JP4677890B2 - 埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法および埋め込み拡散エピタキシャルウエーハ - Google Patents
埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法および埋め込み拡散エピタキシャルウエーハ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4677890B2 JP4677890B2 JP2005343055A JP2005343055A JP4677890B2 JP 4677890 B2 JP4677890 B2 JP 4677890B2 JP 2005343055 A JP2005343055 A JP 2005343055A JP 2005343055 A JP2005343055 A JP 2005343055A JP 4677890 B2 JP4677890 B2 JP 4677890B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- buried diffusion
- epitaxial
- epitaxial wafer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 74
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 71
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 71
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 70
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 33
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 32
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 48
- -1 polyoxyethylene Polymers 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 5
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 5
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 2
- JNYAEWCLZODPBN-JGWLITMVSA-N (2r,3r,4s)-2-[(1r)-1,2-dihydroxyethyl]oxolane-3,4-diol Chemical compound OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O JNYAEWCLZODPBN-JGWLITMVSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-ol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#C NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZIIFPSPUDAGJM-UHFFFAOYSA-N 6-chloro-2-n,2-n-diethylpyrimidine-2,4-diamine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(N)=CC(Cl)=N1 XZIIFPSPUDAGJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001213 Polysorbate 20 Polymers 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N Sorbitan monostearate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N 0.000 description 1
- 239000004147 Sorbitan trioleate Substances 0.000 description 1
- PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N Sorbitan trioleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 239000000256 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Substances 0.000 description 1
- 235000010486 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001818 polyoxyethylene sorbitan monostearate Substances 0.000 description 1
- 235000010989 polyoxyethylene sorbitan monostearate Nutrition 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940035044 sorbitan monolaurate Drugs 0.000 description 1
- 239000001587 sorbitan monostearate Substances 0.000 description 1
- 235000011076 sorbitan monostearate Nutrition 0.000 description 1
- 229940035048 sorbitan monostearate Drugs 0.000 description 1
- 235000019337 sorbitan trioleate Nutrition 0.000 description 1
- 229960000391 sorbitan trioleate Drugs 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- PHYFQTYBJUILEZ-IUPFWZBJSA-N triolein Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OCC(OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)COC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC PHYFQTYBJUILEZ-IUPFWZBJSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/74—Making of localized buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections substrate contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02658—Pretreatments
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Weting (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
まず、シリコン単結晶ウエーハ上に例えば熱酸化により酸化膜を形成し、該酸化膜上にフォトリソグラフィによりマスクパターンを形成する。次に、イオン注入法によってウエーハに例えばn型不純物を注入し、注入した不純物を拡散させて拡散層を形成する。この注入した不純物を拡散させて拡散層を形成する時にウエーハにアニールを施すが、このアニールにより拡散層上にも酸化膜が形成される。
この後、上記拡散層を有するシリコンウエーハ上に、例えば気相成長法によりシリコンエピタキシャル層を形成する。これにより、上記拡散層は埋め込み層となる。
このようにして、埋め込み拡散層を有するシリコンエピタキシャルウエーハ(埋め込み拡散エピタキシャルウエーハ)を得ることができる。
このエピタキシャル層における結晶欠陥は、Sb注入後に結晶性回復のために熱処理(酸化)を行っても発生してしまい、結晶欠陥の発生を防止することができなかった。
このように、前記シリコンエピタキシャル層の表面において、光学顕微鏡により測定される結晶欠陥の密度が0個/mm2であれば、結晶欠陥が抑制された極めて高品質の埋め込み拡散エピタキシャルウエーハとすることができる。
従来の埋め込み拡散層を有するシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法では、拡散層上に積層したシリコンエピタキシャル層において、結晶欠陥が多数発生してしまう問題があった。
特に、シリコン単結晶ウエーハに注入する不純物をSbとし、例えば1.0×1016ions/cm2以上といった高ドーズ量とした時、上記結晶欠陥は非常に発生し易い。このエピタキシャル層における結晶欠陥は、Sb注入後にSb注入部での結晶性を回復させるための熱処理を施しても発生し、防止することができなかった。上記結晶欠陥はSbのドーズ量に依存することより、従来では、結晶欠陥の発生を抑制するために、ドーズ量を1.0×1016ions/cm2未満としており、それ以上のドーズ量の拡散層を有する高品質のエピタキシャルウエーハを得ることが出来なかった。
図1は本発明に従う埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの一例を示す概略図である。図1に示す本発明の埋め込み拡散エピタキシャルウエーハ1は、少なくとも、Sbが注入された埋め込み拡散層3’と、シリコンエピタキシャル層4とを有している。
前記埋め込み拡散層3’は、シリコン単結晶ウエーハ2にSbが注入され、注入されたSbが拡散されてできた層であり、しかも1.0×1016ions/cm2以上という高ドーズ量のものである。
従来のものでは、埋め込み拡散層のSbのドーズ量が、例えば1.0×1016ions/cm2以上という高い値の場合、シリコンエピタキシャル層において結晶欠陥が多数発生してしまっていたが、本発明の埋め込み拡散エピタキシャルウエーハ1においては、埋め込み拡散層3のSbが上記のような高ドーズ量であっても、シリコンエピタキシャル層4における結晶欠陥の発生が極めて抑制された高品質のものとなっている。
図2は、本発明に従う埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法を実施する場合の製造工程の一例を示した概略工程図である。
プリベイク後、不純物をシリコン単結晶ウエーハ2に注入するための開口部のパターンを形成するよう露光してマスク9のパターンを転写し(図2(D)参照)、焼き締めを行ったあと現像する(図2(E)参照)。
そして、従来では、このような結晶欠陥の発生を抑制する方法として、低ドーズ量、例えば不純物をSbとする場合は1.0×1016ions/cm2未満とするしかなかった。
これらの酸化膜5、8の除去工程では、上述したように、従来ではフッ酸によりエッチング除去していた。しかしながら、研究の結果、本発明者等は後の工程で積層するシリコンエピタキシャル層における結晶欠陥の発生は、これらの酸化膜5、8の除去条件が影響していることを発見した。そして、本発明の製造方法では、これらの酸化膜5、8を界面活性剤を添加したフッ酸によりエッチング除去するものであり、これによりエピタキシャル層に結晶欠陥の発生を抑制することができる。
界面活性剤としては、例えば陰イオン活性剤、陽イオン活性剤、ノニオン活性剤、両性表面活性剤等が挙げられる。
例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレインエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノール等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノバルミテート、ソルビタンモノステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノバルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルのノニオン系界面活性剤、エフトップEF301、EF303、EF352(トーケムプトダクツ)、メガファックF171、F172、F173(大日本インキ化学工業)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム)、アサヒガードAG710、サーフロンS−381、S―382、SC101、SC102,SC103、SC104、SC105、SC106、サーフィノールE1004、KH−10、KH−20、KH−30、KH−40(旭硝子)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマ−KP−341、X−70−092、X−70−093(信越化学工業)、アクリル酸系又はメタクリル酸系ポリフローNo.75,No.95(共栄社油脂化学工業)等であり、特に限定されない。
なお、この後、酸化膜除去とパーティクル等の除去をより確実にするため、例えばSC−1液(アンモニア+過酸化水素水)等によりウエーハを洗浄しても良い。
一般に行われる気相エピタキシャル法としては、HSiCl3等のシランガスを原料ガスとして、H2をキャリアガスとしてエピタキシャル成長装置内に導入し、800〜1300℃程度で反応させることにより、サセプタ上に保持したウエーハ表面にシリコンエピタキシャル層4を積層させる。
このようにシリコンエピタキシャル層4を積層することにより、上記拡散層3は埋め込み拡散層3’となり、本発明の埋め込み拡散エピタキシャルウエーハ1を製造することができる。
さらには、注入する不純物をSbとした場合、従来の製造方法では結晶欠陥の発生を抑制するには、1.0×1016ions/cm2未満にドーズ量を低くするしかなく高ドーズ量で高品質のものを得るのが難しかったが、本発明では1.0×1016ions/cm2以上という高いドーズ量であり、かつ結晶欠陥の発生を抑制することも可能であるので特に有効である。
(実施例1−4)
サンプルウエーハとして、直径6インチ(15cm)、結晶方位<100>、P型、抵抗率10Ω・cmの鏡面に研磨されたシリコン単結晶ウエーハを、チョクラルスキー法により引き上げたシリコン単結晶棒を加工することにより用意した。
このサンプルウエーハをCVD装置により表面に200Åの厚さの酸化膜を形成した。そして、この酸化膜に、以下のようにして、不純物を注入するための開口部のパターンを形成する。
まず、レジストをスピンコーティングにより塗布し、露光してマスクパターンを転写し、現像を行う。この後、パターン付レジスト膜をマスクとして上記酸化膜をフッ酸によりエッチング除去し、残存するレジストを剥離除去することにより、パターン付き酸化膜を得た。
そして、界面活性剤(商品名NCW−1002:成分ポリオキシアルキレンアルキルエーテル:ノニオン系)を0.5wt%で添加した希フッ酸(10wt%)により、上記酸化膜をエッチング除去した。さらにSC−1液によってサンプルウエーハを洗浄し、IPA蒸気乾燥した。
このように、本発明の製造方法であれば、シリコンエピタキシャル層における結晶欠陥を効果的に防止することができる。そして、実施例1−4のように、例えば不純物がSbであっても、1.0×1016ions/cm2以上という高いドーズ量の拡散層を有する無欠陥の埋め込み拡散エピタキシャルウエーハを得ることが可能である。
エピタキシャル成長前の酸化膜除去を、界面活性剤を添加せず、希フッ酸(10wt%)で行うこと以外は実施例1−4と同様にして埋め込み拡散エピタキシャルウエーハを製造し、その後、上記の結晶欠陥の測定を行った。なお、ドーズ量に関して、0.9×1016ions/cm2(比較例1)、1.0×1016ions/cm2(比較例2)、1.1×1016ions/cm2(比較例3)、1.2×1016ions/cm2(比較例4)とした。
3…拡散層、 3’…埋め込み拡散層、 4…シリコンエピタキシャル層、
5、8…酸化膜、 6…レジスト、 7…開口部、 9…マスク。
Claims (4)
- シリコン単結晶ウエーハに不純物を注入したあと拡散させて拡散層を形成し、少なくとも該拡散層上の酸化膜を除去した後、シリコンエピタキシャル層を積層して埋め込み拡散層を有するシリコンエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、少なくとも、前記拡散層上の酸化膜の除去を、界面活性剤を添加したフッ酸によりエッチング除去するものとし、その後に前記シリコンエピタキシャル層を積層することを特徴とする埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法。
- 前記シリコン単結晶ウエーハに注入する不純物をSbとすることを特徴とする請求項1に記載の埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法。
- 前記シリコン単結晶ウエーハに注入する不純物のドーズ量を1.0×1016ions/cm2以上とすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法。
- 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法により製造された埋め込み拡散エピタキシャルウエーハ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005343055A JP4677890B2 (ja) | 2005-11-29 | 2005-11-29 | 埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法および埋め込み拡散エピタキシャルウエーハ |
US11/604,345 US7799652B2 (en) | 2005-11-29 | 2006-11-27 | Method for producing epitaxial wafer with buried diffusion layer and epitaxial wafer with buried diffusion layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005343055A JP4677890B2 (ja) | 2005-11-29 | 2005-11-29 | 埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法および埋め込み拡散エピタキシャルウエーハ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007150001A JP2007150001A (ja) | 2007-06-14 |
JP4677890B2 true JP4677890B2 (ja) | 2011-04-27 |
Family
ID=38088063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005343055A Active JP4677890B2 (ja) | 2005-11-29 | 2005-11-29 | 埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法および埋め込み拡散エピタキシャルウエーハ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7799652B2 (ja) |
JP (1) | JP4677890B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8153019B2 (en) | 2007-08-06 | 2012-04-10 | Micron Technology, Inc. | Methods for substantially equalizing rates at which material is removed over an area of a structure or film that includes recesses or crevices |
JP5279301B2 (ja) * | 2008-03-05 | 2013-09-04 | ステラケミファ株式会社 | 微細加工処理剤、及び微細加工処理方法 |
JP5099024B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2012-12-12 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウエーハの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2013058644A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR102140789B1 (ko) * | 2014-02-17 | 2020-08-03 | 삼성전자주식회사 | 결정 품질 평가장치, 및 그것을 포함한 반도체 발광소자의 제조 장치 및 제조 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000100827A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Nec Corp | バイポーラトランジスタを有する半導体装置の製造方法 |
JP2002057108A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | Siウェーハの前処理方法及び半導体ウェーハ |
JP2003303826A (ja) * | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2004044091A1 (en) * | 2002-11-08 | 2004-05-27 | 3M Innovative Properties Company | Fluorinated surfactants for buffered acid etch solutions |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4517106A (en) * | 1984-04-26 | 1985-05-14 | Allied Corporation | Soluble surfactant additives for ammonium fluoride/hydrofluoric acid oxide etchant solutions |
JPH03242926A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-29 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH04314350A (ja) * | 1991-04-12 | 1992-11-05 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US5137838A (en) | 1991-06-05 | 1992-08-11 | National Semiconductor Corporation | Method of fabricating P-buried layers for PNP devices |
US5476800A (en) * | 1994-01-31 | 1995-12-19 | Burton; Gregory N. | Method for formation of a buried layer for a semiconductor device |
JPH0969578A (ja) * | 1995-08-31 | 1997-03-11 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
US20020050605A1 (en) * | 1996-08-26 | 2002-05-02 | J.S. Jason Jenq | Method to reduce contact distortion in devices having silicide contacts |
-
2005
- 2005-11-29 JP JP2005343055A patent/JP4677890B2/ja active Active
-
2006
- 2006-11-27 US US11/604,345 patent/US7799652B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000100827A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Nec Corp | バイポーラトランジスタを有する半導体装置の製造方法 |
JP2002057108A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | Siウェーハの前処理方法及び半導体ウェーハ |
JP2003303826A (ja) * | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2004044091A1 (en) * | 2002-11-08 | 2004-05-27 | 3M Innovative Properties Company | Fluorinated surfactants for buffered acid etch solutions |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007150001A (ja) | 2007-06-14 |
US20070122990A1 (en) | 2007-05-31 |
US7799652B2 (en) | 2010-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI636485B (zh) | 利用離子佈植於非晶碳膜中開發高蝕刻選擇性的硬光罩材料 | |
US20070020893A1 (en) | Low defect epitaxial semiconductor substrate having gettering function, image sensor using the same, and fabrication method thereof | |
JP4677890B2 (ja) | 埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法および埋め込み拡散エピタキシャルウエーハ | |
JP4817342B2 (ja) | Soiタイプのウェハの製造方法 | |
JP2003163216A (ja) | エピタキシャルシリコンウエハおよびその製造方法 | |
JP4419147B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
WO2001035452A1 (fr) | Plaquette epitaxiee de silicium et son procede de production | |
CN107146758B (zh) | 带有载流子俘获中心的衬底的制备方法 | |
JP3339477B2 (ja) | ステンシルマスク及びステンシルマスクの形成方法 | |
JP2004071973A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI831940B (zh) | 溝槽中薄膜沉積的方法 | |
TW478067B (en) | Semiconductor device and its manufacture method | |
TWI313035B (ja) | ||
JP2010135533A (ja) | 埋込拡散シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP5544805B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JPH0410544A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4978544B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP2008270592A (ja) | Soi基板の製造方法 | |
JP2005026644A (ja) | Soi基板と半導体基板及びその製造方法 | |
US7632735B2 (en) | Process for manufacturing silicon-on-insulator substrate | |
JP4826993B2 (ja) | p型シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | |
JP2000183068A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2943369B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JP2004014878A (ja) | 半導体基板の製造方法及び半導体装置 | |
JP2012094575A (ja) | 半導体基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080305 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101019 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110104 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4677890 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |