JP5462903B2 - 滴状体配置方法、パターン形成方法、滴状体配置プログラム、滴状体配置装置、およびテンプレートのパターンの設計方法 - Google Patents

Description

後述する実施形態は、概ね、滴状体配置方法、パターン形成方法、滴状体配置プログラム、滴状体配置装置、およびテンプレートのパターンの設計方法に関する。

インプリント法は、テンプレート（スタンパ、モールド、原版などとも称される）を被転写体に押し当てて、テンプレートに形成されたパターンを被転写体に転写する技術である。
この様なインプリント法においては、凸形状を有するテンプレートを用いることで被転写体である樹脂の流動性を向上させる技術が提案されている。
しかしながら、一般的には、テンプレートに形成されたパターンの密度は一様ではない。そのため、単に凸形状を有するテンプレートを用いるようにしても被転写体の量に局所的な過不足が生じ、転写性が悪化するおそれがある。

特開２０１０−２４０９２８号公報

本発明が解決しようとする課題は、転写性を向上させることができる滴状体配置方法、パターン形成方法、滴状体配置プログラム、滴状体配置装置、およびテンプレートのパターンの設計方法を提供することである。

実施形態に係る滴状体配置方法は、テンプレートに形成されたパターンを転写する際に、基体のパターンを形成する面に複数の滴状体を配置する滴状体配置方法である。そして、前記基体のパターンを形成する面を１つの前記滴状体が占める面積よりも小さい複数の第１領域に区分けし、前記第１領域ごとに必要とされる前記滴状体の量を求める工程と、各第１領域における前記滴状体の量を足し合わせ、前記基体のパターンを形成する面の全域において必要となる前記滴状体の量の総量を求める工程と、前記滴状体の量の総量を前記滴状体の量で除算し、前記基体のパターンを形成する面に配置する前記滴状体の総数を求める工程と、前記テンプレートの接触形態に応じて、前記基体のパターンを形成する面における暫定的な前記滴状体の配置を求める工程と、各第１領域を最も近接する前記滴状体に振り分け、前記滴状体ごとに振り分けられた前記第１領域の集団を第２領域とし、前記基体のパターンを形成する面を前記第２領域により改めて区分けする区分け工程と、前記第２領域ごとに、１つの前記滴状体の量を、前記第２領域内に属する前記第１領域のそれぞれについて求めた必要となる前記滴状体の量の合計で除算して評価値を求める評価値算出工程と、を備えている。そして、前記基体のパターンを形成する面における前記評価値の分布が目標とする範囲内にある場合には、すべての前記滴状体の位置を確定し、前記基体のパターンを形成する面における前記評価値の分布が目標とする範囲内にない場合には、前記評価値の分布が目標とする範囲内に収まるまで、少なくともいずれかの前記滴状体の位置を変更する工程と、前記区分け工程と、前記評価値算出工程と、を繰り返し行う。

第１の実施形態に係る滴状体配置方法を例示するためのフローチャートである。 滴状体の量の総量を求める手順について例示するためのブロック図である。 テンプレートに形成されたパターンの疎密分布の算出について例示するための模式図である。 滴状体の量の入力値と滴状体の供給量との関係を例示するための模式グラフ図である。 テンプレートの接触形態が点接触である場合の初期配置について例示するための模式図である。 テンプレートの接触形態が点接触である場合における滴状体の初期配置の態様を例示するための模式図である。 テンプレートの接触形態が線接触である場合の初期配置について例示するための模式図である。 テンプレートの接触形態が線接触である場合における滴状体の初期配置の態様を例示するための模式図である。 テンプレートの接触形態が面接触である場合の初期配置について例示するための模式図である。 テンプレートの接触形態が面接触である場合における滴状体の初期配置の態様を例示するための模式図である。 パターンを形成する面を第２領域により区分けする手順について例示するための模式図である。 滴状体の配置更新の手順を例示するためのフローチャートである。 滴状体の配置更新の手順を例示するための概念図である。 パターンの形成を例示するための模式工程断面図である。 パターンの形成を例示するための模式工程断面図である。 第２の実施形態に係る滴状体配置装置について例示するための模式図である。 パターン形成部を例示するための模式図である。 第４の実施形態に係るテンプレートのパターンの設計方法について例示をする。

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
[第１の実施形態]
図１は、第１の実施形態に係る滴状体配置方法を例示するためのフローチャートである。 本実施の形態に係る滴状体配置方法は、テンプレートに形成されたパターンを転写する際に、基体のパターンを形成する面に複数の滴状体を２次元状に配置するものである。本実施の形態では、基体として、例えば、半導体等のウェーハやガラス基板などが用いられ、パターンを形成する面に配置される複数の滴状体には、例えば、所謂レジストのドロップ体が用いられる。このレジストのドロップ体の材料には、光（紫外線光等）硬化性樹脂を用いることができる。また、例えば、本実施の形態に係る滴状体配置方法を用いて各滴状体の位置を求め、求められた各滴状体の位置に基づいて、下地である基体の上に滴状体を２次元状に複数配置する。そして、配置された複数の滴状体にテンプレートを押しつけて、テンプレートに形成されたパターンを滴状体から形成された被転写体に転写する。
なお、図１においては、本実施の形態に係る滴状体配置方法の概略を例示するものとし、各ステップにおける内容の詳細については後述する。

まず、基体のパターンを形成する面を１つの滴状体が占める面積よりも小さい複数の第１領域に区分けし、第１領域ごとに必要とされる滴状体の量（容量）を求める（ステップＳ１０）。
形成したいパターンの密度は一様であるとは限らないので、微小領域である第１領域ごとにパターンの密度を求め、求められたパターンの密度と、後述する他のデータとを用いて滴状体の量を求める。このように、第１領域ごとにパターンの密度を求めることでパターンの疎密に対応できるようにする。
第１領域は、例えば、５μｍ×５μｍ程度の領域とすることができる。
次に、各第１領域における滴状体の量を足し合わせ、パターンを形成する面の全域において必要となる滴状体の量の総量を求める（ステップＳ２０）。
次に、滴状体の量の総量を滴状体の量で除算し、パターンを形成する面に配置する滴状体の総数を求める（ステップＳ３０）。

次に、基体のパターンを形成する面における暫定的な滴状体の配置を求める（ステップＳ４０）。
暫定的な滴状体の配置を求める際には、テンプレートとパターンを形成する面とが接触すると仮定した場合の接触形態（以下、単にテンプレートの接触形態と称する）を考慮する。すなわち、テンプレートの接触形態（点接触、線接触、面接触）に応じて、基体のパターンを形成する面における暫定的な滴状体の配置を求める。
この場合、テンプレートを意図的に変形させることで、テンプレートの接触形態を選択したり、制御したりすることができる。例えば、テンプレートのパターンが形成されている側とは反対側の面を押圧して、テンプレートを基体側に向けて突出させる（例えば円錐形状に突出させる等のことが可能である。）ことで、テンプレートの接触形態を選択したり、制御したりすることができる。
なお、円形状の基体に感光性の樹脂材料を塗布し、パターンを形成するべく、基体の中心と位置を合わせるようにして、その樹脂にテンプレートの突出した部分を押し付けるパターン形成技術がある。そのようなものの一例としては、前述の[特許文献１]として掲載した公開番号：特開２０１０−２４０９２８号公報に記載されている微細パターンの形成技術が挙げられる。
なお、以下においては、最初の暫定的な滴状体の配置を滴状体の「初期配置」と呼称する。
次に、各第１領域を最も近接する滴状体に振り分け、滴状体ごとに振り分けられた第１領域の集団（第１領域の集まり）を第２領域とする。そして、パターンを形成する面を第２領域により改めて区分けする（ステップＳ５０）。

次に、第２領域ごとに、１つの滴状体の量を、第２領域内に属する第１領域のそれぞれについて求めた必要となる滴状体の量の合計で除算した値（評価値）を求める（ステップＳ６０）。
この除算した値（評価値）の算出は、各第２領域ごとに行われる。
なお、以下においては、この除算した値を「評価値」と呼称する。
この場合、評価値が「１」となれば、評価対象となった第２領域における滴状体の量が最適であることが分かる。すなわち、最適な滴状体の配置となっていると評価することができる。
評価値が「１」を超えれば、評価対象となった第２領域における滴状体の量が過多であることが分かる。
評価値が「１」未満となれば、評価対象となった第２領域における滴状体の量が過少であることが分かる。
この場合、滴状体の量が不足している第２領域では、テンプレートのパターンの凹部に未充填となる部分が生じたり、後述する残膜の厚み寸法が薄くなりすぎたりするおそれがある。逆に、滴状体の量が多い第２領域では、後述する残膜の厚み寸法が厚くなりすぎるおそれがある。

次に、パターンを形成する面における評価値の分布が目標とする範囲内にあるか否かを判断する（ステップＳ７０）。
すなわち、各第２領域ごとに、滴状体の量が不足しているか、過多であるかの判断を行う。
なお、以下においては、この判断を「危険点評価」と呼称する。
この場合、評価値の分布が目標とする範囲内に収まっているか否かの指標として、例えば、評価値の最大値と最小値との差、評価値と「１」との差の絶対値の最大値、標準偏差などを用いることができる。

次に、パターンを形成する面における評価値の分布が目標とする範囲内にある場合には、すべての滴状体の位置を確定する（ステップＳ８０）。
パターンを形成する面における評価値の分布が目標とする範囲内にない場合には、評価値の分布が目標とする範囲内に収まるまで、少なくともいずれかの滴状体の位置を変更する工程と、区分け工程（ステップＳ５０）と、評価値算出工程（ステップＳ６０）と、を繰り返し行う（ステップＳ９０）。
なお、以下においては、この位置の変更を滴状体の「配置更新」と呼称する。
配置更新では、少なくともいずれかの滴状体の位置が変更される。
そして、ステップＳ５０→ステップＳ６０→ステップＳ７０→ステップＳ９０のルーチンが、評価値の分布が目標とする範囲内に収まるまで繰り返される。

このルーチン中、パターンを形成する面と、テンプレートとの間の滴状体の総量については不変とする。すなわち、このルーチン中では、滴状体の位置のみが変更される。
そして、パターンを形成する面における評価値の分布が目標の範囲内に収まったときには、全ての滴状体の位置を確定させる（ステップＳ８０）。
このような工程によって、パターンを形成する面における各滴状体の適正な位置を求めることができる。

そして、求められた各滴状体の位置に基づいて基体の上にインクジェット法などを用いて滴状体を２次元状に複数配置し、配置された複数の滴状体にテンプレートを押しつけて、テンプレートに形成されたパターンを滴状体から形成された被転写体に転写する。
この様にすれば、パターンを形成する面における滴状体の量に局所的な過不足が生じることを抑制することができる。そのため、転写性を向上させることができる。

次に、前述した各ステップにおける内容を詳細に説明する。
まず、前述したステップＳ２０において、必要となる滴状体の量の総量を求める手順について例示する。
図２は、滴状体の量の総量を求める手順について例示するためのブロック図である。 図２中の滴状体の量を表す各ブロックの横方向の長さは、パターンを形成する面の長手方向の長さに対応している。

また、ブロック２０ａ−１は、第１入力データ、第２入力データから算出された滴状体の量の総量を表している。
第１入力データは、例えば、テンプレートに形成されたパターンの高さ寸法、後述する残膜の厚み寸法などとすることができる。すなわち、第１入力データは、例えば、テンプレートに形成されるパターンの設計データなどから抽出されたデータとすることができる。 第２入力データは、例えば、テンプレートに形成されたパターンの疎密分布、またはパターンの被覆率分布などとすることができる。

ブロック２０ａ−２は、第３入力データから算出された滴状体の量の補正量を表している。
第３入力データは、例えば、パターンを形成する面における滴状体の量の面内補正に関するデータとすることができる。面内補正に関するデータとしては、例えば、パターンを形成する面に設けられた段差の寸法、パターンを形成する面の表面状態、滴状体の揮発量分布などとすることができる。

ブロック２０ａ−３は、第４入力データから算出された滴状体の量の補正量を表している。
第４入力データは、例えば、インクジェット装置などの吐出装置のノズルの特性や個体差などに起因する滴状体の量の補正値に関するデータとすることができる。
そして、第１入力データと第２入力データ（例えば、パターンの設計データから抽出されたパターンの寸法に関するデータ、パターンの設計データから抽出されたパターンの疎密分布またはパターンの被覆率分布に関するデータ）から算出された各滴状体の量と、第３入力データと第４入力データ（例えば、基体のパターンを形成する面における滴状体の量の面内補正に関するデータ、および、吐出装置に起因する滴状体の量の補正に関するデータの少なくともいずれかのデータ）から算出された各滴状体の量の補正値とに基づいて、パターンを形成する面の全域において必要となる滴状体の量の総量を求める。

ブロック２０ａは、パターンを形成する面の全域において必要となる滴状体の量の総量を表している。すなわち、第１入力データ、第２入力データから算出された滴状体の量（ブロック２０ａ−１）と、第３入力データから算出された滴状体の量の補正量（ブロック２０ａ−２）と、第４入力データから算出された滴状体の量の補正量（ブロック２０ａ−３）とを足し合わせることで、パターンを形成する面の全域において必要となる滴状体の量の総量（ブロック２０ａ）を算出することができる。
なお、第３入力データから算出された滴状体の量の補正量（ブロック２０ａ−２）と、第４入力データから算出された滴状体の量の補正量（ブロック２０ａ−３）とは必ずしも必要ではなく、必要に応じて用いるようにすればよい。

ここで、第２入力データに関してさらに詳細に例示をする。
パターンが疎であるか密であるかは、パターンの被覆率の高低よって判別することができる。パターンの被覆率とは、パターンを形成する面の単位面積あたりにおいて、形成された被転写体がパターンを形成する面を被覆する割合である。
この場合、第２入力データとして、テンプレートに形成されたパターンの疎密分布を選択してもよい。パターンを形成する面に形成されたパターンの疎密分布と、テンプレートに形成されたパターンの疎密分布とは、実質的に同じだからである。
なお、以下においては、一例として、テンプレートに形成されたパターンの疎密分布を例に挙げて説明する。

図３は、テンプレートに形成されたパターンの疎密分布の算出について例示するための模式図である。
なお、図３（ａ）はテンプレートに形成されたパターンの疎密分布の状態を例示するための模式図である。図３（ａ）においては、色の濃い部分ほどパターンの密度が高くなっている（パターンが密となっている）。また、色の淡い部分ほどパターンの密度が低くなっている（パターンが疎となっている）。
図３（ｂ）は、パターンの疎密分布の算出手順を概念的に表した図である。

図３（ａ）に示すように、テンプレートに形成されたパターンには疎密分布がある。すなわち、パターンにおける凹凸が密集している部分ほどパターンの密度が高くなる。
パターンに疎密分布がある場合には、例えば、図３（ｂ）に示すような手順でパターンの疎密分布を算出することができる。
パターンの疎密分布を算出する場合には、パターンが形成された面を前述した第１領域に区分けし、各第１領域ごとにパターンの密度を算出する。この場合、第１領域内においてもパターンの疎密分布が生ずる場合がある。そのため、パターンの疎密分布を算出する場合には、各第１領域ごとにパターンの密度の平均値を求め、求められた平均値を当該第１領域におけるパターンの密度とする。
まず、算出の始点２６側から始点２６に対向する側の辺２５ｂに向けて、辺２５ａに平行な第１ライン２５−１に沿って、各第１領域におけるパターンの密度を算出する。

次に、始点２６側から始点２６に対向する側の辺２５ｂに向けて、第１ライン２５−１に隣接する第２ライン２５−２に沿って、各第１領域におけるパターンの密度を算出する。 この様な算出を第Ｘライン２５−Ｘの終点２７側まで実行する。
これにより、テンプレートに形成されたパターンの疎密分布（または、被覆率分布）を算出することができる。

なお、図３（ｂ）は、パターンの疎密分布の算出手順を概念的に表した図であり、必ずしも走査するようにしてパターンの疎密分布を算出する必要はない。例えば、テンプレートに形成するパターンの凹凸のデータと、凹凸が形成される位置のデータとを設計データなどから抽出し、これらに基づいてパターンの疎密分布を算出するようにしてもよい。

次に、第３入力データに関してさらに詳細に例示をする。
前述したように、第３入力データは、例えば、パターンを形成する面に設けられた段差の寸法、パターンを形成する面の表面状態、滴状体の揮発量分布などとすることができる。これらのうち、パターンを形成する面に設けられた段差の寸法、パターンを形成する面の表面状態は、基体の仕様や設計データなどから抽出することができる。
また、滴状体の揮発量分布については、実験やシミュレーションを行うことで知ることができる。

次に、第４入力データに関してさらに詳細に例示をする。
前述したように、第４入力データは、例えば、インクジェット装置などの吐出装置のノズルの特性や個体差などに起因する滴状体の量の補正値に関するデータとすることができる。
図４は、滴状体の量の入力値と滴状体の供給量との関係を例示するための模式グラフ図である。
なお、図４における横軸は滴状体の量の入力値（指示値）であり、縦軸は滴状体の供給量（実際に供給された滴状体の量）である。
また、図４におけるＡは滴状体の量の入力値と滴状体の供給量とが一致する場合、Ｂは滴状体の量の入力値と滴状体の供給量とにズレが生じている場合である。

滴状体の量の入力値と滴状体の供給量とにズレが生じている場合には、滴状体の量の入力値と滴状体の供給量との差を第４入力データとすることができる。そして、第４入力データを用いて滴状体の量を補正することができる。例えば、滴状体の量の入力値と滴状体の供給量との差を考慮して滴状体の量を補正することができる。この場合、滴状体の量の入力値と滴状体の供給量との関係は、例えば、実験やシミュレーションなどを行うことで知ることができる。
以上に例示をしたように、第１領域ごとにパターンの密度を求め、求められたパターンの密度と、前述した他のデータとを用いて第１領域ごとに必要とされる滴状体の量を求めるようにしている。そのため、求められた第１領域ごとに必要とされる滴状体の量は、パターンの疎密が考慮されたものとなる。
その結果、評価値もパターンの疎密が考慮されたものとなる。

次に、前述したステップＳ４０において、滴状体の初期配置を求める手順についてさらに詳細に例示をする。
基体の上に配置された滴状体にテンプレートが接触する際の接触形態には、点接触、線接触、面接触がある。この接触形態の違いは、例えば、テンプレートが有する形態、テンプレートの変形、滴状体にテンプレートを押しつける装置の特性や個体差などにより生じる。なお、テンプレートの変形は、テンプレートが変形している場合もあるし、テンプレートを意図的に変形させる場合もある。

ここで、本発明者らが得た知見によれば、テンプレートの接触形態が異なると、滴状体にテンプレートを押しつけた際に滴状体が流動する方向が異なるものとなる。
そのため、滴状体の初期配置を求める際には、テンプレートの接触形態（点接触、線接触、面接触）を考慮している。

まず、テンプレートの接触形態が点接触である場合の初期配置について例示する。
図５は、テンプレートの接触形態が点接触である場合の初期配置について例示するための模式図である。
テンプレートの接触形態が点接触である場合には、接触点１００を中心とする同心円状の層１０１ａ〜１０１ｆの上に滴状体２０ｄを配置する。
そして、各層１０１ａ〜１０１ｆの間の距離Ｌａがそれぞれ同じになるようにし、各層１０１ａ〜１０１ｆ内において隣接する滴状体２０ｄの中心間距離Ｌｂがそれぞれ同じになるようにする。さらに、距離Ｌａと中心間距離Ｌｂとが同じになるようにする。

また、テンプレートの接触形態が点接触である場合には、滴状体２０ｄにテンプレートを押しつけた際に滴状体２０ｄは接触点１００を中心として放射方向に流動する。すなわち、テンプレートと滴状体２０ｄとの接触面積を、接触点１００からテンプレートの外方に向けて広げていくにつれて、滴状体２０ｄは、接触点１００と滴状体２０ｄの中心を結ぶ方向であって、テンプレートの外方に向けて流動する。
そのため、各層１０１ａ〜１０１ｆに設けられた各滴状体２０ｄの流動の中心（例えば、図５中の矢印１０２ａ〜１０２ｃ）がそれぞれ重ならないようにしている。
ここでは、滴状体２０ｄにテンプレートが押しつけられると、その押しつける力によって、滴状体２０ｄはテンプレートの外方に向けて流動する。そして、そこでは、空気もテンプレートの外方に向けて排出されていくことになる。よって、テンプレートが滴状体２０ｄ内に押し付けられたときには、滴状体２０ｄの空気が残ることが抑制され、テンプレートのパターン内に滴状体２０ｄが充填されることになる。

すなわち、テンプレートの接触形態が点接触である場合には、接触点１００を中心とし等間隔に設けられた複数の同心円状の層１０１ａ〜１０１ｆの上に、滴状体２０ｄを等間隔に配置する。また、滴状体２０ｄの中心間距離Ｌｂと、同心円状の層１０１ａ〜１０１ｆの間隔（距離Ｌａ）とが等しくなるようにする。そして、接触点１００から各滴状体２０ｄの中心を通り、基体のパターンを形成する面２５の外方に向かう線分がそれぞれ重ならないようにする。

なお、パターンを形成する面２５に配置する滴状体２０ｄの総数は、ステップＳ３０において求められた数である。また、距離Ｌａと中心間距離Ｌｂは、滴状体２０ｄの総数、パターンを形成する面２５の寸法や面積などから算出することができる。

図６（ａ）〜（ｅ）は、テンプレートの接触形態が点接触である場合における滴状体の初期配置の態様を例示するための模式図である。
なお、滴状体２０ｄの記載は省略し、滴状体２０ｄを設ける同心円状の層１０１のみを記載している。
図６（ａ）は矩形状のテンプレート３０の中心が接触点１００となる場合、図６（ｂ）は円形状のテンプレート３０の中心が接触点１００となる場合、図６（ｃ）は矩形状のテンプレート３０の周縁が接触点１００となる場合、図６（ｄ）は矩形状のテンプレート３０の角部近傍が接触点１００となる場合、図６（ｅ）は円形状のテンプレート３０の周縁近傍が接触点１００となる場合である。
なお、ここでは、基体が磁気記憶用ハードディスク等の記憶用媒体である場合にも、本実施の形態を実施することができる。その場合、記憶用媒体の一例としてハードディスクを用い、その記憶面にパターンを形成する場合に使用することができる。ハードディスクでも、円形状を有しているものがあり、その場合、前述した本実施の形態のような要領で、レジスト材等の滴状体の配置を行えば、同様の効果を得ることができる。

次に、テンプレートの接触形態が線接触である場合の初期配置について例示する。
図７は、テンプレートの接触形態が線接触である場合の初期配置について例示するための模式図である。
テンプレートの接触形態が線接触である場合には、接触線１１０に平行な層１１１ａ〜１１１ｄの上に滴状体２０ｄを配置する。
そして、各層１１１ａ〜１１１ｄの間の距離Ｌａ１がそれぞれ同じになるようにし、各層１１１ａ〜１１１ｄ内において隣接する滴状体２０ｄの中心間距離Ｌｂ１がそれぞれ同じになるようにする。さらに、距離Ｌａ１と中心間距離Ｌｂ１とが同じになるようにする。

また、テンプレートの接触形態が線接触である場合には、滴状体２０ｄにテンプレートを押しつけた際に滴状体２０ｄは接触線１１０に垂直な方向であって、テンプレートの外方に向けて流動する。
すなわち、テンプレートと滴状体２０ｄとの接触面積を、接触線１１０から接触線１１０に垂直な方向であり、かつテンプレートの外方となる方向に広げていくにつれて、滴状体２０ｄは、接触点１００と滴状体２０ｄの中心を結ぶ方向であって、テンプレートの外方に向けて流動する。
そのため、各層１１１ａ〜１１１ｄに設けられた各滴状体２０ｄの流動の中心（例えば、図７中の矢印１１２ａ〜１１２ｅ）がそれぞれ重ならないようにしている。
ここでは、滴状体２０ｄにテンプレートが押しつけられると、その押しつける力によって、滴状体２０ｄはテンプレートの外方に向けて流動する。そして、そこでは、空気もテンプレートの外方に向けて排出されていくことになる。よって、テンプレートが滴状体２０ｄ内に押し付けられたときには、滴状体２０ｄの空気が残ることが抑制され、テンプレートのパターン内に滴状体２０ｄが充填されることになる。

すなわち、テンプレートの接触形態が線接触である場合には、接触線１１０を中心とし接触線１１０と平行かつ等間隔に設けられた複数の線状の層１１１ａ〜１１１ｄの上に、滴状体２０ｄを等間隔に配置する。また、滴状体２０ｄの中心間距離Ｌｂ１と、線状の層１１１ａ〜１１１ｄの間隔（距離Ｌａ１）とが等しくなるようにする。そして、線状の層１１１ａ〜１１１ｄに垂直であって、各滴状体２０ｄの中心から基体のパターンを形成する面２５の外方に向かう線分がそれぞれ重ならないようにする。

なお、パターンを形成する面２５に配置する滴状体２０ｄの総数は、ステップＳ３０において求められた数である。また、距離Ｌａ１と中心間距離Ｌｂ１は、滴状体２０ｄの総数、パターンを形成する面２５の寸法や面積などから算出することができる。

図８（ａ）〜（ｄ）は、テンプレートの接触形態が線接触である場合における滴状体の初期配置の態様を例示するための模式図である。
なお、滴状体２０ｄの記載は省略し、滴状体２０ｄを設ける平行線状の層１１１のみを記載している。
図８（ａ）は矩形状のテンプレート３０の中心を通る線が接触線１１０となる場合、図８（ｂ）は円形状のテンプレート３０の中心を通る線が接触線１１０となる場合、図８（ｃ）は矩形状のテンプレート３０の中心を通らない線が接触線１１０となる場合、図８（ｄ）は円形状のテンプレート３０の中心を通らない線が接触線１１０となる場合である。
このように、テンプレートの接触形態が線接触である場合に、矩形状、あるいは円形状のテンプレートを用いることができる。ここで、矩形状のテンプレートを用いる場合には、その外周辺の一方から、それに対向するもう一つの外周辺に向けて、テンプレートと配置された滴状体２０ｄとの接触面積を広げていき、その方向に滴状体２０ｄが流動するようにして、押し付けていくことができる。矩形状のテンプレートでは、その一方の角に位置する部分から、それに対向するもう一つの角に向けて、テンプレートと配置された滴状体２０ｄとの接触面積を広げていき、その方向に滴状体２０ｄが流動するようにして、押し付けていくことができる。また円形状のテンプレートを用いる場合には、その円周上の一部分から、それに対向するもう一方の円周上の部分に向けて、テンプレートと配置された滴状体２０ｄとの接触面積を広げていき、その方向に滴状体２０ｄが流動するようにして、押し付けていくことができる。
また、テンプレートの接触形態が線接触である場合に、矩形状、円形状の両方において、テンプレートを折り曲げるようにして撓め、その折り曲げられた先端の部分から線接触させ、その両側外方に向けてテンプレートと配置された滴状体２０ｄとの接触面積を広げていき、その方向に滴状体２０ｄが流動するようにして、押し付けていくことができる。

次に、テンプレートの接触形態が面接触である場合の初期配置について例示する。
図９は、テンプレートの接触形態が面接触である場合の初期配置について例示するための模式図である。
テンプレートの接触形態が面接触である場合には、接触面１２０の輪郭と相似な層１２１ａ〜１２１ｅの上に滴状体２０ｄを配置する。
そして、各層１２１ａ〜１２１ｅの間の距離Ｌａ２がそれぞれ同じになるようにし、各層１２１ａ〜１２１ｅ内において隣接する滴状体２０ｄの中心間距離Ｌｂ２がそれぞれ同じになるようにする。さらに、距離Ｌａ２と中心間距離Ｌｂ２とが同じになるようにする。

また、テンプレートの接触形態が面接触である場合には、滴状体２０ｄにテンプレートを押しつけた際に滴状体２０ｄは接触面１２０の図心（図形の中心）と滴状体２０ｄの中心を結ぶ方向であって、テンプレートの外方に向けて流動する。
すなわち、テンプレートと滴状体２０ｄとの接触面積を、接触面１２０からテンプレートの外方に向けて広げていくにつれて、滴状体２０ｄは、接触面１２０と滴状体２０ｄの中心を結ぶ方向であって、テンプレートの外方に向けて流動する。
そのため、各層１２１ａ〜１２１ｅに設けられた各滴状体２０ｄの流動の中心（例えば、図９中の矢印１２２ａ〜１２２ｃ）がそれぞれ重ならないようにしている。
ここでは、滴状体２０ｄにテンプレートが押しつけられると、その押しつける力によって、滴状体２０ｄはテンプレートの外方に向けて流動する。そして、そこでは、空気もテンプレートの外方に向けて排出されていくことになる。よって、テンプレートが滴状体２０ｄ内に押し付けられたときには、滴状体２０ｄの空気が残ることが抑制され、テンプレートのパターン内に滴状体２０ｄが充填されることになる。

すなわち、テンプレートの接触形態が面接触である場合には、接触面１２０を中心とし等間隔に設けられた複数の接触面１２０の輪郭と相似な層１２１ａ〜１２１ｅの上に、滴状体２０ｄを等間隔に配置する。また、滴状体２０ｄの中心間距離Ｌｂ２と、接触面１２０の輪郭と相似な層１２１ａ〜１２１ｅの間隔（距離Ｌａ２）とが等しくなるようにする。そして、接触面１２０の図心から各滴状体２０ｄの中心を通り、基体のパターンを形成する面２５の外方に向かう線分がそれぞれ重ならないようにする。

なお、パターンを形成する面２５に配置する滴状体２０ｄの総数は、ステップＳ３０において求められた数である。また、距離Ｌａ２と中心間距離Ｌｂ２は、滴状体２０ｄの総数、パターンを形成する面２５の寸法や面積などから算出することができる。

図１０（ａ）、（ｂ）は、テンプレートの接触形態が面接触である場合における滴状体の初期配置の態様を例示するための模式図である。
なお、滴状体２０ｄの記載は省略し、滴状体２０ｄを設ける相似な層１２１のみを記載している。
図１０（ａ）は矩形状のテンプレート３０の中央領域が接触面１２０となる場合、図１０（ｂ）は円形状のテンプレート３０の周縁領域が接触面１２０となる場合である。

次に、前述したステップＳ５０において、パターンを形成する面２５を第２領域により区分けする手順についてさらに詳細に例示をする。
図１１は、パターンを形成する面を第２領域により区分けする手順について例示するための模式図である。
図１１は、前述したステップＳ１０においてパターンを形成する面２５を複数の第１領域４０に区分けし、ステップＳ４０においてパターンを形成する面２５に滴状体２０ｄを初期配置した状態を表している。

それぞれの第１領域４０を最も近接する滴状体２０ｄに振り分け、滴状体２０ｄごとに振り分けられた第１領域４０の集団をそれぞれ第２領域４５とする。
すなわち、ステップＳ５０においては、パターンを形成する面２５を第２領域４５により改めて区分けする。

例えば、第１領域４０−１は、滴状体２０ｄ−１に最も近接している。そのため、第１領域４０−１は、滴状体２０ｄ−１に振り分けられる第２領域４５−１に属する。
一方、第１領域４０−２は、滴状体２０ｄ−１ではなく、滴状体２０ｄ−２に最も近接している。そのため、第１領域４０−２は、滴状体２０ｄ−２に振り分けられる第２領域４５−１に属する。
また、第１領域４０−３は、滴状体２０ｄ−３に最も近接している。そのため、第１領域４０−３は、滴状体２０ｄ−３に振り分けられる第２領域４５−３に属する。
このように、各第１領域４０を最も近接する滴状体２０ｄに振り分け、滴状体２０ｄごとに振り分けられた第１領域４０の集団を第２領域４５とする。このような振り分けは、パターンを形成する面２５内のすべての第１領域４０について行う。

次に、前述したステップＳ６０において、評価値を求める手順についてさらに詳細に例示をする。
評価値は、以下の（１）式により表すことができる。

評価値＝（１つの滴状体の量）／（第２領域４５内に属する第１領域４０のそれぞれについて求められた必要となる滴状体の量の合計）・・・（１）

ここで、「１つの滴状体の量」とは、各第２領域４５毎に存在している滴状体２０ｄの容量に相当する。すなわち、各第２領域４５毎の滴状体２０ｄの供給量である。
また、「第２領域４５内に属する第１領域４０のそれぞれについて求められた必要となる滴状体の量の合計」は、任意の第２領域４５に属する各第１領域４０毎に必要とされる滴状体の量を足し合わせた値である。すなわち、各第２領域４５毎の滴状体２０ｄの必要量である。

そのため、各第２領域４５における評価値は、「１」に近づくほど望ましいことになる。
この場合、評価値が「１」を超えれば、評価対象となった第２領域４５においては、滴状体２０ｄの供給量が必要量よりも多いことになる。そのため、後述する残膜の厚み寸法が厚くなりすぎるおそれがある。
これとは逆に、評価値が「１」未満となれば、評価対象となった第２領域４５においては、滴状体２０ｄの供給量が必要量よりも少ないことになる。そのため、テンプレートのパターンの凹部に未充填となる部分が生じたり、後述する残膜の厚み寸法が薄くなりすぎたりするおそれがある。

そのため、前述したステップＳ７０において、パターンを形成する面２５における評価値の分布が目標とする範囲内にあるか否かを判断している。
この場合、評価値の分布が目標とする範囲内に収まっているか否かの指標として、例えば、評価値の最大値と最小値との差、評価値と「１」との差の絶対値の最大値、標準偏差などを用いることができる。

次に、前述したステップＳ９０において、滴状体の配置更新を行う手順についてさらに詳細に例示をする。
滴状体２０ｄの初期配置を求めただけでは、パターンを形成する面２５における評価値の分布が目標とする範囲内にあるとは限らない。そのため、滴状体２０ｄの配置更新を行うことで各第２領域４５における評価値を「１」に近づけるようにする。

図１２は、滴状体の配置更新の手順を例示するためのフローチャートである。
図１３は、滴状体の配置更新の手順を例示するための概念図である。
なお、図１３においては、第２領域４５−１における評価値を評価値４６−１、第２領域４５−２における評価値を評価値４６−２、第２領域４５−３における評価値を評価値４６−３としている。また、評価値４６−１〜４６−３において、円柱の高さが高いほど評価値の値が大きいことを表している。

図１２、図１３に示すように、まず、複数の滴状体２０ｄのうち、配置更新の対象となる滴状体を選択する（ステップＳ９０ａ）。
例えば、評価値４６−１が最も大きい滴状体２０ｄ−１を選択する。
次に、滴状体２０ｄ−１に最も近接している少なくとも１つの別の滴状体を選択する（ステップＳ９０ｂ）。
なお、以下においては、滴状体２０ｄ−１に最も近接している２つの滴状体を選択する場合について例示をする。
この場合、図１３に示すように、滴状体２０ｄ−１に最も近接している滴状体２０ｄ−２と、滴状体２０ｄ−３とを選択するものとする。

次に、第２領域４５−１、第２領域４５−２、および第２領域４５−３のそれぞれの評価値を例えば、重みに換算し、換算されたそれぞれの重みに基づく重心５０を求める（ステップＳ９０ｃ）。
重心５０は、それぞれの評価値を重みに変換した場合、それぞれの重みによる均衡がとれる点とすることができる。
図１３に例示をしたものの場合には、円柱の高さが高いほど評価値の値が大きくなるので、円柱の高さが高いほど重みが重くなる。
この様な場合、評価値４６−１〜４６−３による重心５０は、滴状体２０ｄ−１〜２０ｄ−３の各中心点を頂点とする三角形の図心から外れることになる。例えば、重心５０は、最も重い評価値４６−１側に寄っていることになる。

次に、重心５０を図心とする多角形を形成する。例えば、最も評価値の値が大きい滴状体２０ｄ−１を配置更新の対象とする場合には、滴状体２０ｄ−１の位置を変更して、重心５０の位置が図心となるような多角形を求める（ステップＳ９０ｄ）。
図１３においては、多角形として三角形を例示している。この三角形では、滴状体２０ｄ−２、２０ｄ−３のそれぞれの中心点を２つの頂点としている。そして、滴状体２０ｄ−１の位置を頂点５５の位置とした場合に重心５０の位置が図心となるようにしている。

次に、滴状体２０ｄ−１の中心点から頂点５５に向かうベクトル線５６を引く。
ついで、ベクトル線５６のｒ(ｒ＜１)倍の移動ベクトル線５７を決定する。そして、滴状体２０ｄ−１を、多角形の頂点５５に向かって移動させる。例えば、移動ベクトル線５７に沿って、頂点５８の位置に滴状体２０ｄ−１を移動させる（ステップＳ９０ｅ）。
「ｒ」は、例えば、多角形を三角形とした場合、１／１０以上、１／２以下とすることができる。
配置更新は、すべての滴状体２０ｄのうち少なくとも１つについて実施する。
この後、前述したステップＳ５０に戻り、ステップＳ６０に移行した後、パターンを形成する面２５内における評価値の分布が目標の範囲にあるか否かの判断を再び行う。

図１３に例示をしたものは、滴状体２０ｄ−１〜２０ｄ−３についての場合であるが、実際には他の滴状体も存在する。そのため、滴状体２０ｄ−１の位置は、滴状体２０ｄ−２、２０ｄ−３だけではなく他の滴状体にも影響を及ぼすことになる。この場合、滴状体２０ｄ−１を一度に頂点５５の位置に移動させると、滴状体２０ｄ−２、２０ｄ−３との位置関係においては適切となるが、他の滴状体との位置関係においては不適切となる場合がある。そこで、配置更新の対象となる滴状体の移動量をｒ(ｒ＜１)倍とし、他の滴状体との位置関係を考慮するようにしている。すなわち、配置更新の対象となる滴状体を少しずつ移動させることで、すべての滴状体の位置関係、ひいてはパターンを形成する面２５内における評価値の分布を目標の範囲内に収束させやすくしている。
なお、図１３においては、滴状体２０ｄ−１に最も近接する滴状体として、２つの滴状体を選択する場合を例示した。ただし、滴状体２０ｄ−１に最も近接する滴状体の選択数については、１つでもよく、３つ以上でもよい。

すなわち、少なくともいずれかの滴状体の位置を変更する工程において、以下の手順により滴状体を移動すればよい。位置を変更する対象となる滴状体に最も近接している少なくとも１つの別の滴状体を選択する。次に、位置を変更する対象となる滴状体が有する評価値と、選択された少なくとも１つの別の滴状体が有する評価値と、を重みに換算し、換算されたそれぞれの重みに基づく重心を求める。次に、選択された少なくとも１つの別の滴状体の位置を固定し、重心を図心とした場合の位置を変更する対象となる滴状体の位置を求める。次に、求められた位置を変更する対象となる滴状体の位置に向けて、位置を変更する対象となる滴状体を移動する。

以上に例示をしたように、本実施の形態に係る滴状体配置方法によれば、パターンを形成する面２５内の適正な位置に滴状体２０ｄを配置することができる。そのため、インプリント法を用いてパターンを形成する際に、テンプレートのパターンの凹部に未充填となる部分が生じたり、後述する残膜の厚み寸法が不適切なものとなったりすることを抑制することができる。その結果、転写性を向上させることができる。

次に、本実施の形態に係る滴状体配置方法を用いて複数の滴状体２０ｄを基体１０のパターンを形成する面１０ａに配置し、インプリント法を用いてパターンを形成する場合について例示する。
図１４、図１５は、パターンの形成を例示するための模式工程断面図である。
なお、図１４、図１５においては、一例として、半導体装置などの電子デバイスの製造において用いられるレジストマスクを形成する場合について例示する。

まず、図１４（ａ）に示すように、半導体ウェーハやガラス基体などの基体１０のパターンを形成する面１０ａに、複数の滴状体２０ｄを配置する。滴状体２０ｄの配置は、本実施の形態に係る滴状体配置方法を用いて決めることができる。そして、例えば、インクジェット法などを用いて、基体１０のパターンを形成する面１０ａの所定の位置に滴状体２０ｄを設けることができる。例えば、インクジェット装置などの吐出装置のノズル毎に設けられた圧電素子を制御することで、基体１０のパターンを形成する面１０ａの所定の位置に滴状体２０ｄを設けることができる。
滴状体２０ｄは、１回のショットによって基体１０のパターンを形成する面１０ａに設けてもよく、１回以上のショットによって基体１０のパターンを形成する面１０ａに設けてもよい。
滴状体２０ｄは、例えば、アクリル系の光硬化性樹脂と、溶剤などを含んだものとすることができる。
１つの滴状体２０ｄの量は、例えば、１ｐｌ（ピコリットル）〜６ｐｌ（ピコリットル）程度とすることができる。

次に、図１４（ｂ）に示すように、基体１０のパターンを形成する面１０ａに、テンプレート３０を対向させる。テンプレート３０の基体１０と対向する側には、凸部３０ｔおよび凹部３０ｃを含むパターンが形成されている。凹部３０ｃの底面３０ｂからの凸部３０ｔの高さを「パターン高さ」と称することにする。パターン高さは、例えば、６０ｎｍである。テンプレート３０の材質は、例えば、石英（ＳｉＯ_２）である。
次に、図１４（ｃ）に示すように、テンプレート３０を基体１０に向けて下降させ、テンプレート３０を各滴状体２０ｄに押し付ける。

図１５（ａ）に示すように、テンプレート３０に押し付けられた各滴状体２０ｄは、基体１０上で３次元的に変形し、基体１０上にテンプレート３０のパターンが転写された被転写体２０が形成される。
すなわち、テンプレート３０と基体１０との間に、表面が凹凸状に加工された被転写体２０が形成される。
続いて、テンプレート３０を介して被転写体２０にＵＶ（Ultraviolet）光を照射し、被転写体２０を硬化させる。

次に、図１５（ｂ）に示すように、テンプレート３０を被転写体２０から離す。これにより、被転写体２０の表面が露出する。被転写体２０には、凸部２０ｔおよび凹部２０ｃが形成されている。

被転写体２０の凹部２０ｃの底面２０ｂからの凸部２０ｔの高さは、「パターン高さ」に対応している。この場合、被転写体２０の底面２０ｂと、基体１０のパターンを形成する面１０ａとの間の被転写体２０の厚みを「残膜の厚み」と称する。残膜の厚み寸法は、例えば、１５ｎｍである。

次に、図１５（ｃ）に示すように、被転写体２０にドライエッチング処理を施すことで残膜を除去し、レジストマスク２０ｐを形成する。
ドライエッチング処理は、例えば、ＲＩＥ(Reactive Ion Etching）法によるものとすることができる。
被転写体２０にドライエッチング処理を施せば、被転写体２０の凸部２０ｔに膜減りが生じる。一方、凹部２０ｃにおいては、底面２０ｂがエッチング加工され残膜が除去される。その結果、例えば、ラインアンドスペース状のレジストマスク２０ｐが基体１０のパターンを形成する面１０ａに形成される。

この場合、本実施の形態に係る滴状体配置方法を用いて複数の滴状体２０ｄを基体１０のパターンを形成する面１０ａに配置している。そのため、インプリント法を用いてパターンを形成する際に、テンプレート３０のパターンの凹部３０ｃに未充填となる部分が生じたり、残膜の厚み寸法が不適切なものとなったりすることを抑制することができる。その結果、転写精度の高いレジストマスク２０ｐを形成することができる。

以上のようにして形成されたレジストマスク２０ｐは、半導体装置などの電子デバイスの製造において用いることができる。例えば、レジストマスク２０ｐを用いて、レジストマスク２０ｐの下方に位置する被加工膜をドライエッチング加工することができる。
なお、レジストマスク２０ｐを形成する場合について例示したが、これに限定されるわけではない。
例えば、光デバイス、記録メディア、化学・バイオデバイス、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）などの分野においてパターンを形成する際に広く適用させることができる。

[第２の実施形態]
次に、第２の実施形態に係る滴状体配置装置について例示する。
本実施の形態では、基体として、例えば、半導体等のウェーハやガラス基板などが用いられ、パターンを形成する面に配置される複数の滴状体には、例えば、所謂レジストのドロップ体が用いられる。このレジストのドロップ体の材料には、光（紫外線光等）硬化性樹脂を用いることができる。
図１６は、第２の実施形態に係る滴状体配置装置について例示するための模式図である。
図１６に示すように、滴状体配置装置２００には、処理容器２１１、吐出部２１２、載置部２１４、移動部２１５、制御部２１６が設けられている。
処理容器２１１の内部には、吐出部２１２と載置部２１４とが互いに対向するようにして設けられている。そのため、載置部２１４の載置面に基体１０を保持させた際には、吐出部２１２と、基体１０のパターンを形成する面１０ａとが互いに対向するようになる。

吐出部２１２は、図示しない供給部から供給された滴状体２０ｄの材料を載置部２１４に載置された基体１０のパターンを形成する面１０ａに向けて吐出する。吐出部２１２としては、例えば、インクジェット装置などの吐出装置を例示することができる。
載置部２１４は、図示しない静電チャックなどの保持部を有し、載置面に載置された基体１０を保持する。なお、図示しない保持部は例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。例えば、機械的なチャック、真空チャックなどとすることもできる。

移動部２１５は、基体１０のパターンを形成する面１０ａに平行な方向において載置部２１４の位置を変化させる。
なお、以下においては、一例として、移動部２１５が、水平面内における載置部２１４の位置を変化させる場合について説明する。
この場合、載置部２１４は案内部２１５ａ上に移動可能に設けられ、移動部２１５により案内部２１５ａに沿ってその位置を変化させることができる。なお、図１６に例示をしたものの場合には、載置部２１４の位置を変化させるようにしているが、吐出部２１２の位置を変化させるようにしてもよい。すなわち、移動部２１５は、吐出部２１２と載置部２１４との相対的な位置を変化させるものであればよい。また、移動方式は例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。

制御部２１６には、演算部２１６ａ、要素制御部２１６ｂが設けられている。
演算部２１６ａは、前述した滴状体配置方法を用いて、基体１０のパターンを形成する面１０ａにおける複数の滴状体２０ｄの位置を求める。この場合、演算部２１６ａに後述する滴状体配置プログラムを格納し、演算部２１６ａにおいて滴状体配置プログラムを実行することで、複数の滴状体２０ｄの位置を求めるようにすることができる。
なお、複数の滴状体２０ｄの位置を求める手順は前述したものと同様とすることができるので詳細な説明は省略する。

要素制御部２１６ｂは、滴状体配置装置２００に設けられた各要素の動作を制御する。例えば、要素制御部２１６ｂは吐出部２１２を制御して、滴状体２０ｄの材料を載置部２１４に載置された基体１０のパターンを形成する面１０ａに向けて吐出させる。例えば、吐出部２１２がインクジェット装置の場合には、要素制御部２１６ｂはインクジェット装置に設けられた複数のノズル毎に吐出動作の制御を行う。また、要素制御部２１６ｂは載置部２１４を制御して、基体１０の着脱を行う。また、要素制御部２１６ｂは移動部２１５を制御して、基体１０が保持された載置部２１４の水平面内における位置を変化させる。

そして、要素制御部２１６ｂは、演算部２１６ａにより求められた複数の滴状体２０ｄの位置に基づいて、吐出部２１２と移動部２１５を制御する。すなわち、要素制御部２１６ｂは、吐出部２１２と移動部２１５とを制御して、演算部２１６ａにより求められた複数の滴状体２０ｄの位置に滴状体２０ｄの材料を吐出させる。

次に、滴状体配置装置２００の作用について例示をする。
まず、制御部２１６の演算部２１６ａにおいて複数の滴状体２０ｄの位置を求める。
次に、処理容器２１１に設けられた図示しない搬入搬出口を介して、図示しない搬送装置により基体１０が処理容器２１１内に搬入され、載置部２１４の載置面に載置される。載置された基体１０は載置部２１４に設けられた図示しない保持部により保持され、移動部２１５により載置部２１４（基体１０）が所定の位置に移動する。
次に、図示しない搬入搬出口が閉じられ、載置部２１４の載置面に載置された基体１０の所定の位置に向けて吐出部２１２から滴状体２０ｄの材料が吐出される。この際、演算部２１６ａにおいて求められた位置に滴状体２０ｄが形成されるように、吐出部２１２と移動部２１５が制御される。

以上に例示をしたように、本実施の形態に係る滴状体配置装置２００によれば、基体１０のパターンを形成する面１０ａ内の適正な位置に滴状体２０ｄを配置することができる。そのため、インプリント法を用いてパターンを形成する際に、テンプレートのパターンの凹部に未充填となる部分が生じたり、残膜の厚み寸法が不適切なものとなったりすることを抑制することができる。その結果、転写性を向上させることができる。

また、滴状体配置装置２００は、インプリント法を用いてパターンを形成するパターン形成部３００をさらに備えることもできる。
図１７は、パターン形成部３００を例示するための模式図である。
図１７に示すように、パターン形成部３００には、処理容器３２１、保持部３２２、テンプレート３２３、載置部３２４、移動部３２５、照光部３２７、制御部３２８が設けられている。
処理容器３２１の内部には、保持部３２２と載置部３２４とが互いに対向するようにして設けられている。そのため、載置部３２４の載置面に基体１０を保持させた際には、保持部３２２に保持されたテンプレート３２３のパターン部３２３ａと、基体１０のパターンを形成する面１０ａに設けられた複数の滴状体２０ｄとが互いに対向するようになる。

保持部３２２は、テンプレート３２３を保持する。テンプレート３２３の保持方法としては特に限定されるものではなく、例えば、機械的な保持方法、電磁力や静電気力を利用した保持方法などを例示することができる。
テンプレート３２３は、平板状を呈する基部３２３ｂと、基部３２３ｂの一方の主面に形成された凹凸状のパターン部３２３ａとを有する。テンプレート３２３の形式は特に限定されるものではなく、例えば、いわゆるハードモールドやソフトモールドなどとしたり、パターン部３２３ａと基部２３ｂとの間に柔らかい材料からなる層を設けたものなどとしたりすることができる。

ただし、パターン形成部３００においては、いわゆるＵＶ(Ultraviolet)インプリント法を用いるので、テンプレート３２３は紫外線を透過させることのできる材質（例えば、石英など）から形成されている。
また、テンプレート３２３を保持部３２２に保持させた際に、テンプレート３２３が所定の形状に変形するようにすることもできる。例えば、滴状体２０ｄにテンプレートが接触する際の接触形態を意図的に形成するものとすることができる。

載置部３２４は、図示しない静電チャックなどの保持部を有し、載置面に載置された基体１０を保持する。なお、図示しない保持部は例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。例えば、機械的なチャック、真空チャックなどとすることもできる。また、図示しない移動部を設けて水平面内における載置部３２４の位置を変化させるようにすることもできる。この場合、保持部３２２の位置を変化させるようにしてもよい。すなわち、図示しない移動部は、保持部３２２と載置部３２４との相対的な位置を変化させるものであればよい。

移動部３２５は、載置部３２４に対する保持部３２２の位置を変化させる。そして、保持部３２２に保持されたテンプレート３２３を基体１０のパターンを形成する面１０ａに設けられた複数の滴状体２０ｄに押し付けることができるようになっている。移動部３２５としては、例えば、動力源として空圧や油圧を利用したものなどを例示することができる。ただし、移動部３２５の駆動方式は例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。

パターン形成部３００においては、いわゆるＵＶ(Ultraviolet)インプリント法を用いるので、紫外線を照射する照光部３２７が設けられている。
制御部３２８は、パターン形成部３００設けられた各要素の動作を制御する。例えば、制御部３２８は保持部３２２を制御して、テンプレート３２３の着脱を行う。また、制御部３２８は載置部３２４を制御して、基体１０の着脱を行う。また、制御部３２８は移動部３２５を制御して、テンプレート３２３が保持された保持部３２２の位置を変化させる。また、制御部３２８は照光部３２７を制御して、紫外線を照射させる。
なお、保持部３２２、テンプレート３２３、載置部３２４、移動部３２５、照光部３２７を前述した処理容器２１１の内部に設けたり、載置部３２４と載置部２１４を兼用としたり、制御部３２８と要素制御部２１６ｂを兼用としたりしてもよい。
また、テンプレート３２３のパターン部３２３ａとは反対側の面を押圧する図示しない押圧部を設けることができる。
図示しない押圧部は、例えば、空気などの流体の圧力をテンプレート３２３に加えるものとすることができる。
図示しない、押圧部を設けるようにすれば、テンプレート３２３を意図的に変形させることができるので、テンプレート３２３の接触形態を選択したり、制御したりすることができる。
例えば、テンプレート３２３のパターン部３２３ａとは反対側の面を押圧し、テンプレート３２３を基体１０側に向けて突出させることで、テンプレート３２３の接触形態を選択したり、制御したりすることができる。

次に、パターン形成部３００の作用について例示をする。
まず、処理容器３２１に設けられた図示しない搬入搬出口を介して、図示しない搬送装置により基体１０が処理容器３２１内に搬入され、載置部３２４の載置面に載置される。載置された基体１０は載置部３２４に設けられた図示しない保持部により保持される。
次に、図示しない搬入搬出口が閉じられ、移動部３２５により載置部２１４の載置面に載置された基体１０に向けてテンプレート３２３を移動させる。テンプレート３２３に押し付けられた各滴状体２０ｄは、基体１０上で３次元的に変形し、基体１０上にテンプレート３２３のパターンが転写された被転写体が形成される。

次に、照光部３２７からテンプレート３２３を介してＵＶ（Ultraviolet）光を被転写体に照射し、被転写体を硬化させる。
次に、移動部３２５によりテンプレート３２３を被転写体から離す。
これにより、基体１０のパターンを形成する面１０ａにパターンを形成することができる。またさらに、図１５（ｃ）に例示をしたように、ドライエッチング装置を用いて被転写体にドライエッチング処理を施すことで残膜を除去することもできる。

この場合、本実施の形態に係る滴状体配置装置２００を用いて複数の滴状体２０ｄを基体１０のパターンを形成する面１０ａに配置している。そのため、パターン形成部３００を用いてパターンを形成する際に、テンプレート３２３のパターンの凹部に未充填となる部分が生じたり、残膜の厚み寸法が不適切なものとなったりすることを抑制することができる。その結果、転写精度の高いパターンを形成することができる。

[第３の実施形態]
次に、第３の実施形態に係る滴状体配置プログラムについて例示する。
本実施の形態では、基体として、例えば、半導体等のウェーハやガラス基板などが用いられ、パターンを形成する面に配置される複数の滴状体には、例えば、所謂レジストのドロップ体が用いられる。このレジストのドロップ体の材料には、光（紫外線光等）硬化性樹脂を用いることができる。
第３の実施形態に係る滴状体配置プログラムは、コンピュータに、前述した滴状体配置方法を実行させるものである。

基体１０のパターンを形成する面に複数の滴状体２０ｄを配置するために本実施の形態に係る滴状体配置プログラムが、例えば、演算部２１６ａに設けられた図示しない格納部に格納される。滴状体配置プログラムは、例えば、図示しない記録媒体に格納された状態で演算部２１６ａに供給され、読み出されることで演算部２１６ａの図示しない格納部に格納される。なお、滴状体配置プログラムは、ＭＥＳ（Manufacturing Execution System）のＬＡＮ（Local Area Network）などを介して、演算部２１６ａの図示しない格納部に格納されるようにすることもできる。

演算部２１６ａの図示しない格納部には、例えば、以下の手順（１）〜（８）を実行するプログラムが格納される。
（１）基体１０のパターンを形成する面２５を１つの滴状体２０ｄが占める面積よりも小さい複数の第１領域４０に区分けし、第１領域４０ごとに必要とされる滴状体２０ｄの量を演算させること、
（２）各第１領域４０における滴状体２０ｄの量を足し合わせ、基体１０のパターンを形成する面２５の全域において必要となる滴状体２０ｄの量の総量を演算させること、
（３）滴状体２０ｄの量の総量を滴状体２０ｄの量で除算し、基体１０のパターンを形成する面２５に配置する滴状体２０ｄの総数を演算させること、
（４）テンプレートの接触形態に応じて、基体１０のパターンを形成する面２５における暫定的な滴状体２０ｄの配置を演算させること、
（５）各第１領域４０を最も近接する滴状体２０ｄに振り分け、滴状体２０ｄごとに振り分けられた第１領域４０の集団を第２領域４５とし、基体１０のパターンを形成する面２５を第２領域４５により改めて区分けすることを演算させること、
（６）第２領域４５ごとに、１つの滴状体２０ｄの量を、第２領域４５内に属する第１領域４０のそれぞれについて求めた必要となる滴状体２０ｄの量の合計で除算して評価値を演算させること、
（７）基体１０のパターンを形成する面２５における評価値の分布が目標とする範囲内にある場合には、すべての滴状体２０ｄの位置を確定させること、
（８）基体１０のパターンを形成する面２５における評価値の分布が目標とする範囲内にない場合には、評価値の分布が目標とする範囲内に収まるまで以下の手順を実行させる。 少なくともいずれかの滴状体２０ｄの位置の変更を演算させること、
各第１領域４０を最も近接する滴状体２０ｄに振り分け、滴状体２０ｄごとに振り分けられた第１領域４０の集団を第２領域４５とし、基体１０のパターンを形成する面２５を第２領域４５により改めて区分けすることを演算させること、
第２領域４５ごとに、１つの滴状体２０ｄの量を、第２領域４５内に属する第１領域４０のそれぞれについて求めた必要となる滴状体２０ｄの量の合計で除算して評価値を演算させること、
また、確定された滴状体２０ｄの位置に関するデータを表示装置に表示させたり、外部に向けて送信させたりする手順を含めることができる。
なお、滴状体配置プログラムは、前述した順序に従って時系列的に実行されるようにしてもよいし、必ずしも時系列的に実行されなくとも並列的あるいは選別的に実行されるようにしてもよい。
また、滴状体配置プログラムは、単一の演算部２１６ａにより処理されるものであってもよいし、図示しない複数の演算部によって分散処理されるものであってもよい。

そして、格納されている滴状体配置プログラムを実行することで、前述した滴状体２０ｄの配置の演算が実行される。
この場合、前述した第１入力データ〜第４入力データ、パターンを形成する面２５の寸法や面積などのデータなどが適宜入力されるものとすることができる。

[第４の実施形態]
次に、第４の実施形態に係るテンプレートのパターンの設計方法について例示をする。
本実施の形態では、基体として、例えば、半導体等のウェーハやガラス基板などが用いられ、パターンを形成する面に配置される複数の滴状体には、例えば、所謂レジストのドロップ体が用いられる。このレジストのドロップ体の材料には、光（紫外線光等）硬化性樹脂を用いることができる。
図１８は、第４の実施形態に係るテンプレートのパターンの設計方法について例示をするためのフローチャートである。
前述した滴状体配置方法によれば、パターンを形成する面２５内の適正な位置に滴状体２０ｄを配置することができる。
この場合、図１３において例示をしたように、配置更新の対象となる滴状体を少しずつ移動させることで、すべての滴状体の位置関係、ひいてはパターンを形成する面２５内における評価値の分布を目標の範囲内に収束させやすくすることができる。

しかしながら、パターンを形成する面２５内における評価値の分布をさらに「１」に近づけることが必要となる場合がある。
そのため、本実施の形態に係るテンプレートのパターンの設計方法においては、評価値の分布をさらに「１」に近づけるために、部分的にダミーパターンを設け、テンプレートのパターンの修正をするようにしている。
なお、ダミーパターンも転写されることになるが、転写されたダミーパターンはドライエッチング処理などを用いて選択的に除去することができる。例えば、図１５（ｃ）において例示をした残膜の除去の際にダミーパターンをも除去することができる。

本実施の形態に係るテンプレートのパターンの設計方法においては、図１８に示すように、まず、パターンを形成する面における評価値の分布を求める（ステップＳ１００）。 パターンを形成する面における評価値の分布は、前述した滴状体配置方法を用いて求めることができる。
例えば、前述したステップＳ１０、Ｓ２０、Ｓ３０、Ｓ４０、Ｓ５０、Ｓ６０を行うことで評価値の分布を求めることができる。
なお、評価値の求め方などは前述したものと同様とすることができるので詳細な説明は省略する。

次に、評価値が所定の範囲内に入らない部分を抽出する（ステップＳ１１０）。
例えば、評価値と「１」との差の絶対値が所定の値以上となる部分を抽出する。
次に、テンプレートの抽出された部分に対応する部分にダミーパターンを設ける（ステップＳ１２０）。
ダミーパターンの形態や大きさなどは、シミュレーションや実験などにより予め求められたものの中から適宜選択するようにすることができる。
次に、ダミーパターンを含んだテンプレートのパターンを決定する（ステップＳ１３０）。
本実施の形態に係るテンプレートのパターンの設計方法によれば、転写精度をさらに向上させることができるテンプレートのパターンを設計することができる。

以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。

１０ 基体、２０ 被転写体、２０ａ ブロック、２０ａ−１〜２０ａ−３ ブロック、２０ｄ 滴状体、２０ｐ レジストマスク、２５ 面、２５ａ 辺、２５ｂ 辺、２５−１ 第１ライン、２５−２ 第２ライン、２６ 始点、２７ 終点、３０ テンプレート、３０ｂ 底面、３０ｃ 凹部、３０ｔ 凸部、４０ 第１領域、４５ 第２領域、４６−１〜４６−３ 評価値、５０ 重心、１００ 接触点、１０１ａ〜１０１ｆ 層、１１０ 接触線、１１１ａ〜１１１ｄ 層、１２０ 接触面、１２１ａ〜１２１ｅ 層、２００ 滴状体配置装置、２１１ 処理容器、２１２ 吐出部、２１４ 載置部、２１５ 移動部、２１６ 制御部、３００ パターン形成部、３２１ 処理容器、３２２ 保持部、３２３ テンプレート、３２４ 載置部、３２５ 移動部、３２７ 照光部、３２８ 制御部、Ｌａ 距離、Ｌｂ 中心間距離、Ｌａ１ 距離、Ｌｂ１ 中心間距離、Ｌａ２ 距離、Ｌｂ２ 中心間距離

Claims (12)

1. テンプレートに形成されたパターンを転写する際に、基体のパターンを形成する面に複数の滴状体を配置する滴状体配置方法であって、
   前記基体のパターンを形成する面を１つの前記滴状体が占める面積よりも小さい複数の第１領域に区分けし、前記第１領域ごとに必要とされる前記滴状体の量を求める工程と、
   各第１領域における前記滴状体の量を足し合わせ、前記基体のパターンを形成する面の全域において必要となる前記滴状体の量の総量を求める工程と、
   前記滴状体の量の総量を前記滴状体の量で除算し、前記基体のパターンを形成する面に配置する前記滴状体の総数を求める工程と、
   前記テンプレートの接触形態に応じて、前記基体のパターンを形成する面における暫定的な前記滴状体の配置を求める工程と、
   各第１領域を最も近接する前記滴状体に振り分け、前記滴状体ごとに振り分けられた前記第１領域の集団を第２領域とし、前記基体のパターンを形成する面を前記第２領域により改めて区分けする区分け工程と、
   前記第２領域ごとに、１つの前記滴状体の量を、前記第２領域内に属する前記第１領域のそれぞれについて求めた必要となる前記滴状体の量の合計で除算して評価値を求める評価値算出工程と、
   を備え、
   前記基体のパターンを形成する面における前記評価値の分布が目標とする範囲内にある場合には、すべての前記滴状体の位置を確定し、
   前記基体のパターンを形成する面における前記評価値の分布が目標とする範囲内にない場合には、前記評価値の分布が目標とする範囲内に収まるまで、少なくともいずれかの前記滴状体の位置を変更する工程と、前記区分け工程と、前記評価値算出工程と、を繰り返し行う滴状体配置方法。
2. 前記テンプレートの接触形態に応じて、前記基体のパターンを形成する面における暫定的な前記滴状体の配置を求める工程において、
   前記テンプレートの接触形態が点接触である場合には、
   接触点を中心とし等間隔に設けられた複数の同心円状の層の上に、前記滴状体を等間隔に配置し、
   前記滴状体の中心間距離と、前記同心円状の層の間隔とが等しく、
   前記接触点から各滴状体の中心を通り、前記基体のパターンを形成する面の外方に向かう線分がそれぞれ重ならないようにする請求項１記載の滴状体配置方法。
3. 前記テンプレートの接触形態に応じて、前記基体のパターンを形成する面における暫定的な前記滴状体の配置を求める工程において、
   前記テンプレートの接触形態が線接触である場合には、
   接触線を中心とし前記接触線と平行かつ等間隔に設けられた複数の線状の層の上に、前記滴状体を等間隔に配置し、
   前記滴状体の中心間距離と、前記線状の層の間隔とが等しく、
   前記線状の層に垂直であって、各滴状体の中心から前記基体のパターンを形成する面の外方に向かう線分がそれぞれ重ならないようにする請求項１記載の滴状体配置方法。
4. 前記テンプレートの接触形態に応じて、前記基体のパターンを形成する面における暫定的な前記滴状体の配置を求める工程において、
   前記テンプレートの接触形態が面接触である場合には、
   接触面を中心とし等間隔に設けられた複数の前記接触面の輪郭と相似な層の上に、前記滴状体を等間隔に配置し、
   前記滴状体の中心間距離と、前記接触面の輪郭と相似な層の間隔とが等しく、
   前記接触面の図心から各滴状体の中心を通り、前記基体のパターンを形成する面の外方に向かう線分がそれぞれ重ならないようにする請求項１記載の滴状体配置方法。
5. 少なくともいずれかの前記滴状体の位置を変更する工程において、
   位置を変更する対象となる滴状体に最も近接している少なくとも１つの別の滴状体を選択し、
   前記位置を変更する対象となる前記滴状体が有する前記評価値と、前記選択された少なくとも１つの別の滴状体が有する前記評価値と、を重みに換算し、換算されたそれぞれの前記重みに基づく重心を求め、
   前記選択された少なくとも１つの別の滴状体の位置を固定し、前記重心を図心とした場合の前記位置を変更する対象となる前記滴状体の位置を求め、
   前記求められた前記位置を変更する対象となる前記滴状体の位置に向けて、前記位置を変更する対象となる前記滴状体を移動する請求項１〜４のいずれか１つに記載の滴状体配置方法。
6. 各第１領域における前記滴状体の量を足し合わせ、前記基体のパターンを形成する面の全域において必要となる前記滴状体の量の総量を求める工程において、
   前記パターンの設計データから抽出された前記パターンの寸法に関するデータと、前記パターンの設計データから抽出された前記パターンの疎密分布または前記パターンの被覆率分布に関するデータと、から算出された前記滴状体の量と、
   前記基体のパターンを形成する面における前記滴状体の量の面内補正に関するデータ、および、吐出装置に起因する前記滴状体の量の補正に関するデータの少なくともいずれかのデータから算出された前記滴状体の量の補正値と、
   に基づいて、前記滴状体の量の総量を求める請求項１〜５のいずれか１つに記載の滴状体配置方法。
7. 請求項１〜６のいずれか１つに記載の滴状体配置方法を用いて、前記基体のパターンを形成する面に複数の滴状体を配置する工程と、凹凸が形成されたテンプレートを前記配置された複数の滴状体に押し付けて、前基体のパターンを形成する面に、前記滴状体のパターンを形成する工程と、を有するパターン形成方法。
8. コンピュータに、
   基体のパターンを形成する面を１つの滴状体が占める面積よりも小さい複数の第１領域に区分けし、前記第１領域ごとに必要とされる前記滴状体の量を演算させること、
   各第１領域における前記滴状体の量を足し合わせ、前記基体のパターンを形成する面の全域において必要となる前記滴状体の量の総量を演算させること、
   前記滴状体の量の総量を前記滴状体の量で除算し、前記基体のパターンを形成する面に配置する前記滴状体の総数を演算させること、
   テンプレートの接触形態に応じて、前記基体のパターンを形成する面における暫定的な前記滴状体の配置を演算させること、
   各第１領域を最も近接する前記滴状体に振り分け、前記滴状体ごとに振り分けられた前記第１領域の集団を第２領域とし、前記基体のパターンを形成する面を前記第２領域により改めて区分けすることを演算させること、
   前記第２領域ごとに、１つの前記滴状体の量を、前記第２領域内に属する前記第１領域のそれぞれについて求めた必要となる前記滴状体の量の合計で除算して評価値を演算させること、
   を実行させ、
   前記基体のパターンを形成する面における前記評価値の分布が目標とする範囲内にある場合には、すべての前記滴状体の位置を確定させ、
   前記基体のパターンを形成する面における前記評価値の分布が目標とする範囲内にない場合には、前記評価値の分布が目標とする範囲内に収まるまで、
   少なくともいずれかの前記滴状体の位置の変更を演算させること、
   各第１領域を最も近接する前記滴状体に振り分け、前記滴状体ごとに振り分けられた前記第１領域の集団を第２領域とし、前記基体のパターンを形成する面を前記第２領域により改めて区分けすることを演算させること、
   前記第２領域ごとに、１つの前記滴状体の量を、前記第２領域内に属する前記第１領域のそれぞれについて求めた必要となる前記滴状体の量の合計で除算して評価値を演算させること、
   を繰り返し実行させる滴状体配置プログラム。
9. 滴状体の材料を基体のパターンを形成する面に向けて吐出する吐出部と、
   前記基体のパターンを形成する面に平行な方向において、前記吐出部と、前記基体と、の相対的な位置を変化させる移動部と、
   請求項１〜６のいずれか１つに記載の滴状体配置方法を用いて、前記基体のパターンを形成する面における複数の前記滴状体の位置を求める演算部と、
   前記吐出部と、前記移動部と、を制御して、前記演算部により求められた複数の前記滴状体の位置に前記滴状体の材料を吐出させる要素制御部と、
   を備えた滴状体配置装置。
10. 滴状体の材料を基体のパターンを形成する面に向けて吐出する吐出部と、
    前記基体のパターンを形成する面に平行な方向において、前記吐出部と、前記基体と、の相対的な位置を変化させる移動部と、
    請求項８に記載の滴状体配置プログラムを用いて、前記基体のパターンを形成する面における複数の前記滴状体の位置を求める演算部と、
    前記吐出部と、前記移動部と、を制御して、前記演算部により求められた複数の前記滴状体の位置に前記滴状体の材料を吐出させる要素制御部と、
    を備えた滴状体配置装置。
11. 前記吐出部は、インクジェット装置であり、
    前記要素制御部は、前記インクジェット装置に設けられた複数のノズル毎に吐出動作の制御を行う請求項９または１０に記載の滴状体配置装置。
12. 基体のパターンを形成する面を１つの滴状体が占める面積よりも小さい複数の第１領域に区分けし、前記第１領域ごとに必要とされる前記滴状体の量を求める工程と、
    各第１領域における前記滴状体の量を足し合わせ、前記基体のパターンを形成する面の全域において必要となる前記滴状体の量の総量を求める工程と、
    前記滴状体の量の総量を前記滴状体の量で除算し、前記基体のパターンを形成する面に配置する前記滴状体の総数を求める工程、
    テンプレートの接触形態に応じて、前記基体のパターンを形成する面における暫定的な前記滴状体の配置を求める工程と、
    各第１領域を最も近接する前記滴状体に振り分け、前記滴状体ごとに振り分けられた前記第１領域の集団を第２領域とし、前記基体のパターンを形成する面を前記第２領域により改めて区分けする区分け工程と、
    前記第２領域ごとに、１つの前記滴状体の量を、前記第２領域内に属する前記第１領域のそれぞれについて求めた必要となる前記滴状体の量の合計で除算して評価値を求める評価値算出工程と、
    前記評価値に対応して、前記テンプレートのパターンを修正する工程と、
    を備えたテンプレートのパターンの設計方法。