KR920700939A - 감광성 내식막-패턴된 금속층용 부식제 용액 - Google Patents

감광성 내식막-패턴된 금속층용 부식제 용액

Info

Publication number
KR920700939A
KR920700939A KR1019910701313A KR910701313A KR920700939A KR 920700939 A KR920700939 A KR 920700939A KR 1019910701313 A KR1019910701313 A KR 1019910701313A KR 910701313 A KR910701313 A KR 910701313A KR 920700939 A KR920700939 A KR 920700939A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
caustic solution
weight percent
group
weight
carbon atoms
Prior art date
Application number
KR1019910701313A
Other languages
English (en)
Inventor
에스. 로슈 토마스
Original Assignee
폴 와인슈타인
올린 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 폴 와인슈타인, 올린 코포레이션 filed Critical 폴 와인슈타인
Publication of KR920700939A publication Critical patent/KR920700939A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/20—Acidic compositions for etching aluminium or alloys thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

감광석 내식막- 패턴된 금속층용 부식제 용액
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 물 및(a) 인산 약 65내지 75중량％ (b)질산 약 1내지 5중량％; (c)아세트산 약 0내지 15중량％및 (d)일반식 (Ⅰ)의 아민 옥사이드 계면 활성제 약 0.005 내지 약5％ 또는 이의 혼합물을 특징으로 하는 부식제 용액.
    상기식에서,R1및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1내지 4의 저급 알킬 그룹 및 탄소수 1내지 4의 저급 알콕시 그룹으로 이루어지는 그룹 중에서 선택되며, R3는 탄소수 8내지 18의 고급 알킬 그룹이다.
  2. 제1항에 있어서, 계면활성제가 부식제 용액의 약 0.02 내지 약 0.5중량％ 농도로 존재하는 부식제 용액.
  3. 제1항에 있어서, 인산이 부식제 용액의 약 68내지 약74중량％농도로 존재하는 부식제 용액.
  4. 제1항에 있어서, 질산이 부식제 용액의 약1.25내지 약4중량％농도로 존재하는 부식제 용액.
  5. 제1항에 있어서, 아세트산이 부식제 용액이 약6내지 약14중량％농도로 존재하는 부식제 용액.
  6. 제1항에 있어서, R1및 R2가 매틸, 메톡시, 에틸 및 에톡시로 이루어지는 그룹중에서 선택되는 부식제 용액.
  7. 제1항에 있어서, R3이 대부분이 C10내지 C14알킬인 C8내지 C18알킬의 혼합물인 부식제 용액.
  8. 물 및 (a)인산 약 68내지 74중량 ％;(b)질산 약 1.25 내지 4중량％; (c)아세트산 약6내지 14중량％ ; 및 (d)일반식 (Ⅰ)의 트리알킬 아민 옥사이드 계면활성제 약 0.02내지 약 0.5％를 특징으로 하는 부식제 용액.
    상기식에서, R1및 R2는 각각 독립적으로 메틸, 메톡시 ,에틸 및 에톡시로 이루어지는 그룹 중에서 선택되며, R3은 대부분이 C10내지 C14알킬인 C8내지 C18알킬의 혼합물이다.
  9. 물 및 (a)인산 약65내지 75중량％; (b)질산 약1내지 5중량％; (c)아세트산 약0내지 15중량％; 및 (d)일반식(Ⅰ)의 아민 옥사이드 계면활성제 약0.005내지 내지 5％ 또는 이의 혼합물로 이루어지는 수성 부식제 용액에 기판을 침지시킴을 특징으로하여 금속 기판을 에칭하는 방법.
    상기식에서, R1및 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1내지 4의 저급 알킬 그룹 및 탄소수 1내지 4의 저급 알콕시 그룹으로 이루어지는 그룹 중에서 선택되며, R3은 탄소수 8내지 18의 고급 알킬 그룹이다.
  10. 제9항에 있어서, 기판의 알루미늄을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910701313A 1989-05-04 1989-11-27 감광성 내식막-패턴된 금속층용 부식제 용액 KR920700939A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/347128 1989-05-04
US07/347,128 US4895617A (en) 1989-05-04 1989-05-04 Etchant solution for photoresist-patterned metal layers
PCT/US1989/005264 WO1990013443A1 (en) 1989-05-04 1989-11-27 Etchant solution for photoresist-patterned metal layers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR920700939A true KR920700939A (ko) 1992-08-10

Family

ID=23362450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910701313A KR920700939A (ko) 1989-05-04 1989-11-27 감광성 내식막-패턴된 금속층용 부식제 용액

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4895617A (ko)
EP (1) EP0470957B1 (ko)
JP (1) JP2919959B2 (ko)
KR (1) KR920700939A (ko)
AU (1) AU4663289A (ko)
DE (1) DE68912351T2 (ko)
WO (1) WO1990013443A1 (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4101564A1 (de) * 1991-01-21 1992-07-23 Riedel De Haen Ag Aetzloesung fuer nasschemische prozesse der halbleiterherstellung
JP2734839B2 (ja) * 1991-10-09 1998-04-02 シャープ株式会社 アルミニウム用エッチング液およびエッチング方法並びにアルミニウムエッチング製品
US6127279A (en) * 1994-09-26 2000-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solution applying method
US6313048B1 (en) 1997-03-03 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Dilute cleaning composition and method for using same
US6384001B2 (en) * 1997-03-03 2002-05-07 Micron Technology, Inc. Dilute cleaning composition
US5922123A (en) * 1997-12-17 1999-07-13 Bayer Corporation Method for conditioning organic pigments
US6486108B1 (en) * 2000-05-31 2002-11-26 Micron Technology, Inc. Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication
KR100420100B1 (ko) * 2001-07-12 2004-03-04 삼성전자주식회사 알루미늄 에천트 조성물
TWI245071B (en) * 2002-04-24 2005-12-11 Mitsubishi Chem Corp Etchant and method of etching
WO2005022592A2 (en) * 2003-08-22 2005-03-10 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Novel aqueous based metal etchant
JP4428995B2 (ja) * 2003-12-03 2010-03-10 関東化学株式会社 金属膜のエッチング液組成物
JP4283098B2 (ja) * 2003-12-04 2009-06-24 花王株式会社 金属成分の処理液
JP4459857B2 (ja) * 2004-12-09 2010-04-28 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用洗浄液及びそれを用いたレジストパターン形成方法
KR101160829B1 (ko) * 2005-02-15 2012-06-29 삼성전자주식회사 식각액 조성물 및 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
KR100688533B1 (ko) * 2005-02-15 2007-03-02 삼성전자주식회사 공정산포,전압 및 온도에 덜민감한 저항-커패시터 발진회로
KR101299131B1 (ko) * 2006-05-10 2013-08-22 주식회사 동진쎄미켐 박막트랜지스터 액정표시장치의 식각 조성물
JP4969147B2 (ja) * 2006-05-16 2012-07-04 日本製箔株式会社 フレキシブルプリント配線板の製造方法
JP5363713B2 (ja) * 2007-07-19 2013-12-11 三洋半導体製造株式会社 エッチング液組成物
JP5685845B2 (ja) * 2010-07-20 2015-03-18 東ソー株式会社 エッチング用組成物
JP6159980B2 (ja) * 2013-04-19 2017-07-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ 酸化アルミニウム膜用のエッチング液と、当該エッチング液を用いた薄膜半導体装置の製造方法
KR102456079B1 (ko) * 2014-12-24 2022-11-21 삼성디스플레이 주식회사 산화물 제거용 세정 조성물 및 이를 이용한 세정 방법
WO2016111035A1 (ja) * 2015-01-07 2016-07-14 太陽インキ製造株式会社 金属基材用表面処理剤
WO2019082681A1 (ja) * 2017-10-23 2019-05-02 メック株式会社 膜形成基材の製造方法、膜形成基材及び表面処理剤

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE25953E (en) * 1966-02-22 Process and composition for brightening aluminum
US3715250A (en) * 1971-03-29 1973-02-06 Gen Instrument Corp Aluminum etching solution
US4230522A (en) * 1978-12-26 1980-10-28 Rockwell International Corporation PNAF Etchant for aluminum and silicon
JPS60169583A (ja) * 1984-02-10 1985-09-03 Toyota Motor Corp アルカリ脱脂液およびアルカリ脱脂剤

Also Published As

Publication number Publication date
EP0470957A4 (en) 1992-06-03
DE68912351T2 (de) 1994-05-05
JP2919959B2 (ja) 1999-07-19
EP0470957A1 (en) 1992-02-19
JPH04506528A (ja) 1992-11-12
WO1990013443A1 (en) 1990-11-15
DE68912351D1 (de) 1994-02-24
AU4663289A (en) 1990-11-29
US4895617A (en) 1990-01-23
EP0470957B1 (en) 1994-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920700939A (ko) 감광성 내식막-패턴된 금속층용 부식제 용액
KR880002051A (ko) 포지티브형 포토레지스트 조성물용 현상액
KR850000406A (ko) 4-클로로-2-페닐이미다졸-5-아세트산유도체의 제조방법
KR880002258A (ko) 기판의 린스처리방법
KR840004106A (ko) 4급 6,11-디하이드로-디벤조-[b,e]-티에핀-11-N-알킬-노르스코핀 에테르의 제조방법
KR870005681A (ko) 겔상 에멀젼 및 이들로 부터 얻어지는 o/w 에멀젼
ATE126820T1 (de) Wässrige autoxidativ trocknende alkydzusammensetzung.
KR930000418A (ko) 시멘트 혼합제 및 이를 함유하는 수경 시멘트 조성물
KR840008322A (ko) 5-아실-2-(1h)-피리디논의 제조방법
KR840003674A (ko) N,n'-비스(트리플로로메틸설포닐)옥사이드류 및 이를 함유하는 화학루미네센스 조성물
KR850004470A (ko) 유기 화합물의 제조방법
KR850002979A (ko) 1,2,3-트리티안화합물의 신규 제조방법
KR870006024A (ko) 니자티딘의 제조방법
KR840005815A (ko) I-옥사세팜 화합물의 제조방법
KR840003642A (ko) 에르고트 5's-(2r-부틸)펩티드 알카로이드의 제조방법
KR920018523A (ko) 포지티브 레지스트 조성물
KR900016184A (ko) 1, 3-디옥산 유도체
KR870000348A (ko) 포스핀산 알루미늄의 아민 첨가 화합물의 제조방법
KR840001580A (ko) 6'-(2-아미노-2-〔4-아실욕시페닐〕아세트아미도페니실라노 일옥시메틸 페니실라네이트 1,1-디옥사이드 화합물의 제조방법
KR890009951A (ko) Si.Si'- 디오가닐-N- 알킬- 테트라클로로- 디실라잔 및 이의 제조방법
KR840001151A (ko) N-치환된-테트라하이드로프탈리미드 유도체의 제조방법
TH44579A (th) การปรับปรุงสารผสมเอเควียส
KR870008914A (ko) 브라시노라이드 유사체의 제조방법
KR870002061A (ko) 페닐렌기를 가지는 스페르구알린계 화합물의 제조 방법
KR900004676A (ko) 1-아미노-2-클로로-4-히드록시안트라 퀴논의 제법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee