JPH0969578A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0969578A JPH0969578A JP7223369A JP22336995A JPH0969578A JP H0969578 A JPH0969578 A JP H0969578A JP 7223369 A JP7223369 A JP 7223369A JP 22336995 A JP22336995 A JP 22336995A JP H0969578 A JPH0969578 A JP H0969578A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＥＥＰＲＯＭのゲート酸化膜とトンネル酸化
膜の形成工程に於いて、フォトレジストやウェットエッ
チングの汚染を防止することと、フッ酸エッチングによ
るゲート酸化膜表面の荒れとウィークスポットへのダメ
ージを抑制することによって、ゲート酸化膜とトンネル
酸化膜の信頼性を向上させる。 【課題解決手段】 ゲート酸化膜１０２上に、液相成長
法で薄い酸化膜１０６を形成した後に、トンネル酸化膜
形成領域を、界面活性剤を添加した希フッ酸でエッチン
グして開口し、液相成長酸化膜を除去した後に、トンネ
ル酸化膜１０４を形成する。
膜の形成工程に於いて、フォトレジストやウェットエッ
チングの汚染を防止することと、フッ酸エッチングによ
るゲート酸化膜表面の荒れとウィークスポットへのダメ
ージを抑制することによって、ゲート酸化膜とトンネル
酸化膜の信頼性を向上させる。 【課題解決手段】 ゲート酸化膜１０２上に、液相成長
法で薄い酸化膜１０６を形成した後に、トンネル酸化膜
形成領域を、界面活性剤を添加した希フッ酸でエッチン
グして開口し、液相成長酸化膜を除去した後に、トンネ
ル酸化膜１０４を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路、特
にＥＥＰＲＯＭのゲート酸化膜とトンネル酸化膜形成方
法に関するものである。
にＥＥＰＲＯＭのゲート酸化膜とトンネル酸化膜形成方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌ
ｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂ
ｌｅ ＲＯＭ）で使用される、書き込み消去の電子注入
のためのトンネル酸化膜とゲート酸化膜は、通常図３に
示すように、シリコン基板１０１上に初めに形成したゲ
ート酸化膜１０２の一部に、フォトレジスト１０３の窓
を開口し、ゲート酸化膜の一部を希フッ酸又はバッファ
フッ酸でエッチングして、初めのゲート酸化膜の一部に
トンネル酸化膜を形成する窓を開口して、フォトレジス
トを除去した後、再び酸化を行って上記開口部にトンネ
ル酸化膜１０４を形成し、初めのゲート酸化膜にトンネ
ル酸化膜形成の酸化が加わった膜が最終のゲート酸化膜
となる。
ｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂ
ｌｅ ＲＯＭ）で使用される、書き込み消去の電子注入
のためのトンネル酸化膜とゲート酸化膜は、通常図３に
示すように、シリコン基板１０１上に初めに形成したゲ
ート酸化膜１０２の一部に、フォトレジスト１０３の窓
を開口し、ゲート酸化膜の一部を希フッ酸又はバッファ
フッ酸でエッチングして、初めのゲート酸化膜の一部に
トンネル酸化膜を形成する窓を開口して、フォトレジス
トを除去した後、再び酸化を行って上記開口部にトンネ
ル酸化膜１０４を形成し、初めのゲート酸化膜にトンネ
ル酸化膜形成の酸化が加わった膜が最終のゲート酸化膜
となる。
【０００３】この工程に於いては、開口部分のシリコン
露出面と、残りのゲート酸化膜の表面へのフォトレジス
トからの汚染や、ウエットエッチング時の汚染、ダメー
ジを抑制、除去することがＥＥＰＲＯＭに於けるゲート
酸化膜とトンネル酸化膜の信頼性向上のために不可欠で
ある。
露出面と、残りのゲート酸化膜の表面へのフォトレジス
トからの汚染や、ウエットエッチング時の汚染、ダメー
ジを抑制、除去することがＥＥＰＲＯＭに於けるゲート
酸化膜とトンネル酸化膜の信頼性向上のために不可欠で
ある。
【０００４】上記目的のための汚染除去方法として、図
２に示すように、開口部と、残りのゲート酸化膜上に、
一旦、犠牲酸化膜１０５を形成し、この犠牲酸化膜を希
フッ酸で除去した後に、トンネル酸化膜１０４を形成す
る方法（特開平１−３９７７６）が考案されている。こ
の方法では、ゲート酸化膜上の残留フォトレジスト成分
や、硫酸剥離の際に残留する硫酸イオン等が蒸発によっ
て除去され、開口部分のシリコン露出部に、主に希フッ
酸エッチング時に付着する金属不純物が犠牲酸化膜に取
り込まれ、後の希フッ酸エッチング時にリフトオフされ
て除去される。
２に示すように、開口部と、残りのゲート酸化膜上に、
一旦、犠牲酸化膜１０５を形成し、この犠牲酸化膜を希
フッ酸で除去した後に、トンネル酸化膜１０４を形成す
る方法（特開平１−３９７７６）が考案されている。こ
の方法では、ゲート酸化膜上の残留フォトレジスト成分
や、硫酸剥離の際に残留する硫酸イオン等が蒸発によっ
て除去され、開口部分のシリコン露出部に、主に希フッ
酸エッチング時に付着する金属不純物が犠牲酸化膜に取
り込まれ、後の希フッ酸エッチング時にリフトオフされ
て除去される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＥＥＰＲＯＭ製造工程
に於いて、トンネル酸化膜領域の開口時に生じる、ゲー
ト酸化膜表面と、開口部のシリコン露出部の汚染を除去
するために、犠牲酸化を行い、犠牲酸化膜を希フッ酸で
除去する、上記の従来の汚染除去方法には、以下の問題
点がある。
に於いて、トンネル酸化膜領域の開口時に生じる、ゲー
ト酸化膜表面と、開口部のシリコン露出部の汚染を除去
するために、犠牲酸化を行い、犠牲酸化膜を希フッ酸で
除去する、上記の従来の汚染除去方法には、以下の問題
点がある。
【０００６】従来の方法では、犠牲酸化膜を希フッ酸で
エッチングする際に、犠牲酸化膜厚や、エッチングレー
トのばらつきを考慮して、オーバーエッチングが必要で
あり、もとのゲート酸化膜がいくらかエッチングされ
る。ゲート酸化膜中や表面には、基板シリコン表面の欠
陥や汚染に起因するウィークスポットとよばれる欠陥が
存在するが、このウィークスポット部分は希フッ酸でエ
ッチングが進みやすいので、オーバーエッチングを行う
際に、ウィークスポットが選択的にエッチングされるこ
とで、ゲート酸化膜表面のマイクロラフネスの増加や、
ゲート酸化膜内部へのエッチング進行によるダメージが
生じる。このようなゲート酸化膜に、再びトンネル酸化
膜形成の酸化を行い、最終のゲート酸化膜にした場合、
初期耐圧の劣化は殆んど生じないが、定電流ＴＤＤＢ試
験で明らかにされるように、電流ストレスによって長期
的な信頼性の劣化がさけられない。
エッチングする際に、犠牲酸化膜厚や、エッチングレー
トのばらつきを考慮して、オーバーエッチングが必要で
あり、もとのゲート酸化膜がいくらかエッチングされ
る。ゲート酸化膜中や表面には、基板シリコン表面の欠
陥や汚染に起因するウィークスポットとよばれる欠陥が
存在するが、このウィークスポット部分は希フッ酸でエ
ッチングが進みやすいので、オーバーエッチングを行う
際に、ウィークスポットが選択的にエッチングされるこ
とで、ゲート酸化膜表面のマイクロラフネスの増加や、
ゲート酸化膜内部へのエッチング進行によるダメージが
生じる。このようなゲート酸化膜に、再びトンネル酸化
膜形成の酸化を行い、最終のゲート酸化膜にした場合、
初期耐圧の劣化は殆んど生じないが、定電流ＴＤＤＢ試
験で明らかにされるように、電流ストレスによって長期
的な信頼性の劣化がさけられない。
【０００７】本発明の目的は、ＥＥＰＲＯＭのゲート酸
化膜とトンネル酸化膜の形成工程に於いて、フォトレジ
ストや、ウェットエッチングの汚染を防止することと、
フッ酸エッチングによるゲート酸化膜表面の荒れと、ウ
ィークスポットへのダメージを抑制することによって、
ゲート酸化膜とトンネル酸化膜の信頼性を向上させるこ
とである。
化膜とトンネル酸化膜の形成工程に於いて、フォトレジ
ストや、ウェットエッチングの汚染を防止することと、
フッ酸エッチングによるゲート酸化膜表面の荒れと、ウ
ィークスポットへのダメージを抑制することによって、
ゲート酸化膜とトンネル酸化膜の信頼性を向上させるこ
とである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めの本発明の方法は、図１に示すように、シリコン基板
１０１上に形成したゲート酸化膜１０２上に、液相成長
法で薄い酸化膜１０６を形成し、上記２層の酸化膜上に
フォトレジスト１０３を塗布し、フォトリソグラフィー
によってフォトレジストの一部に窓を開口し、界面活性
剤を添加した希フッ酸又はバッファフッ酸で上記２層の
酸化膜をエッチングして酸化膜の一部を開口し、フォト
レジストを硫酸剥離で除去し、液相成長法で形成したゲ
ート酸化膜上の酸化膜を、界面活性剤を添加した希フッ
酸又はバッファフッ酸でエッチングして除去した後に、
新たに酸化を行って、ゲート酸化膜の開口部にトンネル
酸化膜１０４を形成するものである。
めの本発明の方法は、図１に示すように、シリコン基板
１０１上に形成したゲート酸化膜１０２上に、液相成長
法で薄い酸化膜１０６を形成し、上記２層の酸化膜上に
フォトレジスト１０３を塗布し、フォトリソグラフィー
によってフォトレジストの一部に窓を開口し、界面活性
剤を添加した希フッ酸又はバッファフッ酸で上記２層の
酸化膜をエッチングして酸化膜の一部を開口し、フォト
レジストを硫酸剥離で除去し、液相成長法で形成したゲ
ート酸化膜上の酸化膜を、界面活性剤を添加した希フッ
酸又はバッファフッ酸でエッチングして除去した後に、
新たに酸化を行って、ゲート酸化膜の開口部にトンネル
酸化膜１０４を形成するものである。
【０００９】本発明のＥＥＰＲＯＭのゲート酸化膜とト
ンネル酸化膜の形成方法では、最初に形成したゲート酸
化膜上に液相成長法で形成した酸化膜が保護層となっ
て、最初のゲート酸化膜が、フォトレジストに直接さら
されることがないので、最初のゲート酸化膜表面への、
トンネル酸化膜領域開口時のレジストからの汚染が抑制
される。
ンネル酸化膜の形成方法では、最初に形成したゲート酸
化膜上に液相成長法で形成した酸化膜が保護層となっ
て、最初のゲート酸化膜が、フォトレジストに直接さら
されることがないので、最初のゲート酸化膜表面への、
トンネル酸化膜領域開口時のレジストからの汚染が抑制
される。
【００１０】次に、フォトリソグラフィー工程で、上記
２層の酸化膜上のフォトレジストに窓を形成し、上記２
層の酸化膜を界面活性剤を添加した希フッ酸又はバッフ
ァフッ酸でエッチングすることにより、窓の底に露出す
るシリコン表面への金属不純物付着が抑制されるので、
露出するシリコン表面部分の犠牲酸化による汚染除去工
程が不要になる。
２層の酸化膜上のフォトレジストに窓を形成し、上記２
層の酸化膜を界面活性剤を添加した希フッ酸又はバッフ
ァフッ酸でエッチングすることにより、窓の底に露出す
るシリコン表面への金属不純物付着が抑制されるので、
露出するシリコン表面部分の犠牲酸化による汚染除去工
程が不要になる。
【００１１】次に、上記２層の酸化膜上のフォトレジス
トを硫酸剥離で除去する際に、液相成長法で形成した上
層の酸化膜が保護膜となって、最初のゲート酸化膜が硫
酸に直接さらされることがないので、最初のゲート酸化
膜表面への硫酸イオンによる汚染が抑制される。
トを硫酸剥離で除去する際に、液相成長法で形成した上
層の酸化膜が保護膜となって、最初のゲート酸化膜が硫
酸に直接さらされることがないので、最初のゲート酸化
膜表面への硫酸イオンによる汚染が抑制される。
【００１２】また、液相中で形成する上層の酸化膜は、
熱酸化で形成する下層の最初のゲート酸化膜に比べ、希
フッ酸やバッファフッ酸に対するエッチングレートが１
０倍以上であるので、界面活性剤を添加した希フッ酸又
はバッファフッ酸で上層の酸化膜をエッチングして除去
する際のオーバーエッチングによる最初のゲート酸化膜
のエッチング量を従来の１／１０以下に抑えることが容
易になり、最初のゲート酸化層表面のラフネスとウィー
クスポットへのダメージが抑制される。
熱酸化で形成する下層の最初のゲート酸化膜に比べ、希
フッ酸やバッファフッ酸に対するエッチングレートが１
０倍以上であるので、界面活性剤を添加した希フッ酸又
はバッファフッ酸で上層の酸化膜をエッチングして除去
する際のオーバーエッチングによる最初のゲート酸化膜
のエッチング量を従来の１／１０以下に抑えることが容
易になり、最初のゲート酸化層表面のラフネスとウィー
クスポットへのダメージが抑制される。
【００１３】尚、硫酸剥離時に生じたシリコン露出面の
汚染も、上層酸化膜のエッチングの際に、希フッ酸又は
バッファフッ酸に添加される界面活性剤の作用によって
除去される。
汚染も、上層酸化膜のエッチングの際に、希フッ酸又は
バッファフッ酸に添加される界面活性剤の作用によって
除去される。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、膜厚が、
それぞれ、１５０Å、７０Åのゲート酸化膜とトンネル
酸化膜の形成工程を例に説明する。これらの膜厚のゲー
ト酸化膜とトンネル酸化膜は、主に０．６〜０．８μｍ
程度のデザインルールのＥＥＰＲＯＭで使用される。
それぞれ、１５０Å、７０Åのゲート酸化膜とトンネル
酸化膜の形成工程を例に説明する。これらの膜厚のゲー
ト酸化膜とトンネル酸化膜は、主に０．６〜０．８μｍ
程度のデザインルールのＥＥＰＲＯＭで使用される。
【００１５】ゲート酸化膜形成領域を、９５０℃、５％
ＨＣｌ添加酸化を用いて、１４０Å酸化して、初期ゲー
ト酸化膜１０２を形成する。次に、この初期ゲート酸化
膜１０２上に、２ｍｏｌ／ｌに純水で希釈したＨ2Ｓｉ
Ｆ6溶液中で、液相成長酸化膜１０６を５０Å成長させ
る。Ｈ2ＳｉＦ6溶液中では、 Ｈ2ＳｉＦ6＋６Ｈ2Ｏ＋Ｑ（熱）⇔ＳｉＯ2＋６ＨＦ の化学反応によって熱酸化膜１０２の約１０倍の希フッ
酸エッチングレートを持つ酸化膜が形成される。次に、
上記２層の酸化膜１０２、１０６上にフォトレジスト１
０３を塗布し、フォトリソグラフィー工程で、フォトレ
ジスト１０３に窓を開口し、界面活性剤を添加した０．
５％希フッ酸で５分間エッチングして、酸化膜１０２、
１０６にトンネル酸化膜形成のための領域を開口する。
希フッ酸に添加する界面活性剤としては、（１）非イオ
ンフッ素系界面活性剤、（２）アニオン、フッ素系界面
活性剤や、（３）脂肪族カルボン酸、その塩、アミン、
アルコール混合界面活性剤があげられる。最適の添加量
は３００〜５００ｐｐｍである。
ＨＣｌ添加酸化を用いて、１４０Å酸化して、初期ゲー
ト酸化膜１０２を形成する。次に、この初期ゲート酸化
膜１０２上に、２ｍｏｌ／ｌに純水で希釈したＨ2Ｓｉ
Ｆ6溶液中で、液相成長酸化膜１０６を５０Å成長させ
る。Ｈ2ＳｉＦ6溶液中では、 Ｈ2ＳｉＦ6＋６Ｈ2Ｏ＋Ｑ（熱）⇔ＳｉＯ2＋６ＨＦ の化学反応によって熱酸化膜１０２の約１０倍の希フッ
酸エッチングレートを持つ酸化膜が形成される。次に、
上記２層の酸化膜１０２、１０６上にフォトレジスト１
０３を塗布し、フォトリソグラフィー工程で、フォトレ
ジスト１０３に窓を開口し、界面活性剤を添加した０．
５％希フッ酸で５分間エッチングして、酸化膜１０２、
１０６にトンネル酸化膜形成のための領域を開口する。
希フッ酸に添加する界面活性剤としては、（１）非イオ
ンフッ素系界面活性剤、（２）アニオン、フッ素系界面
活性剤や、（３）脂肪族カルボン酸、その塩、アミン、
アルコール混合界面活性剤があげられる。最適の添加量
は３００〜５００ｐｐｍである。
【００１６】次に、硫酸剥離でフォトレジスト１０３を
除去し、界面活性剤を添加した０．５％希フッ酸で１５
秒エッチングを行い、上層の液相成長させた酸化膜１０
６を除去する。熱酸化した初期ゲート酸化膜１０２の上
記希フッ酸のエッチングレートは０．５Å／秒、液相成
長させた酸化膜１０６のエッチングレートは５Å／秒で
あるので、上層の酸化膜１０６を５０％オーバーエッチ
ングして、下層の初期ゲート酸化膜１０２のエッチング
量は３Å以下である。（従来の犠牲酸化膜の場合には３
０Å以上がエッチングされる） 最後に、９５０℃、５％ＨＣｌ添加酸化を再び行って、
ゲート酸化膜形成領域に、７０Åのトンネル酸化膜１０
４を形成する。初期ゲート酸化膜部分には、上記希フッ
酸でのエッチング量と、再酸化の際の増加量が加わり、
最終的に１５０Åのゲート酸化膜が形成される。
除去し、界面活性剤を添加した０．５％希フッ酸で１５
秒エッチングを行い、上層の液相成長させた酸化膜１０
６を除去する。熱酸化した初期ゲート酸化膜１０２の上
記希フッ酸のエッチングレートは０．５Å／秒、液相成
長させた酸化膜１０６のエッチングレートは５Å／秒で
あるので、上層の酸化膜１０６を５０％オーバーエッチ
ングして、下層の初期ゲート酸化膜１０２のエッチング
量は３Å以下である。（従来の犠牲酸化膜の場合には３
０Å以上がエッチングされる） 最後に、９５０℃、５％ＨＣｌ添加酸化を再び行って、
ゲート酸化膜形成領域に、７０Åのトンネル酸化膜１０
４を形成する。初期ゲート酸化膜部分には、上記希フッ
酸でのエッチング量と、再酸化の際の増加量が加わり、
最終的に１５０Åのゲート酸化膜が形成される。
【００１７】図４に、ＥＥＰＲＯＭセルの構造図を示
す。１０７はフローティングゲート、１０８は制御ゲー
ト、１０９及び１１０はソース、ドレインである。
す。１０７はフローティングゲート、１０８は制御ゲー
ト、１０９及び１１０はソース、ドレインである。
【００１８】
【発明の効果】本発明のＥＥＰＲＯＭのゲート酸化膜と
トンネル酸化膜の形成方法によって、初めに形成される
ゲート酸化膜と、トンネル酸化膜形成領域のシリコン露
出面へのフォトレジストからの汚染と、フッ酸中の不純
物金属付着が抑制され、さらに、初めに形成されるゲー
ト酸化膜へのフッ酸エッチング時のダメージ、例えば表
面荒れや、ウィークスポットのエッチングが低減され、
ゲート酸化膜とトンネル酸化膜の信頼性を向上させるこ
とが可能になる。
トンネル酸化膜の形成方法によって、初めに形成される
ゲート酸化膜と、トンネル酸化膜形成領域のシリコン露
出面へのフォトレジストからの汚染と、フッ酸中の不純
物金属付着が抑制され、さらに、初めに形成されるゲー
ト酸化膜へのフッ酸エッチング時のダメージ、例えば表
面荒れや、ウィークスポットのエッチングが低減され、
ゲート酸化膜とトンネル酸化膜の信頼性を向上させるこ
とが可能になる。
【００１９】尚、本発明のゲート酸化膜とトンネル酸化
膜の形成方法は、ＥＥＰＲＯＭの場合に限らず、初めに
形成した酸化膜の一部を開口し、開口部に引続いて第２
の酸化膜を形成するプロセスに於いても同様の効果を有
するものである。
膜の形成方法は、ＥＥＰＲＯＭの場合に限らず、初めに
形成した酸化膜の一部を開口し、開口部に引続いて第２
の酸化膜を形成するプロセスに於いても同様の効果を有
するものである。
【図１】本発明のゲート酸化膜とトンネル酸化膜の形成
プロセスを示す製造工程図である。
プロセスを示す製造工程図である。
【図２】従来の方法によるゲート酸化膜とトンネル酸化
膜の形成プロセスを示す製造工程図である。
膜の形成プロセスを示す製造工程図である。
【図３】従来の方法によるゲート酸化膜とトンネル酸化
膜の形成プロセスを示す製造工程図である。
膜の形成プロセスを示す製造工程図である。
【図４】ＥＥＰＲＯＭセルの構造図である。
１０１ シリコン基板 １０２ 初期ゲート酸化膜 １０３ フォトレジスト １０４ トンネル酸化膜 １０６ 液相成長酸化膜
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン基板上に形成したゲート酸化膜
上に、液相成長法で薄い酸化膜を形成する工程と、上記
２層の酸化膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソ
グラフィーによってフォトレジストの一部に窓を開口
し、界面活性剤を添加した希フッ酸又はバッファフッ酸
で上記２層の酸化膜をエッチングして酸化膜の一部を開
口する工程と、フォトレジストを硫酸剥離で除去し、液
相成長法で形成した酸化膜を、界面活性剤を添加したフ
ッ酸又はバッファフッ酸でエッチングして除去した後
に、新たにトンネル酸化膜を形成する工程とを有するこ
とを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 シリコン基板上に形成したゲート酸化膜
上に、該ゲート酸化膜よりエッチングレートの大きい薄
い酸化膜を形成する工程と、上記２層の酸化膜上にフォ
トレジストを塗布し、フォトリソグラフィーによってフ
ォトレジストの一部に窓を開口し、界面活性剤を添加し
た希フッ酸又はバッファフッ酸で上記２層の酸化膜をエ
ッチングして酸化膜の一部を開口する工程と、フォトレ
ジストを硫酸剥離で除去し、上記薄い酸化膜を、界面活
性剤を添加したフッ酸又は、バッファフッ酸でエッチン
グして除去した後に、新たにトンネル酸化膜を形成する
工程とを有することを特徴とする、半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7223369A JPH0969578A (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7223369A JPH0969578A (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0969578A true JPH0969578A (ja) | 1997-03-11 |
Family
ID=16797069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7223369A Pending JPH0969578A (ja) | 1995-08-31 | 1995-08-31 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0969578A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6680257B2 (en) * | 2001-07-30 | 2004-01-20 | Eon Silicon Devices, Inc. | Alternative related to SAS in flash EEPROM |
| JP2007150001A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法および埋め込み拡散エピタキシャルウエーハ |
| JP2014057039A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Fujifilm Corp | 半導体基板製品の製造方法及びエッチング液 |
-
1995
- 1995-08-31 JP JP7223369A patent/JPH0969578A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6680257B2 (en) * | 2001-07-30 | 2004-01-20 | Eon Silicon Devices, Inc. | Alternative related to SAS in flash EEPROM |
| JP2007150001A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 埋め込み拡散エピタキシャルウエーハの製造方法および埋め込み拡散エピタキシャルウエーハ |
| JP2014057039A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-03-27 | Fujifilm Corp | 半導体基板製品の製造方法及びエッチング液 |
| TWI625382B (zh) * | 2012-08-10 | 2018-06-01 | 富士軟片股份有限公司 | 半導體基板產品的製造方法、蝕刻液的用途及半導體元件的製造方法 |
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