KR950701671A - 에칭조성물 - Google Patents

에칭조성물

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Abstract

반도체장치의 에칭 및 클리닝용 수성조성물은 산용액과 일반식 CmH2m+3N(여기서 m은 7~10의 정수)을 갖는 분지쇄 지방속 아민인 계면활성제로 이루어진다.
조성물은 장시간 안정성을 갖고 재순환 여과장치에서 사용할때 기포문제는 없다.

Description

에칭조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (14)

  1. 조성물이 일반식 CmH2m+3N(여기서 m은 7~10의 정수)을 갖는 분지쇄 지방족 아민인 100~200ppm의 계면활성제를 함유함을 특징으로 하는, 최소한 하나의 산과 계면활성제로 이루어지는 반도체 장치의 에칭 및 클리닝용 수성조성물.
  2. 제1항에 있어서, 조성물이 150~1500ppm의 계면활성제를 함유함을 특징으로 하는 수성조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 조성물이 250~1600ppm의 계면활성제를 함유함을 특징으로 하는 수성조성물.
  4. 전술한 항중 어느 한 항에 있어서, 조성물이 250~1200ppm의 계면활성제를 함유함을 특징으로 하는 수성조성물.
  5. 전술한 항중 어느 한 항에 있어서, 분지쇄 지방족 아민이 식 C8H19N을 갖는 1차, 2차 또는 3차 아민임을 특징으로 하는 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 분지쇄, 지방족 아민이 1-메틸헵틸아민, 2-에틸헥실아민, 디부틸아민 또는 N,N-디이소프로필에틸아민, 또는 이들의 혼합물임을 특징으로 하는 조성물.
  7. 전술한 항중 어느 한 항에 있어서, 15~40중량%의 플루오르화 암모늄과 0.5~11중량%의 플루오르화 수소로 이루어지는 반도체장치의 에칭 및 클리닝용 수성조성물.
  8. 제1항 내지 제6항중 어느 한 항에 있어서, 60~80중량%의 인산과, 임의로 6중량%이하 양의 하나 또는 그 이상의 질산, 15중량% 이하양의 초산, 5중량% 이하양의 플루오르화 수소산으로 이루어지는 반도체장치의 에칭 및 클리닝용 수성조성물.
  9. 제1항 내지 제6항중 어느 한 항에 있어서, 15~75중량%의 플루오르화 암모늄과 10~35중량%의 초산 및 임의로 5중량% 이하 양의 플루오르화 수소산으로 이루어지는 반도체장치의 에칭 및 클리닝용 수성조성물.
  10. 수성의 산성에칭제 조성물에서 계면활성제로서, 일반식 CmH2m+3N(여기서, m는 7~10의 정수)을 갖는 분지쇄 지방족 아민의 용도/
  11. 제10항에 있어서, 분지쇄 지방족 아민이 식 C8H18N을 갖는 1차, 2차 또는 3차 아민임을 특징으로 하는 용도.
  12. 제11항에 있어서, 분지쇄 지방족 아민이 1-메틸헵틸아민, 2-에틸헥실아민, 디부틸아민 또는 N,N-디이소프로필에틸아미 또는 이들의 혼합물임을 특징으로 하는 용도.
  13. 제10항 내지 제12항중 어느 한 항에 있어서, 계면활성제를 에칭제조성물의 중량을 기준하여 100~2000ppm의 양으로 사용함을 특징으로 하는 용도.
  14. 제10항 내지 제13항중 어느 한 항에 있어서, 에칭제 조성물이 (a) 15~40중량%의 플루오르화 암모늄과 0.1~11중량%의 플루오르화 수소; (b) 60~80중량%의 인산과 임의로 6중량% 이하 양의 플루오르화 수소산, 또는 15~75중량%의 플루오르화 암모늄과 10~35중량%의 초산과, 임의로 5중량% 이하 양의 플루오르화 수소산으로 이루어짐을 특징으로 하는 용도.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940704084A 1992-05-16 1993-05-17 에칭조성물 KR950701671A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100420100B1 (ko) * 2001-07-12 2004-03-04 삼성전자주식회사 알루미늄 에천트 조성물

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5695661A (en) * 1995-06-07 1997-12-09 Micron Display Technology, Inc. Silicon dioxide etch process which protects metal
JP3188843B2 (ja) * 1996-08-28 2001-07-16 ステラケミファ株式会社 微細加工表面処理剤及び微細加工表面処理方法
JP3408090B2 (ja) 1996-12-18 2003-05-19 ステラケミファ株式会社 エッチング剤
US5843322A (en) * 1996-12-23 1998-12-01 Memc Electronic Materials, Inc. Process for etching N, P, N+ and P+ type slugs and wafers
US6149828A (en) * 1997-05-05 2000-11-21 Micron Technology, Inc. Supercritical etching compositions and method of using same
DE69939255D1 (de) * 1998-02-27 2008-09-18 Stella Chemifa K K Oberflächenbehandlungsmittel für mikrobearbeitung und verfahren zur behandlung einer oberfläche
KR100464305B1 (ko) * 1998-07-07 2005-04-13 삼성전자주식회사 에챈트를이용한pzt박막의청소방법
US6242165B1 (en) 1998-08-28 2001-06-05 Micron Technology, Inc. Supercritical compositions for removal of organic material and methods of using same
DE19843552A1 (de) * 1998-09-23 2000-03-30 Bayer Ag Wäßrige Dispersionen mit reduziertem Gehalt an Triethylamin
US6562726B1 (en) 1999-06-29 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Acid blend for removing etch residue
US6453914B2 (en) 1999-06-29 2002-09-24 Micron Technology, Inc. Acid blend for removing etch residue
KR100490963B1 (ko) * 1999-07-13 2005-05-24 카오카부시키가이샤 연마액 조성물
JP3714082B2 (ja) * 2000-01-13 2005-11-09 株式会社村田製作所 ランガサイト系単結晶基板の製造方法、ランガサイト系単結晶基板および圧電デバイス
US6465358B1 (en) * 2000-10-06 2002-10-15 Intel Corporation Post etch clean sequence for making a semiconductor device
US20030158057A1 (en) * 2002-02-21 2003-08-21 Kim Yeoung Ku Cleaning material of color cathode ray tube panel and the cleaning method using the same
US7192860B2 (en) * 2002-06-20 2007-03-20 Honeywell International Inc. Highly selective silicon oxide etching compositions
US20030235986A1 (en) * 2002-06-20 2003-12-25 Wolfgang Sievert Silicon oxide etching compositions with reduced water content
DE10344351A1 (de) * 2003-09-24 2005-05-19 Infineon Technologies Ag Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silizium
JP4799843B2 (ja) * 2003-10-17 2011-10-26 三星電子株式会社 高いエッチング選択比を有するエッチング組成物、その製造方法、これを用いた酸化膜の選択的エッチング方法、及び半導体装置の製造方法
JP4810928B2 (ja) * 2004-08-18 2011-11-09 三菱瓦斯化学株式会社 洗浄液および洗浄法。
US7241920B2 (en) * 2004-11-09 2007-07-10 General Chemical Performance Products, Llc Filterable surfactant composition
US7112289B2 (en) * 2004-11-09 2006-09-26 General Chemical Performance Products Llc Etchants containing filterable surfactant
KR100579421B1 (ko) 2004-11-20 2006-05-12 테크노세미켐 주식회사 은 식각액 조성물
JP5493302B2 (ja) 2007-07-19 2014-05-14 三菱化学株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体基板およびその洗浄方法
US8153019B2 (en) * 2007-08-06 2012-04-10 Micron Technology, Inc. Methods for substantially equalizing rates at which material is removed over an area of a structure or film that includes recesses or crevices
CN102379028B (zh) * 2009-03-31 2016-03-02 大金工业株式会社 蚀刻液
TWI507508B (zh) * 2009-05-22 2015-11-11 Stella Chemifa Corp Micro-processing agent, and micro-processing methods
SG176274A1 (en) * 2009-06-04 2012-01-30 Merck Patent Gmbh Two component etching
SG11202111994PA (en) * 2019-05-01 2021-11-29 Fujifilm Electronic Materials U S A Inc Etching compositions
US11268025B2 (en) 2019-06-13 2022-03-08 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Etching compositions

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3457107A (en) * 1965-07-20 1969-07-22 Diversey Corp Method and composition for chemically polishing metals
JPS5120972B1 (ko) * 1971-05-13 1976-06-29
US3935118A (en) * 1973-03-05 1976-01-27 Philip A. Hunt Chemical Corporation Nitric acid system for etching magnesium plates
JPH062836B2 (ja) * 1986-08-06 1994-01-12 ポリプラスチックス株式会社 ポリアセタ−ル樹脂成形品の表面処理法
JPS63283028A (ja) * 1986-09-29 1988-11-18 Hashimoto Kasei Kogyo Kk 微細加工表面処理剤
US5277835A (en) * 1989-06-26 1994-01-11 Hashimoto Chemical Industries Co., Ltd. Surface treatment agent for fine surface treatment
DE4101564A1 (de) * 1991-01-21 1992-07-23 Riedel De Haen Ag Aetzloesung fuer nasschemische prozesse der halbleiterherstellung
JP2734839B2 (ja) * 1991-10-09 1998-04-02 シャープ株式会社 アルミニウム用エッチング液およびエッチング方法並びにアルミニウムエッチング製品

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100420100B1 (ko) * 2001-07-12 2004-03-04 삼성전자주식회사 알루미늄 에천트 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
US5496485A (en) 1996-03-05
WO1993023493A1 (en) 1993-11-25
DE69321465T2 (de) 1999-06-24
JPH07506616A (ja) 1995-07-20
ATE171979T1 (de) 1998-10-15
DE69321465D1 (de) 1998-11-12
JP3630168B2 (ja) 2005-03-16
EP0640120B1 (en) 1998-10-07
GB9210514D0 (en) 1992-07-01
EP0640120A1 (en) 1995-03-01

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