KR910015886A - 감광성내식막 조성물 및 포지티브상 형성방법 - Google Patents

감광성내식막 조성물 및 포지티브상 형성방법 Download PDF

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KR910015886A
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iii
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KR1019900002305A
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슐쯔 라인하르트
뮌쨀 호르스트
바르트만 엑케하르트
Original Assignee
베르너 발데크
시바-가이기 아게
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/22—Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
    • G—PHYSICS
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    • G—PHYSICS
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

감광성내식막 조성물 및 포지티브상 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (12)

  1. 조성물 기준으로 23 내지 27%인 하기 일반식(Ⅰ)의 화합물 1이상과 조성물 기준으로 6 내지 11%인 하기 일반식(Ⅲ)의 폴리히드록시 화합물 1이상을 함유하는 포지티브 감광성 내식막 조성물 :
    상기식(Ⅰ)에서 치환기 X중 하나는 수소 또는 하기 식(Ⅱ)의 기이고 :
    그외의 치환기 X는 상기 식(Ⅱ)의 기이고;
    상기식(Ⅲ)에서, X는 직접결합, -O-, -S-, -SO2-, -CO- 또는 C(R6(R7)-이고, R1, R2, R3, R4및 R5는 각기 서로 독립적으로 수소, 할로겐 C1-C4알킬, C1-C4알콕시 또는 히드록시이며, R6과 R7은 각기 서로 독립적으로 수소, -CH3또는 -CF3이다.
  2. 제1항에 있어서, 일반식(Ⅰ)에 있는 치환기 X중 하나가 수소이고 다른 것들은 식(Ⅱ)의 기인 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 일반식(Ⅰ)에 있는 치환기 X가 식(Ⅱ)의 기인 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 식(Ⅱ)가 하기 구조()를 갖는 조성물 :
  5. 제1항에 있어서, 식(Ⅱ)가 하기 구조()를 갖는 조성물 :
  6. 제1항에 있어서, R1, R2, R3, R4및 R5가 히드록시인 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 트리히드록시벤조페논을 함유하는 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 2,3,4 - 트리히드록시벤조페논을 함유하는 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 식(Ⅲ)이 하기 구조()를 갖는 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 조성물 기준으로 50 내지 75 중량%의 결합제를 함유하는 조성물.
  11. 제9항에 있어서, 결합제가 노볼락 수지인 조성물.
  12. 기판을 앞서 정의한 바와 같은 복사선-과민성 조성물로 피복시키고; 피복된 기판을 예정된 모양으로 화학선에 노출시키고; 노출 및 피복된 기판을 현상하는 단계들을 포함하는, 포지티브 상의 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900002305A 1989-02-23 1990-02-22 감광성내식막 조성물 및 포지티브상 형성방법 KR910015886A (ko)

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