JPH0539357A - フエニルポリシルセスキオキサンおよびその製造方法 - Google Patents
フエニルポリシルセスキオキサンおよびその製造方法Info
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- JPH0539357A JPH0539357A JP3221052A JP22105291A JPH0539357A JP H0539357 A JPH0539357 A JP H0539357A JP 3221052 A JP3221052 A JP 3221052A JP 22105291 A JP22105291 A JP 22105291A JP H0539357 A JPH0539357 A JP H0539357A
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
- C08G77/16—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to hydroxyl groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
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- C08G77/04—Polysiloxanes
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 分子量分布が狭い低分子量フェニルポリシル
セスキオキサンおよびその製造方法を提供する。 【構成】 ゲルパーミエーションクロマトグラフィーに
よる標準ポリスチレン換算の数平均分子量500〜15
00で占められる部分が90パーセント以上存在する、
一般式: 【式1】 (Rは水素原子または一価炭化水素基であり、nは平均
重合度を示す正数である。)で示されるフェニルポリシ
ルセスキオキサンおよびその製造方法。
セスキオキサンおよびその製造方法を提供する。 【構成】 ゲルパーミエーションクロマトグラフィーに
よる標準ポリスチレン換算の数平均分子量500〜15
00で占められる部分が90パーセント以上存在する、
一般式: 【式1】 (Rは水素原子または一価炭化水素基であり、nは平均
重合度を示す正数である。)で示されるフェニルポリシ
ルセスキオキサンおよびその製造方法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、フェニルポリシルセス
キオキサンおよびその製造方法に関し、詳しくは、分子
量分布の狭い(分散度の小さい)、低分子量フェニルポ
リシルセスキオキサンおよびその製造方法に関する。
キオキサンおよびその製造方法に関し、詳しくは、分子
量分布の狭い(分散度の小さい)、低分子量フェニルポ
リシルセスキオキサンおよびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】フェニルポリシルセスキオキサンは、熱
分解温度が高く、耐熱性材料として有用であり、例え
ば、耐熱塗料、半導体の保護膜、層間絶縁膜として使用
されている。そして、このようなフェニルポリシルセス
キオキサンを製造する方法は周知である(特公昭58−
50657号公報、特開昭58−59222号公報およ
び特開昭59−108033号公報参照)。
分解温度が高く、耐熱性材料として有用であり、例え
ば、耐熱塗料、半導体の保護膜、層間絶縁膜として使用
されている。そして、このようなフェニルポリシルセス
キオキサンを製造する方法は周知である(特公昭58−
50657号公報、特開昭58−59222号公報およ
び特開昭59−108033号公報参照)。
【0003】しかし、これら従来の製造方法によって製
造されるフェニルポリシルセスキオキサンはいずれも分
子量が高く(通常は、数平均分子量が1,000〜50
0,000の範囲内である。)、また分子量分布が広い
ものであった。
造されるフェニルポリシルセスキオキサンはいずれも分
子量が高く(通常は、数平均分子量が1,000〜50
0,000の範囲内である。)、また分子量分布が広い
ものであった。
【0004】このため、従来の製造方法によって分子量
分布の狭いフェニルポリシルセスキオキサンを得るため
には、一旦製造したフェニルポリシルセスキオキサンを
分子量分別する必要があった(特開昭57−10627
号公報および特開昭61−127732号公報参照)。
しかし、このような方法では、得られるフェニルポリシ
ルセスキオキサンの収率が低く、特に、低分子量のフェ
ニルポリシルセスキオキサンを得ることは困難であると
いう問題があった。
分布の狭いフェニルポリシルセスキオキサンを得るため
には、一旦製造したフェニルポリシルセスキオキサンを
分子量分別する必要があった(特開昭57−10627
号公報および特開昭61−127732号公報参照)。
しかし、このような方法では、得られるフェニルポリシ
ルセスキオキサンの収率が低く、特に、低分子量のフェ
ニルポリシルセスキオキサンを得ることは困難であると
いう問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、上記問題
を解決するため鋭意検討した結果、本発明に到達した。
を解決するため鋭意検討した結果、本発明に到達した。
【0006】すなわち、本発明の目的は、分子量分布の
狭い(分散度の小さい)、低分子量フェニルポリシルセ
スキオキサンおよびその製造方法を提供することにあ
る。
狭い(分散度の小さい)、低分子量フェニルポリシルセ
スキオキサンおよびその製造方法を提供することにあ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段およびその作用】本発明
は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる標
準ポリスチレン換算の数平均分子量500〜1500の
範囲で占められる部分が90パーセント以上存在する、
一般式:
は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる標
準ポリスチレン換算の数平均分子量500〜1500の
範囲で占められる部分が90パーセント以上存在する、
一般式:
【化1】(Rは水素原子または一価炭化水素基であり、
nは平均重合度を示す正数である。)で示されるフェニ
ルポリシルセスキオキサンおよび、低級脂肪族アルコー
ルおよびアルカリ金属カルボン酸塩を溶解させた水層
と、水と任意の比率で混合しない有機溶剤層とからなる
二層を形成せしめ、この系中でフェニルトリハロシラン
を加水分解し、そして加水分解生成物を縮合反応させる
ことを特徴とする、ゲルパーミエーションクロマトグラ
フィーによる標準ポリスチレン換算の数平均分子量50
0〜1500の範囲で占められる部分が90パーセント
以上存在する、一般式:
nは平均重合度を示す正数である。)で示されるフェニ
ルポリシルセスキオキサンおよび、低級脂肪族アルコー
ルおよびアルカリ金属カルボン酸塩を溶解させた水層
と、水と任意の比率で混合しない有機溶剤層とからなる
二層を形成せしめ、この系中でフェニルトリハロシラン
を加水分解し、そして加水分解生成物を縮合反応させる
ことを特徴とする、ゲルパーミエーションクロマトグラ
フィーによる標準ポリスチレン換算の数平均分子量50
0〜1500の範囲で占められる部分が90パーセント
以上存在する、一般式:
【化1】(Rは水素原子または一価炭化水素基であり、
nは平均重合度を示す正数である。)で示されるフェニ
ルポリシルセスキオキサンの製造方法に関する。
nは平均重合度を示す正数である。)で示されるフェニ
ルポリシルセスキオキサンの製造方法に関する。
【0008】以下、本発明のフェニルポリシルセスキオ
キサンについて詳細に説明する。
キサンについて詳細に説明する。
【0009】本発明のフェニルポリシルセスキオキサン
は、一般式:
は、一般式:
【化1】で示され、そのゲルパーミエーションクロマト
グラフィーによる標準ポリスチレン換算の数平均分子量
500〜1500で占められる部分が90パーセント以
上である。上式中、Rは水素原子または一価炭化水素基
であり、具体的には、水素原子またはメチル基,エチル
基,n−プロピル基,i−プロピル基等の一価炭化水素
基が挙げられる。nは平均重合度を示す正数であり、ゲ
ルパーミエーションクロマトグラフィーによる標準ポリ
スチレン換算の数平均分子量500〜1500で占めら
れる部分が90パ−セント以上となるような値である。
グラフィーによる標準ポリスチレン換算の数平均分子量
500〜1500で占められる部分が90パーセント以
上である。上式中、Rは水素原子または一価炭化水素基
であり、具体的には、水素原子またはメチル基,エチル
基,n−プロピル基,i−プロピル基等の一価炭化水素
基が挙げられる。nは平均重合度を示す正数であり、ゲ
ルパーミエーションクロマトグラフィーによる標準ポリ
スチレン換算の数平均分子量500〜1500で占めら
れる部分が90パ−セント以上となるような値である。
【0010】本発明のフェニルポリシルセスキオキサン
は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる標
準ポリスチレン換算の数平均分子量500〜1500で
占められる部分が90パ−セント以上である必要があ
る。このようなフェニルポリシルセスキオキサンは分子
量分布の値(分散度)が1.0〜1.5の範囲で占めら
れる。
は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる標
準ポリスチレン換算の数平均分子量500〜1500で
占められる部分が90パ−セント以上である必要があ
る。このようなフェニルポリシルセスキオキサンは分子
量分布の値(分散度)が1.0〜1.5の範囲で占めら
れる。
【0011】次に、本発明のフェニルポリシルセスキオ
キサンの製造方法について説明する。
キサンの製造方法について説明する。
【0012】本発明の製造方法では、はじめに、低級脂
肪族アルコールおよびアルカリ金属カルボン酸塩を溶解
させた水層と、水と任意の比率で混合しない有機溶剤層
とからなる二層を形成する溶液を調製する。この系中で
フェニルトリハロシランを加水分解し、そして加水分解
生成物を縮合反応させることにより、本発明のフェニル
ポリシルセスキオキサンを調製することができる。
肪族アルコールおよびアルカリ金属カルボン酸塩を溶解
させた水層と、水と任意の比率で混合しない有機溶剤層
とからなる二層を形成する溶液を調製する。この系中で
フェニルトリハロシランを加水分解し、そして加水分解
生成物を縮合反応させることにより、本発明のフェニル
ポリシルセスキオキサンを調製することができる。
【0013】ここで使用する低級脂肪族アルコールは、
水と有機溶剤との共溶剤として働き、水層で生成したフ
ェニルポリシルセスキオキサンが有機溶剤層に移行する
ことを助け、またフェニルトリハロシランの加水分解を
助ける働きをする。使用できる低級脂肪族アルコールと
しては、具体的には、メタノール、エタノール、n−プ
ロパノール、i−プロパノール、n−ブタノール等が挙
げられる。また、この低級アルコールの使用量は、水1
00重量部に対して1〜100重量部の範囲であること
が好ましい。
水と有機溶剤との共溶剤として働き、水層で生成したフ
ェニルポリシルセスキオキサンが有機溶剤層に移行する
ことを助け、またフェニルトリハロシランの加水分解を
助ける働きをする。使用できる低級脂肪族アルコールと
しては、具体的には、メタノール、エタノール、n−プ
ロパノール、i−プロパノール、n−ブタノール等が挙
げられる。また、この低級アルコールの使用量は、水1
00重量部に対して1〜100重量部の範囲であること
が好ましい。
【0014】本発明で使用するアルカリ金属カルボン酸
塩は、フェニルトリハロシランの加水分解により生成す
るハロゲン化水素を捕捉する働きをする。また、この反
応により副生するカルボン酸がアルカリ金属カルボン酸
塩と共に緩衝溶液を形成し、生成するフェニルシルセス
キオキサンの高分子量化を防ぐ働きをする。本発明の製
造方法では、緩衝溶液中でフェニルトリハロシランの加
水分解および縮合反応を行うことにより、ゲルパーミエ
ーションクロマトグラフィーによる標準ポリスチレン換
算の数平均分子量500〜1500で占められる部分が
90パ−セント以上存在するフェニルポリシルセスキオ
キサンを製造することができる。使用できるアルカリ金
属カルボン酸塩としては、具体的には、ギ酸ナトリウ
ム,ギ酸カリウム,酢酸リチウム,酢酸ナトリウム,酢
酸セシウム,プロピオン酸ナトリウム等が挙げられる。
また、アルカリ金属カルボン酸塩の使用量は、通常、水
100重量部に対して20〜100重量部の範囲であ
り、好ましくは40〜60重量部の範囲である。
塩は、フェニルトリハロシランの加水分解により生成す
るハロゲン化水素を捕捉する働きをする。また、この反
応により副生するカルボン酸がアルカリ金属カルボン酸
塩と共に緩衝溶液を形成し、生成するフェニルシルセス
キオキサンの高分子量化を防ぐ働きをする。本発明の製
造方法では、緩衝溶液中でフェニルトリハロシランの加
水分解および縮合反応を行うことにより、ゲルパーミエ
ーションクロマトグラフィーによる標準ポリスチレン換
算の数平均分子量500〜1500で占められる部分が
90パ−セント以上存在するフェニルポリシルセスキオ
キサンを製造することができる。使用できるアルカリ金
属カルボン酸塩としては、具体的には、ギ酸ナトリウ
ム,ギ酸カリウム,酢酸リチウム,酢酸ナトリウム,酢
酸セシウム,プロピオン酸ナトリウム等が挙げられる。
また、アルカリ金属カルボン酸塩の使用量は、通常、水
100重量部に対して20〜100重量部の範囲であ
り、好ましくは40〜60重量部の範囲である。
【0015】本発明で使用する有機溶剤は、水と任意の
比率で混合しないものであればよい。このような有機溶
剤としては、ヘキサン,ヘプタン,オクタン,ノナン等
の脂肪族炭化水素;ベンゼン,トルエン,キシレン等の
芳香族炭化水素等が挙げられる。また、有機溶剤の使用
量は、フェニルトリハロシランおよび生成するフェニル
ポリシルセスキオキサンの溶解性および経済性の点か
ら、水100重量部に対して50〜300重量部の範囲
であることが好ましい。
比率で混合しないものであればよい。このような有機溶
剤としては、ヘキサン,ヘプタン,オクタン,ノナン等
の脂肪族炭化水素;ベンゼン,トルエン,キシレン等の
芳香族炭化水素等が挙げられる。また、有機溶剤の使用
量は、フェニルトリハロシランおよび生成するフェニル
ポリシルセスキオキサンの溶解性および経済性の点か
ら、水100重量部に対して50〜300重量部の範囲
であることが好ましい。
【0016】本発明で使用するフェニルトリハロシラン
としては、具体的には、フェニルトリフルロロシラン,
フェニルトリクロロシラン,フェニルトリブロモシラ
ン,フェニルトリヨードシランが挙げられ、好ましくは
フェニルトリクロロシラン,フェニルトリブロモシラン
である。また、フェニルトリハロシランの使用量は、水
100重量部に対して1〜100重量部の範囲であるこ
とが好ましい。フェニルトリハロシランを加水分解する
方法としては、フェニルトリハロシランを前記系中に滴
下する方法、フェニルトリハロシランをあらかじめ有機
溶剤に溶解さ、これを前記系中に滴下する方法が挙げら
れる。
としては、具体的には、フェニルトリフルロロシラン,
フェニルトリクロロシラン,フェニルトリブロモシラ
ン,フェニルトリヨードシランが挙げられ、好ましくは
フェニルトリクロロシラン,フェニルトリブロモシラン
である。また、フェニルトリハロシランの使用量は、水
100重量部に対して1〜100重量部の範囲であるこ
とが好ましい。フェニルトリハロシランを加水分解する
方法としては、フェニルトリハロシランを前記系中に滴
下する方法、フェニルトリハロシランをあらかじめ有機
溶剤に溶解さ、これを前記系中に滴下する方法が挙げら
れる。
【0017】フェニルトリハロシランの加水分解におい
て、前記系中の攪拌速度は、水と有機溶剤層とからなる
二層が形成できる程度に攪拌速度を調整する必要があ
る。これは、水と有機溶剤の懸濁状態でフェニルトリハ
ロシランの加水分解を行うと、ゲルパーミエーションク
ロマトグラフィーによる標準ポリスチレン換算の数平均
分子量500〜1500で占められる部分が90パ−セ
ント未満となり、また分子量分布の値が1.5を超える
ためである。
て、前記系中の攪拌速度は、水と有機溶剤層とからなる
二層が形成できる程度に攪拌速度を調整する必要があ
る。これは、水と有機溶剤の懸濁状態でフェニルトリハ
ロシランの加水分解を行うと、ゲルパーミエーションク
ロマトグラフィーによる標準ポリスチレン換算の数平均
分子量500〜1500で占められる部分が90パ−セ
ント未満となり、また分子量分布の値が1.5を超える
ためである。
【0018】以上のような本発明のフェニルポリシルセ
スキオキサンは、各種官能基を有するフェニルポリシル
セスキオキサンを製造するための中間体として有用であ
る。例えば、本発明のフェニルポリシルセスキオキサン
の分子鎖末端のシラノール基またはアルコキシ基にジメ
チルクロロシランまたはジメチルビニルクロロシラン等
を縮合反応させることにより、分子鎖末端にケイ素原子
結合水素原子またはケイ素原子結合ビニル基を有するフ
ェニルポリシルセスキオキサンを調製でき、このフェニ
ルポリシルセスキオキサンを各種有機反応性基を有する
脂肪族不飽和化合物と付加反応するための中間体として
有用である。
スキオキサンは、各種官能基を有するフェニルポリシル
セスキオキサンを製造するための中間体として有用であ
る。例えば、本発明のフェニルポリシルセスキオキサン
の分子鎖末端のシラノール基またはアルコキシ基にジメ
チルクロロシランまたはジメチルビニルクロロシラン等
を縮合反応させることにより、分子鎖末端にケイ素原子
結合水素原子またはケイ素原子結合ビニル基を有するフ
ェニルポリシルセスキオキサンを調製でき、このフェニ
ルポリシルセスキオキサンを各種有機反応性基を有する
脂肪族不飽和化合物と付加反応するための中間体として
有用である。
【0019】
【実施例】次に、本発明を実施例、応用例および比較例
により説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。また、分子量分布の値は、分散度
により示した。
により説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限定
されるものではない。また、分子量分布の値は、分散度
により示した。
【0020】
【実施例1】攪拌器、温度計、滴下ロートを備えた1リ
ットルフラスコに、水264.1グラムを入れ、攪拌下
で無水酢酸ナトリウム132.1グラム(1.61モ
ル)を投入し、これを完全に溶解させた。ついで、iー
プロパノール51.6グラム(0.859モル)、トル
エン236グラムを投入した。トルエン層と水層が二層
を形成するように攪拌速度を調節しながら、フェニルト
リクロロシラン90.8グラム(0.429モル)を4
0分かけて滴下した。その後、25〜50℃で20.8
時間攪拌した。反応混合物を1リットル分液ロートに移
し、水層を排出した後、水により排水が中性になるまで
洗浄した。トルエン層は、攪拌器、水分分流管付還流
管、温度計を備えた0.5リットルフラスコに移し、3
時間加熱還流して水分を除去した。トルエン溶液をろ過
した後、トルエンを減圧除去することにより、フェニル
ポリシルセスキオキサン57.8グラムを得た。
ットルフラスコに、水264.1グラムを入れ、攪拌下
で無水酢酸ナトリウム132.1グラム(1.61モ
ル)を投入し、これを完全に溶解させた。ついで、iー
プロパノール51.6グラム(0.859モル)、トル
エン236グラムを投入した。トルエン層と水層が二層
を形成するように攪拌速度を調節しながら、フェニルト
リクロロシラン90.8グラム(0.429モル)を4
0分かけて滴下した。その後、25〜50℃で20.8
時間攪拌した。反応混合物を1リットル分液ロートに移
し、水層を排出した後、水により排水が中性になるまで
洗浄した。トルエン層は、攪拌器、水分分流管付還流
管、温度計を備えた0.5リットルフラスコに移し、3
時間加熱還流して水分を除去した。トルエン溶液をろ過
した後、トルエンを減圧除去することにより、フェニル
ポリシルセスキオキサン57.8グラムを得た。
【0021】得られたフェニルポリシルセスキオキサン
のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる標準
ポリスチレン換算の数平均分子量は700であり、数平
均分子量500〜1500で占められる部分は95パー
セントであり、分散度は1.46であった。また、分子
鎖末端のイソプロポキシ基の含有率は、14モル%であ
った。
のゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる標準
ポリスチレン換算の数平均分子量は700であり、数平
均分子量500〜1500で占められる部分は95パー
セントであり、分散度は1.46であった。また、分子
鎖末端のイソプロポキシ基の含有率は、14モル%であ
った。
【0022】
【応用例1】攪拌器、還流管、滴下ロート、温度計を備
えた0.3リットルフラスコに実施例1で調製したフェ
ニルポリシルセスキオキサン13.7グラムとトルエン
82.8グラムを入れ、完全に溶解させた。そこにトリ
フルオロ酢酸14ミリグラムを入れ、室温下で攪拌し
た。1,1,3,3−テトラメチルジシラザン8.12
グラムを30分かけて滴下し、滴下終了後、室温〜29
℃で4.5時間攪拌した。反応終了後、反応溶液をろ過
し、トルエンを減圧除去して分子鎖末端にケイ素原子結
合水素原子を有するフェニルポリシルセスキオキサンを
12.7グラム得た。
えた0.3リットルフラスコに実施例1で調製したフェ
ニルポリシルセスキオキサン13.7グラムとトルエン
82.8グラムを入れ、完全に溶解させた。そこにトリ
フルオロ酢酸14ミリグラムを入れ、室温下で攪拌し
た。1,1,3,3−テトラメチルジシラザン8.12
グラムを30分かけて滴下し、滴下終了後、室温〜29
℃で4.5時間攪拌した。反応終了後、反応溶液をろ過
し、トルエンを減圧除去して分子鎖末端にケイ素原子結
合水素原子を有するフェニルポリシルセスキオキサンを
12.7グラム得た。
【0023】得られたフェニルポリシルセスキオキサン
のケイ素原子結合水素原子の含有率は0.14重量パー
セントであった。また、このフェニルポリシルセスキオ
キサンのゲルパーミエーションクロマトグラフィーによ
る標準ポリスチレン換算の数平均分子量は1400であ
り、重量平均分子量は1700であった。また数平均分
子量500〜1500で占められる部分は92パーセン
トであった。
のケイ素原子結合水素原子の含有率は0.14重量パー
セントであった。また、このフェニルポリシルセスキオ
キサンのゲルパーミエーションクロマトグラフィーによ
る標準ポリスチレン換算の数平均分子量は1400であ
り、重量平均分子量は1700であった。また数平均分
子量500〜1500で占められる部分は92パーセン
トであった。
【0024】
【比較例1】攪拌器、還流管、滴下ロート、温度計を備
えた1リットルフラスコにトルエン100グラムと水3
60グラムを入れ、そこにフェニルトリクロロシラン1
20グラム(0.567モル)とトルエン100グラム
の混合溶液を40分かけて滴下し、25〜52℃で6時
間攪拌した。反応混合物を1リットル分液ロートに移
し、排水が中性になるまで4回水洗した。トルエン層は
ろ過した後、トルエンを減圧除去しフェニルポリシルセ
スキオキサン85.5グラムを得た。
えた1リットルフラスコにトルエン100グラムと水3
60グラムを入れ、そこにフェニルトリクロロシラン1
20グラム(0.567モル)とトルエン100グラム
の混合溶液を40分かけて滴下し、25〜52℃で6時
間攪拌した。反応混合物を1リットル分液ロートに移
し、排水が中性になるまで4回水洗した。トルエン層は
ろ過した後、トルエンを減圧除去しフェニルポリシルセ
スキオキサン85.5グラムを得た。
【0025】得られたフェニルポリシルセスキオキサン
の数平均分子量は2200であり、分散度は1.79で
あり、数平均分子量が1500以下の低分子量フェニル
ポリシルセスキオキサンを選択的に得ることはできなか
った。また、実施例1で製造したフェニルポリシルセス
キオキサンは、比較例1で製造したフェニルポリシルセ
スキオキサンに比べ低分子量であった。
の数平均分子量は2200であり、分散度は1.79で
あり、数平均分子量が1500以下の低分子量フェニル
ポリシルセスキオキサンを選択的に得ることはできなか
った。また、実施例1で製造したフェニルポリシルセス
キオキサンは、比較例1で製造したフェニルポリシルセ
スキオキサンに比べ低分子量であった。
【0026】
【発明の効果】本発明のフェニルポリシルセスキオキサ
ンは、分子量分布が狭い(分散度が小さい)低分子量フ
ェニルポリシルセスキオキサンであり、また、本発明の
製造方法はこのようなフェニルポリシルセスキオキサン
を収率よく製造できるという特徴を有する。
ンは、分子量分布が狭い(分散度が小さい)低分子量フ
ェニルポリシルセスキオキサンであり、また、本発明の
製造方法はこのようなフェニルポリシルセスキオキサン
を収率よく製造できるという特徴を有する。
【図1】第1図は、実施例1で得られたフェニルポリシ
ルセスキオキサンの1H−核磁気共鳴スペクトルチャー
トである。
ルセスキオキサンの1H−核磁気共鳴スペクトルチャー
トである。
【図2】第2図は、応用例1で得られたフェニルポリシ
ルセスキオキサンの1H−核磁気共鳴スペクトルチャー
トである。
ルセスキオキサンの1H−核磁気共鳴スペクトルチャー
トである。
【式1】
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成3年8月19日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【化1】 (Rは水素原子または一価炭化水素基であり、nは平均
重合度を示す正数である。)で示されるフェニルポリシ
ルセスキオキサン。
重合度を示す正数である。)で示されるフェニルポリシ
ルセスキオキサン。
【化2】 (Rは水素原子または一価炭化水素基であり、nは平均
重合度を示す正数である。)で示されるフェニルポリシ
ルセスキオキサンの製造方法。
重合度を示す正数である。)で示されるフェニルポリシ
ルセスキオキサンの製造方法。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】変更
【補正内容】
【0007】
【課題を解決するための手段およびその作用】本発明
は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる標
準ポリスチレン換算の数平均分子量500〜1500の
範囲で占められる部分が90パーセント以上存在する、
一般式:
は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる標
準ポリスチレン換算の数平均分子量500〜1500の
範囲で占められる部分が90パーセント以上存在する、
一般式:
【化3】 (Rは水素原子または一価炭化水素基であり、nは平均
重合度を示す正数である。)で示されるフェニルポリシ
ルセスキオキサンおよび、低級脂肪族アルコールおよび
アルカリ金属カルボン酸塩を溶解させた水層と、水と任
意の比率で混合しない有機溶剤層とからなる二層を形成
せしめ、この系中でフェニルトリハロシランを加水分解
し、そして加水分解生成物を縮合反応させることを特徴
とする、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによ
る標準ポリスチレン換算の数平均分子量500〜150
0の範囲で占められる部分が90パーセント以上存在す
る、一般式:
重合度を示す正数である。)で示されるフェニルポリシ
ルセスキオキサンおよび、低級脂肪族アルコールおよび
アルカリ金属カルボン酸塩を溶解させた水層と、水と任
意の比率で混合しない有機溶剤層とからなる二層を形成
せしめ、この系中でフェニルトリハロシランを加水分解
し、そして加水分解生成物を縮合反応させることを特徴
とする、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによ
る標準ポリスチレン換算の数平均分子量500〜150
0の範囲で占められる部分が90パーセント以上存在す
る、一般式:
【化4】 (Rは水素原子または一価炭化水素基であり、nは平均
重合度を示す正数である。)で示されるフェニルポリシ
ルセスキオキサンの製造方法に関する。
重合度を示す正数である。)で示されるフェニルポリシ
ルセスキオキサンの製造方法に関する。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0009
【補正方法】変更
【補正内容】
【0009】本発明のフェニルポリシルセスキオキサン
は、一般式:
は、一般式:
【化5】 で示され、そのゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ーによる標準ポリスチレン換算の数平均分子量500〜
1500で占められる部分が90パーセント以上であ
る。上式中、Rは水素原子または一価炭化水素基であ
り、具体的には、水素原子またはメチル基,エチル基,
n−プロピル基,i−プロピル基等の一価炭化水素基が
挙げられる。nは平均重合度を示す正数であり、ゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィーによる標準ポリスチ
レン換算の数平均分子量500〜1500で占められる
部分が90パ−セント以上となるような値である。
ーによる標準ポリスチレン換算の数平均分子量500〜
1500で占められる部分が90パーセント以上であ
る。上式中、Rは水素原子または一価炭化水素基であ
り、具体的には、水素原子またはメチル基,エチル基,
n−プロピル基,i−プロピル基等の一価炭化水素基が
挙げられる。nは平均重合度を示す正数であり、ゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィーによる標準ポリスチ
レン換算の数平均分子量500〜1500で占められる
部分が90パ−セント以上となるような値である。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0016
【補正方法】変更
【補正内容】
【0016】本発明で使用するフェニルトリハロシラン
としては、具体的には、フェニルトリフルオロシラン,
フェニルトリクロロシラン,フェニルトリブロモシラ
ン,フェニルトリヨードシランが挙げられ、好ましくは
フェニルトリクロロシラン,フェニルトリブロモシラン
である。また、フェニルトリハロシランの使用量は、水
100重量部に対して1〜100重量部の範囲であるこ
とが好ましい。フェニルトリハロシランを加水分解する
方法としては、フェニルトリハロシランを前記系中に滴
下する方法、フェニルトリハロシランをあらかじめ有機
溶剤に溶解させ、これを前記系中に滴下する方法が挙げ
られる。
としては、具体的には、フェニルトリフルオロシラン,
フェニルトリクロロシラン,フェニルトリブロモシラ
ン,フェニルトリヨードシランが挙げられ、好ましくは
フェニルトリクロロシラン,フェニルトリブロモシラン
である。また、フェニルトリハロシランの使用量は、水
100重量部に対して1〜100重量部の範囲であるこ
とが好ましい。フェニルトリハロシランを加水分解する
方法としては、フェニルトリハロシランを前記系中に滴
下する方法、フェニルトリハロシランをあらかじめ有機
溶剤に溶解させ、これを前記系中に滴下する方法が挙げ
られる。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0018
【補正方法】変更
【補正内容】
【0018】以上のような本発明のフェニルポリシルセ
スキオキサンは、塗料用添加剤、耐熱性電気絶縁膜さら
には、各種官能基を有するフェニルポリシルセスキオキ
サンを製造するための中間体として有用である。各種官
能基を有するフェニルポリシルセスキオキサンは、例え
ば、本発明のフェニルポリシルセスキオキサンの分子鎖
末端のシラノール基またはアルコキシ基にジメチルクロ
ロシランを縮合反応させることにより、分子鎖末端にケ
イ素原子結合水素原子を有するフェニルポリシルセスキ
オキサンを調製でき、このフェニルポリシルセスキオキ
サンに各種官能基を有する脂肪族不飽和化合物を付加反
応することにより調製できる。このような各種官能基を
有するフェニルポリシルセスキオキサンは、塗料用添加
剤、樹脂改質剤として使用できる。
スキオキサンは、塗料用添加剤、耐熱性電気絶縁膜さら
には、各種官能基を有するフェニルポリシルセスキオキ
サンを製造するための中間体として有用である。各種官
能基を有するフェニルポリシルセスキオキサンは、例え
ば、本発明のフェニルポリシルセスキオキサンの分子鎖
末端のシラノール基またはアルコキシ基にジメチルクロ
ロシランを縮合反応させることにより、分子鎖末端にケ
イ素原子結合水素原子を有するフェニルポリシルセスキ
オキサンを調製でき、このフェニルポリシルセスキオキ
サンに各種官能基を有する脂肪族不飽和化合物を付加反
応することにより調製できる。このような各種官能基を
有するフェニルポリシルセスキオキサンは、塗料用添加
剤、樹脂改質剤として使用できる。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、実施例1で得られたフェニルポリシル
セスキオキサンの1H−核磁気共鳴スペクトルチャート
である。
セスキオキサンの1H−核磁気共鳴スペクトルチャート
である。
【図2】図2は、応用例1で得られたフェニルポリシル
セスキオキサンの1H−核磁気共鳴スペクトルチャート
である。
セスキオキサンの1H−核磁気共鳴スペクトルチャート
である。
Claims (2)
- 【請求項1】 ゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ーによる標準ポリスチレン換算の数平均分子量500〜
1500の範囲で占められる部分が90パーセント以上
存在する、一般式: 【化1】(Rは水素原子または一価炭化水素基であり、
nは平均重合度を示す正数である。)で示されるフェニ
ルポリシルセスキオキサン。 - 【請求項2】 低級脂肪族アルコールおよびアルカリ金
属カルボン酸塩を溶解させた水層と、水と任意の比率で
混合しない有機溶剤層とからなる二層を形成させ、この
系中でフェニルトリハロシランを加水分解し、そして加
水分解生成物を縮合反応させることを特徴とする、ゲル
パーミエーションクロマトグラフィーによる標準ポリス
チレン換算の数平均分子量500〜1500の範囲で占
められる部分が90パーセント以上存在する、一般式: 【化1】(Rは水素原子または一価炭化水素基であり、
nは平均重合度を示す正数である。)で示されるフェニ
ルポリシルセスキオキサンの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3221052A JPH0539357A (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | フエニルポリシルセスキオキサンおよびその製造方法 |
US07/920,614 US5247043A (en) | 1991-08-06 | 1992-07-24 | Phenylpolysilsesquioxanes and method for their preparation |
DE69214227T DE69214227T2 (de) | 1991-08-06 | 1992-08-05 | Verfahren zur Herstellung von Polyphenylsilsesquioxanen |
EP92113355A EP0526887B1 (en) | 1991-08-06 | 1992-08-05 | Method for the preparation of phenylpolysilsesquioxanes |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3221052A JPH0539357A (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | フエニルポリシルセスキオキサンおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0539357A true JPH0539357A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16760745
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3221052A Pending JPH0539357A (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | フエニルポリシルセスキオキサンおよびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5247043A (ja) |
EP (1) | EP0526887B1 (ja) |
JP (1) | JPH0539357A (ja) |
DE (1) | DE69214227T2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001002785A (ja) * | 1999-06-09 | 2001-01-09 | Dow Corning Corp | シリコーン樹脂および合成方法 |
US8007860B2 (en) | 2008-10-08 | 2011-08-30 | Showa Denko K.K. | Method for manufacturing magnetic recording medium, and magnetic recording and reproducing apparatus |
WO2013176238A1 (ja) | 2012-05-25 | 2013-11-28 | 株式会社ダイセル | 硬化性樹脂組成物及びその硬化物、封止剤、並びに光半導体装置 |
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US5858544A (en) * | 1995-12-15 | 1999-01-12 | Univ Michigan | Spherosiloxane coatings |
JP3635156B2 (ja) * | 1996-08-19 | 2005-04-06 | ダウ コーニング アジア株式会社 | 硬化性ポリメチルシルセスキオキサン組成物 |
US5801262A (en) * | 1997-06-30 | 1998-09-01 | General Electric Company | Process for preparing polysiloxane microspheres with a narrow size distribution |
CN101668822B (zh) * | 2007-04-26 | 2013-02-06 | 陶氏康宁公司 | 赋予防水性的含水硅氧烷乳液 |
WO2009096420A1 (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Showa Denko K.K. | 凹凸パターン形成方法、およびそれを利用した磁気記録媒体の製造方法 |
KR101249798B1 (ko) * | 2010-08-18 | 2013-04-03 | 한국과학기술연구원 | 선택적으로 구조가 제어된 폴리실세스퀴옥산의 제조방법 및 이로부터 제조된 폴리실세스퀴옥산 |
JP6070964B2 (ja) * | 2012-03-27 | 2017-02-01 | 日産化学工業株式会社 | 自己組織化膜の下層膜形成組成物 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3378575A (en) * | 1964-07-29 | 1968-04-16 | Gen Electric | Process for making cyclotetra-siloxanetetrol |
FR1437889A (fr) * | 1964-07-29 | 1966-05-06 | Thomson Houston Comp Francaise | Nouveaux polysiloxanes cycliques |
JPS5710627A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-20 | Hitachi Chem Co Ltd | Preparation of polysiloxane with fractionated molecular weight |
JPS5850657A (ja) * | 1981-09-18 | 1983-03-25 | Sanyo Electric Co Ltd | ガイドシリンダ製造方法 |
JPS5859222A (ja) * | 1981-10-03 | 1983-04-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | オルガノポリシルセスキオキサン及びその製造方法 |
JPS59108033A (ja) * | 1982-12-10 | 1984-06-22 | Dainippon Ink & Chem Inc | 高分子量ラダ−型ポリフエニルシロキサンの製造方法 |
JP2513595B2 (ja) * | 1984-11-28 | 1996-07-03 | 富士通株式会社 | ラダ−型シリコン樹脂の分子量分別法 |
JPH0336934A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-18 | Nec Corp | バッテリ充電制御方式 |
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-
1991
- 1991-08-06 JP JP3221052A patent/JPH0539357A/ja active Pending
-
1992
- 1992-07-24 US US07/920,614 patent/US5247043A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-08-05 EP EP92113355A patent/EP0526887B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-08-05 DE DE69214227T patent/DE69214227T2/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69214227T2 (de) | 1997-03-06 |
US5247043A (en) | 1993-09-21 |
DE69214227D1 (de) | 1996-11-07 |
EP0526887A1 (en) | 1993-02-10 |
EP0526887B1 (en) | 1996-10-02 |
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