DE405886T1 - Oberflaechenbehandlungsmittel fuer praezisionsoberflaechenbehandlung. - Google Patents

Oberflaechenbehandlungsmittel fuer praezisionsoberflaechenbehandlung.

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DE405886T1
DE405886T1 DE199090306927T DE90306927T DE405886T1 DE 405886 T1 DE405886 T1 DE 405886T1 DE 199090306927 T DE199090306927 T DE 199090306927T DE 90306927 T DE90306927 T DE 90306927T DE 405886 T1 DE405886 T1 DE 405886T1
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surface treating
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DE199090306927T
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Hirohisa Nara-Shi Nara-Ken Kikuyama
Masahiro Osaka Miki
Tadahiro Sendai-Shi Miyagi-Ken Ohmi
Original Assignee
Hashimoto Chemical Industries Co., Ltd., Sakai, Osaka
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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    • H01L21/02063Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes

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Claims (9)

-&ogr;&igr; Patentansprüche
1. Ein Oberflächenbehandlungsmittel für feine Oberflächenbehandlung, das eine gemischte Lösung aus Fluorwasserstoff, eine Lösung von Ammoniumfluorid und Wasser enthält, wobei die genannte gemischte Lösung weniger als 0,01 bis 8 Gewichtsprozent Fluorwasserstoff (HF) und weniger als 0,01 bis Gewichtsprozent Ammoniumfluorid (NH.F) enthält.
2. Ein Oberflächenbehandlungsmittel für feine Oberflächenbehandlung, das eine wässrige Lösung aufweist, die weniger als 0,01 bis 8 Gewichtsprozent Fluorwasserstoff und weniger als 0,01 bis 15 Gewichtsprozent Ammoniumfluorid enthält, wobei die genannte wässrige Lösung außerdem zumindest einen von oberflächenaktiven Stoffen enthält, von denen jeder aliphatische Carbonsäure, deren Salz, aliphatisches Amin und aliphatischen Alkohol aufweist.
3. Ein Oberflächenbehandlungsmittel für feine Oberflächenbehandlung, das eine wässrige Lösung aufweist, die weniger als 0,01 bis 8 Gewichtsprozent Fluorwasserstoff und weniger als 0,01 bis 15 Gewichtsprozent Ammoniumfluorid enthält, wobei die genannte wässrige Lösung außerdem aliphatisches Amin und zumindest einen von oberflächenaktiven Stoffen enthält, von denen jeder aliphatische Carbonsäure, deren Salz und aliphatischen Alkohol aufweist.
4. Ein Oberflächenbehandlungsmittel nach Anspruch 1, wobei das genannte Oberflächenbehandlungsmittel ein Ätzmittel für Siliciumoxidfilme ist.
5. Ein Oberflächenbehandlungsmittel nach Anspruch 2, wobei das genannte Oberflächenbehandlungsmittel ein Ätzmittel für Siliciumoxidfilme ist.
6. Ein Oberflächenbehandlungsmittel nach Anspruch 3, wobei das genannte Oberflächenbehandlungsmittel ein Ätzmittel für Siliciumoxidfilme ist.
7. Ein Oberflächenbehandlungsmittel nach Anspruch 1, wobei das genannte Oberflächenbehandlungsmittel ein Reinigungsmittel für Siliciumoberflachen und Oberflächen von Halbleitervorrichtungen ist.
8. Ein Oberflächenbehandlungsmittel nach Anspruch 2, wobei das genannte Oberflächenbehandlungsmittel ein Reinigungsmittel für Siliciumoberflächen und Oberflächen von Halbleitervorrichtungen ist.
9. Ein Oberflächenbehandlungsmittel nach Anspruch 3, wobei
das genannte Oberflächenbehandlungsmittel ein Reinigungsmittel für Siliciumoberflächen und Oberflächen von Halbleitervorrichtungen ist.
DE199090306927T 1989-06-26 1990-06-25 Oberflaechenbehandlungsmittel fuer praezisionsoberflaechenbehandlung. Pending DE405886T1 (de)

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DE69029228D1 (de) 1997-01-09
EP0405886A2 (de) 1991-01-02
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