CN106803485A - 一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器 - Google Patents

一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器 Download PDF

Info

Publication number
CN106803485A
CN106803485A CN201710170594.4A CN201710170594A CN106803485A CN 106803485 A CN106803485 A CN 106803485A CN 201710170594 A CN201710170594 A CN 201710170594A CN 106803485 A CN106803485 A CN 106803485A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist layer
metal layer
layer
patterned metal
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710170594.4A
Other languages
English (en)
Inventor
武岳
李珊
熊源
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201710170594.4A priority Critical patent/CN106803485A/zh
Publication of CN106803485A publication Critical patent/CN106803485A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器，该方法包括在基板上沉积金属层；在金属层上通过光刻工艺形成图案化光阻层；对金属层进行第一次蚀刻，以形成表面粗糙的图案化金属层；对表面粗糙的图案化金属层进行第二次蚀刻，以形成表面光滑的图案化金属层；剥离图案化光阻层。通过上述方法，在形成表面粗糙的图案化金属层之后再进行一次蚀刻，形成表面光滑的图案化金属层，提高了图案化金属层的表面精度，且在第一次蚀刻时不需要降低蚀刻速度，缩短生产时间，降低生产成本。

Description

一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器。
背景技术
一般的，在液晶面板的生产过程中，金属导线的制备工艺包括沉积、光刻、湿法蚀刻以及光阻剥离等步骤，在这些步骤中湿法蚀刻直接影响金属导线制备完成之后的精度，而金属导线的精度又对显示面板的质量有很大影响，比如金属导线表面过于粗糙会容易造成与其他膜层的接触不良、电阻提升等问题而最终影响显示面板的指令。
现有技术中，为了提高金属导线的表面精度，会在湿法蚀刻这一步骤中降低蚀刻速度，但这种方法会导致生产时间过长，进而增加生产成本。
发明内容
本发明主要提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器，旨在解决薄膜晶体管的制备过程中图案化金属层在蚀刻后表面精度不高的问题。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括：在基板上沉积金属层；在所述金属层上通过光刻工艺形成图案化光阻层；对所述金属层进行第一次蚀刻，以形成表面粗糙的图案化金属层；对所述表面粗糙的图案化金属层进行第二次蚀刻，以形成表面光滑的图案化金属层；剥离所述图案化光阻层。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管通过上述的方法制备而成。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种显示器，所述显示器包括上述的薄膜晶体管。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过在基板上沉积金属层；在金属层上通过光刻工艺形成图案化光阻层；对金属层进行第一次蚀刻，以形成表面粗糙的图案化金属层；对表面粗糙的图案化金属层进行第二次蚀刻，以形成表面光滑的图案化金属层；剥离图案化光阻层的方法，在形成表面粗糙的图案化金属层之后再进行一次蚀刻，形成表面光滑的图案化金属层，提高了图案化金属层的表面精度，且在第一次蚀刻时不需要降低蚀刻速度，缩短生产时间，降低生产成本。
附图说明
图1是本发明提供的薄膜晶体管实施例的流程示意图；
图2是图1中步骤S12的具体流程示意图；
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明所提供的一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器做进一步详细描述。
参阅图1，本发明提供的薄膜晶体管的制备方法实施例包括：
S11：在基板上沉积金属层；
具体地，在沉积金属层之前，将基板清洗干净，然后可使用物理气相沉积法或等离子体气相沉积法在基板上沉积金属层。
其中，金属层可以是包括但不限于氧化铟锡的金属层；基板可以是包括但不限于硅片及玻璃的基板。
S12：在金属层上通过光刻工艺形成图案化的光阻层；
参阅图2，该步骤可具体包括：
S121：在金属层上进行光阻涂布以形成光阻层；
具体地，可使用光阻涂布设备通过旋转涂布法，利用旋转产生的离心力，将滴于金属层上的光阻剂甩开，在光阻剂表面张力以及旋转离心力的共同作用下，形成光阻膜。
其中，光阻剂是主要由树脂、感光剂及溶剂混合而成的感光材料。
在形成光阻膜之后，在一定温度下，对其进行烘烤，形成干燥的光阻膜，即光阻层。
S122：对光阻层进行曝光处理以在光阻层上形成图案；
具体地，在掩膜版的作用下，利用光源发射光透过掩膜版照射到光阻层的表面，其中，对于掩膜版上透明的部分，光透过该透明的部分照射到光阻层上，与相对应的部分光阻层发生反应，对于掩膜版上不透明的部分，光无法透过而相对应的部分光阻层不发生反应，从而使得掩膜版上的图案在光的照射下投影在光阻层上。
其中，光源的选择根据光阻层的材料而定，不同的光阻层对应不同波长的光源，在本实施例中，以UV光为例。
S123：对形成图案的光阻层进行显影处理以形成图案化光阻层。
在上述曝光处理后的光阻层上喷洒显影液，显影液将溶解掉上述中被光照射的部分光阻层，而未被光照射的部分则不会被溶解而保留下来，保留下来的部分就形成了图案化光阻层。
S13：对金属层进行第一次蚀刻，以形成表面粗糙的图案化金属层；
可选的，通过湿法蚀刻使用蚀刻液对金属层进行第一次蚀刻，由于蚀刻液与金属层发生化学反应而不与光阻层反应，使得未被图案化光阻层覆盖的金属层与蚀刻液发生反应之后而被去除，被图案化光阻层覆盖的金属层则被保留下来形成与图案化光阻层同样图案的图案化金属层，但由于湿法蚀刻是化学蚀刻，在不降低蚀刻速度的前提下，蚀刻结束之后，图案化金属层被蚀刻的表面粗糙度会比较高，就形成了表面粗糙的图案化金属层。
其中，蚀刻液可以是硫酸与双氧水的混合溶液。
S14：对表面粗糙的图案化金属层进行第二次蚀刻，以形成表面光滑的图案化金属层；
可选的，使用微蚀刻液对步骤S13中形成的图案化金属层蚀刻处的粗糙表面进行微蚀刻，微蚀刻液与粗糙表面处的金属层发生化学反应以去除该表面比较粗糙的部分，形成表面光滑的图案化金属层，之后进行清洗、烘干即可。
其中，微蚀刻液可选用双氧水、氢氟酸和水的混合溶液。
S15：剥离图案化光阻层。
具体的，在图案化光阻层上滴入去光阻液，去光阻液与图案化光阻层发生反应之后再进行清洗即可去除图案化光阻层。
本发明还提供了薄膜晶体管，该薄膜晶体管采用上述方法制备而成。
本发明还提供了显示器，该显示器包括上述的薄膜晶体管。
区别于现有技术，本发明通过在基板上沉积金属层；在金属层上通过光刻工艺形成图案化的光阻层；对金属层进行第一次蚀刻，以形成表面粗糙的图案化金属层；对表面粗糙的图案化金属层进行第二次蚀刻，以形成表面光滑的图案化金属层；剥离所述图案化的光阻层的方法，在形成表面粗糙的图案化金属层之后再进行一次蚀刻，使得表面粗糙的图案化金属层形成表面光滑的图案化金属层，提高了图案化金属层的表面精度，且在第一次蚀刻时不需要降低蚀刻速度，缩短生产时间，降低生产成本。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在基板上沉积金属层；
在所述金属层上通过光刻工艺形成图案化光阻层；
对所述金属层进行第一次蚀刻，以形成表面粗糙的图案化金属层；
对所述表面粗糙的图案化金属层进行第二次蚀刻，以形成表面光滑的图案化金属层；
剥离所述图案化光阻层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述表面粗糙的图案化金属层进行第二次蚀刻，以形成表面光滑的图案化金属层包括：
使用微蚀刻液对所述表面粗糙的图案化金属层进行微蚀刻，以形成所述表面光滑的图案化金属层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述微蚀刻液为双氧水、氢氟酸和水的混合溶液。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述金属层进行第一次蚀刻，以形成表面粗糙的图案化金属层包括：
使用蚀刻液对所述金属层进行第一次蚀刻，以去除未被所述图案化的光阻层覆盖的所述金属层，形成所述表面粗糙的图案化金属层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述蚀刻液为硫酸与双氧水的混合溶液。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在基板上沉积金属层包括：
通过物理气相沉积法在所述基板上沉积金属层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述金属层上通过光刻工艺形成图案化光阻层包括：
在所述金属层上进行光阻涂布以形成光阻层；
对所述光阻层进行曝光处理以在所述光阻层上形成图案；
对形成图案的所述光阻层进行显影处理以形成所述图案化光阻层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述剥离所述图案化光阻层包括：
在所述图案化的光阻层上滴入去光阻液，并在所述去光阻液与所述图案化的光阻层发生化学反应之后进行清洗，以去除所述图案化光阻层。
9.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管通过如权利要求1～8任一项所述的方法制备而成。
10.一种显示器，其特征在于，所述显示器包括权利要求9所述的薄膜晶体管。
CN201710170594.4A 2017-03-21 2017-03-21 一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器 Pending CN106803485A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710170594.4A CN106803485A (zh) 2017-03-21 2017-03-21 一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710170594.4A CN106803485A (zh) 2017-03-21 2017-03-21 一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106803485A true CN106803485A (zh) 2017-06-06

Family

ID=58987090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710170594.4A Pending CN106803485A (zh) 2017-03-21 2017-03-21 一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106803485A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108598174A (zh) * 2018-05-09 2018-09-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板的制作方法
CN111180333A (zh) * 2020-01-03 2020-05-19 云谷（固安）科技有限公司 显示面板制作方法和显示面板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020056699A1 (en) * 2000-11-10 2002-05-16 Hannstar Display Corp. Method for eliminating surface roughness in metal lines
CN1992150A (zh) * 2005-12-30 2007-07-04 中华映管股份有限公司 薄膜刻蚀方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020056699A1 (en) * 2000-11-10 2002-05-16 Hannstar Display Corp. Method for eliminating surface roughness in metal lines
CN1992150A (zh) * 2005-12-30 2007-07-04 中华映管股份有限公司 薄膜刻蚀方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108598174A (zh) * 2018-05-09 2018-09-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板的制作方法
WO2019214413A1 (zh) * 2018-05-09 2019-11-14 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板的制作方法
CN111180333A (zh) * 2020-01-03 2020-05-19 云谷（固安）科技有限公司 显示面板制作方法和显示面板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108037637A (zh) 一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺
CN106803485A (zh) 一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器
CN109979798A (zh) 碳化硅晶圆湿法腐蚀方法
JP2002258486A (ja) パターン形成方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法
JP6947925B2 (ja) Ｔｆｔアレイ基板の製造方法及びディスプレイ装置の製造方法
JPH11231347A (ja) アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
CN104317173B (zh) 一种提高剥离工艺成品率的方法
CN112320752A (zh) 负性光刻胶图形化膜层的制备方法
KR20010065038A (ko) 박막트랜지스터 및 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
KR100442293B1 (ko) 패턴 형성방법
JP3157772B2 (ja) メタル配線のリペア方法
CN107132733A (zh) 一种led芯片光刻显影方法
CN109343259B (zh) 一种液晶透镜及其制备方法
JPH03102324A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JP2009063649A (ja) 薬液及びそれを用いた基板処理方法
JP2007273567A (ja) 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法
WO2000045222A1 (fr) Masque photolithographique et procede de fabrication de celui-ci
JPH11204414A (ja) パターン形成法
JPH06132208A (ja) 基板のパターニング法
JP2002231603A (ja) レジストパターン形成方法及びそれを用いたアクティブマトリクス基板の製造方法
JPH06275511A (ja) ポリイミドパターンの形成方法
KR100413971B1 (ko) 플라스틱 박막상의 인듐주석산화막 패턴 형성 방법과 그를 위한 회전 도포기
JPH09320981A (ja) 深溝底部における電極パターン形成方法
JPH1152402A (ja) 液晶装置及びその製造方法
CN107680935A (zh) 低温多晶硅阵列基板、阵列基板的制造方法及其显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20171025

Address after: 518000 No. 9-2 Ming Avenue, Gongming street, Guangming District, Guangdong, Shenzhen

Applicant after: Shenzhen Huaxing photoelectric semiconductor display technology Co., Ltd.

Address before: 518006 9-2, Guangming Road, Guangming New District, Guangdong, Shenzhen

Applicant before: Shenzhen Huaxing Optoelectronic Technology Co., Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170606

RJ01 Rejection of invention patent application after publication