JP5971561B2 - パターン形成方法およびパターン形成装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、パターン形成方法およびパターン形成装置に関する。

半導体装置の微細化及び高集積化に伴い、フォトリソグラフィ装置の高精度化が要求されている。しかし、数１０ナノメートル以下の微細加工を実現するにあたっては、フォトリソグラフィ技術では解像度限界が生じている。このため、次世代の微細加工の１つとして、ウェーハプロセスではナノインプリント技術が導入されつつある。

ナノインプリント技術でも、フォトリソグラフィ技術と同様に簡易かつ低コストのパターニング技術が求められている。

特開２０１１−０１８７２２号公報

本発明が解決しようとする課題は、簡易且つ低コストのパターン形成方法およびパターン形成装置を提供することである。

実施形態のパターン形成方法は、パターン形成面にレジスト層を形成し、凹凸が設けられたテンプレートを前記レジスト層の上から押し付けて前記パターン形成面の上にレジストパターンを形成するパターン形成方法である。実施形態のパターン形成方法は、前記パターン形成面の面積よりも面積が小さい第１領域と、前記パターン形成面の前記第１領域以外の第２領域と、にレジスト層を形成するとともに、前記第１領域に前記レジスト層の硬化を抑制する薬液を供給するステップと、前記レジスト層に対してテンプレートを押し付けるステップと、前記テンプレートを介して前記レジスト層に光を照射し、前記第１領域には硬化が抑制された前記レジスト層を形成し、前記第２領域には硬化が進行した前記レジスト層を含む前記レジストパターンを形成するステップと、前記第１領域から前記硬化が抑制された前記レジスト層を除去するステップと、を備える。

図１は、第１実施形態に係るパターン形成方法のフローを表す図である。 図２（ａ）〜図２（ｄ）は、第１実施形態に係るパターン形成方法を表す断面模式図である。 図３（ａ）〜図３（ｃ）は、第１実施形態に係るパターン形成方法を表す断面模式図である。 図４は、第１実施形態に係るパターン形成方法を表す平面模式図である。 図５は、第１実施形態に係るパターン形成装置を表すブロック図である。 図６は、参考例に係るパターン形成方法を表す平面模式図である。 図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第２実施形態に係るパターン形成方法を表す断面模式図である。 図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第３実施形態に係るパターン形成方法を表す断面模式図である。 図９（ａ）〜図９（ｂ）は、第３実施形態に係るパターン形成方法を表す断面模式図である。 図１０は、第３実施形態に係るパターン形成装置を表すブロック図である。 図１１は、第４実施形態に係るパターン形成方法を表す断面模式図である。

以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係るパターン形成方法のフローを表す図である。
第１実施形態に係るパターン形成方法は、パターン形成面にレジスト層を形成し、凹凸が設けられたテンプレートをレジスト層の上から押し付けてパターン形成面の上にレジストパターンを形成するパターン形成方法である。

第１実施形態に係るパターン形成方法では、まず、パターン形成面の面積よりも面積が小さい第１領域と、第１領域以外の前記第２領域と、にレジスト層が形成される（ステップＳ１００）。ここで、第１領域が半導体ウェーハ基板の周辺部である場合には、第１領域の面積は、第２領域の面積よりも小さい。

次に、レジスト層に対してテンプレートが押し付けられる（ステップＳ２００）。
次に、テンプレートを介してレジスト層に光が照射され、第１領域には硬化が抑制されたレジスト層が形成され、第２領域には硬化が進行したレジスト層を含むレジストパターンが形成される（ステップＳ３００）。
次に、第１領域から硬化が抑制されたレジスト層が除去される（ステップＳ４００）。

第１実施形態に係るパターン形成方法の具体的な方法について説明する。
図２（ａ）〜図３（ｃ）は、第１実施形態に係るパターン形成方法を表す断面模式図である。

図２（ａ）に表されるように、半導体ウェーハ１０のパターン形成面１００は、第１領域１０１と第２領域１０２とを有している。第１領域１０１は、例えば、半導体ウェーハ１０の周辺部である。半導体ウェーハ１０の径が８インチ以上である場合、断面図における第１領域１０１の幅は、２ｍｍ〜３ｍｍである。この周辺部は、素子、配線、絶縁膜等が形成されない未使用領域である。第２領域は、素子、配線、絶縁膜等が形成される領域である。第２領域には、ウェーハプロセスにおいて微細加工が施されるためにナノインプリントが実施される。半導体ウェーハ１０は、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ_２）等のガス雰囲気下に存在している。

まず、図２（ａ）に表されるように、第１領域１０１に薬液２０が供給される。薬液２０は、レジスト層の硬化を抑制する薬液である。薬液２０は、例えば、塗布法によって第１領域１０１に供給される。具体的な供給手法としては、インクジェットを用いた選択塗布方法、半導体ウェーハ１０の周辺部を選択的に薬液で塗布するノズル塗布法等である。

薬液２０は、レジストのラジカル重合を抑制するラジカル重合禁止剤を含む。薬液２０は、例えば、光が照射されるとモノマーに発生したラジカルによって重合禁止剤に含まれる水素が引き抜かれて、重合禁止剤は安定ラジカルを形成して、モノマーの重合を停止させる。薬液２０は、例えば、ヒドロキノン、メチルヒドロキノン、ベンゾキノン、２,２,６,６−テトラメチルピペリジン−１−オキシ、２,２−ジフェニル−１−ピクリルヒドラジル、４−メトキシフェノール、フェノチアジン等とその溶液である。

次に、図２（ｂ）に表されるように、第１領域１０１と、第２領域１０２と、にレジスト層３０が形成される。第１領域１０１においては、薬液２０がレジスト層３０によって覆われる。あるいは、第１領域１０１において、薬液２０の一部がレジスト層３０のなかに浸透する。

レジスト層３０は、例えば、ネガ型レジストである。すなわち、レジスト層３０は、光が照射されると、架橋反応を起こし、有機溶剤等のシンナーに対しての溶解性が低下する。レジスト層３０においては、光が照射された部分の硬化（固化）が進行する。但し、レジスト層３０は、酸素が存在するとラジカル重合が阻害されて、光が照射されても、その硬化が抑制される。レジスト層３０は、例えば、アクリレート基、メタクリレート基、ビニル基、アリル基を含むモノマーが重合したもので構成されている。

次に、図２（ｃ）に表されるように、レジスト層３０に対してテンプレート４０が押し付けられる。これにより、テンプレート４０の凹凸がレジスト層３０に転写される。

次に、図２（ｄ）に表されるように、テンプレート４０を介してレジスト層３０に光５０が照射される。光５０は、例えば、ＵＶ（Ultra Violet）光である。光５０はテンプレート４０の上に設置された光源５１から放射される。

上述したように、レジスト層３０はネガ型レジストを有する。このため、レジスト層３０に光５０を照射すると、光が照射された部分のレジスト層３０の硬化が進行する。第１実施形態では、テンプレート４０と光源５１との間に、光５０を選択的に遮蔽するマスクを設けていない。第１実施形態では、テンプレート４０のほぼ全域に光５０が照射される。硬化が進行した後のレジスト層をレジスト層３０ｓとする。

但し、第１領域においては、光５０が照射されると薬液２０の作用によってレジスト３０の重合を阻害させる反応がおきる。このため、第１領域のレジスト層３０においてはレジスト層３０のラジカル重合が阻害されて、レジスト層の硬化が抑制される。すなわち、第１領域１０１には硬化が抑制されたレジスト層３０が形成され、第２領域１０２には硬化が進行したレジスト層３０ｓを含むレジストパターンが形成される。

次に、図３（ａ）に表されるように、テンプレート４０がパターン形成面１００から取り除かれる。

次に、図３（ｂ）に表されるように、ノズル６１から有機溶剤６０が流出されて、有機溶剤６０がパターン形成面１００に供給される。有機溶剤６０は、第１領域１０１のレジスト層３０に優先的に供給してもよい。

有機溶剤６０は、例えば、シクロヘキサノン等の環状炭化水素、トルエン等の芳香族化合物、酢酸エステル、アルコール等を含む。硬化が進行したレジスト層３０ｓは、有機溶剤６０に対して難溶性を示し、硬化が抑制されたレジスト層３０は、有機溶剤６０に対して可溶性を示す。

その結果、図３（ｃ）に表されるように、第１領域１０１から硬化が抑制されたレジスト層３０が選択的に除去される。また、第２領域１０２には、レジスト層３０ｓが残存する。

図４は、第１実施形態に係るパターン形成方法を表す平面模式図である。
図４には、図３（ｃ）の状態をレジスト層３０ｓの上から見た状態が表されている。また、図４のＡ−Ａ’線の位置での断面が図３（ｃ）に対応している。半導体ウェーハ１０の周辺部（未使用領域）は、パターン形成面１００の第１領域１０１に対応している。

図４に表されるように、パターン形成面１００の第２領域１０２には、パターニングされたレジスト層３０ｓが形成されている。また、パターン形成面１００の第１領域１０１からはレジスト層３０が取り除かれている。このような流れによって、レジストパターンが形成される。

なお、第１実施形態に係るレジストパターニングは、図４で表されるパターン形成面１００に限らず、パターン形成面１００以外の半導体ウェーハ１０の表面において実施されてもよい。すなわち、パターン形成面１００は、１つとは限らず、図示されたパターン形成面１００以外の半導体ウェーハ１０の表面を別途、パターン形成面としてもよい。第１実施形態では、一例として、パターン形成面１００を１つ例示しているに過ぎない。

図５は、第１実施形態に係るパターン形成装置を表すブロック図である。
パターン形成装置２００Ａは、パターン形成面１００にレジスト層３０を形成し、凹凸が設けられたテンプレート４０をレジスト層３０の上から押し付けてパターン形成面１００の上にレジストパターンを形成するパターン形成装置である。

パターン形成装置２００Ａは、レジスト層形成手段２０１（第１手段）、テンプレート押し付け手段２０２（第２手段）、レジストパターン形成手段２０３（第３手段）、およびレジスト除去手段２０４（第４手段）と、を備える。

レジスト層形成手段２０１は、半導体ウェーハ１０のパターン形成面１００の面積よりも面積が小さい第１領域１０１と、パターン形成面１００の第１領域１０１以外の第２領域１０２と、にレジスト層３０を形成することができる。

テンプレート押し付け手段２０２は、レジスト層３０に対してテンプレート４０を押し付けることができる。

レジストパターン形成手段２０３は、テンプレート４０を介してレジスト層３０に光を照射し、第１領域１０１には硬化が抑制されたレジスト層３０を形成し、第２領域１０２には硬化が進行したレジスト層３０ｓを含むレジストパターンを形成することができる。

レジスト除去手段２０４は、第１領域１０１から硬化が抑制されたレジスト層３０を除去することができる。

レジスト層形成手段２０１は、薬液供給手段２０１ａを有する。薬液供給手段２０１ａは、レジスト層３０に対してテンプレート４０を押し付ける前に、第１領域１０１にレジスト層３０の硬化を抑制する薬液２０を供給することができる。薬液供給手段２０１ａは、例えば、薬液２０を塗布法によって第１領域１０１に供給する手段である。

半導体ウェーハ１０の周辺部にレジストパターンを形成しない方法として、次に例示する方法がある。

図６は、参考例に係るパターン形成方法を表す平面模式図である。
図６（ａ）〜図６（ｃ）には、半導体ウェーハ１０の四分の一が表されている。

例えば、図６（ａ）には、半導体ウェーハ１０の内部領域用のテンプレート４５と、半導体ウェーハ１０の周辺部用のテンプレート４６と、それぞれ使い分ける方法が例示されている。

しかし、この方法では、テンプレート４５のほか、テンプレート４６を準備する必要がある。テンプレート４６は、ナノインプリント用の凹凸パターンのほか、第１領域１０１のパターンを有する専用のテンプレートである。このため、この方法では、コスト上昇を招来してしまう。

また、図６（ｂ）には、半導体ウェーハ１０の周辺部以外の領域に、レジストドロップ法によって、複数のレジストドロップ３５を形成する方法が例示されている。

しかし、パターン形成面の全域において、複数のレジストドロップ３５のそれぞれの位置を正確に制御することは難しい。従って、この方法では、形成条件の最適化に長い時間を要する。また、制御用のプログラムも複雑になる。さらに、低コスト化も困難になる。

また、図６（ｃ）には、第１領域１０１に形成されたレジスト層を光硬化せずに、第１領域１０１に形成されたレジスト層３０をテンプレート４７のなかに吸収する方法が例示されている。しかし、この場合も、半導体ウェーハ１０の周辺部用の専用のテンプレート４７を準備する必要があり、コスト上昇を招来してしまう。

また、図示はしていないが、第１領域１０１に選択的に光を照射しない方法もある。しかし、この方法では、第１領域１０１に光を到達させない専用のマスクが必要になる。このため、コスト上昇を招来する。

これに対し、第１実施形態では、半導体ウェーハ１０の周辺部用の専用のテンプレートを要しない。半導体ウェーハ１０の内部領域用のテンプレートをそのまま半導体ウェーハ１０の周辺部用のテンプレートに転用できる。

ナノインプリントの後においては、半導体ウェーハ１０の周辺部にレジスト層３０を残存させないことが望ましい。これは、半導体ウェーハ１０の周辺部に残ったレジスト層３０がナノインプリントの後工程において発塵の要因になるためである。

第１実施形態では、ナノインプリントを施しても、半導体ウェーハ１０の周辺部から確実にレジスト層３０が除去され、半導体ウェーハ１０の周辺部にレジスト層３０がはみ出すことがない。これにより、レジスト層による発塵が防止される。

また、第１実施形態では、レジストドロップ法ほどの複雑な制御技術を要しない。また、第１領域１０１に光を到達させない専用のマスク部材も不要になる。

このように、第１実施形態によれば、ナノインプリントにおいて、パターン形成条件の簡略化、パターン形成の時間の短縮化、パターン形成の低コスト化が実現する。

（第２実施形態）
図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第２実施形態に係るパターン形成方法を表す断面模式図である。

まず、図７（ａ）に表されるように、第１領域１０１にレジストドロップ法によって、レジストドロップ３５が滴下される。レジストドロップ法とは、液滴状の微小なレジストをパターン形成面に滴下する方法である。レジストドロップ３５は液滴状の微小なレジストである。レジストドロップ３５の成分は、レジスト層３０と同じである。

さらに、第２領域１０２にレジスト層３０が形成される。図７（ａ）には、第２領域１０２に、レジスト層３０のほか、レジストドロップ３５が滴下された状態が例示されている。第２領域１０２にはレジストドロップ３５を滴下せず、レジスト層３０のみを形成してもよい。

次に、図７（ｂ）に表されるように、第１領域１０１に設けたレジストドロップ３５の上に、液滴状で微小な薬液２１が滴下される。薬液２１を滴下する手法は、レジストドロップ法と同じである。薬液２１の成分は、薬液２０の成分と同じである。すなわち、第２実施形態では、液滴状で微小な薬液２１を滴下することによって薬液２０と同じ成分の薬液２１が第１領域１０１に供給される。薬液２１の一部は、所定の時間経過によってレジストドロップ３５のなかに浸透する場合もある。

次に、図７（ｃ）に表されるように、レジスト層３０およびレジストドロップ３５に対してテンプレート４０が押し付けられる。これにより、テンプレート４０の凹凸がレジスト層３０およびレジストドロップ３５に転写される。テンプレート４０が押し付けられた後、テンプレート４０と半導体ウェーハ１０との間では、レジスト層３０とレジストドロップ３５とが混ざり合ってレジスト層３０が形成される。

この後は、第１実施形態と同様に、テンプレート４０を介してレジスト層３０に光５０が照射される。さらに、テンプレート４０が取り除かれて、第１領域１０１に設けられた未硬化のレジスト層３０が選択的に除去される。

また、第２実施形態に係るパターン形成装置２００Ａの基本構造は、第１実施形態に係るパターン形成装置２００Ａと同じである。但し、第２実施形態に係るパターン形成装置２００Ａの薬液供給手段２０１ａは、例えば、液滴状の薬液２１を滴下することによって、薬液２１を第１領域１０１に供給する手段である。

第２実施形態においても、第１実施形態と同じ効果が得られる。また、第２実施形態では、第１領域１０１にレジストドロップ法によって供給しているため、図７（ｃ）に表す段階において、テンプレート４０と半導体ウェーハ１０との間からのレジストのはみ出しがより抑制される。

また、図７（ａ）〜図７（ｂ）では、レジストドロップ３５の上に、薬液２１を滴下する手順が例示されたが、このほか、予め薬液２１を第１領域に滴下し、薬液２１の上にレジストドロップ３５を滴下してもよい。

（第３実施形態）
図８（ａ）〜図９（ｂ）は、第３実施形態に係るパターン形成方法を表す断面模式図である。

まず、図８（ａ）に表されるように、第１領域１０１および第２領域１０２にレジスト層３０が形成される。

次に、図８（ｂ）に表されるように、レジスト層３０に対してテンプレート４１が押し付けられる。これにより、テンプレート４１の凹凸がレジスト層３０に転写される。ここで、テンプレート４１は、気体透過型のテンプレートである。テンプレート４１は、例えば、ポーラスな材料を含む。テンプレート４１においては、テンプレート４１の凹凸面と、この凹凸面の反対側の面との間でガスが通過する。

次に、図８（ｃ）に表されるように、パイプ７０を第１領域１０１の上方に設置する。続いて、パイプ７０を通じてテンプレート４１の側に酸素含有ガスを噴出する。また、テンプレート４１を介してレジスト層３０に光５０が照射される。

上述したように、レジスト層３０はネガ型レジストを有する。このため、レジスト層３０に光５０を照射すると、光が照射された部分のレジスト層３０の硬化が進行する。但し、レジスト層３０に光５０が照射されている間には、第１領域１０１に形成されたレジスト層３０にテンプレート４１を介して酸素含有ガスが供給される。

このため、第１領域のレジスト層３０においてはレジスト層３０のラジカル重合が阻害されて、レジスト層の硬化が抑制される。すなわち、第１領域１０１には硬化が抑制されたレジスト層３０が形成される。第２領域１０２には硬化が進行したレジスト層３０ｓを含むレジストパターンが形成される。この状態を、図９（ａ）に表す。

図９（ａ）に表されるように、第２領域１０２には、硬化が進行したレジスト層３０ｓが形成される。第１領域１０１のレジスト層は、硬化が抑制されたレジスト層３０のままである。

次に、図９（ｂ）に表されるように、テンプレート４１が取り除かれる。この後、第１領域１０１に形成されたレジスト層３０が選択的に除去される。また、第２領域１０２には、レジスト層３０ｓが残存する。

図１０は、第３実施形態に係るパターン形成装置を表すブロック図である。
パターン形成装置２００Ｂの基本構造は、パターン形成装置２００Ａの基本構造と同じである。パターン形成装置２００Ｂは、レジスト層形成手段２０１（第１手段）、テンプレート押し付け手段２０２（第２手段）、レジストパターン形成手段２０３（第３手段）、およびレジスト除去手段２０４（第４手段）と、を備える。

レジストパターン形成手段２０３は、酸素含有ガス供給手段２０３ａを有する。酸素含有ガス供給手段２０３ａは、酸素含有ガスをテンプレート４１を介してレジスト層３０に供給する手段である。酸素含有ガス供給手段２０３ａは、レジスト層３０に光５０を照射している間に、第１領域１０１に形成されたレジスト層３０に酸素含有ガスを供給することができる。第３実施形態においても、第１実施形態と同じ効果が得られる。

（第４実施形態）
図１１は、第４実施形態に係るパターン形成方法を表す断面模式図である。

酸素含有ガスを第１領域１０１に供給する方法は、第３実施形態の方法に限らない。第４実施形態においては、図１１に表すように、酸素含有ガスがテンプレート４０とレジスト層３０の間を介してレジスト層３０に供給される。テンプレート４０は、上述したテンプレート４１に置き換えてもよい。

例えば、パイプ７０がテンプレート４０の側面の横に設置される。このパイプ７０を通じてテンプレート４０の横側に酸素含有ガスを噴出する。酸素含有ガスは、テンプレート４０とレジスト層３０との間に入り込み、第１領域１０１のレジスト層３０にまで供給される。

第４実施形態に係るパターン形成装置２００Ｂの基本構造は、第３実施形態に係るパターン形成装置２００Ｂの基本構造と同じである。酸素含有ガス供給手段２０３ａは、酸素含有ガスをテンプレート４０とレジスト層３０との間を介してレジスト層３０に供給する手段である。第４実施形態においても、第１実施形態と同じ効果が得られる。

以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、実施形態の特徴を備えている限り、実施形態の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。

また、「部位Ａは部位Ｂの上に設けられている」という場合の「の上に」とは、部位Ａが部位Ｂに接触して、部位Ａが部位Ｂの上に設けられている場合と、部位Ａが部位Ｂに接触せず、部位Ａが部位Ｂの上方に設けられている場合との意味で用いられている。

また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも実施形態の特徴を含む限り実施形態の範囲に包含される。その他、実施形態の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても実施形態の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０ 半導体ウェーハ
２０、２１ 薬液
３０、３０ｓ レジスト層
３５ レジストドロップ
４０、４１、４５、４６、４７ テンプレート
５０ 光
５１ 光源
６０ 有機溶剤
６１ ノズル
７０ パイプ
１００ パターン形成面
１０１ 第１領域
１０２ 第２領域
２００Ａ、２００Ｂ パターン形成装置
２０１ レジスト層形成手段
２０１ａ 薬液供給手段
２０２ テンプレート押し付け手段
２０３ レジストパターン形成手段
２０３ａ 酸素含有ガス供給手段
２０４ レジスト除去手段

Claims (6)

1. パターン形成面にレジスト層を形成し、凹凸が設けられたテンプレートを前記レジスト層の上から押し付けて前記パターン形成面の上にレジストパターンを形成するパターン形成方法であって、
   前記パターン形成面の面積よりも面積が小さい第１領域と、前記パターン形成面の前記第１領域以外の第２領域と、にレジスト層を形成するとともに、前記第１領域に前記レジスト層の硬化を抑制する薬液を供給するステップと、
   前記レジスト層に対してテンプレートを押し付けるステップと、
   前記テンプレートを介して前記レジスト層に光を照射し、前記第１領域には硬化が抑制された前記レジスト層を形成し、前記第２領域には硬化が進行した前記レジスト層を含む前記レジストパターンを形成するステップと、
   前記第１領域から前記硬化が抑制された前記レジスト層を除去するステップと、
   を備えたパターン形成方法。
2. 液滴状の前記薬液を滴下することによって前記薬液を前記第１領域に供給する請求項１記載のパターン形成方法。
3. 前記レジスト層に前記光を照射している間に、前記第１領域に形成された前記レジスト層に酸素含有ガスを供給する請求項１記載のパターン形成方法。
4. パターン形成面にレジスト層を形成し、凹凸が設けられたテンプレートを前記レジスト層の上から押し付けて前記パターン形成面の上にレジストパターンを形成するパターン形成装置であって、
   前記パターン形成面の面積よりも面積が小さい第１領域と、前記パターン形成面の前記第１領域以外の第２領域と、にレジスト層を形成する第１手段と、
   前記レジスト層に対してテンプレートを押し付ける第２手段と、
   前記テンプレートを介して前記レジスト層に光を照射し、前記第１領域には硬化が抑制された前記レジスト層を形成し、前記第２領域には硬化が進行した前記レジスト層を含む前記レジストパターンを形成する第３手段と、
   前記第１領域から前記硬化が抑制された前記レジスト層を除去する第４手段と、
   を備え、
   前記第１手段は、前記レジスト層に対して前記テンプレートを押し付ける前に、前記第１領域に前記レジスト層の硬化を抑制する薬液を供給する手段を有するパターン形成装置。
5. 前記薬液を供給する手段は、液滴状の前記薬液を滴下することによって前記薬液を前記第１領域に供給する請求項４記載のパターン形成装置。
6. 前記第３手段は、前記レジスト層に前記光を照射している間に、前記第１領域に形成された前記レジスト層に酸素含有ガスを供給する手段を有する請求項４記載のパターン形成装置。

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