JPH0220876A - 現像方法 - Google Patents
現像方法Info
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- JPH0220876A JPH0220876A JP17125088A JP17125088A JPH0220876A JP H0220876 A JPH0220876 A JP H0220876A JP 17125088 A JP17125088 A JP 17125088A JP 17125088 A JP17125088 A JP 17125088A JP H0220876 A JPH0220876 A JP H0220876A
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 abstract 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体、電子デバイス分野等におけるフォ）
ＩＪソゲラフイエ程での湿式の現像方法に関するもの
である。
ＩＪソゲラフイエ程での湿式の現像方法に関するもの
である。
従来の技術
従来のフォトリソグラフィ工程における現像方法として
は、デイツプ方法とシャワ一方法が一般的である。
は、デイツプ方法とシャワ一方法が一般的である。
即ち、デイツプ方法とは基材上に所定の厚みに感光性樹
脂を製膜しフォトマスクを介し紫外線等によシ光反応を
行わせて、選択的に硬化させたもの（以下「露光済み試
料」と呼ぶ）を現像液中に浸漬し、溶解反応により非硬
化部を溶出させ、その後、リンス液の噴霧等を行ないパ
ターン形成を行なう方法である。
脂を製膜しフォトマスクを介し紫外線等によシ光反応を
行わせて、選択的に硬化させたもの（以下「露光済み試
料」と呼ぶ）を現像液中に浸漬し、溶解反応により非硬
化部を溶出させ、その後、リンス液の噴霧等を行ないパ
ターン形成を行なう方法である。
また、シャワ一方法とは、露光済み試料を回転させなが
ら、現像液を噴霧し溶解反応を行させ、非硬化部を溶出
し遠心力により周囲に飛散させ、その後リンス液を噴霧
しパターン形成を行なうものである。
ら、現像液を噴霧し溶解反応を行させ、非硬化部を溶出
し遠心力により周囲に飛散させ、その後リンス液を噴霧
しパターン形成を行なうものである。
発明が解決しようとする課題
しかし、従来のこの種現像方法では、現像液により溶出
した部分（剥離片）が、基材から除去されることなく再
付着し、パターン欠陥の原因になるという問題があった
。
した部分（剥離片）が、基材から除去されることなく再
付着し、パターン欠陥の原因になるという問題があった
。
これは、現像反応が例えばイオン化し解離を起こす反応
である場合、剥離片は正・負いずれかの電荷を帯びてい
る。これに対し基材は、剥離片の剥離、現像液の流動に
よシ静電気を帯び、局所的に正・負の電荷を帯びている
。従って、剥離片と基材のある部分が異種電荷を帯びて
いれば、静電気力によシ引き合い剥離片が基材に付着し
やすくなる。
である場合、剥離片は正・負いずれかの電荷を帯びてい
る。これに対し基材は、剥離片の剥離、現像液の流動に
よシ静電気を帯び、局所的に正・負の電荷を帯びている
。従って、剥離片と基材のある部分が異種電荷を帯びて
いれば、静電気力によシ引き合い剥離片が基材に付着し
やすくなる。
本発明はかかる点に鑑み、基材よシの剥離片が再付着す
ることのない現像方法を提供することを目的とするもの
である。
ることのない現像方法を提供することを目的とするもの
である。
課題を解決するだめの手段
上記目的を達成する本発明の技術的手段は、基材上に被
覆された膜にパターン形成を行なうに際し、液体により
不要部分を溶出させる工程で、前記膜と前記液体との間
に電位差を設けることを特徴とするものである。このよ
うな電位を与える手段として、基材と膜との間に電極膜
を形成すると好適である。
覆された膜にパターン形成を行なうに際し、液体により
不要部分を溶出させる工程で、前記膜と前記液体との間
に電位差を設けることを特徴とするものである。このよ
うな電位を与える手段として、基材と膜との間に電極膜
を形成すると好適である。
作 用
この技術的手段による作用は次のようである。
すなわち、現像液により基材上の露光済み試料から溶出
した剥離片は、正あるいは負どちらかの電荷を帯びてい
る。そこで、剥離片と同種の電荷を基材にかければ電気
的斥力によシ、剥離片が基材に付着することはない。
した剥離片は、正あるいは負どちらかの電荷を帯びてい
る。そこで、剥離片と同種の電荷を基材にかければ電気
的斥力によシ、剥離片が基材に付着することはない。
実施例
以下、本発明の一実施例を添付図面にもとすいて説明す
る。図において１はガラス基材、２はＩｕ−Ｔｉ −０
（Ｉ Ｔｏ）電極膜で厚さ約６００人でヌパッタによシ
製膜した。３は感光性樹脂膜で、ネガ型の感光性樹脂液
を約１μｍの厚さにスピンナーで製膜し、プリベーク後
規定のフォトマスクを当て紫外線によ如露光したもので
ある。４は導線でＩＴＯ電極膜２に電源５の負極側を、
現像液６中の対向電極ＣＡＲ板）７には正極側を接合し
た。現像液６としては、本実施例では１％炭酸ナトリウ
ム溶液を使用した。なおガラス基材１としては１０ｆｆ
ｉ角のホウ硅酸ガラス、電源５としては６ｖ、感光性樹
脂膜３はアクリル酸系の感光性樹脂液を使用した。
る。図において１はガラス基材、２はＩｕ−Ｔｉ −０
（Ｉ Ｔｏ）電極膜で厚さ約６００人でヌパッタによシ
製膜した。３は感光性樹脂膜で、ネガ型の感光性樹脂液
を約１μｍの厚さにスピンナーで製膜し、プリベーク後
規定のフォトマスクを当て紫外線によ如露光したもので
ある。４は導線でＩＴＯ電極膜２に電源５の負極側を、
現像液６中の対向電極ＣＡＲ板）７には正極側を接合し
た。現像液６としては、本実施例では１％炭酸ナトリウ
ム溶液を使用した。なおガラス基材１としては１０ｆｆ
ｉ角のホウ硅酸ガラス、電源５としては６ｖ、感光性樹
脂膜３はアクリル酸系の感光性樹脂液を使用した。
次に、上記構成における作用を説明する。感光性樹脂膜
３を現像液６に浸漬すると、未露光部のアクリル酸中の
カルボン酸が現像液ｅ中のナトリウムイオンと反応し、
水に可溶となシ溶出を始める。この反応は次式の如くで
ある。
３を現像液６に浸漬すると、未露光部のアクリル酸中の
カルボン酸が現像液ｅ中のナトリウムイオンと反応し、
水に可溶となシ溶出を始める。この反応は次式の如くで
ある。
ＲＣ０ＯＨ＋ＮａＯＨ−＋ＲＣＯＯＮａ 十Ｈ２ＯＲ−
Ｃｏ○Ｎａ −＋Ｒ−Ｃｏｏ 十Ｎａ＋Ｒ：アルキル
基または高分子鎖 ここで、Ｒ−ＣＯＯＮ ａが水に可溶となり、現像液６
中で、Ｒ−ＣＯＯとＮａ に解離する。っまシ、剥離
片はＲ−０００−で、負電荷を帯びている。
Ｃｏ○Ｎａ −＋Ｒ−Ｃｏｏ 十Ｎａ＋Ｒ：アルキル
基または高分子鎖 ここで、Ｒ−ＣＯＯＮ ａが水に可溶となり、現像液６
中で、Ｒ−ＣＯＯとＮａ に解離する。っまシ、剥離
片はＲ−０００−で、負電荷を帯びている。
そこで、ＩＴＯ電極膜２に負電位、対向電極７に正電位
をかけると剥離片は電気的結合力・斥力によシ、ＩＴＯ
電極膜２とは反発し、対向電極７に引き寄せられ、ガラ
ス基材１に再付着することはない。
をかけると剥離片は電気的結合力・斥力によシ、ＩＴＯ
電極膜２とは反発し、対向電極７に引き寄せられ、ガラ
ス基材１に再付着することはない。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明の現像方法によれば基材
表面と剥離片が同種の電荷を帯びているため、剥離片が
基材に再付着することはなく、従ってパターン欠陥が減
少し、工業上極めて有用である。
表面と剥離片が同種の電荷を帯びているため、剥離片が
基材に再付着することはなく、従ってパターン欠陥が減
少し、工業上極めて有用である。
図は本発明の一実施例を示す構成図である。
１・・・・・・ガラス基材、２・・・用工ＴＯ電極膜、
３・・・・・・感光性樹脂膜、４・・・・・・導線、５
・・・用電源、６・・・・・・現像液、７・・・・・・
対向電極。
３・・・・・・感光性樹脂膜、４・・・・・・導線、５
・・・用電源、６・・・・・・現像液、７・・・・・・
対向電極。
Claims (2)
- （１）基材上に被覆された膜にパターン形成を行なうに
際し、液体により不要部分を溶出させる工程で、前記膜
と前記液体との間に電位差を設けることを特徴とする現
像方法。 - （２）膜に電位を与える手段として、基材と前記膜との
間に電極膜を形成する請求項１記載の現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17125088A JPH0220876A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17125088A JPH0220876A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0220876A true JPH0220876A (ja) | 1990-01-24 |
Family
ID=15919836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17125088A Pending JPH0220876A (ja) | 1988-07-08 | 1988-07-08 | 現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0220876A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS584143A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-11 | Fujitsu Ltd | ポジ・レジスト膜の現像方法 |
| JPS61124940A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Fujitsu Ltd | レジスト膜の現像方法 |
| JPS6242421A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-24 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
-
1988
- 1988-07-08 JP JP17125088A patent/JPH0220876A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS584143A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-11 | Fujitsu Ltd | ポジ・レジスト膜の現像方法 |
| JPS61124940A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Fujitsu Ltd | レジスト膜の現像方法 |
| JPS6242421A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-24 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
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