JPH02135352A - 剥離液 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は特に露光により架橋して形成されたケイ素含有
ポリマのネガ型レジストパターンの剥離処理を行なう剥
離液に関するものである。

〔従来の技術〕

近年、半導体の高集積化及び高速化に伴い、微細で高精
度な基板加工が必要になってきて居り、レジストのパタ
ーン形成工程においては、二層レジスト法等の多層レジ
スト法が注目されている。

従来、この種の多層レジスト法、特に二層レジスト法に
ついて、以下に述べる。先ず基板上に、１．０〜２．５
ｎ程度の厚い熱硬化性樹脂層を堆積した後、これを熱硬
化させることによって、基板上の段差を平坦化する。そ
して、上記樹脂層上に、感電子線又は感光性のレジスト
として作用するケイ素含有ポリマを薄く塗布した後、こ
のケイ素含有ポリマを、電子線又は光により露光させ、
溶剤により所定部分を溶解除去し、ケイ素含有ポリマの
パターンを形成する。次に、このパターン化されたケイ
素含有ポリマをマスクとして、このマスクの下層の樹脂
層を、酸素ガスプラズマにより工・ノチングし、二層レ
ジストパターンを形成していた。

〔発明が解決しようとする課題〕

然し乍ら、上述した従来の二層レジスト法においては、
ケイ素含有ポリマの不良パターンの剥離処理において、
当該不良パターンがポジ型レジストの場合は、レジスト
用の溶剤を以て容易に剥離できるが、露光により架橋し
て形成されたネガ型レジストの場合には、通常の溶剤で
は剥離できないという問題点があった。

勿論、上記ネガ型レジストは、フッ素系ガスを用いたド
ライエツチングにより除去できるが、その際、当該レジ
ストの下層の樹脂層をもエツチングしてしまうという問
題点があった。

本発明の目的は、架橋化されたケイ素含有ポリマのネガ
型レジストを極めて迅速に剥離できる剥離液を徒供する
ものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は上述した目的を達成するため、アミド系溶剤に
、金属イオンを含まないフッ化塩を添加したものである
。

〔作　用］ 本発明においては、ケイ素含有ポリマの剥離液として、
アミド系溶剤に、フッ化第４級アンモニウムを添加した
ので、フッ化第４級アンモニウムのフッ素イオンにより
ケイ素含有ポリマのケイ素原子の結合が切断されると共
に、低分子量化され、アミド系溶剤により上記ケイ素含
有ポリマは、容易に剥離される。更に、金属イオンを含
まないので、半導体の特性に悪影響を与えない。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明を具体的に説明する。

実施例１ シリコン基板上に、マイクロポジット２４００ホトレジ
スト液を回転塗布し、上記基板上を平坦化した後、これ
を２００°Ｃで１時間加熱し、熱硬化させる。そして、
このレジスト上に、ポリジメチル−ポリメチルビニルシ
ロキサン（ペトラーク社製）のフィルムを、０．２　ｌ
！ｍ厚程度被着形成した後、このフィルムの所定部分に
、ドーズ量が１００μＣ／Ｃ１ａの電子線露光を行ない
、メチルイソブチルケトンにより現像し、イソプロパツ
ールによりリンスを行なって、架橋されたフィルムのネ
ガパターンを形成する。

そこで、上記フィルムの不良ネガパターン形成時におけ
る剥離処理は、先ず上記基板を、フッ化テトラｎ−ブチ
ルアンモニウム１０−ｔ％を含むジメチルホルムアミド
溶液に、室温において、１０秒間浸漬した後、トリクロ
ルエチレンを以てすすぐことにより行なわれ、当該不良
ネガパターンは完全に剥離される。

実施例２ シリコーン基板上に平坦に堆積形成され、熱硬化させた
レジストの上に、シリコン樹脂の市販レジス）ＳＮＲ−
Ｍ４　（東曹株式会社製）を被着形成し、この所定部に
ドーズ量１２匹／　Ｃａの電子線電光を行ない、スペッ
クに従い現像及びリンスを行なって、架橋されたネガパ
ターンを形成する。

そこで、かかるネガパターンの剥離処理は、先ず上記基
板を、フッ化テトラｎ−ブチルアンモニウムが５１１ｔ
％含まれたジメチルホルムアミド溶液に、１０秒間浸漬
し、トリクロルエチレンですすいで行なう。これにより
当該ネガパターンは完全に剥離される。

実施例３ シリコーン基板上に平坦に堆積形成され、熱硬化させた
レジストの上に、シリコン樹脂のポリ（アリル−クロロ
メチルシルセスキオキサン）を被着形成した後、このシ
リコン樹脂の所定部をドーズｉｌ　１００　ｔｔｃ／Ｃ
４の電子線で露光し、現像及びリンスを行ない、架橋さ
れたネガパターンを形成する。

そこで、かかるネガパターンの剥離処理は、先ず上記基
板を、フッ化テトラｎ−ブチルアンモニウム１０−１％
が含有されるジメチルホルムアミド溶液に、１０秒間浸
漬させ、トリクロルエチレンですすぎを行なう、斯くし
て当該ネガパターンは完全に剥離される。

次に、かかる剥離液によるネガパターンの剥離原理を述
べる。

本発明は、ケイ素含有ポリマに対する剥離液として、ア
ミド系溶剤にフッ化第４級アンモニウムを混合したもの
であって、このフッ化第４級アンモニウムのフッ素イオ
ンは、ケイ素原子に対して強い求槙作用を示すことが知
られている。即ち、ケイ素原子とフッ素原子との化学結
合エネルギーは５９２　ＫＪ／１１１０１　　と大きく
、これに対してシロキサンの三次元網状ポリマゲルの基
本的構造であるケイ素原子と酸素原子及びケイ素原子と
炭素原子の化学結合エネルギーは夫々４４３　ＫＪ　／
　ｍｏｌ及び２９３ＫＪ／ｍｏｌ　と夫々小さいため、
上記フッ素イオンが、５ｔ−０や５ｉ−Ｃ結合から成る
三次元網状ポリマゲルのケイ素原子に作用すると、上記
結合エネルギーの差より５ｔ−０や５ｔ−Ｃのケイ素原
子の結′合が容易に切断され、５ｉ−Ｆ結合が生成され
る。これによって、上記ポリマゲルは、低分子量化され
る。

こうして、架橋されたケイ素含有ポリマでも上記アミド
系溶剤により容易に剥離されることになる。

更に、この場合、上記剥離液におけるフッ化第４級アン
モニウム塩における陽イオンが第４級アンモニウムイオ
ンであるため、溶剤中において、フッ素イオンがフリー
イオンである割合が高くなり、ケイ素原子に対する求核
力が大きくなる他、金属イオンを含まないため、半導体
の特性に悪影響を与えないと共に、アミド系溶剤は、ポ
リマに対する溶解力が強く、而もアンモニウム塊に対す
る溶解力も強いという利点がある。

尚、アミド系溶剤としては、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルアセタミド、Ｎ−メチルピロリドン及びベキ４＋
メチルホスホリツクトリアミド等がある。又、フン化第
４級アンモニウムのアミド系溶剤中における含量は、Ｑ
、１ｗｔ％以上あれば良い。

（発明の効果〕 以上説明したように本発明における剥離液は、高分子に
対する膨潤及び溶解作用の強いアミド系溶剤に、ケイ素
原子に対して求核力の強いフッ化第４級アンモニウムを
添加したので、半導体の特性を阻害することなく、架橋
されたケイ素含有ポリマのネガ型レジストを、室温で迅
速且つ容易に剥離できる等の特有の効果がある。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ケイ素含有ポリマから成るレジストパターンの剥離液に
   おいて、 アミド系溶剤に、金属イオンを含まないフッ化塩を添加
   したことを特徴とする剥離液。