JP6947925B2 - Ｔｆｔアレイ基板の製造方法及びディスプレイ装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明はディスプレイ技術の分野に関するものであり、具体的にはアレイ基板の製造方法及びディスプレイ装置の製造方法に関するものである。
薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ(ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ−ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ、略称ＴＦＴ−ＬＣＤ)は、現在最も広く用いられているフラットパネルディスプレイである。液晶パネルの製造技術が成熟し、進歩するにつれて、生産工程を簡素化し、工程時間を短縮し、且つ工程効率を高めることは、生産コストを下げて業界の激しい競争を生き残るための重要な手段となる。このため、３段階フォトエッチング工程を用いてＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板構造を製造する技術が出現している。
３段階フォトエッチング工程は、４段階フォトエッチング工程を基礎として、ハーフトーンフォトマスクを用いた透明電極の剥離工程を組み入れたものである。パッシベーション層の穴開けが完了した後、フォトレジストを除去せずに直接透明電極を成膜し、成膜後にフォトレジストは除去される。透明電極の剥離工程における難点として、フォトレジスト上に透明電極が被覆していることで、剥離液は透明電極が被覆していないアンダーカット領域からしかフォトレジストを剥離できず、アンダーカットが小さい領域では、剥離効率が高くなく、フォトレジストが残存するという問題が生じ、パネルの品質に影響を及ぼすこととなる。
本発明は、アレイ基板の製造方法及びディスプレイ装置の製造方法を提供し、透明電極を剥離する過程において、剥離液が接触する剥離領域が小さいために、フォトレジスト及び透明電極の剥離効率が低く、剥離に要する時間が長くなるという問題を解決することを目的とする。
上述の目的を実現するために、本発明が提供する技術案は以下の通りである。
本発明の一態様として、アレイ基板の製造方法を提供する。当該アレイ基板の製造方法は、下記のステップＳ１０乃至ステップＳ７０を含む。
ステップＳ１０において、基板を提供し；
ステップＳ２０において、前記基板の表面にパッシベーション層を堆積させ；
ステップＳ３０において、前記パッシベーション層の表面に水溶性有機物層を形成し、前記水溶性有機物は水に溶解しやすい材料であり、前記水溶性有機物は、水酸基、アルデヒド基、カルボキシ基、アミノ基及びスルホン酸基の内の１つ又は少なくとも２つを含み；
ステップＳ４０において、前記水溶性有機物層の表面にフォトレジスト層を塗布し、前記フォトレジスト層を露光及び現像に供することで、フォトレジスト層パターン及び水溶性有機物層パターンが得られ、前記フォトレジスト層パターンは、間隔を置いて設けられた複数のフォトレジスト領域を含み、前記水溶性有機物層パターンは、間隔を置いて設けられた複数の水溶性有機物領域を含み、前記フォトレジスト領域は、前記水溶性有機物領域の上方に配置されており、前記水溶性有機物領域の横断面は、前記フォトレジスト領域の底面の横断面よりも小さく；
ステップＳ５０において、前記パッシベーション層に対してドライエッチングを行なうことで、前記パッシベーション層パターンの横断面と前記水溶性有機物層パターンの横断面が同一となり；
ステップＳ６０において、前記基板上に透明電極を堆積させ、前記透明電極は、前記基板の表面を覆う第１電極と、前記フォトレジスト層パターンの表面を覆う第２電極とを含み；及び
ステップＳ７０において、前記水溶性有機物層パターン及び前記フォトレジスト層パターンを剥離し、且つ前記第２電極を除去することで、前記透明電極のパターニングを行なう。
本発明の一実施形態において、前記水溶性有機物は、３，４−エチレンジオキシチオフェンポリマー及びポリスチレンスルホン酸塩の２種の物質で構成されている。
本発明の一実施形態において、前記フォトレジスト層を露光及び現像に供する際、現像液が前記フォトレジスト層パターンの下方にある前記水溶性有機物層の横方向に対してエッチングを行なうことで、前記水溶性有機物領域の横断面は前記フォトレジスト領域の横断面よりも小さくなり、前記フォトレジスト領域は台形を呈するようになり、前記フォトレジスト領域の上部の横断面は下部の横断面よりも小さくなる。
本発明の一実施形態において、前記ステップＳ５０では、
エッチングガスを用いて前記パッシベーション層に対してエッチングを行なうことで、前記パッシベーション層パターンの横断面と前記水溶性有機物層パターンの横断面が同一となり、且つ前記エッチングガスが前記水溶性有機物層をエッチングすることで、前記水溶性有機物層パターンの横断面をさらに縮小させる。
本発明の一実施形態において、前記ステップＳ７０では、
剥離液を用いて、前記水溶性有機物層を剥離するとともに、前記フォトレジスト層パターン及び前記第２電極を剥離し、前記水溶性有機物層パターンは前記剥離液中で溶解する。
本発明の他の態様として、ディスプレイ装置の製造方法を提供する。当該ディスプレイ装置の製造方法は、アレイ基板の製造方法とカラーフィルタ基板の製造方法とを含む。当該アレイ基板の製造方法は、下記のステップＳ１０乃至ステップＳ７０を含む。
ステップＳ１０において、基板を提供し；
ステップＳ２０において、前記基板の表面にパッシベーション層を堆積させ；
ステップＳ３０において、前記パッシベーション層の表面に水溶性有機物層を形成し、前記水溶性有機物は水に溶解しやすい材料であり；
ステップＳ４０において、前記水溶性有機物層の表面にフォトレジスト層を塗布し、前記フォトレジスト層を露光及び現像に供することで、フォトレジスト層パターン及び水溶性有機物層パターンが得られ、前記フォトレジスト層パターンは、間隔を置いて設けられた複数のフォトレジスト領域を含み、前記水溶性有機物層パターンは、間隔を置いて設けられた複数の水溶性有機物領域を含み、前記フォトレジスト領域は、前記水溶性有機物領域の上方に配置されており、前記水溶性有機物領域の横断面は、前記フォトレジスト領域の底面の横断面よりも小さく；
ステップＳ５０において、前記パッシベーション層に対してドライエッチングを行なうことで、前記パッシベーション層パターンの横断面と前記水溶性有機物層パターンの横断面が同一となり；
ステップＳ６０において、前記基板上に透明電極を堆積させ、前記透明電極は、前記基板の表面を覆う第１電極と、前記フォトレジスト層パターンの表面を覆う第２電極とを含み；及び
ステップＳ７０において、前記水溶性有機物層及び前記フォトレジスト層を剥離し、且つ前記第２電極を除去することで、前記透明電極のパターニングを行なう。
本発明の一実施形態において、前記水溶性有機物は、３，４−エチレンジオキシチオフェンポリマー及びポリスチレンスルホン酸塩の２種の物質で構成されている。
本発明の一実施形態において、前記フォトレジスト層を露光及び現像に供する際、現像液が前記水溶性有機物領域の横方向に対してエッチングを行なうことで、前記水溶性有機物領域の横断面は前記フォトレジスト領域の横断面よりも小さくなり、前記フォトレジスト領域は台形を呈するようになり、前記フォトレジスト領域の上部の横断面は下部の横断面よりも小さくなる。
本発明のさらなる態様として、アレイ基板の製造方法を提供する。当該アレイ基板の製造方法は下記のステップＳ１０乃至ステップＳ７０を含む。
ステップＳ１０において、基板を提供し；
ステップＳ２０において、前記基板の表面にパッシベーション層を堆積させ；
ステップＳ３０において、前記パッシベーション層の表面に水溶性有機物層を形成し、前記水溶性有機物は水に溶解しやすい材料であり；
ステップＳ４０において、前記水溶性有機物層の表面にフォトレジスト層を塗布し、前記フォトレジスト層を露光及び現像に供することで、フォトレジスト層パターン及び水溶性有機物層パターンが得られ、前記フォトレジスト層パターンは、間隔を置いて設けられた複数のフォトレジスト領域を含み、前記水溶性有機物層パターンは、間隔を置いて設けられた複数の水溶性有機物領域を含み、前記フォトレジスト領域は、前記水溶性有機物領域の上方に配置されており、前記水溶性有機物領域の横断面は、前記フォトレジスト領域の底面の横断面よりも小さく；
ステップＳ５０において、前記パッシベーション層に対してドライエッチングを行なうことで、前記パッシベーション層パターンの横断面と前記水溶性有機物層パターンの横断面が同一となり；
ステップＳ６０において、前記基板上に透明電極を堆積させ、前記透明電極は、前記基板の表面を覆う第１電極と、前記フォトレジスト層パターンの表面を覆う第２電極とを含み；及び
ステップＳ７０において、前記水溶性有機物層パターン及び前記フォトレジスト層パターンを剥離し、且つ前記第２電極を除去することで、前記透明電極のパターニングを行なう。
本発明の一実施形態において、前記水溶性有機物は、水酸基、アルデヒド基、カルボキシ基、アミノ基及びスルホン酸基の内の１つ又は少なくとも２つを含む。
本発明の一実施形態において、前記水溶性有機物は、３，４−エチレンジオキシチオフェンポリマー及びポリスチレンスルホン酸塩の２種の物質で構成されている。
本発明の一実施形態において、前記フォトレジスト層を露光及び現像に供する際、現像液が前記フォトレジスト層パターンの下方にある前記水溶性有機物層の横方向に対してエッチングを行なうことで、前記水溶性有機物領域の横断面は前記フォトレジスト領域の横断面よりも小さくなり、前記フォトレジスト領域は台形を呈するようになり、前記フォトレジスト領域の上部の横断面は下部の横断面よりも小さくなる。
本発明の一実施形態において、前記ステップＳ５０では、
エッチングガスを用いて前記パッシベーション層に対してエッチングを行なうことで、前記パッシベーション層パターンの横断面と前記水溶性有機物層パターンの横断面が同一となり、且つ前記エッチングガスが前記水溶性有機物層をエッチングすることで、前記水溶性有機物層パターンの横断面をさらに縮小させる。
本発明の一実施形態において、前記ステップＳ７０では、
剥離液を用いて、前記水溶性有機物層を剥離するとともに、前記フォトレジスト層パターン及び前記第２電極を剥離し、前記水溶性有機物層パターンは前記剥離液中で溶解する。
本発明は、アレイ基板の製造方法及びディスプレイ装置の製造方法を提供するものである。パッシベーション層の表面に水溶性有機物層を設けることで、剥離領域の面積を増大させ、剥離液が水溶性有機物層を溶解することができるようになり、以って水溶性有機物層上を被覆するフォトレジスト及び透明電極を除去し、透明電極の剥離効率を向上させることができる。
実施形態又は既存の技術における技術案をより明確に説明するために、以下において、実施形態又は既存の技術に係る記述で必要とされる添付の図面を簡単に紹介する。以下に記載の添付の図面は明らかに、本発明における一部の実施形態を示すものにすぎず、本分野の通常の技術者であるならば、如何なる創造的労力も費やさないことを前提として、これら添付の図面に基づいて他の添付の図面を得ることもできる。
本発明の実施形態におけるアレイ基板の製造フローチャートである。 本発明の実施形態におけるアレイ基板の製造フローを示す概略図である。 本発明の実施形態におけるアレイ基板の製造フローを示す概略図である。 本発明の実施形態におけるアレイ基板の製造フローを示す概略図である。 本発明の実施形態におけるアレイ基板の製造フローを示す概略図である。 本発明の実施形態におけるアレイ基板の製造フローを示す概略図である。
以下における各実施形態の説明は添付の図面を参照してなされており、本発明で実施可能な特定の実施形態が例示されている。本発明で用いられている方向を示す用語としては、例えば「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「内」、「外」、「側面」等があるが、これらは添付の図式における方向を参照するためのものにすぎない。従って、用いられている方向を示す用語は、本発明の説明及び理解に供されるものであり、本発明を限定するものではない。図中、類似の構造を有するユニットには同一の符号が付されている。
以下、添付の図面及び具体的な実施形態に基づいて、本発明についてのさらなる説明を行なう。
図１は、本発明の実施形態におけるアレイ基板の製造方法を示すフローチャートである。図２ａ乃至図２ｅは、本発明の実施形態におけるアレイ基板の製造プロセスを示す構造概略図である。
図２ａに示すように、ステップＳ１０では、基板１０１を提供する。
ステップＳ１０で提供される基板１０１は通常、ベース基板と薄膜トランジスタアレイとを含む薄膜トランジスタ基板である。前記ベース基板はガラス基板である。
ステップＳ２０では、前記基板１０１の表面にパッシベーション層１０２を堆積させる。
ここで、ステップＳ２０では、蒸着法を用いて前記基板１０１の表面にパッシベーション層１０２を堆積させ、前記パッシベーション層１０２は、窒化シリコン及び酸化シリコンの一方又は双方を用いて調製される。
ステップＳ３０では、前記パッシベーション層１０２の表面に水溶性有機物層１０３を形成し、前記水溶性有機物は水に溶解しやすい材料である。
前記水溶性有機物は、水酸基、アルデヒド基、アミノ基及びスルホン酸基の内の１つ又は少なくとも２つを含む。
本発明に係る一実施形態において、前記水溶性有機物層は、３，４−エチレンジオキシチオフェンポリマー及びポリスチレンスルホン酸塩の２種の物質で構成されている。ここで、３，４−エチレンジオキシチオフェンポリマーの水中における溶解度は比較的低く、水に溶解することのできるポリスチレンスルホン酸塩を添加することで、前記水溶性有機混合物の溶解度は大幅に向上する。３，４−エチレンジオキシチオフェンポリマーとポリスチレンスルホン酸塩との比率を調整することで、溶解度の異なる水溶性有機物層が得られ、具体的な比率は実際の実施状況に基づいて定められる。
水溶性有機物層１０３が水に溶解しやすい材料で調製されているため、後続の工程における洗浄が非常に容易となり、後の透明電極の剥離効率を大幅に向上させることができる。
図２ｂに示すように、ステップＳ４０では、前記水溶性有機物層の表面にフォトレジスト層を塗布し、前記フォトレジスト層を露光及び現像に供することで、フォトレジスト層パターン及び水溶性有機物層パターンが得られる。前記フォトレジスト層パターンは、間隔を置いて設けられた複数のフォトレジスト領域を含み、前記水溶性有機物層パターンは、間隔を置いて設けられた複数の水溶性有機物領域１０３ａを含む。前記フォトレジスト領域１０４は、前記水溶性有機物領域１０３ａの上方に配置されており、前記水溶性有機物領域１０３ａの横断面は、前記フォトレジスト領域１０４の底面の横断面よりも小さい。
当該ステップＳ４０では、まず、黄色光工程を行なう。即ち、前記水溶性有機物層１０３の表面にフォトレジスト層を塗布し、このフォトレジスト層を露光及び現像に供することで、フォトレジスト層パターン及び水溶性有機物層パターンを形成する。現像液で水溶性有機物層１０３に対してエッチングを行なう過程において、現像液による横方向のエッチングにより、前記水溶性有機物層領域１０３ａの横断面は前記フォトレジスト領域１０４の横断面よりも小さくなる。ここで、フォトレジスト層によって保護されていない水溶性有機物領域では、前記水溶性有機物は完全に洗浄される。
黄色光工程では、ハーフトーンフォトマスクを用いて前記フォトレジスト層を露光することで、ビアホールが形成され、且つスリット電極の成形が完了する。
図２ｃに示すように、ステップＳ５０では、前記パッシベーション層１０２に対してドライエッチングを行なうことで、前記パッシベーション層パターンの横断面と前記水溶性有機物層パターンの横断面が同一となる。
ステップＳ５０では、前記パッシベーション層１０２に対してドライエッチングを行なうことで、パッシベーション層領域１０２ａが得られる。パッシベーション層１０２に対してドライエッチングを行なう過程において、ドライエッチング用ガスによる水溶性有機物層１０３の横方向のエッチングが、水溶性有機物層領域１０３ａの横断面をさらに増して縮小させる。これにより、後続の透明電極の剥離工程において、剥離液中にフォトレジスト被覆領域が入るようになり、透明電極膜層の剥離効率が向上する。
図２ｄに示すように、ステップＳ６０では、前記基板１０１上に透明電極１０５を堆積させ、前記透明電極は、前記基板の表面を覆う第１電極１０５２と、前記フォトレジスト層パターンの表面を覆う第２電極１０５１とを含む。アンダーカット（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）の存在により、透明電極はアンダーカットにて切断され、剥離液に対して水溶性有機物層１０３のパターンをスムーズに溶解することができるような有利な条件が提供されることとなる。
図２ｅに示すように、ステップＳ７０では、前記水溶性有機物層パターン及び前記フォトレジスト層パターンを剥離し、且つ前記第２電極１０５１を除去することで、前記透明電極１０５のパターニングを行なう。
ステップＳ７０の工程において、剥離液が水溶性有機物層パターンをスムーズに溶解することで、被覆しているフォトレジスト層パターン及び第２電極１０５１パターンが除去され、透明電極１０５のパターニングが完了する。
本発明に係る他の態様として、ディスプレイ装置の製造方法を提供する。前記ディスプレイ装置の製造方法は、アレイ基板の製造方法と、カラーフィルタ基板の製造方法とを含むものであり、前記アレイ基板の製造方法は以下のステップを含む。
ステップＳ１０：基板を提供する。
ステップＳ２０：前記基板の表面にパッシベーション層を堆積させる。
ステップＳ３０：前記パッシベーション層の表面に水溶性有機物層を形成し、前記水溶性有機物は水に溶解しやすい材料である。
ステップＳ４０：前記水溶性有機物の表面にフォトレジスト層を塗布し、前記フォトレジスト層を露光及び現像に供することで、フォトレジスト層パターン及び水溶性有機物層パターンが得られる。前記フォトレジスト層パターンは、間隔を置いて設けられた複数のフォトレジスト領域を含み、前記水溶性有機物層パターンは、間隔を置いて設けられた複数の水溶性有機物領域を含む。前記フォトレジスト領域は、前記水溶性有機物領域の上方に配置されており、前記水溶性有機物領域の横断面は、前記フォトレジスト領域の底面の横断面よりも小さい。
ステップＳ５０：前記パッシベーション層に対してドライエッチングを行なうことで、前記パッシベーション層パターンの横断面と前記水溶性有機物層パターンの横断面が同一となる。
ステップＳ６０：前記基板上に透明電極を堆積させ、前記透明電極は、前記基板の表面を覆う第１電極と、前記フォトレジスト層パターンの表面を覆う第２電極とを含む。
ステップＳ７０：前記水溶性有機物層パターン及び前記フォトレジスト層パターンを剥離し、且つ前記第２電極を除去することで、前記透明電極のパターニングを行なう。
本実施形態におけるディスプレイ装置の製造方法の原理は、上記アレイ基板の製造方法の原理と同一である。その詳細については、上記好ましい実施形態におけるアレイ基板の製造方法の動作原理を参照されたい。ここでは、その説明を省略する。
本発明は、アレイ基板の製造方法及びディスプレイ装置の製造方法を提供するものである。パッシベーション層の表面に水溶性有機物層を設けることで、剥離領域の面積を増大させ、剥離液が水溶性有機物層を溶解することができるようになり、以って水溶性有機物層上を被覆するフォトレジスト及び透明電極を除去し、透明電極の剥離効率を向上させることができる。
以上のように、本発明はその好ましい実施形態を通じて上記において開示されたが、上述の好ましい実施形態は本発明を限定するものではない。本分野の通常の技術者は、本発明の趣旨及び範囲から逸脱しない限りにおいて、様々な変更及び修整を施すことができる。従って、本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で定められた範囲を基準とする。

Claims (12)

  1. 下記のステップＳ１０乃至ステップＳ７０を含むアレイ基板の製造方法であって、
    ステップＳ１０において、基板を提供し；
    ステップＳ２０において、前記基板の表面にパッシベーション層を堆積させ；
    ステップＳ３０において、前記パッシベーション層の表面に水溶性有機物層を形成し、前記水溶性有機物は水に溶解しやすい材料であり、前記水溶性有機物は、水酸基、アルデヒド基、カルボキシ基、アミノ基及びスルホン酸基の内の１つ又は少なくとも２つを含み；
    ステップＳ４０において、前記水溶性有機物層の表面にフォトレジスト層を塗布し、前記フォトレジスト層を露光及び現像に供することで、フォトレジスト層パターン及び水溶性有機物層パターンが得られ、前記フォトレジスト層パターンは、間隔を置いて設けられた複数のフォトレジスト領域を含み、前記水溶性有機物層パターンは、間隔を置いて設けられた複数の水溶性有機物領域を含み、前記フォトレジスト領域は、前記水溶性有機物領域の上方に配置されており、前記水溶性有機物領域の横断面は、前記フォトレジスト領域の底面の横断面よりも小さく；
    ステップＳ５０において、前記パッシベーション層に対してドライエッチングを行なうことで、パッシベーション層パターンが得られ、前記パッシベーション層パターンの横断面と前記水溶性有機物層パターンの横断面が同一となり；
    ステップＳ６０において、前記基板上に透明電極を堆積させ、前記透明電極は、前記基板の表面を覆う第１電極と、前記フォトレジスト層パターンの表面を覆う第２電極とを含み；及び
    ステップＳ７０において、前記水溶性有機物層パターン及び前記フォトレジスト層パターンを剥離し、且つ前記第２電極を除去することで、前記透明電極のパターニングを行ない、
    前記水溶性有機物は、３，４−エチレンジオキシチオフェンポリマー及びポリスチレンスルホン酸塩の２種の物質で構成されていることを特徴とするアレイ基板の製造方法。
  2. 前記フォトレジスト層を露光及び現像に供する際、現像液が前記水溶性有機物領域の横方向に対してエッチングを行なうことで、前記水溶性有機物領域の横断面は前記フォトレジスト領域の横断面よりも小さくなり、前記フォトレジスト領域は台形を呈するようになり、前記フォトレジスト領域の上部の横断面は下部の横断面よりも小さくなることを特徴とする請求項１に記載のアレイ基板の製造方法。
  3. 下記のステップＳ１０乃至ステップＳ７０を含むアレイ基板の製造方法であって、
    ステップＳ１０において、基板を提供し；
    ステップＳ２０において、前記基板の表面にパッシベーション層を堆積させ；
    ステップＳ３０において、前記パッシベーション層の表面に水溶性有機物層を形成し、前記水溶性有機物は水に溶解しやすい材料であり、前記水溶性有機物は、水酸基、アルデヒド基、カルボキシ基、アミノ基及びスルホン酸基の内の１つ又は少なくとも２つを含み；
    ステップＳ４０において、前記水溶性有機物層の表面にフォトレジスト層を塗布し、前記フォトレジスト層を露光及び現像に供することで、フォトレジスト層パターン及び水溶性有機物層パターンが得られ、前記フォトレジスト層パターンは、間隔を置いて設けられた複数のフォトレジスト領域を含み、前記水溶性有機物層パターンは、間隔を置いて設けられた複数の水溶性有機物領域を含み、前記フォトレジスト領域は、前記水溶性有機物領域の上方に配置されており、前記水溶性有機物領域の横断面は、前記フォトレジスト領域の底面の横断面よりも小さく；
    ステップＳ５０において、前記パッシベーション層に対してドライエッチングを行なうことで、パッシベーション層パターンが得られ、前記パッシベーション層パターンの横断面と前記水溶性有機物層パターンの横断面が同一となり；
    ステップＳ６０において、前記基板上に透明電極を堆積させ、前記透明電極は、前記基板の表面を覆う第１電極と、前記フォトレジスト層パターンの表面を覆う第２電極とを含み；及び
    ステップＳ７０において、前記水溶性有機物層パターン及び前記フォトレジスト層パターンを剥離し、且つ前記第２電極を除去することで、前記透明電極のパターニングを行ない、
    前記ステップＳ５０において、エッチングガスを用いて前記パッシベーション層に対してエッチングを行なうことで、前記パッシベーション層パターンの横断面と前記水溶性有機物層パターンの横断面が同一となり、且つ前記エッチングガスが前記水溶性有機物層をエッチングすることで、前記水溶性有機物層パターンの横断面をさらに縮小させることを特徴とするアレイ基板の製造方法。
  4. 前記ステップＳ７０において、剥離液を用いて、前記水溶性有機物層パターンを剥離するとともに、前記フォトレジスト層パターン及び前記第２電極を剥離し、前記水溶性有機物層パターンは前記剥離液中で溶解することを特徴とする請求項１に記載のアレイ基板の製造方法。
  5. アレイ基板の製造方法とカラーフィルタ基板の製造方法とを含むディスプレイ装置の製造方法であって、前記アレイ基板の製造方法は下記のステップＳ１０乃至ステップＳ７０を含み、
    ステップＳ１０において、基板を提供し；
    ステップＳ２０において、前記基板の表面にパッシベーション層を堆積させ；
    ステップＳ３０において、前記パッシベーション層の表面に水溶性有機物層を形成し、前記水溶性有機物は水に溶解しやすい材料であり；
    ステップＳ４０において、前記水溶性有機物層の表面にフォトレジスト層を塗布し、前記フォトレジスト層を露光及び現像に供することで、フォトレジスト層パターン及び水溶性有機物層パターンが得られ、前記フォトレジスト層パターンは、間隔を置いて設けられた複数のフォトレジスト領域を含み、前記水溶性有機物層パターンは、間隔を置いて設けられた複数の水溶性有機物領域を含み、前記フォトレジスト領域は、前記水溶性有機物領域の上方に配置されており、前記水溶性有機物領域の横断面は、前記フォトレジスト領域の底面の横断面よりも小さく；
    ステップＳ５０において、前記パッシベーション層に対してドライエッチングを行なうことで、パッシベーション層パターンが得られ、前記パッシベーション層パターンの横断面と前記水溶性有機物層パターンの横断面が同一となり；
    ステップＳ６０において、前記基板上に透明電極を堆積させ、前記透明電極は、前記基板の表面を覆う第１電極と、前記フォトレジスト層パターンの表面を覆う第２電極とを含み；及び
    ステップＳ７０において、前記水溶性有機物層及び前記フォトレジスト層を剥離し、且つ前記第２電極を除去することで、前記透明電極のパターニングを行ない、
    前記水溶性有機物は、水酸基、アルデヒド基、カルボキシ基、アミノ基及びスルホン酸基の内の１つ又は少なくとも２つを含み、
    前記水溶性有機物は、３，４−エチレンジオキシチオフェンポリマー及びポリスチレンスルホン酸塩の２種の物質で構成されていることを特徴とするディスプレイ装置の製造方法。
  6. 前記フォトレジスト層を露光及び現像に供する際、現像液が前記水溶性有機物領域の横方向に対してエッチングを行なうことで、前記水溶性有機物領域の横断面は前記フォトレジスト領域の横断面よりも小さくなり、前記フォトレジスト領域は台形を呈するようになり、前記フォトレジスト領域の上部の横断面は下部の横断面よりも小さくなることを特徴とする請求項４に記載のディスプレイ装置の製造方法。
  7. 下記のステップＳ１０乃至ステップＳ７０を含むアレイ基板の製造方法であって、
    ステップＳ１０において、基板を提供し；
    ステップＳ２０において、前記基板の表面にパッシベーション層を堆積させ；
    ステップＳ３０において、前記パッシベーション層の表面に水溶性有機物層を形成し、前記水溶性有機物は水に溶解しやすい材料であり；
    ステップＳ４０において、前記水溶性有機物層の表面にフォトレジスト層を塗布し、前記フォトレジスト層を露光及び現像に供することで、フォトレジスト層パターン及び水溶性有機物層パターンが得られ、前記フォトレジスト層パターンは、間隔を置いて設けられた複数のフォトレジスト領域を含み、前記水溶性有機物層パターンは、間隔を置いて設けられた複数の水溶性有機物領域を含み、前記フォトレジスト領域は、前記水溶性有機物領域の上方に配置されており、前記水溶性有機物領域の横断面は、前記フォトレジスト領域の底面の横断面よりも小さく；
    ステップＳ５０において、前記パッシベーション層に対してドライエッチングを行なうことで、パッシベーション層パターンが得られ、前記パッシベーション層パターンの横断面と前記水溶性有機物層パターンの横断面が同一となり；
    ステップＳ６０において、前記基板上に透明電極を堆積させ、前記透明電極は、前記基板の表面を覆う第１電極と、前記フォトレジスト層パターンの表面を覆う第２電極とを含み；及び
    ステップＳ７０において、前記水溶性有機物層パターン及び前記フォトレジスト層パターンを剥離し、且つ前記第２電極を除去することで、前記透明電極のパターニングを行ない、
    前記水溶性有機物は、３，４−エチレンジオキシチオフェンポリマー及びポリスチレンスルホン酸塩の２種の物質で構成されていることを特徴とするアレイ基板の製造方法。
  8. 前記フォトレジスト層を露光及び現像に供する際、現像液が前記水溶性有機物領域の横方向に対してエッチングを行なうことで、前記水溶性有機物領域の横断面は前記フォトレジスト領域の横断面よりも小さくなり、前記フォトレジスト領域は台形を呈するようになり、前記フォトレジスト領域の上部の横断面は下部の横断面よりも小さくなることを特徴とする請求項７に記載のアレイ基板の製造方法。
  9. 下記のステップＳ１０乃至ステップＳ７０を含むアレイ基板の製造方法であって、
    ステップＳ１０において、基板を提供し；
    ステップＳ２０において、前記基板の表面にパッシベーション層を堆積させ；
    ステップＳ３０において、前記パッシベーション層の表面に水溶性有機物層を形成し、前記水溶性有機物は水に溶解しやすい材料であり；
    ステップＳ４０において、前記水溶性有機物層の表面にフォトレジスト層を塗布し、前記フォトレジスト層を露光及び現像に供することで、フォトレジスト層パターン及び水溶性有機物層パターンが得られ、前記フォトレジスト層パターンは、間隔を置いて設けられた複数のフォトレジスト領域を含み、前記水溶性有機物層パターンは、間隔を置いて設けられた複数の水溶性有機物領域を含み、前記フォトレジスト領域は、前記水溶性有機物領域の上方に配置されており、前記水溶性有機物領域の横断面は、前記フォトレジスト領域の底面の横断面よりも小さく；
    ステップＳ５０において、前記パッシベーション層に対してドライエッチングを行なうことで、パッシベーション層パターンが得られ、前記パッシベーション層パターンの横断面と前記水溶性有機物層パターンの横断面が同一となり；
    ステップＳ６０において、前記基板上に透明電極を堆積させ、前記透明電極は、前記基板の表面を覆う第１電極と、前記フォトレジスト層パターンの表面を覆う第２電極とを含み；及び
    ステップＳ７０において、前記水溶性有機物層パターン及び前記フォトレジスト層パターンを剥離し、且つ前記第２電極を除去することで、前記透明電極のパターニングを行ない、
    前記ステップＳ５０において、エッチングガスを用いて前記パッシベーション層に対してエッチングを行なうことで、前記パッシベーション層パターンの横断面と前記水溶性有機物層パターンの横断面が同一となり、且つ前記エッチングガスが前記水溶性有機物層をエッチングすることで、前記水溶性有機物層パターンの横断面をさらに縮小させることを特徴とするアレイ基板の製造方法。
  10. 前記ステップＳ７０において、剥離液を用いて、前記水溶性有機物層パターンを剥離するとともに、前記フォトレジスト層パターン及び前記第２電極を剥離し、前記水溶性有機物層パターンは前記剥離液中で溶解することを特徴とする請求項３に記載のアレイ基板の製造方法。
  11. 前記ステップＳ７０において、剥離液を用いて、前記水溶性有機物層パターンを剥離するとともに、前記フォトレジスト層パターン及び前記第２電極を剥離し、前記水溶性有機物層パターンは前記剥離液中で溶解することを特徴とする請求項７に記載のアレイ基板の製造方法。
  12. 前記ステップＳ７０において、剥離液を用いて、前記水溶性有機物層パターンを剥離するとともに、前記フォトレジスト層パターン及び前記第２電極を剥離し、前記水溶性有機物層パターンは前記剥離液中で溶解することを特徴とする請求項９に記載のアレイ基板の製造方法。
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