KR100420100B1 - 알루미늄 에천트 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 알루미늄 에천트 조성물에 관한 것으로, 특히 반도체 및 LCD 제조공정에 사용되는 혼산을 포함하는 알루미늄 에천트 조성물에 있어서, a) 40 내지 100 ppm 농도의 불소계 계면활성제; 및 b) 40 내지 100 ppm 농도의 비실리콘계 소포제를 포함하는 알루미늄 에천트 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 알루미늄 에천트 조성물은 종래 혼산에 계면활성제 및 소포제를 첨가하여 별도의 전처리 공정이 추가되지 않더라도 혼산 자체의 표면장력을 저하시켜 습윤성을 개선시키며, 반도체 및 LCD 제조공정시 장치의 특성 변화 없이 Al 식각 특성이 우수하여 반도체 및 LCD 제조공정에 사용되기에 효과적이다.
Description
본 발명은 알루미늄 에천트 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 및 LCD 제조시 Al 식각에 사용되는 혼산에 계면활성제 및 소포제를 첨가하여 계면간의 밀착력을 증가시키고 균일한 식각력을 가지게 하며, 특히 전처리 공정이 추가되지 않더라고 거품발생을 최소화면서 혼산의 표면장력을 저하시켜 습윤성(Wettability)을 개선시킬 수 있는 알루미늄 에천트 조성물에 관한 것이다.
알루미늄(또는 Al 합금, 이하 'Al'로 표기함)은 액정표시장치(LCD) 제조에 널리 사용되어지는 전극재료로서, 이러한 Al을 사용하여 원하는 형태의 전극 패턴 형성을 위해서는 Al 식각 공정을 반드시 진행해야하며, 이는 크게 습식(Wet) 식각공정과 건식(Dry) 식각공정으로 분류된다.
이 중에서 상기 Al의 습식 식각공정은 혼산에 의해 진행되며, 일반적으로 혼산의 구성성분과 함량은 인산 63.71±0.17 %, 질산 8.31±0.17 %, 및 초산 10.13±0.22 %이고 나머지는 탈이온수(DI Water)로 이루어진다.
그러나, 상기 조성으로 Al을 식각하고자 할 때에는 혼산과 식각하고자 하는 Al과의 습윤성(Wettability)이 좋지 못하여 국소적인 Al 잔류가 발생하게 된다.상기 Al 잔류 문제를 해결하기 위해, 식각시간을 충분하게 하여 Al 잔류를 없앨 수는 있으나, 이 경우 Al이 식각되기를 원하지 않는 부분까지 식각될 수 있으므로 습윤성을 개선하면서도 Al 잔류가 발생하지 않도록 Al 전극 패턴을 형성할 수 있는 다른 개선방법이 필요하다.
이러한 방법으로 종래에는 Al 식각 전에 사용되는 전처리 공정으로 플라즈마 애싱(Plasma ashing)의 추가를 통하여 Al 표면을 산화시켜 습윤성을 개선하고자 하였다. 그러나, 상기 방법에서 사용되는 혼산의 경우 혼산 자체가 가진 큰 표면 장력으로 인해 상기 알루미늄 게이트 전극을 형성하기 위한 식각 공정시 계면과의 밀착이 불량하며 식각율이 균일하지 않아 식각 공정 전에 전처리 공정을 수행해야 한다. 이에 따라, 상기 방법에서는 전처리 공정을 위해서 플라즈마 애싱 장비의 구입이 필요하고 장비 설치를 위한 클린 룸 공간(Clean Room Space)이 소요되며 별도로 1개의 공정이 추가되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기 종래 기술에서의 문제점을 고려하여, 반도체 및 LCD 제조공정시 사용되는 알루미늄 에천트 조성물에서 불소계 계면활성제 및 비실리콘계 소포제를 첨가하여 혼산 자체의 특성을 변화시켜 전처리 공정을 실행하지 않고도 알루미늄 습식(Al Wet) 식각 공정을 진행하더라도 Al 잔류가 발생하지 않게 하는 알루미늄 에천트 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 거품발생을 최소하면서 혼산의 저표면장력을 유지하여 습윤성을 개선하는 알루미늄 에천트 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여,
혼산을 포함하는 알루미늄 에천트 조성물에 있어서,
a) 40 내지 100 ppm 농도의 불소계 계면활성제; 및
b) 40 내지 100 ppm 농도의 비실리콘계 소포제
를 포함하는 알루미늄 에천트 조성물을 제공한다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명은 종래 알루미늄 식각에 사용되는 혼산에 불소계 계면활성제 및 비실리콘계 소포제를 포함하는 알루미늄 에천트 조성물을 제공하는 것이다. 이러한 방법에 따르면 전처리 공정이 추가되지 않더라도 혼산 자체의 표면장력을 저하시켜 습윤성을 개선하며, Al 식각 특성이 종래와 동일하고 LCD 제품의 장치(device)적인 특성의 변화가 없게 한다.
또한, 본 발명에서 상기 혼산에 첨가되는 불소계 계면활성제와 비실리콘계 소포제는 혼산내에서 분자구조가 변화되지 않고 지속적으로 개선된 습윤성이 유지될수 있도록 하는 특징이 있다.
본 발명의 알루미늄 에천트 조성물에 있어서, 혼산은 인산 63.71±0.17 %, 질산 8.31±0.17 %, 및 초산 10.13±0.22 %이고 나머지는 탈이온수(DI Water)의 조성비로 이루어진다.
상기 불소계 계면활성제의 첨가는 혼산의 습윤성을 개선하여 식각 후 Al 잔류가 발생하지 않도록 하는 역할을 한다.
본 발명에서 사용하는 불소계 계면활성제는 테트라에틸암모늄-퍼플루오로옥틸설포네이트인 것이 바람직하다.
상기 불소계 계면활성제는 음이온계 계면활성제로서 pH는 3 내지 4이며, 녹는점이 170 ∼ 190 ℃이다.
상기 불소계 계면활성제는 크롬 도금용 습윤제로 사용될 수 있으며, 물에 대한 용해도가 우수하다. 또한, 사진 및 필름의 코팅에 습윤 및 흐름제, 정전방지제 등의 여러 가지 용도로 사용될 수도 있다.
상기 불소계 계면활성제의 사용량은 종래 혼산의 표면장력이 53 dyne/cm 수준인데, 이를 약 30 dyne/cm 수준으로 낮출 수 있는 양이어야 한다. 바람직하게는 상기 불소계 계면활성제의 사용량은 전체 조성물에 대하여 40 내지 100 ppm의 농도, 더욱 바람직하게는 50 ∼ 60 ppm의 농도로 사용하는 것이 좋다. 이때, 상기 불소계 계면활성제의 사용량이 40 ppm 미만이면 원하는 만큼 혼산의 표면장력을 낮출 수 없어 Al 식각시 불량이 발생하는 문제가 있고, 상기 100 ppm을 초과하면 약품의 과량 사용으로 바람직하지 못하다.
또한, 본 발명의 알루미늄 에천트 조성물에 있어서, 비실리콘계 소포제는 거품 발생을 최소화하면서 혼산의 저표면 장력을 유지하는 역할을 한다. 즉, 상기 소포제는 과도한 발포를 방지하기 위한 것으로 고온 및 고급산의 산업상 적용되는 것이며, 산에 용해되고 고온에서 안정한 계를 이루는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 사용하는 소포제는 비실리콘계 발포제로서, 구체적인 예를 들면폴리프로필렌 옥사이드 베이스 폴리머(polypropylene oxide base polymer)인 것이 바람직하다.
상기 소포제의 사용량은 전체 조성물에 대하여 40 내지 100 ppm의 농도로 사용하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 50 내지 60 ppm의 농도로 사용하는 것이 좋다. 이때, 상기 소포제의 사용량이 상기 범위 미만이면 거품 제거 효과가 없고, 상기 범위를 초과하면 용해도 이상으로 첨가되어 역시 거품 제거 효과가 없어 바람직하지 못하다.
이상과 같이, 본 발명의 알루미늄 에천트 조성물을 반도체 및 LCD 제조공정에 적용하면, 계면활성제와 소포제의 사용으로 혼산의 표면장력을 53 dyne/cm의 수준에서 30 dyne/cm의 수준으로 낮추고 거품발생을 최소화시켜 습윤성을 개선시키고, 종래 Al 식각전 사용되는 전처리 공정을 생략할 수 있어 식각 공정의 단순화를 꾀할 수 있다.
이하 본 발명을 하기 실시예 및 비교예를 참조로 하여 설명한다. 그러나, 이들 예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명이 이들에 한정되는 것은 아니다.
[실험예 1]
알루미늄 에천트 조성물을 제조하기 전에 본 발명에서 사용하는 불소계 계면활성제인 테트라에틸암모늄-퍼플루오로옥틸설포네이트 및 비실리콘계 발포제인 폴리프로필렌 옥사이드 베이스 폴리머(polypropylene oxide base polymer)에 대한 농도에 따른 표면장력과 거품 제거시간능을 시험하였다.
1) 표면장력 측정
계면활성제와 소포제의 농도별 표면장력을 측정하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 이때, 표면장력의 단위는 mN/m 이다.
표 1
| 구 분(단위: mN/m) | 계면활성제 (ppm) | |||||||||
| 0 | 10 | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 | ||
| 소포제(ppm) | 0 | 59.59 | 32.93 | 30.82 | 28.44 | 27.14 | 25.79 | 24.32 | 23.69 | 23.27 |
| 50 | 59.68 | 32.98 | 30.95 | 28.45 | 27.32 | 26.07 | 24.36 | 23.54 | 23.17 | |
| 100 | 59.38 | 32.87 | 30.86 | 28.79 | 27.17 | 25.63 | 24.3 | 23.62 | 23.19 | |
| 150 | 59.59 | 33.11 | 30.73 | 28.63 | 27.56 | 25.86 | 24.45 | 23.37 | 23.16 | |
| 200 | 59.63 | 32.74 | 30.65 | 28.57 | 27.49 | 25.38 | 24.33 | 23.49 | 23.13 |
상기 표 1에서 계면활성제와 소포제의 농도가 증가할수록 표면장력이 감소하여 혼산의 표면장력을 낮출 수 있음을 알 수 있다.
2) 거품 제거 시간 측정
250 ㎖ 플라스크에 하기 표 2와 같은 농도의 시료(계면활성제+소포제) 100 g을 넣고 10초간 흔든 후 발생된 거품이 완전히 제거되는데 소요된 시간을 측정하여 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
표 2
계면활성제와 소포제의 농도에 따른 소포시간
| 구 분(단위: sec) | 계면활성제 (ppm) | |||||||||
| 0 | 10 | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | 70 | 80 | ||
| 소포제(ppm) | 0 | 29 | 33 | 42 | 51 | 63 | 84 | 98 | 110 | 112 |
| 50 | 53 | 14 | 19 | 26 | 42 | 72 | 92 | 108 | 110 | |
| 100 | 80 | 15 | 16 | 28 | 34 | 40 | 68 | 75 | 80 | |
| 150 | 82 | 14 | 15 | 27 | 30 | 34 | 51 | 54 | 60 | |
| 200 | 80 | 14 | 15 | 29 | 31 | 35 | 50 | 56 | 60 |
상기 표 2에서, 계면활성제와 소포제의 농도 조절에 의해 거품 발생이 최소화됨을 알 수 있다.
[실험예 2]
유효한 계면활성제의 함량을 조사하기 위하여, 혼산에 불소계 계면활성제인 테트라에틸암모늄-퍼플루오로옥틸설포네이트만을 사용하여 농도를 하기 표 3과 같이 변화시키면서 플라즈마 애슁 처리 및 미처리를 실시하여 Al Unetch 발생을 비교하여 하기와 같은 기준으로 표시하였다.
◎: Unetch 발생 없음, ○: Unetch 있으나 개수 및 정도가 약함,
×: Unetch 발생
표 3
| 구 분 | 계면활성제 (ppm) | ||
| 0 | 50 | 100 | |
| 플라즈마 애슁 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 플라즈마 애슁 미실시 | × | ◎ | ◎ |
상기 표 3에서 보면, 플라즈마 애슁의 경우 Al Unetch 발생이 없었으나, 이는 전처리 공정을 수행해야 하므로 시간과 장비설치비의 소요가 많아져서 바람직하지 못하다. 이에 반해, 본 발명의 계면활성제를 첨가하는 경우 계면활성제의 함량이 50 ppm 이상일 때 Al Unetch 발생 억제에 유효함을 알 수 있다.
[실시예]
혼산에 50 ppm 농도의 불소계 계면활성제인 테트라에틸암모늄-퍼플루오로옥틸설포네이트, 및 50 ppm 농도의 비실리콘계 발포제로 폴리프로필렌 옥사이드 베이스 폴리머(polypropylene oxide base polymer)를 첨가하여 알루미늄 에천트 조성물을 제조하였다. 이때, 혼산의 조성비는 인산 63.54 %, 질산 8.48 %, 및 초산 8.82%이고 나머지는 탈이온수(DI Water)로 구성하였다.
[비교예]
종래 혼산으로만 이루어진 알루미늄 에천트 조성물을 사용하였다.
[실험예 3]
상기 실시예 및 비교예의 알루미늄 에천트 조성물에 대하여 Al 습식 식각을 실시하였다. 이때, 실시예 및 비교예의 경우 모두 전처리인 플라즈마 애슁 처리를 실시하지 않았다. 이후, Al Untech 발생을 비교하여 그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
표 3
| 구 분 | Al Unetch 발생 | 얼룩 |
| 비교예 | Glass 당 2 ∼ 25개 | 얼룩 없음 |
| 실시예 | 발생없음 | 얼룩 없음 |
상기 표 3에서 보는 바와 같이, 본 발명의 계면활성제 및 소포제가 포함된 실시예의 경우 혼산의 표면장력을 저하로 습윤성이 향상되어 Al 식각 전에 전처리를 수행하지 않아도 Al 식각 불량(Unetch)이 발생하지 않기 때문에 식각 후 Al 잔류가 발생하지 않았다. 이에 반해, 비교예의 경우 전처리를 실시하지 않아 Al 식각 불량(Unetch)이 발생하였다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 알루미늄 에천트 조성물은 종래 혼산에 계면활성제 및 소포제를 첨가하여 별도의 전처리 공정이 추가되지 않더라도 혼산 자체의 표면장력을 저하시켜 습윤성을 개선시키며, 반도체 및 LCD 제조공정시장치의 특성 변화 없이 Al 식각 특성이 우수하여 반도체 및 LCD 제조공정에 사용되기에 효과적이다.
Claims (3)
- 혼산을 포함하는 알루미늄 에천트 조성물에 있어서,a) 40 내지 100 ppm 농도의 불소계 계면활성제; 및b) 40 내지 100 ppm 농도의 비실리콘계 소포제를 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 에천트 조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기 a)의 불소계 계면활성제가 테트라에틸암모늄-퍼플루오로옥틸설포네이트인 것을 특징으로 하는 알루미늄 에천트 조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기 b)의 비실리콘계 소포제가 폴리프로필렌 옥사이드 베이스 폴리머인 것을 특징으로 하는 알루미늄 에천트 조성물.
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|---|---|---|---|---|
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Patent Citations (6)
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|---|---|---|---|---|
| US4230522A (en) * | 1978-12-26 | 1980-10-28 | Rockwell International Corporation | PNAF Etchant for aluminum and silicon |
| US4895617A (en) * | 1989-05-04 | 1990-01-23 | Olin Corporation | Etchant solution for photoresist-patterned metal layers |
| KR950701671A (ko) * | 1992-05-16 | 1995-04-28 | 씨. 이. 비즐리 | 에칭조성물 |
| WO1995001671A1 (de) * | 1993-06-29 | 1995-01-12 | Sican, Gesellschaft Für Silizium-Anwendungen Und Cad/Cat Niedersachsen Mbh | Monolithisch integrierbarer, abstimmbarer resonanzkreis und daraus gebildete schaltungsanordnungen |
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