JP2547394B2 - 二酸化ケイ素エッチング液およびその製法 - Google Patents
二酸化ケイ素エッチング液およびその製法Info
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 43
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title claims description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 47
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 28
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 17
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 11
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- -1 fluoroalkyl sulfonate Chemical compound 0.000 claims description 10
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 241000219977 Vigna Species 0.000 description 1
- 235000010726 Vigna sinensis Nutrition 0.000 description 1
- 125000005233 alkylalcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000005441 aurora Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910001424 calcium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- AQYSYJUIMQTRMV-UHFFFAOYSA-N hypofluorous acid Chemical compound FO AQYSYJUIMQTRMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001425 magnesium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/44—Compositions for etching metallic material from a metallic material substrate of different composition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
- C04B41/5338—Etching
- C04B41/5353—Wet etching, e.g. with etchants dissolved in organic solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
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- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は可溶性界面活性剤添加物を含有するエツチン
グ溶液の改良組成物に関する。これらの添加物は、表面
張力を小さく保持することができ基板の湿潤性を改良
し、集積回路の製造に有用である。特に、本発明は、極
性溶媒混合物中の過弗化アルキルスルホネートおよび／
または過弗素化両性界面活性剤を表面張力抑制添加剤と
して利用することに関する。
グ溶液の改良組成物に関する。これらの添加物は、表面
張力を小さく保持することができ基板の湿潤性を改良
し、集積回路の製造に有用である。特に、本発明は、極
性溶媒混合物中の過弗化アルキルスルホネートおよび／
または過弗素化両性界面活性剤を表面張力抑制添加剤と
して利用することに関する。
集積回路部品の寸法が小さくなればなるほど、基板表
面上のエツチング溶液によつて物理的に湿潤性を与える
ことはますます難しくなる。これは二酸化珪素エツチン
グに使用する緩衝酸化物弗化アンモニウム／弗化水素酸
エツチング剤溶液にとつて特に重要なことである。とい
うのはこれらの溶液は、一般的なエツチング温度で、85
〜90ダイン/cmという非常に高い表面張力値を示すから
である。使用するマスキング材料の表面エネルギーが比
較的小さいこと、フオトレジストの分布状態、存在する
不純物の種類および他の処理工程からの残留不純物のた
め、基板に適度な湿潤性を与えることは難しく、不均一
なエツチングとなり、ラインの再現性が乏しくなる。
面上のエツチング溶液によつて物理的に湿潤性を与える
ことはますます難しくなる。これは二酸化珪素エツチン
グに使用する緩衝酸化物弗化アンモニウム／弗化水素酸
エツチング剤溶液にとつて特に重要なことである。とい
うのはこれらの溶液は、一般的なエツチング温度で、85
〜90ダイン/cmという非常に高い表面張力値を示すから
である。使用するマスキング材料の表面エネルギーが比
較的小さいこと、フオトレジストの分布状態、存在する
不純物の種類および他の処理工程からの残留不純物のた
め、基板に適度な湿潤性を与えることは難しく、不均一
なエツチングとなり、ラインの再現性が乏しくなる。
これらの問題を解決するために、ほとんどの集積回路
工業では、少なくとも二つの公知技術のうちの一方を使
つてきた。第一は、基板をエツチング剤中に入れる前に
界面活性剤水溶液に予備浸漬するものであり、第二は、
界面活性剤をエツチング剤溶液に直接添加するものであ
る。しかしながら、工業界は、再過タンクを用いるそ
して同時に偏差のより少ないさらに精密な腐蝕ラインを
必要とする、より含有粒子の少ないシステムを使用する
方向に進んでいるため、現在の方法にはいくつかの欠点
がある。
工業では、少なくとも二つの公知技術のうちの一方を使
つてきた。第一は、基板をエツチング剤中に入れる前に
界面活性剤水溶液に予備浸漬するものであり、第二は、
界面活性剤をエツチング剤溶液に直接添加するものであ
る。しかしながら、工業界は、再過タンクを用いるそ
して同時に偏差のより少ないさらに精密な腐蝕ラインを
必要とする、より含有粒子の少ないシステムを使用する
方向に進んでいるため、現在の方法にはいくつかの欠点
がある。
予備浸漬を行なう場合、タンクは一つの代わりに二つ
必要となり、処理工程が追加されることになる。さら
に、ウエフアーは予備浸漬されているので、予備浸漬タ
ンク中の物質がエツチング剤タンクへ運び込まれる傾向
がある。従つてエツチング剤の性能は変化し、その有効
寿命は短かくなる。さらに重要なことに、これらの方法
のいずれにも関連する大きな欠点は、経験からわかるよ
うに、工業界で一般に使用されるたいていの界面活性剤
が弗化アンモニウム／弗化水素酸酸化物エツチング剤溶
液に不溶であつて、界面活性剤が基板表面上にプレート
アウトすることとなり、再循環腐蝕浴中で一般に使われ
るフイルター（0.2ミクロン程度のものである）をふさ
ぎ、そしてその結果、得られるエツチング剤溶液に界面
活性剤がほとんどあるいは全く存在しなくなつてしまう
ことである。また、使用する界面活性剤は、集積回路の
性能に有害な金属イオンを含有しているかもしれず、あ
るいはエツチング剤中に弗化水素酸が存在するため生じ
る界面活性剤の劣化により活性を失うかもしれない。エ
ツチング剤製造業者の中には、酸化物エツチング剤溶液
中に界面活性剤を混和させることを試みたものがあつ
た。しかし、これらの物質を分析したものはほとんどな
く、あつたとしても界面活性剤の存在は表面張力の測定
で示されている。従つて、0.2ミクロン絶対フイルター
での過の後、界面活性剤が弗化アンモニウム／弗化水
素酸溶液中で界面活性を維持しており、そして金属イオ
ンが本質的に存在しない、表面張力のより低い改良され
た効果的な二酸化珪素エツチング剤溶液が必要とされて
いるのは明らかである。
必要となり、処理工程が追加されることになる。さら
に、ウエフアーは予備浸漬されているので、予備浸漬タ
ンク中の物質がエツチング剤タンクへ運び込まれる傾向
がある。従つてエツチング剤の性能は変化し、その有効
寿命は短かくなる。さらに重要なことに、これらの方法
のいずれにも関連する大きな欠点は、経験からわかるよ
うに、工業界で一般に使用されるたいていの界面活性剤
が弗化アンモニウム／弗化水素酸酸化物エツチング剤溶
液に不溶であつて、界面活性剤が基板表面上にプレート
アウトすることとなり、再循環腐蝕浴中で一般に使われ
るフイルター（0.2ミクロン程度のものである）をふさ
ぎ、そしてその結果、得られるエツチング剤溶液に界面
活性剤がほとんどあるいは全く存在しなくなつてしまう
ことである。また、使用する界面活性剤は、集積回路の
性能に有害な金属イオンを含有しているかもしれず、あ
るいはエツチング剤中に弗化水素酸が存在するため生じ
る界面活性剤の劣化により活性を失うかもしれない。エ
ツチング剤製造業者の中には、酸化物エツチング剤溶液
中に界面活性剤を混和させることを試みたものがあつ
た。しかし、これらの物質を分析したものはほとんどな
く、あつたとしても界面活性剤の存在は表面張力の測定
で示されている。従つて、0.2ミクロン絶対フイルター
での過の後、界面活性剤が弗化アンモニウム／弗化水
素酸溶液中で界面活性を維持しており、そして金属イオ
ンが本質的に存在しない、表面張力のより低い改良され
た効果的な二酸化珪素エツチング剤溶液が必要とされて
いるのは明らかである。
本発明は、可溶性で安定な界面活性剤添加物を、表面
張力を減少させて表面の湿潤性を高めるために、緩衝酸
化物エツチング剤溶液に使用することに関する。これら
の添加物は、0.2ミクロンのフイルターでの過の後で
も、溶液中に残り、金属イオンによる汚染は少ない。界
面活性剤添加物を含有しないエツチング剤の表面張力値
が85〜90ダイン/cmであるのと比較して、これらの添加
物を含有するエツチング剤の表面張力値は一般に30ダイ
ン/cmより小さい。重要なことに、これらの物質は連続
過浴中に除去されず、従つてフイルターをつまらせた
り、表面上にプレートアウトしない。これらの物質を使
つて行なつた試験では、これらの添加物を含有するエツ
チング剤を使用した場合、腐蝕の均一性が高められてい
ることが示された。
張力を減少させて表面の湿潤性を高めるために、緩衝酸
化物エツチング剤溶液に使用することに関する。これら
の添加物は、0.2ミクロンのフイルターでの過の後で
も、溶液中に残り、金属イオンによる汚染は少ない。界
面活性剤添加物を含有しないエツチング剤の表面張力値
が85〜90ダイン/cmであるのと比較して、これらの添加
物を含有するエツチング剤の表面張力値は一般に30ダイ
ン/cmより小さい。重要なことに、これらの物質は連続
過浴中に除去されず、従つてフイルターをつまらせた
り、表面上にプレートアウトしない。これらの物質を使
つて行なつた試験では、これらの添加物を含有するエツ
チング剤を使用した場合、腐蝕の均一性が高められてい
ることが示された。
従つて、本発明の目的は、従来のエツチング溶液より
も好ましいエツチング速度および改良された湿潤性を有
する、一連の二酸化珪素エツチング溶液を提供すること
である。これらの改良されたエツチング剤は過の後も
それらの表面活性特性を維持している。
も好ましいエツチング速度および改良された湿潤性を有
する、一連の二酸化珪素エツチング溶液を提供すること
である。これらの改良されたエツチング剤は過の後も
それらの表面活性特性を維持している。
本発明の他の目的は、0.2ミクロンのフイルターでの
過の後、金属イオンを実質的に含まず、従来の溶液と
同じエツチング温度で同じエツチング速度を有し、そし
て腐蝕の均一性を改良するよりすぐれた湿潤特性を有す
る、一連のこのようなエツチング溶液を提供することで
ある。
過の後、金属イオンを実質的に含まず、従来の溶液と
同じエツチング温度で同じエツチング速度を有し、そし
て腐蝕の均一性を改良するよりすぐれた湿潤特性を有す
る、一連のこのようなエツチング溶液を提供することで
ある。
これらのおよび他の目的は、１〜12重量％の弗化水素
（HF）、13.5〜45重量％の弗化アンモニウム（NH4F）お
よび少量、すなわち25〜20000ppmの界面活性剤を含有す
る弗化水素と弗化アンモニウムの水溶液よりなるエツチ
ング溶液を提供する本発明によつて達成される。
（HF）、13.5〜45重量％の弗化アンモニウム（NH4F）お
よび少量、すなわち25〜20000ppmの界面活性剤を含有す
る弗化水素と弗化アンモニウムの水溶液よりなるエツチ
ング溶液を提供する本発明によつて達成される。
本発明によつて効果があると見出された界面活性剤は
フルオロアルキルスルホネートと呼ばれ、一般式： XF2C(CFY)nSO3A （上式中のフルオロアルキル基は線状でも分岐鎖状でも
よく、ヒドロキシル基を含有している）を有する。好ま
しい化合物は４〜７の炭素原子を含み、ＸはＦまたはOH
またはSO3Aであり;YはＦ、Ｈ、OHであるかまたは省略し
て二重結合となつてもよく；そしてｎは12までの値であ
る。好ましい物質はよりすぐれた溶解性を有し、0.2ミ
クロンの過で除去されない。Ａは陽イオン基であり、
NH4 +、H+、Na+、K+、Li+、R+または有機アミン陽イオ
ン、すなわちNR4＋（Ｒは炭素原子数１〜４のアルキル
基である）である。しかしながら、Na、ＫおよびLi塩
は、回路の電気特性に悪影響を及ぼすので、好ましくな
い。“低い金属イオン含有量”という言葉は、周期律表
第ＩおよびII族の金属イオン、主にLi、Na、Ｋ、Caおよ
びMgイオン、が実質的に除かれていることを意味する。
フルオロアルキルスルホネートと呼ばれ、一般式： XF2C(CFY)nSO3A （上式中のフルオロアルキル基は線状でも分岐鎖状でも
よく、ヒドロキシル基を含有している）を有する。好ま
しい化合物は４〜７の炭素原子を含み、ＸはＦまたはOH
またはSO3Aであり;YはＦ、Ｈ、OHであるかまたは省略し
て二重結合となつてもよく；そしてｎは12までの値であ
る。好ましい物質はよりすぐれた溶解性を有し、0.2ミ
クロンの過で除去されない。Ａは陽イオン基であり、
NH4 +、H+、Na+、K+、Li+、R+または有機アミン陽イオ
ン、すなわちNR4＋（Ｒは炭素原子数１〜４のアルキル
基である）である。しかしながら、Na、ＫおよびLi塩
は、回路の電気特性に悪影響を及ぼすので、好ましくな
い。“低い金属イオン含有量”という言葉は、周期律表
第ＩおよびII族の金属イオン、主にLi、Na、Ｋ、Caおよ
びMgイオン、が実質的に除かれていることを意味する。
本発明の新しいエツチング溶液は全て、0.2ミクロン
のフイルターでの過の後、連続過条件下であつて
も、それらの表面活性特性を保持している。さらに、本
発明の新規な溶液は、過されているにもかかわらず、
基板をより効果的に湿潤させる性質を有し、そして従来
の溶液にないような悪影響を生じさせることなく同じ速
度で、パターン化したレジストにおける酸化物の小さな
範囲（１〜５ミクロン）および大きな範囲（75ミクロ
ン）をエツチングすることによつてより均一な結果をも
たらす。
のフイルターでの過の後、連続過条件下であつて
も、それらの表面活性特性を保持している。さらに、本
発明の新規な溶液は、過されているにもかかわらず、
基板をより効果的に湿潤させる性質を有し、そして従来
の溶液にないような悪影響を生じさせることなく同じ速
度で、パターン化したレジストにおける酸化物の小さな
範囲（１〜５ミクロン）および大きな範囲（75ミクロ
ン）をエツチングすることによつてより均一な結果をも
たらす。
本発明のHF−NH4F溶液は、指示割合の成分を水に溶解
するどのような方法によつても製造することができる。
しかしながら、個々の成分HFおよびNH4F各々の水溶液を
混合するのが好ましい。49重量％の弗化水素を含有する
標準HF溶液がこの目的に好適であることを見出した。こ
の49％HF溶液を使用するとき、15〜40重量％の濃度の弗
化アンモニウム溶液を用いる必要があり、混合すること
によつて溶液は所望の相対割合の二成分を含有する。１
重量部の49重量％弗化水素水溶液および４〜100容量部
の15〜40重量％水性弗化アンモニウムの配合物を使用す
ることができる。このような配合で、重量に基づいて１
〜12％のHFおよび13.5〜45％のNH4Fそして残部の水を含
有する混合物が得られる。これに金属イオンの少ない好
ましい溶質フルオロアルキルスルホネートを加え、この
溶液を0.2ミクロンのフイルターで過する。
するどのような方法によつても製造することができる。
しかしながら、個々の成分HFおよびNH4F各々の水溶液を
混合するのが好ましい。49重量％の弗化水素を含有する
標準HF溶液がこの目的に好適であることを見出した。こ
の49％HF溶液を使用するとき、15〜40重量％の濃度の弗
化アンモニウム溶液を用いる必要があり、混合すること
によつて溶液は所望の相対割合の二成分を含有する。１
重量部の49重量％弗化水素水溶液および４〜100容量部
の15〜40重量％水性弗化アンモニウムの配合物を使用す
ることができる。このような配合で、重量に基づいて１
〜12％のHFおよび13.5〜45％のNH4Fそして残部の水を含
有する混合物が得られる。これに金属イオンの少ない好
ましい溶質フルオロアルキルスルホネートを加え、この
溶液を0.2ミクロンのフイルターで過する。
活性界面活性剤として添加するのに効果的な濃度範囲
は25〜20,000ppmである。これは固体としてあるいは水
性極性溶媒混合物中の溶液として加えてもよい。活性界
面活性剤の好ましい濃度範囲は200〜5000ppmである。
は25〜20,000ppmである。これは固体としてあるいは水
性極性溶媒混合物中の溶液として加えてもよい。活性界
面活性剤の好ましい濃度範囲は200〜5000ppmである。
時には、腐蝕効果を弱める、すなわち抑制する、適当
な希釈剤を加えてもよい。適当な希釈剤は例えば酢酸、
エチレングリコールおよび、例えば炭素原子数１〜３
の、低アルキルアルコールである。
な希釈剤を加えてもよい。適当な希釈剤は例えば酢酸、
エチレングリコールおよび、例えば炭素原子数１〜３
の、低アルキルアルコールである。
以下の特定の実施例で本発明をさらに説明する。これ
らの実施例では本発明の特定の好ましい操作条件を詳し
く記載しているが、これらは主に説明のためのものであ
り、本発明がより広い見地から、これらに限定されない
ことは無論のことである。
らの実施例では本発明の特定の好ましい操作条件を詳し
く記載しているが、これらは主に説明のためのものであ
り、本発明がより広い見地から、これらに限定されない
ことは無論のことである。
実施例１〜７ 弗化アンモニウム（40重量％）対弗化水素酸（49重量
％）が各々6:1ないし7:1（容量部）の溶液に、表１に示
す１）〜７）の界面活性剤を250ppmの量で加えた。表面
張力をジュヌーイ環表面張力計を使い25℃で測定した。
各々の溶液を0.2μｍテフロンフィルターに通して濾過
し、そして表面張力を同じ方法で再び測定した。表１は
結果をまとめたものである。
％）が各々6:1ないし7:1（容量部）の溶液に、表１に示
す１）〜７）の界面活性剤を250ppmの量で加えた。表面
張力をジュヌーイ環表面張力計を使い25℃で測定した。
各々の溶液を0.2μｍテフロンフィルターに通して濾過
し、そして表面張力を同じ方法で再び測定した。表１は
結果をまとめたものである。
0.2μｍでエツチング剤を過した後の腐蝕の均一性
試験 ３インチの珪素ウエフアーを1100℃にてO2中で約7000
Åまで熱酸化し、ポジテイブフオトレジストで約２μｍ
の厚みに被覆しそして約1.5〜20μｍで変化する寸法を
有するテストマスクを使ってパターン化した。レジスト
を約20分間、130℃にて硬化した後、各寸法でパターン
化したウエファーを、表２に示す各実施例の界面活性剤
を含有し、６容量部の弗化アンモニウム（40重量％）お
よび１容量部の弗化水素酸（49重量％）を含む、0.2μ
ｍのフィルターに通した溶液に、25℃において100％の
腐食時間（所望の面積が100％完全に腐食される時間）
浸した。次に腐食パターンを水の中ですすいだ。各寸法
でパターン化したウエファーを各溶液に浸して腐食する
作業を110％の腐食時間（上記100％の腐食時間の1.1倍
の時間）繰り返した。ウエファーを光学顕微鏡で200〜4
00倍の倍率にて観察し、腐食面積を調べた。結果を表２
に示す。
試験 ３インチの珪素ウエフアーを1100℃にてO2中で約7000
Åまで熱酸化し、ポジテイブフオトレジストで約２μｍ
の厚みに被覆しそして約1.5〜20μｍで変化する寸法を
有するテストマスクを使ってパターン化した。レジスト
を約20分間、130℃にて硬化した後、各寸法でパターン
化したウエファーを、表２に示す各実施例の界面活性剤
を含有し、６容量部の弗化アンモニウム（40重量％）お
よび１容量部の弗化水素酸（49重量％）を含む、0.2μ
ｍのフィルターに通した溶液に、25℃において100％の
腐食時間（所望の面積が100％完全に腐食される時間）
浸した。次に腐食パターンを水の中ですすいだ。各寸法
でパターン化したウエファーを各溶液に浸して腐食する
作業を110％の腐食時間（上記100％の腐食時間の1.1倍
の時間）繰り返した。ウエファーを光学顕微鏡で200〜4
00倍の倍率にて観察し、腐食面積を調べた。結果を表２
に示す。
本発明の範囲から逸脱することなく、記載の組成物に
様々な変更を加えうることは無論のことであり、説明の
ために示した詳細は、特許請求の範囲に挙げたもの以外
は、本発明を限定するものと解すべきではない。
様々な変更を加えうることは無論のことであり、説明の
ために示した詳細は、特許請求の範囲に挙げたもの以外
は、本発明を限定するものと解すべきではない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イーバン・ゴワー・トーマス アメリカ合衆国ニユーヨーク州14052, イースト・オーロラ，リンダー・アベニ ユー 448 (72)発明者 ハロルド・ジエイ・キータ アメリカ合衆国ニユーヨーク州14207, バツフアロー，グローブ・ストリート 45 (56)参考文献 特開 昭58−188132（ＪＰ，Ａ) 米国特許4055458（ＵＳ，Ａ)
Claims (9)
- 【請求項１】界面活性剤の沈殿を起こさせないで安定
な、界面活性剤含有エッチング溶液であって、１ないし
12重量％の弗化水素、13.5ないし45重量％の弗化アンモ
ニウムおよび25ないし20,000ppmの式： XF2C(CFY)nSO3A ［式中、ｎは12までの値であり、炭素鎖は線状または分
岐鎖状であり、ＸはＦ、OHまたはSO3Aであり、ＹはＦ、
Ｈ、OHまたは省いてもよく、そしてＡはH+、NH4 +、K+、
Li+、R+、またはNR4 +（Ｒは炭素原子数１〜４のアルキ
ル基およびこれらの混ざったものである）である］ のフルオロアルキルスルホネート界面活性剤を含み、そ
して残部は水である、弗化水素、弗化アンモニウムおよ
び界面活性剤の水性混合物からなり、集積回路部品の製
造に用いられる二酸化ケイ素基板のためのエッチング溶
液。 - 【請求項２】フルオロアルキルスルホネート界面活性剤
のｎの値が３〜６である、特許請求の範囲第１項記載の
エッチング溶液。 - 【請求項３】フルオロアルキルスルホネートがアンモニ
ウム塩であり、そして金属イオン含有量の少ないもので
ある、特許請求の範囲第１項記載のエッチング溶液。 - 【請求項４】フルオロアルキルスルホネートが弗素化ア
ルキルスルホン酸である、特許請求の範囲第１項記載の
エッチング溶液。 - 【請求項５】フルオロアルキルスルホネート界面活性剤
が200ないし5000ppmの量で存在し、これがエッチング溶
液へ乾燥固体としてまたは水性極性溶媒混合物中の溶液
として加えられる、特許請求の範囲第１項記載のエッチ
ング溶液。 - 【請求項６】腐食を抑制するための200ないし500ppmの
フルオロアルキルスルホネート界面活性剤希釈剤を含有
する、特許請求の範囲第１項記載のエッチング溶液。 - 【請求項７】酢酸、エチレングリコールおよび炭素原子
数１〜３のアルコールよりなる群から選択したものを腐
食抑制希釈剤として50重量％まで含有する、特許請求の
範囲第１項記載のエッチング溶液。 - 【請求項８】集積回路部品の製造に用いられる二酸化ケ
イ素基板のためのエッチング溶液を製造するための方法
であって、前記エッチング溶液は、界面活性剤の沈殿を
起こさせないで安定な、界面活性剤含有エッチング溶液
であって、１ないし12重量％の弗化水素、13.5ないし45
重量％の弗化アンモニウムおよび25ないし20,000ppmの
式： XF2C(CFY)nSO3A ［式中、ｎは12までの値であり、炭素鎖は線状または分
岐鎖状であり、ＸはＦ、OHまたはSO3Aであり、ＹはＦ、
Ｈ、OHまたは省いてもよく、そしてＡはH+、NH4 +、K+、
Li+、R+、またはNR4 +（Ｒは炭素原子数１〜４のアルキ
ル基およびこれらの混ざったものである）である］ のフルオロアルキルスルホネート界面活性剤を含み、そ
して残部は水である、弗化水素、弗化アンモニウムおよ
び界面活性剤の水性混合物からなり、前記方法は、49重
量％の弗化水素の水溶液および15ないし40重量％の弗化
アンモニウムの水溶液を、200ないし5000ppmの活性フル
オロアルキルスルホネート界面活性剤と混合することよ
りなる、エッチング溶液の製法。 - 【請求項９】弗化アンモニウムの水溶液が30重量％の弗
化アンモニウムを含有する、特許請求の範囲第８項記載
の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/604,112 US4517106A (en) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | Soluble surfactant additives for ammonium fluoride/hydrofluoric acid oxide etchant solutions |
| US604112 | 1984-04-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60249332A JPS60249332A (ja) | 1985-12-10 |
| JP2547394B2 true JP2547394B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=24418225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60088465A Expired - Lifetime JP2547394B2 (ja) | 1984-04-26 | 1985-04-24 | 二酸化ケイ素エッチング液およびその製法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4517106A (ja) |
| EP (1) | EP0159579A3 (ja) |
| JP (1) | JP2547394B2 (ja) |
| KR (1) | KR900001290B1 (ja) |
| CA (1) | CA1241898A (ja) |
Families Citing this family (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4620934A (en) * | 1984-04-26 | 1986-11-04 | Allied Corporation | Soluble fluorinated cycloalkane sulfonate surfactant additives for NH4 |
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| US4761245A (en) * | 1987-01-27 | 1988-08-02 | Olin Corporation | Etching solutions containing ammonium fluoride and an alkylphenol polyglycidol ether surfactant |
| US4761244A (en) * | 1987-01-27 | 1988-08-02 | Olin Corporation | Etching solutions containing ammonium fluoride and an alkyl polyaccharide surfactant |
| EP0416012B1 (en) * | 1988-05-16 | 1993-11-24 | Olin Corporation | Etching solutions containing anionic sulfate esters of alkylphenol polyglycidol ethers |
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|---|---|
| KR900001290B1 (ko) | 1990-03-05 |
| US4517106A (en) | 1985-05-14 |
| EP0159579A2 (en) | 1985-10-30 |
| CA1241898A (en) | 1988-09-13 |
| KR850007819A (ko) | 1985-12-09 |
| JPS60249332A (ja) | 1985-12-10 |
| EP0159579A3 (en) | 1988-03-16 |
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