JP2545094B2

JP2545094B2 - ホトレジストストリッピング溶液及びその製法及びホトレジストの除去方法

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Publication number: JP2545094B2
Application number: JP62198368A
Authority: JP
Inventors: デイヴィッド・ジョン・ラパム; ジェフリー・ヒッチモー
Original assignee: MAIKURO IMETSUJI TEKUNOROJII Ltd
Current assignee: MAIKURO IMETSUJI TEKUNOROJII Ltd
Priority date: 1986-08-09
Filing date: 1987-08-10
Publication date: 1996-10-16
Anticipated expiration: 2011-10-16
Also published as: EP0256284B1; EP0256284A3; EP0256284A2; DE3768876D1; JPS6344660A; US4917122A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、集積回路の製造に使用される組成物、特に
ホトレジストストリッピング溶液及びその製造方法に関
するものである。

集積回路は、できればアルミニウムのような導電性金
属の層を、例えばシリコンウェーファのような半導体基
板表面に塗布した後にホストレジスト材料の層をその表
面に被覆し、得られたホトレジスト層の表面に所望の回
路素子に相当する、ポジまたはネガのパターンを施し、
印刷したホトレジスト層を光またはＸ線のような適当な
活性化放射線に露出することにより印刷されたホトレジ
スト層を活性化してホトレジスト層を印刷した部分と印
刷していない部分の現像溶液中での溶解性に差異を付与
し、活性化されたホトレジスト層を現像溶液で処理して
ホトレジスト層の可溶部分を取除いて基板表面を露出さ
せるか、或は予め塗布した導電性層を露出させ、基板表
面を露出させた場合には導電性の金属または金属酸化物
を沈着させるか、例えば硼素イオンを基板本体中に移植
して基板表面に所望の回路素子を付け、予め塗布した導
電性層を露出させた場合には、所望の回路素子以外のす
べての部分を取除くようにエッチングすることにより製
造される。

ホトレジスト層は、現象のときに、活性化された部分
が可溶となる「ポジ」のものと、活性化された部分が不
溶となる「ネガ」のものとが知られている。ポジのホト
レジストは例えばフェノール−ホルムアルデヒド樹脂、
アクリレートまたはメタクリレート樹脂、ポリビニール
シンナメート樹脂、その他の架橋性樹脂のような適当な
樹脂を含み、ネガのホストレジスト材料は、例えばポリ
イソプレン材料を含む。ホトレジスト層は一般に、現像
に続いて高温において焼付けされて、架橋される。

基板に所望の集積回路を付けた後に、ホトレジスト層
の残部は、さらに集積回路素子を付ける際に、非常に高
い標準効率となるように除去されねばならない。ホトレ
ジストストリッピング溶液は、この目的でフェノール化
合物を主剤として開発されていたが、そのような溶液は
環境問題及び廃棄問題を生じている。

特開昭50−101107号公報においては、過酸化水素が添
加されて発熱反応を起こし、過酸化水素の分解で発生期
の酸素を発生するようにした濃硫酸に、ホトレジスト層
を持つ半導体ウェーファを浸漬して、ホトレジストをス
トリップすることが提案されている。このウェーファ
は、発熱反応中の、または反応発応直後の高温溶液中に
入れて発生期の酸素はホトレジストフィルムの成分と反
応して、それを崩壊させて二酸化炭素と水とを造るよう
にすることを要求される。溶液の温度が30℃に低下する
と、硫酸を補充するために三酸素硫黄を添加し、さらに
ある量の過酸化水素を添加して、溶液温度を上昇させて
同じ発熱反応の作用下に置き、さらに発生期の酸素を発
生させてストリップ処理を再開させる。この処理はある
多数回にわたって続けられ、それにより初めのストリッ
ピング溶液の使用寿命を延長させることができる。前記
特開昭公告に記載された処理はウェーファ上にあるアル
ミニウム皮膜に不当な侵食するようになる。

米国特許第3900337号明細書（特開昭50−21681号公報
対応米国特許明細書）は硫酸を過酸化水素に添加するこ
とにより造った過酸化水素と濃硫酸との混合物の使用に
よるホトレジストをストリッピングすることを開示して
いる。これは、混合物の温度を70℃に上昇させることに
より行われる。次いで室温にまで冷却した後に得られた
溶液も使用できる。この溶液は３週間の寿命を持つが、
それは試薬級の硫酸と過酸化水素とが使用されたときに
限るものである。前記米国特許明細書は、熱の発生を達
成するために硫酸と過酸化水素との混合順序を重要であ
ると考えている。この結果、ある割合の過酸化水素が分
解して損失となる発生期の酸素を生成するが、この方法
により造られたストリッピング溶液は、振り動かすと、
さらにある量の酸素を放出して、泡立ち沸騰状態に発泡
することが判明した。上記操作において使用された硫酸
中の水の量は、溶液の有効性に対して重要であるが、そ
の理由で、硫酸の濃度は少なくとも95重量％でなければ
ならず、硫酸の制限的濃度でさえも85重量％の過酸化水
素を使用しなければならない。

本発明は、ホトレジストストリッピング溶液の新規、
かつ改良された製法に関するものである。そのような組
成物の製造に使用できる材料の範囲を広げる他に、本発
明は、新規な一層安定なホトレジストリッピング組成物
の製造を可能となし、本発明により、そのような組成物
自体が提供される。

本発明は活性ストリッピング成分が２〜10重量％のカ
ロー酸からなるホトレジストストリッピング溶液の製法
において、50〜85重量％の過酸化水素水溶液を化学量論
過剰量の75重量％よりも高濃度で〜98重量％までの硫酸
もしくは発煙硫酸またはそれらの混合物に20℃以下の温
度で加えて発生期の酸素の放出を回避しながら前記量の
カロー酸、少なくとも75重量％の硫酸及び６重量％未満
の水分を含有するストリッピング溶液を生成させ、可溶
性錫化合物を生成したストリッピング溶液に加えるか、
可溶性錫化合物及び場合により金属イオン封鎖剤を過酸
化水素水溶液に加えて添加することを特徴とする、ホト
レジストストリッピング溶液の製法を提供するものであ
る。

本発明の１態様によれば、本発明は発生機の酸素の発
生を避けるために、必要に応じ冷却しながら、20℃以
下、特に好適には15℃以下に温度を制御しながら、過酸
化水素の水溶液を濃硫酸中に導入することからなる、活
性成分がカロー酸（ペルモノ硫酸）から本質的になるホ
トレジストストリッピング溶液の製法を提供するもので
ある。そのようにして製造されるストリッピング溶液は
比較的低いストリッピング温度において有効に利用で
き、このことは以下に記載するように長い貯蔵寿命を持
つ溶液の根拠を提供する。

水中約85重量％以上の過酸化水素濃度のいわゆる「ハ
イテスト（耐厳格検査性）」過酸化水素（HTP）は商業
的には通常入手できない。ハイテスト過酸化水素は本発
明のストリッピング溶液の成分として使用すると非常に
良く適しているが、これは必須ではなく、米国特許第39
08337号明細書に記載された濃度の全範囲の過酸化水素
を使用してもよい。なるべくは、導入されるときに過酸
化水素は少なくとも50重量％の濃度、特に少なくても60
重量％の濃度を持つとよい。

本発明のストリッピング溶液の成分として使用する硫
酸は、好適には少なくとも85重量％、特に少なくとも95
重量％濃度であればよい。少なくとも98重量％の濃度を
持つ硫酸は特に適していることが判明した。

ストリッピング溶液中の硫酸に対する過酸化水素の量
は、反応式 H₂SO₄＋H₂O₂→H₂SO₅＋H₂Oにより好適には0.2〜10重量
％、特に好適には２〜10重量％のH₂SO₅が生成するよう
にするとよい。

ストリッピング溶液における硫酸の濃度は、本発明の
実施においては重要な要件であって、前記硫酸濃度が75
重量％以下であると、極く低濃度のカロー酸が得られる
か、維持されるに過ぎない。ストリッピング溶液内の硫
酸の濃度が高ければ、カロー酸の濃度を高くできる。試
験では、水溶液はH₂SO₄75重量％、H₂O₂1.43重量％、及
びH₂SO₅4.22重量％を含んでいた。別の溶液が同じ製法
を使用して造られたが、それは硫酸の濃度だけを80、8
5、90及び95重量％に高めただけのものである。これら
の各溶液におけるH₂SO₅の濃度（重量％）は次の第１表
に示されている。第１表 H₂SO₄(重量％) H₂SO₅(重量％) 残りのH₂O₂(重量％) 75 4.22 1.43 80 5.46 0.89 85 6.88 0.31 90 6.66 0.21 95 6.75 0.10 従って、ストリッピング溶液中の硫酸の濃度は、好ま
しくは少なくとも75重量％またはそれ以上で、なるべく
は80重量％より大きく、85重量％より大きければ非常に
好適であり、成分の濃度と成分の比とをそれに相応して
制御するとよい。

ストリッピング溶液は特に好ましくは６重量％未満の
水（硫酸水溶液の部分として加えられるか、過酸化水素
の部分として加えられるか、H₂SO₅の形成により発生さ
せるかである）を含むのが好ましい。もし６重量％また
はそれ以上の水が結合されない形で存在すれば、ウェー
ファ表面の金属皮膜層は、特にそのような金属皮膜がア
ルミニウムを含むときは、ストリッピング工程において
著しく損傷されるようになる。

含水量の低い、例えば4.5重量％以下、特に４重量％
以下のストリッピング溶液が所望されるときは、本発明
のストリッピング溶液中に三酸化硫黄を含ませて、存在
する水の少なくとも一部と反応するようにすることが特
に好ましい。或はまた、濃度97.5重量％以下の硫黄、及
び（または）濃度85重量％以下の過酸化水素を使用する
ことが望まれるけれども低含水量の溶液を造りたいなら
ば、ストリッピング溶液中に三酸化硫黄を含ませること
が好ましい。このことは前記米国特許第3900337号明細
書に開示された反応体の濃度についての強固な制限の不
利を回避する。上述のように、本発明による三酸化硫黄
の使用は、本質的に硫酸とカロー酸とからなり、６重量
％未満で特に好適には少なくとも0.05重量％の水（水そ
のものとして添加された水及びストリッピング溶液中で
その場で生成した水）を含むか、あるいは水を殆ど含ま
ないストリッピング溶液からなる新規な組成物となる。

三酸化硫黄は、本発明のストリッピング溶液中に発煙
硫酸の形態で入れられるとよい。0.5重量％のように低
濃度から30重量％またはそれ以上にわたる種々の三酸化
硫黄の濃度の広範囲の発煙硫酸が入手可能である。発煙
硫酸はストリッピング溶液中に結合していない形態のま
までいるべき水の最大量に関する総合指針内で、ストリ
ッピング溶液中の適当な量の硫酸を部分的に置換するた
めに、あるいはそれを全部置換するために使用してもよ
い。非常に低い水の濃度のストリッピング溶液が要求さ
れるならば、少なくとも80重量％濃度の過酸化水素と、
25〜30重量％の発煙硫酸とからのストリッピング溶液を
造ることが便利である。

非常に望ましいことは、本発明の好適なストリッピン
グ溶液は１体積量のHTP（水中85重量％過酸化水素水）
を40体積量の98重量％硫酸に添加して造られるが、添加
中の温度は15℃以下に保持される。これは、約4.6重量
％のカロー酸と、約2.2重量％の水とを含む製品を与え
る。

所望の水含有量と、上記の好適な範囲にあるカロー酸
の含有量とを得るために、過酸化水素と硫酸（または発
煙硫酸）との異なった濃度に対する適当な比率を計算す
ることは簡単である。

本発明はまた、長い貯蔵寿命をもつ硫酸／過酸化水素
ホトレジストストリッピング溶液を提供する。すなわ
ち、本発明は２〜10重量％のカロー酸を含有するホトレ
ジストストリッピング溶液において、該溶液が少なくと
も75重量％の硫酸と、６重量％未満の水分と、錫として
計算して該溶液の0.01〜1ppmの可溶性錫化合物と、０〜
１重量％の金属イオン封鎖剤とを含有することを特徴と
する、ホトレジストストリッピング溶液を提供する。そ
のような溶液は、硫酸、過酸化水素及びカロー酸及び溶
液の製造に使用した三酸化硫黄がもしあればその三酸化
硫黄量に応じて適宜水からなる新規な組成であって、硫
酸の濃度はなるべくは75重量％より大きく、この溶液は
可溶性錫化合物を含むことを特徴とする。なるべくは、
可溶錫化合物は溶液中に、錫として計算した重量で、例
えば少なくとも0.01ppm、非常に好適には少なくとも0.2
ppm存在するとよい。同じ基準で錫化合物が1ppm以上存
在することは必要でない。何故ならば、0.02ppm及びそ
れ以下の量でも貯蔵の安定度を延長できるからである。
非常に好ましくは、錫化合物が錫酸塩、例えばアルカリ
金属錫酸塩であることであり、錫酸ナトリウムは非常に
適している。或は錫化合物は酸化第一錫、またはその場
で含水酸化錫を造る他の化合物でもよい。可溶性錫化合
物は、そのままストリッピング溶液に添加してもよく、
または過酸化水素溶液の成分として添加してもよく、こ
の場合には錫化合物は過酸化水素中には好適には0.5〜
４重量ppmの量で存在するとよい。

本発明のストリッピング溶液はまた金属イオン封鎖剤
を含んでいてもよい。アルミニウム金属皮膜層がウェー
ファまたは他の処理されるべき基板の上にあれば、金属
イオン封鎖剤及びストリッピング溶液の他の成分は、前
記層の劣化を回避するために塩素は0.1重量ppm以下であ
ることが好ましい。

金属イオン封鎖剤は、若干の普通に使用されている金
属イオン封鎖剤、例えばオキシ安息香酸エステルを焦が
すことができるようなストリッピング溶液の侵食性環境
において使用するのに適したものでなければならない。
金属イオン封鎖剤の適当な範囲は、酸性５価燐含有基、
例えば好適にはホスホン酸基〔HPO（OH）_２〕及びなる
べくは２〜５のそのような基を含む有機化合物である。
ホスホン酸基の水酸基は、他の活性水素を含む基、例え
ばアンモニウムにより適宜置換されてもよい。

なるべくは、２つまたはそれ以上の酸性５価燐含有基
が、アルキレン基また置換されたアルキレン基を介して
結合されるとよく、これらのアルキレン基は１〜４個の
炭素原子を含み、なるべくはメチレン、ジメチレン、ま
たはエチリデン例えばヒドロキシエチリデンであるとよい。

３個またはそれ以上の酸性５価燐含有基を含む化合物
の場合には、そのような化合物は前記アルキレン基に結
合した第３級窒素原子の結合を含んでいる。

そのような化合物の例は、商標名Dequestとして市販
されている金属イオン封鎖剤の範囲のもので、例えば、
アミノトリ（メチレンホスホン酸）−（Dequest200
0）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）
のアンモニウム塩−（Dequest2042）、ヘキサメチレン
ジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）のアンモニウム
塩−（Dequest2052）、ジエチレントリアミンペンタ
（メチレンホスホン酸）−（Dequest2060）、しかしな
がら、なるべくは、１−ヒドロキシルエチリデン1,1−
ジホスホン酸（Dequest2010）がよい。

金属封鎖剤の濃度は、なるべくは、溶液の0.01〜１重
量％、特に0.1〜0.4重量％で、それより多い量は不要で
ある。

予期しないことには、上述の金属封鎖剤の存在は、本
発明により既に錫化合物を含んでいるストリッピング溶
液の貯蔵安定度を改善するが、錫化合物が無いと安定度
の低下が認められることが判明した。このことは次の試
験により示される。

95重量％濃度のH₂SO₄水溶液40体積部、85重量％濃度
のH₂O₂水溶液１体積部、過酸化水素の重量の可溶性錫4p
pm、及び全溶液の重量でDequest2010金属イオン封鎖剤
0.2重量％からストリッピング溶液（Ａ）を造った。他
のストリッピング溶液（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）は同じ
処方で造ったが、（Ｂ）はDequestを省略し、（Ｃ）は
錫を省略し、（Ｄ）は錫とDequestを省略したことだけ
が異なっている。

H₂O₂として表される溶液の活性酸素含有量を最初と、
70℃で５時間の貯蔵期間後とに測定した。この期間の前
述のように表した活性酸素の損失を、最初の活性酸素値
の％として計算して、下記第２表に示した。第２表溶液損失％Ａ 14.15 Ｂ 14.81 Ｃ 22.14 Ｄ 19.28 本発明による延長された貯蔵寿命は、下記第３表及び
第４表に「好適」、「一層好適」及び「最適」の限度に
よる元素として計算された低濃度の遷移金属及び粒子の
低濃度により特徴付けられる。

上述の金属と粒子との濃度は、組成物の成分として所
望の特性を持つエレクトロニクス級化学薬品を使用する
ことにより達成される。

適当な表面活性剤、例えばフルオロ−アルコールエト
キシレートをストリッピング溶液に添加することが好ま
しい。表面活性剤は濡れを増し、従ってレジシトに対す
る侵食を増す。従ってアルミニアム層における侵食は効
果的に軽減される。

本発明はさらにホトレジストを有する基板を、２〜10
重量％のカロー酸と、少なくとも75重量％の硫酸と、６
重量％未満の水分と、錫として計算して後記ストリッピ
ング溶液の0.01〜1ppmの可溶性錫化合物と、０〜１重量
％の金属イオン封鎖剤とを含有するストリッピング溶液
中に50℃以下の温度で浸漬することからなる、ホトレジ
ストを有する基板からホトレジストの除去方法を提供す
る。こうして、本発明のホトレジストストリッピング溶
液は、ホトレジストを備えた基板を適当な時間、例えば
約10秒〜15分間のその中に浸漬させ、基板を取出し、18
メガオームの水の中で基板を洗浄することにより使用さ
れる。本発明の特徴は、基板上の金属皮膜に対する侵食
を回避するために処理の温度はなるべくは50℃以下、特
に40℃以下、最適には10℃〜30度以下に維持することで
ある。

本発明を以下のホトレジストストリッピング試験につ
いて説明する。

試験は、12000Å厚のアルミニアムで被覆しかつ160℃
で焼付けした10000Å厚のパターン化されたポジのホト
レジストパターンで被覆したシリコンウェーファをスト
リッピング溶液の浴に浸漬することにより行った。米国
特許第3900337号明細書の２個の浴と異なって１つだけ
の浴を使用した。

種々の実施例において使用した種々のストリッピング
溶液は次のようであった。

使用したストリッピング溶液は、98重量％の硫酸と、
カロー酸を生成させかつ以下に記載の水の含有量とを得
るのに適した濃度の過酸化水素水溶液とを混合すること
により造った。ストリッピング溶液Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及び
Ｊは過酸化水素を硫酸に導入して造ったものであるが、
溶液の温度は15℃以下に制御し、溶液Ａに10重量％の水
を添加した溶液Ｄ及び溶液Ａに温度制御なしに５重量％
の水を添加した溶液Ｃ以外の、溶液Ａ、Ｂ及びＪは本発
明による実施例である。ストリッピング溶液Ｅ、Ｆ及び
Ｇは、米国特許第3900337号明細書による製法により造
ったもので、すなわち、硫酸を過酸化水素溶液に添加
し、添加に伴う温度上昇は約70〜90℃であり、本発明に
よるものではない。ストリッピング溶液Ｈは、過酸化水
素を硫酸に添加することにより造ったが温度制御対策が
行われておらず、従って温度は30℃以上に上昇してお
り、従って本発明によるものではない。

錫及び（または）金属イオン封鎖剤の含有量を以下に
示すが、それらの適当量を過酸化水素溶液に溶解してス
トリッピング溶液中に入れ、錫は錫酸塩の形態で使用し
た。ストリッピング溶液Ｊは、存在するすべての水と反
応する所定量の発塩硫酸を含み、発煙硫酸は、過酸化水
素溶液を導入する前に、硫酸と混合した。

ストリッピング溶液Ａカロー酸 4.6重量％水 2.2重量％ Dequest2010 0.2重量％錫 0.2重量ppm ストリッピング溶液Ｂ 25℃においてストリッピング溶液Ａを2 1/2月間貯蔵
したものストリッピング溶液Ｃ浴に温度制御なしに５重量％の水を添加したストリッ
ピング溶液Ａで、下記のものを含むカロー酸 4.6重量％水 7.2重量％ Dequest2010 0.2重量％錫 0.2重量ppm ストリッピング溶液Ｄ 10重量％の水を添加したストリッピング溶液Ａで、下
記のものを含むカロー酸 4.3重量％水 12.2重量％ Dequest2010 0.2重量％錫 0.2重量ppm ストリッピング溶液Ｅカロー酸 5.6重量％水 5.9重量％ Dequest2010 0.2重量ppm ストリッピング溶液Ｆカロー酸 7.8重量％水 2.4重量％ Dequest2010 0.2重量ppm ストリッピング溶液Ｇカロー酸 7.2重量％水 2.4重量％ストリッピング溶液Ｈカロー酸 5.7重量％水 5.9重量％ストリッピング溶液Ｊ無水ストリッピング溶液で、下記のものを含むカロー酸 4.7重量％ Dequest2010 0.2重量％錫 0.2重量ppm ホトレジストのストリップ率とアルミニアム侵食率と
に関するこれらのストリッピング溶液試験の結果を次表
に示すが、この表にはストリッピング溶液の温度と、浸
漬時間も記載した。

第５表について説明すると、最後欄はレジストを除去
する時間内にストリッピング溶液により除去された全ア
ルミニアム厚を示す。

上記結果からストリッピング溶液Ａは室温において非
常に満足すべきものであり、2 1/2月間の間貯蔵した後
（ストリッピング溶液Ｂ）でも殆ど変化が起こっていな
いことがわかる。

もしも温度制御なしに浴内のストリッピング溶液に僅
かの量の水を添加する（ストリッピング溶液Ｃ）と、最
も著しい結果は発熱であって、ストリッピング時間は著
しく減少する（10分から40秒へ）。

しかし、ストリッピング溶液はアルミニアムに対して
侵食性となる。これらの効果の組合わせはもしウェーフ
ァを必要よりも30秒以上長く浴の中に残っていても、ス
トリッピング溶液Ａはさらに12Åのアルミニアムしか減
らさず、262Åの全Al除去厚となるに過ぎないが、スト
リッピング溶液Ｃでは30秒長くウェーファを入れて置く
とさらに500Åを侵食し、1170Åの全Al除去厚となるこ
とを示している。アルミニアムの除去は最少であること
が明らかに望ましい。何故なら、アルミニアムはウェー
ファを造るときに繰返してストリッピング処理を受ける
からである。これらの試験は、予防策を講じない限り、
ストリップ処理段階に続いて直ぐに水洗を行わない方が
よいことを示している。

ストリッピング溶液Ｄによる実験は、低含水量の重要
性を強調するために計画された。このストリッピング溶
液は、適当な温度制御条件下でストリッピング溶液Ａの
希釈により造った。不幸なことに、ストリッピング溶液
が分解してしまったので、貯蔵後のストリッピング効果
を試験することができなかった。

ストリッピング溶液Ｅは米国特許第3900337号明細書
の例１と同じカロー酸と水との比率を有する。該溶液の
調製（硫酸を過酸化水素に添加）に際して温度は90℃に
上昇した。得られた混合物はできるだけ早く冷却して分
析した。25℃で貯蔵すると、このストリッピング溶液は
そのカロー酸の含有量を、14日後に24％、16週間後に65
％損失した。

ストリッピング溶液Ｆは米国特許第3900337号明細書
の例５のストリッピング溶液と同じ比率のカロー酸と水
とを含有する。調製に際して温度は70℃に上昇した。こ
のストリッピング溶液は14日間の貯蔵後にそのカロー酸
の含有量を15.6％損失しただけであったが、ふりまぜる
と著しいガス発生を生じて、物理的に不安定であること
が判った。25℃で16週間貯蔵後に、そのカロー酸含有量
は71％損失した。

ストリッピング溶液ＧはDequestと錫とを含まない点
で先行技術（米国特許第3900337号）の例５により一層
正確に対応している。14日間貯蔵後にそのカロー酸含有
量を32％、16週間後に86％損失し、物理的に不安定であ
った。ストリッピング溶液Ｅ、Ｆ及びＧのストリッピン
グ能力を判定する実験は行わなかった。何故なら、貯蔵
安定性がなかったからである。Dequestと錫とを含むス
トリッピング溶液Ａはふりまぜに対して安定であり、25
℃で16週間貯蔵後に、そのカロー酸含有量を53％損失し
ただけで、これによりストリッピング溶液Ｆ及びＧに比
して優れた安定性を示している。

ストリッピング溶液Ｈは現行技術に相当するもので、
混合物は浴中で温度を上げて造った。アルミニアム皮膜
に対する著しい侵食が見られた。

ストリッピング溶液Ｊはストリッピング溶液Ａの性能
と異ならなかった。

いずれの場合にも、ストリッピング溶液はエレクトロ
ニクス級化学薬品を使用して、清浄室条件下で、従って
少なくとも上記第３表及び第４表に述べた好適な条件に
対応する条件下で造った。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭50−21681（ＪＰ，Ａ) 特開昭50−101107（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】活性ストリッピング成分が２〜10重量％の
カロー酸からなるホトレジストストリッピング溶液の製
法において、50〜85重量％の過酸化水素水溶液を化学量
論過剰量の少なくとも85重量％〜98重量％までの硫酸も
しくは発煙硫酸またはそれらの混合物に20℃以下の温度
で加えて発生期の酸素の放出を回避しながら前記濃度の
カロー酸、少なくとも75重量％の硫酸及び６重量％未満
の水分を含むストリッピング溶液を生成させ、可溶性錫
化合物を生成したストリッピング溶液に加えるか、可溶
性錫化合物及び場合により金属イオン封鎖剤を過酸化水
素水溶液に加えて添加することを特徴とする、ホトレジ
ストストリッピング溶液の製法。
【請求項２】１容積割合の85重量％過酸化水素を40容積
割合の98重量％硫酸に加え、過酸化水素の添加中温度を
15℃以下に保つ、特許請求の範囲第１項記載の製法。
【請求項３】25〜35重量％の発煙硫酸及び少なくとも80
重量％の過酸化水素を使用する、特許請求の範囲第１項
記載の製法。
【請求項４】錫化合物が錫酸塩である、特許請求の範囲
第１項記載の製法。
【請求項５】金属イオン封鎖剤がホスホネートである、
特許請求の範囲第１項記載の製法。
【請求項６】ホスホネートがヒドロキシエチリデンジホ
スホン酸である、特許請求の範囲第５項記載の製法。
【請求項７】２〜10重量％のカロー酸を含有するホトレ
スジストストリッピング溶液において、該溶液が少なく
とも75重量％の硫酸と、６重量％未満の水分と、錫とし
て計算して該溶液の0.01〜1ppmの可溶性錫化合物と、０
〜１重量％の金属イオン封鎖剤とを含有することを特徴
とする、ホトレジストストリッピング溶液。
【請求項８】カロー酸が少なくとも４重量％の濃度をも
つ、特許請求の範囲第７項記載のホトレジストストリッ
ピング溶液。
【請求項９】錫化合物が錫酸塩である、特許請求の範囲
第７項記載のホトレジストストリッピング溶液。
【請求項１０】金属イオン封鎖剤がホスホネートであ
る、特許請求の範囲第７項記載のホトレジストストリッ
ピング溶液。
【請求項１１】ホスホネートがヒドロキシエチリデンジ
ホスホン酸である、特許請求の範囲第10項記載のホトレ
ジストストリッピング溶液。
【請求項１２】金属イオン封鎖剤の含量が0.05〜0.5重
量％である、特許請求の範囲第10項または第11項記載の
ホトレジストストリッピング溶液。
【請求項１３】ホトレジストを有する基板を、２〜10重
量％のカロー酸と、少なくとも75重量％の硫酸と、６重
量％未満の水分と、錫として計算して後記ストリッピン
グ溶液の0.01〜1ppmの可溶性錫化合物と、０〜１重量％
の金属イオン封鎖剤とを含有するストリッピング溶液中
に50℃以下の温度で浸漬することからなる、ホトレジス
トを有する基板からのホトレジストの除去方法。
【請求項１４】溶液の温度を10℃〜30℃に維持する、特
許請求の範囲第13項記載の除去方法。
【請求項１５】基板がアルミニウム金属被覆を備えたシ
リコンウェーファである、特許請求の範囲第13項記載の
除去方法。
【請求項１６】カロー酸が少なくとも４重量％の濃度を
もつ特許請求の範囲第13項記載の除去方法。
【請求項１７】錫化合物が錫酸塩である、特許請求の範
囲第13項記載の除去方法。
【請求項１８】金属イオン封鎖剤がホスホネートであ
る、特許請求の範囲第13項記載の除去方法。
【請求項１９】ホスホネートがヒドロキシエチリデンジ
ホスホン酸である、特許請求の範囲第18項記載の除去方
法。
【請求項２０】金属封鎖剤の含量が0.05〜0.5重量％で
ある、特許請求の範囲第18項または第19項記載の除去方
法。