JPS60249332A - 二酸化ケイ素エッチング液およびその製法 - Google Patents

二酸化ケイ素エッチング液およびその製法

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JPS60249332A JP60088465A JP8846585A JPS60249332A JP S60249332 A JPS60249332 A JP S60249332A JP 60088465 A JP60088465 A JP 60088465A JP 8846585 A JP8846585 A JP 8846585A JP S60249332 A JPS60249332 A JP S60249332A
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    • C09K13/08Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は可溶性界面活性剤添加物を含有するエツチング
溶液の改良組成物に関する。これらの添加物は、表面張
力を小さく保持することができ基板の湿潤性を改良し、
集積回路の製造に有用である。特に、本発明は、極性溶
媒混合物中の過弗化アルキルスルホネートおよび/また
は過弗素化両性界面活性剤を表面張力抑制添加剤として
利用することに関する。
集積回路部品の寸法が小さくなればなるほど、基板表面
上のエツチング溶液によって物理的に湿潤性を与えるこ
とはまずます雌しくなる。これしま二酸化珪素エツチン
グに使用する緩衝酸化物弗化アンモニウム/弗化水素酸
エツチング剤溶液にとって特に重要なことである。とい
5のはこれらの溶液は、一般的なエツチング温度で、8
5〜90ダイン/cmという非常に高い表面張力値を示
すからである。使用するマスキング材料の表面エネルギ
ーが比較的小さい0と、フォトレジストの分布状態、存
在する不純物の種類および他の処理工程からの残留不純
物のため、基板に適度な湿潤性を与えることは難しく、
不均一なエツチングとなり、ラインの再現性が乏しくな
る。
これらの問題を解決するために、はとんどの集積回路工
業では、少なくとも二つの公知技術のうちの一万を使っ
てきた。第一は、基板をエツチング剤中に入れる前に界
面活性剤水溶液に予備浸漬するものであり、第二は、界
面活性剤をエツチング剤溶液に直接添加するものである
。しかしながら、工業界は、再デ過タンクを用いるそし
て同時に偏差のより少ないさらに精密な腐蝕ラインを必
要とする、より含有粒子の少ないシステムを使用する方
向に進んでいるため、現在の方法にはいくつかの欠点が
ある。
予備浸漬を行なう場合、タンクは一つの代わりに二つ必
要となり、処理工程が追加されることになる。さらに、
ウェファ−は予備浸漬されているので、予備浸漬タンク
中の物質がエツチング剤タンクへ運び込まれる傾向があ
る。従ってエツチング剤の性能は変化し、その有効寿命
は短かくなる。
さらに重要なことに、これらの方法のいずれにも関連す
る大きな欠点は、経験かられかるように、工業界で一般
に使用されるたいていの界面活性剤が弗化アンモニウム
/弗化水素酸酸化物エツチング剤溶液に不溶であって、
界面活性剤が基板表面上にプ1/−ドアウドすることと
なり、再循環腐蝕浴中で一般に使われるフィルター(0
2ミクロン程度のものである)をふさぎ、そしてその結
果、得られるエツチング剤溶液に界面活性剤がほとんど
あるいは全く存在しなくなってしまうことである。また
、使用する界ml活性剤は、集積回路の性能に有害な金
属イオンを含有しているかもしれず、あろいしまエツチ
ング剤中に弗化水素酸が存在するため生じる界面活性剤
の劣化により活性を失うかもしれない。エツチング剤製
造業者の中には、酸化物エツチング剤溶液中に界面活性
剤を混和させることを試みたものがあった。しかし、こ
れらの物質を分析したものはほとんどなく、あったとし
ても界面活性剤の存在は表面張力の測定で示されている
。従って、0.2ミクロン絶対フィルターでの沢過の後
、界面活性剤が弗化アンモニウム/弗化水素酸溶液中で
界面活性を維持しており、そして金属イオンが本質的に
存在しない、表面張力のより低い改良された効果的な二
酸化珪素エツチング剤溶液が必要とされているのは明ら
かである。
本発明は、可溶性で安定な界面活性剤添加物を、表面張
力を減少させて表面の湿潤性を高めるために、緩衝酸化
物エツチング剤溶液に使用することに関する。これらの
添加物1)ま、0.2ミクロンのフィルターでの沢過の
後でも、溶液中に残り、金属イオンによる汚染は少ない
。界面活性剤添加物を含有しないエツチング剤の表面張
力値が85〜90ダイン/c7nであるのと比較して、
これらの添力n物を含有するエツチング剤の表面張力値
は一般に6Dゲイン/Cmより小さい。重要なことに、
これらの物質は連続f過浴中に除去されず、従ってフィ
ルターをつまらせたり、表面上にプレートアウトしない
。これらの物質を使って行なった試験では、これらの添
加物を含有するエツチング剤を使用した場合、腐蝕の均
一性が高められていることが示された。
従って、本発明の目的は、従来のエツチング溶液よりも
好ましいエツチング速度および改良された湿潤性を有す
る、一連の二酸化珪素エツチング溶液を提供することで
ある。これらの改良されたエツチング剤シまr過の後も
それらの表面活性特性を維持している。
本発明の他の目的は、02ミクロンのフィルターでの沢
過の後、金属イオンを尖細的に含まず、従来の溶液と同
じエツチング温度で同じエツチング速度を有し、そして
腐蝕の均一性を改良するよりすぐれた湿潤特性を有する
、一連のこのようなエツチング溶液を提供することであ
る。
これらのおよび他の目的シマ、約1〜12重量%の弗化
水素(HF)、約16,5〜40.5重量%の弗化アン
モニウム(NH4F)および少量、すなわち25〜20
,000 ppm程度の界面活性剤を含有する弗化水素
と弗化アンモニウムの水溶液よりなるエツチング溶液を
提供する本発明によって達成される。
本発明によって効果があると見出された界面活性剤は弗
素化アルキルスルホネートと呼ばれ、一般式: %式% (上式中のフルオロアルキル基は線状でも分岐鎖状でも
よく、ヒドロキシル基を含有している)を有する。好ま
しい化合物は4〜ノの炭素原子を含み、XはFまたレエ
OHまたは5O3Aであり;YばF、H,OHであるか
または省略して二重結合となってもよく;そしてnは1
2までの値である。
好ましい物質によりすぐれた溶解性を有し、0.2ミク
ロンの濾過で除去されない。Aは陽イオン基であり、N
 H4+、H+、Na+、K+、Li+、R+または有
機アミン陽イオン、すなわちN R4+ (Rは炭禦原
子数1〜4のアルキル基である)である。
しかしながら、Na、におよびLi塩は、回路の電気特
性に悪影響を及ぼすので、好ましくない。
“低い金属イオン含有量“という言葉は、周期律表第■
および■族の金属イオン、主にLi、Na。
K、GaおよびMgイオン、が実質的に除かれているこ
とを意味する。
本発明の新しいエツチング溶液は全て、02ミクロンの
フィルターでの沢過の後、連続p過条件下であっても、
それらの表面活性特性を保持している。さらに、本発明
の新規な溶液は、淀過されているにもかかわらず、基板
をより効果的に湿潤させる性質を有し、そして従来の溶
液に悪影響を及ぼすことなく同じ速度で、パターン化し
たレジストにおける酸化物の小さな形(geometr
y)(1〜5ミクロン)および大きな形(75ミクロン
)をエツチングすることによってより均一な結果をもた
らす。
本発明のHF−NH4F溶液は、指示割合の成分を水に
溶解するどのような方法によっても製造することができ
る。しかしながら、個々の成分HFおよびNH4F各々
の水溶液を混合するのが好ましい。49重量%の弗化水
素を含有する標準HFm液がこの目的に好適であること
を見出した。この49%HF心液を使用するとき、約1
5〜約40重量%の濃度の弗化アンモニウム溶液を用い
る必要があり、混合することによって溶液は所望の相対
割合の二成分を含有する。1重量部の49重量%弗化水
素水溶液および4〜100容量部の15〜48重量%水
性弗化アンモニウムの配合物を使用することができる。
このような配合で、重量に基づいて約1%〜約11%の
HFおよび約16.5%〜約40,5%のNH4Fそし
て残部の水を含有する混合物が得られろ。これに金属イ
オンの少ない好ましい溶質フルオロアルキルスルホネー
トを加え、この溶液を02リクロンのフィルターで澱過
する。
活性界面活性剤として添加するのに効果的な濃度範囲し
125〜20,000 ppmである。これは固体とし
であるいは水性極性溶媒混合物中の溶液として加えても
よい。活性界面活性剤の好ましい濃度範囲は200〜5
000 ppmである。
時には、腐蝕効果を弱める。すなわち抑制する、適当な
希釈剤を加えてもよい。適当な希釈剤は例えば酢酸、エ
チレングリコールおよび、例えば炭素原子数1〜ろの、
低アルキルアルコールである。
以下の特定の実施例で本発明をさらに説明する。
これらの実施例では本発明の特定の好ましい操作条件を
詳しく記載しているが、これらは主に説明のためのもの
であり、本発明がより広い見地から、これらに限定され
ないことは熱論のことである。
実施例1〜7 弗化アンモニウム(40重量%)対弗化水素酸(49重
量%)が各々6:1ないし7:1(容量部)の溶液に、
界面活性剤を250ppmの量で加えた。表面張力を、
ジュターイ環表面張力計を使い、25℃で測定した。溶
#(表1に示すような)を0.2Hmテフロンフィルタ
ーに通してp過し、そして表面張力を同じ方法で再び測
定した。
衣1は結果をまとめたものである。
表・1 f過前の P1ハ後の 表面張力 表面張力 実 施 例 ダイン/−ダインメ漂 1) LI No、 2(a) 24.2 26.02
) LI No、1 (b) 33.8 53.53)
 CHSo H(C) 67.2 67.737 3 4)None* 89 89 5)08FエフSO3に*21.6 72.76) Z
onyl FSH(d)* 25.2 76.77) 
Tr i ton X−100(e)* 39.3 7
0.8* (比較) (a) 炭素原子数4〜7のアルキル基を有するペルフ
ルオロアルキルスルホネート (b) 弗素化両性界面活性剤(炭素原子数6〜6の線
状ハルフルオロアルキルスルホネート)(c) C3H
7503Hの溶解度は高いが、活性度は低く、6重量%
の添加でも表面張力は相当減じた。C−10までの高級
アルキルスルホネートも用いつる。
(d) R7CH2CH20(CH2CH20)x4、
式中、FtfはF (CF20F2)3−9であり、X
は6〜20である。
(e)C8H17−C6H4−(OCH2CH2)6〜
1゜0H(f) 炭!原子数8〜10のアンモニウムは
ルフルオロアルキルスルホネート 0.2μmでエツチング剤を沢過した後の腐蝕の均一性
試験 6インチの珪素ウェファ−を1100℃にて02中で約
70’00Aまで熱酸化し、ポジティブフォトレジスト
で約2μmの厚みに被覆しそして約15〜20μmで変
化する。形(geometry)を有するテストマスク
を使って・ξターン化した。
レジストを約20分間、160℃にて硬化した後、ノミ
ターン化したウェファ−を、その所望の界面活性剤を含
有する、6容量部の弗化アンモニウム(40重量%)お
よび1容量部の弗化水素酸(49重量%)を含む0.2
μmのフィルターに通した溶液に浸した。次に腐蝕パタ
ーンを水の中ですすいだ。この腐蝕手順を各組成物につ
いて110%の腐蝕時間繰返した。ウェファ−を光学顕
微鏡で200〜400倍の倍率にて形(geometr
y)の鮮明度について調べた。結果を表2に示す。
本発明の範囲から逸脱することなく、記載の組 −酸物
に様々な変更を加え5ることは熱論のことであり、説明
のために示した詳細は、特許請求の範囲に挙げたもの以
外は、本発明を限定するものと解すべきではない。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (11界面活性剤の沈殿に対して安定な、界面活性剤含
    有エツチング溶液であって、16.5ないし45重量%
    の弗化アンモニウム(NH4F)および25ないし20
    ,000 ppmの式:%式% [式中、nは12までの値であり、炭素鎖は線状または
    分岐鎖状であり、XはF’、OHまたは5O3Aテアリ
    、Y)−1F、H,OHまたは省いてもよく、そしてA
    ばH+、NH4+、Na+、K+、Li”、R+または
    NR4+ (Rは炭素原子数1〜4のアルキル基および
    これらの混ざったものである)である] のフルオロアルキルスルホネート界面活性剤を含みそし
    て残部は水である、弗化アンモニウムおよび界面活性剤
    の水性混合物よりなる上記のエツチング溶液。 +2)11重量%までの弗化水素を特徴する特許請求の
    範囲第1項記載のエツチング溶液。 (3) フルオロアルキルスルホネート界面活性剤のn
    の値が6〜6である。特許請求の範囲第1項記載のエツ
    チング溶液。 (4) 弗素化アルキルスルホネートがアンモニウム塩
    でありそして金属イオン含有量の少ないものである、特
    許請求の範囲第1項記載のエツチング溶液。 (5)弗素化アルキルスルホネートが弗素化アルキルス
    ルホン酸である特許請求の範囲第1項記載のエツチング
    溶液。 (6) フルオロアルキルスルホネート界面活性剤が2
    00ないし5000 ppmの量で存在し、これがエツ
    チング溶液へ乾燥固体としてまたは水性極性溶媒混合物
    としての溶液として加えられる、特許請求の範囲第1項
    記載のエツチング溶液。 (7)11重量%までの弗化水素、200ないし500
    ppmの腐食を抑制するためのフルオロアルキルスルホ
    ネート界面活性剤希釈剤を含有する、特許請求の範囲第
    1項記載のエンチング溶液。 (8)酢酸、エチレングリコールおよび炭素原子数1〜
    3のアルコールよりなる群から選択したものを腐蝕抑制
    希釈剤として50M量まで含有する、特許請求の範囲第
    2項記載のエツチング溶液。 (9)49重量%の水性弗化水素および15ないし40
    重量%の弗化アンモニウムの水溶液を、200ないし5
    000 ppmの活性フルオロアルキルスルホネート界
    面活性剤と混合することよりなる、エツチング溶液の製
    法。 00)水性弗化アンモニウムが約30重量%のNH4F
    を特徴する特許請求の範囲第9項記載の方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000507304A (ja) * 1997-01-21 2000-06-13 ウオン リー、キ 電子ディスプレイおよび基材の洗浄およびエッチング用組成物
JP2011029619A (ja) * 2009-06-24 2011-02-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体基板の再生処理方法及びsoi基板の作製方法
JP2011066392A (ja) * 2009-06-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体基板の再生処理方法及びsoi基板の作製方法
JP2011228651A (ja) * 2010-03-30 2011-11-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体基板の再生方法、再生半導体基板の作製方法、及びsoi基板の作製方法

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4620934A (en) * 1984-04-26 1986-11-04 Allied Corporation Soluble fluorinated cycloalkane sulfonate surfactant additives for NH4
US4761245A (en) * 1987-01-27 1988-08-02 Olin Corporation Etching solutions containing ammonium fluoride and an alkylphenol polyglycidol ether surfactant
US4761244A (en) * 1987-01-27 1988-08-02 Olin Corporation Etching solutions containing ammonium fluoride and an alkyl polyaccharide surfactant
US4863563A (en) * 1987-01-27 1989-09-05 Olin Corporation Etching solutions containing ammonium fluoride and a nonionic alkyl amine glycidol adduct and method of etching
WO1989011517A1 (en) * 1988-05-16 1989-11-30 Olin Corporation Etching solutions containing anionic sulfate esters of alkylphenol polyglycidol ethers
US5277835A (en) * 1989-06-26 1994-01-11 Hashimoto Chemical Industries Co., Ltd. Surface treatment agent for fine surface treatment
EP0405886B1 (en) * 1989-06-26 1996-11-27 Hashimoto Chemical Industries Co., Ltd. Surface treatment agent for fine surface treatment
US5164018A (en) * 1992-03-18 1992-11-17 Barcelona Jr Russell L Water-spot remover containing hydrofluoric acid, ammonium fluoride, and an alcohol
WO1994018696A1 (en) * 1993-02-04 1994-08-18 Daikin Industries, Ltd. Wet-etching composition for semiconductors excellent in wettability
US5320709A (en) * 1993-02-24 1994-06-14 Advanced Chemical Systems International Incorporated Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution
TW294831B (ja) * 1995-04-26 1997-01-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
KR0175009B1 (ko) * 1995-07-28 1999-04-01 김광호 식각용액 및 이를 이용한 반도체 장치의 식각방법
WO1997018582A1 (fr) * 1995-11-15 1997-05-22 Daikin Industries, Ltd. Solution de nettoyage de plaquettes et son procede de production
JP3188843B2 (ja) * 1996-08-28 2001-07-16 ステラケミファ株式会社 微細加工表面処理剤及び微細加工表面処理方法
GB9621949D0 (en) * 1996-10-22 1996-12-18 Molloy Malachy J Floor and tile anti-slip treatment
US6284721B1 (en) 1997-01-21 2001-09-04 Ki Won Lee Cleaning and etching compositions
US6074951A (en) * 1997-05-29 2000-06-13 International Business Machines Corporation Vapor phase etching of oxide masked by resist or masking material
US5876879A (en) * 1997-05-29 1999-03-02 International Business Machines Corporation Oxide layer patterned by vapor phase etching
US5838055A (en) * 1997-05-29 1998-11-17 International Business Machines Corporation Trench sidewall patterned by vapor phase etching
US5939336A (en) * 1998-08-21 1999-08-17 Micron Technology, Inc. Aqueous solutions of ammonium fluoride in propylene glycol and their use in the removal of etch residues from silicon substrates
US6248704B1 (en) 1999-05-03 2001-06-19 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices
ITMI20020178A1 (it) * 2002-02-01 2003-08-01 Ausimont Spa Uso di additivi fluorurati nell'etching o polishing di circuiti integrati
US6740571B2 (en) * 2002-07-25 2004-05-25 Mosel Vitelic, Inc. Method of etching a dielectric material in the presence of polysilicon
KR100634164B1 (ko) * 2003-03-13 2006-10-16 삼성전자주식회사 반도체 제조 공정에 사용되는 세정액
AU2004271225B2 (en) * 2003-09-09 2010-01-21 Csg Solar Ag Improved method of forming openings in an organic resin material
CN100561668C (zh) * 2003-09-09 2009-11-18 Csg索拉尔有限公司 在有机树脂材料中形成开口的改进方法
US7446051B2 (en) * 2003-09-09 2008-11-04 Csg Solar Ag Method of etching silicon
WO2005024959A1 (en) * 2003-09-09 2005-03-17 Csg Solar, Ag Adjustment of masks by re-flow
KR100621541B1 (ko) * 2004-02-06 2006-09-14 삼성전자주식회사 듀얼다마신 배선 형성방법 및 듀얼다마신 공정에서 보호막제거용 식각액
JP4776191B2 (ja) * 2004-08-25 2011-09-21 関東化学株式会社 フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去組成物、並びにそれを用いた残渣除去方法
US7112289B2 (en) * 2004-11-09 2006-09-26 General Chemical Performance Products Llc Etchants containing filterable surfactant
US7241920B2 (en) * 2004-11-09 2007-07-10 General Chemical Performance Products, Llc Filterable surfactant composition
US7846349B2 (en) * 2004-12-22 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Solution for the selective removal of metal from aluminum substrates
KR20080027244A (ko) * 2005-05-13 2008-03-26 사켐,인코포레이티드 산화물의 선택적 습식 에칭
JP4677890B2 (ja) * 2005-11-29 2011-04-27 信越半導体株式会社 埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法および埋め込み拡散エピタキシャルウエーハ
JP4816250B2 (ja) 2006-05-25 2011-11-16 三菱瓦斯化学株式会社 エッチング液組成物及びエッチング方法
US8153019B2 (en) * 2007-08-06 2012-04-10 Micron Technology, Inc. Methods for substantially equalizing rates at which material is removed over an area of a structure or film that includes recesses or crevices
US7872978B1 (en) * 2008-04-18 2011-01-18 Link—A—Media Devices Corporation Obtaining parameters for minimizing an error event probability
US8398779B2 (en) * 2009-03-02 2013-03-19 Applied Materials, Inc. Non destructive selective deposition removal of non-metallic deposits from aluminum containing substrates
CN108384548A (zh) * 2018-02-24 2018-08-10 苏州晶瑞化学股份有限公司 一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液
CN111471463B (zh) * 2020-04-24 2021-10-19 湖北兴福电子材料有限公司 一种二氧化硅薄膜的蚀刻液
CN116144365B (zh) * 2023-01-30 2023-10-03 江苏美阳电子材料有限公司 一种缓冲氧化腐蚀液及其制备方法和应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4055458A (en) * 1975-08-07 1977-10-25 Bayer Aktiengesellschaft Etching glass with HF and fluorine-containing surfactant
JPS58188132A (ja) * 1982-04-28 1983-11-02 Toyo Soda Mfg Co Ltd レジストと基板との密着性強化方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1228083A (ja) * 1968-06-10 1971-04-15
JPS5884974A (ja) * 1981-11-13 1983-05-21 Daikin Ind Ltd エツチング剤組成物
JPS6039176A (ja) * 1983-08-10 1985-02-28 Daikin Ind Ltd エッチング剤組成物

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4055458A (en) * 1975-08-07 1977-10-25 Bayer Aktiengesellschaft Etching glass with HF and fluorine-containing surfactant
JPS58188132A (ja) * 1982-04-28 1983-11-02 Toyo Soda Mfg Co Ltd レジストと基板との密着性強化方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000507304A (ja) * 1997-01-21 2000-06-13 ウオン リー、キ 電子ディスプレイおよび基材の洗浄およびエッチング用組成物
JP2011029619A (ja) * 2009-06-24 2011-02-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体基板の再生処理方法及びsoi基板の作製方法
JP2011066392A (ja) * 2009-06-24 2011-03-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体基板の再生処理方法及びsoi基板の作製方法
JP2011228651A (ja) * 2010-03-30 2011-11-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体基板の再生方法、再生半導体基板の作製方法、及びsoi基板の作製方法

Also Published As

Publication number Publication date
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US4517106A (en) 1985-05-14
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