KR960011555A - 감광성 수지조성물 및 포토레지스터 패턴 형성 방법 - Google Patents

감광성 수지조성물 및 포토레지스터 패턴 형성 방법 Download PDF

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마꼬또 이께모또
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미우라 아끼라
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Abstract

알칼리 가용성 수지(A), 1,2-퀴논디아지드기를 함유한 화합물(B), 그리고 하기식(Ⅰ)의 화합물(C)를 함유하고 있는 감광성 수지 조성물.
(Ⅰ)
(식중, 서로 독립적인 Ar1내지 Ar3각각은 할로겐 원자, C1-4알킬기 혹은 C1-4알콕시기로 치환될 수 있는 방향족 탄화수소기이며, R은 수소원자, 수산기, C1-4알킬기 또는 C1-4알콕시기이다).

Description

감광성 수지조성물 및 포토레지스터 패턴 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (11)

  1. 알칼리 가용성 수지(A), 1,2-퀴논디아지드기를 함유한 화합물(B), 그리고 하기식(Ⅰ)의 화합물(C)를 함유하고 있는 감광성 수지 조성물.
    (Ⅰ)
    (식중, 서로 독립적인 Ar1내지 Ar3각각은 할로겐 원자, C1-4알킬기 혹은 C1-4알콕시기로 치환될 수 있는 방향족 탄화수소기이며, R은 수소원자, 수산기, C1-4알킬기 또는 C1-4알콕시기이다).
  2. 제1항에 있어서, 감광성 수지 조성물중의 고상물 함량에 대해 0.1 내지 3중량%의 양으로 화합물(C)를 함유하고 있는 감광성 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 감광성 수지 조성물중의 고상물 함량에 대해 0.4 내지 1.5중량%의 양으로 화합물(C)를 함유하고 있는 감광성 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서, R이 수소원자 혹은 수산기인 감광성 수지 조성물.
  5. 제1항에 있어서, R이 수소원자인 감광성 수지 조성물.
  6. 제1항에 있어서, R이 수산기인 감광성 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 방향족 탄화수소기가 페닐기인 감광성 수지 조성물.
  8. 제1항에 있어서, Ar1내지 Ar3각각이 비치환된 페닐기인 감광성 수지 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 1,2-퀴논디아지드 화합물이 중량평균분자량이 600 내지 2200인 노볼락 수지의, 혹은 폴리히드록실 화합물의 1,2-퀴논 디아지드 술포네이트인 감광성 수지 조성물.
  10. 기질위에 알칼리 가용성 수지(A), 1,2-퀴논디아지드기를 함유한 화합물(B), 그리고 하기식(Ⅰ)의 화합물(C)를 함유하고 있는 감광성 수지 조성물을 코팅한 다음, 노출 현상하는 것을 특징으로 하는 포토레지스터 패턴의 형성 방법:
    (Ⅰ)
    (식중, 서로 독립적인 Ar1내지 Ar3각각은 할로겐 원자, C1-4알킬기 혹은 C1-4알콕시기로 치환될 수 있는 방향족 탄화수소기이며, R은 수소원자, 수산기, C1-4알킬기 또는 C1-4알콕시기이다).
  11. 제10항에 있어서, 노출을 300 내지 500nm의 파장을 가지고 있는 광에 의해 실시하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950029220A 1994-09-07 1995-09-06 감광성수지조성물및포토레지스터패턴형성방법 KR100357496B1 (ko)

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