JP2011029619A - 半導体基板の再生処理方法及びsoi基板の作製方法 - Google Patents
半導体基板の再生処理方法及びsoi基板の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011029619A JP2011029619A JP2010142496A JP2010142496A JP2011029619A JP 2011029619 A JP2011029619 A JP 2011029619A JP 2010142496 A JP2010142496 A JP 2010142496A JP 2010142496 A JP2010142496 A JP 2010142496A JP 2011029619 A JP2011029619 A JP 2011029619A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor substrate
- substrate
- insulating film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 512
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 437
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 178
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 title abstract description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 24
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 100
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 93
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 75
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 69
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 68
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 64
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 27
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 25
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 claims description 16
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 claims description 16
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000032798 delamination Effects 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 263
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 119
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 40
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 35
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 27
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 25
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 24
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 23
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 22
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 21
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 13
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 6
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 6
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 5
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 4
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 4
- 241000894007 species Species 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000862969 Stella Species 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- MXSJNBRAMXILSE-UHFFFAOYSA-N [Si].[P].[B] Chemical compound [Si].[P].[B] MXSJNBRAMXILSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- GPTXWRGISTZRIO-UHFFFAOYSA-N chlorquinaldol Chemical compound ClC1=CC(Cl)=C(O)C2=NC(C)=CC=C21 GPTXWRGISTZRIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 description 1
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02032—Preparing bulk and homogeneous wafers by reclaiming or re-processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1203—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body the substrate comprising an insulating body on a semiconductor body, e.g. SOI
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体を酸化する酸化剤として機能する物質と、半導体の酸化物を溶解する物質と、半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質と、を含む混合溶液を用いて、分離後の半導体基板の周辺部に残存した脆化層及び半導体層を選択的に除去することを特徴とする半導体基板の再生処理方法である。なお、イオン注入装置により水素ガスから生成される、H+イオンを注入することにより半導体基板に形成する脆化層を用いて、半導体基板から半導体膜を分離する。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、SOI基板を製造する際に副生される、分離後の半導体基板の再生処理方法について、図1を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1とは異なる、分離後の半導体基板の再生処理方法について、図2を用いて説明する。
本実施の形態に係るSOI基板の製造方法は、ボンド基板である半導体基板をベース基板に接合して、半導体基板から分離させた半導体膜が形成されたSOI基板を製造する。そして、半導体膜が分離された分離後の半導体基板に再生処理を施して、ボンド基板として再利用する。以下、図3〜図5と図6のSOI基板作製工程図を参照して、開示する発明の一態様に係るSOI基板の製造方法の一つについて説明する。
O2+hν(λ1nm)→O(3P)+O(3P) (1)
O(3P)+O2→O3 (2)
O3+hν(λ2nm)→O(1D)+O2 (3)
O2+hν(λ3nm)→O(1D)+O(3P) (4)
O(3P)+O2→O3 (5)
O3+hν(λ3nm)→O(1D)+O2 (6)
ベース基板120としては、シリコンウエハやゲルマニウムウエハなどの半導体ウエハ、ガリウムヒ素やインジウムリンなどの化合物半導体ウエハを適用する。ベース基板120も単結晶半導体ウエハを適用するのが好ましいが、多結晶半導体ウエハを適用してもよい。結晶格子に歪みを有するシリコン、シリコンに対しゲルマニウムが添加されたシリコンゲルマニウムなどの半導体ウエハを用いていても良い。歪みを有するシリコンは、シリコンよりも格子定数の大きいシリコンゲルマニウムまたは窒化珪素上における成膜により、形成することができる。また、ベース基板として耐熱温度が高い石英基板を用いてもよい。本実施の形態では、ベース基板120としてシリコンウエハを用いる。
104 脆化層
120 ベース基板
121 分離後の半導体基板
122 絶縁膜
123 絶縁膜
124 半導体膜
125 半導体層
126 凸部
127 脆化層
129 分離面
130 分離後の半導体基板
132 再生半導体基板
133 分離面
251 素子領域
252 素子領域
254 絶縁膜
255 ゲート電極
256 ゲート電極
257 低濃度不純物領域
258 チャネル形成領域
259 高濃度不純物領域
260 チャネル形成領域
261 サイドウォール絶縁膜
262 サイドウォール絶縁膜
267 高濃度不純物領域
268 絶縁膜
269 層間絶縁膜
270 配線
280 トランジスタ
281 トランジスタ
283 素子分離層
Claims (10)
- 水素イオン注入剥離法を用いてH+イオンがイオン注入された半導体基板をベース基板に貼り合わせ、前記半導体基板から分離された半導体膜を前記ベース基板に形成する際に副生される分離後の半導体基板を再生処理する方法であって、
前記分離後の半導体基板の周辺部には、残存した脆化層、半導体層及び絶縁膜が形成されており、
第1のエッチング処理で前記絶縁膜を除去し、
半導体を酸化する酸化剤として機能する物質と、半導体の酸化物を溶解する物質と、半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質と、を含む混合溶液をエッチャントとする、第2のエッチング処理で前記脆化層及び前記半導体層を除去する半導体基板の再生処理方法。 - 水素イオン注入剥離法を用いてH+イオンがイオン注入された半導体基板をベース基板に貼り合わせ、前記半導体基板から分離された半導体膜を前記ベース基板に形成する際に副生される分離後の半導体基板を再生処理する方法であって、
前記分離後の半導体基板の周辺部には、残存した脆化層、半導体層及び絶縁膜が形成されており、
第1のエッチング処理で前記絶縁膜を除去し、
半導体を酸化する酸化剤として機能する物質と、半導体の酸化物を溶解する物質と、半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質と、を含む混合溶液をエッチャントとする、第2のエッチング処理で前記脆化層及び前記半導体層を除去する半導体基板の再生処理方法。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第2のエッチング処理の後に、前記半導体基板表面を研磨する半導体基板の再生処理方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記半導体を酸化する酸化剤として機能する物質として硝酸を用い、
前記半導体の酸化物を溶解する物質としてフッ酸を用い、
前記半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質として酢酸を用いる半導体基板の再生処理方法。 - 請求項4において、
前記混合溶液は、
前記フッ酸の濃度は50重量%とし、
前記硝酸の濃度は70重量%とし、
前記酢酸の濃度は97.7重量%とし、
前記フッ酸の体積は、前記酢酸の体積の0.01倍より大きく、0.3倍未満とし、
前記硝酸の体積は、前記酢酸の体積の0.01倍より大きく、1倍未満とし、かつ前記フッ酸の体積の0.1倍より大きく、100倍未満とすることで得られる組成を有する半導体基板の再生処理方法。 - 請求項5において、
前記フッ酸と前記硝酸と前記酢酸の体積比を1:3:10とする半導体基板の再生処理方法。 - 半導体基板上に絶縁膜を形成し、
前記半導体基板の表面から水素イオン注入剥離法を用いてH+イオンをイオン注入することによって脆化層を形成し、
前記半導体基板を、前記絶縁膜を介してベース基板と貼り合わせ、
前記脆化層において前記半導体基板を、前記ベース基板上に前記絶縁膜を介して貼り合わせられた半導体膜と、分離後の半導体基板と、に分離することを特徴とするSOI基板の作製方法であって、
前記分離後の半導体基板の周辺部には、残存した脆化層、半導体層及び絶縁膜が形成されており、
第1のエッチング処理で前記絶縁膜を除去し、
半導体を酸化する酸化剤として機能する物質と、半導体の酸化物を溶解する物質と、半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質と、を含む混合溶液をエッチャントとし、第2のエッチング処理で前記脆化層及び前記半導体層を除去し、
前記分離後の半導体基板に研磨を行って第2の半導体基板を形成し、
前記第2の半導体基板を再び前記半導体基板として用いるSOI基板の作製方法。 - 請求項7において、
前記半導体を酸化する酸化剤として機能する物質として硝酸を用い、
前記半導体の酸化物を溶解する物質としてフッ酸を用い、
前記半導体の酸化及び半導体の酸化物の溶解の減速剤として機能する物質として酢酸を用いるSOI基板の作製方法。 - 請求項8において、
前記混合溶液は、
前記フッ酸の濃度は50重量%とし、
前記硝酸の濃度は70重量%とし、
前記酢酸の濃度は97.7重量%とし、
前記フッ酸の体積は、前記酢酸の体積の0.01倍より大きく、0.3倍未満とし、
前記硝酸の体積は、前記酢酸の体積の0.01倍より大きく、1倍未満とし、かつ前記フッ酸の体積の0.1倍より大きく、100倍未満とすることで得られる組成を有するSOI基板の作製方法。 - 請求項9において、
前記フッ酸と前記硝酸と前記酢酸の体積比を1:3:10とするSOI基板の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010142496A JP2011029619A (ja) | 2009-06-24 | 2010-06-23 | 半導体基板の再生処理方法及びsoi基板の作製方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009149412 | 2009-06-24 | ||
JP2010142496A JP2011029619A (ja) | 2009-06-24 | 2010-06-23 | 半導体基板の再生処理方法及びsoi基板の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011029619A true JP2011029619A (ja) | 2011-02-10 |
JP2011029619A5 JP2011029619A5 (ja) | 2013-05-09 |
Family
ID=43381207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010142496A Withdrawn JP2011029619A (ja) | 2009-06-24 | 2010-06-23 | 半導体基板の再生処理方法及びsoi基板の作製方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8404563B2 (ja) |
JP (1) | JP2011029619A (ja) |
KR (1) | KR20120032487A (ja) |
CN (1) | CN102460642A (ja) |
SG (1) | SG176602A1 (ja) |
TW (1) | TWI524409B (ja) |
WO (1) | WO2010150671A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012195579A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-10-11 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、電界効果トランジスタ、半導体基板の製造方法および電界効果トランジスタの製造方法 |
JP2013030764A (ja) * | 2011-06-21 | 2013-02-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体基板の再生方法、再生半導体基板の作製方法、及びsoi基板の作製方法 |
JP2013128047A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体基板の再生方法、再生半導体基板の作製方法、及びsoi基板の作製方法 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8318588B2 (en) | 2009-08-25 | 2012-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for reprocessing semiconductor substrate, method for manufacturing reprocessed semiconductor substrate, and method for manufacturing SOI substrate |
WO2011043178A1 (en) | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Reprocessing method of semiconductor substrate, manufacturing method of reprocessed semiconductor substrate, and manufacturing method of soi substrate |
CN102543675B (zh) * | 2010-12-31 | 2014-11-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 玻璃衬底的处理方法 |
FR2980916B1 (fr) * | 2011-10-03 | 2014-03-28 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure de type silicium sur isolant |
KR102091687B1 (ko) | 2012-07-05 | 2020-03-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 발광 장치의 제작 방법 |
KR102173801B1 (ko) | 2012-07-12 | 2020-11-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 및 표시 장치의 제작 방법 |
US9308616B2 (en) | 2013-01-21 | 2016-04-12 | Innovative Finishes LLC | Refurbished component, electronic device including the same, and method of refurbishing a component of an electronic device |
WO2014186096A1 (en) * | 2013-05-17 | 2014-11-20 | Innovative Finishes LLC | Refurbishing a component of an electronic device |
JP6200273B2 (ja) * | 2013-10-17 | 2017-09-20 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
DE102015000450A1 (de) * | 2015-01-15 | 2016-07-21 | Siltectra Gmbh | Abtrennvorrichtung zum spanfreien Abtrennen von Wafern von Spendersubstraten |
CN107403778A (zh) * | 2016-05-19 | 2017-11-28 | 胡川 | 半导体基板及半导体板制作方法 |
WO2018011731A1 (en) * | 2016-07-12 | 2018-01-18 | QMAT, Inc. | Method of a donor substrate undergoing reclamation |
US20180033609A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | QMAT, Inc. | Removal of non-cleaved/non-transferred material from donor substrate |
NL2017198B1 (en) * | 2016-07-20 | 2018-01-26 | Jiaco Instr Holding B V | Decapsulation of electronic devices |
FR3077924B1 (fr) | 2018-02-13 | 2020-01-17 | Soitec | Structure demontable et procede de demontage utilisant ladite structure |
US10686037B2 (en) | 2018-07-19 | 2020-06-16 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Semiconductor structure with insulating substrate and fabricating method thereof |
TWI692874B (zh) * | 2018-09-17 | 2020-05-01 | 世界先進積體電路股份有限公司 | 半導體結構以及製造方法 |
CN113192823B (zh) * | 2021-04-27 | 2022-06-21 | 麦斯克电子材料股份有限公司 | 一种soi键合工艺后衬底片的再生加工方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4936792B1 (ja) * | 1970-10-15 | 1974-10-03 | ||
JPS60249332A (ja) * | 1984-04-26 | 1985-12-10 | エッチエムシー・パテンツ・ホールディング・カンパニー・インコーポレーテッド | 二酸化ケイ素エッチング液およびその製法 |
US5843322A (en) * | 1996-12-23 | 1998-12-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for etching N, P, N+ and P+ type slugs and wafers |
JP2001085648A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-03-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウエーハの製造方法および貼り合わせウエーハ |
JP2001155978A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 剥離ウエーハの再生処理方法及び再生処理された剥離ウエーハ |
JP2004087606A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Sharp Corp | Soi基板およびそれを用いる表示装置ならびにsoi基板の製造方法 |
JP2008131052A (ja) * | 2006-11-23 | 2008-06-05 | Soitec Silicon On Insulator Technologies | Si基板およびSiGe基板用のクロムを含まないエッチング液、そのエッチング液を使用して欠陥を明らかにする方法、およびそのエッチング液を使用してSi基板およびSiGe基板を処理するプロセス |
JP2009272471A (ja) * | 2008-05-08 | 2009-11-19 | Sumco Corp | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
Family Cites Families (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6286709A (ja) | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
CA2069038C (en) * | 1991-05-22 | 1997-08-12 | Kiyofumi Sakaguchi | Method for preparing semiconductor member |
US5494849A (en) * | 1995-03-23 | 1996-02-27 | Si Bond L.L.C. | Single-etch stop process for the manufacture of silicon-on-insulator substrates |
JPH10284431A (ja) | 1997-04-11 | 1998-10-23 | Sharp Corp | Soi基板の製造方法 |
US5985742A (en) | 1997-05-12 | 1999-11-16 | Silicon Genesis Corporation | Controlled cleavage process and device for patterned films |
US6027988A (en) * | 1997-05-28 | 2000-02-22 | The Regents Of The University Of California | Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation |
US6548382B1 (en) | 1997-07-18 | 2003-04-15 | Silicon Genesis Corporation | Gettering technique for wafers made using a controlled cleaving process |
JPH1154451A (ja) | 1997-08-07 | 1999-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US6413874B1 (en) * | 1997-12-26 | 2002-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for etching a semiconductor article and method of preparing a semiconductor article by using the same |
JP3932369B2 (ja) | 1998-04-09 | 2007-06-20 | 信越半導体株式会社 | 剥離ウエーハを再利用する方法および再利用に供されるシリコンウエーハ |
JP3697106B2 (ja) * | 1998-05-15 | 2005-09-21 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の作製方法及び半導体薄膜の作製方法 |
JP2000012864A (ja) | 1998-06-22 | 2000-01-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
JP3358550B2 (ja) | 1998-07-07 | 2002-12-24 | 信越半導体株式会社 | Soiウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるsoiウエーハ |
JP3395661B2 (ja) | 1998-07-07 | 2003-04-14 | 信越半導体株式会社 | Soiウエーハの製造方法 |
US6271101B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device |
JP4476390B2 (ja) | 1998-09-04 | 2010-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2000223682A (ja) | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Canon Inc | 基体の処理方法及び半導体基板の製造方法 |
KR100701342B1 (ko) | 1999-07-15 | 2007-03-29 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 접합 웨이퍼의 제조방법 및 접합 웨이퍼 |
US6500732B1 (en) * | 1999-08-10 | 2002-12-31 | Silicon Genesis Corporation | Cleaving process to fabricate multilayered substrates using low implantation doses |
EP1939932A1 (en) * | 1999-08-10 | 2008-07-02 | Silicon Genesis Corporation | A substrate comprising a stressed silicon germanium cleave layer |
US6902987B1 (en) | 2000-02-16 | 2005-06-07 | Ziptronix, Inc. | Method for low temperature bonding and bonded structure |
JP2001274368A (ja) | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウエーハの製造方法およびこの方法で製造された貼り合わせウエーハ |
US6521492B2 (en) | 2000-06-12 | 2003-02-18 | Seiko Epson Corporation | Thin-film semiconductor device fabrication method |
US7183177B2 (en) | 2000-08-11 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Silicon-on-insulator wafer transfer method using surface activation plasma immersion ion implantation for wafer-to-wafer adhesion enhancement |
JP2002134375A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Canon Inc | 半導体基体とその作製方法、および貼り合わせ基体の表面形状測定方法 |
FR2894990B1 (fr) | 2005-12-21 | 2008-02-22 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication de substrats, notamment pour l'optique,l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu selon ledit procede |
JP2003163335A (ja) * | 2001-11-27 | 2003-06-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
CN100403543C (zh) | 2001-12-04 | 2008-07-16 | 信越半导体株式会社 | 贴合晶片及贴合晶片的制造方法 |
US7119365B2 (en) | 2002-03-26 | 2006-10-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof, SOI substrate and display device using the same, and manufacturing method of the SOI substrate |
JP4289837B2 (ja) | 2002-07-15 | 2009-07-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン注入方法及びsoiウエハの製造方法 |
JP4328067B2 (ja) | 2002-07-31 | 2009-09-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン注入方法及びsoiウエハの製造方法、並びにイオン注入装置 |
EP2091075A2 (en) | 2002-12-06 | 2009-08-19 | S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies S.A. | A method for recycling a surface of a substrate using local thinning |
EP1427002B1 (en) | 2002-12-06 | 2017-04-12 | Soitec | A method for recycling a substrate using local cutting |
TWI233154B (en) | 2002-12-06 | 2005-05-21 | Soitec Silicon On Insulator | Method for recycling a substrate |
RU2217842C1 (ru) | 2003-01-14 | 2003-11-27 | Институт физики полупроводников - Объединенного института физики полупроводников СО РАН | Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе |
JP2005072070A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-17 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 剥離ウェーハの再生処理方法及び再生されたウェーハ |
EP1710836A4 (en) * | 2004-01-30 | 2010-08-18 | Sumco Corp | METHOD FOR PRODUCING AN SOI WATER |
ATE420461T1 (de) | 2004-11-09 | 2009-01-15 | Soitec Silicon On Insulator | Verfahren zum herstellen von zusammengesetzten wafern |
US7112289B2 (en) * | 2004-11-09 | 2006-09-26 | General Chemical Performance Products Llc | Etchants containing filterable surfactant |
US7402520B2 (en) * | 2004-11-26 | 2008-07-22 | Applied Materials, Inc. | Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer |
JP4934966B2 (ja) * | 2005-02-04 | 2012-05-23 | 株式会社Sumco | Soi基板の製造方法 |
JP5122731B2 (ja) * | 2005-06-01 | 2013-01-16 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
JP4977999B2 (ja) | 2005-11-21 | 2012-07-18 | 株式会社Sumco | 貼合せ基板の製造方法及びその方法で製造された貼合せ基板 |
JP4715470B2 (ja) | 2005-11-28 | 2011-07-06 | 株式会社Sumco | 剥離ウェーハの再生加工方法及びこの方法により再生加工された剥離ウェーハ |
US7781309B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-08-24 | Sumco Corporation | Method for manufacturing direct bonded SOI wafer and direct bonded SOI wafer manufactured by the method |
US7829436B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-11-09 | Sumco Corporation | Process for regeneration of a layer transferred wafer and regenerated layer transferred wafer |
US7790565B2 (en) * | 2006-04-21 | 2010-09-07 | Corning Incorporated | Semiconductor on glass insulator made using improved thinning process |
US7608521B2 (en) | 2006-05-31 | 2009-10-27 | Corning Incorporated | Producing SOI structure using high-purity ion shower |
US7579654B2 (en) | 2006-05-31 | 2009-08-25 | Corning Incorporated | Semiconductor on insulator structure made using radiation annealing |
JP2008153411A (ja) | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Soi基板の製造方法 |
JP4820801B2 (ja) * | 2006-12-26 | 2011-11-24 | 株式会社Sumco | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
US7759233B2 (en) | 2007-03-23 | 2010-07-20 | Micron Technology, Inc. | Methods for stressing semiconductor material structures to improve electron and/or hole mobility of transistor channels fabricated therefrom, and semiconductor devices including such structures |
JP5289805B2 (ja) | 2007-05-10 | 2013-09-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置製造用基板の作製方法 |
US7939424B2 (en) | 2007-09-21 | 2011-05-10 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer bonding activated by ion implantation |
KR101499175B1 (ko) | 2007-10-04 | 2015-03-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기판의 제조방법 |
JP5522917B2 (ja) | 2007-10-10 | 2014-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Soi基板の製造方法 |
JP5688203B2 (ja) | 2007-11-01 | 2015-03-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体基板の作製方法 |
US20100022070A1 (en) | 2008-07-22 | 2010-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing soi substrate |
US8278187B2 (en) * | 2009-06-24 | 2012-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for reprocessing semiconductor substrate by stepwise etching with at least two etching treatments |
WO2011043178A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Reprocessing method of semiconductor substrate, manufacturing method of reprocessed semiconductor substrate, and manufacturing method of soi substrate |
-
2010
- 2010-06-08 CN CN2010800281630A patent/CN102460642A/zh active Pending
- 2010-06-08 SG SG2011086998A patent/SG176602A1/en unknown
- 2010-06-08 KR KR1020117030893A patent/KR20120032487A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-06-08 WO PCT/JP2010/059996 patent/WO2010150671A1/en active Application Filing
- 2010-06-22 US US12/820,181 patent/US8404563B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-22 TW TW099120266A patent/TWI524409B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-06-23 JP JP2010142496A patent/JP2011029619A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4936792B1 (ja) * | 1970-10-15 | 1974-10-03 | ||
JPS60249332A (ja) * | 1984-04-26 | 1985-12-10 | エッチエムシー・パテンツ・ホールディング・カンパニー・インコーポレーテッド | 二酸化ケイ素エッチング液およびその製法 |
US5843322A (en) * | 1996-12-23 | 1998-12-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for etching N, P, N+ and P+ type slugs and wafers |
JP2001085648A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-03-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウエーハの製造方法および貼り合わせウエーハ |
JP2001155978A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 剥離ウエーハの再生処理方法及び再生処理された剥離ウエーハ |
JP2004087606A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Sharp Corp | Soi基板およびそれを用いる表示装置ならびにsoi基板の製造方法 |
JP2008131052A (ja) * | 2006-11-23 | 2008-06-05 | Soitec Silicon On Insulator Technologies | Si基板およびSiGe基板用のクロムを含まないエッチング液、そのエッチング液を使用して欠陥を明らかにする方法、およびそのエッチング液を使用してSi基板およびSiGe基板を処理するプロセス |
JP2009272471A (ja) * | 2008-05-08 | 2009-11-19 | Sumco Corp | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012195579A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-10-11 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、電界効果トランジスタ、半導体基板の製造方法および電界効果トランジスタの製造方法 |
JP2013030764A (ja) * | 2011-06-21 | 2013-02-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体基板の再生方法、再生半導体基板の作製方法、及びsoi基板の作製方法 |
JP2013128047A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体基板の再生方法、再生半導体基板の作製方法、及びsoi基板の作製方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8404563B2 (en) | 2013-03-26 |
TWI524409B (zh) | 2016-03-01 |
WO2010150671A1 (en) | 2010-12-29 |
KR20120032487A (ko) | 2012-04-05 |
US20100330778A1 (en) | 2010-12-30 |
SG176602A1 (en) | 2012-01-30 |
TW201118941A (en) | 2011-06-01 |
CN102460642A (zh) | 2012-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI524409B (zh) | 半導體基板的再生處理方法及soi基板的製造方法 | |
JP5568260B2 (ja) | Soi基板の作製方法 | |
US8278187B2 (en) | Method for reprocessing semiconductor substrate by stepwise etching with at least two etching treatments | |
JP5622988B2 (ja) | 半導体基板の作製方法 | |
JP2008306166A (ja) | 半導体装置製造用基板の作製方法、および半導体装置の作製方法 | |
JP5917036B2 (ja) | Soi基板の作製方法 | |
US8318588B2 (en) | Method for reprocessing semiconductor substrate, method for manufacturing reprocessed semiconductor substrate, and method for manufacturing SOI substrate | |
JP5865786B2 (ja) | 半導体基板の再生方法、及びsoi基板の作製方法 | |
KR101752901B1 (ko) | 반도체 기판의 재생 방법, 재생 반도체 기판의 제작 방법, 및 soi 기판의 제작 방법 | |
JP5865057B2 (ja) | 半導体基板の再生方法、及びsoi基板の作製方法 | |
JP5634210B2 (ja) | 半導体基板の作製方法 | |
JP2011228651A (ja) | 半導体基板の再生方法、再生半導体基板の作製方法、及びsoi基板の作製方法 | |
JP2010118420A (ja) | Soi基板の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130325 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130325 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140328 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140401 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20140421 |