JP2010103464A5 - - Google Patents

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Claims (20)

  1. 第1の領域および第2の領域を含む被加工基板上に光硬化性樹脂を塗布すること
    前記光硬化性樹脂にインプリント用モールドを接触させること
    前記インプリント用モールドを介して前記光硬化性樹脂に光を照射することにより、前記光硬化性樹脂を硬化すること
    少なくとも前記第1の領域を含む前記被加工基板の領域上に塗布された前記光硬化性樹脂に所定の処理を加えることによりガスを発生させること、前記第1の領域に塗布された前記光硬化性樹脂から発生する前記ガスの発生量は、前記第2の領域に塗布された前記光硬化性樹脂から発生する前記ガスの発生量よりも多いこと、および
    前記ガスの発生後、前記光硬化性樹脂から前記インプリント用モールドを離し、前記被加工基板上にパターンを形成することを含む特徴とするインプリント方法。
  2. 前記第1の領域は前記第2の領域よりも密度が高いパターンが形成される領域であることを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
  3. 前記第1の領域は前記第2の領域よりもサイズが大きいパターンが形成される領域であることを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
  4. 前記第1の領域は前記第2の領域に比べて、前記光硬化性樹脂から前記インプリント用モールドを離すために要する力が大きい領域であることを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
  5. 前記所定の処理によりガスを発生する光硬化性樹脂は、光照射量、加熱量および圧力のいずれかに応じてガスの発生量が変化する第1の光硬化性樹脂であり、
    前記被加工基板上に前記光硬化性樹脂を塗布することにおいて、前記第1および第2の領域上に前記第1の光硬化性樹脂を塗布し、および
    前記ガスを発生させるための前記所定の処理は、
    前記第1および第2の領域上の前記第1の光硬化性樹脂それぞれに対して、異なる照射量で光を照射すること
    前記第1および第2の領域上の前記第1の光硬化性樹脂それぞれに対して、異なる照射量で異なる熱量で加熱すること、および、
    前記第1および第2の領域上の前記第1の光硬化性樹脂それぞれに対して、異なる照射量で異なる圧力を加えることのいずれかを含むことを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
  6. 前記光硬化性樹脂を塗布することは、
    前記第1の領域上に光照射、加熱および減圧のいずれかの処理によりガスを発生する光硬化性樹脂を塗布すること、前記第2の領域上に光照射、加熱および減圧のいずれの処理によってもガスを発生しない光硬化性樹脂を塗布することを含み、
    前記ガスを発生させることは、前記第1の領域上の前記光硬化性樹脂に光照射、加熱および減圧のいずれかの処理を施すことによりガスを発生することを含むことを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
  7. 前記光硬化性樹脂は、SCAP構造を有することを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
  8. 前記インプリント用モールド上に設けられた光触媒層をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
  9. 前記パターンを形成することは、前記光硬化性樹脂から前記インプリント用モールドを離した後に、前記被加工基板上に残った前記光硬化性樹脂をマスクにして前記被加工基板をエッチングすることを含むことを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
  10. 前記ガスを発生させた後に、前記光硬化性樹脂と前記被加工基板との間の密着力を評価することをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
  11. 前記光硬化性樹脂は、ナフトキノンジアジド化合物を含む光硬化性樹脂であることを特徴する請求項1に記載のインプリント方法。
  12. 前記光硬化性樹脂は、ナフトキノンジアジド化合物を含まない第1の光硬化性樹脂と、前記第1の光硬化性樹脂上に形成されたナフトキノンジアジド化合物を含む第2の光硬化性樹脂とを具備することを特徴とすることを特徴する請求項1に記載のインプリント方法。
  13. 前記光硬化性樹脂から前記インプリント用モールドを離すことは、 前記光硬化性樹脂および前記インプリント用モールドを冷やしてから行われることを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
  14. 前記インプリント用モールド上に設けられた半透明膜をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
  15. 前記インプリント用モールド上に設けられ、光が照射されるとガスを発生する膜をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
  16. 前記インプリント用モールド上に設けられ、前記光の位相および透過率の少なくとも一方を調整する膜をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
  17. 前記インプリント用モールドは、氷またはドライアイスを具備することを特徴とする請求項1に記載のインプリント方法。
  18. 前記光硬化性樹脂中にはガスが溶融されていることを特徴する請求項1にインプリント方法。
  19. 前記光硬化性樹脂中に溶融された前記ガスは、空気、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、ネオンまたはアルゴンであることを特徴する請求項18にインプリント方法。
  20. 前記パターンは、光素子を構成するパターン、半導体デバイスを構成するパターンまたはDNAチップを構成するパターンであることを特徴する請求項1にインプリント方法。
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