧力及びストロークに関して微妙な制御が要求される場合がある。
これに対して、本実施形態によれば、モールドが押し付けられる領域をランプにより加熱しているため、モールドのパターン密度に依存してモールド面内で温度分布が生じることがない。また、モールドからの伝熱によって膜を加熱する場合と比較して、膜をより急速に加熱することができる。更に、ガラス転移点以上の温度に加熱された膜に対してモールドを押し付けるため、モールドの圧力及びストロークの制御が簡略になる。本実施形態における上記以外の効果は、前述の第1の実施形態と同様である。
なお、本実施形態においては、モールドをニッケルにより形成し、ランプによる光の照射を領域13の斜め上方から行う例を示したが、本発明はこれに限定されず、モールドを石英、サファイア又はダイヤモンド等の透明材料により形成すれば、ランプをモールドの直上に設け、モールドを介して光を照射することも可能である。
また、本実施形態においては、光を照射する領域13の形状を、縦が22ミリメートル、横が22ミリメートルの正方形とし、モールドの押し付け面の形状を、縦が20ミリメートル、横が20ミリメートルの正方形としたが、本発明はこれに限定されない。但し、光を照射する領域13は、モールドが押し付けられる領域を含み、領域13の面積は、モールドの押し付けられる領域の面積よりもやや大きいことが好ましい。
次に、本実施形態の第1の変形例について説明する。
図5は、本変形例に係るパターン転写装置のプロセス室を例示する断面図である。
図5に示すように、本変形例に係るパターン形成装置においては、プロセス室5において、ランプ8が2つ設けられている。そして、この2つのランプ8は、膜12における光が照射される領域13の中心から膜12の表面に垂直な方向に延びる仮想的な直線14に関して、相互に軸対称となる位置に配置されている。また、ランプ8の照射角度も、直線14に関して相互に軸対称とされている。本変形例においては、プロセス室5において、2つのランプ8から光を照射することにより、膜12の領域13を加熱する。これにより、領域13に対して光を均一に照射して、領域13を均一に加熱することができる。
図5は、本変形例に係るパターン転写装置のプロセス室を例示する断面図である。
図5に示すように、本変形例に係るパターン形成装置においては、プロセス室5において、ランプ8が2つ設けられている。そして、この2つのランプ8は、膜12における光が照射される領域13の中心から膜12の表面に垂直な方向に延びる仮想的な直線14に関して、相互に軸対称となる位置に配置されている。また、ランプ8の照射角度も、直線14に関して相互に軸対称とされている。本変形例においては、プロセス室5において、2つのランプ8から光を照射することにより、膜12の領域13を加熱する。これにより、領域13に対して光を均一に照射して、領域13を均一に加熱することができる。
前述の第2の実施形態においては、1つのランプ8を光照射領域13の斜め上方に配置しているため、領域13内で照度がばらつき、温度差が発生する。この温度差が十分小さければ問題はないが、温度差がある程度大きくなると、パターンの形成状態にばらつきが生じてしまうことがある。そこで、本変形例においては、ランプを2つ対称に配置することにより、領域13内における照度のばらつきを低減している。本変形例における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第2の実施形態と同様である。なお、本変形例においては2つのランプを設ける例を示したが、本発明はこれに限定されず、3個以上のランプにより、温度の均一化を図ってもよい。
次に、本実施形態の第2の変形例について説明する。
図6は、本変形例に係るパターン転写装置のプロセス室を例示する断面図であり、
図7は、本変形例におけるフィルタを例示する平面図であり、
図8は、このフィルタを例示する側面図である。
図6は、本変形例に係るパターン転写装置のプロセス室を例示する断面図であり、
図7は、本変形例におけるフィルタを例示する平面図であり、
図8は、このフィルタを例示する側面図である。
図6に示すように、本変形例においては、プロセス室5に1つのランプ8を設け、光照射領域13の斜め上方に配置する。そして、ランプ8から出射された光の光路に介在するように、フィルタ10を設ける。フィルタ10は、例えば石英からなる透明板10aの表面に、例えばアルミニウムからなるドットパターン10bが複数個設けられて形成されている。ドットパターン10bの配置密度は一次元的に傾斜しており、フィルタ10の一方の端部に近づくほど低く、他方の端部に近づくほど高くなっている。アルミニウムは光の反射率が高いため、これにより、フィルタ10全体の光の透過率は、一方の端部に近づくほど高く、他方の端部に近づくほど低くなっている。そして、ランプ8から領域13までの光路のうち、その距離がより短い光路にフィルタ10におけるより透過率が低い領域が介在し、より長い光路にフィルタ10におけるより透過率が高い領域が介在している。
本変形例によれば、ランプ8の光路にフィルタ10を介在させることにより、ランプ8の配置位置に起因する領域13内の照度のばらつきを、フィルタ10の作用により相殺することができる。すなわち、仮にフィルタ10がなければ、領域13におけるランプ8に近い側の領域に照射される光の照度は、ランプ8から遠い側の領域よりも高くなるが、領域13におけるランプ8に近い側の領域に照射される光は、遠い側の領域に照射される光よりも、より多くの割合でフィルタ10に遮られるため、フィルタ10を介して領域13におけるランプ8に近い側の領域に到達する光の照度は、ランプ8から遠い側の領域に到達する光の照度とほぼ等しくなる。この結果、領域13内において、均一に光を照射することができる。このように、本変形例によれば、1つのランプにより基板表面に照度が均一な光照射領域13を実現することができる。本変形例における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第2の実施形態と同様である。
次に、本実施形態の第3の変形例について説明する。
図9は、本変形例におけるフィルタを示す側面図である。
図9に示すように、本変形例におけるフィルタ10cにおいては、例えば石英からなる透明板10aの表面に、石英よりも透過率が低い材料からなる膜10dが形成されている。膜10dは、透明板10a上に成膜されたものであってもよく、透明板10aに貼付されたものであってもよい。膜10dの膜厚は一次元的に傾斜しており、フィルタ10cの一方の端部に近づくほど厚く、他方の端部に近づくほど薄くなっている。これにより、フィルタ10c全体の光の透過率は、一方の端部に近づくほど小さく、他方の端部に近づくほど大きくなる。そして、ランプ8から領域13までの光路のうち、その距離がより短い光路にフィルタ10cにおける透過率がより低い領域が介在し、より長い光路にフィルタ10cにおける透過率がより高い領域が介在している。本変形例における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第2の変形例と同様である。
図9は、本変形例におけるフィルタを示す側面図である。
図9に示すように、本変形例におけるフィルタ10cにおいては、例えば石英からなる透明板10aの表面に、石英よりも透過率が低い材料からなる膜10dが形成されている。膜10dは、透明板10a上に成膜されたものであってもよく、透明板10aに貼付されたものであってもよい。膜10dの膜厚は一次元的に傾斜しており、フィルタ10cの一方の端部に近づくほど厚く、他方の端部に近づくほど薄くなっている。これにより、フィルタ10c全体の光の透過率は、一方の端部に近づくほど小さく、他方の端部に近づくほど大きくなる。そして、ランプ8から領域13までの光路のうち、その距離がより短い光路にフィルタ10cにおける透過率がより低い領域が介在し、より長い光路にフィルタ10cにおける透過率がより高い領域が介在している。本変形例における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第2の変形例と同様である。
なお、前述の第2及び第3の変形例においては、フィルタの透過率が一次元的に傾斜している例を示したが、本実施形態はこれに限定されず、フィルタの透過率分布は、ランプの特性、並びに、ランプ、フィルタ及び膜の相対的な位置関係に合わせて、最適に設計されていればよい。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。
図10(a)乃至(c)及び図11(a)乃至(c)は、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法を例示する断面図である。
本実施形態は、前述の第2の実施形態に係るパターン形成装置及びパターン形成方法を、電子デバイスの製造に応用した例であり、より具体的には、基板に対するトレンチの形成に応用した例である。以下、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法を、図10(a)乃至(c)及び図11(a)乃至(c)と共に、図1、図2及び図4を参照して説明する。
図10(a)乃至(c)及び図11(a)乃至(c)は、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法を例示する断面図である。
本実施形態は、前述の第2の実施形態に係るパターン形成装置及びパターン形成方法を、電子デバイスの製造に応用した例であり、より具体的には、基板に対するトレンチの形成に応用した例である。以下、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法を、図10(a)乃至(c)及び図11(a)乃至(c)と共に、図1、図2及び図4を参照して説明する。
先ず、図10(a)に示すように、シリコン基板21の表面を熱酸化することにより、シリコン基板21上にシリコン酸化物からなるゲート絶縁膜22を形成する。次に、このシリコン基板21を前述の第2の実施形態に係るパターン形成装置1(図1参照)に装入し、塗布室2においてレジストを塗布する。これにより、ゲート絶縁膜22上にレジスト膜23を形成する。次に、搬送室3の搬送手段がシリコン基板21を搬送室3を介して予備加熱室4に搬送し、予備加熱室4内の加熱ステージ上に載置する。そして、予備加熱室4内の加熱ステージが、シリコン基板21、ゲート絶縁膜22及びレジスト膜23を、レジスト膜23のガラス転移点未満の温度まで予備加熱する。その後、搬送手段により、予備加熱されたシリコン基板21を搬送室3を介してプロセス室5に搬送し、加熱テーブル6(図2参照)上に載置する。
次に、図10(b)に示すように、ランプ8(図4参照)がレジスト膜23の一部の領域に対して光を照射して、この領域をレジスト膜23のガラス転移点以上の温度まで加熱する。そして、下面にパターン7aが形成されたモールド7を、レジスト膜23における光が照射された領域に対して当接させる。
これにより、図10(c)に示すように、レジスト膜23のうち、パターン7aの凸部7bが当接した領域はその厚さが相対的に薄くなって凹部23bとなり、パターン7aの凹部7cが当接した領域はその厚さが相対的に厚くなって凸部23cとなる。
次に、図11(a)に示すように、モールド7をレジスト膜23から離脱させる。これにより、レジスト膜23に、モールド層7のパターン7aが転写され、パターン7aを反転させたパターン23aが形成される。そして、上述のランプ8による光の照射並びにモールド7の当接及び離脱からなる転写処理を、加熱ステージ6によりシリコン基板21を移動させながら繰り返すことにより、レジスト膜23の所定の領域内に、パターン23aを形成する。その後、シリコン基板21を室温まで冷却し、パターン形成装置1から取り出す。
次に、図11(b)に示すように、レジスト膜23の全面をエッチバックする。これにより、レジスト膜23の凹部23b(図11(a)参照)が消失し、凸部23cのみが残留する。これにより、レジスト膜23がパターニングされる。
次に、図11(c)に示すように、パターニングされたレジスト膜23をマスクとして、ゲート絶縁膜22及びシリコン基板21をエッチングして、選択的に除去する。これにより、シリコン基板21にトレンチ21aが形成される。その後、レジスト膜23を除去する。
上述の如く、本実施形態によれば、フォトリソグラフィ法を用いることなく、基板上に形成されたレジスト膜をパターニングすることができる。そして、このパターニングされたレジスト膜をマスクとして使用することにより、基板に選択的にエッチング等の処理を施すことができる。また、本実施形態においては、前述の第2の実施形態に係るパターン形成装置及び方法を使用することにより、レジスト膜のパターニングを効率良く実施することができる。なお、パターニングされたレジスト膜をマスクとして基板に施すことができる処理はエッチングに限定されず、例えば、不純物の注入等であってもよい。
次に、本発明の第4の実施形態について説明する。
図12(a)乃至(c)及び図13(a)乃至(c)は、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法を例示する断面図である。
本実施形態は、前述の第2の実施形態に係るパターン形成装置及びパターン形成方法を、電子デバイスの製造に応用した例であり、より具体的には、基板上における配線の形成に応用した例である。以下、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法を、図12(a)乃至(c)及び図13(a)乃至(c)と共に、図1、図2及び図4を参照して説明する。なお、本実施形態において、前述の第3の実施形態と同様な工程については、その詳細な説明を省略する。
図12(a)乃至(c)及び図13(a)乃至(c)は、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法を例示する断面図である。
本実施形態は、前述の第2の実施形態に係るパターン形成装置及びパターン形成方法を、電子デバイスの製造に応用した例であり、より具体的には、基板上における配線の形成に応用した例である。以下、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法を、図12(a)乃至(c)及び図13(a)乃至(c)と共に、図1、図2及び図4を参照して説明する。なお、本実施形態において、前述の第3の実施形態と同様な工程については、その詳細な説明を省略する。
先ず、図12(a)に示すように、シリコン基板21上にシリコン酸化物からなるゲート絶縁膜22を形成し、その上に例えばアルミニウム(Al)等の導電材料からなる導電膜24を形成する。次に、このシリコン基板21を前述の第2の実施形態に係るパターン形成装置1(図1参照)に装入し、塗布室2においてレジストを塗布する。これにより、導電膜24上にレジスト膜23を形成する。次に、シリコン基板21を予備加熱室4に搬送し、予備加熱室4内の加熱ステージが、シリコン基板21をレジスト膜23のガラス転移点未満の温度まで予備加熱する。その後、予備加熱されたシリコン基板21をプロセス室5に搬送し、加熱テーブル6(図2参照)上に載置する。
次に、図12(b)及び(c)並びに図13(a)及び(b)に示すように、前述の第3の実施形態と同様な方法により、レジスト膜23にモールド7を繰り返し当接させて、レジスト膜23にパターン23aを形成し、その後、パターン形成装置1の外部においてエッチバックすることにより、レジスト膜23をパターニングする。
次に、図13(c)に示すように、パターニングされたレジスト膜23をマスクとして、導電膜24をエッチングして、選択的に除去する。これにより、ゲート絶縁膜22上に配線24aが形成される。その後、レジスト膜23を除去する。
上述の如く、本実施形態によれば、フォトリソグラフィ法を用いることなく、基板上に形成されたレジスト膜をパターニングすることができる。そして、このパターニングされたレジスト膜をマスクとして使用することにより、基板上に形成された膜に対して選択的にエッチング等の処理を施すことができる。また、本実施形態においては、前述の第2の実施形態に係るパターン形成装置及び方法を使用することにより、レジスト膜のパターニングの生産性を向上させることができる。なお、パターニングされたレジスト膜をマスクとして施すことができる処理はエッチングに限定されず、例えば、基板上に形成された半導体層に対して、不純物の注入を行うこともできる。
なお、上述の第3及び第4の実施形態においては、レジスト膜23にパターン23aを形成した後、エッチバックして凹部23bを除去してから、エッチングを行う例を示したが、凹部23bのエッチバックと、それに続く基板又は膜のエッチングとを、同じエッチング条件で続けて行ってもよい。
また、上述の第3及び第4の実施形態においては、パターン形成装置として第2の実施形態に係るパターン形成装置を使用する例を示したが、本発明はこれに限定されず、第1の実施形態に係るパターン形成装置を使用してもよく、又は、第2の実施形態の第1乃至第3の変形例に係るパターン形成装置を使用してもよい。
更に、上述の第1並びに第2の実施形態及びその変形例に係るパターン形成装置及びパターン形成方法は、第3及び第4の実施形態に示すような電子デバイスの製造だけでなく、例えば、磁気記録媒体等のメディアの微細構造の製造、フレネルレンズ及び回折格子等の光学素子の製造、マイクロ流路等のMEMS(Micro Electro Mechanical System:微小電子機械システム)の製造、並びにバイオチップの製造等、複数の領域に同一のパターンが形成された構造体の製造に好適に適用することができる。
1 パターン転写装置、2 塗布室、3 搬送室、4 予備加熱室、5 プロセス室、6 加熱ステージ、7 モールド、7a パターン、7b 凸部、7c 凹部、8 ランプ、9 マスク、10 フィルタ、10a 透明板、10b ドットパターン、10c フィルタ、10d 膜、11 基板、12 膜、13 領域、14 仮想的な直線、21 シリコン基板、21a トレンチ、22 ゲート絶縁膜、23 レジスト膜、23a パターン、23b 凹部、23c 凸部、24 導電膜、24a 配線
Claims (16)
- 基板上に形成された膜を前記膜の軟化点未満の温度に予備加熱する工程と、
前記膜の一部の領域を前記軟化点以上の温度に加熱すると共に、パターンが形成されたモールドを前記領域の少なくとも一部に押しつけて、前記膜の前記一部に前記パターンを転写する工程と、
を備えたことを特徴とするパターン転写方法。 - 前記転写する工程において、前記領域に対して光を照射することにより、前記領域を前記軟化点以上の温度に加熱することを特徴とする請求項1記載のパターン転写方法。
- 前記光を、前記領域のみに照射されるように整形することを特徴とする請求項2記載のパターン転写方法。
- 前記光の照射は、前記領域に相互に異なる複数の方向から光を照射することによって行うことを特徴とする請求項2または3に記載のパターン転写方法。
- 前記光の照射は、光源から前記領域までの光路にその光透過率が傾斜したフィルタを介して行い、前記光路のうち相対的に短い光路に前記フィルタにおける光透過率が相対的に低い領域を介在させ、前記光路のうち相対的に長い光路に前記フィルタにおける光透過率が相対的に高い領域を介在させることを特徴とする請求項2または3に記載のパターン転写方法。
- 基板上に形成された膜を前記膜の軟化点未満の温度に予備加熱する予備加熱部と、
前記膜の一部の領域を前記軟化点以上の温度に加熱すると共に、パターンが形成されたモールドを前記領域の少なくとも一部に押しつけて、前記膜の前記一部に前記パターンを転写するプロセス部と、
を備えたことを特徴とするパターン転写装置。 - 前記プロセス部は、前記領域に対して光を照射することにより、前記領域を前記軟化点以上の温度に加熱する光源を有することを特徴とする請求項6記載のパターン転写装置。
- 前記プロセス部は、前記光を前記領域のみに照射されるように整形するマスクを有することを特徴とする請求項7記載のパターン転写装置。
- 前記プロセス部は、前記領域に対して前記光源とは異なる方向から光を照射する他の光源を有することを特徴とする請求項7または8に記載のパターン転写装置。
- 前記プロセス部は、前記光源から前記領域までの光路に介在しその光透過率が傾斜したフィルタを有し、前記光路のうち相対的に短い光路に前記フィルタにおける光透過率が相対的に低い領域が介在し、前記光路のうち相対的に長い光路に前記フィルタにおける光透過率が相対的に高い領域が介在することを特徴とする請求項7または8に記載のパターン転写装置。
- 基板上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をこのレジスト膜の軟化点未満の温度に予備加熱する工程と、
前記レジスト膜の一部の領域を前記軟化点以上の温度に加熱すると共に、パターンが形成されたモールドを前記領域の少なくとも一部に押しつけて、前記レジスト膜の前記一部に前記パターンを転写する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記基板に対して処理を施す工程と、
を備えたことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 基板上に膜を形成する工程と、
前記膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をこのレジスト膜の軟化点未満の温度に予備加熱する工程と、
前記レジスト膜の一部の領域を前記軟化点以上の温度に加熱すると共に、パターンが形成されたモールドを前記領域の少なくとも一部に押しつけて、前記レジスト膜の前記一部に前記パターンを転写する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記膜に対して処理を施す工程と、
を備えたことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 - 前記転写する工程において、前記領域に対して光を照射することにより、前記領域を前記軟化点以上の温度に加熱することを特徴とする請求項11または12に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記光を、前記領域のみに照射されるように整形することを特徴とする請求項11〜13のいずれか1つに記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記光の照射は、前記領域に相互に異なる複数の方向から光を照射することによって行うことを特徴とする請求項13または14に記載の電子デバイスの製造方法。
- 前記光の照射は、光源から前記領域までの光路にその光透過率が傾斜したフィルタを介して行い、前記光路のうち相対的に短い光路に前記フィルタにおける光透過率が相対的に低い領域を介在させ、前記光路のうち相対的に長い光路に前記フィルタにおける光透過率が相対的に高い領域を介在させることを特徴とする請求項13または14に記載の電子デバイスの製造方法。
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