JP2734839B2 - アルミニウム用エッチング液およびエッチング方法並びにアルミニウムエッチング製品 - Google Patents
アルミニウム用エッチング液およびエッチング方法並びにアルミニウムエッチング製品Info
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Description
ング液およびこのエッチング液を用いたアルミニウムの
エッチング方法、並びにこのエッチング液およびエッチ
ング方法を用いて製造してなるアルミニウムエッチング
製品に関し、更に詳しくは、現在電子機器類等に多く使
用されているプリント配線基板等の微細なエッチングパ
ターンを安価にかつ安定して工業的に製造可能とするエ
ッチング液、エッチング方法、および前記プリント基板
をはじめとする微細なエッチングパターンを施したエッ
チング製品に関するものである。
リント配線基板は、フレキシブルなポリエステルフィル
ム、ポリイミドフィルム等の軟質基材、あるいは紙−フ
ェノール、ガラス−エポキシ等の硬質基材等の絶縁基材
に金属箔を張り合わせた基板の金属面に、スクリーン印
刷法、またはフォトプロセス法によってエッチングレジ
スト塗布膜を形成した後、不要な非レジスト部分の金属
をエッチング液で溶解除去することにより所要のパター
ンを作成する、いわゆるサブトラクテブ法が多く行われ
ている。
も多く使用されている。しかし、銅に較べて重量が軽
く、かつ可撓性に優れ、また、メッキ等の防蝕処理を施
さなくても耐腐食性に優れ、しかも安価である等の理由
から、アルミニウムも一部使われている。
しては、塩化第二鉄、塩化第二銅等の金属塩化物水溶
液、あるいは塩酸、リン酸等の無機酸、更には苛性ソー
ダ等の無機アルカリ水溶液等が使用されている。この中
で、最も汎用的には塩化第二鉄水溶液が使用され、また
より微細なパターンを要する場合には濃リン酸またはそ
れを主成分とするエッチング液が使用されている。
されているエッチング液を用いてアルミニウムをエッチ
ングする場合には、アンダーカットが大きく線の細りが
著しい、エッチングパターンの縁の凹凸(ギザギザ)が
激しく、断線箇所が発生し易いといった問題だけでな
く、圧延アルミニウム箔の場合には製造時の延伸により
アルミニウム金属結晶格子配列の方向性が生ずるため延
伸平行方向と延伸直交方向のパターンにおいてエッチン
グ状態に差異が生ずる、更には、エッチング中のレジス
ト塗布膜の損傷やレジスト塗布膜の密着不良よる欠損箇
所の発生といった多くの問題があった。また、従来のエ
ッチング液によりエッチングした場合には、エッチング
したパターンの縁や壁面が大小の凹凸により多孔状にな
ってしまい、その中に付着したエッチング液やエッチン
グの他の工程で用いられる材料に含まれるハロゲンその
他の有害イオンがその後の洗浄工程で完全に洗浄されず
に残留し、これがアルミニウムの腐食を速めたり、その
他のトラブル発生の原因となり、特にプリント配線基板
の場合には、これをLSI等に利用して電子機器に組み
込んだ場合に、これらの電子機器のトラブルの原因とな
ったりする恐れがある。
アルミニウムの場合のみでなく銅のエッチングにおいて
も発生するが、その度合いは銅に較べてアルミニウムの
場合に格段に大きい。この原因としては、アルミニウム
における酸化層の存在、エッチング中の局部電池の形
成、更にはエッチング中の水素の発生といった、アルミ
ニウムに特有の障害が原因と考えられる。
ついては、アルミニウムは元来非常に酸化されやすく、
アルミニウム箔の表面は緻密な酸化アルミニウム層を形
成している。そして、この表面の酸化アルミニウム層は
内部の金属アルミニウムに較べてエッチングによる溶解
速度が格段に遅い。プリント配線基板の場合、アルミニ
ウム箔表面の酸化層は通常エッチング前に物理的または
化学的処理により除去するが、絶縁基材に接着した裏側
の酸化層は除去することは不可能である。そのため、図
1に示すように、エッチング終期にこの裏側の酸化層の
溶解に時間を要し、その間にサイドの金属アルミニウム
の溶解が多く進む。このことがアンダーカットを大きく
し、線の細りを著しく大きくする原因となっていると考
えられる。
いては、アルミニウムのエッチング中は、水素よりも標
準電極電位が低い(イオン化傾向の高い)アルミニウム
が酸、アルカリ、あるいは塩化物等のエッチング液に溶
解するときに激しく水素が発生する。これは、イオン化
傾向の高い金属アルミニウムがイオン化溶解しH+ が還
元されてH2 になるためであり、イオン化傾向の低い銅
のエッチング機構とは異なる。このような機構でのアル
ミニウムのエッチングの場合には、よりイオン化傾向の
低い金属と接触すると局部電池を形成し、一層イオン化
し易く、すなわち溶解し易くなる。そのため、例えば塩
化第二鉄水溶液をエッチング液として用いた場合、先ず
イオン化傾向の高いアルミニウムがイオンとなって溶解
し、第二鉄イオンはイオンを失って鉄として析出する。
この析出した鉄が図2に示すようにアルミニウム表面に
付着すると局部電池を形成し、付近のアルミニウムの溶
解速度を一層速める。このため、アルミニウムは全体が
均一速度で溶解するのではなく、不均一に溶解して図3
に示すようにエッチングパターンのラインの縁やエッチ
ングパターンの壁面に凹凸が生じてしまい、ラインに極
度に細った箇所や、更には断線箇所が発生してしまう。
て鉄、ケイ素、銅等のイオン化傾向の低い金属を含有し
ている。このため、このような局部電池の形成は塩化第
二鉄や塩化第二銅等の異種金属を含むエッチング液だけ
ではなく、塩酸、リン酸等の異種金属を含まないエッチ
ング液でも起こる。しかも、この不純物金属はアルミニ
ウム箔中に均一に混入しているのではなく、アルミニウ
ム金属の結晶格子のまわりに偏在しており、この付近の
アルミニウムのみがより速く溶解することにより、溶解
が不均一となる。また、一旦溶解した不純物金属は上記
塩化第二鉄と同様に析出、溶解を繰り返し、局部電池を
形成する種となる。このようなエッチング欠損の原因と
なる局部電池の形成は、異種金属だけでなく、アルミニ
ウム金属の結晶格子配列の乱れ等によっても起こるとい
われている。
ルミニウムをエッチングする際には、酸性、アルカリ性
にかかわらず多量の水素が発生するが、この水素ガスが
剥離力となりレジスト塗布膜の縁を傷めたり、また水素
の気泡が一時的にアルミニウム表面に付着してエッチン
グ液との接触を妨げたりしてエッチング不良発生の原因
となる。
おけるアルミニウムのエッチングには種々の障害があ
り、これらの要因が重なりあい、余り微細なパターンを
作成するのは困難で、例えば通常プリント配線基板に使
用される厚さ8μm以上のアルミニウム箔のエッチング
においては、塩化第二鉄水溶液では1.0mmピッチ、
濃リン酸系では0.2mmピッチ程度のパターンが限度
であって、このためアルミニウムのエッチングは限られ
た用途にしか利用されていなかった。しかしながら、ア
ルミニウムでも銅に劣らない微細なパターンをエッチン
グすることができれば、アルミニウム本来の特徴を充分
に生かして応用分野も大きく広がるものと期待できる。
ッチング液およびエッチング方法により、銅のエッチン
グにも劣らない微細パターンを製造可能としてアルミニ
ウムエッチング製品の応用分野を拡大せんとするもので
ある。
酸塩と酸化剤を含有する水溶液からなる新規なアルミニ
ウム用エッチング液により上記の目的を達成してなるも
のである。
アルミニウムはまず酸化剤により酸化されて酸化アルミ
ニウムになり、これがアミン−フッ酸塩により溶解す
る。このように、本発明に係るエッチング液によるエッ
チングは、従来のエッチング液による溶解のようにアル
ミニウムが直接イオン化して溶解するのではなく、先ず
金属アルミニウムを酸化アルミニウムとした後これを溶
解することから、従来のように局部電池の形成による障
害を受けることなく、しかも、エッチング中水素ガスは
全く発生しないので、これによる障害も回避することが
でき、終始全面均等速度でアルミニウムの溶解が進行
し、エッチングパターンの縁や壁面に凹凸が生じてライ
ンに極度に細った箇所や断線箇所が発生するようなこと
もない。
ミニウムの溶解速度がエッチング速度の律速になってい
るので、アルミニウム箔の裏面に当初からある酸化層も
他の部分との区別なく全体に等速で溶解が進むことか
ら、従来のエッチング液のように最後の難溶層である酸
化層を溶解する間に過度にサイドのアンダーカットが進
行するようなこともなく、アンダーカットが極めて少な
くエッチングを完了することができる。
のにアミン−フッ酸塩を使用する理由は、この水溶液が
アルミニウム金属が酸化剤により酸化された酸化アルミ
ニウムを適度な速度で溶解することができるためであ
る。フッ酸自体でも酸化アルミニウムを溶解するが、溶
解速度が速過ぎてアルミニウム金属が酸化されて酸化ア
ルミニウムになる前に直接アルミニウム金属を溶解して
激しく水素を発生してしまい、所期の目的を達成できな
い。
は、例えば−COOH、−SO3 H等のアミノ基以外の
酸性基または塩基性基を有することなく、そのフッ酸塩
が水に0.1モル/リットル以上溶解するものであれば
特に制限はないが、具体的には下記のようなもので挙げ
られる。
族第一、第二、または第三アミン。但し、R1,R2,R3
の少なくとも1つはアルキル基であり、R1,R2,R3 の
炭素数の合計は12以下である。前記R1,R2,R3 のア
ルキル基に例えば−OH、−Cl、−Br、−CN、エ
ステル基、あるいは芳香環等の置換基、または不飽和基
等が1個以上あってもよい。
アミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミ
ン、ヒドロキシエチルアミン、クロルエチルアミン、エ
チルベンジルアミン等の第一アミン、ジメチルアミン、
ジエチルアミン、ジプロピルアミン、メチルエチルアミ
ン、メチルベンジルアミン等の第二アミン、トリメチル
アミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、ジメ
チルエチルアミン、メチルジエチルアミン、ベンジルジ
メチルアミン等の第三アミンがある。
n ;nが8以下の直鎖状または分枝状〕で表される脂肪
族ジアミン。この種のアミンとしては、例えば、エチレ
ンジアミン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジア
ミノブタン、ヘキサメチレンジアミン等がある。
ピロリジン、N−メチルピペリジン系等の複素環状アミ
ンである。
での通常の中和反応によって製造することができるが、
すでに塩になったものを水に溶解してもよい。エッチン
グ液のPHは4〜9の間に調整する。このエッチング液
のPHが4よりも低いとフッ酸が金属アルミニウムを直
接溶解し、エッチングの仕上がり具合に悪影響を及ぼし
たり、エッチングレジスト塗布膜の耐久性を悪くし、途
中欠け、はがれの発生等の障害をもたらす。また逆に、
エッチング液のPHが9より高いと酸化剤を速く分解
し、エッチング液の安定性を悪くする。
フッ酸塩を0.1〜15モル/リットル、酸化剤を0.
02〜10モル/リットル含有する水溶液を基本成分と
する。アミン−フッ酸塩の濃度はエッチング速度に関係
するだけでエッチングの仕上がり具合には関与しない
が、実用的には上記のように0.1〜15モル/リット
ル、更に好ましくは2〜6モル/リットル程度の濃度が
よい。
ては、金属アルミニウムを速やかに酸化可能で、中性で
あって、かつエッチング液組成物中で安定である、とい
った条件を備えたものであればよく、実用上は過酸化水
素が経済的にも最も有利である。この酸化剤の添加量
は、水素が発生することなくアルミニウムのエッチング
が進行する量が下限であるが、例えば、過酸化水素の場
合には、実用的には上記のように0.02〜10モル/
リットル、更に好ましくは0.5〜3モル/リットル程
度の濃度になるように添加するのがよい。
フッ酸塩、酸化剤といった主成分以外に、必要に応じて
界面活性剤、消泡剤、安定剤、その他の添加剤を加えて
もよい。
チング方法は上記のようなエッチング液を利用するもの
であって、この場合には浸しエッチング、発泡エッチン
グ、はねかけエッチング、スプレーエッチング等、現在
行われているすべての湿式エッチング方法を採用するこ
とができる。
はポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の軟質
基材、あるいは紙−フェノール、ガラス−エポキシ等の
硬質基材等の種類を問わずに使用することができるし、
アルミニウムも圧延箔、蒸着箔、板等その製法や形状に
制限はない。尚、エッチング温度はエッチング速度に関
与し、温度が低いと遅く、高いと速くなるが、30〜6
0℃の範囲で行うのが適当である。
液の疲労によりエッチング液のPHが上昇し、それに伴
ってエッチング速度は遅くなる。このため、エッチング
中、随時フッ酸水を補給して液のPHを5〜7に保持す
るようにする。このようにフッ酸補給によりエッチング
速度を一定に保つことにより、工業的連続エッチングが
可能となるとともに、エッチング液の寿命が大幅に増
し、経済的にも有利になる。
用いてアルミニウムのエッチングを行うことにより、酸
化層の存在、局部電池の成形、およびH2 発生等を原因
とする従来のアルミニウムエッチングに伴う不良の発生
を回避することができるが、更に本発明では、レジスト
を塗布する前に、アルミニウム表面を研磨し、かつ当該
エッチング液またはその希釈液で処理するといった前処
理を施す。
械的に研磨することは、銅箔の前処理においても一般的
に行われている。しかし、本発明では、このアルミニウ
ム表面に機械的研磨を施したうえに、上記のエッチング
液あるいはこれを希釈した液で処理することにより、ア
ルミニウムとレジスト塗布膜とが、より良好な密着状態
を示す。
チングした場合、延伸平行方向のパターンは極めて平滑
に仕上がるのに対し、直交方向パターンにはくさび状の
パターン欠損が発生する。更には、アルミニウム延伸時
のオイル残渣、圧延キズ、アルミニウム表面の窪み(オ
イルピット)、有機汚染物等はレジストとアルミニウム
の密着力を低下させ、エッチング液が侵入してパターン
欠損の原因となる。また、アルミニウムは本来的に酸化
しやすく大気中で簡単に酸化膜を形成するが、一旦酸化
膜ができるとそれ以上の酸化が進行しにくい。従って、
アルミニウム箔を作成する過程でこのような工程を通っ
たアルミニウム箔表面は酸化膜の厚さや膜質が不均一で
ある。
表面を研磨することによりアルミニウムの酸化膜や有機
汚物等を取り除くとともに、アルミニウム全面を予めエ
ッチング液により薄くエッチングする。これにより、ア
ルミニウム表面にもとからある酸化膜は完全に除去され
アルミニウム生地を大気中にさらすが、瞬間的に新しい
酸化膜を形成する。この新たな酸化膜は表面研磨の前か
らあったものと異なり、全面に均質な酸化膜が形成さ
れ、レジスト塗布膜と良好に密着しうる。これにより、
アルミニウム金属の結晶格子配列の方向性に起因する圧
延アルミニウム箔の延伸平行方向のパターンと延伸直交
方向のパターンとのエッチング仕上がり状態の差異の発
生をより確実に防止するとともに、エッチング仕上がり
を悪化させる他の原因、すなわち、アルミニウム延伸時
のオイル残渣、オイルピット、有機物汚染等といった不
良発生原因をも解消してなる。
ム用エッチング液、エッチング方法によれば、従来のエ
ッチング液、エッチング方法で問題となっていたアンダ
ーカットによる線の細り、ラインのギザツキによる断線
箇所の発生、エッチング中のレジスト塗布膜の損傷また
は密着不良による欠損箇所の発生等、アルミニウムエッ
チングによる微細パターンの作成における種々の障害を
解消し、0.1mmピッチ以下の微細パターンを工業的
規模で安定して製造可能となり、安価で信頼性の高いア
ルミニウムエッチングプリント基板を提供しうるもので
ある。
グではエッチングパターンの縁および壁面が大小の凹凸
により多孔状になってしまい、その中に付着したエッチ
ング液やエッチングの他の工程で用いる材料に含まれる
ハロゲンその他の有害イオンが後の洗浄工程で完全に清
浄され難く、作成されたパターン中にこれらのエッチン
グ液や有害イオンが残存してアルミニウムの腐食を速め
たりその他のトラブルの原因となっていたが、本発明に
より作成したエッチング製品は、パターンの縁並びに壁
面とも極めて平滑であり、エッチング液や他工程で用い
る材料に含まれる有害イオンを洗浄により容易に完全清
浄することができ、アルミニウム金属が本来持つ耐蝕性
を100%発揮することができる。
ニウム用エッチング液およびエッチング方法は電子機器
に多く使われているプリント配線基板の製造において特
に利用価値が高いが、その他、例えばオフセット版ある
いは装飾品等のように微細な腐食彫刻を必要とするアル
ミニウムエッチング製品に対しても広く適用しうるもの
である。
れらの実施例により何ら限定されるものではない。
ィルムに15μm厚のアルミニウム箔をラミネートした
基板を使用し、先ずアルミニウム表面を機械研磨した
後、表1記載のエッチング液を水で20倍に希釈した液
に40℃で2分間浸漬し、水洗後乾燥した。この基板に
ポジ型フォトレジストで最小0.1mmピッチのパター
ン図形のレジスト塗布膜を形成したものをエッチングサ
ンプルとした。このエッチングサンプルを40℃に保っ
た表1記載のエッチング液に浸漬したところ、水素を発
生することなくアルミニウムは溶解し、12分で全ての
非レジスト部のアルミニウムは消失し、アルミニウムエ
ッチングプリント配線回路を得た。
伸方向に関係なく、極度の細りまたは断線部分が発生す
ることなく0.1mmピッチの細線部までも良好に仕上
がっていた。また、パターンの縁および壁面はともに凹
凸がなく極めて平滑であった(図4参照)。
エッチングサンプルを表1記載のエッチング液に50℃
で浸漬したところ、14分でエッチングを終えた。得ら
れたエッチング回路は実施例1と同じく良好な仕上がり
であった。
理したエッチングサンプルを表1記載のエッチング液に
40℃で浸漬したところ、12分でエッチングを終え
た。得られたエッチング回路は実施例1と同じく良好な
仕上がりであった。
理したエッチングサンプルを表1記載のエッチング液に
50℃で浸漬したところ、5分でエッチングを終えた。
得られたエッチング回路は実施例1と同じく良好な仕上
がりであった。
理したエッチングサンプルを表1記載のエッチング液に
40℃で浸漬したところ、5分でエッチングを終えた。
得られたエッチング回路は実施例1と同じく良好な仕上
がりであった。
いてアミンの代わりに28%アンモニア水300gを用
い、PH7に調整したものをエッチング液とした以外は
実施例1と同様にエッチングを行ったが、50℃で1時
間浸漬してもアルミニウムは溶解しなかった。このこと
から、エッチング液の中和剤としてアミンが不可欠であ
ることが明らかとなった。
いてアミンとしてアニリン460gを加え、PH6に調
整したものをエッチング液とした以外は実施例1と同様
にエッチングを行ったが、50℃で1時間浸漬してもア
ルミニウムは溶解しなかった。このことから、本発明の
エッチング液におけるアミンとして芳香族アミンは不可
であることが明らかである。
ンプルを30%塩化第二鉄水溶液に40℃で浸漬したと
ころ、30分30秒でエッチングを終えたがアンダーカ
ット並びにライン縁の凹凸が多く、線巾0.3mm以下
のパターンでは断線部分が発生し、また線巾0.1mm
以下のパターンは全て消失してしまった。
ンプルを85%リン酸に60℃で浸漬したところ、15
分でエッチングを終えたが、このものは、アルミニウム
箔延伸方向と直交方向のパターンのアンダーカット並び
に凹凸が大きく断線部分が発生した。また、エッチング
パターンの壁面は細い凹凸が多く多孔状であった(図3
参照)。
示す断面説明図。
金属付着によるエッチング速度の差異の発生を示す断面
説明図。
電池の形成を伴ったエッチングラインの仕上がり状態を
示す斜視図。
チングパターンの拡大斜視図。
Claims (10)
- 【請求項1】 アミンのフッ酸塩と酸化剤を含有する水
溶液からなるアルミニウム用エッチング液。 - 【請求項2】 アミンが、 〔R1,R2,R3 ;Hまたはアルキル基、但し、R1,R2,
R3 の少なくとも1つはアルキル基であり、R1,R2,R
3 の炭素数の合計は12以下〕で表される脂肪族第一、
第二、または第三アミンである請求項1記載のアルミニ
ウム用エッチング液。 - 【請求項3】 アミンが、 式 H2 N−(CH2)n −NH2 〔(CH2)n ;nが8
以下の直鎖状または分枝状〕で表される脂肪族ジアミン
である請求項1記載のアルミニウム用エッチング液。 - 【請求項4】 アミンが、 式 H2 N−(CH2)m −NH−(CH2)n −NH2 、 式 H2 N[(CH2)2 NH]m (CH2)n NH2 、 または、 式 [CH3(CH2)m ]2 N(CH2)n NH2 で表される脂肪族ポリアミンである請求項1記載のアル
ミニウム用エッチング液。 - 【請求項5】 アミンが、ピリジン系、ピロール系、ピ
ロリジン系、ピペリジン系等の複素環状アミンである請
求項1記載のアルミニウム用エッチング液。 - 【請求項6】 酸化剤が、過酸化水素である請求項1記
載のアルミニウム用エッチング液。 - 【請求項7】 請求項1記載のエッチング液を用いてエ
ッチングすることを特徴とするアルミニウムのエッチン
グ方法。 - 【請求項8】 エッチング中にエッチング液に対してフ
ッ酸水を添加することによりエッチング液のPHを5〜
7に保持しながらエッチングを行うことを特徴とする請
求項7記載のアルミニウムのエッチング方法。 - 【請求項9】 レジストを塗布する前に、アルミニウム
表面を研磨し、かつ請求項1記載のエッチング液または
その希釈液で処理することを特徴とする請求項7または
請求項8記載のアルミニウムのエッチング方法。 - 【請求項10】 請求項1記載のエッチング液を用いて
エッチングしてなるアルミニウムエッチング製品。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3290646A JP2734839B2 (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | アルミニウム用エッチング液およびエッチング方法並びにアルミニウムエッチング製品 |
| US07/956,968 US5387361A (en) | 1991-10-09 | 1992-10-06 | Etching liquid for aluminium, method of etching aluminium and etched aluminium product |
| US08/326,367 US5858255A (en) | 1991-10-09 | 1994-10-20 | Printed circuit plates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3290646A JP2734839B2 (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | アルミニウム用エッチング液およびエッチング方法並びにアルミニウムエッチング製品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3290646A Expired - Fee Related JP2734839B2 (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | アルミニウム用エッチング液およびエッチング方法並びにアルミニウムエッチング製品 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP2734839B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108275330A (zh) * | 2017-01-05 | 2018-07-13 | 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 | 一种陶瓷封装元器件快速开封的方法 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6171512B1 (en) | 1991-02-15 | 2001-01-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Etching solution for etching porous silicon, etching method using the etching solution and method of preparing semiconductor member using the etching solution |
| EP1347505A3 (en) * | 1991-02-15 | 2004-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of preparing semiconductor member using an etching solution |
| GB9210514D0 (en) * | 1992-05-16 | 1992-07-01 | Micro Image Technology Ltd | Etching compositions |
| US6355121B1 (en) * | 1996-11-25 | 2002-03-12 | Alcoa Inc. | Modified etching bath for the deposition of a protective surface chemistry that eliminates hydrogen absorption at elevated temperatures |
| JP4084436B2 (ja) * | 1997-03-26 | 2008-04-30 | 沖電気工業株式会社 | 化合物半導体装置の特性の制御方法 |
| US5965465A (en) * | 1997-09-18 | 1999-10-12 | International Business Machines Corporation | Etching of silicon nitride |
| US6033996A (en) * | 1997-11-13 | 2000-03-07 | International Business Machines Corporation | Process for removing etching residues, etching mask and silicon nitride and/or silicon dioxide |
| US6150282A (en) * | 1997-11-13 | 2000-11-21 | International Business Machines Corporation | Selective removal of etching residues |
| US6533832B2 (en) | 1998-06-26 | 2003-03-18 | Cabot Microelectronics Corporation | Chemical mechanical polishing slurry and method for using same |
| US6200891B1 (en) | 1998-08-13 | 2001-03-13 | International Business Machines Corporation | Removal of dielectric oxides |
| US6117796A (en) * | 1998-08-13 | 2000-09-12 | International Business Machines Corporation | Removal of silicon oxide |
| AU2001253308A1 (en) * | 2000-04-11 | 2001-10-23 | Cabot Microelectronics Corporation | System for the preferential removal of silicon oxide |
| US6395625B1 (en) * | 2001-10-12 | 2002-05-28 | S & S Technology Corporation | Method for manufacturing solder mask of printed circuit board |
| JP4362597B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2009-11-11 | Dowaメタルテック株式会社 | 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法 |
| US7115527B2 (en) * | 2004-07-19 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of etching an aluminum oxide comprising substrate, and methods of forming a capacitor |
| US7591955B2 (en) * | 2005-07-14 | 2009-09-22 | Interplex Nas, Inc. | Method for forming an etched soft edge metal foil and the product thereof |
| EP1793016A1 (de) * | 2005-12-01 | 2007-06-06 | Elpochem AG | Polier- und Entgratungsmittel für Werkstücke aus Kohlenstoffstahl und Verfahren zum chemischen Polieren und Entgraten |
| US7741230B2 (en) * | 2006-08-08 | 2010-06-22 | Intel Corporation | Highly-selective metal etchants |
| TWI326719B (en) * | 2006-12-15 | 2010-07-01 | Oriental Inst Technology | Method and apparatus for forming metal structure |
| JP5359736B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2013-12-04 | 大日本印刷株式会社 | タッチパネル用電極フィルム及びタッチパネル |
| JP6398243B2 (ja) * | 2014-03-20 | 2018-10-03 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
| KR101493768B1 (ko) * | 2014-09-04 | 2015-02-17 | (주)일광폴리머 | 알루미늄-수지 복합체의 제조 방법 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1814074A1 (de) * | 1967-12-13 | 1969-07-17 | Showa Denko Kk | Korrodierfluessigkeit,ein diese enthaltendes AEtzbad und Korrodier- und AEtzverfahren |
| JPS4892230A (ja) * | 1972-03-08 | 1973-11-30 | ||
| JPS4893542A (ja) * | 1972-03-13 | 1973-12-04 | ||
| US4080246A (en) * | 1976-06-29 | 1978-03-21 | Gaf Corporation | Novel etching composition and method for using same |
| AU518654B2 (en) * | 1978-09-21 | 1981-10-15 | Paul Stephen-Daly | Forming decorated articles |
| US4242378A (en) * | 1979-03-29 | 1980-12-30 | Reiko Co., Ltd. | Method of making a decorated film with a metal layer in the form of a given pattern |
| JPS57170534A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-20 | Hitachi Ltd | Dry etching method for aluminum and aluminum alloy |
| JPS58197277A (ja) * | 1982-05-08 | 1983-11-16 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 金属の化学的溶解処理液 |
| JPS5916978A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | 金属被膜の選択的エツチング方法 |
| US4524125A (en) * | 1982-08-13 | 1985-06-18 | Polychrome Corporation | Chemical etching of lithographic aluminum substrate |
| US4434223A (en) * | 1982-12-27 | 1984-02-28 | Toppan Printing Co., Ltd. | Image-forming element having an aluminum layer on a transparent film base |
| US4496419A (en) * | 1983-02-28 | 1985-01-29 | Cornell Research Foundation, Inc. | Fine line patterning method for submicron devices |
| US4569124A (en) * | 1984-05-22 | 1986-02-11 | Hughes Aircraft Company | Method for forming thin conducting lines by ion implantation and preferential etching |
| US4601916A (en) * | 1984-07-18 | 1986-07-22 | Kollmorgen Technologies Corporation | Process for bonding metals to electrophoretically deposited resin coatings |
| DE3688798T2 (de) * | 1985-01-23 | 1993-12-23 | Toyo Boseki | Mittels einer nichtgewobenen Stoffbahn aus Polyaramid verstärkte biegsame Folie und Verwendung derselben. |
| JPS62196191A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-08-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 平版印刷版用支持体の製造方法 |
| JPH075461B2 (ja) * | 1986-04-10 | 1995-01-25 | 三共株式会社 | 副作用の軽減されたペネム型またはカルバペネム型抗生物質製剤 |
| JPH0717549B2 (ja) * | 1986-08-26 | 1995-03-01 | 旭化成工業株式会社 | フルオロベンゼンの製造方法 |
| US4872946A (en) * | 1987-02-23 | 1989-10-10 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of manufacturing supports for lithographic printing plate |
| US4886920A (en) * | 1987-04-06 | 1989-12-12 | Mallinckrodt, Inc. | Process for preparing aromatic fluorides |
| US4985297A (en) * | 1988-04-30 | 1991-01-15 | Daikin Industries, Inc. | Composite materials |
| JPH0798431B2 (ja) * | 1988-06-01 | 1995-10-25 | 富士写真フイルム株式会社 | 平版印刷版用支持体 |
| JP2528962B2 (ja) * | 1989-02-27 | 1996-08-28 | 株式会社日立製作所 | 試料処理方法及び装置 |
| JP2800020B2 (ja) * | 1989-04-18 | 1998-09-21 | 東海電化工業株式会社 | 錫又は錫合金の化学溶解剤 |
| US4895617A (en) * | 1989-05-04 | 1990-01-23 | Olin Corporation | Etchant solution for photoresist-patterned metal layers |
| US5183725A (en) * | 1989-10-03 | 1993-02-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electrode pattern forming method |
| JPH03156927A (ja) * | 1989-10-24 | 1991-07-04 | Hewlett Packard Co <Hp> | アルミ・メタライゼーションのパターン形成方法 |
-
1991
- 1991-10-09 JP JP3290646A patent/JP2734839B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-10-06 US US07/956,968 patent/US5387361A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-10-20 US US08/326,367 patent/US5858255A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108275330A (zh) * | 2017-01-05 | 2018-07-13 | 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 | 一种陶瓷封装元器件快速开封的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05106065A (ja) | 1993-04-27 |
| US5858255A (en) | 1999-01-12 |
| US5387361A (en) | 1995-02-07 |
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