CN108384548A - 一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液 - Google Patents

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刘兵
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Abstract

本发明公开了一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，按质量分数计包括以下组分：氢氟酸0.1％‑10％，氟化铵1％‑40％，缓释剂0.005％‑0.5％，渗透剂0.005％‑0.5％，纯水余量。本发明的一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，对制程中氧化硅膜层具有高度选择性蚀刻，蚀刻速率可控，蚀刻后无台阶出现；蚀刻液对接触层ILD膜及GI膜层无蚀刻；通过引入缓冲剂，对多晶硅基材及玻璃基板蚀刻速率效率小于

Description

一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液
技术领域
本发明涉及蚀刻液技术领域，具体地是涉及一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液。
背景技术
在微结构的制造中，蚀刻工艺被用于去除材料的牺牲(即不需要的)区域。缓冲氧化物蚀刻剂是已知的用于去除二氧化硅的代表性试剂，在OLED制作过程中，不可避免地需要蒸镀ILD膜(二氧化硅+氮化硅)及GI膜层(二氧化硅+氮化硅)。黄光制程后蚀刻药水需要选择性蚀刻二氧化硅膜层。现有的药液普遍采用氢氟酸和氟化铵缓冲组合，但在实际使用过程中经常会导致多晶硅及玻璃基材过蚀。同时，蚀刻液表面张力过大，不能有效渗透至微孔中二氧化硅层，导致蚀刻不净。
发明内容
本发明旨在提供一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：
一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，按质量分数计包括以下组分：
进一步的，所述缓释剂为碳氟类物质。
进一步的，所述碳氟类物质包括全氟三丁铵，全氟辛基磺酸盐，二氟乙酸乙酯，2-(1,1,2,2-四氟乙氧基)氯苯，1,1,2,2-四氟乙基乙基醚，1,1,2,2-四氟乙基-2,2,2-三氧乙基醚，3-(1,1,2,2-四氟乙氧基)苯甲醛，1,1,2,2-四氟乙基-3-苯甲基醚，乙基-4-(1,1,2,2-四氟乙氧基)苯甲酸酯中的一种或多种。
进一步的，所述渗透剂包括渗透剂JFC系列，低泡渗透剂系列，快速渗透剂系列或渗透剂OE-35。
进一步的，所述氢氟酸的纯度等级为UP级或以上。
进一步的，所述氟化铵的纯度等级为UP级或以上。
进一步的，所述纯水的电阻为18MΩ·cm。
采用上述技术方案，本发明至少包括如下有益效果：本发明的一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，对制程中氧化硅膜层具有高度选择性蚀刻，蚀刻速率可控，蚀刻后无台阶出现；蚀刻液对接触层ILD膜及GI膜层无蚀刻；通过引入缓冲剂，对多晶硅基材及玻璃基板蚀刻速率效率小于最大程度上避免多晶硅及玻璃基材的过蚀刻，同时引入渗透剂，使药液快速润湿微孔，完全蚀刻二氧化硅层。
具体实施方式
下面将结合具体实施例对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
本实施例的一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，按质量分数计包括以下组分：
其中，缓释剂为全氟三丁铵。
渗透剂为渗透剂JFC系列。
氢氟酸的纯度等级为UP级。
氟化铵的纯度等级为UP级。
纯水的电阻为18MΩ·cm。
实施例2
本实施例的一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，按质量分数计包括以下组分：
其中，缓释剂为全氟辛基磺酸盐。
渗透剂为低泡渗透剂系列。
氢氟酸的纯度等级为UP级。
氟化铵的纯度等级为UP级。
纯水的电阻为18MΩ·cm。
实施例3
本实施例的一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，按质量分数计包括以下组分：
其中，缓释剂为二氟乙酸乙酯和2-(1,1,2,2-四氟乙氧基)氯苯的混合物。
渗透剂为快速渗透剂系列。
氢氟酸的纯度等级为EL级。
氟化铵的纯度等级为EL级。
纯水的电阻为18MΩ·cm。
实施例4
本实施例的一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，按质量分数计包括以下组分：
其中，缓释剂为1,1,2,2-四氟乙基乙基醚和1,1,2,2-四氟乙基-2,2,2-三氧乙基醚的混合物。
渗透剂为渗透剂OE-35。
氢氟酸的纯度等级为EL级。
氟化铵的纯度等级为EL级。
纯水的电阻为18MΩ·cm。
实施例5
本实施例的一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，按质量分数计包括以下组分：
其中，缓释剂为3-(1,1,2,2-四氟乙氧基)苯甲醛和1,1,2,2-四氟乙基-3-苯甲基醚的混合物。
渗透剂为渗透剂JFC系列。
氢氟酸的纯度等级为UP级。
氟化铵的纯度等级为UP级。
纯水的电阻为18MΩ·cm。
实施例6
本实施例的一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，按质量分数计包括以下组分：
其中，缓释剂为乙基-4-(1,1,2,2-四氟乙氧基)苯甲酸酯。
渗透剂为渗透剂OE-35。
氢氟酸的纯度等级为UP级。
氟化铵的纯度等级为UP级。
纯水的电阻为18MΩ·cm。
实验例
取实施例1-6和不添加缓蚀剂和渗透剂的氢氟酸和氟化铵缓冲组合对比例1-6(对比例1-6中氢氟酸和氟化铵的质量分数与实施例1-6一致，余量为纯水)，分别对多晶硅基材、玻璃基板和二氧化硅层进行蚀刻实验，实验结果见表1：
综上所述，本发明的一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，对制程中氧化硅膜层具有高度选择性蚀刻，蚀刻速率可控，蚀刻后无台阶出现；蚀刻液对接触层ILD膜及GI膜层无蚀刻；通过引入缓冲剂，对多晶硅基材及玻璃基板蚀刻速率效率小于最大程度上避免多晶硅及玻璃基材的过蚀刻，同时引入渗透剂，使药液快速润湿微孔，完全蚀刻二氧化硅层。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (7)

1.一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，其特征在于：按质量分数计包括以下组分：
2.如权利要求1所述的一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，其特征在于：所述缓释剂为碳氟类物质。
3.如权利要求2所述的一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，其特征在于：所述碳氟类物质包括全氟三丁铵，全氟辛基磺酸盐，二氟乙酸乙酯，2-(1,1,2,2-四氟乙氧基)氯苯，1,1,2,2-四氟乙基乙基醚，1,1,2,2-四氟乙基-2,2,2-三氧乙基醚，3-(1,1,2,2-四氟乙氧基)苯甲醛，1,1,2,2-四氟乙基-3-苯甲基醚，乙基-4-(1,1,2,2-四氟乙氧基)苯甲酸酯中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，其特征在于：所述渗透剂包括渗透剂JFC系列，低泡渗透剂系列，快速渗透剂系列或渗透剂OE-35。
5.如权利要求1所述的一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，其特征在于：所述氢氟酸的纯度等级为UP级或以上。
6.如权利要求1所述的一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，其特征在于：所述氟化铵的纯度等级为UP级或以上。
7.如权利要求1所述的一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液，其特征在于：所述纯水的电阻为18MΩ·cm。
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