KR920018523A - 포지티브 레지스트 조성물 - Google Patents

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KR920018523A
KR920018523A KR1019920004005A KR920004005A KR920018523A KR 920018523 A KR920018523 A KR 920018523A KR 1019920004005 A KR1019920004005 A KR 1019920004005A KR 920004005 A KR920004005 A KR 920004005A KR 920018523 A KR920018523 A KR 920018523A
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KR
South Korea
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resist composition
positive resist
alkyl group
hydrogen atom
Prior art date
Application number
KR1019920004005A
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English (en)
Inventor
야스노리 우에따니
준 도미오까
야스노리 도이
히로또시 나까니시
료따로 하나와
아야꼬 이다
Original Assignee
모리 히데오
스미또모가가꾸고오교 가부시끼가이샤
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/22—Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

포지티브 레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (8)

  1. 혼합물로서, 알칼리-가용성 수지 및 하기 일반식(Ⅰ)의 페놀 화합물의 퀴논 디아지드 술포네이트 중 적어도 하나를 함유함을 특징으로 하는, 포지티브 레지스트 조성물 :
    상기 식에서, R₁ 및 R₂는 독립적으로 알킬기, 알콕시기, 카르복실기 또는 할로겐 원자이고, R₃은 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 카르복실기 또는 할로겐 원자이며, R₄는 수소원자, 알킬기, 또는 아릴기이고, w, x, y 및 z는 독립적으로 0, 1, 2 또는 3이며, 다만 w와 x의 합은 적어도 1이어야 한다.
  2. 제1항에 있어서, R₁ 및 R₂가 독립적으로 C₁~C5알킬기, 메톡시기, 에톡시기 또는 카르복실기이며, R₃이 수소원자C₁~C5알킬기,메톡시기,에록시기 또는 카르복실기이며,R₄가 수소원자, C₁~C5알킬기 또는 아릴기인 포지티브 레지스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 페놀 화합물이 하기 일반식의 화합물인 포지티브 레지스트 조성물 :
    상기 식에서, R₁,R₂ 및 ｙ는 상기한 바와같다.
  4. 제1항에 있어서, 페놀 화합물이 하기 구조식의 화합물인 포지티브 레지스트 조성물 :
  5. 혼합물로서, 알칼리-가용성 수지 및 하기 일반식(Ⅱ)의 페놀 화합물의 퀴논 디아지드 술포네이트중 적어도 하나를 함유함을 특징으로 하는 포지티브 레지스트 조성물 :
    상기 식에서, R5는 알킬기, 알콕시기, 카르복실기 또는 할로겐 우너자이고, R6은 수소원자, 알킬기, 알콕시기, 카르복실기 또는 할로겐 우너자이며, R7은 수소원자, 알킬기 또는 아릴기이고 e, f, g 및 h는 독립적으로 0,1,2또는 3이다.
  6. 제5항에 있어서, R5가 C₁~C5알킬기, 메톡시기, 에톡시기 또는 카르복실기이고, R6이 수소원자, C₁~C5알킬기, 메톡시기, 에톡시기 또는 카르복실기이며, R7이 수소원자, C₁~C5알킬기 또는 아릴기인 포지티브 레지스트 조성물.
  7. 제5항에 있어서, 페놀 화합물이 다음 일반식의 화합물인 포지티브레지스트 조성물 :
    상기 식에서, R5및 g는 상기한 바와 동일하다.
  8. 제5항에 있어서, 페놀 화합물이 다음 구조식의 화합물인 포지티브 레지스트 조성물 :
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920004005A 1991-03-14 1992-03-11 포지티브 레지스트 조성물 KR920018523A (ko)

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JP91-49444 1991-03-14
JP3049444A JPH04284454A (ja) 1991-03-14 1991-03-14 ポジ型レジスト組成物

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