JPS6360897B2 - - Google Patents
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- JPS6360897B2 JPS6360897B2 JP10187881A JP10187881A JPS6360897B2 JP S6360897 B2 JPS6360897 B2 JP S6360897B2 JP 10187881 A JP10187881 A JP 10187881A JP 10187881 A JP10187881 A JP 10187881A JP S6360897 B2 JPS6360897 B2 JP S6360897B2
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- positive resist
- resist film
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3007—Imagewise removal using liquid means combined with electrical means, e.g. force fields
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
本発明はポジ・レジスト膜現像方法の改良に関
する。 半導体装置、フオトマスク等を製造する際のフ
オト・リソグラフイ工程に於ては、感光性樹脂膜
としてパターンの転写精度が優れたポジ・レジス
ト膜が多く用いられる。該ポジ・レジストは通常
ノボラツク系の樹脂からなつており、該ポジ・レ
ジストの現像にはジ・メチル・フオルムアミド等
の有機塩基（アルカリ）が用いられる。そして現
像に際しては、従来御１図に示すように、露光が
完了したポジ・レジスト膜が被着されている被処
理基板１を、１〜２〔mm〕程度の間隔ｄで20〜30
〔枚〕程度所望の基板保持具２に立て並べ、該基
板保持具２を定温に保持した前記現像液３中に浸
漬し、該基板保持具２を所望の速さで上下に振と
うしながら、ポジ・レジスト膜に於ける感光領域
の溶解除去を行つていた（図中矢印４は振とう方
向）。然し上記従来方法に於ては、ポジ・レジス
ト現像液との反応成生物を、ポジ・レジスト膜の
表面から一様に離脱せしめることが困難であり、
従つて活性の強い現像液がポジ・レジスト膜の表
面全域にわたつて一様に作用しないために現像が
むらになる。そのため現像残やパターン幅のばら
つき等を生ずるので、上記従来の浸漬現像方法
は、微細パターンを形成する際の現像方法として
は不適当であるという問題があつた。 そこで微細パターンの形成に適用する現像方法
として、回転させた被処理基板上に現像液を注加
して、ポジ・レジスト膜が常に新しい現像液に接
するようにして現像むらをなくす方法（スピン・
デベロツプ法）が従来から用いられるが、この方
法は被処理基板を一枚ずつ処理しなければならな
いために、現像処理の能率が悪く、又現像液の消
費量も増大するという問題があつた。 本発明は上記問題点に鑑み現像能率が高くしか
も現像液の消費量が少ないポジ・レジストの浸漬
現像法に、ポジ・レジストと現像液との反応生成
物を速かにポジ・レジスト膜上から離脱せしめる
手段をこうじて、現像むらを減少せしめたポジ・
レジスト膜の現像方法を提供する。 即ち本発明はポジ・レジスト膜の現像方法に於
て、露光を完了したポジ・レジスト膜が被着され
ている被処理基板を、電界を附与したポジ・レジ
スト現像液中に浸漬してポジ・レジスト膜の感光
領域を溶解除去することを特徴とする。 以下本発明を一実施例について、第２図に示す
現像装置の上面模式図ａ及びＡ―A′矢視断面図
ｂを用いて詳細に説明する。 本発明に用いる現像装置は例えば第２図ａ及び
ｂに示すように、現像容器１１内に50〔vol％〕程
度の濃度を有するジメチル・フオルムアルデヒド
（CH3）2NCHO水溶液等からなり強アルカリ性を
有する定温のポジ・レジスト現像液１２が充たさ
れており、該現像液１２中に対向して陽極１３及
び陰極１４が設けられている。そして該陽極１３
と陰極１４の間に、例えば直流電源１５によつて
10〜15〔Ｖ〕程度の電位差が与えられ、現像液１
２内に10〔mA〕程度の電解電流が流れる電界領
域１６が形成されている。 本発明の方法によりポジ・レジスト膜の現像を
行う際には、第２図に示すように露光の完了した
ポジ・レジスト膜が被着されている例えば半導体
被処理基板１７を、石英或るいはテフロン等から
なる耐アルカリ性を有する基板保持具１８上に、
1.5〜２〔mm〕程度の間隔ｄで20〜30〔枚〕程度立
て並べ、該被処理半導体基板１７を基板保持具１
８と共に前記ポジ・レジスト現像液１２の電界領
域１６内に所望の時間浸漬してポジ・レジスト膜
の現像を行う。なお上記浸漬に際しては、半導体
被処理基板１７面が電極１３，１４の表面に対し
て直角に向くことが好ましい。 ノボラツク系のポジ・レジストはオルソキノン
ジアジドのアルキル誘導体
する。 半導体装置、フオトマスク等を製造する際のフ
オト・リソグラフイ工程に於ては、感光性樹脂膜
としてパターンの転写精度が優れたポジ・レジス
ト膜が多く用いられる。該ポジ・レジストは通常
ノボラツク系の樹脂からなつており、該ポジ・レ
ジストの現像にはジ・メチル・フオルムアミド等
の有機塩基（アルカリ）が用いられる。そして現
像に際しては、従来御１図に示すように、露光が
完了したポジ・レジスト膜が被着されている被処
理基板１を、１〜２〔mm〕程度の間隔ｄで20〜30
〔枚〕程度所望の基板保持具２に立て並べ、該基
板保持具２を定温に保持した前記現像液３中に浸
漬し、該基板保持具２を所望の速さで上下に振と
うしながら、ポジ・レジスト膜に於ける感光領域
の溶解除去を行つていた（図中矢印４は振とう方
向）。然し上記従来方法に於ては、ポジ・レジス
ト現像液との反応成生物を、ポジ・レジスト膜の
表面から一様に離脱せしめることが困難であり、
従つて活性の強い現像液がポジ・レジスト膜の表
面全域にわたつて一様に作用しないために現像が
むらになる。そのため現像残やパターン幅のばら
つき等を生ずるので、上記従来の浸漬現像方法
は、微細パターンを形成する際の現像方法として
は不適当であるという問題があつた。 そこで微細パターンの形成に適用する現像方法
として、回転させた被処理基板上に現像液を注加
して、ポジ・レジスト膜が常に新しい現像液に接
するようにして現像むらをなくす方法（スピン・
デベロツプ法）が従来から用いられるが、この方
法は被処理基板を一枚ずつ処理しなければならな
いために、現像処理の能率が悪く、又現像液の消
費量も増大するという問題があつた。 本発明は上記問題点に鑑み現像能率が高くしか
も現像液の消費量が少ないポジ・レジストの浸漬
現像法に、ポジ・レジストと現像液との反応生成
物を速かにポジ・レジスト膜上から離脱せしめる
手段をこうじて、現像むらを減少せしめたポジ・
レジスト膜の現像方法を提供する。 即ち本発明はポジ・レジスト膜の現像方法に於
て、露光を完了したポジ・レジスト膜が被着され
ている被処理基板を、電界を附与したポジ・レジ
スト現像液中に浸漬してポジ・レジスト膜の感光
領域を溶解除去することを特徴とする。 以下本発明を一実施例について、第２図に示す
現像装置の上面模式図ａ及びＡ―A′矢視断面図
ｂを用いて詳細に説明する。 本発明に用いる現像装置は例えば第２図ａ及び
ｂに示すように、現像容器１１内に50〔vol％〕程
度の濃度を有するジメチル・フオルムアルデヒド
（CH3）2NCHO水溶液等からなり強アルカリ性を
有する定温のポジ・レジスト現像液１２が充たさ
れており、該現像液１２中に対向して陽極１３及
び陰極１４が設けられている。そして該陽極１３
と陰極１４の間に、例えば直流電源１５によつて
10〜15〔Ｖ〕程度の電位差が与えられ、現像液１
２内に10〔mA〕程度の電解電流が流れる電界領
域１６が形成されている。 本発明の方法によりポジ・レジスト膜の現像を
行う際には、第２図に示すように露光の完了した
ポジ・レジスト膜が被着されている例えば半導体
被処理基板１７を、石英或るいはテフロン等から
なる耐アルカリ性を有する基板保持具１８上に、
1.5〜２〔mm〕程度の間隔ｄで20〜30〔枚〕程度立
て並べ、該被処理半導体基板１７を基板保持具１
８と共に前記ポジ・レジスト現像液１２の電界領
域１６内に所望の時間浸漬してポジ・レジスト膜
の現像を行う。なお上記浸漬に際しては、半導体
被処理基板１７面が電極１３，１４の表面に対し
て直角に向くことが好ましい。 ノボラツク系のポジ・レジストはオルソキノン
ジアジドのアルキル誘導体
【式】か
らなつており、該ポジ・レジストは紫外線等に感
光すると窒素（N2）を放出して、
光すると窒素（N2）を放出して、
【式】となる。そして露光を完
了したポジ・レジスト膜を前記ポジ・レジスト現
像液に浸漬すると、該ポジ・レジスト膜の感光領
域は、ポジ・レジスト現像液に溶解し、反応生成
物
像液に浸漬すると、該ポジ・レジスト膜の感光領
域は、ポジ・レジスト現像液に溶解し、反応生成
物
【式】が陰イオン
【式】と陽イオン（H+）に解離
する。そして現像液内に形成されている電界によ
り陰イオン
り陰イオン
【式】は陽極１３
に、又陽イオン（H+）は陰極１４に引かれて、
速かにポジ・レジスト膜上から離脱し、ポジ・レ
ジスト膜上に反応生成物を含まない現像液が絶え
ず補給される。 従つて上記実施例に於ては、従来の浸漬方式に
対して1.5〔倍〕程度の現像速度が得られ、且つ現
像むらも殆んどなくなり、現像後のパターン幅の
ばらつきは、例えば１〔バツチ〕即ち3.5〔吋〕基
板24〔枚〕について±0.1〔μm〕以下となり、従来
に比べて1/3以下に改善される。 なお上記実施例に於ては直流電界中で現像を行
つたが、交流電界中でも同様の効果が得られる。 以上説明したように本発明によれば、現像処理
の能率が高く、且つ現像液消費量の少ない浸漬方
式の現像方法を用いて、寸法のばらつきが極めて
少ないポジ・レジスト・パターンを形成すること
ができる。従つて微細パターンの形式に浸漬方式
のポジ・レジスト現像法を適用することが可能に
なり、半導体装置やフオト・マスクを製造する際
の現像時間や現像費用の低減が図れる。
速かにポジ・レジスト膜上から離脱し、ポジ・レ
ジスト膜上に反応生成物を含まない現像液が絶え
ず補給される。 従つて上記実施例に於ては、従来の浸漬方式に
対して1.5〔倍〕程度の現像速度が得られ、且つ現
像むらも殆んどなくなり、現像後のパターン幅の
ばらつきは、例えば１〔バツチ〕即ち3.5〔吋〕基
板24〔枚〕について±0.1〔μm〕以下となり、従来
に比べて1/3以下に改善される。 なお上記実施例に於ては直流電界中で現像を行
つたが、交流電界中でも同様の効果が得られる。 以上説明したように本発明によれば、現像処理
の能率が高く、且つ現像液消費量の少ない浸漬方
式の現像方法を用いて、寸法のばらつきが極めて
少ないポジ・レジスト・パターンを形成すること
ができる。従つて微細パターンの形式に浸漬方式
のポジ・レジスト現像法を適用することが可能に
なり、半導体装置やフオト・マスクを製造する際
の現像時間や現像費用の低減が図れる。
第１図は従来の浸漬現像法の説明図、第２図は
本発明の一実施例に用いた現像装置の上面模式図
ａ及びＡ―A′矢視断面図ｂである。 図に於て、１１は現像容器、１２はポジ・レジ
スト現像液、１３は陽極、１４は陰極、１５は直
流電源、１６は電界領域、１７は半導体被処理基
板、１８は基板保持具、ｄは基板間隔を示す。
本発明の一実施例に用いた現像装置の上面模式図
ａ及びＡ―A′矢視断面図ｂである。 図に於て、１１は現像容器、１２はポジ・レジ
スト現像液、１３は陽極、１４は陰極、１５は直
流電源、１６は電界領域、１７は半導体被処理基
板、１８は基板保持具、ｄは基板間隔を示す。
Claims (1)
- １ 露光を完了したポジ・レジスト膜が被着され
ている被処理基板を、電界を附与したポジ・レジ
スト現像液中に浸漬してポジ・レジスト膜の感光
領域を溶解除去することを特徴とするポジ・レジ
スト膜の現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10187881A JPS584143A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | ポジ・レジスト膜の現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10187881A JPS584143A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | ポジ・レジスト膜の現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584143A JPS584143A (ja) | 1983-01-11 |
| JPS6360897B2 true JPS6360897B2 (ja) | 1988-11-25 |
Family
ID=14312205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10187881A Granted JPS584143A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | ポジ・レジスト膜の現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584143A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3134054A1 (de) * | 1981-08-28 | 1983-05-05 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Elektrochemisches entwicklungsverfahren fuer reproduktionsschichten |
| JPS6120043A (ja) * | 1984-07-09 | 1986-01-28 | Sigma Gijutsu Kogyo Kk | 現像の終点検出方法 |
| JPH06103393B2 (ja) * | 1985-01-21 | 1994-12-14 | シグマ技術工業株式会社 | 現像の終点検出方法 |
| JPH0234823Y2 (ja) * | 1985-04-12 | 1990-09-19 | ||
| JPH07107604B2 (ja) * | 1985-08-14 | 1995-11-15 | 旭化成工業株式会社 | レジスト現像方法 |
| JP2509572B2 (ja) * | 1985-08-19 | 1996-06-19 | 株式会社東芝 | パタ−ン形成方法及び装置 |
| JPH0220876A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 現像方法 |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP10187881A patent/JPS584143A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS584143A (ja) | 1983-01-11 |
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| JPH035573B2 (ja) | ||
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