JPH11231347A - アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH11231347A JPH11231347A JP33303598A JP33303598A JPH11231347A JP H11231347 A JPH11231347 A JP H11231347A JP 33303598 A JP33303598 A JP 33303598A JP 33303598 A JP33303598 A JP 33303598A JP H11231347 A JPH11231347 A JP H11231347A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画素電極と配線がオーバーラップする構造の
ＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板において、高透過率、
高耐熱性の層間積層膜を効率的に生産する方法、及びそ
のようなＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板を有するアク
ティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を
形成してこれをウェットエッチング法によりパターニン
グし、この有機膜パターンをマスクとしたドライエッチ
ング法により下地をパターニングする。有機膜の材料と
してベンゾシクロブテンポリマー、又はポリシラザン化
合物、又はカルド型化合物とエポキシ基とを有する化合
物との重合体、又はアクリル系樹脂を用いる。
ＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板において、高透過率、
高耐熱性の層間積層膜を効率的に生産する方法、及びそ
のようなＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板を有するアク
ティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を
形成してこれをウェットエッチング法によりパターニン
グし、この有機膜パターンをマスクとしたドライエッチ
ング法により下地をパターニングする。有機膜の材料と
してベンゾシクロブテンポリマー、又はポリシラザン化
合物、又はカルド型化合物とエポキシ基とを有する化合
物との重合体、又はアクリル系樹脂を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）基板を有するアクティブマトリクス型液晶表
示装置及びその製造方法に関する。
（ＴＦＴ）基板を有するアクティブマトリクス型液晶表
示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基
板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置につい
て、図７に示すとともに以下に説明する。この装置は、
図７（ｂ）に示されるように、ＴＦＴ基板７３０とカラ
ーフィルター（ＣＦ）基板７１０との間にツイストネマ
ティック液晶層７２０を挟持する構造をとっている。Ｔ
ＦＴ基板７３０について見ると、ＴＦＴガラス基板１０
４上にゲート電極１０５、ゲート絶縁膜１０７、ａ−Ｓ
ｉ層１０９、ｎ＋ａ−Ｓｉ層１１０、ソース電極１１２
及びドレイン電極１１１、画素電極７３１、パッシベー
ション膜７３２を順に形成した構造をとっている。パッ
シベーション膜７３２としては、プラズマＣＶＤにより
成膜した３００ｎｍ程度のＳｉＮを用いるのが一般的で
ある。一方、ＣＦ基板６１０について見ると、ＣＦガラ
ス基板７１１上にブラックマトリクス７１２、色層７１
３、対向電極７１４を順に形成した構造をとっている。
板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置につい
て、図７に示すとともに以下に説明する。この装置は、
図７（ｂ）に示されるように、ＴＦＴ基板７３０とカラ
ーフィルター（ＣＦ）基板７１０との間にツイストネマ
ティック液晶層７２０を挟持する構造をとっている。Ｔ
ＦＴ基板７３０について見ると、ＴＦＴガラス基板１０
４上にゲート電極１０５、ゲート絶縁膜１０７、ａ−Ｓ
ｉ層１０９、ｎ＋ａ−Ｓｉ層１１０、ソース電極１１２
及びドレイン電極１１１、画素電極７３１、パッシベー
ション膜７３２を順に形成した構造をとっている。パッ
シベーション膜７３２としては、プラズマＣＶＤにより
成膜した３００ｎｍ程度のＳｉＮを用いるのが一般的で
ある。一方、ＣＦ基板６１０について見ると、ＣＦガラ
ス基板７１１上にブラックマトリクス７１２、色層７１
３、対向電極７１４を順に形成した構造をとっている。
【０００３】このような構造のアクティブマトリクス型
液晶表示装置においては、図７に示される光漏れ領域Ｂ
を遮光するために、前記ブラックマトリクス７１２を設
ける必要があった。従って、この遮光部の重ね合わせマ
ージンを考慮する必要上、液晶表示パネルの光透過領域
Ａが小さくなり、装置全体としての透過率が低下する点
に問題があった。
液晶表示装置においては、図７に示される光漏れ領域Ｂ
を遮光するために、前記ブラックマトリクス７１２を設
ける必要があった。従って、この遮光部の重ね合わせマ
ージンを考慮する必要上、液晶表示パネルの光透過領域
Ａが小さくなり、装置全体としての透過率が低下する点
に問題があった。
【０００４】そこで、前記光透過領域を大きくするすな
わち開口率を高めるための手段として、図８に示される
ように画素電極７３１とデータ線７０２及びゲート線７
０１がオーバーラップする構造が例えば特開平９−１５
２６２５号等に開示されいる。
わち開口率を高めるための手段として、図８に示される
ように画素電極７３１とデータ線７０２及びゲート線７
０１がオーバーラップする構造が例えば特開平９−１５
２６２５号等に開示されいる。
【０００５】このような構造のアクティブマトリクス型
液晶表示装置においては、画素電極７３２とデータ線７
０２及びゲート線７０１のオーバーラップ容量を低減す
るために、誘電率が低くかつ厚膜化可能な材料を用いて
層間絶縁膜８０１を形成する必要がある。具体的には、
従来用いられてきたＳｉＮからなる無機膜の上に、例え
ばアクリル系やポリイミド系の低比誘電率ポジ型感光性
樹脂を２〜４μm 積層した構造の層間絶縁膜を用いてい
た。
液晶表示装置においては、画素電極７３２とデータ線７
０２及びゲート線７０１のオーバーラップ容量を低減す
るために、誘電率が低くかつ厚膜化可能な材料を用いて
層間絶縁膜８０１を形成する必要がある。具体的には、
従来用いられてきたＳｉＮからなる無機膜の上に、例え
ばアクリル系やポリイミド系の低比誘電率ポジ型感光性
樹脂を２〜４μm 積層した構造の層間絶縁膜を用いてい
た。
【０００６】図９に上記層間絶縁膜８０１の製造工程を
示し、以下に説明する。従来と同様にプラズマＣＶＤに
より３００ｎｍ程度のＳｉＮ層１０２を積層し、パター
ニングによってコンタクトホール１１３を形成する（図
９（ａ））。次に、感光性樹脂を塗布した後に仮焼、露
光、及びアルカリ現像によりパターニングを行う（図９
（ｂ）及び（ｃ））。次に、ｉ線を含むＵＶ光を全面照
射して脱色させ、透明化する。次に、熱架橋反応により
樹脂を硬化させる。次に、ＩＴＯ等の透明性電極をスパ
ッタにより成膜し、画素電極７３２をパターニングする
（図９（ｄ））。最後に、２５０℃において３０分程度
アニールを行う。
示し、以下に説明する。従来と同様にプラズマＣＶＤに
より３００ｎｍ程度のＳｉＮ層１０２を積層し、パター
ニングによってコンタクトホール１１３を形成する（図
９（ａ））。次に、感光性樹脂を塗布した後に仮焼、露
光、及びアルカリ現像によりパターニングを行う（図９
（ｂ）及び（ｃ））。次に、ｉ線を含むＵＶ光を全面照
射して脱色させ、透明化する。次に、熱架橋反応により
樹脂を硬化させる。次に、ＩＴＯ等の透明性電極をスパ
ッタにより成膜し、画素電極７３２をパターニングする
（図９（ｄ））。最後に、２５０℃において３０分程度
アニールを行う。
【０００７】このようにして得られたＴＦＴ基板を有す
るアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、光
漏れ領域がなくなり、ブラックマトリックスが不要とな
るので、開口率を高めることが可能であった。
るアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、光
漏れ領域がなくなり、ブラックマトリックスが不要とな
るので、開口率を高めることが可能であった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記公
知例においては、ＳｉＮ層と有機膜とのそれぞれにおい
て層形成及びパターニングを行っていた。また、ウェッ
トエッチングによる有機膜のパターニング後には、コン
タクト不良の原因となる樹脂残存物を除去する目的でド
ライエッチングを行うことが望ましく、これらによって
工数が増加し、作業性、生産性の面で問題があった。そ
こでこのような工数の増加を少しでも防いで生産性を向
上させるために、上記工程をなるべく一括して行うこ
と、例えば、ＳｉＮ層と有機膜を順次形成し、有機膜を
ウェットエッチングした後に、得られた有機膜パターン
をマスクとして下地のドライエッチングを行う方法が考
えられる。
知例においては、ＳｉＮ層と有機膜とのそれぞれにおい
て層形成及びパターニングを行っていた。また、ウェッ
トエッチングによる有機膜のパターニング後には、コン
タクト不良の原因となる樹脂残存物を除去する目的でド
ライエッチングを行うことが望ましく、これらによって
工数が増加し、作業性、生産性の面で問題があった。そ
こでこのような工数の増加を少しでも防いで生産性を向
上させるために、上記工程をなるべく一括して行うこ
と、例えば、ＳｉＮ層と有機膜を順次形成し、有機膜を
ウェットエッチングした後に、得られた有機膜パターン
をマスクとして下地のドライエッチングを行う方法が考
えられる。
【０００９】しかしながら、ポジ型アクリル感光性樹脂
は耐ドライエッチング性に乏しく、ドライエッチングに
よってその表面が著しく損耗されてしまうので、このよ
うな方法を適用することはできなかった。
は耐ドライエッチング性に乏しく、ドライエッチングに
よってその表面が著しく損耗されてしまうので、このよ
うな方法を適用することはできなかった。
【００１０】また、これら有機膜は液晶表示装置に適用
されるものである以上、光透過率（特にｉ線付近での光
透過率）が良好であることが要求されるが、ポジ型感光
性アクリル樹脂はｉ線付近での光透過率が低く、さら
に、感光基の耐熱性が十分でないことから後工程のアニ
ール等熱処理によって透過率がさらに低下してしまい、
必要とされる性能を得られないという問題があった。
されるものである以上、光透過率（特にｉ線付近での光
透過率）が良好であることが要求されるが、ポジ型感光
性アクリル樹脂はｉ線付近での光透過率が低く、さら
に、感光基の耐熱性が十分でないことから後工程のアニ
ール等熱処理によって透過率がさらに低下してしまい、
必要とされる性能を得られないという問題があった。
【００１１】一方ポリイミド樹脂について見ると、耐ド
ライエッチング性は良好であるものの、光透過率に関し
てはやはり十分ではなく、この点についての改善が望ま
れていた。
ライエッチング性は良好であるものの、光透過率に関し
てはやはり十分ではなく、この点についての改善が望ま
れていた。
【００１２】そこで、本発明の課題は、画素電極と配線
がオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジス
タ）基板において、高い光透過率、耐ドライエッチング
性、及び耐熱性を有する層間積層膜を効率的に生産する
方法を提供することである。また、そのようなＴＦＴ
（薄型トランジスタ）基板を有するアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を提供することである。
がオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジス
タ）基板において、高い光透過率、耐ドライエッチング
性、及び耐熱性を有する層間積層膜を効率的に生産する
方法を提供することである。また、そのようなＴＦＴ
（薄型トランジスタ）基板を有するアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決すべく鋭意研究を重ね、アクティブマトリクス型液
晶表示装置のＴＦＴ基板への適用が最適である有機膜の
材料として、従来よりも高い光透過率、耐ドライエッチ
ング性、及び耐熱性を有する化合物、及びそれらにより
適正かつ効率的に有機膜を形成することが可能な方法に
ついてそれぞれ検討し、以下の解決手段を得た。
解決すべく鋭意研究を重ね、アクティブマトリクス型液
晶表示装置のＴＦＴ基板への適用が最適である有機膜の
材料として、従来よりも高い光透過率、耐ドライエッチ
ング性、及び耐熱性を有する化合物、及びそれらにより
適正かつ効率的に有機膜を形成することが可能な方法に
ついてそれぞれ検討し、以下の解決手段を得た。
【００１４】すなわち本発明のアクティブマトリクス型
液晶表示装置の製造方法は、画素電極と配線がオーバー
ラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板の層
間絶縁膜を形成する工程において、前記層間絶縁膜の少
なくとも一部に有機膜を形成してこれをパターニング
し、得られた有機膜パターンをマスクとして下地のパタ
ーニングを行うことを特徴とする。これにより、製造工
程を簡略化することができ、生産性が向上する。
液晶表示装置の製造方法は、画素電極と配線がオーバー
ラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板の層
間絶縁膜を形成する工程において、前記層間絶縁膜の少
なくとも一部に有機膜を形成してこれをパターニング
し、得られた有機膜パターンをマスクとして下地のパタ
ーニングを行うことを特徴とする。これにより、製造工
程を簡略化することができ、生産性が向上する。
【００１５】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、ウェットエッチング法により有
機膜のパターニングを行い、かつＯ2又はＣＦ4又はＣＨ
Ｆ3又はＳＦ6のうち少なくとも１種類以上のガスを選択
して用いたドライエッチング法により下地のパターニン
グを行うことを特徴とする。これにより、製造工程を簡
略化することができ、生産性が向上する。また、ドライ
エッチング工程においてウエットエッチング後の樹脂残
存物除去を同時に行なうことができる。
表示装置の製造方法は、ウェットエッチング法により有
機膜のパターニングを行い、かつＯ2又はＣＦ4又はＣＨ
Ｆ3又はＳＦ6のうち少なくとも１種類以上のガスを選択
して用いたドライエッチング法により下地のパターニン
グを行うことを特徴とする。これにより、製造工程を簡
略化することができ、生産性が向上する。また、ドライ
エッチング工程においてウエットエッチング後の樹脂残
存物除去を同時に行なうことができる。
【００１６】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、樹脂を塗布した後に仮焼を行っ
て有機膜を形成する工程と、形成された有機膜の表面に
レジストを塗布して焼成、露光及び現像を行ってレジス
トパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを
マスクとして前記有機膜をウェットエッチングして有機
膜パターンを得る工程と、前記有機膜パターンをマスク
として下地をドライエッチングする工程と、前記レジス
トを除去する工程と、再焼成を行って前記有機膜パター
ンを完全に硬化させる工程とからなることを特徴とす
る。これにより、製造工程を簡略化することができ、生
産性が向上する。また、ドライエッチング工程において
ウエットエッチング後の樹脂残存物除去を同時に行なう
ことができる。
表示装置の製造方法は、樹脂を塗布した後に仮焼を行っ
て有機膜を形成する工程と、形成された有機膜の表面に
レジストを塗布して焼成、露光及び現像を行ってレジス
トパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを
マスクとして前記有機膜をウェットエッチングして有機
膜パターンを得る工程と、前記有機膜パターンをマスク
として下地をドライエッチングする工程と、前記レジス
トを除去する工程と、再焼成を行って前記有機膜パター
ンを完全に硬化させる工程とからなることを特徴とす
る。これにより、製造工程を簡略化することができ、生
産性が向上する。また、ドライエッチング工程において
ウエットエッチング後の樹脂残存物除去を同時に行なう
ことができる。
【００１７】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、感光剤としてナフトキノンジア
ゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤とし
てメチルアミン系溶剤又はプロピレングリコールモノア
セチルアセテートを用いたポジ型レジストを用い、かつ
テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡ
Ｈ）溶液にて前記レジストの現像を行い、かつジメチル
スルオキシド（ＤＭＳＯ）とモノエタノールアミンとの
混合溶液又はＤＭＳＯとｎメチル２ピロリド（ＮＭＰ）
との混合溶液又は乳酸エチル又は酢酸ブチルを用いて前
記レジストの除去を行うことを特徴とする。これによ
り、有機膜の特性を損なうことなく、レジスト層の形成
及び除去を効率的に行うことができる。
表示装置の製造方法は、感光剤としてナフトキノンジア
ゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤とし
てメチルアミン系溶剤又はプロピレングリコールモノア
セチルアセテートを用いたポジ型レジストを用い、かつ
テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡ
Ｈ）溶液にて前記レジストの現像を行い、かつジメチル
スルオキシド（ＤＭＳＯ）とモノエタノールアミンとの
混合溶液又はＤＭＳＯとｎメチル２ピロリド（ＮＭＰ）
との混合溶液又は乳酸エチル又は酢酸ブチルを用いて前
記レジストの除去を行うことを特徴とする。これによ
り、有機膜の特性を損なうことなく、レジスト層の形成
及び除去を効率的に行うことができる。
【００１８】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、プロピレングリコールモノアセ
チルアセテートを溶剤としたベンゾシクロブテンポリマ
ーを塗布して１３０〜２００℃の温度範囲において仮焼
を行い、かつ１，３，５トリイソプロピルベンゼンと芳
香族炭化水素との混合溶液又はグリコールエーテルと合
成イソパラフィン系炭化水素との混合溶液を用いて有機
膜のウェットエッチングを行い、かつ２４０〜３００℃
の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする。こ
れにより、得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエ
ッチング性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化及び製
品の特性向上に寄与する。
表示装置の製造方法は、プロピレングリコールモノアセ
チルアセテートを溶剤としたベンゾシクロブテンポリマ
ーを塗布して１３０〜２００℃の温度範囲において仮焼
を行い、かつ１，３，５トリイソプロピルベンゼンと芳
香族炭化水素との混合溶液又はグリコールエーテルと合
成イソパラフィン系炭化水素との混合溶液を用いて有機
膜のウェットエッチングを行い、かつ２４０〜３００℃
の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする。こ
れにより、得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエ
ッチング性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化及び製
品の特性向上に寄与する。
【００１９】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、ポリシラザン化合物、又はポリ
シラザン化合物と感光基を含有しないアクリル化合物と
の重合体を塗布して１３０〜２００℃の温度範囲におい
て仮焼を行い、かつフッ酸緩衝液又はバッファードフッ
酸溶液を用いて有機膜のウエットエッチングを行い、か
つ２４０〜３００℃の温度範囲において再焼成を行うこ
とを特徴とする。これにより、得られる有機膜は高い光
透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、製
造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する。特に製造
工程簡略化に関しては、従来下地として使用されてきた
ＳｉＮx層が不要となり、その効果が大きい。
表示装置の製造方法は、ポリシラザン化合物、又はポリ
シラザン化合物と感光基を含有しないアクリル化合物と
の重合体を塗布して１３０〜２００℃の温度範囲におい
て仮焼を行い、かつフッ酸緩衝液又はバッファードフッ
酸溶液を用いて有機膜のウエットエッチングを行い、か
つ２４０〜３００℃の温度範囲において再焼成を行うこ
とを特徴とする。これにより、得られる有機膜は高い光
透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、製
造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する。特に製造
工程簡略化に関しては、従来下地として使用されてきた
ＳｉＮx層が不要となり、その効果が大きい。
【００２０】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、ウェットエッチング法により有
機膜のパターニングを行う工程において、レジストの現
像と有機膜のエッチングとを同時に行うことを特徴とす
る。これにより、製造工程がさらに簡略化される。
表示装置の製造方法は、ウェットエッチング法により有
機膜のパターニングを行う工程において、レジストの現
像と有機膜のエッチングとを同時に行うことを特徴とす
る。これにより、製造工程がさらに簡略化される。
【００２１】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、樹脂を塗布した後に仮焼を行っ
て有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及
び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジスト
パターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッ
チングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機
膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする
工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成して前
記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなること
を特徴とする。これにより、製造工程を簡略化すること
ができ、生産性が向上する。また、ドライエッチング工
程においてウエットエッチング後の樹脂残存物除去を同
時に行なうことができる。
表示装置の製造方法は、樹脂を塗布した後に仮焼を行っ
て有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及
び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジスト
パターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッ
チングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機
膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする
工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成して前
記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなること
を特徴とする。これにより、製造工程を簡略化すること
ができ、生産性が向上する。また、ドライエッチング工
程においてウエットエッチング後の樹脂残存物除去を同
時に行なうことができる。
【００２２】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、感光剤としてナフトキノンジア
ゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤とし
て前記有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又
はプロピレングリコールモノアセチルアセテート又は２
−ヘプタノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は
酢酸ブチル又はそれらの中から２種以上を選択して得ら
れる混合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテト
ラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶
液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチ
ングを行い、かつジメチルスルオキシド（ＤＭＳＯ）と
モノエタノールアミンとの混合溶液又はＤＭＳＯとｎメ
チル２ピロリド（ＮＭＰ）との混合溶液又は乳酸エチル
又は酢酸ブチルを用いて前記レジストの除去を行うこと
を特徴とする。これにより、レジストの現像と有機膜の
ウェットエッチングとを同時に行うことが可能となり、
工程が簡略かされる。また、有機膜の特性を損なうこと
なく、レジスト層の形成及び除去を効率的に行うことが
できる。
表示装置の製造方法は、感光剤としてナフトキノンジア
ゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤とし
て前記有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又
はプロピレングリコールモノアセチルアセテート又は２
−ヘプタノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は
酢酸ブチル又はそれらの中から２種以上を選択して得ら
れる混合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテト
ラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶
液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチ
ングを行い、かつジメチルスルオキシド（ＤＭＳＯ）と
モノエタノールアミンとの混合溶液又はＤＭＳＯとｎメ
チル２ピロリド（ＮＭＰ）との混合溶液又は乳酸エチル
又は酢酸ブチルを用いて前記レジストの除去を行うこと
を特徴とする。これにより、レジストの現像と有機膜の
ウェットエッチングとを同時に行うことが可能となり、
工程が簡略かされる。また、有機膜の特性を損なうこと
なく、レジスト層の形成及び除去を効率的に行うことが
できる。
【００２３】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、式１の構造式で表されるカルド
型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する
化合物との重合体を塗布して１１０〜１７０℃の温度範
囲において仮焼を行い、かつ２３０〜２８０℃の温度範
囲において再焼成を行うことを特徴とする。これによ
り、得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチン
グ性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化及び製品の特
性向上に寄与する。
表示装置の製造方法は、式１の構造式で表されるカルド
型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する
化合物との重合体を塗布して１１０〜１７０℃の温度範
囲において仮焼を行い、かつ２３０〜２８０℃の温度範
囲において再焼成を行うことを特徴とする。これによ
り、得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチン
グ性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化及び製品の特
性向上に寄与する。
【００２４】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、感光基を含有しないアクリル樹
脂を塗布して８０〜１００℃の温度範囲において仮焼を
行い、かつ２２０〜２６０℃の温度範囲において再焼成
を行うことを特徴とする。これにより、得られる有機膜
は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を
有し、製造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する。
表示装置の製造方法は、感光基を含有しないアクリル樹
脂を塗布して８０〜１００℃の温度範囲において仮焼を
行い、かつ２２０〜２６０℃の温度範囲において再焼成
を行うことを特徴とする。これにより、得られる有機膜
は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を
有し、製造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する。
【００２５】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、熱硬化型樹脂を塗布した後に仮
焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布し
て焼成及び露光を行う工程と、前記レジストを現像して
レジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェ
ットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、
前記有機膜パターンを熱架橋反応により半硬化させて現
像液に対して不溶化する工程と、前記有機膜パターンを
マスクとして下地をドライエッチングする工程と、基板
の少なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記レ
ジストをレジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前
記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パ
ターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴とす
る。これにより、熱硬化型樹脂の特性を利用して該樹脂
をレジスト剥離剤に対して不溶とすることが可能とな
り、該樹脂の特性を損なうことなく、レジスト層の形成
及び除去を効率的に行うことができる。また、レジスト
現像液のみで、レジストの現像及び有機膜パターンのエ
ッチングを行うことが可能であり、簡便かつ効率的であ
る。
表示装置の製造方法は、熱硬化型樹脂を塗布した後に仮
焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布し
て焼成及び露光を行う工程と、前記レジストを現像して
レジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェ
ットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、
前記有機膜パターンを熱架橋反応により半硬化させて現
像液に対して不溶化する工程と、前記有機膜パターンを
マスクとして下地をドライエッチングする工程と、基板
の少なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記レ
ジストをレジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前
記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パ
ターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴とす
る。これにより、熱硬化型樹脂の特性を利用して該樹脂
をレジスト剥離剤に対して不溶とすることが可能とな
り、該樹脂の特性を損なうことなく、レジスト層の形成
及び除去を効率的に行うことができる。また、レジスト
現像液のみで、レジストの現像及び有機膜パターンのエ
ッチングを行うことが可能であり、簡便かつ効率的であ
る。
【００２６】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、熱硬化型樹脂を塗布した後に仮
焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布し
て焼成及び露光を行なう工程と、前記レジストを現像し
てレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウ
ェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程
と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエ
ッチングする工程と、基板の少なくとも表側又は裏側か
らＵＶ光を照射して前記レジストをレジスト剥離剤に対
して可溶化する工程と、前記有機膜が不溶となるように
濃度調整したレジスト剥離剤を用いて前記レジストを除
去する工程と、再焼成して前記有機撒くパターンを完全
に硬化する工程とからなることを特徴とする。これによ
り、熱架橋反応のための熱処理を行なった場合と同様の
効果を得る。
表示装置の製造方法は、熱硬化型樹脂を塗布した後に仮
焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布し
て焼成及び露光を行なう工程と、前記レジストを現像し
てレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウ
ェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程
と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエ
ッチングする工程と、基板の少なくとも表側又は裏側か
らＵＶ光を照射して前記レジストをレジスト剥離剤に対
して可溶化する工程と、前記有機膜が不溶となるように
濃度調整したレジスト剥離剤を用いて前記レジストを除
去する工程と、再焼成して前記有機撒くパターンを完全
に硬化する工程とからなることを特徴とする。これによ
り、熱架橋反応のための熱処理を行なった場合と同様の
効果を得る。
【００２７】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、レジスト現像液を用いてレジス
トを除去することを特徴とする。これにより、レジスト
現像液のみで、レジストの現像、有機膜パターンのエッ
チング、及びレジストの剥離を行うことが可能であり、
簡便かつ効率的である。
表示装置の製造方法は、レジスト現像液を用いてレジス
トを除去することを特徴とする。これにより、レジスト
現像液のみで、レジストの現像、有機膜パターンのエッ
チング、及びレジストの剥離を行うことが可能であり、
簡便かつ効率的である。
【００２８】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、感光剤としてナフトキノンジア
ゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤とし
て前記有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又
はプロピレングリコールモノアセチルアセテート又は２
−ヘプタノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は
酢酸ブチル又はそれらの中から２種以上を選択して得ら
れる混合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテト
ラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶
液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチ
ング及び前記レジストの除去を行うことを特徴とする。
これにより、レジストが効率的に剥離され、また剥離後
の表面状態が改善される。
表示装置の製造方法は、感光剤としてナフトキノンジア
ゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤とし
て前記有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又
はプロピレングリコールモノアセチルアセテート又は２
−ヘプタノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は
酢酸ブチル又はそれらの中から２種以上を選択して得ら
れる混合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテト
ラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶
液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチ
ング及び前記レジストの除去を行うことを特徴とする。
これにより、レジストが効率的に剥離され、また剥離後
の表面状態が改善される。
【００２９】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、感光基を含有せずかつアクリル
及び光開始重合剤を含有する樹脂を塗布して８０〜１１
０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２２０〜２６
０℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とす
る。これにより、得られる有機膜は高い光透過率、耐ド
ライエッチング性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化
及び製品の特性向上に寄与する。
表示装置の製造方法は、感光基を含有せずかつアクリル
及び光開始重合剤を含有する樹脂を塗布して８０〜１１
０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２２０〜２６
０℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とす
る。これにより、得られる有機膜は高い光透過率、耐ド
ライエッチング性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化
及び製品の特性向上に寄与する。
【００３０】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、ｉ線又はそれよりも短波長の光
に感応するＵＶ硬化型樹脂を塗布した後に仮焼して有機
膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成を行う工
程と、ｇ線で露光を行う工程と、前記レジストを現像し
てレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウ
ェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程
と、基板の少なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射し
て前記有機膜パターンを光架橋反応により半硬化させて
現像液に対して不溶化すると同時に前記レジストを現像
液に対して可溶化する工程と、前記有機膜パターンをマ
スクとして下地をドライエッチングする工程と、前記現
像液を用いて前記レジストを除去する工程と、再焼成し
て前記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなる
ことを特徴とする。これにより、現像液に対してＵＶ硬
化型樹脂を不溶化ると同時に、レジストを可溶化し、製
造効率を高めることができる。
表示装置の製造方法は、ｉ線又はそれよりも短波長の光
に感応するＵＶ硬化型樹脂を塗布した後に仮焼して有機
膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成を行う工
程と、ｇ線で露光を行う工程と、前記レジストを現像し
てレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウ
ェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程
と、基板の少なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射し
て前記有機膜パターンを光架橋反応により半硬化させて
現像液に対して不溶化すると同時に前記レジストを現像
液に対して可溶化する工程と、前記有機膜パターンをマ
スクとして下地をドライエッチングする工程と、前記現
像液を用いて前記レジストを除去する工程と、再焼成し
て前記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなる
ことを特徴とする。これにより、現像液に対してＵＶ硬
化型樹脂を不溶化ると同時に、レジストを可溶化し、製
造効率を高めることができる。
【００３１】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、感光剤としてナフトキノンジア
ゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤とし
て前記有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又
はプロピレングリコールモノアセチルアセテート又は２
−ヘプタノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は
酢酸ブチル又はそれらの中から２種以上を選択して得ら
れる混合溶剤を用いたｇ線感応型のポジ型レジストを用
い、かつテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド
（ＴＭＡＨ）溶液にて前記レジストの現像及び有機膜の
ウェットエッチング及び前記レジストの除去を行うこと
を特徴とする。これにより、有機膜の特性を損なうこと
なく、レジスト層の形成及び除去を効率的に行うことが
できる。また、レジスト現像、有機膜のウエットエッチ
ング、及びレジスト除去をともにＴＭＡＨ溶液にて行う
ことができるので、簡便である。また、レジストの剥離
効率及び剥離後の表面状態に優れる。
表示装置の製造方法は、感光剤としてナフトキノンジア
ゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤とし
て前記有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又
はプロピレングリコールモノアセチルアセテート又は２
−ヘプタノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は
酢酸ブチル又はそれらの中から２種以上を選択して得ら
れる混合溶剤を用いたｇ線感応型のポジ型レジストを用
い、かつテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド
（ＴＭＡＨ）溶液にて前記レジストの現像及び有機膜の
ウェットエッチング及び前記レジストの除去を行うこと
を特徴とする。これにより、有機膜の特性を損なうこと
なく、レジスト層の形成及び除去を効率的に行うことが
できる。また、レジスト現像、有機膜のウエットエッチ
ング、及びレジスト除去をともにＴＭＡＨ溶液にて行う
ことができるので、簡便である。また、レジストの剥離
効率及び剥離後の表面状態に優れる。
【００３２】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、式１の構造式で表されるカルド
型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する
化合物との重合体及び光重合開始材を含有する樹脂を塗
布して８０〜１５０℃の温度範囲において仮焼を行い、
かつ２３０〜２８０℃の温度範囲において再焼成を行う
ことを特徴とする。これにより、得られる有機膜は高い
光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、
製造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する。
表示装置の製造方法は、式１の構造式で表されるカルド
型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する
化合物との重合体及び光重合開始材を含有する樹脂を塗
布して８０〜１５０℃の温度範囲において仮焼を行い、
かつ２３０〜２８０℃の温度範囲において再焼成を行う
ことを特徴とする。これにより、得られる有機膜は高い
光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、
製造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する。
【００３３】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、画素電極と配線がオーバーラップする構造
のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板において、両者の層
間絶縁膜として少なくとも一部に有機膜を有し、かつ前
記有機膜がｇ線に対して光透過率９０％以上を示し、か
つその耐熱温度が２５０℃以上であることを特徴とす
る。これにより得られる製品は、製造工程簡略化により
低コストである。
表示装置は、画素電極と配線がオーバーラップする構造
のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板において、両者の層
間絶縁膜として少なくとも一部に有機膜を有し、かつ前
記有機膜がｇ線に対して光透過率９０％以上を示し、か
つその耐熱温度が２５０℃以上であることを特徴とす
る。これにより得られる製品は、製造工程簡略化により
低コストである。
【００３４】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、有機膜がベンゾシクロブテンポリマーであ
ることを特徴とする。これにより、有機膜は高い光透過
率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、液晶表
示面の特性が向上する。
表示装置は、有機膜がベンゾシクロブテンポリマーであ
ることを特徴とする。これにより、有機膜は高い光透過
率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、液晶表
示面の特性が向上する。
【００３５】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、有機膜がポリシラザン化合物、又はポリシ
ラザン化合物と感光基を含有しないアクリル化合物との
重合体であることを特徴とする。これにより、有機膜は
高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有
し、液晶表示面の特性が向上する。
表示装置は、有機膜がポリシラザン化合物、又はポリシ
ラザン化合物と感光基を含有しないアクリル化合物との
重合体であることを特徴とする。これにより、有機膜は
高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有
し、液晶表示面の特性が向上する。
【００３６】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、有機膜が式１の構造式で表されるカルド型
化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する
化合物との重合体であることを特徴とする。これによ
り、有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及
び耐熱性を有し、液晶表示面の特性が向上する。
表示装置は、有機膜が式１の構造式で表されるカルド型
化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する
化合物との重合体であることを特徴とする。これによ
り、有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及
び耐熱性を有し、液晶表示面の特性が向上する。
【００３７】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、有機膜が感光基を含有しないアクリル系樹
脂であることを特徴とする。これにより、有機膜は高い
光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、
液晶表示面の特性が向上する。
表示装置は、有機膜が感光基を含有しないアクリル系樹
脂であることを特徴とする。これにより、有機膜は高い
光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、
液晶表示面の特性が向上する。
【００３８】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を形
成してこれをパターニングし、得られた有機膜パターン
をマスクとして下地のパターニングを行って得られるこ
とを特徴とする。これにより得られる製品は、製造工程
簡略化により低コストである。
表示装置は、層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を形
成してこれをパターニングし、得られた有機膜パターン
をマスクとして下地のパターニングを行って得られるこ
とを特徴とする。これにより得られる製品は、製造工程
簡略化により低コストである。
【００３９】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、ウェットエッチング法により有機膜のパタ
ーニングを行い、かつＯ2又はＣＦ4又はＣＨＦ3又はＳ
Ｆ6のうち少なくとも１以上のガスを用いたドライエッ
チング法により下地のパターニングを行って得られるこ
とを特徴とする。これにより、製造工程が簡略化される
とともに、ドライエッチング工程においてウエットエッ
チング後の樹脂残存物を除去することができ、得られる
製品の特性が向上する。
表示装置は、ウェットエッチング法により有機膜のパタ
ーニングを行い、かつＯ2又はＣＦ4又はＣＨＦ3又はＳ
Ｆ6のうち少なくとも１以上のガスを用いたドライエッ
チング法により下地のパターニングを行って得られるこ
とを特徴とする。これにより、製造工程が簡略化される
とともに、ドライエッチング工程においてウエットエッ
チング後の樹脂残存物を除去することができ、得られる
製品の特性が向上する。
【００４０】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、樹脂を塗布し仮焼を行って有機膜を形成す
る工程と、形成された有機膜の表面にレジストを塗布し
て焼成、露光及び現像を行ってレジストパターンを形成
する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記
有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを得る
工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドラ
イエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程
と、再焼成を行って前記有機膜パターンを完全に硬化さ
せる工程とから得られることを特徴とする。これによ
り、ドライエッチング工程においてウエットエッチング
後の樹脂残存物を除去することができるので、得られる
製品の特性が向上する。
表示装置は、樹脂を塗布し仮焼を行って有機膜を形成す
る工程と、形成された有機膜の表面にレジストを塗布し
て焼成、露光及び現像を行ってレジストパターンを形成
する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記
有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを得る
工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドラ
イエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程
と、再焼成を行って前記有機膜パターンを完全に硬化さ
せる工程とから得られることを特徴とする。これによ
り、ドライエッチング工程においてウエットエッチング
後の樹脂残存物を除去することができるので、得られる
製品の特性が向上する。
【００４１】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、
ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記有機
膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロピレ
ングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプタノ
ン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル
又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混合溶
剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて前記
レジストの現像を行い、かつジメチルスルオキシド（Ｄ
ＭＳＯ）とモノエタノールアミンとの混合溶液又はＤＭ
ＳＯとｎメチル２ピロリド（ＮＭＰ）との混合溶液又は
乳酸エチル又は酢酸ブチルを用いて前記レジストの除去
を行って得られることを特徴とする。これにより、有機
膜の特性を損なうことなく、レジスト層の形成及び除去
を効率的に行うことができるので、得られる製品の特性
が向上する。
表示装置は、感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、
ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記有機
膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロピレ
ングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプタノ
ン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル
又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混合溶
剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて前記
レジストの現像を行い、かつジメチルスルオキシド（Ｄ
ＭＳＯ）とモノエタノールアミンとの混合溶液又はＤＭ
ＳＯとｎメチル２ピロリド（ＮＭＰ）との混合溶液又は
乳酸エチル又は酢酸ブチルを用いて前記レジストの除去
を行って得られることを特徴とする。これにより、有機
膜の特性を損なうことなく、レジスト層の形成及び除去
を効率的に行うことができるので、得られる製品の特性
が向上する。
【００４２】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、プロピレングリコールモノアセチルアセテ
ートを溶剤としたベンゾシクロブテンポリマーを塗布し
て１３０〜２００℃の温度範囲において仮焼を行い、か
つ１，３，５トリイソプロピルベンゼンと芳香族炭化水
素との混合溶液又はグリコールエーテルと合成イソパラ
フィン系炭化水素との混合溶液を用いて有機膜のウェッ
トエッチングを行い、かつ２４０〜３００℃の温度範囲
において再焼成を行って得られることを特徴とする。こ
れにより得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッ
チング性、及び耐熱性を有し、特性に優れる。
表示装置は、プロピレングリコールモノアセチルアセテ
ートを溶剤としたベンゾシクロブテンポリマーを塗布し
て１３０〜２００℃の温度範囲において仮焼を行い、か
つ１，３，５トリイソプロピルベンゼンと芳香族炭化水
素との混合溶液又はグリコールエーテルと合成イソパラ
フィン系炭化水素との混合溶液を用いて有機膜のウェッ
トエッチングを行い、かつ２４０〜３００℃の温度範囲
において再焼成を行って得られることを特徴とする。こ
れにより得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッ
チング性、及び耐熱性を有し、特性に優れる。
【００４３】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、ポリシラザン化合物、又はポリシラザン化
合物と感光基を含有しないアクリル化合物との重合体を
塗布して１３０〜２００℃の温度範囲において仮焼を行
い、かつフッ酸緩衝液又はバッファードフッ酸溶液を用
いて有機膜のウエットエッチングを行い、かつ２４０〜
３００℃の温度範囲において再焼成を行って得られるこ
とを特徴とする。これにより得られる有機膜は高い光透
過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、特性
に優れる。また、従来下地として使用されてきたＳｉＮ
ｘ層が不要となり、製品の製造コストが削減される。
表示装置は、ポリシラザン化合物、又はポリシラザン化
合物と感光基を含有しないアクリル化合物との重合体を
塗布して１３０〜２００℃の温度範囲において仮焼を行
い、かつフッ酸緩衝液又はバッファードフッ酸溶液を用
いて有機膜のウエットエッチングを行い、かつ２４０〜
３００℃の温度範囲において再焼成を行って得られるこ
とを特徴とする。これにより得られる有機膜は高い光透
過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、特性
に優れる。また、従来下地として使用されてきたＳｉＮ
ｘ層が不要となり、製品の製造コストが削減される。
【００４４】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、ウェットエッチング法により有機膜のパタ
ーニングを行う工程において、レジストの現像と有機膜
のエッチングとを同時に行って得られることを特徴とす
る。これにより得られる製品は、工程の簡略化により低
コストである。
表示装置は、ウェットエッチング法により有機膜のパタ
ーニングを行う工程において、レジストの現像と有機膜
のエッチングとを同時に行って得られることを特徴とす
る。これにより得られる製品は、工程の簡略化により低
コストである。
【００４５】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を
形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を行
う工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを
形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして
有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パターン
をマスクとして下地をドライエッチングする工程と、前
記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パ
ターンを完全に硬化する工程とから得られることを特徴
とする。これにより得られる製品は、工程簡略化により
低コストである。また、ドライエッチング工程において
ウエットエッチング後の樹脂残存物を除去することがで
きるので、得られる製品の特性が向上する。
表示装置は、樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を
形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を行
う工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを
形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして
有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パターン
をマスクとして下地をドライエッチングする工程と、前
記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パ
ターンを完全に硬化する工程とから得られることを特徴
とする。これにより得られる製品は、工程簡略化により
低コストである。また、ドライエッチング工程において
ウエットエッチング後の樹脂残存物を除去することがで
きるので、得られる製品の特性が向上する。
【００４６】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、
ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記有機
膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロピレ
ングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプタノ
ン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル
又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混合溶
剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて前記
レジストの現像及び有機膜のウェットエッチングを行
い、かつジメチルスルオキシド（ＤＭＳＯ）とモノエタ
ノールアミンとの混合溶液又はＤＭＳＯとｎメチル２ピ
ロリド（ＮＭＰ）との混合溶液又は乳酸エチル又は酢酸
ブチルを用いて前記レジストの除去を行って得られるこ
とを特徴とする。これにより、製造工程において有機膜
の特性が損なわれることがなくなり、得られる製品は特
性に優れる。
表示装置は、感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、
ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記有機
膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロピレ
ングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプタノ
ン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル
又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混合溶
剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて前記
レジストの現像及び有機膜のウェットエッチングを行
い、かつジメチルスルオキシド（ＤＭＳＯ）とモノエタ
ノールアミンとの混合溶液又はＤＭＳＯとｎメチル２ピ
ロリド（ＮＭＰ）との混合溶液又は乳酸エチル又は酢酸
ブチルを用いて前記レジストの除去を行って得られるこ
とを特徴とする。これにより、製造工程において有機膜
の特性が損なわれることがなくなり、得られる製品は特
性に優れる。
【００４７】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、式１の構造式で表されるカルド型化合物と
式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物との
重合体を塗布して１１０〜１７０℃の温度範囲において
仮焼を行い、かつ２３０〜２８０℃の温度範囲において
再焼成を行って得られることを特徴とする。これにより
得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング
性、及び耐熱性を有し、特性に優れる。
表示装置は、式１の構造式で表されるカルド型化合物と
式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物との
重合体を塗布して１１０〜１７０℃の温度範囲において
仮焼を行い、かつ２３０〜２８０℃の温度範囲において
再焼成を行って得られることを特徴とする。これにより
得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング
性、及び耐熱性を有し、特性に優れる。
【００４８】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、感光基を含有しないアクリル樹脂を塗布し
て８０〜１００℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ
２２０〜２６０℃の温度範囲において再焼成を行って得
られることを特徴とする。これにより得られる有機膜は
高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有
し、特性に優れる。
表示装置は、感光基を含有しないアクリル樹脂を塗布し
て８０〜１００℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ
２２０〜２６０℃の温度範囲において再焼成を行って得
られることを特徴とする。これにより得られる有機膜は
高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有
し、特性に優れる。
【００４９】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、熱硬化型樹脂を塗布した後に仮焼を行って
有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び
露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパ
ターンを形成しすると同時に前記有機膜をウェットエッ
チングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機
膜パターンを熱架橋反応により半硬化させて現像液に対
して不溶化する工程と、前記有機膜パターンをマスクと
して下地をドライエッチングする工程と、基板の少なく
とも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記レジストを
レジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前記レジス
トを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターンを
完全に硬化する工程とから得られることを特徴とする。
これにより、剥離性の高いレジスト剥離剤の使用が可能
となり、レジスト剥離後の表面状態が良好となって製品
の品質が向上する。
表示装置は、熱硬化型樹脂を塗布した後に仮焼を行って
有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び
露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパ
ターンを形成しすると同時に前記有機膜をウェットエッ
チングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機
膜パターンを熱架橋反応により半硬化させて現像液に対
して不溶化する工程と、前記有機膜パターンをマスクと
して下地をドライエッチングする工程と、基板の少なく
とも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記レジストを
レジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前記レジス
トを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターンを
完全に硬化する工程とから得られることを特徴とする。
これにより、剥離性の高いレジスト剥離剤の使用が可能
となり、レジスト剥離後の表面状態が良好となって製品
の品質が向上する。
【００５０】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、熱硬化型樹脂を塗布した後に仮焼を行って
有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び
露光を行なう工程と、前記レジストを現像してレジスト
パターンを形成する工程と、前記有機膜パターンをマス
クとして下地をドライエッチングする工程と、基板の少
なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記レジス
トをレジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前記有
機膜が不溶となるように濃度調整したレジスト剥離剤を
用いて前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記
有機撒くパターンを完全に硬化する工程とから得られる
ことを特徴とする。これにより、製造工程において有機
膜の特性が損なわれることがなくなり、得られる製品は
特性に優れる。
表示装置は、熱硬化型樹脂を塗布した後に仮焼を行って
有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び
露光を行なう工程と、前記レジストを現像してレジスト
パターンを形成する工程と、前記有機膜パターンをマス
クとして下地をドライエッチングする工程と、基板の少
なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記レジス
トをレジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前記有
機膜が不溶となるように濃度調整したレジスト剥離剤を
用いて前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記
有機撒くパターンを完全に硬化する工程とから得られる
ことを特徴とする。これにより、製造工程において有機
膜の特性が損なわれることがなくなり、得られる製品は
特性に優れる。
【００５１】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、レジスト現像液を用いてレジストを除去し
て得られることを特徴とする。これにより、レジスト剥
離後の表面状態が良好となって製品の品質が向上する。
表示装置は、レジスト現像液を用いてレジストを除去し
て得られることを特徴とする。これにより、レジスト剥
離後の表面状態が良好となって製品の品質が向上する。
【００５２】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、
ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記有機
膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロピレ
ングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプタノ
ン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル
又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混合溶
剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて前記
レジストの現像及び有機膜のウェットエッチング及び前
記レジストの除去を行って得られることを特徴とする。
これにより、レジスト剥離が効率的に行なわれ、また剥
離後の表面状態も良好となり、得られる製品の特性が向
上する。
表示装置は、感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、
ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記有機
膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロピレ
ングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプタノ
ン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル
又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混合溶
剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて前記
レジストの現像及び有機膜のウェットエッチング及び前
記レジストの除去を行って得られることを特徴とする。
これにより、レジスト剥離が効率的に行なわれ、また剥
離後の表面状態も良好となり、得られる製品の特性が向
上する。
【００５３】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、感光基を含有せずかつアクリル及び光開始
重合剤を含有する樹脂を塗布して８０〜１１０℃の温度
範囲において仮焼を行い、かつ２２０〜２６０℃の温度
範囲において再焼成を行うことを特徴とする。これによ
り得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング
性、及び耐熱性を有し、特性に優れる。
表示装置は、感光基を含有せずかつアクリル及び光開始
重合剤を含有する樹脂を塗布して８０〜１１０℃の温度
範囲において仮焼を行い、かつ２２０〜２６０℃の温度
範囲において再焼成を行うことを特徴とする。これによ
り得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング
性、及び耐熱性を有し、特性に優れる。
【００５４】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、ｉ線又はそれよりも短波長の光に感応する
ＵＶ硬化型樹脂を塗布した後に仮焼して有機膜を形成す
る工程と、レジストを塗布して焼成を行う工程と、ｇ線
で露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジスト
パターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッ
チングして有機膜パターンを形成する工程と、基板の少
なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記有機膜
パターンを光架橋反応により半硬化させて現像液に対し
て不溶化すると同時に前記レジストを現像液に対して可
溶化する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下
地をドライエッチングする工程と、前記現像液を用いて
前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜
パターンを完全に硬化する工程とから得られることを特
徴とする。これにより、製造工程において有機膜の特性
が損なわれることがなくなり、得られる製品は特性に優
れる。また、工程簡略化により、得られる製品は低コス
トである。
表示装置は、ｉ線又はそれよりも短波長の光に感応する
ＵＶ硬化型樹脂を塗布した後に仮焼して有機膜を形成す
る工程と、レジストを塗布して焼成を行う工程と、ｇ線
で露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジスト
パターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッ
チングして有機膜パターンを形成する工程と、基板の少
なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記有機膜
パターンを光架橋反応により半硬化させて現像液に対し
て不溶化すると同時に前記レジストを現像液に対して可
溶化する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下
地をドライエッチングする工程と、前記現像液を用いて
前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜
パターンを完全に硬化する工程とから得られることを特
徴とする。これにより、製造工程において有機膜の特性
が損なわれることがなくなり、得られる製品は特性に優
れる。また、工程簡略化により、得られる製品は低コス
トである。
【００５５】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、
ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記有機
膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロピレ
ングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプタノ
ン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル
又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混合溶
剤を用いたｇ線感応型のポジ型レジストを用い、かつテ
トラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）
溶液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッ
チング及び前記レジストの除去を行って得られることを
特徴とする。これにより、製造工程において有機膜の特
性が損なわれることがなくなり、得られる製品は特性に
優れる。また、レジスト剥離が効率的に行なわれ、また
剥離後の表面状態も良好となり、得られる製品の特性が
向上する。
表示装置は、感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、
ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記有機
膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロピレ
ングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプタノ
ン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル
又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混合溶
剤を用いたｇ線感応型のポジ型レジストを用い、かつテ
トラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）
溶液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッ
チング及び前記レジストの除去を行って得られることを
特徴とする。これにより、製造工程において有機膜の特
性が損なわれることがなくなり、得られる製品は特性に
優れる。また、レジスト剥離が効率的に行なわれ、また
剥離後の表面状態も良好となり、得られる製品の特性が
向上する。
【００５６】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、式１の構造式で表されるカルド型化合物と
式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物との
重合体及び光重合開始材を含有する樹脂を塗布して８０
〜１５０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２３０
〜２８０℃の温度範囲において再焼成を行って得られる
ことを特徴とする。これにより得られる有機膜は高い光
透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、特
性に優れる。
表示装置は、式１の構造式で表されるカルド型化合物と
式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物との
重合体及び光重合開始材を含有する樹脂を塗布して８０
〜１５０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２３０
〜２８０℃の温度範囲において再焼成を行って得られる
ことを特徴とする。これにより得られる有機膜は高い光
透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、特
性に優れる。
【００５７】
【発明の実施形態】上記各解決手段についての理解を容
易にするために、以下に発明の実施形態を示す。
易にするために、以下に発明の実施形態を示す。
【００５８】（実施形態１）本発明における第一の実施
形態を示す。本実施形態は、層間絶縁膜の材料としてベ
ンゾシクロブテンポリマーを用いる場合に関するもので
ある。図１にその製造工程を示すとともに以下に詳述す
る。
形態を示す。本実施形態は、層間絶縁膜の材料としてベ
ンゾシクロブテンポリマーを用いる場合に関するもので
ある。図１にその製造工程を示すとともに以下に詳述す
る。
【００５９】従来と同様に成膜したＳｉＮX 膜１０２の
上に、スピンンコート法によりベンゾシクロブテンポリ
マーを塗布し、１３０〜２００℃において仮焼を行う
（図１（ａ））。この仮焼によりベンゾシクロブテンポ
リマーが半硬化してエッチングレートが変化し、後述の
レジスト溶剤に対して不溶となる。次に、テトラメチル
アンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＨＡ）又はプロピ
レングリコールモノエチルエーテルアセテートを溶剤と
してを用いたナフトキノンジアゾ−ノボラック系ポジ型
レジストを塗布し、焼成、露光、及び現像を行ってレジ
ストパターン１０３を形成する（図１（ｂ））。レジス
ト現像液は、０．１〜１ｍｏｌ％程度のテトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液を用い
る。次に、レジストパターン１０３をマスクとしてベン
ゾシクロブテンポリマーの有機膜１００をウェットエッ
チングし、有機膜パターン１０１を形成する（図１
（Ｃ））。エッチング液は、１，３，５トリイソプロピ
ルベンゼンと芳香族系炭化水素との混合溶液を用いる。
上に、スピンンコート法によりベンゾシクロブテンポリ
マーを塗布し、１３０〜２００℃において仮焼を行う
（図１（ａ））。この仮焼によりベンゾシクロブテンポ
リマーが半硬化してエッチングレートが変化し、後述の
レジスト溶剤に対して不溶となる。次に、テトラメチル
アンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＨＡ）又はプロピ
レングリコールモノエチルエーテルアセテートを溶剤と
してを用いたナフトキノンジアゾ−ノボラック系ポジ型
レジストを塗布し、焼成、露光、及び現像を行ってレジ
ストパターン１０３を形成する（図１（ｂ））。レジス
ト現像液は、０．１〜１ｍｏｌ％程度のテトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液を用い
る。次に、レジストパターン１０３をマスクとしてベン
ゾシクロブテンポリマーの有機膜１００をウェットエッ
チングし、有機膜パターン１０１を形成する（図１
（Ｃ））。エッチング液は、１，３，５トリイソプロピ
ルベンゼンと芳香族系炭化水素との混合溶液を用いる。
【００６０】次に、レジストパターン１０３及び有機膜
パターン１０１をマスクとしてドライエッチング、例え
ばエッチングガスとしてＯ2／ＳＦ6ガスを用いたドライ
エッチングを行ってＳｉＮX 膜１０２やゲート絶縁膜１
０７の不要部分を除去する（図１（ｄ））。次に、レジ
スト剥離剤を用いてレジストパターンを除去する（図１
（ｅ））。レジスト剥離剤は、ジメチルスルオキシド
（ＤＭＳＯ）とモノエタノールアミンとの混合溶液又は
ＤＭＳＯとｎメチル２プロリドン（ＮＭＰ）の混合溶液
又は乳酸エチル又は酢酸ブチルを用いる。最後に、２４
０〜３００℃において６０分間程度再焼成を行い、ベン
ゾシクロブテンポリマーを完全に硬化させる。
パターン１０１をマスクとしてドライエッチング、例え
ばエッチングガスとしてＯ2／ＳＦ6ガスを用いたドライ
エッチングを行ってＳｉＮX 膜１０２やゲート絶縁膜１
０７の不要部分を除去する（図１（ｄ））。次に、レジ
スト剥離剤を用いてレジストパターンを除去する（図１
（ｅ））。レジスト剥離剤は、ジメチルスルオキシド
（ＤＭＳＯ）とモノエタノールアミンとの混合溶液又は
ＤＭＳＯとｎメチル２プロリドン（ＮＭＰ）の混合溶液
又は乳酸エチル又は酢酸ブチルを用いる。最後に、２４
０〜３００℃において６０分間程度再焼成を行い、ベン
ゾシクロブテンポリマーを完全に硬化させる。
【００６１】この実施形態の特徴は、有機膜としてベン
ゾシクロブテンポリマーを用いることにより、この有機
膜パターンをマスクとした下地のドライエッチングを可
能とした点である。ベンゾシクロブテンポリマーは耐ド
ライエッチング性に優れ、上記ドライエッチング工程に
おける損傷の度合いが少ない。従ってこのようなドライ
エッチングが可能となり、従来に比べて工程が簡略化さ
れ、生産効率が向上する。
ゾシクロブテンポリマーを用いることにより、この有機
膜パターンをマスクとした下地のドライエッチングを可
能とした点である。ベンゾシクロブテンポリマーは耐ド
ライエッチング性に優れ、上記ドライエッチング工程に
おける損傷の度合いが少ない。従ってこのようなドライ
エッチングが可能となり、従来に比べて工程が簡略化さ
れ、生産効率が向上する。
【００６２】また、このドライエッチング工程において
は、下地ＳｉＮX 膜のパターニングと同時にウェットエ
ッチング時に残存していたベンゾシクロブテンポリマー
が除去される。従って、生産効率はさらに向上する。
は、下地ＳｉＮX 膜のパターニングと同時にウェットエ
ッチング時に残存していたベンゾシクロブテンポリマー
が除去される。従って、生産効率はさらに向上する。
【００６３】また一般的に、ベンゾシクロブテンポリマ
ーは高い光透過率及び耐熱性を有する。
ーは高い光透過率及び耐熱性を有する。
【００６４】（実施形態２）次に本発明の第二の実施形
態を示す。本実施形態は、層間絶縁膜の材料としてポリ
シラザン化合物を用いる場合に関するものである。図２
にその製造工程を示すとともに以下に詳述する。
態を示す。本実施形態は、層間絶縁膜の材料としてポリ
シラザン化合物を用いる場合に関するものである。図２
にその製造工程を示すとともに以下に詳述する。
【００６５】本実施形態においては、実施形態１と同様
にＳｉＮX 膜１０２の上にスピンンコート法によりポリ
シラザン化合物を塗布しても良いが、ＳｉＮX 膜１０２
を用いずにポリシラザン化合物のみを層間絶縁膜として
も良い（図２（ａ））。これは、ポリシラザン化合物と
ａ−Ｓｉ層との界面特性が良好である点と、ポリシラザ
ン化合物の焼成によりその一部がシリコン酸化膜または
シリコン窒化膜に変性、緻密化して耐水性、対汚染性が
良好となる点によるものである。以下の工程は、第一の
実施例と同様であるが、仮焼の温度は１３０〜２００℃
とし、またウェットエッチング液としてフッ酸緩衝液又
はバッファードフッ酸溶液を用いる。また、再焼成は、
２４０〜３００℃において６０分間程度行う。
にＳｉＮX 膜１０２の上にスピンンコート法によりポリ
シラザン化合物を塗布しても良いが、ＳｉＮX 膜１０２
を用いずにポリシラザン化合物のみを層間絶縁膜として
も良い（図２（ａ））。これは、ポリシラザン化合物と
ａ−Ｓｉ層との界面特性が良好である点と、ポリシラザ
ン化合物の焼成によりその一部がシリコン酸化膜または
シリコン窒化膜に変性、緻密化して耐水性、対汚染性が
良好となる点によるものである。以下の工程は、第一の
実施例と同様であるが、仮焼の温度は１３０〜２００℃
とし、またウェットエッチング液としてフッ酸緩衝液又
はバッファードフッ酸溶液を用いる。また、再焼成は、
２４０〜３００℃において６０分間程度行う。
【００６６】本実施形態の特徴は実施形態１と同様であ
るが、特筆すべきはポリシラザン化合物を用いることに
よって通常下地に用いていたＳｉＮX 膜が不要となるこ
とである。すなわち工程がさらに簡略化され、生産性が
向上する。また一般的に、ポリシラザン化合物は、高い
光透過率及び耐熱性を有する。
るが、特筆すべきはポリシラザン化合物を用いることに
よって通常下地に用いていたＳｉＮX 膜が不要となるこ
とである。すなわち工程がさらに簡略化され、生産性が
向上する。また一般的に、ポリシラザン化合物は、高い
光透過率及び耐熱性を有する。
【００６７】（実施形態３）次に本発明の第三の実施形
態を示す。本実施形態は、層間絶縁膜の材料として式１
の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表
されるエポキシ基を持つ化合物との重合体を用いる場合
に関するものである。図３にその製造工程を示すととも
に以下に詳述する。
態を示す。本実施形態は、層間絶縁膜の材料として式１
の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表
されるエポキシ基を持つ化合物との重合体を用いる場合
に関するものである。図３にその製造工程を示すととも
に以下に詳述する。
【００６８】従来と同様に成膜したＳｉＮX 膜１０２の
上に、スピンンコート法により上述の重合体を塗布し、
１１０〜１７０℃において仮焼を行う（図３（ａ））。
この仮焼により重合体が半硬化してエッチングレートが
変化し、レジスト剥離剤に対しては不溶、レジスト現像
液に対しては可溶となる。
上に、スピンンコート法により上述の重合体を塗布し、
１１０〜１７０℃において仮焼を行う（図３（ａ））。
この仮焼により重合体が半硬化してエッチングレートが
変化し、レジスト剥離剤に対しては不溶、レジスト現像
液に対しては可溶となる。
【００６９】次に、メチルアミン系溶剤又はプロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート又はプロピレ
ングリコールモノアセチエウアセテート又は２−ヘプタ
ノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は２−ヘプ
タノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブ
チル又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混
合溶液を溶剤として用いたナフトキノンジアゾ−ノボラ
ック系ポジ型レジストを塗布し、焼成、露光、を行う。
次に、０．１〜１ｍｏｌ％程度のテトラメチルアンモニ
ウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液によりレジスト
の現像を行ってレジストパターン１０３を形成すると、
有機膜１００のウェットエッチングが同時に進行する
（図３（ｂ））。
グリコールモノエチルエーテルアセテート又はプロピレ
ングリコールモノアセチエウアセテート又は２−ヘプタ
ノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は２−ヘプ
タノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブ
チル又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混
合溶液を溶剤として用いたナフトキノンジアゾ−ノボラ
ック系ポジ型レジストを塗布し、焼成、露光、を行う。
次に、０．１〜１ｍｏｌ％程度のテトラメチルアンモニ
ウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液によりレジスト
の現像を行ってレジストパターン１０３を形成すると、
有機膜１００のウェットエッチングが同時に進行する
（図３（ｂ））。
【００７０】次に、レジストパターン１０３及び有機膜
パターン１０１をマスクとしてドライエッチング、例え
ばエッチングガスとしてＯ2／ＳＦ6ガスを用いたドライ
エッチングを行い、ＳｉＮX 膜１０２やゲート絶縁膜１
０７の不要部分を除去する（図３（ｃ））。次に、レジ
スト剥離剤を用いてレジストパターン１０３を除去する
（図３（ｄ））。用いるレジスト剥離剤は実施形態１と
同様でよい。最後に、２３０〜２８０℃において３０分
間程度再焼成を行い、上記重合体を完全に硬化させる。
パターン１０１をマスクとしてドライエッチング、例え
ばエッチングガスとしてＯ2／ＳＦ6ガスを用いたドライ
エッチングを行い、ＳｉＮX 膜１０２やゲート絶縁膜１
０７の不要部分を除去する（図３（ｃ））。次に、レジ
スト剥離剤を用いてレジストパターン１０３を除去する
（図３（ｄ））。用いるレジスト剥離剤は実施形態１と
同様でよい。最後に、２３０〜２８０℃において３０分
間程度再焼成を行い、上記重合体を完全に硬化させる。
【００７１】本実施形態の特徴は実施形態1と同様であ
るが、特筆すべきは、有機膜の仮焼によるエッチングレ
ート調整を行うことにより、レジストの現像と同時に有
機膜のウェットエッチングを可能とした点である。これ
によって工数がさらに減少し、生産性が向上する。ま
た、式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構
造式で表されるエポキシ基を持つ化合物との重合体は、
高い光透過率及び高耐熱性を有する。
るが、特筆すべきは、有機膜の仮焼によるエッチングレ
ート調整を行うことにより、レジストの現像と同時に有
機膜のウェットエッチングを可能とした点である。これ
によって工数がさらに減少し、生産性が向上する。ま
た、式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構
造式で表されるエポキシ基を持つ化合物との重合体は、
高い光透過率及び高耐熱性を有する。
【００７２】また、本実施形態の製造工程により、感光
基を含有しないアクリル樹脂によって有機膜パターンを
形成することもできる。この場合、仮焼温度は８０〜１
００℃、再焼成は２２０〜２６０℃の範囲において行う
ことが望ましい。感光基を含有しないアクリル樹脂は従
来使用されていたアクリル樹脂とは異なり、高い光透過
率を有する。また、耐熱性にも優れる。
基を含有しないアクリル樹脂によって有機膜パターンを
形成することもできる。この場合、仮焼温度は８０〜１
００℃、再焼成は２２０〜２６０℃の範囲において行う
ことが望ましい。感光基を含有しないアクリル樹脂は従
来使用されていたアクリル樹脂とは異なり、高い光透過
率を有する。また、耐熱性にも優れる。
【００７３】（実施形態４）次に本発明の第四の実施形
態を示す。本実施形態は、層間絶縁膜の材料として熱硬
化型樹脂を用いる場合に関するものである。より具体的
には非感光性のアクリル樹脂（例えばＪＳＲ製ＪＳＳシ
リーズ）を用いる場合に関するものである。図４にその
製造工程を示すとともに以下に詳述する。従来と同様に
成膜したＳｉＮX 膜１０２の上に、スピンンコート法に
より上述のアクリル樹脂を塗布し、８０〜１００℃にお
いて仮焼を行う（図４（ａ））。この仮焼により、実施
形態３と同様に、重合体が半硬化してエッチングレート
が変化し、レジスト剥離剤に対しては不溶、レジスト現
像液に対しては可溶となる。
態を示す。本実施形態は、層間絶縁膜の材料として熱硬
化型樹脂を用いる場合に関するものである。より具体的
には非感光性のアクリル樹脂（例えばＪＳＲ製ＪＳＳシ
リーズ）を用いる場合に関するものである。図４にその
製造工程を示すとともに以下に詳述する。従来と同様に
成膜したＳｉＮX 膜１０２の上に、スピンンコート法に
より上述のアクリル樹脂を塗布し、８０〜１００℃にお
いて仮焼を行う（図４（ａ））。この仮焼により、実施
形態３と同様に、重合体が半硬化してエッチングレート
が変化し、レジスト剥離剤に対しては不溶、レジスト現
像液に対しては可溶となる。
【００７４】次に、アクリルが不溶な溶剤すなわち２−
ヘプタノン又は３−エトキシプロピオン酸又は酢酸ブチ
ル又はそれらの中の２つ以上を混合して得られる溶剤を
用いたレジストを用い、実施形態３と同様にレジストの
塗布、焼成、及び露光を行う。次に、実施形態３と同様
にレジストの現像及び有機膜のウエットエッチングを同
時に行なう（図４（ｃ））。
ヘプタノン又は３−エトキシプロピオン酸又は酢酸ブチ
ル又はそれらの中の２つ以上を混合して得られる溶剤を
用いたレジストを用い、実施形態３と同様にレジストの
塗布、焼成、及び露光を行う。次に、実施形態３と同様
にレジストの現像及び有機膜のウエットエッチングを同
時に行なう（図４（ｃ））。
【００７５】その後１００〜１３０℃において１〜１０
分間程度熱処理を行うと、この熱処理によりアクリル樹
脂の熱架橋反応が促進される。
分間程度熱処理を行うと、この熱処理によりアクリル樹
脂の熱架橋反応が促進される。
【００７６】次に基板の少なくとも表側又は裏側からＵ
Ｖ光を照射する（図４（ｄ））と、樹脂に含有された光
開始重合剤の作用により、レジストパターン１０３はア
ルカリに対して可溶化される。
Ｖ光を照射する（図４（ｄ））と、樹脂に含有された光
開始重合剤の作用により、レジストパターン１０３はア
ルカリに対して可溶化される。
【００７７】次に実施形態１〜３と同様に下地のドライ
エッチングを行う（図４（ｅ））。次いで、レジストパ
ターン１０３を除去する（図４（ｅ））。レジスト剥離
剤としては、ＤＭＳＯ・アミン系剥離剤（例えば東京応
化製、剥離１０５）又はＤＭＳＯ・ＮＭＰ系剥離剤（例
えば東京応化、剥離１０４）を使用する。あるいはＴＭ
ＡＨ溶液を使用する。その後、２２０〜２６０℃におい
て３０分間程度再焼成を行い、アクリル樹脂を完全に硬
化させる。
エッチングを行う（図４（ｅ））。次いで、レジストパ
ターン１０３を除去する（図４（ｅ））。レジスト剥離
剤としては、ＤＭＳＯ・アミン系剥離剤（例えば東京応
化製、剥離１０５）又はＤＭＳＯ・ＮＭＰ系剥離剤（例
えば東京応化、剥離１０４）を使用する。あるいはＴＭ
ＡＨ溶液を使用する。その後、２２０〜２６０℃におい
て３０分間程度再焼成を行い、アクリル樹脂を完全に硬
化させる。
【００７８】本実施形態において使用する非感光性のア
クリル樹脂は、従来の公知例において用いられていたア
クリル樹脂とは異なるものであり、感光基を含んでいな
い。従って、高い光透過率及び耐熱温度を有する。
クリル樹脂は、従来の公知例において用いられていたア
クリル樹脂とは異なるものであり、感光基を含んでいな
い。従って、高い光透過率及び耐熱温度を有する。
【００７９】また本発明の特徴として、レジストにＵＶ
照射を行うことにより、レジストをレジスト剥離剤に対
して可溶化している点が挙げられる。これにより、レジ
ストの除去が容易になって作業効率が向上するととも
に、除去後の表面状態が改善されて品質向上の効果が得
られる。なお、本実施形態においてはドライエッチング
に先立ってＵＶ照射を行ったが、ドライエッチング後に
ＵＶ照射を行っても構わない。
照射を行うことにより、レジストをレジスト剥離剤に対
して可溶化している点が挙げられる。これにより、レジ
ストの除去が容易になって作業効率が向上するととも
に、除去後の表面状態が改善されて品質向上の効果が得
られる。なお、本実施形態においてはドライエッチング
に先立ってＵＶ照射を行ったが、ドライエッチング後に
ＵＶ照射を行っても構わない。
【００８０】また本実施形態の他の特徴として、 熱架橋反応により有機膜を半硬化してレジスト剥離剤
に対して不溶化し レジスト剥離後に再焼成を行って完全に硬化する という２段階の熱処理を行う点が挙げられる。従来のよ
うに仮焼を行ったままの状態でレジスト除去を行う場合
には、強力なレジスト剥離剤を使用すると膨潤や損耗が
起こりやすく、それらを使用することができなかった。
しかし、有機膜パターンが形成された段階で熱架橋反応
を促進させていったん半硬化の状態とすることにより、
それらレジスト剥離剤への耐性が付与される。従って、
レジスト剥離剤として乳酸エチルや乳酸ブチルよりも剥
離性に優れたＤＭＳＯ・アミン系剥離剤、又はＤＭＳＯ
・ＮＭＰ系剥離剤を使用することが可能となる。
に対して不溶化し レジスト剥離後に再焼成を行って完全に硬化する という２段階の熱処理を行う点が挙げられる。従来のよ
うに仮焼を行ったままの状態でレジスト除去を行う場合
には、強力なレジスト剥離剤を使用すると膨潤や損耗が
起こりやすく、それらを使用することができなかった。
しかし、有機膜パターンが形成された段階で熱架橋反応
を促進させていったん半硬化の状態とすることにより、
それらレジスト剥離剤への耐性が付与される。従って、
レジスト剥離剤として乳酸エチルや乳酸ブチルよりも剥
離性に優れたＤＭＳＯ・アミン系剥離剤、又はＤＭＳＯ
・ＮＭＰ系剥離剤を使用することが可能となる。
【００８０】同様に、従来困難であったレジスト層−ア
クリル層界面の「ミキシング層」除去が可能であるＴＭ
ＡＨ溶液を使用することができるようになる。さらにこ
の場合特筆すべきは、本来レジスト現像液であるＴＭＡ
Ｈ溶液をレジスト剥離剤として適用することにより、レ
ジストの現像、有機膜のウエットエッチング、及びレジ
スト除去をすべて同一の溶液により行うことができ、簡
便かつ効率的な点である。
クリル層界面の「ミキシング層」除去が可能であるＴＭ
ＡＨ溶液を使用することができるようになる。さらにこ
の場合特筆すべきは、本来レジスト現像液であるＴＭＡ
Ｈ溶液をレジスト剥離剤として適用することにより、レ
ジストの現像、有機膜のウエットエッチング、及びレジ
スト除去をすべて同一の溶液により行うことができ、簡
便かつ効率的な点である。
【００８１】（実施形態５）次に本発明の第五の実施形
態を示す。本実施形態は、光開始重合剤を含有する非感
光性アクリル樹脂を用いて実施形態４と同様に有機膜パ
ターンの形成までを完了した後に、以下の工程を行うも
のである。
態を示す。本実施形態は、光開始重合剤を含有する非感
光性アクリル樹脂を用いて実施形態４と同様に有機膜パ
ターンの形成までを完了した後に、以下の工程を行うも
のである。
【００８２】まず、基板の少なくとも表側又は裏側から
ＵＶ光を照射し（図５（ｄ））、レジストパターン１０
３はアルカリに対して可溶化する。この工程は実施形態
４と同様、ドライエッチング後に行ってもよい。次に、
レジストパターン１０３及び有機膜パターン１０１をマ
スクとしてドライエッチングを行い、ＳｉＮX 膜１０２
やゲート絶縁膜１０７の不要部分を除去する（図５
（ｅ））。
ＵＶ光を照射し（図５（ｄ））、レジストパターン１０
３はアルカリに対して可溶化する。この工程は実施形態
４と同様、ドライエッチング後に行ってもよい。次に、
レジストパターン１０３及び有機膜パターン１０１をマ
スクとしてドライエッチングを行い、ＳｉＮX 膜１０２
やゲート絶縁膜１０７の不要部分を除去する（図５
（ｅ））。
【００８３】次に、ＴＭＡＨ溶液について、有機膜を損
傷しないように適宜濃度調整を行い、これを用いてレジ
ストパターン１０３を除去する（図５（ｆ））。最後
に、２２０〜２６０℃において３０分間程度再焼成を行
い、アクリル樹脂を完全に硬化させる。
傷しないように適宜濃度調整を行い、これを用いてレジ
ストパターン１０３を除去する（図５（ｆ））。最後
に、２２０〜２６０℃において３０分間程度再焼成を行
い、アクリル樹脂を完全に硬化させる。
【００８４】本実施形態の特徴は、レジスト剥離剤の濃
度調整を行っている点にある。実施形態４においては有
機膜の熱架橋反応によりＴＭＡＨ溶液等の使用を可能に
していたが、本実施形態においては熱架橋反応のための
熱処理は行わず、代わりにレジスト剥離剤の濃度調整を
適宜行うことにより、実施形態４と同種のレジスト剥離
剤を適用することを可能にしている。
度調整を行っている点にある。実施形態４においては有
機膜の熱架橋反応によりＴＭＡＨ溶液等の使用を可能に
していたが、本実施形態においては熱架橋反応のための
熱処理は行わず、代わりにレジスト剥離剤の濃度調整を
適宜行うことにより、実施形態４と同種のレジスト剥離
剤を適用することを可能にしている。
【００８５】（実施形態６）次に本発明の第六の実施形
態を示す。本実施例は、層間絶縁膜の材料としてｉ線感
応型のＵＶ硬化型樹脂を用いる場合に関するものであ
る。ｉ線感応型のＵＶ硬化型樹脂としては、例えば実施
形態３において使用したカルド型化合物とエポキシ基を
有する化合物との重合体とともに光開始重合剤を含有す
る樹脂が挙げられる。以下、この樹脂を用いる場合につ
いて具体的な工程を示す。
態を示す。本実施例は、層間絶縁膜の材料としてｉ線感
応型のＵＶ硬化型樹脂を用いる場合に関するものであ
る。ｉ線感応型のＵＶ硬化型樹脂としては、例えば実施
形態３において使用したカルド型化合物とエポキシ基を
有する化合物との重合体とともに光開始重合剤を含有す
る樹脂が挙げられる。以下、この樹脂を用いる場合につ
いて具体的な工程を示す。
【００８６】本実施形態における工程は、実施形態４に
準じる。ただし有機膜の仮焼は実施形態３と同様に８０
〜１５０℃において行う。また、レジストはｇ線感応型
ポジ型レジストを用い、ｇ線にて５０〜１００ｍＪ／ｃ
ｍ2レジストの露光を行う。その後、実施形態４と同様
にレジストパターン１０３及び有機膜パターン１０１を
形成した後（図６（ｂ））、ドライエッチング（図６
（ｄ））及びレジストパターン１０３（図６（ｅ））の
除去を行う。レジスト剥離剤は、実施形態５と同様に、
濃度調整を行ったＴＭＡＨ溶液を使用する。
準じる。ただし有機膜の仮焼は実施形態３と同様に８０
〜１５０℃において行う。また、レジストはｇ線感応型
ポジ型レジストを用い、ｇ線にて５０〜１００ｍＪ／ｃ
ｍ2レジストの露光を行う。その後、実施形態４と同様
にレジストパターン１０３及び有機膜パターン１０１を
形成した後（図６（ｂ））、ドライエッチング（図６
（ｄ））及びレジストパターン１０３（図６（ｅ））の
除去を行う。レジスト剥離剤は、実施形態５と同様に、
濃度調整を行ったＴＭＡＨ溶液を使用する。
【００８７】また、レジストパターン１０３及び有機膜
パターン１０１を形成した後、あるいはドライエッチン
グを行った後に、実施形態４及び実施形態５と同様にＵ
Ｖ（ｉ線）照射を行うことにより、カルド型ポリマーを
光架橋反応により半硬化させてアルカリに対して不溶化
させ、同時にレジストをアルカリに対して可溶化すれば
（図６（ｃ））、実施形態４の場合と同様に、レジスト
剥離剤としてＴＭＡＨ溶液を濃度調整なしでそのまま適
用することができる。次に２５０℃において３０分間再
焼成を行い、カルド型ポリマーを完全に硬化させる。な
お、ＵＶ照射はドライエッチングの前後いずれにおいて
行っても良い。
パターン１０１を形成した後、あるいはドライエッチン
グを行った後に、実施形態４及び実施形態５と同様にＵ
Ｖ（ｉ線）照射を行うことにより、カルド型ポリマーを
光架橋反応により半硬化させてアルカリに対して不溶化
させ、同時にレジストをアルカリに対して可溶化すれば
（図６（ｃ））、実施形態４の場合と同様に、レジスト
剥離剤としてＴＭＡＨ溶液を濃度調整なしでそのまま適
用することができる。次に２５０℃において３０分間再
焼成を行い、カルド型ポリマーを完全に硬化させる。な
お、ＵＶ照射はドライエッチングの前後いずれにおいて
行っても良い。
【００８８】本実施形態の最大の特徴は、ＵＶ硬化型樹
脂の特性を利用していることである。ｉ線感応型のＵＶ
硬化型樹脂に対してｇ線感応型のレジストを適用するこ
とにより、レジストの露光工程において上記樹脂を半硬
化状態としてレジスト剥離剤に対して不溶化している。
すなわち実施形態４及び実施形態５における熱架橋反応
による半硬化の工程を光架橋反応により行っている。
脂の特性を利用していることである。ｉ線感応型のＵＶ
硬化型樹脂に対してｇ線感応型のレジストを適用するこ
とにより、レジストの露光工程において上記樹脂を半硬
化状態としてレジスト剥離剤に対して不溶化している。
すなわち実施形態４及び実施形態５における熱架橋反応
による半硬化の工程を光架橋反応により行っている。
【００８９】また、ＵＶ（ｉ線）照射の工程において
は、樹脂を完全に硬化させると同時にレジストをＴＭＡ
Ｈ溶液に対して可溶化することができる。従って実施形
態４よりも少ない工程で同様の効果を得ることが可能と
なる。また、上記カルド型ポリマーの光透過率及び耐熱
性が優れていることは、実施形態３の場合と同様であ
る。
は、樹脂を完全に硬化させると同時にレジストをＴＭＡ
Ｈ溶液に対して可溶化することができる。従って実施形
態４よりも少ない工程で同様の効果を得ることが可能と
なる。また、上記カルド型ポリマーの光透過率及び耐熱
性が優れていることは、実施形態３の場合と同様であ
る。
【００９０】
【実施例】次に、本発明の実施例を示す。
【００９１】（実施例１）実施形態１において示した工
程に従って、ベンゾシクロブテンポリマーを用いた層間
絶縁膜を形成した。より具体的な製造条件について以下
に記す。 有機膜の厚さ − ３μｍ 仮焼温度 − １７０℃ レジスト − プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート溶剤 ＋ナフトキノンジアゾ−ノボラック系ポジ型レジスト エッチング液 − １，３，５トリイソプロピルベンゼン＋芳香族炭化水素 エッチングガス − Ｏ2／ＳＦ6ガス レジスト剥離剤 − ＤＭＳＯ・アミン系剥離剤 焼成 − ２７０℃、６０分間
程に従って、ベンゾシクロブテンポリマーを用いた層間
絶縁膜を形成した。より具体的な製造条件について以下
に記す。 有機膜の厚さ − ３μｍ 仮焼温度 − １７０℃ レジスト − プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート溶剤 ＋ナフトキノンジアゾ−ノボラック系ポジ型レジスト エッチング液 − １，３，５トリイソプロピルベンゼン＋芳香族炭化水素 エッチングガス − Ｏ2／ＳＦ6ガス レジスト剥離剤 − ＤＭＳＯ・アミン系剥離剤 焼成 − ２７０℃、６０分間
【００９２】得られた層間絶縁膜について、その光透過
率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長４００ｎ
ｍ以上において９５％以上であり、耐熱温度は３００℃
以上であった。
率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長４００ｎ
ｍ以上において９５％以上であり、耐熱温度は３００℃
以上であった。
【００９３】（実施例２）実施形態２において示した工
程に従って、ポリシラザン化合物を用いた層間絶縁膜を
形成した。より具体的な製造条件について以下に記す。 有機膜の厚さ − ３μｍ 仮焼温度 − １６０℃ レジスト − プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート溶剤 ＋ナフトキノンジアゾ−ノボラック系ポジ型レジスト エッチング液 − バッファード酸溶液 エッチングガス − Ｏ2／ＳＦ6ガス レジスト剥離剤 − ＤＭＳＯ・アミン系剥離剤 焼成 − ２７０℃、６０分間
程に従って、ポリシラザン化合物を用いた層間絶縁膜を
形成した。より具体的な製造条件について以下に記す。 有機膜の厚さ − ３μｍ 仮焼温度 − １６０℃ レジスト − プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート溶剤 ＋ナフトキノンジアゾ−ノボラック系ポジ型レジスト エッチング液 − バッファード酸溶液 エッチングガス − Ｏ2／ＳＦ6ガス レジスト剥離剤 − ＤＭＳＯ・アミン系剥離剤 焼成 − ２７０℃、６０分間
【００９４】得られた層間絶縁膜について、その光透過
率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長４００ｎ
ｍ以上において９５％以上であり、耐熱温度は３００℃
以上であった。
率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長４００ｎ
ｍ以上において９５％以上であり、耐熱温度は３００℃
以上であった。
【００９５】（実施例３）実施形態３において示した工
程に従って、式１の構造式で表わされるカルド型化合物
と敷き２の構造式で表わされるエポキシ樹脂を持つ化合
物との重合体を用いた層間絶縁膜を形成した。より具体
的な製造条件について以下に記す。 有機膜の厚さ − ３μｍ 仮焼温度 − １５０℃ レジスト − プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート溶剤 ＋ナフトキノンジアゾ−ノボラック系ポジ型レジスト エッチング液 − テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ） 溶液（レジスト現像液） エッチングガス − Ｏ2／ＳＦ6ガス レジスト剥離剤 − 乳酸ブチル 焼成 − ２５０℃、３０分間
程に従って、式１の構造式で表わされるカルド型化合物
と敷き２の構造式で表わされるエポキシ樹脂を持つ化合
物との重合体を用いた層間絶縁膜を形成した。より具体
的な製造条件について以下に記す。 有機膜の厚さ − ３μｍ 仮焼温度 − １５０℃ レジスト − プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート溶剤 ＋ナフトキノンジアゾ−ノボラック系ポジ型レジスト エッチング液 − テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ） 溶液（レジスト現像液） エッチングガス − Ｏ2／ＳＦ6ガス レジスト剥離剤 − 乳酸ブチル 焼成 − ２５０℃、３０分間
【００９６】得られた層間絶縁膜について、その光透過
率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長４００ｎ
ｍ以上において９５％以上であり、耐熱温度は２６０℃
以上であった。
率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長４００ｎ
ｍ以上において９５％以上であり、耐熱温度は２６０℃
以上であった。
【００９７】（実施例４）実施形態４において示した工
程に従って、非感光性アクリル樹脂を用いた層間絶縁膜
を形成した。より具体的な製造条件について以下に記
す。 有機膜の厚さ − ３μｍ 仮焼温度 − ９０℃ レジスト − ２−ヘプタノンと３−エトキシプロピオン酸との混合溶剤 ＋ナフトキノンジアゾ−ノボラック系ポジ型レジスト エッチング液 − テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ） 溶液（レジスト現像液） 熱架橋反応促進用熱処理 − １３０℃、５分間 ＵＶ（ｉ線）照射− ５００〜１０００ｍＪ／ｃｍ2で全面（裏表）に照射 エッチングガス − Ｏ2／ＳＦ6ガス レジスト剥離剤 − ＤＭＳＯ・アミン系剥離剤、及びＴＭＡＨ溶液 それぞれについて試料を作成 焼成 − ２５０℃、３０分間
程に従って、非感光性アクリル樹脂を用いた層間絶縁膜
を形成した。より具体的な製造条件について以下に記
す。 有機膜の厚さ − ３μｍ 仮焼温度 − ９０℃ レジスト − ２−ヘプタノンと３−エトキシプロピオン酸との混合溶剤 ＋ナフトキノンジアゾ−ノボラック系ポジ型レジスト エッチング液 − テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ） 溶液（レジスト現像液） 熱架橋反応促進用熱処理 − １３０℃、５分間 ＵＶ（ｉ線）照射− ５００〜１０００ｍＪ／ｃｍ2で全面（裏表）に照射 エッチングガス − Ｏ2／ＳＦ6ガス レジスト剥離剤 − ＤＭＳＯ・アミン系剥離剤、及びＴＭＡＨ溶液 それぞれについて試料を作成 焼成 − ２５０℃、３０分間
【００９８】得られた層間絶縁膜について、その光透過
率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長４００ｎ
ｍ以上において９５％以上であり、耐熱温度は２６０℃
以上であった。
率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長４００ｎ
ｍ以上において９５％以上であり、耐熱温度は２６０℃
以上であった。
【００９９】（実施例５）実施形態５において示した工
程に従って、光開始重合剤を含有する非感光性アクリル
樹脂を用いた層間絶縁膜を形成した。より具体的な製造
条件についてはほぼ実施例４に準ずるので、異なる部分
のみ以下に記す。 レジスト剥離剤 − 濃度を約１〜１．５％に調整した
ＴＭＡＨ溶液
程に従って、光開始重合剤を含有する非感光性アクリル
樹脂を用いた層間絶縁膜を形成した。より具体的な製造
条件についてはほぼ実施例４に準ずるので、異なる部分
のみ以下に記す。 レジスト剥離剤 − 濃度を約１〜１．５％に調整した
ＴＭＡＨ溶液
【０１００】得られた層間絶縁膜について、その光透過
率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長４００ｎ
ｍ以上において９５％以上であり、耐熱温度は２６０℃
以上であった。
率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長４００ｎ
ｍ以上において９５％以上であり、耐熱温度は２６０℃
以上であった。
【０１０１】（実施例６）実施形態６において示した工
程に従って、ｉ線感応型ＵＶ硬化型ポリマー、すなわち
実施形態３において使用したカルド型化合物とエポキシ
基を有する化合物との重合体とともに光開始重合剤を含
有する樹脂を用いた層間絶縁膜を形成した。より具体的
な製造条件について以下に記す。 有機膜の厚さ − ３μｍ 仮焼温度 − １３０℃ レジスト − プロピレングリコールエチルエーテルアセテート溶剤 ＋ナフトキノンジアゾ−ノボラック系ｇ線感応型ポジ型 レジスト ｇ線照射 − ５０〜１００ｍＪ／ｃｍ2 エッチング液 − テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ） 溶液（レジスト現像液） エッチングガス − Ｏ2／ＳＦ6ガス ＵＶ（ｉ線）照射− ５００〜１０００ｍＪ／ｃｍ2で全面（裏表）に照射 レジスト剥離剤 − 濃度調整したＤＭＳＯ・アミン系剥離剤 焼成 − ２５０℃、３０分間
程に従って、ｉ線感応型ＵＶ硬化型ポリマー、すなわち
実施形態３において使用したカルド型化合物とエポキシ
基を有する化合物との重合体とともに光開始重合剤を含
有する樹脂を用いた層間絶縁膜を形成した。より具体的
な製造条件について以下に記す。 有機膜の厚さ − ３μｍ 仮焼温度 − １３０℃ レジスト − プロピレングリコールエチルエーテルアセテート溶剤 ＋ナフトキノンジアゾ−ノボラック系ｇ線感応型ポジ型 レジスト ｇ線照射 − ５０〜１００ｍＪ／ｃｍ2 エッチング液 − テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ） 溶液（レジスト現像液） エッチングガス − Ｏ2／ＳＦ6ガス ＵＶ（ｉ線）照射− ５００〜１０００ｍＪ／ｃｍ2で全面（裏表）に照射 レジスト剥離剤 − 濃度調整したＤＭＳＯ・アミン系剥離剤 焼成 − ２５０℃、３０分間
【０１０２】得られた層間絶縁膜について、その光透過
率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長４００ｎ
ｍ以上において９２％以上であり、耐熱温度は２５０℃
以上であった。
率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長４００ｎ
ｍ以上において９２％以上であり、耐熱温度は２５０℃
以上であった。
【０１０３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、高透過
率及び高耐熱性の層間絶縁膜を有したオーバーラップ構
造のＴＦＴ基板、及びそのようなＴＦＴ基板を有するア
クティブマトリクス型液晶表示装置を効率的に製作する
ことが可能である。
率及び高耐熱性の層間絶縁膜を有したオーバーラップ構
造のＴＦＴ基板、及びそのようなＴＦＴ基板を有するア
クティブマトリクス型液晶表示装置を効率的に製作する
ことが可能である。
【図１】 本発明の製造方法第一の実施形態を示す説明
図である。
図である。
【図２】 本発明の製造方法第二の実施形態を示す説明
図である。
図である。
【図３】 本発明の製造方法第三の実施形態を示す説明
図である。
図である。
【図４】 本発明の製造方法第四の実施形態を示す説明
図である。
図である。
【図５】 本発明の製造方法第五の実施形態を示す説明
図である。
図である。
【図６】 本発明の製造方法第六の実施形態を示す説明
図である。
図である。
【図７】 従来における第一の液晶表示装置の概略を示
す説明図である。
す説明図である。
【図８】 従来における第二の液晶表示装置の概略を示
す説明図である。
す説明図である。
【図９】 従来における第二の液晶表示装置の製造工程
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【符号の説明】 １００ 有機膜 １０１ 有機膜パターン １０２ ＳｉＮX 膜 １０３ レジストパターン １０４ ＴＦＴガラス基板 １０５ ゲート電極 １０６ ゲート側端子 １０７ ゲート絶縁膜 １０８ データ側端子 １０９ ａ−Ｓｉ膜 １１０ ｎ＋ａ−Ｓｉ膜 １１１ ドレイン電極 １１２ ソース電極 １１３ コンタクトホール ７０１ ゲート線 ７０２ データ線 ７０３ 薄膜トランジスタ ７１０ ＣＦ基板 ７１１ ＣＦガラス基板 ７１２ ブラックマトリックス ７１３ 色層 ７１４ 対向電極 ７２０ 液晶層 ７３０ ＴＦＴ基板 ７３１ 画素電極 ７３２ パッシベーション膜 ８０１ 層間絶縁膜
Claims (43)
- 【請求項１】 画素電極と配線がオーバーラップする構
造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板の層間絶縁膜を形
成する工程において、前記層間絶縁膜の少なくとも一部
に有機膜を形成してこれをパターニングし、得られた有
機膜パターンをマスクとして下地のパターニングを行う
ことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項２】 ウェットエッチング法により有機膜のパ
ターニングを行い、かつＯ2又はＣＦ4又はＣＨＦ3又は
ＳＦ6のうち少なくとも１種類以上のガスを選択して用
いたドライエッチング法により下地のパターニングを行
うことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３】 樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜
を形成する工程と、形成された有機膜の表面にレジスト
を塗布して焼成、露光及び現像を行ってレジストパター
ンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクと
して前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パター
ンを得る工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下
地をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去
する工程と、再焼成を行って前記有機膜パターンを完全
に硬化させる工程とからなることを特徴とする請求項２
に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項４】 感光剤としてナフトキノンジアゾ化合
物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤としてメチ
ルアミン系溶剤又はプロピレングリコールモノアセチル
アセテートを用いたポジ型レジストを用い、かつテトラ
メチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液
にて前記レジストの現像を行い、かつジメチルスルオキ
シド（ＤＭＳＯ）とモノエタノールアミンとの混合溶液
又はＤＭＳＯとｎメチル２ピロリド（ＮＭＰ）との混合
溶液又は乳酸エチル又は酢酸ブチルを用いて前記レジス
トの除去を行うことを特徴とする請求項３に記載のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 プロピレングリコールモノアセチルアセ
テートを溶剤としたベンゾシクロブテンポリマーを塗布
して１３０〜２００℃の温度範囲において仮焼を行い、
かつ１，３，５トリイソプロピルベンゼンと芳香族炭化
水素との混合溶液又はグリコールエーテルと合成イソパ
ラフィン系炭化水素との混合溶液を用いて有機膜のウェ
ットエッチングを行い、かつ２４０〜３００℃の温度範
囲において再焼成を行うことを特徴とする請求項４に記
載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 ポリシラザン化合物、又はポリシラザン
化合物と感光基を含有しないアクリル化合物との重合体
を塗布して１３０〜２００℃の温度範囲において仮焼を
行い、かつフッ酸緩衝液又はバッファードフッ酸溶液を
用いて有機膜のウエットエッチングを行い、かつ２４０
〜３００℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴
とする請求項４に記載のアクティブマトリクス型液晶表
示装置の製造方法。 - 【請求項７】 ウェットエッチング法により有機膜のパ
ターニングを行う工程において、レジストの現像と有機
膜のエッチングとを同時に行うことを特徴とする請求項
２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項８】 樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜
を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を
行う工程と、前記レジストを現像してレジストパターン
を形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングし
て有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パター
ンをマスクとして下地をドライエッチングする工程と、
前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜
パターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴と
する請求項７に記載のアクティブマトリクス型液晶表示
装置の製造方法。 - 【請求項９】 感光剤としてナフトキノンジアゾ化合
物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記
有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロ
ピレングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプ
タノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブ
チル又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混
合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチ
ルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて
前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチングを
行い、かつジメチルスルオキシド（ＤＭＳＯ）とモノエ
タノールアミンとの混合溶液又はＤＭＳＯとｎメチル２
ピロリド（ＮＭＰ）との混合溶液又は乳酸エチル又は酢
酸ブチルを用いて前記レジストの除去を行うことを特徴
とする請求項８に記載のアクティブマトリクス型液晶表
示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 式１の構造式で表されるカルド型化合
物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物
との重合体を塗布して１１０〜１７０℃の温度範囲にお
いて仮焼を行い、かつ２３０〜２８０℃の温度範囲にお
いて再焼成を行うことを特徴とする請求項９に記載のア
クティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 感光基を含有しないアクリル樹脂を塗
布して８０〜１００℃の温度範囲において仮焼を行い、
かつ２２０〜２６０℃の温度範囲において再焼成を行う
ことを特徴とする請求項９に記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１２】 熱硬化型樹脂を塗布した後に仮焼を行
って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成
及び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジス
トパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエ
ッチングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有
機膜パターンを熱架橋反応により半硬化させて現像液に
対して不溶化する工程と、前記有機膜パターンをマスク
として下地をドライエッチングする工程と、基板の少な
くとも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記レジスト
をレジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前記レジ
ストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターン
を完全に硬化する工程とからなることを特徴とする請求
項７に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項１３】 熱硬化型樹脂を塗布した後に仮焼を行
って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成
及び露光を行なう工程と、前記レジストを現像してレジ
ストパターンを形成する工程と、前記有機膜パターンを
マスクとして下地をドライエッチングする工程と、基板
の少なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記レ
ジストをレジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前
記有機膜が不溶となるように濃度調整したレジスト剥離
剤を用いて前記レジストを除去する工程と、再焼成して
前記有機撒くパターンを完全に硬化する工程とからなる
ことを特徴とする請求項７に記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１４】 レジスト現像液を用いてレジストを除
去することを特徴とする請求項１２又は請求項１３に記
載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１５】 感光剤としてナフトキノンジアゾ化合
物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記
有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロ
ピレングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプ
タノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブ
チル又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混
合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチ
ルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて
前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチング及
び前記レジストの除去を行うことを特徴とする請求項１
２〜１４のいずれか一に記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１６】 感光基を含有せずかつアクリル及び光
開始重合剤を含有する樹脂を塗布して８０〜１１０℃の
温度範囲において仮焼を行い、かつ２２０〜２６０℃の
温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする請求項
９又は請求項１５に記載のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項１７】 ｉ線又はそれよりも短波長の光に感応
するＵＶ硬化型樹脂を塗布した後に仮焼して有機膜を形
成する工程と、レジストを塗布して焼成を行う工程と、
ｇ線で露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジ
ストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェット
エッチングして有機膜パターンを形成する工程と、基板
の少なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記有
機膜パターンを光架橋反応により半硬化させて現像液に
対して不溶化すると同時に前記レジストを現像液に対し
て可溶化する工程と、前記有機膜パターンをマスクとし
て下地をドライエッチングする工程と、前記現像液を用
いて前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有
機膜パターンを完全に硬化する工程とからなることを特
徴とする請求項７に記載のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項１８】 感光剤としてナフトキノンジアゾ化合
物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記
有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロ
ピレングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプ
タノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブ
チル又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混
合溶剤を用いたｇ線感応型のポジ型レジストを用い、か
つテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡ
Ｈ）溶液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェット
エッチング及び前記レジストの除去を行うことを特徴と
する請求項１７に記載のアクティブマトリクス型液晶表
示装置の製造方法。 - 【請求項１９】 式１の構造式で表されるカルド型化合
物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物
との重合体及び光重合開始材を含有する樹脂を塗布して
８０〜１５０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２
３０〜２８０℃の温度範囲において再焼成を行うことを
特徴とする請求項９又は請求項１７に記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２０】 画素電極と配線がオーバーラップする
構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板において、両者
の層間絶縁膜として少なくとも一部に有機膜を有し、か
つ前記有機膜がｇ線に対して透過率９０％以上を示し、
かつその耐熱温度が２５０℃以上であることを特徴とす
るアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２１】 有機膜がベンゾシクロブテンポリマー
であることを特徴とする請求項２０に記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２２】 有機膜がポリシラザン化合物、又はポ
リシラザン化合物と感光基を含有しないアクリル化合物
との重合体であることを特徴とする請求項２０に記載の
アクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２３】 有機膜が式１の構造式で表されるカル
ド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有
する化合物との重合体であることを特徴とする請求項２
０に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２４】 有機膜が感光基を含有しないアクリル
系樹脂であることを特徴とする請求項２０に記載のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２５】 層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜
を形成してこれをパターニングし、得られた有機膜パタ
ーンをマスクとして下地のパターニングを行って得られ
ることを特徴とする請求項２０〜２４のいずれか一に記
載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２６】 ウェットエッチング法により有機膜の
パターニングを行い、かつＯ2又はＣＦ4又はＣＨＦ3又
はＳＦ6のうち少なくとも１以上のガスを用いたドライ
エッチング法により下地のパターニングを行って得られ
ることを特徴とする請求項２５に記載のアクティブマト
リクス型液晶表示装置。 - 【請求項２７】 樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機
膜を形成する工程と、形成された有機膜の表面にレジス
トを塗布して焼成、露光及び現像を行ってレジストパタ
ーンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスク
として前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パタ
ーンを得る工程と、前記有機膜パターンをマスクとして
下地をドライエッチングする工程と、前記レジストを除
去する工程と、再焼成を行って前記有機膜パターンを完
全に硬化させる工程とから得られることを特徴とする請
求項２６に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項２８】 感光剤としてナフトキノンジアゾ化合
物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記
有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロ
ピレングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプ
タノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブ
チル又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混
合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチ
ルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて
前記レジストの現像を行い、かつジメチルスルオキシド
（ＤＭＳＯ）とモノエタノールアミンとの混合溶液又は
ＤＭＳＯとｎメチル２ピロリド（ＮＭＰ）との混合溶液
又は乳酸エチル又は酢酸ブチルを用いて前記レジストの
除去を行って得られることを特徴とする請求項２７に記
載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２９】 プロピレングリコールモノアセチルア
セテートを溶剤としたベンゾシクロブテンポリマーを塗
布して１３０〜２００℃の温度範囲において仮焼を行
い、かつ１，３，５トリイソプロピルベンゼンと芳香族
炭化水素との混合溶液又はグリコールエーテルと合成イ
ソパラフィン系炭化水素との混合溶液を用いて有機膜の
ウェットエッチングを行い、かつ２４０〜３００℃の温
度範囲において再焼成を行って得られることを特徴とす
る請求項２８に記載のアクティブマトリクス型液晶表示
装置。 - 【請求項３０】 ポリシラザン化合物、又はポリシラザ
ン化合物と感光基を含有しないアクリル化合物との重合
体を塗布して１３０〜２００℃の温度範囲において仮焼
を行い、かつフッ酸緩衝液又はバッファードフッ酸溶液
を用いて有機膜のウエットエッチングを行い、かつ２４
０〜３００℃の温度範囲において再焼成を行って得られ
ることを特徴とする請求項２８に記載のアクティブマト
リクス型液晶表示装置。 - 【請求項３１】 ウェットエッチング法により有機膜の
パターニングを行う工程において、レジストの現像と有
機膜のエッチングとを同時に行って得られることを特徴
とする請求項２６に記載のアクティブマトリクス型液晶
表示装置。 - 【請求項３２】 樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機
膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光
を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパター
ンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチング
して有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パタ
ーンをマスクとして下地をドライエッチングする工程
と、前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有
機膜パターンを完全に硬化する工程とから得られること
を特徴とする請求項３１に記載のアクティブマトリクス
型液晶表示装置。 - 【請求項３３】 感光剤としてナフトキノンジアゾ化合
物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記
有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロ
ピレングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプ
タノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブ
チル又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混
合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチ
ルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて
前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチングを
行い、かつジメチルスルオキシド（ＤＭＳＯ）とモノエ
タノールアミンとの混合溶液又はＤＭＳＯとｎメチル２
ピロリド（ＮＭＰ）との混合溶液又は乳酸エチル又は酢
酸ブチルを用いて前記レジストの除去を行って得られる
ことを特徴とする請求項３２に記載のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置。 - 【請求項３４】 式１の構造式で表されるカルド型化合
物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物
との重合体を塗布して１１０〜１７０℃の温度範囲にお
いて仮焼を行い、かつ２３０〜２８０℃の温度範囲にお
いて再焼成を行って得られることを特徴とする請求項３
３に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項３５】 感光基を含有しないアクリル樹脂を塗
布して８０〜１００℃の温度範囲において仮焼を行い、
かつ２２０〜２６０℃の温度範囲において再焼成を行っ
て得られることを特徴とする請求項３３に記載のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項３６】 熱硬化型樹脂を塗布した後に仮焼を行
って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成
及び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジス
トパターンを形成しすると同時に前記有機膜をウェット
エッチングして有機膜パターンを形成する工程と、前記
有機膜パターンを熱架橋反応により半硬化させて現像液
に対して不溶化する工程と、前記有機膜パターンをマス
クとして下地をドライエッチングする工程と、基板の少
なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記レジス
トをレジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、レジス
トを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターンを
完全に硬化する工程とから得られることを特徴とする請
求項３１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項３７】 熱硬化型樹脂を塗布した後に仮焼を行
って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成
及び露光を行なう工程と、前記レジストを現像してレジ
ストパターンを形成する工程と、前記有機膜パターンを
マスクとして下地をドライエッチングする工程と、基板
の少なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記レ
ジストをレジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前
記有機膜が不溶となるように濃度調整したレジスト剥離
剤を用いて前記レジストを除去する工程と、再焼成して
前記有機撒くパターンを完全に硬化する工程とから得ら
れることを特徴とする請求項３１に記載のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３８】 レジスト現像液を用いてレジストを除
去して得られることを特徴とする請求項３６又は請求項
３７に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項３９】 感光剤としてナフトキノンジアゾ化合
物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記
有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロ
ピレングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプ
タノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブ
チル又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混
合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチ
ルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて
前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチング及
び前記レジストの除去を行って得られることを特徴とす
る請求項３６〜３８のいずれか一に記載のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置。 - 【請求項４０】 感光基を含有せずかつアクリル及び光
開始重合剤を含有する樹脂を塗布して８０〜１１０℃の
温度範囲において仮焼を行い、かつ２２０〜２６０℃の
温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする請求項
３３又は請求項３９に記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置。 - 【請求項４１】 ｉ線又はそれよりも短波長の光に感応
するＵＶ硬化型樹脂を塗布した後に仮焼して有機膜を形
成する工程と、レジストを塗布して焼成を行う工程と、
ｇ線で露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジ
ストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェット
エッチングして有機膜パターンを形成する工程と、基板
の少なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記有
機膜パターンを光架橋反応により半硬化させて現像液に
対して不溶化すると同時に前記レジストを現像液に対し
て可溶化する工程と、前記有機膜パターンをマスクとし
て下地をドライエッチングする工程と、前記現像液を用
いて前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有
機膜パターンを完全に硬化する工程とから得られること
を特徴とする請求項３１に記載のアクティブマトリクス
型液晶表示装置。 - 【請求項４２】 感光剤としてナフトキノンジアゾ化合
物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記
有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロ
ピレングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプ
タノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブ
チル又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混
合溶剤を用いたｇ線感応型のポジ型レジストを用い、か
つテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡ
Ｈ）溶液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェット
エッチング及び前記レジストの除去を行って得られるこ
とを特徴とする請求項４１に記載のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置。 - 【請求項４３】 式１の構造式で表されるカルド型化合
物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物
との重合体及び光重合開始材を含有する樹脂を塗布して
８０〜１５０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２
３０〜２８０℃の温度範囲において再焼成を行って得ら
れることを特徴とする請求項３３又は請求項４２に記載
のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33303598A JP3161438B2 (ja) | 1997-11-25 | 1998-11-24 | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32342397 | 1997-11-25 | ||
| JP9-323423 | 1997-11-25 | ||
| JP33303598A JP3161438B2 (ja) | 1997-11-25 | 1998-11-24 | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11231347A true JPH11231347A (ja) | 1999-08-27 |
| JP3161438B2 JP3161438B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=26571181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33303598A Expired - Lifetime JP3161438B2 (ja) | 1997-11-25 | 1998-11-24 | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR100671142B1 (ko) | 2005-07-21 | 2007-01-17 | 제일모직주식회사 | 액정표시소자 스페이서용 감광성수지 조성물 |
| JP2008166537A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子 |
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| JP3161438B2 (ja) | 2001-04-25 |
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