JP2919959B2 - ホトレジストでパターン化された金属層のためのエッチング剤液 - Google Patents
ホトレジストでパターン化された金属層のためのエッチング剤液Info
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
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- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、ホトレジストでパターン化された金属層の
ためのエッチング剤液に関する。さらに詳細には、本発
明は水、リン酸、硝酸、酢酸および特定の高級トリアル
キルアミンオキシド界面活性剤の混合物を含む水性エッ
チング剤液に関するもので、集積回路の製造の際に用い
られる基体金属(例えば、アルミニウム)のエッチング
に使用されるものである。
ためのエッチング剤液に関する。さらに詳細には、本発
明は水、リン酸、硝酸、酢酸および特定の高級トリアル
キルアミンオキシド界面活性剤の混合物を含む水性エッ
チング剤液に関するもので、集積回路の製造の際に用い
られる基体金属(例えば、アルミニウム)のエッチング
に使用されるものである。
集積回路の製造に際してのウエハー上の金属層中への
パターンの描き込みは、代表的に金属面上にパターン化
されたホトレジスト層を形成させ、ついで金属を溶解す
るエッチング剤液で露出されパターン化されている金属
層をエッチングすることにより行われる。これらのエッ
チング剤液は、可溶性の化合物種への金属の酸化と、溶
液中の水素イオンの還元とを同時に起こすように作用す
る。この後者は金属の表面に水素ガスの発生を生じさせ
る。表面で発生したこの水素ガスは表面上に留まる傾向
があり、金属自体を被覆して金属表面にエッチング剤液
が到達するのを阻止する。そこで金属のこの区域はエッ
チングされずに残留し、好ましくない短絡回路を形成す
ることになる。
パターンの描き込みは、代表的に金属面上にパターン化
されたホトレジスト層を形成させ、ついで金属を溶解す
るエッチング剤液で露出されパターン化されている金属
層をエッチングすることにより行われる。これらのエッ
チング剤液は、可溶性の化合物種への金属の酸化と、溶
液中の水素イオンの還元とを同時に起こすように作用す
る。この後者は金属の表面に水素ガスの発生を生じさせ
る。表面で発生したこの水素ガスは表面上に留まる傾向
があり、金属自体を被覆して金属表面にエッチング剤液
が到達するのを阻止する。そこで金属のこの区域はエッ
チングされずに残留し、好ましくない短絡回路を形成す
ることになる。
このガス発生の問題は従来半導体の加工に際して、金
属面から気泡自体を離れさせるためエッチング中に、エ
ッチング剤液からウエハーを時々とり出すことにより克
服されていた。これは気泡がホトレジスト層およびウエ
ハーの露出された金属面に付着する傾向があるため必ら
ずしもうまくはいかない。一方過去において、前述のエ
ッチングで起こりうる不完全性を克服するため過剰エッ
チング、つまり、存在する金属皮膜をとり除くため通常
必要な時間以上のエッチングが行われていた。しかしな
がら、金属面上に非常に小さいホトレジストの線がある
ようなときは過剰エッチングは問題を起こす。このよう
な場合、エッチング剤はホトレジストにより被覆されて
いる区域の下の金属を溶解し(アンダーカットとも呼ば
れる)、配線を細め電気抵抗の増大を生じさせることに
なる。
属面から気泡自体を離れさせるためエッチング中に、エ
ッチング剤液からウエハーを時々とり出すことにより克
服されていた。これは気泡がホトレジスト層およびウエ
ハーの露出された金属面に付着する傾向があるため必ら
ずしもうまくはいかない。一方過去において、前述のエ
ッチングで起こりうる不完全性を克服するため過剰エッ
チング、つまり、存在する金属皮膜をとり除くため通常
必要な時間以上のエッチングが行われていた。しかしな
がら、金属面上に非常に小さいホトレジストの線がある
ようなときは過剰エッチングは問題を起こす。このよう
な場合、エッチング剤はホトレジストにより被覆されて
いる区域の下の金属を溶解し(アンダーカットとも呼ば
れる)、配線を細め電気抵抗の増大を生じさせることに
なる。
本発明の目的は、金属層特にアルミニウム層のエッチ
ングを、金属面上に生成した気泡が表面から速やかに離
れることができ、これによりエッチング不良を生ずるこ
となしに金属の全面が一様にエッチングされるようなエ
ッチング剤液を提供することである。この結果として、
金属配線の細少化を生じるような余分なエッチングをす
る必要がない。その上、前述のようにエッチング中に浴
からウエハーを時々とり出すことがなく、そのためエッ
チング操作をより速やかに良好なコントロールと省力化
の下に行うことができる。
ングを、金属面上に生成した気泡が表面から速やかに離
れることができ、これによりエッチング不良を生ずるこ
となしに金属の全面が一様にエッチングされるようなエ
ッチング剤液を提供することである。この結果として、
金属配線の細少化を生じるような余分なエッチングをす
る必要がない。その上、前述のようにエッチング中に浴
からウエハーを時々とり出すことがなく、そのためエッ
チング操作をより速やかに良好なコントロールと省力化
の下に行うことができる。
従って、本発明は水および: (a)65〜75重量%のリン酸; (b)1〜5重量%の硝酸; (c)0〜15重量%の酢酸;および (d)0.005〜5重量%の次の式を有するアミンオキサ
イド界面活性剤 からなることを特徴とする水性エッチング剤液に関する
ものである。
イド界面活性剤 からなることを特徴とする水性エッチング剤液に関する
ものである。
ここでR1とR2とはそれぞれ独立的にC1 〜 4の低級アル
キル基およびC1 〜 4の低級アルコキシ基からなる群より
選ばれたものであり、そしてR3はC8 〜 18の高級アルキル
基またはそれらの混合物である。
キル基およびC1 〜 4の低級アルコキシ基からなる群より
選ばれたものであり、そしてR3はC8 〜 18の高級アルキル
基またはそれらの混合物である。
さらに本発明は前記組成の水性エッチング剤液中に金
属基板を浸漬することからなる、パターン化したホトレ
ジストをもつ金属基板(例えば、アルミニウム)のエッ
チング方法に関するものである。
属基板を浸漬することからなる、パターン化したホトレ
ジストをもつ金属基板(例えば、アルミニウム)のエッ
チング方法に関するものである。
本発明のエッチング剤液は式(I)のトリアルキルア
ミンオキサイド化合物を、水、リン酸、硝酸、および任
意的に酢酸から作られた公知の金属エッチング剤液に添
加することにより作ることができる。
ミンオキサイド化合物を、水、リン酸、硝酸、および任
意的に酢酸から作られた公知の金属エッチング剤液に添
加することにより作ることができる。
これらの各酸を含む公知の金属エッチング剤液の適当
なものの1つはイメージテクノロジー社から入手できる
M2Sエッチング剤液である。この既知のエッチング剤液
はリン酸72重量%、硝酸2重量%そして酢酸10重量%と
残部は水を含んでいる。前述のパーセントのリン酸と硝
酸とを含む、この他の適当な金属エッチング剤は本発明
のエッチング剤液のための出発材料として用いることが
できる。酢酸は任意的な追加成分である。
なものの1つはイメージテクノロジー社から入手できる
M2Sエッチング剤液である。この既知のエッチング剤液
はリン酸72重量%、硝酸2重量%そして酢酸10重量%と
残部は水を含んでいる。前述のパーセントのリン酸と硝
酸とを含む、この他の適当な金属エッチング剤は本発明
のエッチング剤液のための出発材料として用いることが
できる。酢酸は任意的な追加成分である。
本発明で用いられるトリアルキルアミンオキサイド界
面活性剤には、アクゾケミカル社によりアロモックスDM
C-Wとして市販されているジメチルココアミンオキサイ
ド(R1=R2=メチル、R3は大部分がC12であるC8〜C18ア
ルキルの混合物);アクゾケミカル社によりアロモック
スC/12-Wとして市販されているジエトキシココアミンオ
キサイド(R1=R2=2−ヒドロキシエチルまたはエトキ
シ、R3は大部分がC12であるC8〜C18アルキルの混合
物);およびシエレックスケミカル社によりバロックス
365として市販されているジメチルラウリルアミンオキ
サイド(R1=R2=メチル、R3はC12が95重量%)などが
含まれる。R1とR2の好ましいものはメチル、エチル、メ
トキシおよびエトキシである。R3は好ましく大部分がC
12 〜 14アルキルであるC8 〜 18アルキルの混合物である。
面活性剤には、アクゾケミカル社によりアロモックスDM
C-Wとして市販されているジメチルココアミンオキサイ
ド(R1=R2=メチル、R3は大部分がC12であるC8〜C18ア
ルキルの混合物);アクゾケミカル社によりアロモック
スC/12-Wとして市販されているジエトキシココアミンオ
キサイド(R1=R2=2−ヒドロキシエチルまたはエトキ
シ、R3は大部分がC12であるC8〜C18アルキルの混合
物);およびシエレックスケミカル社によりバロックス
365として市販されているジメチルラウリルアミンオキ
サイド(R1=R2=メチル、R3はC12が95重量%)などが
含まれる。R1とR2の好ましいものはメチル、エチル、メ
トキシおよびエトキシである。R3は好ましく大部分がC
12 〜 14アルキルであるC8 〜 18アルキルの混合物である。
前記で特定した3種類以外のその他のトリアルキルア
ミンオキサイドも、この金属エッチングの利用に有効な
ものであると予想される。トリアルキルアミンオキサイ
ド類は多くの他の界面活性剤と異なり、この強酸性でか
つ酸化性の環境中で安定であることが認められた。
ミンオキサイドも、この金属エッチングの利用に有効な
ものであると予想される。トリアルキルアミンオキサイ
ド類は多くの他の界面活性剤と異なり、この強酸性でか
つ酸化性の環境中で安定であることが認められた。
本発明の5つの主要成分の有効、好ましい、および最
適範囲の重量%の範囲は以下のとおりである: 以下に本発明をより良く例示するため実施例と比較例
とを提示する。すべての部とパーセントとは特に記載し
ない限り重量によるものである。
適範囲の重量%の範囲は以下のとおりである: 以下に本発明をより良く例示するため実施例と比較例
とを提示する。すべての部とパーセントとは特に記載し
ない限り重量によるものである。
比較例1 M2Sアルミニウムエッチング剤はリン酸約72重量%、
硝酸2重量%、酢酸10重量%および残りが水、を含んで
いる。
硝酸2重量%、酢酸10重量%および残りが水、を含んで
いる。
実施例1 M2Sアルミニウムエッチング剤(リン酸約72重量%、
硝酸2重量%、酢酸10重量%および残りが水を含んでい
る)の500gにジメチルココアミンオキサイド界面活性剤
0.5gを添加した。
硝酸2重量%、酢酸10重量%および残りが水を含んでい
る)の500gにジメチルココアミンオキサイド界面活性剤
0.5gを添加した。
実施例2 M2Sアルミニウムエッチング剤(リン酸約72重量%、
硝酸2重量%、酢酸10重量%および残りが水を含んでい
る)の500gにジエトキシココアミンオキサイド界面活性
剤0.5gを添加した。
硝酸2重量%、酢酸10重量%および残りが水を含んでい
る)の500gにジエトキシココアミンオキサイド界面活性
剤0.5gを添加した。
実施例3 M2Sアルミニウムエッチング剤(リン酸約72重量%、
硝酸2重量%、酢酸10重量%および残りが水を含んでい
る)の500gにジメチルラウリルアミンオキサイド界面活
性剤0.5gを添加した。
硝酸2重量%、酢酸10重量%および残りが水を含んでい
る)の500gにジメチルラウリルアミンオキサイド界面活
性剤0.5gを添加した。
比較例2 M2Sアルミニウムエッチング剤(リン酸約72重量%、
硝酸2重量%、酢酸10重量%および残りが水を含んでい
る)の500gにジメチルタロウアミン界面活性剤0.5gを添
加した。
硝酸2重量%、酢酸10重量%および残りが水を含んでい
る)の500gにジメチルタロウアミン界面活性剤0.5gを添
加した。
比較例3 M2Sアルミニウムエッチング剤(リン酸約72重量%、
硝酸2重量%、酢酸10重量%および残りが水を含んでい
る)の500gにノニルフェノールグリシドールエーテル界
面活性剤0.5gを添加した。
硝酸2重量%、酢酸10重量%および残りが水を含んでい
る)の500gにノニルフェノールグリシドールエーテル界
面活性剤0.5gを添加した。
実施例4 M2Sアルミニウムエッチング剤(リン酸約72重量%、
硝酸2重量%、酢酸10重量%および残りが水を含んでい
る)の500gにジメチルココアミンオキサイド界面活性剤
0.25gを添加した。
硝酸2重量%、酢酸10重量%および残りが水を含んでい
る)の500gにジメチルココアミンオキサイド界面活性剤
0.25gを添加した。
エッチング剤液中での界面活性剤の溶解性は、溶液か
ら粒子を除去するために溶液を濾過するとき、不溶性の
界面活性剤は濾別される傾向があるために重要な1つの
ファクターとなる。
ら粒子を除去するために溶液を濾過するとき、不溶性の
界面活性剤は濾別される傾向があるために重要な1つの
ファクターとなる。
実施例4の溶液の表面張力を測定し、ついでこの溶液
を0.2μのテフロンフィルターを通じて、毎分ほぼ1回
液が完全に入れ代わるような速度で6時間循環させた。
約360回の循環後、再度表面張力を測定し濾過を開始す
る前に測定したのと同じであることが認められた。この
ことは実施例4の界面活性剤濃度がこの濾過により著る
しく減少せず、そして活性剤がこの媒体中に可溶性であ
ることを示している。
を0.2μのテフロンフィルターを通じて、毎分ほぼ1回
液が完全に入れ代わるような速度で6時間循環させた。
約360回の循環後、再度表面張力を測定し濾過を開始す
る前に測定したのと同じであることが認められた。この
ことは実施例4の界面活性剤濃度がこの濾過により著る
しく減少せず、そして活性剤がこの媒体中に可溶性であ
ることを示している。
実施例4以外の前記各実施例と比較例のすべての溶液
をテフロンビーカー中水浴で50℃に加熱した。実施例
1、2および3と比較例1の各溶液は、この温度で5日
間色調がほとんど変らないことが認められた。比較例2
と3の溶液はこの温度で1時間以内に変色し、界面活性
剤の分解したことを示した。実施例3の溶液の表面張力
をこの実験の前後に測定した。5日間の加熱後も表面張
力は同じであった。
をテフロンビーカー中水浴で50℃に加熱した。実施例
1、2および3と比較例1の各溶液は、この温度で5日
間色調がほとんど変らないことが認められた。比較例2
と3の溶液はこの温度で1時間以内に変色し、界面活性
剤の分解したことを示した。実施例3の溶液の表面張力
をこの実験の前後に測定した。5日間の加熱後も表面張
力は同じであった。
完全なエッチングを助長するための界面活性剤の能力
は、この応用に際して用いる活性剤を選定する場合に考
慮されるもっとも重要なファクターである。アルミニウ
ムで被覆されたウエハーの、パターン状エッチングを助
長する界面活性剤の能力をテストするために、約1μm
厚みの純アルミニウム層、または下方のシリコン上に生
成した2酸化シリコン上に1重量%のシリコンを含むア
ルミニウムとシリコンとの合金層のいずれかを有するウ
エハーを用意した。これらのウエハーはポジ型のホトレ
ジスト(A)を使用し、1μmより大きいサイズの各種の
線とスペースとを含むマスクを通じて露光をしてパター
ン化した。ついで各ウエハーは、エッチングされている
孔の中の金属アルミニウム反射性が失われ、そして金属
層の下側の酸化物被覆の黒い色の出現が目で確かめられ
るまでエッチングをした。皮膜は余分にエッチングされ
ることがなかった。
は、この応用に際して用いる活性剤を選定する場合に考
慮されるもっとも重要なファクターである。アルミニウ
ムで被覆されたウエハーの、パターン状エッチングを助
長する界面活性剤の能力をテストするために、約1μm
厚みの純アルミニウム層、または下方のシリコン上に生
成した2酸化シリコン上に1重量%のシリコンを含むア
ルミニウムとシリコンとの合金層のいずれかを有するウ
エハーを用意した。これらのウエハーはポジ型のホトレ
ジスト(A)を使用し、1μmより大きいサイズの各種の
線とスペースとを含むマスクを通じて露光をしてパター
ン化した。ついで各ウエハーは、エッチングされている
孔の中の金属アルミニウム反射性が失われ、そして金属
層の下側の酸化物被覆の黒い色の出現が目で確かめられ
るまでエッチングをした。皮膜は余分にエッチングされ
ることがなかった。
(A)オリン ハント スペシャルティ プロダクツ社
から入手できるウエイコートHPR-204ポジ型ホトレジス
ト 比較例4 純アルミニウム層で被覆したウエハーをホトレジスト
によりパターン化した。ついでこのウエハーを比較例1
の溶液中で撹拌をしないで50℃において完了するまでエ
ッチングをした。エッチング後、ウエハーは欠陥を顕微
鏡で検査した。
から入手できるウエイコートHPR-204ポジ型ホトレジス
ト 比較例4 純アルミニウム層で被覆したウエハーをホトレジスト
によりパターン化した。ついでこのウエハーを比較例1
の溶液中で撹拌をしないで50℃において完了するまでエ
ッチングをした。エッチング後、ウエハーは欠陥を顕微
鏡で検査した。
比較例5 純アルミニウム層で被覆したウエハーをホトレジスト
によりパターン化した。ついでこのウエハーを比較例1
の溶液中で撹拌しながら50℃において完了するまでエッ
チングをした。エッチング後、ウエハーは欠陥を顕微鏡
で検査した。
によりパターン化した。ついでこのウエハーを比較例1
の溶液中で撹拌しながら50℃において完了するまでエッ
チングをした。エッチング後、ウエハーは欠陥を顕微鏡
で検査した。
実施例5 純アルミニウム層で被覆したウエハーをホトレジスト
によりパターン化した。ついでこのウエハーを実施例4
の溶液中で撹拌をしないで50℃において完了するまでエ
ッチングをした。エッチング後、ウエハーは欠陥を顕微
鏡で検査した。
によりパターン化した。ついでこのウエハーを実施例4
の溶液中で撹拌をしないで50℃において完了するまでエ
ッチングをした。エッチング後、ウエハーは欠陥を顕微
鏡で検査した。
実施例6 純アルミニウム層で被覆したウエハーをホトレジスト
によりパターン化した。ついでこのウエハーを実施例4
の溶液中で撹拌しながら50℃において完了するまでエッ
チングをした。エッチング後、ウエハーは欠陥を顕微鏡
で検査した。
によりパターン化した。ついでこのウエハーを実施例4
の溶液中で撹拌しながら50℃において完了するまでエッ
チングをした。エッチング後、ウエハーは欠陥を顕微鏡
で検査した。
実施例7 アルミニウム中シリコン1%の合金で被覆したウエハ
ーをホトレジストによりパターン化した。ついでこのウ
エハーを実施例3の溶液中で撹拌しながら35℃において
完了するまでエッチングをした。エッチング後、ウエハ
ーは欠陥を顕微鏡で検査した。
ーをホトレジストによりパターン化した。ついでこのウ
エハーを実施例3の溶液中で撹拌しながら35℃において
完了するまでエッチングをした。エッチング後、ウエハ
ーは欠陥を顕微鏡で検査した。
実施例8 アルミニウム中シリコン1%の合金で被覆したウエハ
ーをホトレジストによりパターン化した。ついでこのウ
エハーを実施例2の溶液中で撹拌しながら35℃において
完了するまでエッチングをした。エッチング後、ウエハ
ーは欠陥を顕微鏡で検査した。
ーをホトレジストによりパターン化した。ついでこのウ
エハーを実施例2の溶液中で撹拌しながら35℃において
完了するまでエッチングをした。エッチング後、ウエハ
ーは欠陥を顕微鏡で検査した。
それぞれの検査に対して、各パターンが含んでいる欠
陥のパーセントを記録した。これらの結果を以下の表1
中に示した。
陥のパーセントを記録した。これらの結果を以下の表1
中に示した。
各結果が示すように、本発明の特定の界面活性剤の存
在は、金属層のパターン状のエッチングに際して欠陥の
数を著るしく減少させる。
在は、金属層のパターン状のエッチングに際して欠陥の
数を著るしく減少させる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−285081(JP,A) 特開 昭62−207886(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C23F 1/16 - 1/30 H01L 21/308 H05K 3/06
Claims (10)
- 【請求項1】水および: (a)65〜75重量%のリン酸; (b)1〜5重量%の硝酸; (c)0〜15重量%の酢酸;および (d)0.005〜5重量%の下記式(I)を有するアミン
オキサイド界面活性剤 からなることを特徴とするエッチング剤液。 ここでR1とR2とはそれぞれ独立的にC1 〜 4の低級アルキ
ル基およびC1 〜 4の低級アルコキシ基からなる群より選
ばれたものであり、そしてR3はC8 〜 18の高級アルキル基
またはそれらの混合物である。 - 【請求項2】界面活性剤がエッチング剤液中0.02〜0.5
重量%の濃度で存在するものである、請求項1に記載の
エッチング剤液。 - 【請求項3】リン酸がエッチング剤液中68〜74重量%の
濃度で存在するものである、請求項1に記載のエッチン
グ剤液。 - 【請求項4】硝酸がエッチング剤液中1.25〜4重量%の
濃度で存在するものである、請求項1に記載のエッチン
グ剤液。 - 【請求項5】酢酸がエッチング剤液中6〜14重量%の濃
度で存在するものである、請求項1に記載のエッチング
剤液。 - 【請求項6】R1とR2とがメチル、メトキシ、エチルおよ
びエトキシからなる基より選ばれたものである、請求項
1に記載のエッチング剤液。 - 【請求項7】R3が大部分はC10〜C14アルキルであるC8〜
C18のアルキルの混合物である、請求項1に記載のエッ
チング剤液。 - 【請求項8】水および: (a)68〜74重量%のリン酸; (b)1.25〜4重量%の硝酸; (c)6〜14重量%の酢酸;および (d)0.02〜0.5重量%の下記式(I)を有するトリア
ルキルアミンオキサイド界面活性剤 からなることを特徴とするものであるエッチング剤液。 ここでR1とR2とはメチル、メトキシ、エチルおよびエト
キシからなる群より独立的に選ばれるものであり、そし
てR3は大部分がC10 〜 14アルキルであるC8 〜 18アルキル
の混合物である。 - 【請求項9】水および: (a)65〜75重量%のリン酸; (b)1〜5重量%の硝酸; (c)0〜15重量%の酢酸;および (d)0.005〜5重量%の下記式(I)を有するアミン
オキサイド界面活性剤 からなる水性エッチング剤液中に基板を浸漬することか
らなる金属基板のエッチング方法。 ここでR1とR2とはそれぞれ独立的にC1 〜 4の低級アルキ
ル基およびC1 〜 4の低級アルコキシ基からなる群より選
ばれたものであり、そしてR3はC8 〜 18の高級アルキル基
またはそれらの混合物である。 - 【請求項10】基板がアルミニウムである、請求項9に
記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/347,128 US4895617A (en) | 1989-05-04 | 1989-05-04 | Etchant solution for photoresist-patterned metal layers |
US347,128 | 1989-05-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04506528A JPH04506528A (ja) | 1992-11-12 |
JP2919959B2 true JP2919959B2 (ja) | 1999-07-19 |
Family
ID=23362450
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2501288A Expired - Lifetime JP2919959B2 (ja) | 1989-05-04 | 1989-11-27 | ホトレジストでパターン化された金属層のためのエッチング剤液 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4895617A (ja) |
EP (1) | EP0470957B1 (ja) |
JP (1) | JP2919959B2 (ja) |
KR (1) | KR920700939A (ja) |
AU (1) | AU4663289A (ja) |
DE (1) | DE68912351T2 (ja) |
WO (1) | WO1990013443A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4101564A1 (de) * | 1991-01-21 | 1992-07-23 | Riedel De Haen Ag | Aetzloesung fuer nasschemische prozesse der halbleiterherstellung |
JP2734839B2 (ja) * | 1991-10-09 | 1998-04-02 | シャープ株式会社 | アルミニウム用エッチング液およびエッチング方法並びにアルミニウムエッチング製品 |
US6127279A (en) * | 1994-09-26 | 2000-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Solution applying method |
US6384001B2 (en) | 1997-03-03 | 2002-05-07 | Micron Technology, Inc. | Dilute cleaning composition |
US6313048B1 (en) | 1997-03-03 | 2001-11-06 | Micron Technology, Inc. | Dilute cleaning composition and method for using same |
US5922123A (en) * | 1997-12-17 | 1999-07-13 | Bayer Corporation | Method for conditioning organic pigments |
US6486108B1 (en) * | 2000-05-31 | 2002-11-26 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
KR100420100B1 (ko) * | 2001-07-12 | 2004-03-04 | 삼성전자주식회사 | 알루미늄 에천트 조성물 |
TWI245071B (en) * | 2002-04-24 | 2005-12-11 | Mitsubishi Chem Corp | Etchant and method of etching |
WO2005022592A2 (en) * | 2003-08-22 | 2005-03-10 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Novel aqueous based metal etchant |
JP4428995B2 (ja) * | 2003-12-03 | 2010-03-10 | 関東化学株式会社 | 金属膜のエッチング液組成物 |
JP4283098B2 (ja) * | 2003-12-04 | 2009-06-24 | 花王株式会社 | 金属成分の処理液 |
JP4459857B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2010-04-28 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
KR100688533B1 (ko) * | 2005-02-15 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 공정산포,전압 및 온도에 덜민감한 저항-커패시터 발진회로 |
KR101160829B1 (ko) * | 2005-02-15 | 2012-06-29 | 삼성전자주식회사 | 식각액 조성물 및 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
KR101299131B1 (ko) * | 2006-05-10 | 2013-08-22 | 주식회사 동진쎄미켐 | 박막트랜지스터 액정표시장치의 식각 조성물 |
JP4969147B2 (ja) * | 2006-05-16 | 2012-07-04 | 日本製箔株式会社 | フレキシブルプリント配線板の製造方法 |
JP5363713B2 (ja) * | 2007-07-19 | 2013-12-11 | 三洋半導体製造株式会社 | エッチング液組成物 |
JP5685845B2 (ja) * | 2010-07-20 | 2015-03-18 | 東ソー株式会社 | エッチング用組成物 |
WO2014171054A1 (ja) * | 2013-04-19 | 2014-10-23 | パナソニック株式会社 | 酸化アルミニウム膜用のエッチング液と、当該エッチング液を用いた薄膜半導体装置の製造方法 |
KR102456079B1 (ko) * | 2014-12-24 | 2022-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 산화물 제거용 세정 조성물 및 이를 이용한 세정 방법 |
JP6779136B2 (ja) * | 2015-01-07 | 2020-11-04 | 太陽インキ製造株式会社 | 金属基材用表面処理剤 |
EP3702049A4 (en) * | 2017-10-23 | 2021-08-11 | Mec Company., Ltd. | PROCESS FOR THE PRODUCTION OF A FILM FORMING SUBSTRATE, FILM FORMING SUBSTRATE, AND SURFACE TREATMENT AGENT |
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---|---|---|---|---|
USRE25953E (en) * | 1966-02-22 | Process and composition for brightening aluminum | ||
US3715250A (en) * | 1971-03-29 | 1973-02-06 | Gen Instrument Corp | Aluminum etching solution |
US4230522A (en) * | 1978-12-26 | 1980-10-28 | Rockwell International Corporation | PNAF Etchant for aluminum and silicon |
JPS60169583A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-09-03 | Toyota Motor Corp | アルカリ脱脂液およびアルカリ脱脂剤 |
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1989
- 1989-05-04 US US07/347,128 patent/US4895617A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-11-27 WO PCT/US1989/005264 patent/WO1990013443A1/en active IP Right Grant
- 1989-11-27 DE DE90901235T patent/DE68912351T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-11-27 KR KR1019910701313A patent/KR920700939A/ko active IP Right Grant
- 1989-11-27 AU AU46632/89A patent/AU4663289A/en not_active Abandoned
- 1989-11-27 JP JP2501288A patent/JP2919959B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-11-20 EP EP90901235A patent/EP0470957B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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EP0470957A4 (en) | 1992-06-03 |
EP0470957A1 (en) | 1992-02-19 |
KR920700939A (ko) | 1992-08-10 |
WO1990013443A1 (en) | 1990-11-15 |
DE68912351T2 (de) | 1994-05-05 |
US4895617A (en) | 1990-01-23 |
DE68912351D1 (de) | 1994-02-24 |
EP0470957B1 (en) | 1994-01-12 |
AU4663289A (en) | 1990-11-29 |
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