JP5002695B2 - 微細加工方法、微細加工装置、および微細加工プログラム - Google Patents
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Description
本実施の形態に係るナノインプリントにおいては、基板等の下地の上に、例えば、インクジェット法で液滴状のレジストドロップを2次元状に複数配置した後、それぞれのレジストドロップの上から、凹凸が形成されたテンプレートを押しつけて、下地上にナノメートルオーダのマスクパターンを形成する。レジストドロップの供給量は、電子デバイスのパターン設計等を考慮して決定される。
このルーチン中、パターン形成面と、テンプレートとのあいだの全レジストドロップの総量については、例えば、不変とする。すなわち、ルーチン中では、それぞれのレジストドロップの位置のみが変更される。
このようなフローによって、それぞれのレジストドロップがパターン形成面の上に適正に配置される。
テンプレート30によって押し付けられた各レジストドロップ20dは、下地10上で3次元的に変形し、下地10上にテンプレート30のパターンが転写される。この状態を、図3(a)に示す。
なお、以上のようにナノインプリント技術に基づいて形成されたレジストパターンは、半導体装置等、電子デバイスの製造を行う過程で用いることができる。例えば、前述のようにして形成されたレジストパターンについては、その後、そのレジストパターンをマスクにして、ドライエッチング技術等の所定の方法を用い、そのレジストパターンの下層に位置するシリコン材料等の被加工膜(所謂、下地層)を加工(例えば、パターンの形成等)することができる。本実施の形態では、例えば、その被加工膜は、前述のパターン形成面に対応させることができる。
最初に、ステップS10〜ステップS40に係る具体的な手順について説明する。
まず、ステップS10〜ステップS20のフローにおいて、パターン形成面25全域に必要とされるレジスト総量は、次に説明する第1入力データ、第2入力データ、第3入力データ、および第4入力データから決定される。
まず、パターン形成面25の始点26から、始点26に対向するパターン形成面25の短辺25aにまで、パターン形成面25の短辺25aに平行な第1ライン25−1に沿ってマスクパターン20pの密度を求める。次に、第1ライン25−1に隣接する第2ライン25−2に沿って、パターン形成面25の始点26が属される短辺25aから、対向する長辺25bにまで、マスクパターン20pの密度を求める。この繰り返し走査を、始点26から第Xライン25−Xの終点27まで実行する。これにより、パターン形成面25内のマスクパターン20pの疎密分布(被覆率分布)が求められる。
図5は、レジストドロップの揮発量分布を説明する立体図である。
図5(a)には、パターン形成面25内に分布されたレジストドロップが揮発した後の膜厚分布が立体的に示されている。
ナノインプリント中には、テンプレート30の端ほどレジストドロップが揮発し易い。従って、レジストドロップが揮発した後においては、図5(a)に示すように、中央部よりも端のほうがレジストドロップの膜厚が薄くなる可能性がある。
図6は、レジストドロップの入力値と供給量との換算を示す図である。
図8は、レジストドロップの初期配置を説明する図であり、(a)は、不等間隔の矩形領域を形成する図、(b)は、不等間隔の第1領域にレジストドロップを配置する図である。
図9は、各レジストドロップに最近接する領域の振り分けを説明するための図である。
評価値=(ひとつのレジストドロップの容量)/(第2領域45内に属する第1領域40それぞれについて決定された必要とされるレジスト量の合計)・・・(1)
ここで、「ひとつのレジストドロップの容量」とは、各第2領域40に存在しているそれぞれのレジストドロップ20dに相当する。
図10は、レジストドロップの配置更新のフローを説明するフローチャート図である。
先ず、それぞれのレジストドロップ20dの中、変更の対象であるレジストドロップを選択する(ステップS90a)。
図11では、多角形としては、三角形が例示されている。この三角形では、レジストドロップ20d−2、20d−3のそれぞれの中心点を2つの頂点としている。残りの頂点は、重心50を図心として、図中の頂点55が決定される。
この後、図2および図3で例示したナノインプリントを行えば、テンプレート30のパターン凹部にレジストドロップ20dの未充填が生じることはなく、均一な厚みの残膜厚が下地10上に形成される。すなわち、本実施の形態によれば、パターン形成面25内のレジストドロップ20dの配置が適正化され、高精度の微細加工が実現する。
図12は、微細加工装置のブロック構成図である。
微細加工装置100は、パターン形成面に複数のレジストドロップ20dを2次元状に配置し、凹凸が形成されたテンプレート30をそれぞれのレジストドロップ20dの上から押し付けてパターン形成面25にレジストパターンを形成する微細加工においてパターン形成面における前記複数のレジストドロップの位置を決定する微細加工装置である。
レジストドロップ20dの位置を変更する変更する手順は、図11に例示されたフローに従う。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
10a ブロック
20 レジスト層
20b 底面
20c 凹部
20d レジストドロップ
20p マスクパターン
20t 凸部
25 パターン形成面
25a 短辺
25b 長辺
26 始点
27 終点
28 矩形領域
30 テンプレート
30b 底面
30c 凹部
30t 凸部
40 第1領域
45 第2領域
50 重心
55 頂点
56 ベクトル線
57 移動ベクトル線
100 微細加工装置
110 演算部
120 記憶部
130 塗布部
Claims (10)
- パターン形成面に複数のレジストドロップを2次元状に配置し、凹凸が形成されたテンプレートをそれぞれの前記レジストドロップの上から押し付けて前記パターン形成面にレジストパターンを形成する微細加工方法であって、
1つの前記レジストドロップが占める面積よりも小さい複数の第1領域に前記パターン形成面を区分けし、前記第1領域ごとに必要とされるレジスト量を決定するステップと、
それぞれの前記レジスト量を足し合わせ、前記パターン形成面全域に必要とされるレジスト総量を決定するステップと、
前記レジスト総量を前記レジストドロップの容量で除算し、前記パターン形成面に配置する前記レジストドロップの総数を決定するステップと、
前記総数のレジストドロップのそれぞれについて前記パターン形成面における暫定的な位置を決定するステップと、
それぞれの前記第1領域を最も近接する前記レジストドロップに振り分け、前記レジストドロップごとに振り分けられた前記第1領域の集団をそれぞれ第2領域とし、前記第2領域ごとに前記パターン形成面を改めて区分けするステップと、
前記第2領域ごとに、ひとつの前記レジストドロップの容量を、前記第2領域内に属する前記第1領域のそれぞれについて決定された前記必要とされるレジスト量の合計で除算した値を決定するステップと、
前記除算した値の前記パターン形成面内における分布が目標とする範囲内にある場合は、すべての前記レジストドロップの位置を確定し、
前記除算した値の前記パターン形成面内における分布が前記目標とする範囲内にないときは、前記分布が前記目標とする範囲内に収まるまで、前記レジストドロップの少なくともいずれかの前記位置を変更するステップと、前記区分けするステップと、前記除算した値を決定するステップと、を繰り返すことを特徴とする微細加工方法。 - 前記暫定的な位置を決定するステップにおいては、
前記パターン形成面を第1方向に不等間隔に区分けする線、および前記パターン形成面を前記第1方向に垂直な第2方向に不等間隔に区分けする線によって囲まれたそれぞれの矩形領域内に前記レジストドロップを位置させることを特徴とする請求項1記載の微細加工方法。 - 前記矩形領域の面積が大きくなるほど、前記パターン形成面のパターン被覆率が低くなることを特徴とする請求項2記載の微細加工方法。
- 前記位置を変更するステップにおいては、
変更の対象である前記レジストドロップに最も近接する少なくとも1つの別のレジストドロップを選択し、
前記レジストドロップが所属する前記第2領域において決定された前記除算した値、および前記別のレジストドロップが所属する前記第2領域において決定された前記除算した値を重みに換算し、換算されたそれぞれの前記重みから、前記レジストドロップと前記別のレジストドロップとの重心を決定し、
前記重心を図心として、前記別のレジストドロップの位置を頂点に含む多角形を形成し、
前記レジストドロップを、前記別のレジストドロップの位置を除く前記多角形の頂点に向かって移動させることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の微細加工方法。 - 前記レジストドロップの位置を確定したのち、前記パターン形成面に複数の前記レジストドロップを2次元状に配置し、前記テンプレートをそれぞれの前記レジストドロップの上からに押し付けることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の微細加工方法。
- パターン形成面に複数のレジストドロップを2次元状に配置し、凹凸が形成されたテンプレートをそれぞれの前記レジストドロップの上から押し付けて前記パターン形成面にレジストパターンを形成する微細加工において前記パターン形成面における前記複数のレジストドロップの位置を決定する微細加工装置であって、
1つの前記レジストドロップが占める面積よりも小さい複数の第1領域に前記パターン形成面を区分けし、前記第1領域ごとに必要とされるレジスト量を決定する決定手段と、
それぞれの前記レジスト量を足し合わせ、前記パターン形成面全域に必要とされるレジスト総量を決定する決定手段と、
前記レジスト総量を前記レジストドロップの容量で除算し、前記パターン形成面に配置する前記レジストドロップの総数を決定する決定手段と、
前記総数のレジストドロップのそれぞれについて前記パターン形成面における暫定的な位置を決定する決定手段と、
それぞれの前記第1領域を最も近接する前記レジストドロップに振り分け、前記レジストドロップごとに振り分けられた前記第1領域の集団をそれぞれ第2領域とし、前記第2領域ごとに前記パターン形成面を改めて区分けする区分け手段と、
前記第2領域ごとに、ひとつの前記レジストドロップの容量を、前記第2領域内に属する前記第1領域のそれぞれについて決定された前記必要とされるレジスト量の合計で除算した値を決定する決定手段と、
前記除算した値の前記パターン形成面内における分布が目標とする範囲内にある場合は、すべての前記レジストドロップの位置を確定し、
前記除算した値の前記パターン形成面内における分布が前記目標とする範囲内にないときは、前記分布が前記目標とする範囲内に収まるまで、前記レジストドロップの少なくともいずれかの前記位置を変更する変更し、前記区分け手段と、前記除算した値を決定する決定手段と、を繰り返す繰り返し手段と、
を備えたことを特徴とする微細加工装置。 - 前記暫定的な位置を決定する前記決定手段は、前記パターン形成面を第1方向に不等間隔に区分けする線、および前記パターン形成面を前記第1方向に垂直な第2方向に不等間隔に区分けする線によって囲まれたそれぞれの矩形領域内に前記レジストドロップを位置させることを特徴とする請求項6記載の微細加工装置。
- 前記位置を変更する変更する手順は、
変更の対象である前記レジストドロップに最も近接する少なくとも1つの別のレジストドロップを選択し、
前記レジストドロップが所属する前記第2領域において決定された前記除算した値、および前記別のレジストドロップが所属する前記第2領域において決定された前記除算した値を重みに換算し、換算されたそれぞれの前記重みから、前記レジストドロップと前記別のレジストドロップとの重心を決定し、
前記重心を図心として、前記別のレジストドロップの位置を頂点に含む多角形を形成し、
前記レジストドロップを、前記別のレジストドロップの位置を除く前記多角形の頂点に向かって移動させることを特徴とする請求項6または7に記載の微細加工装置。 - 前記レジストドロップの位置を確定したのち、前記パターン形成面に複数の前記レジストドロップを2次元状に塗布する塗布手段をさらに備えたことを特徴とする請求項6〜8のいずれか1つに記載の微細加工装置。
- コンピュータに、
1つのレジストドロップが占める面積よりも小さい複数の第1領域にパターン形成面を区分けし、前記第1領域ごとに必要とされるレジスト量を決定するステップと、
それぞれの前記レジスト量を足し合わせ、前記パターン形成面全域に必要とされるレジスト総量を決定するステップと、
前記レジスト総量を前記レジストドロップの容量で除算し、前記パターン形成面に配置する前記レジストドロップの総数を決定するステップと、
前記総数のレジストドロップのそれぞれについて前記パターン形成面における暫定的な位置を決定するステップと、
それぞれの前記第1領域を最も近接する前記レジストドロップに振り分け、前記レジストドロップごとに振り分けられた前記第1領域の集団をそれぞれ第2領域とし、前記第2領域ごとに前記パターン形成面を改めて区分けするステップと、
前記第2領域ごとに、ひとつの前記レジストドロップの容量を、前記第2領域内に属する前記第1領域のそれぞれについて決定された前記必要とされるレジスト量の合計で除算した値を決定するステップと、
前記除算した値の前記パターン形成面内における分布が目標とする範囲内にある場合は、すべての前記レジストドロップの位置を確定し、
前記除算した値の前記パターン形成面内における分布が前記目標とする範囲内にないときは、前記分布が前記目標とする範囲内に収まるまで、前記レジストドロップの少なくともいずれかの前記位置を変更するステップと、前記区分けするステップと、前記除算した値を決定するステップと、を繰り返すことを実行させることを特徴とする微細加工プログラム。
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