JP7077178B2 - パターン形成方法 - Google Patents

Description

本発明は、パターン形成方法、半導体素子の製造方法、電子機器の製造方法並びに光学部品の製造方法に関する。

半導体デバイスやＭＥＭＳ等を製造するために用いられる微細加工技術のうち、光ナノインプリント技術が注目されている。
光ナノインプリント技術において用いられるパターン形成方法は、基板上に液状のレジストを滴下する積層工程（１）と、レジストが滴下された基板にモールドを接触させる型接触工程（２）と、モールドを接触させた基板に照射光を照射する光照射工程（３）と、基板からモールドを引き離す離型工程（４）とを含む。

このとき、積層工程（１）の完了から型接触工程（２）の開始までに、滴下されたレジストの液滴が基板上に広がる、いわゆるプレスプレッドと呼ばれる現象が起こる。
基板上のモールドが接触する領域が複数有る場合には、複数の領域に対して積層工程（１）を順次行い、その間にレジストをプレスプレッドさせることによって、型接触工程（２）での基板とモールドとの間隙におけるレジストのスプレッドの所要時間を短縮することができる。
特許文献１は、基板上の複数の領域に順次ポリマー材料を分配した後、複数の領域に分配されたポリマー材料にモールドを順次接触させるパターン形成方法を開示している。

特表２００９－５３２９０６号公報

Ｓ．Ｒｅｄｄｙ，Ｒ．Ｔ．Ｂｏｎｎｅｃａｚｅ／Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，８２（２００５）６０－７０ Ｎ．Ｉｍａｉｓｈｉ／Ｉｎｔ． Ｊ． Ｍｉｃｒｏｇｒａｖｉｔｙ Ｓｃｉ．Ｎｏ．３１ Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ ２０１４ （Ｓ５－Ｓ１２）

半導体デバイスやＭＥＭＳ等の大量生産においては、製造するために用いられる微細加工技術の更なる高スループット化が望まれている。
そこで本発明は、更なる高スループット化を達成したパターン形成方法を提供することを目的とする。

本発明に係るパターン形成方法は、基板上の複数のショット領域群に含まれる複数のショット領域にパターンを形成する方法であって、基板上の或るショット領域群に含まれる複数のショット領域に対して、少なくとも重合性化合物である成分（ａ１）を含む硬化性組成物（Ａ１）の液滴を離散的に滴下して積層する積層工程を実施するステップと、（ｍ_ｍａｘ－ｍ）×Ｔｄの時間（ここで、Ｔｄは１つのショット領域に対して積層工程を実施する時間、ｍは或るショット領域群に含まれるショット領域の数、ｍ_ｍａｘは各ショット領域群に含まれるショット領域の数の最大値）だけ待機工程を実施するステップと、複数のショット領域に対して積層工程を実施した順に、硬化性組成物（Ａ１）とモールドとを接触させる型接触工程と、モールドの側から光を照射することにより硬化性組成物（Ａ１）を硬化させる光照射工程と、硬化性組成物（Ａ１）の硬化物からモールドを引き離す離型工程とから構成されるインプリント工程を実施するステップと、を各ショット領域群に対してこの順序で行い、時間Ｔｄと１つのショット領域に対してインプリント工程を実施する時間Ｔｉとは互いに等しく、少なくとも一つのショット領域群に含まれるショット領域の数は、他の少なくとも一つのショット領域群に含まれるショット領域の数とは異なり、待機工程では、積層工程及びインプリント工程は実施されないことを特徴とする。

本発明によれば、更なる高スループット化を達成したパターン形成方法を提供することができる。

本実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示した模式断面図。 従来のパターン形成方法の各工程を示した模式断面図。 従来のパターン形成方法の各工程を示した模式図。 第一実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示した模式図。 第二実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示した模式図。 本実施形態に係るパターン形成方法において用いられる基板上のショット領域の配置図。 第一実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示した模式図。 第一実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示した模式図。 第一実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示した模式図。 第二実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示した模式図。 第二実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示した模式図。 第二実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示した模式図。 第二実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示した模式図。 第二実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示した模式図。 第二実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示した模式図。 第二実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示した模式図。 インプリント工程（Ｉｍ）の所要時間とインターバル時間との関係を示したグラフ。 実施例１において用いられる基板上のショット領域の配置図。 実施例２において用いられる基板上のショット領域の配置図。 実施例３において用いられる基板上のショット領域の配置図。

以下に、本実施形態に係るパターン形成方法を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に示す図面は、本実施形態を容易に理解できるようにするために、実際とは異なる縮尺で描かれている。

まず、本実施形態に係るパターン形成方法において用いられる硬化性組成物（Ａ１）について説明する。

［硬化性組成物（Ａ１）］
本実施形態に係る硬化性組成物（Ａ１）は、少なくとも重合性化合物である成分（ａ１）を有する化合物である。本実施形態に係る硬化性組成物（Ａ１）はさらに、光重合開始剤である成分（ｂ１）、非重合性化合物である成分（ｃ１）、溶剤である成分（ｄ１）を含有してもよい。

また、本明細書において硬化膜とは、基板上で硬化性組成物（Ａ１）を重合させて硬化させた膜を意味する。なお、硬化膜の形状は特に限定されず、表面にパターン形状を有していてもよい。

以下、各成分について、詳細に説明する。
＜成分（ａ１）：重合性化合物＞
本明細書において重合性化合物である成分（ａ１）は、光重合開始剤である成分（ｂ１）から発生した重合因子（ラジカル等）と反応し、連鎖反応（重合反応）によって高分子化合物からなる膜を形成する化合物である。

このような重合性化合物としては、例えば、ラジカル重合性化合物が挙げられる。重合性化合物である成分（ａ１）は、一種類の重合性化合物のみから構成されていてもよく、複数種類の重合性化合物で構成されていてもよい。

ラジカル重合性化合物としては、アクリロイル基またはメタクリロイル基を１つ以上有する化合物、すなわち、（メタ）アクリル化合物であることが好ましい。従って、本実施形態に係る硬化性組成物（Ａ１）は、成分（ａ１）として（メタ）アクリル化合物を含むことが好ましく、成分（ａ１）の主成分が（メタ）アクリル化合物であることがより好ましい。そして、成分（ａ１）が（メタ）アクリル化合物からなることが最も好ましい。なお、ここで記載する成分（ａ１）の主成分が（メタ）アクリル化合物であるとは、成分（ａ１）の９０重量％以上が（メタ）アクリル化合物であることを示す。

ラジカル重合性化合物が、アクリロイル基またはメタクリロイル基を１つ以上有する複数種類の化合物で構成される場合には、単官能（メタ）アクリルモノマーと多官能（メタ）アクリルモノマーを含むことが好ましい。これは、単官能（メタ）アクリルモノマーと多官能（メタ）アクリルモノマーとを組み合わせることで、機械的強度が強い硬化膜が得られるからである。

アクリロイル基またはメタクリロイル基を１つ有する単官能（メタ）アクリル化合物としては、例えば、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシ－２－メチルエチル（メタ）アクリレート、フェノキシエトキシエチル（メタ）アクリレート、３－フェノキシ－２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、４－フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、３－（２－フェニルフェニル）－２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ｐ－クミルフェニル（メタ）アクリレート、２－ブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，４－ジブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，４，６－トリブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ＥＯ変性フェノキシ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性フェノキシ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、１－アダマンチル（メタ）アクリレート、２－メチル－２－アダマンチル（メタ）アクリレート、２－エチル－２－アダマンチル（メタ）アクリレート、ボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、４－ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、アクリロイルモルホリン、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、アミル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、へキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、エトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、メトキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ジアセトン（メタ）アクリルアミド、イソブトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、ｔ－オクチル（メタ）アクリルアミド、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、７－アミノ－３，７－ジメチルオクチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ－ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド等が挙げられるが、これらに限定されない。

上記単官能（メタ）アクリル化合物の市販品としては、アロニックス（登録商標）Ｍ１０１、Ｍ１０２、Ｍ１１０、Ｍ１１１、Ｍ１１３、Ｍ１１７、Ｍ５７００、ＴＯ－１３１７、Ｍ１２０、Ｍ１５０、Ｍ１５６（以上、東亞合成製）、ＭＥＤＯＬ１０、ＭＩＢＤＯＬ１０、ＣＨＤＯＬ１０、ＭＭＤＯＬ３０、ＭＥＤＯＬ３０、ＭＩＢＤＯＬ３０、ＣＨＤＯＬ３０、ＬＡ、ＩＢＸＡ、２－ＭＴＡ、ＨＰＡ、ビスコート＃１５０、＃１５５、＃１５８、＃１９０、＃１９２、＃１９３、＃２２０、＃２０００、＃２１００、＃２１５０（以上、大阪有機化学工業製）、ライトアクリレートＢＯ－Ａ、ＥＣ－Ａ、ＤＭＰ－Ａ、ＴＨＦ－Ａ、ＨＯＰ－Ａ、ＨＯＡ－ＭＰＥ、ＨＯＡ－ＭＰＬ、ＰＯ－Ａ、Ｐ－２００Ａ、ＮＰ－４ＥＡ、ＮＰ－８ＥＡ、エポキシエステルＭ－６００Ａ（以上、共栄社化学製）、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＴＣ１１０Ｓ、Ｒ－５６４、Ｒ－１２８Ｈ（以上、日本化薬製）、ＮＫエステルＡＭＰ－１０Ｇ、ＡＭＰ－２０Ｇ（以上、新中村化学工業製）、ＦＡ－５１１Ａ、５１２Ａ、５１３Ａ（以上、日立化成製）、ＰＨＥ、ＣＥＡ、ＰＨＥ－２、ＰＨＥ－４、ＢＲ－３１、ＢＲ－３１Ｍ、ＢＲ－３２（以上、第一工業製薬製）、ＶＰ（ＢＡＳＦ製）、ＡＣＭＯ、ＤＭＡＡ、ＤＭＡＰＡＡ（以上、興人製）等が挙げられるが、これらに限定されない。

また、アクリロイル基またはメタクリロイル基を２つ以上有する多官能（メタ）アクリル化合物としては、例えば、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ，ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－へキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，９－ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０－デカンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３－アダマンタンジメタノールジ（メタ）アクリレート、トリス（２－ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、トリス（アクリロイルオキシ）イソシアヌレート、ビス（ヒドロキシメチル）トリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性２，２－ビス（４－（（メタ）アクリロキシ）フェニル）プロパン、ＰＯ変性２，２－ビス（４－（（メタ）アクリロキシ）フェニル）プロパン、ＥＯ，ＰＯ変性２，２－ビス（４－（（メタ）アクリロキシ）フェニル）プロパン等が挙げられるが、これらに限定されない。

上記多官能（メタ）アクリル化合物の市販品としては、ユピマー（登録商標）ＵＶ ＳＡ１００２、ＳＡ２００７（以上、三菱化学製）、ビスコート＃１９５、＃２３０、＃２１５、＃２６０、＃３３５ＨＰ、＃２９５、＃３００、＃３６０、＃７００、ＧＰＴ、３ＰＡ（以上、大阪有機化学工業製）、ライトアクリレート４ＥＧ－Ａ、９ＥＧ－Ａ、ＮＰ－Ａ、ＤＣＰ－Ａ、ＢＰ－４ＥＡ、ＢＰ－４ＰＡ、ＴＭＰ－Ａ、ＰＥ－３Ａ、ＰＥ－４Ａ、ＤＰＥ－６Ａ（以上、共栄社化学製）、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標）ＰＥＴ－３０、ＴＭＰＴＡ、Ｒ－６０４、ＤＰＨＡ、ＤＰＣＡ－２０、－３０、－６０、－１２０、ＨＸ－６２０、Ｄ－３１０、Ｄ－３３０（以上、日本化薬製）、アロニックス（登録商標）Ｍ２０８、Ｍ２１０、Ｍ２１５、Ｍ２２０、Ｍ２４０、Ｍ３０５、Ｍ３０９、Ｍ３１０、Ｍ３１５、Ｍ３２５、Ｍ４００（以上、東亞合成製）、リポキシ（登録商標）ＶＲ－７７、ＶＲ－６０、ＶＲ－９０（以上、昭和高分子製）等が挙げられるが、これらに限定されない。

なお、上記の化合物群において、（メタ）アクリレートとは、アクリレートまたはそれと同等のアルコール残基を有するメタクリレートを意味する。（メタ）アクリロイル基とは、アクリロイル基またはそれと同等のアルコール残基を有するメタクリロイル基を意味する。ＥＯは、エチレンオキサイドを示し、ＥＯ変性化合物Ａとは、化合物Ａの（メタ）アクリル酸残基とアルコール残基とがエチレンオキサイド基のオリゴマーまたはポリマーからなるブロック構造を介して結合している化合物を示す。また、ＰＯは、プロピレンオキサイドを示し、ＰＯ変性化合物Ｂとは、化合物Ｂの（メタ）アクリル酸残基とアルコール残基とがプロピレンオキサイド基のオリゴマーまたはポリマーからなるブロック構造を介して結合している化合物を示す。

重合性化合物である成分（ａ１）の硬化性組成物（Ａ１）における配合割合を、成分（ａ１）、成分（ｂ１）、成分（ｃ１）の合計重量に対して５０重量％以上とすることにより、得られる硬化膜をある程度の機械的強度を有する硬化膜とすることができる。

＜成分（ｂ１）：光重合開始剤＞
本明細書において光重合開始剤である成分（ｂ１）は、所定の波長の光を感知して上記重合因子（ラジカル）を発生させる化合物である。具体的には、光重合開始剤は、光（赤外線、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線等の荷電粒子線等、放射線）によりラジカルを発生する重合開始剤（ラジカル発生剤）である。成分（ｂ１）は、一種類の光重合開始剤で構成されていてもよく、複数種類の光重合開始剤で構成されていてもよい。

ラジカル発生剤としては、例えば、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２－（ｏ－フルオロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－またはｐ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体等の置換基を有してもよい２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体；ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’－テトラメチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ’－テトラエチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン、４－メトキシ－４’－ジメチルアミノベンゾフェノン、４－クロロベンゾフェノン、４，４’－ジメトキシベンゾフェノン、４，４’－ジアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン誘導体；２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノン－１、２－メチル－１－〔４－（メチルチオ）フェニル〕－２－モルフォリノ－プロパン－１－オン等のα―アミノ芳香族ケトン誘導体；２－エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２－ｔ－ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２－ベンズアントラキノン、２，３－ベンズアントラキノン、２－フェニルアントラキノン、２，３－ジフェニルアントラキノン、１－クロロアントラキノン、２－メチルアントラキノン、１，４－ナフトキノン、９，１０－フェナンタラキノン、２－メチル－１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルアントラキノン等のキノン類；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル誘導体；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン、プロピルベンゾイン等のベンゾイン誘導体；ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体；９－フェニルアクリジン、１，７－ビス（９，９’－アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体；Ｎ－フェニルグリシン等のＮ－フェニルグリシン誘導体；アセトフェノン、３－メチルアセトフェノン、アセトフェノンベンジルケタール、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２－ジメトキシ－２－フェニルアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体；チオキサントン、ジエチルチオキサントン、２－イソプロピルチオキサントン、２－クロロチオキサントン等のチオキサントン誘導体；２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキサイド、ビス－（２，６－ジメトキシベンゾイル）－２，４，４－トリメチルペンチルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド誘導体；１，２－オクタンジオン，１－［４－（フェニルチオ）－，２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）］、エタノン，１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－，１－（Ｏ－アセチルオキシム）等のオキシムエステル誘導体；キサントン、フルオレノン、ベンズアルデヒド、フルオレン、アントラキノン、トリフェニルアミン、カルバゾール、１－（４－イソプロピルフェニル）－２－ヒドロキシ－２－メチルプロパン－１－オン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン等が挙げられるが、これらに限定されない。

上記ラジカル発生剤の市販品として、Ｉｒｇａｃｕｒｅ １８４、３６９、６５１、５００、８１９、９０７、７８４、２９５９、ＣＧＩ－１７００、－１７５０、－１８５０、ＣＧ２４－６１、Ｄａｒｏｃｕｒ １１１６、１１７３、Ｌｕｃｉｒｉｎ（登録商標）ＴＰＯ、ＬＲ８８９３、ＬＲ８９７０（以上、ＢＡＳＦ製）、ユベクリルＰ３６（ＵＣＢ製）等が挙げられるが、これらに限定されない。

これらの中でも、成分（ｂ１）は、アシルホスフィンオキサイド系重合開始剤であることが好ましい。なお、上記の例のうち、アシルホスフィンオキサイド系重合開始剤は、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，６－ジメトキシベンゾイル）－２，４，４－トリメチルペンチルホスフィンオキサイドなどのアシルホスフィンオキサイド化合物である。

光重合開始剤である成分（ｂ１）の硬化性組成物（Ａ１）における配合割合は、成分（ａ１）、成分（ｂ１）、成分（ｃ１）の合計重量、すなわち溶剤である成分（ｄ１）を除く全成分の合計重量に対して、０．１重量％以上５０重量％以下であるとよい。また、好ましくは、０．１重量％以上２０重量％以下であり、さらに好ましくは１０重量％より大きく２０重量％以下である。

硬化性組成物（Ａ１）における成分（ｂ１）の配合割合を成分（ａ１）、成分（ｂ１）、成分（ｃ１）の合計重量に対して０．１重量％以上とすることにより、硬化性組成物（Ａ１）の硬化速度が速くなり、反応効率を良くすることができる。また、成分（ｂ１）の配合割合を成分（ａ１）、成分（ｂ１）、成分（ｃ１）の合計重量に対して５０重量％以下とすることにより、得られる硬化膜をある程度の機械的強度を有する硬化膜とすることができる。

＜成分（ｃ１）：非重合性化合物＞
本実施形態に係る硬化性組成物（Ａ１）は、前述した、成分（ａ１）、成分（ｂ１）の他に、種々の目的に応じ、本実施形態の効果を損なわない範囲で、さらに非重合性化合物である成分（ｃ１）を含有することができる。このような成分（ｃ１）としては、（メタ）アクリロイル基などの重合性官能基を有さず、かつ、所定の波長の光を感知して重合因子（ラジカル）を発生させる能力を有さない化合物が挙げられる。例えば、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分、その他添加剤等が挙げられる。成分（ｃ１）として上記化合物を複数種類含有してもよい。

増感剤は、重合反応促進や反応転化率の向上を目的として、適宜添加される化合物である。増感剤としては、例えば、増感色素等が挙げられる。増感色素は、特定の波長の光を吸収することにより励起され、光重合開始剤である成分（ｂ１）と相互作用する化合物である。なお、ここで記載する相互作用とは、励起状態の増感色素から光重合開始剤である成分（ｂ１）へのエネルギー移動や電子移動等である。

増感色素の具体例としては、アントラセン誘導体、アントラキノン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、カルバゾール誘導体、ベンゾフェノン誘導体、チオキサントン誘導体、キサントン誘導体、クマリン誘導体、フェノチアジン誘導体、カンファキノン誘導体、アクリジン系色素、チオピリリウム塩系色素、メロシアニン系色素、キノリン系色素、スチリルキノリン系色素、ケトクマリン系色素、チオキサンテン系色素、キサンテン系色素、オキソノール系色素、シアニン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム塩系色素等が挙げられるが、これらに限定されない。
増感剤は、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を混合して用いてもよい。

水素供与体は、光重合開始剤である成分（ｂ１）から発生した開始ラジカルや、重合成長末端のラジカルと反応し、より反応性が高いラジカルを発生する化合物である。光重合開始剤である成分（ｂ１）が光ラジカル発生剤である場合に添加することが好ましい。

このような水素供与体の具体例としては、ｎ－ブチルアミン、ジ－ｎ－ブチルアミン、アリルチオ尿素、トリエチルアミン、トリエチレンテトラミン、４，４’－ビス（ジアルキルアミノ）ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ペンチル－４－ジメチルアミノベンゾエート、トリエタノールアミン、Ｎ－フェニルグリシンなどのアミン化合物、２－メルカプト－Ｎ－フェニルベンゾイミダゾール、メルカプトプロピオン酸エステル等のメルカプト化合物、ｓ－ベンジルイソチウロニウム－ｐ－トルエンスルフィネート等の硫黄化合物、トリ－ｎ－ブチルホスフィン等のリン化合物等が挙げられるが、これらに限定されない。

水素供与体は、一種類を単独で用いてもよいし二種類以上を混合して用いてもよい。また、水素供与体は、増感剤としての機能を有してもよい。

モールドと硬化性組成物（Ａ１）の硬化物との間の界面結合力の低減、すなわち後述する離型工程（４）における離型力の低減を目的として、硬化性組成物（Ａ１）に内添型離型剤を添加することができる。本明細書において内添型とは、硬化性組成物（Ａ１）の配置工程の前に予め硬化性組成物（Ａ１）に添加されていることを意味する。

内添型離型剤としては、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤及び炭化水素系界面活性剤等の界面活性剤等を使用できる。なお、本実施形態において内添型離型剤は、重合性を有さないものとする。

フッ素系界面活性剤としては、パーフルオロアルキル基を有するアルコールのポリアルキレンオキサイド（ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド等）付加物、パーフルオロポリエーテルのポリアルキレンオキサイド（ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド等）付加物等が含まれる。なお、フッ素系界面活性剤は、分子構造の一部（例えば、末端基）に、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキル基、アミノ基、チオール基等を有してもよい。

フッ素系界面活性剤としては、市販品を使用してもよい。市販品としては、例えば、メガファック（登録商標）Ｆ－４４４、ＴＦ－２０６６、ＴＦ－２０６７、ＴＦ－２０６８（以上、ＤＩＣ製）、フロラード ＦＣ－４３０、ＦＣ－４３１（以上、住友スリーエム製）、サーフロン（登録商標）Ｓ－３８２（ＡＧＣ製）、ＥＦＴＯＰ ＥＦ－１２２Ａ、１２２Ｂ、１２２Ｃ、ＥＦ－１２１、ＥＦ－１２６、ＥＦ－１２７、ＭＦ－１００（以上、トーケムプロダクツ製）、ＰＦ－６３６、ＰＦ－６３２０、ＰＦ－６５６、ＰＦ－６５２０（以上、ＯＭＮＯＶＡ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ製）、ユニダイン（登録商標）ＤＳ－４０１、ＤＳ－４０３、ＤＳ－４５１（以上、ダイキン工業製）、フタージェント（登録商標）２５０、２５１、２２２Ｆ、２０８Ｇ（以上、ネオス製）等が挙げられる。

また、内添型離型剤は、炭化水素系界面活性剤でもよい。炭化水素系界面活性剤としては、炭素数１～５０のアルキルアルコールに炭素数２～４のアルキレンオキサイドを付加した、アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物等が含まれる。

アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物としては、メチルアルコールポリエチレンオキサイド付加物、デシルアルコールポリエチレンオキサイド付加物、ラウリルアルコールポリエチレンオキサイド付加物、セチルアルコールポリエチレンオキサイド付加物、ステアリルアルコールポリエチレンオキサイド付加物、ステアリルアルコールポリエチレンオキサイド／ポリプロピレンオキサイド付加物等が挙げられる。なお、アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物の末端基は、単純にアルキルアルコールにポリアルキレンオキサイドを付加して製造できるヒドロキシル基に限定されない。このヒドロキシル基が他の置換基、例えば、カルボキシル基、アミノ基、ピリジル基、チオール基、シラノール基等の極性官能基やアルキル基、アルコキシ基等の疎水性官能基に変換されていてもよい。

アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物は、市販品を使用してもよい。市販品としては、例えば、青木油脂工業製のポリオキシエチレンメチルエーテル（メチルアルコールポリエチレンオキサイド付加物）（ＢＬＡＵＮＯＮ ＭＰ－４００、ＭＰ－５５０、ＭＰ－１０００）、青木油脂工業製のポリオキシエチレンデシルエーテル（デシルアルコールポリエチレンオキサイド付加物）（ＦＩＮＥＳＵＲＦ Ｄ－１３０３、Ｄ－１３０５、Ｄ－１３０７、Ｄ－１３１０）、青木油脂工業製のポリオキシエチレンラウリルエーテル（ラウリルアルコールポリエチレンオキサイド付加物）（ＢＬＡＵＮＯＮ ＥＬ－１５０５）、青木油脂工業製のポリオキシエチレンセチルエーテル（セチルアルコールポリエチレンオキサイド付加物）（ＢＬＡＵＮＯＮ ＣＨ－３０５、ＣＨ－３１０）、青木油脂工業製のポリオキシエチレンステアリルエーテル（ステアリルアルコールポリエチレンオキサイド付加物）（ＢＬＡＵＮＯＮ ＳＲ－７０５、ＳＲ－７０７、ＳＲ－７１５、ＳＲ－７２０、ＳＲ－７３０、ＳＲ－７５０）、青木油脂工業製のランダム重合型ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンステアリルエーテル（ＢＬＡＵＮＯＮ ＳＡ－５０／５０ １０００Ｒ、ＳＡ－３０／７０ ２０００Ｒ）、ＢＡＳＦ製のポリオキシエチレンメチルエーテル（Ｐｌｕｒｉｏｌ（登録商標）Ａ７６０Ｅ）、花王製のポリオキシエチレンアルキルエーテル（エマルゲンシリーズ）等が挙げられる。

これらの炭化水素系界面活性剤の中でも内添型離型剤としては、アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物であることが好ましく、長鎖アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物であることがより好ましい。内添型離型剤は、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を混合して用いてもよい。

非重合性化合物である成分（ｃ１）の硬化性組成物（Ａ１）における配合割合は、成分（ａ１）、成分（ｂ１）、成分（ｃ１）の合計重量、すなわち成分（ｄ１）を除く硬化性組成物（Ａ１）の成分の合計重量に対して、０重量％以上５０重量％以下であるとよい。また、好ましくは、０．１重量％以上５０重量％以下であり、さらに好ましくは０．１重量％以上２０重量％以下である。成分（ｃ１）の配合割合を成分（ａ１）、成分（ｂ１）、成分（ｃ１）の合計重量に対して５０重量％以下とすることにより、得られる硬化膜をある程度の機械的強度を有する硬化膜とすることができる。

＜成分（ｄ１）：溶剤＞
本実施形態に係る硬化性組成物（Ａ１）は、溶剤である成分（ｄ１）を含有していてもよい。成分（ｄ１）としては、成分（ａ１）、成分（ｂ１）、成分（ｃ１）が溶解する溶剤であれば、特に限定はされない。好ましい溶剤としては常圧における沸点が８０℃以上２００℃以下の溶剤である。さらに好ましくは、エステル構造、ケトン構造、水酸基、エーテル構造のいずれかを少なくとも１つ有する溶剤である。具体的には、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、２－ヘプタノン、γ－ブチロラクトン、乳酸エチルから選ばれる単独、あるいはこれらの混合溶剤である。

＜硬化性組成物（Ａ１）の配合時の温度＞
本実施形態に係る硬化性組成物（Ａ１）を調製する際には、各成分を所定の温度条件下で混合、溶解させる。具体的には、０℃以上１００℃以下の範囲で行う。

＜硬化性組成物（Ａ１）の粘度＞
本実施形態に係る硬化性組成物（Ａ１）は液体であることが好ましい。なぜならば、後述する型接触工程（２）において、硬化性組成物（Ａ１）のスプレッド及びフィルが速やかに完了する、つまり充填時間が短いからである。

本実施形態に係る硬化性組成物（Ａ１）の溶剤である成分（ｄ１）を除く成分の組成物の２５℃での粘度は、１ｍＰａ・ｓ以上４０ｍＰａ・ｓ未満であることが好ましい。また、より好ましくは、１ｍＰａ・ｓ以上２０ｍＰａ・ｓ未満である。硬化性組成物（Ａ１）の粘度が４０ｍＰａ・ｓ以上であると、所望のパターンの粗密に合わせ液滴を離散的に配置することにより残膜厚を均一にし、高精度パターンを形成することができるインクジェット方式による塗布ができなくなる。また、粘度が１ｍＰａ・ｓより低いと、硬化性組成物（Ａ１）を塗布（配置）したときに流れることにより塗りムラが発生したり、後述する接触工程において、モールド端部から組成物が流れ出したりする場合があり、好ましくない。

＜硬化性組成物（Ａ１）の表面張力＞
本実施形態に係る硬化性組成物（Ａ１）の表面張力は、溶剤（成分（ｄ１））を除く成分の組成物について２３℃での表面張力が、５ｍＮ／ｍ以上７０ｍＮ／ｍ以下であることが好ましい。また、より好ましくは、７ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下であり、さらに好ましくは、１０ｍＮ／ｍ以上４０ｍＮ／ｍ以下である。ここで、表面張力が高いほど、例えば５ｍＮ／ｍ以上であると、毛細管力が強く働くため、硬化性組成物（Ａ１）をモールドに接触させた際に、充填（スプレッド及びフィル）が短時間で完了する（非特許文献１）。また、表面張力を７０ｍＮ／ｍ以下とすることにより、硬化性組成物を硬化して得られる硬化膜が表面平滑性を有する硬化膜となる。

＜硬化性組成物（Ａ１）の接触角＞
本実施形態に係る硬化性組成物（Ａ１）の接触角は、溶剤である成分（ｄ１）を除く成分の組成物について、基板表面及びモールド表面の双方に対して０°以上９０°以下であることが好ましい。接触角が９０°より大きいと、モールドパターンの内部や基板－モールドの間隙において毛細管力が負の方向（モールドと硬化性組成物（Ａ１）間の接触界面を収縮させる方向）に働き、充填しない。また、０°以上３０°以下であることが特に好ましい。接触角が低いほど毛細管力が強く働くため、充填速度が速い（非特許文献１）。

＜硬化性組成物（Ａ１）の揮発性＞
本実施形態に係る硬化性組成物（Ａ１）は、溶剤である成分（ｄ１）を除く成分の組成物の揮発性が低いことが好ましい。本実施形態において、硬化性組成物（Ａ１）は、積層工程（１）にて基板上に滴下された後、型接触工程（２）においてモールドと接触されるまでの間に、後述するように、所定のインターバルが設けられることを特徴とする。そのインターバル中は、雰囲気気体中に暴露される。インターバル中に硬化性組成物（Ａ１）の溶剤である成分（ｄ１）を除く成分の組成物が揮発する場合があるため、揮発による体積減少率が１０％以下となるような組成とすることが好ましい。好ましくは、積層工程（１）で、硬化性組成物（Ａ１）の液滴が離散的に滴下されて積層された後、１０秒後の硬化性組成物（Ａ１）の溶剤である成分（ｄ１）を除く成分の組成物の重量減少率が１０％以下である。体積減少率が１０％より大きいと、パターン高さや残膜厚が所望の値より小さいというパターン精度の不具合、あるいは組成変動に伴って所望の物性値が得られないなどの不具合を生じる。具体的には、硬化性組成物（Ａ１）の溶剤である成分（ｄ１）を除く成分の組成物の２０℃における蒸気圧が０．５ｋＰａ以下であることが好ましく、０．２ｋＰａ以下がさらに好ましく、０．１ｋＰａ以下が特に好ましい。

＜硬化性組成物（Ａ１）に混入している不純物＞
本実施形態に係る硬化性組成物（Ａ１）は、できる限り不純物を含まないことが好ましい。ここで記載する不純物とは、前述した成分（ａ１）、成分（ｂ１）、成分（ｃ１）及び成分（ｄ１）以外のものを意味する。

従って、本実施形態に係る硬化性組成物（Ａ１）は、精製工程を経て得られたものであることが好ましい。このような精製工程としては、フィルタを用いた濾過等が好ましい。フィルタを用いた濾過を行う際には、具体的には、前述した成分（ａ１）、成分（ｂ１）及び必要に応じて添加する添加成分を混合した後、例えば、孔径０．００１μｍ以上５．０μｍ以下のフィルタで濾過することが好ましい。フィルタを用いた濾過を行う際には、多段階で行ったり、多数回繰り返したりすることがさらに好ましい。また、濾過した液を再度濾過してもよい。孔径の異なるフィルタを複数用いて濾過してもよい。濾過に使用するフィルタとしては、ポリエチレン樹脂製、ポリプロピレン樹脂製、フッ素樹脂製、ナイロン樹脂製等のフィルタを使用することができるが、特に限定されるものではない。

このような精製工程を経ることで、硬化性組成物（Ａ１）に混入したパーティクル等の不純物を取り除くことができる。これにより、パーティクル等の不純物によって、硬化性組成物（Ａ１）を硬化した後に得られる硬化膜に不用意に凹凸が生じてパターンの欠陥が発生することを防止することができる。

なお、本実施形態に係る硬化性組成物（Ａ１）を、半導体集積回路を製造するために使用する場合、製品の動作を阻害しないようにするため、硬化性組成物（Ａ１）中に金属原子を含有する不純物（金属不純物）が混入することを極力避けることが好ましい。このような場合、硬化性組成物（Ａ１）に含まれる金属不純物の濃度としては、１０ｐｐｍ以下が好ましく、１００ｐｐｂ以下にすることがさらに好ましい。

［パターン形成方法］
次に、本実施形態に係るパターン形成方法の各工程について、図１の模式断面図を用いて説明する。

本実施形態に係るパターン形状を有する硬化膜の製造方法によって得られる硬化膜は、１ｎｍ以上１０ｍｍ以下のサイズのパターンを有する膜であることが好ましい。また、１０ｎｍ以上１００μｍ以下のサイズのパターンを有する膜であることがより好ましい。なお、一般に、光を利用してナノサイズ（１ｎｍ以上１００ｎｍ以下）のパターン（凹凸構造）を有する膜を作製するパターン形成技術は、光ナノインプリント法と呼ばれている。本実施形態に係るパターン形成方法は、光ナノインプリント法を利用している。以下、各工程について説明する。

＜積層工程（１）＞
積層工程（１）では、図１（ａ）に示すように、硬化性組成物（Ａ１）１０２の液滴を、基板１０１上に離散的に滴下して配置する。配置方法としてはインクジェット法が特に好ましい。硬化性組成物（Ａ１）１０２の液滴は、モールド１０４上に凹部が密に存在する領域に対向する基板上には密に、凹部が疎に存在する領域に対向する基板上には疎に配置される。
滴下された硬化性組成物（Ａ１）１０２の液滴は、液滴の拡がる方向を示す矢印１０３で示すように、基板１０１上に広がる。この現象をプレスプレッドと呼ぶ。
このことにより、後述する残膜１０７を、モールド１０４上のパターンの疎密によらずに均一な厚さに制御することができる。

硬化性組成物（Ａ１）１０２を配置する対象である基板１０１は、被加工基板であり、通常、シリコンウエハが用いられる。基板１０１上には、被加工層が形成されていてもよい。基板１０１及び被加工層の間にさらに他の層が形成されていてもよい。また、基板１０１として石英基板を用いれば、石英インプリントモールドのレプリカ（石英モールドレプリカ）を作製することができる。

ただし、基板１０１はシリコンウエハや石英基板に限定されるものではない。基板１０１は、アルミニウム、チタン－タングステン合金、アルミニウム－ケイ素合金、アルミニウム－銅－ケイ素合金、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の半導体デバイス用基板として知られているものの中からも任意に選択することができる。

なお、使用される基板１０１（被加工基板）あるいは被加工層の表面は、シランカップリング処理、シラザン処理、有機薄膜の成膜等の表面処理によって硬化性組成物（Ａ１）１０２との密着性が向上されていてもよい。

＜型接触工程（２）＞
次に、図１（ｂ）に示すように、積層工程（１）で配置された硬化性組成物（Ａ１）１０２にパターン形状を転写するための原型パターンを有するモールド１０４を接触させる。これにより、硬化性組成物（Ａ１）１０２の液滴が基板１０１とモールド１０４の間隙の全域へ拡がる（スプレッド）。そして毛細管現象により、液滴の拡がる方向を示す矢印１０３で示すように、モールド１０４が表面に有する微細パターンの凹部に硬化性組成物（Ａ１）１０２が充填（フィル）されて、モールド１０４の微細パターンに充填（フィル）された液膜となる（図１（ｂ）の拡大部）。
ここで、モールド１０４と硬化性組成物（Ａ１）１０２が接触してからスプレッドとフィルが完了するまでの時間を充填時間と呼ぶ。

モールド１０４としては、次の光照射工程（３）を考慮して光透過性の材料で構成されたモールド１０４を用いるとよい。モールド１０４を構成する材料の材質としては、具体的には、ガラス、石英、ＰＭＭＡ、ポリカーボネート樹脂等の光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサン等の柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が好ましい。ただし、モールド１０４を構成する材料の材質として光透明性樹脂を使用する場合は、硬化性組成物（Ａ１）１０２に含まれる成分に溶解しない樹脂を選択する必要がある。熱膨張係数が小さくパターン歪みが小さいことから、モールド１０４を構成する材料の材質は、石英であることが特に好ましい。

モールド１０４が表面に有する微細パターンは、４ｎｍ以上２００ｎｍ以下のパターン高さを有することが好ましい。パターン高さが低いほど、後述の離型工程（４）においてモールド１０４を硬化性組成物（Ａ１）１０２の光硬化膜１０６から引き剥がす力、すなわち離型力を低減することができ、また、離型に伴ってパターン形状を有する硬化膜１０６がひきちぎられてマスク側に残存する離型欠陥数が少なくなる。モールド１０４を引き剥がす際の衝撃によるパターン形状を有する硬化膜１０６の弾性変形で隣接するパターン形状を有する硬化膜１０６同士が接触し、パターン形状を有する硬化膜１０６が癒着あるいは破損する場合があるが、パターン幅に対してパターン高さが２倍程度以下（アスペクト比２以下）であると、それらの不具合を回避できる可能性が高い。一方、パターン高さが低過ぎると、被加工基板の加工精度が低くなる。

モールド１０４には、次の光照射工程（３）で光硬化した硬化性組成物（Ａ１）１０２とモールド１０４の表面との後の離型工程（４）における剥離性を向上させるために、硬化性組成物（Ａ１）１０２とモールド１０４との型接触工程（２）である本工程の前に表面処理を行っておいてもよい。表面処理の方法としては、モールド１０４の表面に離型剤を塗布して離型剤層を形成する方法が挙げられる。ここで、モールド１０４の表面に塗布する離型剤としては、シリコーン系離型剤、フッ素系離型剤、炭化水素系離型剤、ポリエチレン系離型剤、ポリプロピレン系離型剤、パラフィン系離型剤、モンタン系離型剤、カルナバ系離型剤等が挙げられる。例えば、ダイキン工業（株）製のオプツール（登録商標）ＤＳＸ等の市販の塗布型離型剤も好適に用いることができる。なお、離型剤は、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用して用いてもよい。これらの中でも、フッ素系及び炭化水素系の離型剤が特に好ましい。

型接触工程（２）において、図１（ｂ）に示すように、モールド１０４と硬化性組成物（Ａ１）１０２とを接触させる際に、硬化性組成物（Ａ１）１０２に加える圧力の大きさは特に限定はされない。該圧力は０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下とするとよい。また、該圧力は０ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であることが好ましく、０ＭＰａ以上３０ＭＰａ以下であることがより好ましく、０ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。

型接触工程（２）において、モールド１０４と硬化性組成物（Ａ１）１０２を接触させる時間は、特に限定はされないが、例えば０．１秒以上６００秒以下とすると良い。また、該時間は０．１秒以上３秒以下であることが好ましく、０．１秒以上１秒以下であることが特に好ましい。０．１秒より短いと、スプレッド及びフィルが不十分となり、未充填欠陥と呼ばれる欠陥が多発する傾向がある。

型接触工程（２）は、大気雰囲気下、減圧雰囲気下、不活性ガス雰囲気下のいずれの条件下でも行うことができるが、酸素や水分による硬化反応への影響を防ぐことができるため、減圧雰囲気や雰囲気制御気体として不活性ガスを使用し不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。不活性ガス雰囲気下で本工程を行う場合に使用することができる不活性ガスの具体例としては、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン、各種フロンガス等、あるいはこれらの混合ガスが挙げられる。大気雰囲気下を含めて特定のガスの雰囲気下で本工程を行う場合、好ましい圧力は、０．０００１気圧以上１０気圧以下である。

型接触工程（２）は、雰囲気制御気体として凝縮性ガスを使用して凝縮性ガスを含む雰囲気（以下、「凝縮性ガス雰囲気」と称する）下で行ってもよい。本明細書において凝縮性ガスとは、モールド１０４上に形成された微細パターンの凹部、及びモールド１０４と基板１０１との間隙に、硬化性組成物（Ａ１）１０２と一緒に雰囲気中のガスが充填されたとき、充填時に発生する毛細管圧力で凝縮して液化するガスのことを指す。なお凝縮性ガスは、型接触工程（２）で硬化性組成物（Ａ１）１０２とモールド１０４とが接触する前（図１（ａ））では雰囲気中に気体として存在する。

凝縮性ガス雰囲気下で型接触工程（２）を行うと、微細パターンの凹部に充填されたガスが硬化性組成物（Ａ１）１０２により発生する毛細管圧力により液化することで気泡が消滅するため、充填性が優れる。凝縮性ガスは、硬化性組成物（Ａ１）１０２に溶解してもよい。

凝縮性ガスの沸点は、型接触工程（２）の雰囲気温度以下であれば限定はされないが、－１０℃～２３℃が好ましく、さらに好ましくは１０℃～２３℃である。この範囲であれば、充填性がさらに優れる。

凝縮性ガスの型接触工程（２）の雰囲気温度での蒸気圧は、型接触工程（２）で押印するときのモールド圧力以下であれば制限がないが、０．１～０．４ＭＰａが好ましい。この範囲であれば、充填性がさらに優れる。雰囲気温度での蒸気圧が０．４ＭＰａより大きいと、気泡の消滅の効果を十分に得ることができない傾向がある。一方、雰囲気温度での蒸気圧が０．１ＭＰａよりも小さいと、減圧が必要となり、装置が複雑になる傾向がある。型接触工程（２）の雰囲気温度は、特に制限がないが、２０℃～２５℃が好ましい。

凝縮性ガスとして、具体的には、トリクロロフルオロメタン等のクロロフルオロカーボン（ＣＦＣ）、フルオロカーボン（ＦＣ）、ハイドロクロロフルオロカーボン（ＨＣＦＣ）、１，１，１，３，３－ペンタフルオロプロパン（ＣＨＦ_２ＣＨ_２ＣＦ_３、ＨＦＣ－２４５ｆａ、ＰＦＰ）等のハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）、ペンタフルオロエチルメチルエーテル（ＣＦ_３ＣＦ_２ＯＣＨ_３、ＨＦＥ－２４５ｍｃ）等のハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）等のフロン類が挙げられる。

これらのうち、型接触工程（２）の雰囲気温度が２０℃～２５℃での充填性が優れるという観点から、１，１，１，３，３－ペンタフルオロプロパン（２３℃での蒸気圧０．１４ＭＰａ、沸点１５℃）、トリクロロフルオロメタン（２３℃での蒸気圧０．１０５６ＭＰａ、沸点２４℃）、及びペンタフルオロエチルメチルエーテルが好ましい。さらに、安全性が優れるという観点から、１，１，１，３，３－ペンタフルオロプロパンが特に好ましい。

凝縮性ガスは、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を混合して用いてもよい。またこれら凝縮性ガスは、空気、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン等の非凝縮性ガスと混合して用いてもよい。凝縮性ガスと混合する非凝縮性ガスとしては、充填性の観点から、ヘリウムが好ましい。ヘリウムはモールド１０４を透過することができる。そのため、型接触工程（２）でモールド１０４上に形成された微細パターンの凹部に硬化性組成物（Ａ１）と一緒に雰囲気中のガス（凝縮性ガス及びヘリウム）が充填されたとき、凝縮性ガスが液化するとともにヘリウムはモールド１０４を透過する。

＜光照射工程（３）＞
次に、図１（ｃ）に示すように、硬化性組成物（Ａ１）１０２に対して、モールド１０４を介して照射光１０５を照射する。より詳細には、モールド１０４の微細パターンに充填された硬化性組成物（Ａ１）１０２に対して、モールド１０４を介して照射光１０５を照射する。これにより、モールド１０４の微細パターンに充填された硬化性組成物（Ａ１）１０２は、照射光１０５によって硬化し、パターン形状を有する硬化膜１０６となる。

ここで、モールド１０４の微細パターンに充填された硬化性組成物（Ａ１）１０２に照射される照射光１０５は、硬化性組成物（Ａ１）１０２の感度波長に応じて選択される。具体的には、１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の波長の紫外光や、Ｘ線、電子線等を適宜選択して使用することが好ましい。

これらの中でも、照射光１０５としては、紫外光が特に好ましい。これは、硬化助剤（光重合開始剤）として市販されているものは、紫外光に感度を有する化合物が多いからである。ここで紫外光を発する光源としては、例えば、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、低圧水銀灯、Ｄｅｅｐ－ＵＶランプ、炭素アーク灯、ケミカルランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｆ_２エキシマレーザ等が挙げられるが、超高圧水銀灯が特に好ましい。また使用する光源の数は１つでもよいしまたは複数であってもよい。また、光照射を行う際には、モールド１０４の微細パターンに充填された硬化性組成物（Ａ１）１０２の全面に行ってもよく、一部領域にのみ行ってもよい。

また、光照射工程（３）は、基板１０１上の全領域に断続的に複数回行ってもよいし、全領域に連続照射してもよい。さらに、第１の照射過程で一部の領域Ａを照射し、第２の照射過程で領域Ａとは異なる領域Ｂを照射してもよい。

＜離型工程（４）＞
次に、離型工程（４）において、パターン形状を有する硬化膜１０６とモールド１０４とを互いに引き離す。本工程では、図１（ｄ）に示すように、パターン形状を有する硬化膜１０６とモールド１０４とを互いに引き離し、光照射工程（３）においてモールド１０４上に形成された微細パターンの反転パターンとなるパターン形状を有する硬化膜１０６が自立した状態で得られる。なお、パターン形状を有する硬化膜１０６の凹凸パターンの凹部にも硬化膜が残存するが、この膜のことを残膜１０７と呼ぶこととする（図１（ｄ）の拡大部参照）。

なお、型接触工程（２）を凝縮性ガス雰囲気下で行った場合、離型工程（４）で硬化膜１０６とモールド１０４とを引き離す際に、硬化膜１０６とモールド１０４とが接触する界面の圧力が低下することに伴って凝縮性ガスが気化する。これにより、硬化膜１０６とモールド１０４とを引き離すために必要な力である離型力を低減させる効果を奏する傾向がある。

パターン形状を有する硬化膜１０６とモールド１０４とを互いに引き離す方法としては、引き離す際にパターン形状を有する硬化膜１０６の一部が物理的に破損しなければ特に限定されず、各種条件等も特に限定されない。例えば、基板１０１（被加工基板）を固定してモールド１０４を基板１０１から遠ざかる方向に移動させて剥離してもよい。もしくは、モールド１０４を固定して基板１０１をモールド１０４から遠ざかる方向に移動させて剥離してもよい。あるいは、これらを互いに正反対の方向へ引っ張って剥離してもよい。

以上の積層工程（１）～離型工程（４）を「ショット」と称し、モールドがレジストと接触する複数の領域（つまり、基板１０１上でパターンが形成される領域）（以下、「ショット領域」と称する。）へ連続してショットを実施することからなる工程（製造プロセス）を実施することで、所望の凹凸パターン形状（モールド１０４の凹凸形状に因むパターン形状）を、基板１０１上の当該複数のショット領域に有する硬化膜を得ることができる。
また、型接触工程（２）から離型工程（４）までの一連の工程単位をインプリント工程（Ｉｍ）と称することとする。

［第一実施形態］
次に、第一実施形態に係るパターン形成方法について説明する。

第一実施形態に係るパターン形成方法は、光ナノインプリント法の一形態である。
具体的には、基板の表面の複数のショット領域のそれぞれに対して、少なくとも重合性化合物である成分（ａ１）を含む硬化性組成物（Ａ１）の液滴を離散的に滴下して積層する積層工程（１）と、硬化性組成物（Ａ１）とモールドとを接触させる型接触工程（２）と、硬化性組成物（Ａ１）をモールドの側から光を照射することにより硬化させる光照射工程（３）と、硬化性組成物（Ａ１）の硬化物からモールドを引き離す離型工程（４）とをこの順に実施することからなる。

そして、型接触工程（２）から離型工程（４）までの各工程を合わせてインプリント工程（Ｉｍ）と呼び、積層工程（１）実施後において、積層工程（１）及びインプリント工程（Ｉｍ）のいずれをも行わない待機工程（Ｍ）が実施される。
また、１ショット領域における積層工程（１）の所要時間Ｔｄと１ショット領域におけるインプリント工程（Ｉｍ）の所要時間Ｔｉとが互いに等しくなるように調整される。

そして、一つの基板上にｒ個のショット領域群（ｒは２以上）が存在し、或るショット領域群ｎ（ｎ＝１、２、・・・、ｒ）に含まれるショット領域数をｍ_ｎ（ｍ_ｎは２以上）、ショット領域数ｍ_ｎの最大値をｍ_ｍａｘとし、各ショット領域の番号をＳ（ｖ）（ｖは１以上（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｒ）以下の整数）とするとき、
ショット領域群１に含まれる各ショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、・・・、Ｓ（ｍ_１）に対して積層工程（１）を順次実施し、その後所要時間（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_１））の待機工程（Ｍ）を実施した後、ショット領域群１に含まれる各ショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、・・・、Ｓ（ｍ_１）に対して、積層工程（１）を実施した順にインプリント工程（Ｉｍ）を実施する。

次に、別のショット領域群２に含まれる各ショット領域Ｓ（ｍ_１＋１）、Ｓ（ｍ_１＋２）、・・・、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２）に対して積層工程（１）を順次実施し、その後所要時間（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_２））の待機工程（Ｍ）を実施した後、ショット領域群２に含まれる各ショット領域Ｓ（ｍ_１＋１）、Ｓ（ｍ_１＋２）、・・・、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２）に対して、積層工程（１）を実施した順にインプリント工程（Ｉｍ）を実施する。
そして、残りのショット領域群３ないしショット領域群ｒに含まれる各ショット領域に対して上記の要領で各工程を実施することを特徴とする。

図２は、従来のパターン形成方法の各工程を示した模式断面図である。
従来のパターン形成方法では、図２に示すように、まず、基板２０１上のショット領域Ｓ（１）２０３に対して積層工程（１）を実施し、硬化性組成物（Ａ１）２０２の液滴を離散的に滴下して配置する。

その後、型接触工程（２）から離型工程（４）までの各工程を含むインプリント工程（Ｉｍ）を実施し、硬化性組成物（Ａ１）２０２とモールド２０８との接触、照射光２０７の照射による硬化性組成物（Ａ１）２０２の硬化を経て、基板２０１上に自立したパターン形状を有する硬化膜２０９を得ることができる。

次に、基板２０１上のショット領域Ｓ（２）２０４に対して積層工程（１）、インプリント工程（Ｉｍ）を順次実施し、以降各ショット領域２０５、２０６に対しても積層工程（１）、インプリント工程（Ｉｍ）を順次実施する。

ここで、型接触工程（２）では、硬化性組成物（Ａ１）２０２の液滴が毛細管現象により、基板２０１とモールド２０８との間隙の全域へ拡がるスプレッドが進行する。このスプレッドに要する時間が長いために充填時間が長くなり、従来のパターン形成方法においては、低いスループットとなっている。
そのため、積層工程（１）の完了から型接触工程（２）の開始までに、硬化性組成物（Ａ１）２０２の液滴のプレスプレッドを進行させるための待機工程（Ｍ）（不図示）を実施することもできる。待機工程（Ｍ）を実施することによって、型接触工程（２）におけるモールド２０８接触後の硬化性組成物（Ａ１）２０２のスプレッドに要する時間は、待機工程（Ｍ）がない場合と比べて短くなる。つまり、型接触工程（２）の所要時間は短くなる。
しかしながら、１回のショットあたりの合計所要時間は、待機工程（Ｍ）の所要時間分だけ長くなり、スループットは低下してしまう。

また、図３は、別の従来のパターン形成方法の各工程を示した模式図である。
このパターン形成方法では、まず、基板上のショット領域群（１）３０２に含まれる各ショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、・・・、Ｓ（ｍ_１）に対して積層工程（１）を順次実施し、基板上のショット領域群（１）３０２に含まれる各ショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、・・・、Ｓ（ｍ_１）に対して、硬化性組成物（Ａ１）３０５の液滴を離散的に滴下して順次配置する。

その後、積層工程（１）を実施した順に型接触工程（２）から離型工程（４）までの各工程を含むインプリント工程（Ｉｍ）を実施し、ショット領域群（１）３０２に含まれる各ショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、・・・、Ｓ（ｍ_１）に対して、硬化性組成物（Ａ１）３０５とモールドとの接触、照射光の照射による硬化性組成物（Ａ１）３０５の硬化を経て、基板上に自立したパターン形状を有する硬化膜３０６を得ることができる。

次に、基板上のショット領域群（２）３０３に含まれる各ショット領域Ｓ（ｍ_１＋１）、Ｓ（ｍ_１＋２）、・・・、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２）に対して積層工程（１）を順次実施し、基板上のショット領域群（２）３０３に含まれる各ショット領域Ｓ（ｍ_１＋１）、Ｓ（ｍ_１＋２）、・・・、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２）に対して、硬化性組成物（Ａ１）３０５の液滴を離散的に滴下して順次配置する。

その後、積層工程（１）を実施した順に型接触工程（２）から離型工程（４）までの各工程を含むインプリント工程（Ｉｍ）を実施し、ショット領域群（２）３０３に含まれる各ショット領域Ｓ（ｍ_１＋１）、Ｓ（ｍ_１＋２）、・・・、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２）に対して、硬化性組成物（Ａ１）３０５とモールドとの接触、照射光の照射による硬化性組成物（Ａ１）３０５の硬化を経て、基板上に自立したパターン形状を有する硬化膜３０６を得ることができる。
そして、上記の要領で残りのショット領域群に含まれる各ショット領域に対して各工程を実施する。

ここで、一つのショット領域に対する積層工程（１）の所要時間をＴｄ、一つのショット領域に対するインプリント工程（Ｉｍ）の所要時間をＴｉとすると、ショット領域群（１）３０２の各ショット領域Ｓ（ｕ）（ｕ＝１、２、…、ｍ_１）における積層工程（１）が完了してからインプリント工程（Ｉｍ）が開始されるまでの間のインターバル時間は、（ｍ_１－ｕ）×Ｔｄ＋（ｕ－１）×Ｔｉで表される。
もし、所要時間ＴｄとＴｉとが互いに異なると、所定のショット領域群において、各ショット領域における積層工程（１）が完了してからインプリント工程（Ｉｍ）が開始されるまでの間のインターバル時間が、互いに異なることとなる。
また、所要時間ＴｄとＴｉとが互いに同一であったとしても、各ショット領域群に含まれるショット領域の数ｍ（＝ｍ_１、ｍ_２、ｍ_３、…、ｍ_ｒ）（各ｍは２以上）が互いに等しくないと、互いにショット領域数ｍが異なるショット領域群間で、積層工程（１）が完了してからインプリント工程（Ｉｍ）が開始されるまでの間のインターバル時間が異なってしまう。

また、Ｔｄ＞Ｔｉであるとすると、所定のショット領域群においてショット領域が後ろにあるほど、積層工程（１）が完了してからインプリント工程（Ｉｍ）が開始されるまでの間のインターバル時間が短くなる傾向となる。
一方、Ｔｄ＜Ｔｉの場合には、後ろの方のショット領域ほど、インターバル時間が長くなる。

また、ショット領域数ｍが多いショット領域群では、インターバル時間が長くなる傾向となり、一方、ショット領域数ｍが少ないショット領域群では、インターバル時間が短くなる。
そのため、インターバル時間が短いショット領域では、プレスプレッドが十分に進行しない。プレスプレッドが十分に進行しないと、型接触開始からスプレッドとフィルが完了するまでの時間（充填時間）が長くなり、スループットが低下するという課題が発生してしまう。
ここで、積層工程（１）が完了してからモールドが接触する型接触工程（２）開始までの間に待機工程を設ければ、プレスプレッドがより進行するため、型接触後のスプレッドに要する時間は、待機工程がない場合と比べて短く済む。
しかしながら、単純に待機工程を設けた場合は、その分１回のショットの所要時間は増大するため、スループットは低下してしまう。

そこで、本実施形態では以下に示すようなパターン形成方法を用いることによって、高スループット化を達成している。

図４は、第一実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示した模式図である。
第一実施形態に係るパターン形成方法では、一つのショット領域に対する積層工程（１）の所要時間Ｔｄと一つのショット領域に対するインプリント工程（Ｉｍ）の所要時間Ｔｉとが互いに等しい時間Ｔになるように調整される。
また、ショット領域数ｍ（ｍ_１、ｍ_２、ｍ_３、…、ｍ_ｒ）（ｍは２以上）の最大値をｍ_ｍａｘとするとき、所要時間（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_ｎ））の待機工程（Ｍ）を各ショット領域群（ｎ）の積層工程（１）が完了した後に実施している。

まず、図４に示すように、基板４０１上のショット領域群（１）４０２に含まれる各ショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、・・・、Ｓ（ｍ_１）に対して積層工程（１）を順次実施し、基板４０１上のショット領域群（１）４０２に含まれる各ショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、・・・、Ｓ（ｍ_１）に対して、硬化性組成物（Ａ１）４０５の液滴を離散的に滴下して配置する。
その後、（ｍ_ｍａｘ－ｍ_１）回（すなわち、所要時間（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_１）））の待機工程（Ｍ）を実施する。
そして、積層工程（１）を実施した順に型接触工程（２）から離型工程（４）までの各工程を含むインプリント工程（Ｉｍ）を実施し、ショット領域群（１）４０２に含まれる各ショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、・・・、Ｓ（ｍ_１）に対して、硬化性組成物（Ａ１）４０５とモールドとの接触、照射光の照射による硬化性組成物（Ａ１）４０５の硬化を経て、基板４０１上に自立したパターン形状を有する硬化膜４０６を得ることができる。

次に、基板上のショット領域群（２）４０３に含まれる各ショット領域Ｓ（ｍ_１＋１）、Ｓ（ｍ_１＋２）、・・・、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２）に対して積層工程（１）を順次実施し、基板上のショット領域群（２）４０３に含まれる各ショット領域Ｓ（ｍ_１＋１）、Ｓ（ｍ_１＋２）、・・・、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２）に対して、硬化性組成物（Ａ１）４０５の液滴を離散的に滴下して順次配置する。
その後、所要時間（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_２））の待機工程（Ｍ）を実施する。
そして、積層工程（１）を実施した順に型接触工程（２）から離型工程（４）までの各工程を含むインプリント工程（Ｉｍ）を実施し、ショット領域群（２）４０３に含まれる各ショット領域Ｓ（ｍ_１＋１）、Ｓ（ｍ_１＋２）、・・・、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２）に対して、硬化性組成物（Ａ１）４０５とモールドとの接触、照射光の照射による硬化性組成物（Ａ１）４０５の硬化を経て、基板上に自立したパターン形状を有する硬化膜４０６を得ることができる。
そして、上記の要領で残りのショット領域群に含まれる各ショット領域に対して各工程を実施する。

以上のように、第一実施形態に係るパターン形成方法では、ショット領域数ｍを有するショット領域群の各ショット領域Ｓ（ｋ）における積層工程（１）が完了してからインプリント工程（Ｉｍ）が開始されるまでの間のインターバル時間は、（ｍ－ｋ）×Ｔｄ＋（ｍ_ｍａｘ－ｍ）×Ｔｄ＋（ｋ－１）×Ｔｉ＝（ｍ_ｍａｘ－１）×Ｔとなり、ショット領域数ｍに依らなくなる。
従って、第一実施形態に係るパターン形成方法では、所定のショット領域群において、各ショット領域における積層工程（１）が完了してからインプリント工程（Ｉｍ）が開始されるまでの間のインターバル時間が互いに等しくなるとともに、ショット領域群間においてショット領域数ｍが互いに異なっていたとしても、積層工程（１）が完了してからインプリント工程（Ｉｍ）が開始されるまでの間のインターバル時間が互いに等しくなる。

これにより、全てのショット領域においてプレスプレッドを均一にできることから、全てのショット領域において型接触工程（２）におけるスプレッドを速やかに完了させて型接触工程（２）の所要時間を短縮できるとともに均一なインプリント結果を得ることが可能となる。

次に、第一実施形態に係るパターン形成方法について、より具体的に説明する。
例えば、図６に示されるような基板６０１上に３０個のショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、・・・、Ｓ（３０）があるとし、それらが以下の表１に示されるように６個のショット領域群ｒ（ｒ＝１、２、・・・、６）に割り振られているとする。

このとき、第一実施形態に係るパターン形成方法に従うと、基板６０１上の各ショット領域は、以下のように処理される。

まず、図７（ａ）に示すように、基板６０１上のショット領域群１に含まれる各ショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、Ｓ（３）、Ｓ（４）に対して積層工程（１）を順次実施する。
そして、図７（ｂ）に示すように、（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_１））＝（Ｔｄ×（６－４））＝２Ｔｄの待機工程（Ｍ）を実施する。
その後、図７（ｃ）に示すように、基板６０１上のショット領域群１に含まれる各ショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、Ｓ（３）、Ｓ（４）に対して積層工程（１）を実施した順に、インプリント工程（Ｉｍ）を実施する。
そして、基板６０１上のショット領域群２に含まれる各ショット領域Ｓ（５）、Ｓ（６）、Ｓ（７）、Ｓ（８）に対しても同様の処理を行う（不図示）。

次に、図８（ａ）に示すように、基板６０１上のショット領域群３に含まれる各ショット領域Ｓ（９）、Ｓ（１０）、Ｓ（１１）、Ｓ（１２）、Ｓ（１３）に対して積層工程（１）を順次実施する。
そして、図８（ｂ）に示すように、（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_３））＝（Ｔｄ×（６－５））＝Ｔｄの待機工程（Ｍ）を実施する。
その後、図８（ｃ）に示すように、基板６０１上のショット領域群３に含まれる各ショット領域Ｓ（９）、Ｓ（１０）、Ｓ（１１）、Ｓ（１２）、Ｓ（１３）に対して積層工程（１）を実施した順に、インプリント工程（Ｉｍ）を実施する。
そして、基板６０１上のショット領域群４に含まれる各ショット領域Ｓ（１４）、Ｓ（１５）、Ｓ（１６）、Ｓ（１７）、Ｓ（１８）に対しても同様の処理を行う（不図示）。

さらに、図９（ａ）に示すように、基板６０１上のショット領域群５に含まれる各ショット領域Ｓ（１９）、Ｓ（２０）、Ｓ（２１）、Ｓ（２２）、Ｓ（２３）、Ｓ（２４）に対して積層工程（１）を順次実施する。
そして、図９（ｂ）に示すように、基板６０１上のショット領域群５に含まれる各ショット領域Ｓ（１９）、Ｓ（２０）、Ｓ（２１）、Ｓ（２２）、Ｓ（２３）、Ｓ（２４）に対して積層工程（１）を実施した順に、インプリント工程（Ｉｍ）を実施する。
なお、ショット領域群５においては、（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_５））＝（Ｔｄ×（６－６））＝０となるため、待機工程（Ｍ）は実施しない。
そして、基板６０１上のショット領域群６に含まれる各ショット領域Ｓ（２５）、Ｓ（２６）、Ｓ（２７）、Ｓ（２８）、Ｓ（２９）、Ｓ（３０）に対しても同様の処理を行う（不図示）。

以上の基板６０１に対する処理工程の流れを以下の表２に示す。なお、表２中の○はそれぞれ、所要時間Ｔｄの待機工程（Ｍ）を示している。

［第二実施形態］
次に、第二実施形態に係るパターン形成方法について説明する。
第二実施形態に係るパターン形成方法は、光ナノインプリント法の一形態である。

具体的には、基板の表面の複数のショット領域のそれぞれに対して、少なくとも重合性化合物である成分（ａ１）を含む硬化性組成物（Ａ１）の液滴を離散的に滴下して積層する積層工程（１）と、硬化性組成物（Ａ１）とモールドとを接触させる型接触工程（２）と、硬化性組成物（Ａ１）を、モールドの側から光を照射することにより硬化させる光照射工程（３）と、硬化性組成物（Ａ１）の硬化物からモールドを引き離す離型工程（４）とをこの順に実施することからなる。
そして、型接触工程（２）から離型工程（４）までの各工程を合わせてインプリント工程（Ｉｍ）と呼び、積層工程（１）実施後またはインプリント工程（Ｉｍ）実施後において、積層工程（１）及びインプリント工程（Ｉｍ）のいずれをも行わない待機工程（Ｍ）が実施される。

また、１ショット領域における積層工程（１）の所要時間Ｔｄと１ショット領域におけるインプリント工程（Ｉｍ）の所要時間Ｔｉとが互いに等しくなるように調整される。
そして、一つの基板上にｒ個のショット領域群（ｒは２以上）が存在し、あるショット領域群ｎ（ｎ＝１、２、・・・、ｒ）に含まれるショット領域数をｍ_ｎ（ｍ_ｎは２以上）、ショット領域数ｍ_ｎの最大値をｍ_ｍａｘとし、各ショット領域の番号をＳ（ｖ）（ｖは１以上（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｒ）以下の整数）とするとき、ショット領域群１（第１のショット領域群）に含まれる各ショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、・・・、Ｓ（ｍ_１）（第１の複数のショット領域）に対して積層工程（１）を順次実施し、その後所要時間（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_１））の待機工程（Ｍ）を実施した後、所要時間（Ｔｉ×ｍ_ｍａｘ）の待機工程（Ｍ）を実施する。

次に、ショット領域群２に含まれる各ショット領域Ｓ（ｍ_１＋１）、Ｓ（ｍ_１＋２）、・・・、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２）に対して積層工程（１）を順次実施し、その後所要時間（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_２））の待機工程（Ｍ）を実施した後、ショット領域群１に含まれる各ショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、・・・、Ｓ（ｍ_１）に対して、積層工程（１）が実施された順にインプリント工程（Ｉｍ）を実施し、その後所要時間（Ｔｉ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_１））の待機工程（Ｍ）を実施する。

次に、ショット領域群ｋ（第ｋのショット領域群）に含まれる各ショット領域Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｋ－１＋１）、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｋ－１＋２）、・・・、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｋ－１＋ｍ_ｋ）（第ｋの複数のショット領域）に対して積層工程（１）を順次実施し、その後所要時間（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_ｋ））の待機工程（Ｍ）を実施した後、ショット領域群ｋ－１に含まれる各ショット領域Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｋ－２＋１）、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｋ－２＋２）、・・・、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｋ－２＋ｍ_ｋ－１）に対して、積層工程（１）が実施された順にインプリント工程（Ｉｍ）を実施し、その後所要時間（Ｔｉ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_ｋ－１））の待機工程（Ｍ）を実施する。これをｒが３以上の場合にｋ＝３からｒまで繰り返す。

最後に、所要時間（Ｔｄ×ｍ_ｍａｘ）の待機工程（Ｍ）を実施し、ショット領域群ｒ（第ｒのショット領域群）に含まれる各ショット領域Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｒ－１＋１）、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｒ－１＋２）、・・・、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｒ－１＋ｍ_ｒ）（第ｒの複数のショット領域）に対して、積層工程（１）が実施された順にインプリント工程（Ｉｍ）を実施することを特徴とする。

図５は、第二実施形態に係るパターン形成方法の各工程を示した模式図である。
第二実施形態に係るパターン形成方法では、一つのショット領域に対する積層工程（１）の所要時間Ｔｄと一つのショット領域に対するインプリント工程（Ｉｍ）の所要時間Ｔｉとが互いに等しい時間Ｔになるように調整される。

まず、図５に示すように、ｒ個のショット領域群（ｒは２以上）のうち、基板５０１上のショット領域群（１）５０２に含まれる各ショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、・・・、Ｓ（ｍ_１）に対して積層工程（１）を順次実施し、基板５０１上のショット領域群（１）５０２に含まれる各ショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、・・・、Ｓ（ｍ_１）に対して、硬化性組成物（Ａ１）５０５の液滴を離散的に滴下して配置する。
その後、（ｍ_ｍａｘ－ｍ_１）回（すなわち、所要時間（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_１）））の待機工程（Ｍ）を実施する。
そして、ｍ_ｍａｘ回（すなわち、所要時間（Ｔｉ×ｍ_ｍａｘ））の待機工程（Ｍ）が実施される。

次に、基板５０１上のショット領域群（２）５０３に含まれる各ショット領域Ｓ（ｍ_１＋１）、Ｓ（ｍ_１＋２）、・・・、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２）に対して積層工程（１）を順次実施し、基板５０１上のショット領域群（２）５０３に含まれる各ショット領域Ｓ（ｍ_１＋１）、Ｓ（ｍ_１＋２）、・・・、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２）に対して、硬化性組成物（Ａ１）５０５の液滴を離散的に滴下して配置する。
その後、（ｍ_ｍａｘ－ｍ_２）回（すなわち、所要時間（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_２）））の待機工程（Ｍ）を実施する。

次に、ショット領域群（１）５０２に含まれる各ショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、・・・、Ｓ（ｍ_１）に対して、積層工程（１）が実施された順に、型接触工程（２）から離型工程（４）までの各工程を含むインプリント工程（Ｉｍ）を実施し、硬化性組成物（Ａ１）５０５とモールドとの接触、照射光の照射による硬化性組成物（Ａ１）５０５の硬化を経て、基板５０１上に自立したパターン形状を有する硬化膜５０６を得ることができる。
その後、（ｍ_ｍａｘ－ｍ_１）回（すなわち、所要時間（Ｔｉ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_１）））の待機工程（Ｍ）が実施される。

次に、基板５０１上のショット領域群ｋに含まれる各ショット領域Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｋ－１＋１）、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｋ－１＋２）、・・・、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｋ－１＋ｍ_ｋ）に対して積層工程（１）を順次実施し、その後（ｍ_ｍａｘ－ｍ_ｋ）回（すなわち、所要時間（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_ｋ）））の待機工程（Ｍ）を実施した後、ショット領域群ｋ－１に含まれる各ショット領域Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｋ－２＋１）、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｋ－２＋２）、・・・、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｋ－２＋ｍ_ｋ－１）に対して、積層工程（１）が実施された順にインプリント工程（Ｉｍ）を実施し、その後（ｍ_ｍａｘ－ｍ_ｋ－１）回（すなわち、所要時間（Ｔｉ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_ｋ－１）））の待機工程（Ｍ）を実施する。これをｒが３以上の場合にｋ＝３からｒまで繰り返す（不図示）。

最後に、ｍ_ｍａｘ回（すなわち、所要時間（Ｔｄ×ｍ_ｍａｘ））の待機工程（Ｍ）を実施した後、ショット領域群ｒに含まれる各ショット領域Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｒ－１＋１）、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｒ－１＋２）、・・・、Ｓ（ｍ_１＋ｍ_２＋・・・＋ｍ_ｒ－１＋ｍ_ｒ）に対して、積層工程（１）が実施された順にインプリント工程（Ｉｍ）を実施する（不図示）。このようにしてパターン形成を行う。

第二実施形態に係るパターン形成方法では、ｒ個のショット領域群（ｒは２以上）のうち、ショット領域群ｎに含まれる或るショット領域Ｓ（ｖ）における積層工程（１）の完了からインプリント工程（Ｉｍ）の開始までのインターバル時間は、以下の所要時間（１）～（５）の和から（３ｍ_ｍａｘ－１）×Ｔと求められる（ここで、Ｔｄ＝Ｔｉ＝Ｔとしている）。

（１）ショット領域群ｎのショット領域Ｓ（ｖ）以降の（ｍ_ｎ－ｖ）個のショット領域それぞれにおける積層工程の総所要時間：（ｍ_ｎ－ｖ）×Ｔｄ
（２）待機工程（Ｍ）の所要時間：（ｍ_ｍａｘ－ｍ_ｎ）×Ｔｄ
（３）待機工程（Ｍ）の所要時間（ｎ＝１のとき）またはショット領域群（ｎ－１）に含まれる各ショット領域におけるインプリント工程（Ｉｍ）及び待機工程（Ｍ）の総所要時間：ｍ_ｍａｘ×Ｔｉ
（４）待機工程（Ｍ）の所要時間（ｎ＝ｒのとき）またはショット領域群（ｎ＋１）に含まれる各ショット領域における積層工程（１）及び待機工程（Ｍ）の総所要時間：ｍ_ｍａｘ×Ｔｄ
（５）ショット領域群（ｎ）のショット領域Ｓ（ｖ）までの（ｖ－１）個のショット領域それぞれにおけるインプリント工程（Ｉｍ）の総所要時間：（ｖ－１）×Ｔｉ

このように第二実施形態に係るパターン形成方法では、第一実施形態に係るパターン形成方法よりも長いインターバル時間を全てのショット領域に対して等しく設けられる。
そのため、インターバル時間中に硬化性組成物（Ａ）３０６の液滴のプレスプレッドがより進行し、型接触工程（２）におけるスプレッドがより速やかに完了し、型接触工程（２）の所要時間をより短縮することができる。

次に、第二実施形態に係るパターン形成方法について、より具体的に説明する。
例えば、図６に示されるような基板６０１上に３０個のショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、・・・、Ｓ（３０）があるとし、それらが表１に示されるように６個のショット領域群ｒ（ｒ＝１、２、・・・、６）に割り振られているとする。
このとき、第二実施形態に係るパターン形成方法に従うと、基板６０１上の各ショット領域は、以下のように処理される。

まず、図１０（ａ）に示すように、基板６０１上のショット領域群１に含まれる各ショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、Ｓ（３）、Ｓ（４）に対して積層工程（１）を順次実施する。
そして、図１０（ｂ）に示すように、（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_１））＝（Ｔｄ×（６－４））＝２Ｔｄの待機工程（Ｍ）を実施する。
その後、図１０（ｃ）に示すように、（Ｔｉ×ｍ_ｍａｘ）＝６Ｔｉの待機工程（Ｍ）を実施する。

次に、図１１（ａ）に示すように、基板６０１上のショット領域群２に含まれる各ショット領域Ｓ（５）、Ｓ（６）、Ｓ（７）、Ｓ（８）に対して積層工程（１）を順次実施する。
そして、図１１（ｂ）に示すように、（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_２））＝（Ｔｄ×（６－４））＝２Ｔｄの待機工程（Ｍ）を実施する。
その後、図１１（ｃ）に示すように、基板６０１上のショット領域群１に含まれる各ショット領域Ｓ（１）、Ｓ（２）、Ｓ（３）、Ｓ（４）に対して、積層工程（１）を実施した順にインプリント工程を実施する。
そして、図１１（ｄ）に示すように、（Ｔｉ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_１））＝（Ｔｉ×（６－４））＝２Ｔｉの待機工程（Ｍ）を実施する。

次に、図１２（ａ）に示すように、基板６０１上のショット領域群３に含まれる各ショット領域Ｓ（９）、Ｓ（１０）、Ｓ（１１）、Ｓ（１２）、Ｓ（１３）に対して積層工程（１）を順次実施する。
そして、図１２（ｂ）に示すように、（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_３））＝（Ｔｄ×（６－５））＝Ｔｄの待機工程（Ｍ）を実施する。
その後、図１２（ｃ）に示すように、基板６０１上のショット領域群２に含まれる各ショット領域Ｓ（５）、Ｓ（６）、Ｓ（７）、Ｓ（８）に対して、積層工程（１）を実施した順にインプリント工程を実施する。
そして、図１２（ｄ）に示すように、（Ｔｉ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_２））＝（Ｔｉ×（６－４））＝２Ｔｉの待機工程（Ｍ）を実施する。

次に、図１３（ａ）に示すように、基板６０１上のショット領域群４に含まれる各ショット領域Ｓ（１４）、Ｓ（１５）、Ｓ（１６）、Ｓ（１７）、Ｓ（１８）に対して積層工程（１）を順次実施する。
そして、図１３（ｂ）に示すように、（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_４））＝（Ｔｄ×（６－５））＝Ｔｄの待機工程（Ｍ）を実施する。
その後、図１３（ｃ）に示すように、基板６０１上のショット領域群３に含まれる各ショット領域Ｓ（９）、Ｓ（１０）、Ｓ（１１）、Ｓ（１２）、Ｓ（１３）に対して、積層工程（１）を実施した順にインプリント工程を実施する。
そして、図１３（ｄ）に示すように、（Ｔｉ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_３））＝（Ｔｉ×（６－５））＝Ｔｉの待機工程（Ｍ）を実施する。

次に、図１４（ａ）に示すように、基板６０１上のショット領域群５に含まれる各ショット領域Ｓ（１９）、Ｓ（２０）、Ｓ（２１）、Ｓ（２２）、Ｓ（２３）、Ｓ（２４）に対して積層工程（１）を順次実施する。
なお、ショット領域群５においては、（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_５））＝（Ｔｄ×（６－６））＝０となるため、待機工程（Ｍ）は実施しない。
その後、図１４（ｂ）に示すように、基板６０１上のショット領域群４に含まれる各ショット領域Ｓ（１４）、Ｓ（１５）、Ｓ（１６）、Ｓ（１７）、Ｓ（１８）に対して、積層工程（１）を実施した順にインプリント工程を実施する。
そして、図１４（ｃ）に示すように、（Ｔｉ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_４））＝（Ｔｉ×（６－５））＝Ｔｉの待機工程（Ｍ）を実施する。

次に、図１５（ａ）に示すように、基板６０１上のショット領域群６に含まれる各ショット領域Ｓ（２５）、Ｓ（２６）、Ｓ（２７）、Ｓ（２８）、Ｓ（２９）、Ｓ（３０）に対して積層工程（１）を順次実施する。
なお、ショット領域群６においては、（Ｔｄ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_６））＝（Ｔｄ×（６－６））＝０となるため、待機工程（Ｍ）は実施しない。
その後、図１５（ｂ）に示すように、基板６０１上のショット領域群５に含まれる各ショット領域Ｓ（１９）、Ｓ（２０）、Ｓ（２１）、Ｓ（２２）、Ｓ（２３）、Ｓ（２４）に対して、積層工程（１）を実施した順にインプリント工程を実施する。
なお、ショット領域群５においては、（Ｔｉ×（ｍ_ｍａｘ－ｍ_５））＝（Ｔｉ×（６－６））＝０となるため、待機工程（Ｍ）は実施しない。

次に、図１６（ａ）に示すように、（Ｔｄ×ｍ_ｍａｘ）＝６Ｔｄの待機工程（Ｍ）を実施する。
そして、図１６（ｂ）に示すように、基板６０１上のショット領域群６に含まれる各ショット領域Ｓ（２５）、Ｓ（２６）、Ｓ（２７）、Ｓ（２８）、Ｓ（２９）、Ｓ（３０）に対して、積層工程（１）を実施した順にインプリント工程を実施する。

以上の基板６０１に対する処理工程の流れを以下の表３に示す。なお、表３中の○はそれぞれ、所要時間Ｔｄ＝Ｔｉ＝Ｔの待機工程（Ｍ）を示している。

なお、上記の第一及び第二実施形態に係るパターン形成方法の説明に用いた図６に示される基板６０１では、各ショット領域群に含まれる複数のショット領域はいずれも互いに隣接していない（離間している）。しかしながらこれに限らず、少なくとも二つのショット領域が互いに隣接していても構わない。

また、本実施形態で言う積層工程（１）の所要時間Ｔｄとは、或るショット領域における積層工程（１）の開始から次の積層工程（１）、インプリント工程（Ｉｍ）及び待機工程（Ｍ）のいずれかの工程が開始されるまでの時間としている。
また、本実施形態でいうインプリント工程（Ｉｍ）の所要時間Ｔｉは、或るショット領域におけるインプリント工程（Ｉｍ）の開始から次の積層工程（１）、インプリント工程（Ｉｍ）及び待機工程（Ｍ）のいずれかの工程が開始されるまでの時間としている。

また、第一及び第二実施形態に係るパターン形成方法において、或るショット領域における積層工程（１）の完了からインプリント工程（Ｉｍ）の開始までのインターバル時間は、硬化性組成物（Ａ１）のプレスプレッドに十分な時間が確保されていることが望ましく、具体的には１．５秒以上であることが望ましい。

次に、本実施形態に係るパターン形成方法を用いた実施例１ないし３及び従来のパターン形成方法を用いた比較例１ないし４について実施した結果を以下の表４に示す。

なお、インプリント工程（Ｉｍ）の所要時間Ｔｉとインターバル時間との関係については図１７に示されるように仮定しており、以下の実施例１～３及び比較例１～３は、この仮定に基づいて実施されている。

ここで実施例１では、図１８に示されるように配置された計９６個のショット領域を以下の表５に示すような計１８個のショット領域群に割り当て（ｍ_ｍａｘ＝６）、積層工程（１）の所要時間Ｔｄ及びインプリント工程（Ｉｍ）の所要時間Ｔｉを０．８００秒に設定し、第一実施形態に係るパターン形成方法に従ってパターン形成を行っている。
このとき、１つのショット領域当たりの待機工程（Ｍ）の平均所要時間は、［（６－４）＋（６－４）＋（６－５）＋（６－５）＋（６－５）＋（６－５）＋（６－４）＋（６－４）］×０．８００／９６＝０．１００秒となる。
そして、或るショット領域における積層工程（１）の完了からインプリント工程（Ｉｍ）の開始までのインターバル時間は、（６－１）×０．８００＝４．００秒となる。
従って、１ショット領域当たりのパターン形成時間（１ショットサイクル）は、０．８００＋０．１００＋０．８００＝１．７０秒となり、９６ショット領域全てにおいて積層工程（１）からインプリント工程（Ｉｍ）まで完了させるのに１６３ｓｅｃかかることとなる。
そして、実施例１におけるモールドへの硬化性組成物（Ａ）の充填性は良好である。

次に実施例２では、図１９に示されるように配置された計９６個のショット領域を以下の表６に示すような計４８個のショット領域群に割り当て（ｍ_ｍａｘ＝２）、積層工程（１）の所要時間Ｔｄ及びインプリント工程（Ｉｍ）の所要時間Ｔｉを０．８００秒に設定し、第二実施形態に係るパターン形成方法に従ってパターン形成を行っている。
このとき、１つのショット領域当たりの待機工程（Ｍ）の平均所要時間は、［２×０．８００＋２×０．８００］／９６＝０．０３３３秒となる。
そして、或るショット領域における積層工程（１）の完了からインプリント工程（Ｉｍ）の開始までのインターバル時間は、（３×２－１）×０．８００＝４．００秒となる。
従って、１ショット領域当たりのパターン形成時間（１ショットサイクル）は、０．８００＋０．０３３３＋０．８００＝１．６３秒となり、９６ショット領域全てにおいて積層工程（１）からインプリント工程（Ｉｍ）まで完了させるのに１５６ｓｅｃかかることとなる。
そして、実施例２におけるモールドへの硬化性組成物（Ａ）の充填性は良好である。

次に実施例３では、図２０に示されるように配置された計９６個のショット領域を以下の表７に示すような計９個のショット領域群に割り当て（ｍ_ｍａｘ＝１２）、積層工程（１）の所要時間Ｔｄ及びインプリント工程（Ｉｍ）の所要時間Ｔｉを０．８００秒に設定し、第一実施形態に係るパターン形成方法に従ってパターン形成を行っている。
このとき、１つのショット領域当たりの待機工程（Ｍ）の所要時間は、［（１２－８）＋（１２－１０）＋（１２－１０）＋（１２－８）］×０．８００／９６＝０．１００秒となる。
そして、或るショット領域における積層工程（１）の完了からインプリント工程（Ｉｍ）の開始までのインターバル時間は、（１２－１）×０．８００＝８．８０秒となる。
従って、１ショット領域当たりのパターン形成時間（１ショットサイクル）は、０．８００＋０．１００＋０．８００＝１．７００秒となり、９６ショット領域全てにおいて積層工程（１）からインプリント工程（Ｉｍ）まで完了させるのに１６３ｓｅｃかかることとなる。
そして、実施例３におけるモールドへの硬化性組成物（Ａ）の充填性は良好である。

次に比較例１では、図２０に示されるように配置された計９６個のショット領域に対して、積層工程（１）の所要時間Ｔｄを０．８００秒、インプリント工程（Ｉｍ）の所要時間Ｔｉを１．６０秒に設定し、図２に示されるような従来のパターン形成方法１（ｍ_ｍａｘ＝１）に従ってパターン形成を行っている。
従来のパターン形成方法１では、待機工程（Ｍ）を設けていないため、１つのショット領域当たりの待機工程（Ｍ）の所要時間は、０秒である。
そして、従来のパターン形成方法１では、或るショット領域における積層工程（１）の完了後すぐにインプリント工程（Ｉｍ）を開始しているため、或るショット領域における積層工程（１）の完了からインプリント工程（Ｉｍ）の開始までのインターバル時間も０秒となる。
従って、１ショット領域当たりのパターン形成時間（１ショットサイクル）は、０．８００＋０＋１．６０＝２．４０秒となり、９６ショット領域全てにおいて積層工程（１）からインプリント工程（Ｉｍ）まで完了させるのに２３０ｓｅｃかかることとなる。
なお、比較例１におけるモールドへの硬化性組成物（Ａ）の充填性は良好である。

次に比較例２では、図２０に示されるように配置された計９６個のショット領域に対して、積層工程（１）の所要時間Ｔｄを０．８００秒、インプリント工程（Ｉｍ）の所要時間Ｔｉを１．４０秒に設定し、図２に示されるような従来のパターン形成方法１（ｍ_ｍａｘ＝１）において、積層工程（１）とインプリント工程（Ｉｍ）との間に所要時間１．５０秒の待機工程（Ｍ）を設けて、パターン形成を行っている。
従って、１つのショット領域当たりの待機工程（Ｍ）の所要時間は、１．５０秒である。
そして、或るショット領域における積層工程（１）の完了からインプリント工程（Ｉｍ）の開始までのインターバル時間も、１．５０秒となる。
従って、１ショット領域当たりのパターン形成時間（１ショットサイクル）は、０．８００＋１．５０＋１．４０＝３．７０秒となり、９６ショット領域全てにおいて積層工程（１）からインプリント工程（Ｉｍ）まで完了させるのに３５５ｓｅｃかかることとなる。
なお、比較例２におけるモールドへの硬化性組成物（Ａ）の充填性は良好である。

次に比較例３では、図１８に示されるように配置された計９６個のショット領域を上記の表５に示すような計１８個のショット領域群に割り当て（ｍ_ｍａｘ＝６）、積層工程（１）の所要時間Ｔｄを０．８００秒、インプリント工程（Ｉｍ）の所要時間Ｔｉを１．２０秒に設定し、図３に示されるような従来のパターン形成方法２に従ってパターン形成を行っている。
従って、１つのショット領域当たりの待機工程（Ｍ）の所要時間は、０秒である。
そして、或るショット領域における積層工程（１）の完了からインプリント工程（Ｉｍ）の開始までのインターバル時間は、最小で３Ｔｄ＝２．４０秒、最大で５Ｔｉ＝６．００秒となる。
なお、比較例３におけるインプリント工程（Ｉｍ）の所要時間Ｔｉは、最小インターバル時間２．４０秒に対して、図１７に示されているインプリント工程（Ｉｍ）の所要時間Ｔｉとインターバル時間との関係から１．２０秒に設定されている。
従って、１ショット領域当たりのパターン形成時間（１ショットサイクル）は、０．８００＋１．２０＝２．００秒となり、９６ショット領域全ての領域において積層工程（１）からインプリント工程（Ｉｍ）完了させるのに１９２ｓｅｃかかることとなる。
なお、比較例３におけるモールドへの硬化性組成物（Ａ）の充填性は良好である。

次に比較例４では、図１８に示されるように配置された計９６個のショット領域を上記の表５に示すような計１８個のショット領域群に割り当て（ｍ_ｍａｘ＝６）、積層工程（１）の所要時間Ｔｄを０．８００秒、インプリント工程（Ｉｍ）の所要時間Ｔｉを０．８００秒に設定し、図３に示されるような従来のパターン形成方法２に従ってパターン形成を行っている。
従って、１つのショット領域当たりの待機工程（Ｍ）の所要時間は、０秒である。
そして、或るショット領域における積層工程（１）の完了からインプリント工程（Ｉｍ）の開始までのインターバル時間は、最小で３Ｔｄ＝２．４０秒、最大で５Ｔｉ＝４．００秒となる。
従って、１ショット領域当たりのパターン形成時間（１ショットサイクル）は、０．８００＋０．８０＝１．６０秒となり、９６ショット領域全ての領域において積層工程（１）からインプリント工程（Ｉｍ）完了させるのに１５４ｓｅｃかかることとなる。
なお、比較例４におけるモールドへの硬化性組成物（Ａ）の充填性は良好ではない。これは、比較例４におけるインプリント工程（Ｉｍ）の所要時間Ｔｉが、図１７に示されているインプリント工程（Ｉｍ）の所要時間Ｔｉとインターバル時間との関係において、最小インターバル時間２．４０秒に対応する時間１．２０秒より短い０．８００秒に設定されており、充填時間が不足していることにより充填不良が部分的に発生するからである。

表４に示されているように、第一または第二実施形態に係るパターン形成方法を用いた実施例１ないし３では、或るショット領域における積層工程（１）の完了からインプリント工程（Ｉｍ）の開始までのインターバル時間は、４．００秒ないし８．８０秒となっている。従って、積層工程（１）の完了からインプリント工程（Ｉｍ）の開始までにプレスプレッドの進行に十分なインターバル時間が得られている。
また、１ショット領域当たりのパターン形成時間（１ショットサイクル）が１．６３秒ないし１．７０秒と高スループット化を達成しているとともに、計９６個のショット領域に対して良好なパターンが得られ、高品質化も達成している。

一方、従来のパターン形成方法を用いた比較例１ないし３においては、１ショット領域当たりのパターン形成時間（１ショットサイクル）が２．００秒ないし３．７０秒と長くなってしまっていることがわかる。
また、従来のパターン形成方法を用いた比較例４においては、１ショット領域当たりのパターン形成時間（１ショットサイクル）は１．６０秒と短くなっているが、充填性は良好ではない。

以上のように、本実施形態に係るパターン形成方法を用いることで、高スループット且つ高品質な光ナノインプリント技術を提供することができる。
なお、本実施形態に係るパターン形成方法では、予め基板の表面上に硬化性組成物（Ａ２）を積層（塗布）して塗布膜を形成しておいてもよい。

ここで硬化性組成物（Ａ２）は、以下の点を除いて、上記の硬化性組成物（Ａ１）と同様の化合物であるため、同様の構成については説明を省略する。

重合性化合物である成分（ａ２）の硬化性組成物（Ａ２）における配合割合は、成分（ａ２）、成分（ｂ２）、成分（ｃ２）の合計重量、すなわち溶剤である成分（ｄ２）を除く硬化性組成物（Ａ２）の成分の合計重量に対して、５０重量％以上１００重量％以下であるとよい。また、好ましくは、８０重量％以上１００重量％以下であり、さらに好ましくは９０重量％より大きく１００重量％以下である。
そして、重合性化合物である成分（ａ２）の硬化性組成物（Ａ２）における配合割合を、成分（ａ２）、成分（ｂ２）、成分（ｃ２）の合計重量に対して５０重量％以上とすることにより、得られる硬化膜をある程度の機械的強度を有する硬化膜とすることができる。

また、硬化性組成物（Ａ２）は実質的に光反応性を有さないことが好ましい。このために、光重合開始剤である成分（ｂ２）の硬化性組成物（Ａ２）における配合割合は、成分（ａ２）、成分（ｂ２）、成分（ｃ２）の合計、すなわち溶剤成分（ｄ２）を除く全成分の合計重量に対して、０．１重量％未満が好ましい。換言すると、硬化性組成物（Ａ２）の光重合開始剤（ｂ２）の含有量が、重合性化合物（ａ２）１００重量部に対して０重量部以上０．１重量部未満であることが好ましい。また、さらに好ましくは、光重合開始剤である成分（ｂ２）の硬化性組成物（Ａ２）における配合割合は、成分（ａ２）、成分（ｂ２）、成分（ｃ２）の合計、すなわち溶剤成分（ｄ２）を除く全成分の合計重量に対して、０．０１重量％以下である。

また、硬化性組成物（Ａ２）は、成分（ｄ２）を含有することが好ましく、成分（ａ２）は溶剤である成分（ｄ２）を含む硬化性組成物（Ａ２）の成分の合計重量に対して、０．０１重量％以上１０重量％以下であるとよい。成分（ｄ２）としては、成分（ａ２）、成分（ｂ２）、成分（ｃ２）が溶解する溶剤であれば、特に限定はされない。好ましい溶剤としては常圧における沸点が８０℃以上２００℃以下の溶剤である。さらに好ましくは、エステル構造、ケトン構造、水酸基、エーテル構造のいずれかを少なくとも１つ有する溶剤である。具体的には、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、２－ヘプタノン、γ－ブチロラクトン、乳酸エチルから選ばれる単独、あるいはこれらの混合溶剤である。

また、硬化性組成物（Ａ２）の溶剤である成分（ｄ２）を除く成分の混合物の２５℃での粘度は、２０ｍＰａ・ｓ以上１００００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。また、より好ましくは、２０ｍＰａ・ｓ以上１０００ｍＰａ・ｓ以下である。

なお、溶剤である成分（ｄ２）を除く硬化性組成物（Ａ２）の表面張力は、溶剤である成分（ｄ１）を除く硬化性組成物（Ａ１）の表面張力より高いことが好ましい。型接触工程前に、後述するマランゴニ効果により硬化性組成物（Ａ１）のプレスプレッドが加速され（液滴が広範囲に広がり）、型接触工程中のスプレッドに要する時間が短縮され、結果として充填時間が短縮されるためである。

マランゴニ効果とは液体の表面張力の局所的な差に起因した自由表面移動の現象である（非特許文献２）。表面張力、つまり表面エネルギーの差を駆動力として、表面張力の低い液体が、より広い表面を覆うような拡散が生じる。つまり、基板全面に表面張力の高い硬化性組成物（Ａ２）を塗布しておき、表面張力の低い硬化性組成物（Ａ１）を滴下すれば、硬化性組成物（Ａ１）のプレスプレッドが加速されるのである。

このとき、硬化性組成物（Ａ２）を基板の表面上に配置する方法としては、例えば、インクジェット法、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート法、スリットスキャン法等を用いることができる。特に、スピンコート法が好ましい。
スピンコート法を用いて硬化性組成物（Ａ２）を基板の表面上に配置する場合、必要に応じてベーク工程を実施し、溶剤である成分（ｄ２）を揮発させても良い。
また、硬化性組成物（Ａ２）の平均膜厚は、硬化膜の使用する用途によっても異なるが、例えば、０．１ｎｍ以上１０，０００ｎｍ以下であり、好ましくは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、特に好ましくは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。

［半導体素子、電子部品及び光学機器の製造方法］
本実施形態に係るパターン形成方法で得た、例えば図１に示されるようなパターン形状を有する硬化膜１０６をマスクとして、基板１０１（基板１０１が被加工層を有する場合は被加工層）をエッチングなどの加工手段を用いてパターン状に加工することができる。
また、パターン形状を有する硬化膜１０６上にさらに被加工層を成膜した後に、エッチングなどの加工手段を用いてパターン転写を行っても良い。
このようにして、パターン形状を有する硬化膜１０６のパターン形状に基づく回路構造を基板１０１上に形成することができる。
これにより、半導体素子を製造することができる。また、この半導体素子と半導体素子の回路制御機構などとを接続することにより、ディスプレイ、カメラ、医療装置などの電子機器を形成することもできる。
ここでいう半導体素子とは、例えば、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ－ＲＤＲＡＭ、ＮＡＮＤフラッシュ等が挙げられる。

また本実施形態に係るパターン形成方法で得た、パターン形状を有する硬化膜１０６を回折格子や偏光板などの光学部材（光学部材の一部材として用いる場合を含む）として利用し、光学部品を得ることもできる。
このような場合、少なくとも、基板１０１と、この基板１０１上のパターン形状を有する硬化膜１０６とを有する光学部品とすることができる。

なお、好ましい実施形態について適宜図面を参照しながら詳細に説明してきたが、これらの実施形態に限定されず、趣旨を逸脱しない範囲で当業者の通常の知識に基づいて、これらの実施形態に対して適宜変更または変形等が加えられてもよい。

１０１ 基板
１０４ モールド
４０１ ショット領域
４０２、４０３、４０４ ショット領域群
４０５ 硬化性組成物（Ａ１）

Claims (13)

1. 基板上の複数のショット領域群に含まれる複数のショット領域にパターンを形成する方法であって、
   前記基板上の或るショット領域群に含まれる複数のショット領域に対して、少なくとも重合性化合物である成分（ａ１）を含む硬化性組成物（Ａ１）の液滴を離散的に滴下して積層する積層工程を実施するステップと、
   （ｍ_ｍａｘ－ｍ）×Ｔｄの時間（ここで、Ｔｄは１つのショット領域に対して前記積層工程を実施する時間、ｍは前記或るショット領域群に含まれるショット領域の数、ｍ_ｍａｘは各ショット領域群に含まれるショット領域の数の最大値）だけ待機工程を実施するステップと、
   前記複数のショット領域に対して前記積層工程を実施した順に、前記硬化性組成物（Ａ１）とモールドとを接触させる型接触工程と、前記モールドの側から光を照射することにより前記硬化性組成物（Ａ１）を硬化させる光照射工程と、前記硬化性組成物（Ａ１）の硬化物から前記モールドを引き離す離型工程とから構成されるインプリント工程を実施するステップと、
   を各ショット領域群に対してこの順序で行い、
   前記時間Ｔｄと１つのショット領域に対して前記インプリント工程を実施する時間Ｔｉとは互いに等しく、
   少なくとも一つのショット領域群に含まれるショット領域の数は、他の少なくとも一つのショット領域群に含まれるショット領域の数とは異なり、
   前記待機工程では、前記積層工程及び前記インプリント工程は実施されないことを特徴とする、基板上の複数のショット領域にパターンを形成する方法。
2. 基板上のｒ個（ｒは２以上）のショット領域群に含まれる複数のショット領域にパターンを形成する方法であって、
   前記基板上の第１のショット領域群に含まれる第１の複数のショット領域に対して、少なくとも重合性化合物である成分（ａ１）を含む硬化性組成物（Ａ１）の液滴を離散的に滴下して積層する積層工程を実施するステップと、
   （ｍ_ｍａｘ－ｍ_１）×Ｔｄの時間（ここで、Ｔｄは１つのショット領域に対して前記積層工程を実施する時間、ｍ_１は前記第１のショット領域群に含まれるショット領域の数、ｍ_ｍａｘは各ショット領域群に含まれるショット領域の数の最大値）だけ待機工程を実施するステップと、
   ｍ_ｍａｘ×Ｔｉの時間（ここで、Ｔｉは前記硬化性組成物（Ａ１）とモールドとを接触させる型接触工程と、前記モールドの側から光を照射することにより前記硬化性組成物（Ａ１）を硬化させる光照射工程と、前記硬化性組成物（Ａ１）の硬化物から前記モールドを引き離す離型工程とから構成されるインプリント工程を１つのショット領域に対して実施する時間）だけ前記待機工程を実施するステップと、
   をこの順序で行い、
   前記基板上の第ｋのショット領域群に含まれる第ｋの複数のショット領域に対して、前記積層工程を実施するステップと、
   （ｍ_ｍａｘ－ｍ_ｋ）×Ｔｄの時間（ここで、ｍ_ｋは前記第ｋのショット領域群に含まれるショット領域の数）だけ前記待機工程を実施するステップと、
   第ｋ－１の複数のショット領域に対して前記積層工程を実施した順に、前記インプリント工程を実施するステップと、
   （ｍ_ｍａｘ－ｍ_ｋ－１）×Ｔｉの時間だけ前記待機工程を実施するステップと、
   をこの順序で、ｋが２からｒまで順に行い、
   ｍ_ｍａｘ×Ｔｄの時間だけ前記待機工程を実施するステップと、
   第ｒのショット領域群に含まれる第ｒの複数のショット領域に対して前記積層工程を実施した順に、前記インプリント工程を実施するステップと、
   をこの順序で行い、
   前記時間Ｔｄと前記時間Ｔｉとは互いに等しく、
   前記待機工程では、前記積層工程及び前記インプリント工程は実施されないことを特徴とする、基板上の複数のショット領域にパターンを形成する方法。
3. 各ショット領域群に含まれる複数のショット領域は、互いに離間していることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
4. 所定のショット領域群に含まれる複数のショット領域のうちの少なくとも二つのショット領域は、互いに隣接していることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
5. 各ショット領域において、前記積層工程が完了してから前記インプリント工程が開始されるまでの時間は、１．５秒以上であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記基板は、表面に少なくとも重合性化合物（ａ２）を含む硬化性組成物（Ａ２）からなる層が積層されている基板であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記硬化性組成物（Ａ２）の光重合開始剤（ｂ２）の含有量が、前記重合性化合物（ａ２）１００重量部に対して０重量部以上０．１重量部未満であることを特徴とする請求項６に記載の方法。
8. 溶剤を除く前記硬化性組成物（Ａ２）の表面張力は、溶剤を除く前記硬化性組成物（Ａ１）の表面張力よりも大きいことを特徴とする請求項６または７に記載の方法。
9. 前記硬化性組成物（Ａ２）の２５℃における粘度は、２０ｍＰａ・ｓ以上１００００ｍＰａ・ｓ以下であることを特徴とする請求項６ないし８のいずれか一項に記載の方法。
10. 溶剤を除く前記硬化性組成物（Ａ１）の２５℃における粘度は、１ｍＰａ・ｓ以上４０ｍＰａ・ｓ未満であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に記載の方法。
11. 請求項１ないし１０のいずれか一項に記載のパターン形成方法により所定のパターン形状を有する膜を得るステップと、
    前記膜のパターン形状をマスクとして前記基板を加工するステップと、を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
12. 請求項１１に記載の半導体素子の製造方法により半導体素子を得るステップと、
    前記半導体素子と前記半導体素子を制御する制御機構とを接続するステップと、を有することを特徴とする電子機器の製造方法。
13. 請求項１ないし１０のいずれか一項に記載のパターン形成方法により所定のパターン形状を有する膜を得るステップを有することを特徴とする光学部品の製造方法。

Images