JPH11231347A - アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法

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JPH11231347A
JPH11231347A JP33303598A JP33303598A JPH11231347A JP H11231347 A JPH11231347 A JP H11231347A JP 33303598 A JP33303598 A JP 33303598A JP 33303598 A JP33303598 A JP 33303598A JP H11231347 A JPH11231347 A JP H11231347A
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道昭 坂本
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 画素電極と配線がオーバーラップする構造の
TFT(薄型トランジスタ)基板において、高透過率、
高耐熱性の層間積層膜を効率的に生産する方法、及びそ
のようなTFT(薄型トランジスタ)基板を有するアク
ティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を
形成してこれをウェットエッチング法によりパターニン
グし、この有機膜パターンをマスクとしたドライエッチ
ング法により下地をパターニングする。有機膜の材料と
してベンゾシクロブテンポリマー、又はポリシラザン化
合物、又はカルド型化合物とエポキシ基とを有する化合
物との重合体、又はアクリル系樹脂を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
(TFT)基板を有するアクティブマトリクス型液晶表
示装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の、薄膜トランジスタ(TFT)基
板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置につい
て、図7に示すとともに以下に説明する。この装置は、
図7(b)に示されるように、TFT基板730とカラ
ーフィルター(CF)基板710との間にツイストネマ
ティック液晶層720を挟持する構造をとっている。T
FT基板730について見ると、TFTガラス基板10
4上にゲート電極105、ゲート絶縁膜107、a−S
i層109、n+a−Si層110、ソース電極112
及びドレイン電極111、画素電極731、パッシベー
ション膜732を順に形成した構造をとっている。パッ
シベーション膜732としては、プラズマCVDにより
成膜した300nm程度のSiNを用いるのが一般的で
ある。一方、CF基板610について見ると、CFガラ
ス基板711上にブラックマトリクス712、色層71
3、対向電極714を順に形成した構造をとっている。
【0003】このような構造のアクティブマトリクス型
液晶表示装置においては、図7に示される光漏れ領域B
を遮光するために、前記ブラックマトリクス712を設
ける必要があった。従って、この遮光部の重ね合わせマ
ージンを考慮する必要上、液晶表示パネルの光透過領域
Aが小さくなり、装置全体としての透過率が低下する点
に問題があった。
【0004】そこで、前記光透過領域を大きくするすな
わち開口率を高めるための手段として、図8に示される
ように画素電極731とデータ線702及びゲート線7
01がオーバーラップする構造が例えば特開平9−15
2625号等に開示されいる。
【0005】このような構造のアクティブマトリクス型
液晶表示装置においては、画素電極732とデータ線7
02及びゲート線701のオーバーラップ容量を低減す
るために、誘電率が低くかつ厚膜化可能な材料を用いて
層間絶縁膜801を形成する必要がある。具体的には、
従来用いられてきたSiNからなる無機膜の上に、例え
ばアクリル系やポリイミド系の低比誘電率ポジ型感光性
樹脂を2〜4μm 積層した構造の層間絶縁膜を用いてい
た。
【0006】図9に上記層間絶縁膜801の製造工程を
示し、以下に説明する。従来と同様にプラズマCVDに
より300nm程度のSiN層102を積層し、パター
ニングによってコンタクトホール113を形成する(図
9(a))。次に、感光性樹脂を塗布した後に仮焼、露
光、及びアルカリ現像によりパターニングを行う(図9
(b)及び(c))。次に、i線を含むUV光を全面照
射して脱色させ、透明化する。次に、熱架橋反応により
樹脂を硬化させる。次に、ITO等の透明性電極をスパ
ッタにより成膜し、画素電極732をパターニングする
(図9(d))。最後に、250℃において30分程度
アニールを行う。
【0007】このようにして得られたTFT基板を有す
るアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、光
漏れ領域がなくなり、ブラックマトリックスが不要とな
るので、開口率を高めることが可能であった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記公
知例においては、SiN層と有機膜とのそれぞれにおい
て層形成及びパターニングを行っていた。また、ウェッ
トエッチングによる有機膜のパターニング後には、コン
タクト不良の原因となる樹脂残存物を除去する目的でド
ライエッチングを行うことが望ましく、これらによって
工数が増加し、作業性、生産性の面で問題があった。そ
こでこのような工数の増加を少しでも防いで生産性を向
上させるために、上記工程をなるべく一括して行うこ
と、例えば、SiN層と有機膜を順次形成し、有機膜を
ウェットエッチングした後に、得られた有機膜パターン
をマスクとして下地のドライエッチングを行う方法が考
えられる。
【0009】しかしながら、ポジ型アクリル感光性樹脂
は耐ドライエッチング性に乏しく、ドライエッチングに
よってその表面が著しく損耗されてしまうので、このよ
うな方法を適用することはできなかった。
【0010】また、これら有機膜は液晶表示装置に適用
されるものである以上、光透過率(特にi線付近での光
透過率)が良好であることが要求されるが、ポジ型感光
性アクリル樹脂はi線付近での光透過率が低く、さら
に、感光基の耐熱性が十分でないことから後工程のアニ
ール等熱処理によって透過率がさらに低下してしまい、
必要とされる性能を得られないという問題があった。
【0011】一方ポリイミド樹脂について見ると、耐ド
ライエッチング性は良好であるものの、光透過率に関し
てはやはり十分ではなく、この点についての改善が望ま
れていた。
【0012】そこで、本発明の課題は、画素電極と配線
がオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジス
タ)基板において、高い光透過率、耐ドライエッチング
性、及び耐熱性を有する層間積層膜を効率的に生産する
方法を提供することである。また、そのようなTFT
(薄型トランジスタ)基板を有するアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決すべく鋭意研究を重ね、アクティブマトリクス型液
晶表示装置のTFT基板への適用が最適である有機膜の
材料として、従来よりも高い光透過率、耐ドライエッチ
ング性、及び耐熱性を有する化合物、及びそれらにより
適正かつ効率的に有機膜を形成することが可能な方法に
ついてそれぞれ検討し、以下の解決手段を得た。
【0014】すなわち本発明のアクティブマトリクス型
液晶表示装置の製造方法は、画素電極と配線がオーバー
ラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板の層
間絶縁膜を形成する工程において、前記層間絶縁膜の少
なくとも一部に有機膜を形成してこれをパターニング
し、得られた有機膜パターンをマスクとして下地のパタ
ーニングを行うことを特徴とする。これにより、製造工
程を簡略化することができ、生産性が向上する。
【0015】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、ウェットエッチング法により有
機膜のパターニングを行い、かつO2又はCF4又はCH
3又はSF6のうち少なくとも1種類以上のガスを選択
して用いたドライエッチング法により下地のパターニン
グを行うことを特徴とする。これにより、製造工程を簡
略化することができ、生産性が向上する。また、ドライ
エッチング工程においてウエットエッチング後の樹脂残
存物除去を同時に行なうことができる。
【0016】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、樹脂を塗布した後に仮焼を行っ
て有機膜を形成する工程と、形成された有機膜の表面に
レジストを塗布して焼成、露光及び現像を行ってレジス
トパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを
マスクとして前記有機膜をウェットエッチングして有機
膜パターンを得る工程と、前記有機膜パターンをマスク
として下地をドライエッチングする工程と、前記レジス
トを除去する工程と、再焼成を行って前記有機膜パター
ンを完全に硬化させる工程とからなることを特徴とす
る。これにより、製造工程を簡略化することができ、生
産性が向上する。また、ドライエッチング工程において
ウエットエッチング後の樹脂残存物除去を同時に行なう
ことができる。
【0017】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、感光剤としてナフトキノンジア
ゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤とし
てメチルアミン系溶剤又はプロピレングリコールモノア
セチルアセテートを用いたポジ型レジストを用い、かつ
テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド(TMA
H)溶液にて前記レジストの現像を行い、かつジメチル
スルオキシド(DMSO)とモノエタノールアミンとの
混合溶液又はDMSOとnメチル2ピロリド(NMP)
との混合溶液又は乳酸エチル又は酢酸ブチルを用いて前
記レジストの除去を行うことを特徴とする。これによ
り、有機膜の特性を損なうことなく、レジスト層の形成
及び除去を効率的に行うことができる。
【0018】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、プロピレングリコールモノアセ
チルアセテートを溶剤としたベンゾシクロブテンポリマ
ーを塗布して130〜200℃の温度範囲において仮焼
を行い、かつ1,3,5トリイソプロピルベンゼンと芳
香族炭化水素との混合溶液又はグリコールエーテルと合
成イソパラフィン系炭化水素との混合溶液を用いて有機
膜のウェットエッチングを行い、かつ240〜300℃
の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする。こ
れにより、得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエ
ッチング性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化及び製
品の特性向上に寄与する。
【0019】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、ポリシラザン化合物、又はポリ
シラザン化合物と感光基を含有しないアクリル化合物と
の重合体を塗布して130〜200℃の温度範囲におい
て仮焼を行い、かつフッ酸緩衝液又はバッファードフッ
酸溶液を用いて有機膜のウエットエッチングを行い、か
つ240〜300℃の温度範囲において再焼成を行うこ
とを特徴とする。これにより、得られる有機膜は高い光
透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、製
造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する。特に製造
工程簡略化に関しては、従来下地として使用されてきた
SiNx層が不要となり、その効果が大きい。
【0020】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、ウェットエッチング法により有
機膜のパターニングを行う工程において、レジストの現
像と有機膜のエッチングとを同時に行うことを特徴とす
る。これにより、製造工程がさらに簡略化される。
【0021】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、樹脂を塗布した後に仮焼を行っ
て有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及
び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジスト
パターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッ
チングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機
膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする
工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成して前
記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなること
を特徴とする。これにより、製造工程を簡略化すること
ができ、生産性が向上する。また、ドライエッチング工
程においてウエットエッチング後の樹脂残存物除去を同
時に行なうことができる。
【0022】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、感光剤としてナフトキノンジア
ゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤とし
て前記有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又
はプロピレングリコールモノアセチルアセテート又は2
−ヘプタノン又は3−エトキシプロピオン酸エチル又は
酢酸ブチル又はそれらの中から2種以上を選択して得ら
れる混合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテト
ラメチルアンモニウムヒドロオキサイド(TMAH)溶
液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチ
ングを行い、かつジメチルスルオキシド(DMSO)と
モノエタノールアミンとの混合溶液又はDMSOとnメ
チル2ピロリド(NMP)との混合溶液又は乳酸エチル
又は酢酸ブチルを用いて前記レジストの除去を行うこと
を特徴とする。これにより、レジストの現像と有機膜の
ウェットエッチングとを同時に行うことが可能となり、
工程が簡略かされる。また、有機膜の特性を損なうこと
なく、レジスト層の形成及び除去を効率的に行うことが
できる。
【0023】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、式1の構造式で表されるカルド
型化合物と式2の構造式で表されるエポキシ基を有する
化合物との重合体を塗布して110〜170℃の温度範
囲において仮焼を行い、かつ230〜280℃の温度範
囲において再焼成を行うことを特徴とする。これによ
り、得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチン
グ性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化及び製品の特
性向上に寄与する。
【0024】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、感光基を含有しないアクリル樹
脂を塗布して80〜100℃の温度範囲において仮焼を
行い、かつ220〜260℃の温度範囲において再焼成
を行うことを特徴とする。これにより、得られる有機膜
は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を
有し、製造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する。
【0025】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、熱硬化型樹脂を塗布した後に仮
焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布し
て焼成及び露光を行う工程と、前記レジストを現像して
レジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェ
ットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、
前記有機膜パターンを熱架橋反応により半硬化させて現
像液に対して不溶化する工程と、前記有機膜パターンを
マスクとして下地をドライエッチングする工程と、基板
の少なくとも表側又は裏側からUV光を照射して前記レ
ジストをレジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前
記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パ
ターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴とす
る。これにより、熱硬化型樹脂の特性を利用して該樹脂
をレジスト剥離剤に対して不溶とすることが可能とな
り、該樹脂の特性を損なうことなく、レジスト層の形成
及び除去を効率的に行うことができる。また、レジスト
現像液のみで、レジストの現像及び有機膜パターンのエ
ッチングを行うことが可能であり、簡便かつ効率的であ
る。
【0026】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、熱硬化型樹脂を塗布した後に仮
焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布し
て焼成及び露光を行なう工程と、前記レジストを現像し
てレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウ
ェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程
と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエ
ッチングする工程と、基板の少なくとも表側又は裏側か
らUV光を照射して前記レジストをレジスト剥離剤に対
して可溶化する工程と、前記有機膜が不溶となるように
濃度調整したレジスト剥離剤を用いて前記レジストを除
去する工程と、再焼成して前記有機撒くパターンを完全
に硬化する工程とからなることを特徴とする。これによ
り、熱架橋反応のための熱処理を行なった場合と同様の
効果を得る。
【0027】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、レジスト現像液を用いてレジス
トを除去することを特徴とする。これにより、レジスト
現像液のみで、レジストの現像、有機膜パターンのエッ
チング、及びレジストの剥離を行うことが可能であり、
簡便かつ効率的である。
【0028】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、感光剤としてナフトキノンジア
ゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤とし
て前記有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又
はプロピレングリコールモノアセチルアセテート又は2
−ヘプタノン又は3−エトキシプロピオン酸エチル又は
酢酸ブチル又はそれらの中から2種以上を選択して得ら
れる混合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテト
ラメチルアンモニウムヒドロオキサイド(TMAH)溶
液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチ
ング及び前記レジストの除去を行うことを特徴とする。
これにより、レジストが効率的に剥離され、また剥離後
の表面状態が改善される。
【0029】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、感光基を含有せずかつアクリル
及び光開始重合剤を含有する樹脂を塗布して80〜11
0℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ220〜26
0℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とす
る。これにより、得られる有機膜は高い光透過率、耐ド
ライエッチング性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化
及び製品の特性向上に寄与する。
【0030】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、i線又はそれよりも短波長の光
に感応するUV硬化型樹脂を塗布した後に仮焼して有機
膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成を行う工
程と、g線で露光を行う工程と、前記レジストを現像し
てレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウ
ェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程
と、基板の少なくとも表側又は裏側からUV光を照射し
て前記有機膜パターンを光架橋反応により半硬化させて
現像液に対して不溶化すると同時に前記レジストを現像
液に対して可溶化する工程と、前記有機膜パターンをマ
スクとして下地をドライエッチングする工程と、前記現
像液を用いて前記レジストを除去する工程と、再焼成し
て前記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなる
ことを特徴とする。これにより、現像液に対してUV硬
化型樹脂を不溶化ると同時に、レジストを可溶化し、製
造効率を高めることができる。
【0031】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、感光剤としてナフトキノンジア
ゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤とし
て前記有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又
はプロピレングリコールモノアセチルアセテート又は2
−ヘプタノン又は3−エトキシプロピオン酸エチル又は
酢酸ブチル又はそれらの中から2種以上を選択して得ら
れる混合溶剤を用いたg線感応型のポジ型レジストを用
い、かつテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド
(TMAH)溶液にて前記レジストの現像及び有機膜の
ウェットエッチング及び前記レジストの除去を行うこと
を特徴とする。これにより、有機膜の特性を損なうこと
なく、レジスト層の形成及び除去を効率的に行うことが
できる。また、レジスト現像、有機膜のウエットエッチ
ング、及びレジスト除去をともにTMAH溶液にて行う
ことができるので、簡便である。また、レジストの剥離
効率及び剥離後の表面状態に優れる。
【0032】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置の製造方法は、式1の構造式で表されるカルド
型化合物と式2の構造式で表されるエポキシ基を有する
化合物との重合体及び光重合開始材を含有する樹脂を塗
布して80〜150℃の温度範囲において仮焼を行い、
かつ230〜280℃の温度範囲において再焼成を行う
ことを特徴とする。これにより、得られる有機膜は高い
光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、
製造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する。
【0033】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、画素電極と配線がオーバーラップする構造
のTFT(薄型トランジスタ)基板において、両者の層
間絶縁膜として少なくとも一部に有機膜を有し、かつ前
記有機膜がg線に対して光透過率90%以上を示し、か
つその耐熱温度が250℃以上であることを特徴とす
る。これにより得られる製品は、製造工程簡略化により
低コストである。
【0034】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、有機膜がベンゾシクロブテンポリマーであ
ることを特徴とする。これにより、有機膜は高い光透過
率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、液晶表
示面の特性が向上する。
【0035】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、有機膜がポリシラザン化合物、又はポリシ
ラザン化合物と感光基を含有しないアクリル化合物との
重合体であることを特徴とする。これにより、有機膜は
高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有
し、液晶表示面の特性が向上する。
【0036】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、有機膜が式1の構造式で表されるカルド型
化合物と式2の構造式で表されるエポキシ基とを有する
化合物との重合体であることを特徴とする。これによ
り、有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及
び耐熱性を有し、液晶表示面の特性が向上する。
【0037】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、有機膜が感光基を含有しないアクリル系樹
脂であることを特徴とする。これにより、有機膜は高い
光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、
液晶表示面の特性が向上する。
【0038】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を形
成してこれをパターニングし、得られた有機膜パターン
をマスクとして下地のパターニングを行って得られるこ
とを特徴とする。これにより得られる製品は、製造工程
簡略化により低コストである。
【0039】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、ウェットエッチング法により有機膜のパタ
ーニングを行い、かつO2又はCF4又はCHF3又はS
6のうち少なくとも1以上のガスを用いたドライエッ
チング法により下地のパターニングを行って得られるこ
とを特徴とする。これにより、製造工程が簡略化される
とともに、ドライエッチング工程においてウエットエッ
チング後の樹脂残存物を除去することができ、得られる
製品の特性が向上する。
【0040】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、樹脂を塗布し仮焼を行って有機膜を形成す
る工程と、形成された有機膜の表面にレジストを塗布し
て焼成、露光及び現像を行ってレジストパターンを形成
する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記
有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを得る
工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドラ
イエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程
と、再焼成を行って前記有機膜パターンを完全に硬化さ
せる工程とから得られることを特徴とする。これによ
り、ドライエッチング工程においてウエットエッチング
後の樹脂残存物を除去することができるので、得られる
製品の特性が向上する。
【0041】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、
ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記有機
膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロピレ
ングリコールモノアセチルアセテート又は2−ヘプタノ
ン又は3−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル
又はそれらの中から2種以上を選択して得られる混合溶
剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイド(TMAH)溶液にて前記
レジストの現像を行い、かつジメチルスルオキシド(D
MSO)とモノエタノールアミンとの混合溶液又はDM
SOとnメチル2ピロリド(NMP)との混合溶液又は
乳酸エチル又は酢酸ブチルを用いて前記レジストの除去
を行って得られることを特徴とする。これにより、有機
膜の特性を損なうことなく、レジスト層の形成及び除去
を効率的に行うことができるので、得られる製品の特性
が向上する。
【0042】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、プロピレングリコールモノアセチルアセテ
ートを溶剤としたベンゾシクロブテンポリマーを塗布し
て130〜200℃の温度範囲において仮焼を行い、か
つ1,3,5トリイソプロピルベンゼンと芳香族炭化水
素との混合溶液又はグリコールエーテルと合成イソパラ
フィン系炭化水素との混合溶液を用いて有機膜のウェッ
トエッチングを行い、かつ240〜300℃の温度範囲
において再焼成を行って得られることを特徴とする。こ
れにより得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッ
チング性、及び耐熱性を有し、特性に優れる。
【0043】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、ポリシラザン化合物、又はポリシラザン化
合物と感光基を含有しないアクリル化合物との重合体を
塗布して130〜200℃の温度範囲において仮焼を行
い、かつフッ酸緩衝液又はバッファードフッ酸溶液を用
いて有機膜のウエットエッチングを行い、かつ240〜
300℃の温度範囲において再焼成を行って得られるこ
とを特徴とする。これにより得られる有機膜は高い光透
過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、特性
に優れる。また、従来下地として使用されてきたSiN
x層が不要となり、製品の製造コストが削減される。
【0044】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、ウェットエッチング法により有機膜のパタ
ーニングを行う工程において、レジストの現像と有機膜
のエッチングとを同時に行って得られることを特徴とす
る。これにより得られる製品は、工程の簡略化により低
コストである。
【0045】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を
形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を行
う工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを
形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして
有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パターン
をマスクとして下地をドライエッチングする工程と、前
記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パ
ターンを完全に硬化する工程とから得られることを特徴
とする。これにより得られる製品は、工程簡略化により
低コストである。また、ドライエッチング工程において
ウエットエッチング後の樹脂残存物を除去することがで
きるので、得られる製品の特性が向上する。
【0046】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、
ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記有機
膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロピレ
ングリコールモノアセチルアセテート又は2−ヘプタノ
ン又は3−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル
又はそれらの中から2種以上を選択して得られる混合溶
剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイド(TMAH)溶液にて前記
レジストの現像及び有機膜のウェットエッチングを行
い、かつジメチルスルオキシド(DMSO)とモノエタ
ノールアミンとの混合溶液又はDMSOとnメチル2ピ
ロリド(NMP)との混合溶液又は乳酸エチル又は酢酸
ブチルを用いて前記レジストの除去を行って得られるこ
とを特徴とする。これにより、製造工程において有機膜
の特性が損なわれることがなくなり、得られる製品は特
性に優れる。
【0047】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、式1の構造式で表されるカルド型化合物と
式2の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物との
重合体を塗布して110〜170℃の温度範囲において
仮焼を行い、かつ230〜280℃の温度範囲において
再焼成を行って得られることを特徴とする。これにより
得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング
性、及び耐熱性を有し、特性に優れる。
【0048】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、感光基を含有しないアクリル樹脂を塗布し
て80〜100℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ
220〜260℃の温度範囲において再焼成を行って得
られることを特徴とする。これにより得られる有機膜は
高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有
し、特性に優れる。
【0049】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、熱硬化型樹脂を塗布した後に仮焼を行って
有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び
露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパ
ターンを形成しすると同時に前記有機膜をウェットエッ
チングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機
膜パターンを熱架橋反応により半硬化させて現像液に対
して不溶化する工程と、前記有機膜パターンをマスクと
して下地をドライエッチングする工程と、基板の少なく
とも表側又は裏側からUV光を照射して前記レジストを
レジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前記レジス
トを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターンを
完全に硬化する工程とから得られることを特徴とする。
これにより、剥離性の高いレジスト剥離剤の使用が可能
となり、レジスト剥離後の表面状態が良好となって製品
の品質が向上する。
【0050】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、熱硬化型樹脂を塗布した後に仮焼を行って
有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び
露光を行なう工程と、前記レジストを現像してレジスト
パターンを形成する工程と、前記有機膜パターンをマス
クとして下地をドライエッチングする工程と、基板の少
なくとも表側又は裏側からUV光を照射して前記レジス
トをレジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前記有
機膜が不溶となるように濃度調整したレジスト剥離剤を
用いて前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記
有機撒くパターンを完全に硬化する工程とから得られる
ことを特徴とする。これにより、製造工程において有機
膜の特性が損なわれることがなくなり、得られる製品は
特性に優れる。
【0051】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、レジスト現像液を用いてレジストを除去し
て得られることを特徴とする。これにより、レジスト剥
離後の表面状態が良好となって製品の品質が向上する。
【0052】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、
ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記有機
膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロピレ
ングリコールモノアセチルアセテート又は2−ヘプタノ
ン又は3−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル
又はそれらの中から2種以上を選択して得られる混合溶
剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイド(TMAH)溶液にて前記
レジストの現像及び有機膜のウェットエッチング及び前
記レジストの除去を行って得られることを特徴とする。
これにより、レジスト剥離が効率的に行なわれ、また剥
離後の表面状態も良好となり、得られる製品の特性が向
上する。
【0053】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、感光基を含有せずかつアクリル及び光開始
重合剤を含有する樹脂を塗布して80〜110℃の温度
範囲において仮焼を行い、かつ220〜260℃の温度
範囲において再焼成を行うことを特徴とする。これによ
り得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング
性、及び耐熱性を有し、特性に優れる。
【0054】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、i線又はそれよりも短波長の光に感応する
UV硬化型樹脂を塗布した後に仮焼して有機膜を形成す
る工程と、レジストを塗布して焼成を行う工程と、g線
で露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジスト
パターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッ
チングして有機膜パターンを形成する工程と、基板の少
なくとも表側又は裏側からUV光を照射して前記有機膜
パターンを光架橋反応により半硬化させて現像液に対し
て不溶化すると同時に前記レジストを現像液に対して可
溶化する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下
地をドライエッチングする工程と、前記現像液を用いて
前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜
パターンを完全に硬化する工程とから得られることを特
徴とする。これにより、製造工程において有機膜の特性
が損なわれることがなくなり、得られる製品は特性に優
れる。また、工程簡略化により、得られる製品は低コス
トである。
【0055】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、
ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記有機
膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロピレ
ングリコールモノアセチルアセテート又は2−ヘプタノ
ン又は3−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル
又はそれらの中から2種以上を選択して得られる混合溶
剤を用いたg線感応型のポジ型レジストを用い、かつテ
トラメチルアンモニウムヒドロオキサイド(TMAH)
溶液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッ
チング及び前記レジストの除去を行って得られることを
特徴とする。これにより、製造工程において有機膜の特
性が損なわれることがなくなり、得られる製品は特性に
優れる。また、レジスト剥離が効率的に行なわれ、また
剥離後の表面状態も良好となり、得られる製品の特性が
向上する。
【0056】また本発明のアクティブマトリクス型液晶
表示装置は、式1の構造式で表されるカルド型化合物と
式2の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物との
重合体及び光重合開始材を含有する樹脂を塗布して80
〜150℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ230
〜280℃の温度範囲において再焼成を行って得られる
ことを特徴とする。これにより得られる有機膜は高い光
透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、特
性に優れる。
【0057】
【発明の実施形態】上記各解決手段についての理解を容
易にするために、以下に発明の実施形態を示す。
【0058】(実施形態1)本発明における第一の実施
形態を示す。本実施形態は、層間絶縁膜の材料としてベ
ンゾシクロブテンポリマーを用いる場合に関するもので
ある。図1にその製造工程を示すとともに以下に詳述す
る。
【0059】従来と同様に成膜したSiNX 膜102の
上に、スピンンコート法によりベンゾシクロブテンポリ
マーを塗布し、130〜200℃において仮焼を行う
(図1(a))。この仮焼によりベンゾシクロブテンポ
リマーが半硬化してエッチングレートが変化し、後述の
レジスト溶剤に対して不溶となる。次に、テトラメチル
アンモニウムヒドロオキサイド(TMHA)又はプロピ
レングリコールモノエチルエーテルアセテートを溶剤と
してを用いたナフトキノンジアゾ−ノボラック系ポジ型
レジストを塗布し、焼成、露光、及び現像を行ってレジ
ストパターン103を形成する(図1(b))。レジス
ト現像液は、0.1〜1mol%程度のテトラメチルア
ンモニウムヒドロオキサイド(TMAH)溶液を用い
る。次に、レジストパターン103をマスクとしてベン
ゾシクロブテンポリマーの有機膜100をウェットエッ
チングし、有機膜パターン101を形成する(図1
(C))。エッチング液は、1,3,5トリイソプロピ
ルベンゼンと芳香族系炭化水素との混合溶液を用いる。
【0060】次に、レジストパターン103及び有機膜
パターン101をマスクとしてドライエッチング、例え
ばエッチングガスとしてO2/SF6ガスを用いたドライ
エッチングを行ってSiNX 膜102やゲート絶縁膜1
07の不要部分を除去する(図1(d))。次に、レジ
スト剥離剤を用いてレジストパターンを除去する(図1
(e))。レジスト剥離剤は、ジメチルスルオキシド
(DMSO)とモノエタノールアミンとの混合溶液又は
DMSOとnメチル2プロリドン(NMP)の混合溶液
又は乳酸エチル又は酢酸ブチルを用いる。最後に、24
0〜300℃において60分間程度再焼成を行い、ベン
ゾシクロブテンポリマーを完全に硬化させる。
【0061】この実施形態の特徴は、有機膜としてベン
ゾシクロブテンポリマーを用いることにより、この有機
膜パターンをマスクとした下地のドライエッチングを可
能とした点である。ベンゾシクロブテンポリマーは耐ド
ライエッチング性に優れ、上記ドライエッチング工程に
おける損傷の度合いが少ない。従ってこのようなドライ
エッチングが可能となり、従来に比べて工程が簡略化さ
れ、生産効率が向上する。
【0062】また、このドライエッチング工程において
は、下地SiNX 膜のパターニングと同時にウェットエ
ッチング時に残存していたベンゾシクロブテンポリマー
が除去される。従って、生産効率はさらに向上する。
【0063】また一般的に、ベンゾシクロブテンポリマ
ーは高い光透過率及び耐熱性を有する。
【0064】(実施形態2)次に本発明の第二の実施形
態を示す。本実施形態は、層間絶縁膜の材料としてポリ
シラザン化合物を用いる場合に関するものである。図2
にその製造工程を示すとともに以下に詳述する。
【0065】本実施形態においては、実施形態1と同様
にSiNX 膜102の上にスピンンコート法によりポリ
シラザン化合物を塗布しても良いが、SiNX 膜102
を用いずにポリシラザン化合物のみを層間絶縁膜として
も良い(図2(a))。これは、ポリシラザン化合物と
a−Si層との界面特性が良好である点と、ポリシラザ
ン化合物の焼成によりその一部がシリコン酸化膜または
シリコン窒化膜に変性、緻密化して耐水性、対汚染性が
良好となる点によるものである。以下の工程は、第一の
実施例と同様であるが、仮焼の温度は130〜200℃
とし、またウェットエッチング液としてフッ酸緩衝液又
はバッファードフッ酸溶液を用いる。また、再焼成は、
240〜300℃において60分間程度行う。
【0066】本実施形態の特徴は実施形態1と同様であ
るが、特筆すべきはポリシラザン化合物を用いることに
よって通常下地に用いていたSiNX 膜が不要となるこ
とである。すなわち工程がさらに簡略化され、生産性が
向上する。また一般的に、ポリシラザン化合物は、高い
光透過率及び耐熱性を有する。
【0067】(実施形態3)次に本発明の第三の実施形
態を示す。本実施形態は、層間絶縁膜の材料として式1
の構造式で表されるカルド型化合物と式2の構造式で表
されるエポキシ基を持つ化合物との重合体を用いる場合
に関するものである。図3にその製造工程を示すととも
に以下に詳述する。
【0068】従来と同様に成膜したSiNX 膜102の
上に、スピンンコート法により上述の重合体を塗布し、
110〜170℃において仮焼を行う(図3(a))。
この仮焼により重合体が半硬化してエッチングレートが
変化し、レジスト剥離剤に対しては不溶、レジスト現像
液に対しては可溶となる。
【0069】次に、メチルアミン系溶剤又はプロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート又はプロピレ
ングリコールモノアセチエウアセテート又は2−ヘプタ
ノン又は3−エトキシプロピオン酸エチル又は2−ヘプ
タノン又は3−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブ
チル又はそれらの中から2種以上を選択して得られる混
合溶液を溶剤として用いたナフトキノンジアゾ−ノボラ
ック系ポジ型レジストを塗布し、焼成、露光、を行う。
次に、0.1〜1mol%程度のテトラメチルアンモニ
ウムヒドロオキサイド(TMAH)溶液によりレジスト
の現像を行ってレジストパターン103を形成すると、
有機膜100のウェットエッチングが同時に進行する
(図3(b))。
【0070】次に、レジストパターン103及び有機膜
パターン101をマスクとしてドライエッチング、例え
ばエッチングガスとしてO2/SF6ガスを用いたドライ
エッチングを行い、SiNX 膜102やゲート絶縁膜1
07の不要部分を除去する(図3(c))。次に、レジ
スト剥離剤を用いてレジストパターン103を除去する
(図3(d))。用いるレジスト剥離剤は実施形態1と
同様でよい。最後に、230〜280℃において30分
間程度再焼成を行い、上記重合体を完全に硬化させる。
【0071】本実施形態の特徴は実施形態1と同様であ
るが、特筆すべきは、有機膜の仮焼によるエッチングレ
ート調整を行うことにより、レジストの現像と同時に有
機膜のウェットエッチングを可能とした点である。これ
によって工数がさらに減少し、生産性が向上する。ま
た、式1の構造式で表されるカルド型化合物と式2の構
造式で表されるエポキシ基を持つ化合物との重合体は、
高い光透過率及び高耐熱性を有する。
【0072】また、本実施形態の製造工程により、感光
基を含有しないアクリル樹脂によって有機膜パターンを
形成することもできる。この場合、仮焼温度は80〜1
00℃、再焼成は220〜260℃の範囲において行う
ことが望ましい。感光基を含有しないアクリル樹脂は従
来使用されていたアクリル樹脂とは異なり、高い光透過
率を有する。また、耐熱性にも優れる。
【0073】(実施形態4)次に本発明の第四の実施形
態を示す。本実施形態は、層間絶縁膜の材料として熱硬
化型樹脂を用いる場合に関するものである。より具体的
には非感光性のアクリル樹脂(例えばJSR製JSSシ
リーズ)を用いる場合に関するものである。図4にその
製造工程を示すとともに以下に詳述する。従来と同様に
成膜したSiNX 膜102の上に、スピンンコート法に
より上述のアクリル樹脂を塗布し、80〜100℃にお
いて仮焼を行う(図4(a))。この仮焼により、実施
形態3と同様に、重合体が半硬化してエッチングレート
が変化し、レジスト剥離剤に対しては不溶、レジスト現
像液に対しては可溶となる。
【0074】次に、アクリルが不溶な溶剤すなわち2−
ヘプタノン又は3−エトキシプロピオン酸又は酢酸ブチ
ル又はそれらの中の2つ以上を混合して得られる溶剤を
用いたレジストを用い、実施形態3と同様にレジストの
塗布、焼成、及び露光を行う。次に、実施形態3と同様
にレジストの現像及び有機膜のウエットエッチングを同
時に行なう(図4(c))。
【0075】その後100〜130℃において1〜10
分間程度熱処理を行うと、この熱処理によりアクリル樹
脂の熱架橋反応が促進される。
【0076】次に基板の少なくとも表側又は裏側からU
V光を照射する(図4(d))と、樹脂に含有された光
開始重合剤の作用により、レジストパターン103はア
ルカリに対して可溶化される。
【0077】次に実施形態1〜3と同様に下地のドライ
エッチングを行う(図4(e))。次いで、レジストパ
ターン103を除去する(図4(e))。レジスト剥離
剤としては、DMSO・アミン系剥離剤(例えば東京応
化製、剥離105)又はDMSO・NMP系剥離剤(例
えば東京応化、剥離104)を使用する。あるいはTM
AH溶液を使用する。その後、220〜260℃におい
て30分間程度再焼成を行い、アクリル樹脂を完全に硬
化させる。
【0078】本実施形態において使用する非感光性のア
クリル樹脂は、従来の公知例において用いられていたア
クリル樹脂とは異なるものであり、感光基を含んでいな
い。従って、高い光透過率及び耐熱温度を有する。
【0079】また本発明の特徴として、レジストにUV
照射を行うことにより、レジストをレジスト剥離剤に対
して可溶化している点が挙げられる。これにより、レジ
ストの除去が容易になって作業効率が向上するととも
に、除去後の表面状態が改善されて品質向上の効果が得
られる。なお、本実施形態においてはドライエッチング
に先立ってUV照射を行ったが、ドライエッチング後に
UV照射を行っても構わない。
【0080】また本実施形態の他の特徴として、 熱架橋反応により有機膜を半硬化してレジスト剥離剤
に対して不溶化し レジスト剥離後に再焼成を行って完全に硬化する という2段階の熱処理を行う点が挙げられる。従来のよ
うに仮焼を行ったままの状態でレジスト除去を行う場合
には、強力なレジスト剥離剤を使用すると膨潤や損耗が
起こりやすく、それらを使用することができなかった。
しかし、有機膜パターンが形成された段階で熱架橋反応
を促進させていったん半硬化の状態とすることにより、
それらレジスト剥離剤への耐性が付与される。従って、
レジスト剥離剤として乳酸エチルや乳酸ブチルよりも剥
離性に優れたDMSO・アミン系剥離剤、又はDMSO
・NMP系剥離剤を使用することが可能となる。
【0080】同様に、従来困難であったレジスト層−ア
クリル層界面の「ミキシング層」除去が可能であるTM
AH溶液を使用することができるようになる。さらにこ
の場合特筆すべきは、本来レジスト現像液であるTMA
H溶液をレジスト剥離剤として適用することにより、レ
ジストの現像、有機膜のウエットエッチング、及びレジ
スト除去をすべて同一の溶液により行うことができ、簡
便かつ効率的な点である。
【0081】(実施形態5)次に本発明の第五の実施形
態を示す。本実施形態は、光開始重合剤を含有する非感
光性アクリル樹脂を用いて実施形態4と同様に有機膜パ
ターンの形成までを完了した後に、以下の工程を行うも
のである。
【0082】まず、基板の少なくとも表側又は裏側から
UV光を照射し(図5(d))、レジストパターン10
3はアルカリに対して可溶化する。この工程は実施形態
4と同様、ドライエッチング後に行ってもよい。次に、
レジストパターン103及び有機膜パターン101をマ
スクとしてドライエッチングを行い、SiNX 膜102
やゲート絶縁膜107の不要部分を除去する(図5
(e))。
【0083】次に、TMAH溶液について、有機膜を損
傷しないように適宜濃度調整を行い、これを用いてレジ
ストパターン103を除去する(図5(f))。最後
に、220〜260℃において30分間程度再焼成を行
い、アクリル樹脂を完全に硬化させる。
【0084】本実施形態の特徴は、レジスト剥離剤の濃
度調整を行っている点にある。実施形態4においては有
機膜の熱架橋反応によりTMAH溶液等の使用を可能に
していたが、本実施形態においては熱架橋反応のための
熱処理は行わず、代わりにレジスト剥離剤の濃度調整を
適宜行うことにより、実施形態4と同種のレジスト剥離
剤を適用することを可能にしている。
【0085】(実施形態6)次に本発明の第六の実施形
態を示す。本実施例は、層間絶縁膜の材料としてi線感
応型のUV硬化型樹脂を用いる場合に関するものであ
る。i線感応型のUV硬化型樹脂としては、例えば実施
形態3において使用したカルド型化合物とエポキシ基を
有する化合物との重合体とともに光開始重合剤を含有す
る樹脂が挙げられる。以下、この樹脂を用いる場合につ
いて具体的な工程を示す。
【0086】本実施形態における工程は、実施形態4に
準じる。ただし有機膜の仮焼は実施形態3と同様に80
〜150℃において行う。また、レジストはg線感応型
ポジ型レジストを用い、g線にて50〜100mJ/c
2レジストの露光を行う。その後、実施形態4と同様
にレジストパターン103及び有機膜パターン101を
形成した後(図6(b))、ドライエッチング(図6
(d))及びレジストパターン103(図6(e))の
除去を行う。レジスト剥離剤は、実施形態5と同様に、
濃度調整を行ったTMAH溶液を使用する。
【0087】また、レジストパターン103及び有機膜
パターン101を形成した後、あるいはドライエッチン
グを行った後に、実施形態4及び実施形態5と同様にU
V(i線)照射を行うことにより、カルド型ポリマーを
光架橋反応により半硬化させてアルカリに対して不溶化
させ、同時にレジストをアルカリに対して可溶化すれば
(図6(c))、実施形態4の場合と同様に、レジスト
剥離剤としてTMAH溶液を濃度調整なしでそのまま適
用することができる。次に250℃において30分間再
焼成を行い、カルド型ポリマーを完全に硬化させる。な
お、UV照射はドライエッチングの前後いずれにおいて
行っても良い。
【0088】本実施形態の最大の特徴は、UV硬化型樹
脂の特性を利用していることである。i線感応型のUV
硬化型樹脂に対してg線感応型のレジストを適用するこ
とにより、レジストの露光工程において上記樹脂を半硬
化状態としてレジスト剥離剤に対して不溶化している。
すなわち実施形態4及び実施形態5における熱架橋反応
による半硬化の工程を光架橋反応により行っている。
【0089】また、UV(i線)照射の工程において
は、樹脂を完全に硬化させると同時にレジストをTMA
H溶液に対して可溶化することができる。従って実施形
態4よりも少ない工程で同様の効果を得ることが可能と
なる。また、上記カルド型ポリマーの光透過率及び耐熱
性が優れていることは、実施形態3の場合と同様であ
る。
【0090】
【実施例】次に、本発明の実施例を示す。
【0091】(実施例1)実施形態1において示した工
程に従って、ベンゾシクロブテンポリマーを用いた層間
絶縁膜を形成した。より具体的な製造条件について以下
に記す。 有機膜の厚さ − 3μm 仮焼温度 − 170℃ レジスト − プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート溶剤 +ナフトキノンジアゾ−ノボラック系ポジ型レジスト エッチング液 − 1,3,5トリイソプロピルベンゼン+芳香族炭化水素 エッチングガス − O2/SF6ガス レジスト剥離剤 − DMSO・アミン系剥離剤 焼成 − 270℃、60分間
【0092】得られた層間絶縁膜について、その光透過
率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長400n
m以上において95%以上であり、耐熱温度は300℃
以上であった。
【0093】(実施例2)実施形態2において示した工
程に従って、ポリシラザン化合物を用いた層間絶縁膜を
形成した。より具体的な製造条件について以下に記す。 有機膜の厚さ − 3μm 仮焼温度 − 160℃ レジスト − プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート溶剤 +ナフトキノンジアゾ−ノボラック系ポジ型レジスト エッチング液 − バッファード酸溶液 エッチングガス − O2/SF6ガス レジスト剥離剤 − DMSO・アミン系剥離剤 焼成 − 270℃、60分間
【0094】得られた層間絶縁膜について、その光透過
率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長400n
m以上において95%以上であり、耐熱温度は300℃
以上であった。
【0095】(実施例3)実施形態3において示した工
程に従って、式1の構造式で表わされるカルド型化合物
と敷き2の構造式で表わされるエポキシ樹脂を持つ化合
物との重合体を用いた層間絶縁膜を形成した。より具体
的な製造条件について以下に記す。 有機膜の厚さ − 3μm 仮焼温度 − 150℃ レジスト − プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート溶剤 +ナフトキノンジアゾ−ノボラック系ポジ型レジスト エッチング液 − テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド(TMAH) 溶液(レジスト現像液) エッチングガス − O2/SF6ガス レジスト剥離剤 − 乳酸ブチル 焼成 − 250℃、30分間
【0096】得られた層間絶縁膜について、その光透過
率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長400n
m以上において95%以上であり、耐熱温度は260℃
以上であった。
【0097】(実施例4)実施形態4において示した工
程に従って、非感光性アクリル樹脂を用いた層間絶縁膜
を形成した。より具体的な製造条件について以下に記
す。 有機膜の厚さ − 3μm 仮焼温度 − 90℃ レジスト − 2−ヘプタノンと3−エトキシプロピオン酸との混合溶剤 +ナフトキノンジアゾ−ノボラック系ポジ型レジスト エッチング液 − テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド(TMAH) 溶液(レジスト現像液) 熱架橋反応促進用熱処理 − 130℃、5分間 UV(i線)照射− 500〜1000mJ/cm2で全面(裏表)に照射 エッチングガス − O2/SF6ガス レジスト剥離剤 − DMSO・アミン系剥離剤、及びTMAH溶液 それぞれについて試料を作成 焼成 − 250℃、30分間
【0098】得られた層間絶縁膜について、その光透過
率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長400n
m以上において95%以上であり、耐熱温度は260℃
以上であった。
【0099】(実施例5)実施形態5において示した工
程に従って、光開始重合剤を含有する非感光性アクリル
樹脂を用いた層間絶縁膜を形成した。より具体的な製造
条件についてはほぼ実施例4に準ずるので、異なる部分
のみ以下に記す。 レジスト剥離剤 − 濃度を約1〜1.5%に調整した
TMAH溶液
【0100】得られた層間絶縁膜について、その光透過
率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長400n
m以上において95%以上であり、耐熱温度は260℃
以上であった。
【0101】(実施例6)実施形態6において示した工
程に従って、i線感応型UV硬化型ポリマー、すなわち
実施形態3において使用したカルド型化合物とエポキシ
基を有する化合物との重合体とともに光開始重合剤を含
有する樹脂を用いた層間絶縁膜を形成した。より具体的
な製造条件について以下に記す。 有機膜の厚さ − 3μm 仮焼温度 − 130℃ レジスト − プロピレングリコールエチルエーテルアセテート溶剤 +ナフトキノンジアゾ−ノボラック系g線感応型ポジ型 レジスト g線照射 − 50〜100mJ/cm2 エッチング液 − テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド(TMAH) 溶液(レジスト現像液) エッチングガス − O2/SF6ガス UV(i線)照射− 500〜1000mJ/cm2で全面(裏表)に照射 レジスト剥離剤 − 濃度調整したDMSO・アミン系剥離剤 焼成 − 250℃、30分間
【0102】得られた層間絶縁膜について、その光透過
率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長400n
m以上において92%以上であり、耐熱温度は250℃
以上であった。
【0103】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、高透過
率及び高耐熱性の層間絶縁膜を有したオーバーラップ構
造のTFT基板、及びそのようなTFT基板を有するア
クティブマトリクス型液晶表示装置を効率的に製作する
ことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の製造方法第一の実施形態を示す説明
図である。
【図2】 本発明の製造方法第二の実施形態を示す説明
図である。
【図3】 本発明の製造方法第三の実施形態を示す説明
図である。
【図4】 本発明の製造方法第四の実施形態を示す説明
図である。
【図5】 本発明の製造方法第五の実施形態を示す説明
図である。
【図6】 本発明の製造方法第六の実施形態を示す説明
図である。
【図7】 従来における第一の液晶表示装置の概略を示
す説明図である。
【図8】 従来における第二の液晶表示装置の概略を示
す説明図である。
【図9】 従来における第二の液晶表示装置の製造工程
を示す説明図である。
【符号の説明】 100 有機膜 101 有機膜パターン 102 SiNX 膜 103 レジストパターン 104 TFTガラス基板 105 ゲート電極 106 ゲート側端子 107 ゲート絶縁膜 108 データ側端子 109 a−Si膜 110 n+a−Si膜 111 ドレイン電極 112 ソース電極 113 コンタクトホール 701 ゲート線 702 データ線 703 薄膜トランジスタ 710 CF基板 711 CFガラス基板 712 ブラックマトリックス 713 色層 714 対向電極 720 液晶層 730 TFT基板 731 画素電極 732 パッシベーション膜 801 層間絶縁膜

Claims (43)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 画素電極と配線がオーバーラップする構
    造のTFT(薄型トランジスタ)基板の層間絶縁膜を形
    成する工程において、前記層間絶縁膜の少なくとも一部
    に有機膜を形成してこれをパターニングし、得られた有
    機膜パターンをマスクとして下地のパターニングを行う
    ことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置
    の製造方法。
  2. 【請求項2】 ウェットエッチング法により有機膜のパ
    ターニングを行い、かつO2又はCF4又はCHF3又は
    SF6のうち少なくとも1種類以上のガスを選択して用
    いたドライエッチング法により下地のパターニングを行
    うことを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリ
    クス型液晶表示装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜
    を形成する工程と、形成された有機膜の表面にレジスト
    を塗布して焼成、露光及び現像を行ってレジストパター
    ンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクと
    して前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パター
    ンを得る工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下
    地をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去
    する工程と、再焼成を行って前記有機膜パターンを完全
    に硬化させる工程とからなることを特徴とする請求項2
    に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方
    法。
  4. 【請求項4】 感光剤としてナフトキノンジアゾ化合
    物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤としてメチ
    ルアミン系溶剤又はプロピレングリコールモノアセチル
    アセテートを用いたポジ型レジストを用い、かつテトラ
    メチルアンモニウムヒドロオキサイド(TMAH)溶液
    にて前記レジストの現像を行い、かつジメチルスルオキ
    シド(DMSO)とモノエタノールアミンとの混合溶液
    又はDMSOとnメチル2ピロリド(NMP)との混合
    溶液又は乳酸エチル又は酢酸ブチルを用いて前記レジス
    トの除去を行うことを特徴とする請求項3に記載のアク
    ティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
  5. 【請求項5】 プロピレングリコールモノアセチルアセ
    テートを溶剤としたベンゾシクロブテンポリマーを塗布
    して130〜200℃の温度範囲において仮焼を行い、
    かつ1,3,5トリイソプロピルベンゼンと芳香族炭化
    水素との混合溶液又はグリコールエーテルと合成イソパ
    ラフィン系炭化水素との混合溶液を用いて有機膜のウェ
    ットエッチングを行い、かつ240〜300℃の温度範
    囲において再焼成を行うことを特徴とする請求項4に記
    載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
  6. 【請求項6】 ポリシラザン化合物、又はポリシラザン
    化合物と感光基を含有しないアクリル化合物との重合体
    を塗布して130〜200℃の温度範囲において仮焼を
    行い、かつフッ酸緩衝液又はバッファードフッ酸溶液を
    用いて有機膜のウエットエッチングを行い、かつ240
    〜300℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴
    とする請求項4に記載のアクティブマトリクス型液晶表
    示装置の製造方法。
  7. 【請求項7】 ウェットエッチング法により有機膜のパ
    ターニングを行う工程において、レジストの現像と有機
    膜のエッチングとを同時に行うことを特徴とする請求項
    2に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造
    方法。
  8. 【請求項8】 樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜
    を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を
    行う工程と、前記レジストを現像してレジストパターン
    を形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングし
    て有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パター
    ンをマスクとして下地をドライエッチングする工程と、
    前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜
    パターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴と
    する請求項7に記載のアクティブマトリクス型液晶表示
    装置の製造方法。
  9. 【請求項9】 感光剤としてナフトキノンジアゾ化合
    物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記
    有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロ
    ピレングリコールモノアセチルアセテート又は2−ヘプ
    タノン又は3−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブ
    チル又はそれらの中から2種以上を選択して得られる混
    合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチ
    ルアンモニウムヒドロオキサイド(TMAH)溶液にて
    前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチングを
    行い、かつジメチルスルオキシド(DMSO)とモノエ
    タノールアミンとの混合溶液又はDMSOとnメチル2
    ピロリド(NMP)との混合溶液又は乳酸エチル又は酢
    酸ブチルを用いて前記レジストの除去を行うことを特徴
    とする請求項8に記載のアクティブマトリクス型液晶表
    示装置の製造方法。
  10. 【請求項10】 式1の構造式で表されるカルド型化合
    物と式2の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物
    との重合体を塗布して110〜170℃の温度範囲にお
    いて仮焼を行い、かつ230〜280℃の温度範囲にお
    いて再焼成を行うことを特徴とする請求項9に記載のア
    クティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
  11. 【請求項11】 感光基を含有しないアクリル樹脂を塗
    布して80〜100℃の温度範囲において仮焼を行い、
    かつ220〜260℃の温度範囲において再焼成を行う
    ことを特徴とする請求項9に記載のアクティブマトリク
    ス型液晶表示装置の製造方法。
  12. 【請求項12】 熱硬化型樹脂を塗布した後に仮焼を行
    って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成
    及び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジス
    トパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエ
    ッチングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有
    機膜パターンを熱架橋反応により半硬化させて現像液に
    対して不溶化する工程と、前記有機膜パターンをマスク
    として下地をドライエッチングする工程と、基板の少な
    くとも表側又は裏側からUV光を照射して前記レジスト
    をレジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前記レジ
    ストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターン
    を完全に硬化する工程とからなることを特徴とする請求
    項7に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製
    造方法。
  13. 【請求項13】 熱硬化型樹脂を塗布した後に仮焼を行
    って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成
    及び露光を行なう工程と、前記レジストを現像してレジ
    ストパターンを形成する工程と、前記有機膜パターンを
    マスクとして下地をドライエッチングする工程と、基板
    の少なくとも表側又は裏側からUV光を照射して前記レ
    ジストをレジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前
    記有機膜が不溶となるように濃度調整したレジスト剥離
    剤を用いて前記レジストを除去する工程と、再焼成して
    前記有機撒くパターンを完全に硬化する工程とからなる
    ことを特徴とする請求項7に記載のアクティブマトリク
    ス型液晶表示装置の製造方法。
  14. 【請求項14】 レジスト現像液を用いてレジストを除
    去することを特徴とする請求項12又は請求項13に記
    載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
  15. 【請求項15】 感光剤としてナフトキノンジアゾ化合
    物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記
    有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロ
    ピレングリコールモノアセチルアセテート又は2−ヘプ
    タノン又は3−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブ
    チル又はそれらの中から2種以上を選択して得られる混
    合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチ
    ルアンモニウムヒドロオキサイド(TMAH)溶液にて
    前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチング及
    び前記レジストの除去を行うことを特徴とする請求項1
    2〜14のいずれか一に記載のアクティブマトリクス型
    液晶表示装置の製造方法。
  16. 【請求項16】 感光基を含有せずかつアクリル及び光
    開始重合剤を含有する樹脂を塗布して80〜110℃の
    温度範囲において仮焼を行い、かつ220〜260℃の
    温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする請求項
    9又は請求項15に記載のアクティブマトリクス型液晶
    表示装置の製造方法。
  17. 【請求項17】 i線又はそれよりも短波長の光に感応
    するUV硬化型樹脂を塗布した後に仮焼して有機膜を形
    成する工程と、レジストを塗布して焼成を行う工程と、
    g線で露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジ
    ストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェット
    エッチングして有機膜パターンを形成する工程と、基板
    の少なくとも表側又は裏側からUV光を照射して前記有
    機膜パターンを光架橋反応により半硬化させて現像液に
    対して不溶化すると同時に前記レジストを現像液に対し
    て可溶化する工程と、前記有機膜パターンをマスクとし
    て下地をドライエッチングする工程と、前記現像液を用
    いて前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有
    機膜パターンを完全に硬化する工程とからなることを特
    徴とする請求項7に記載のアクティブマトリクス型液晶
    表示装置の製造方法。
  18. 【請求項18】 感光剤としてナフトキノンジアゾ化合
    物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記
    有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロ
    ピレングリコールモノアセチルアセテート又は2−ヘプ
    タノン又は3−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブ
    チル又はそれらの中から2種以上を選択して得られる混
    合溶剤を用いたg線感応型のポジ型レジストを用い、か
    つテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド(TMA
    H)溶液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェット
    エッチング及び前記レジストの除去を行うことを特徴と
    する請求項17に記載のアクティブマトリクス型液晶表
    示装置の製造方法。
  19. 【請求項19】 式1の構造式で表されるカルド型化合
    物と式2の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物
    との重合体及び光重合開始材を含有する樹脂を塗布して
    80〜150℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ2
    30〜280℃の温度範囲において再焼成を行うことを
    特徴とする請求項9又は請求項17に記載のアクティブ
    マトリクス型液晶表示装置の製造方法。
  20. 【請求項20】 画素電極と配線がオーバーラップする
    構造のTFT(薄型トランジスタ)基板において、両者
    の層間絶縁膜として少なくとも一部に有機膜を有し、か
    つ前記有機膜がg線に対して透過率90%以上を示し、
    かつその耐熱温度が250℃以上であることを特徴とす
    るアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  21. 【請求項21】 有機膜がベンゾシクロブテンポリマー
    であることを特徴とする請求項20に記載のアクティブ
    マトリクス型液晶表示装置。
  22. 【請求項22】 有機膜がポリシラザン化合物、又はポ
    リシラザン化合物と感光基を含有しないアクリル化合物
    との重合体であることを特徴とする請求項20に記載の
    アクティブマトリクス型液晶表示装置。
  23. 【請求項23】 有機膜が式1の構造式で表されるカル
    ド型化合物と式2の構造式で表されるエポキシ基とを有
    する化合物との重合体であることを特徴とする請求項2
    0に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  24. 【請求項24】 有機膜が感光基を含有しないアクリル
    系樹脂であることを特徴とする請求項20に記載のアク
    ティブマトリクス型液晶表示装置。
  25. 【請求項25】 層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜
    を形成してこれをパターニングし、得られた有機膜パタ
    ーンをマスクとして下地のパターニングを行って得られ
    ることを特徴とする請求項20〜24のいずれか一に記
    載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  26. 【請求項26】 ウェットエッチング法により有機膜の
    パターニングを行い、かつO2又はCF4又はCHF3
    はSF6のうち少なくとも1以上のガスを用いたドライ
    エッチング法により下地のパターニングを行って得られ
    ることを特徴とする請求項25に記載のアクティブマト
    リクス型液晶表示装置。
  27. 【請求項27】 樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機
    膜を形成する工程と、形成された有機膜の表面にレジス
    トを塗布して焼成、露光及び現像を行ってレジストパタ
    ーンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスク
    として前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パタ
    ーンを得る工程と、前記有機膜パターンをマスクとして
    下地をドライエッチングする工程と、前記レジストを除
    去する工程と、再焼成を行って前記有機膜パターンを完
    全に硬化させる工程とから得られることを特徴とする請
    求項26に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
  28. 【請求項28】 感光剤としてナフトキノンジアゾ化合
    物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記
    有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロ
    ピレングリコールモノアセチルアセテート又は2−ヘプ
    タノン又は3−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブ
    チル又はそれらの中から2種以上を選択して得られる混
    合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチ
    ルアンモニウムヒドロオキサイド(TMAH)溶液にて
    前記レジストの現像を行い、かつジメチルスルオキシド
    (DMSO)とモノエタノールアミンとの混合溶液又は
    DMSOとnメチル2ピロリド(NMP)との混合溶液
    又は乳酸エチル又は酢酸ブチルを用いて前記レジストの
    除去を行って得られることを特徴とする請求項27に記
    載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  29. 【請求項29】 プロピレングリコールモノアセチルア
    セテートを溶剤としたベンゾシクロブテンポリマーを塗
    布して130〜200℃の温度範囲において仮焼を行
    い、かつ1,3,5トリイソプロピルベンゼンと芳香族
    炭化水素との混合溶液又はグリコールエーテルと合成イ
    ソパラフィン系炭化水素との混合溶液を用いて有機膜の
    ウェットエッチングを行い、かつ240〜300℃の温
    度範囲において再焼成を行って得られることを特徴とす
    る請求項28に記載のアクティブマトリクス型液晶表示
    装置。
  30. 【請求項30】 ポリシラザン化合物、又はポリシラザ
    ン化合物と感光基を含有しないアクリル化合物との重合
    体を塗布して130〜200℃の温度範囲において仮焼
    を行い、かつフッ酸緩衝液又はバッファードフッ酸溶液
    を用いて有機膜のウエットエッチングを行い、かつ24
    0〜300℃の温度範囲において再焼成を行って得られ
    ることを特徴とする請求項28に記載のアクティブマト
    リクス型液晶表示装置。
  31. 【請求項31】 ウェットエッチング法により有機膜の
    パターニングを行う工程において、レジストの現像と有
    機膜のエッチングとを同時に行って得られることを特徴
    とする請求項26に記載のアクティブマトリクス型液晶
    表示装置。
  32. 【請求項32】 樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機
    膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光
    を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパター
    ンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチング
    して有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パタ
    ーンをマスクとして下地をドライエッチングする工程
    と、前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有
    機膜パターンを完全に硬化する工程とから得られること
    を特徴とする請求項31に記載のアクティブマトリクス
    型液晶表示装置。
  33. 【請求項33】 感光剤としてナフトキノンジアゾ化合
    物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記
    有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロ
    ピレングリコールモノアセチルアセテート又は2−ヘプ
    タノン又は3−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブ
    チル又はそれらの中から2種以上を選択して得られる混
    合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチ
    ルアンモニウムヒドロオキサイド(TMAH)溶液にて
    前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチングを
    行い、かつジメチルスルオキシド(DMSO)とモノエ
    タノールアミンとの混合溶液又はDMSOとnメチル2
    ピロリド(NMP)との混合溶液又は乳酸エチル又は酢
    酸ブチルを用いて前記レジストの除去を行って得られる
    ことを特徴とする請求項32に記載のアクティブマトリ
    クス型液晶表示装置。
  34. 【請求項34】 式1の構造式で表されるカルド型化合
    物と式2の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物
    との重合体を塗布して110〜170℃の温度範囲にお
    いて仮焼を行い、かつ230〜280℃の温度範囲にお
    いて再焼成を行って得られることを特徴とする請求項3
    3に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  35. 【請求項35】 感光基を含有しないアクリル樹脂を塗
    布して80〜100℃の温度範囲において仮焼を行い、
    かつ220〜260℃の温度範囲において再焼成を行っ
    て得られることを特徴とする請求項33に記載のアクテ
    ィブマトリクス型液晶表示装置。
  36. 【請求項36】 熱硬化型樹脂を塗布した後に仮焼を行
    って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成
    及び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジス
    トパターンを形成しすると同時に前記有機膜をウェット
    エッチングして有機膜パターンを形成する工程と、前記
    有機膜パターンを熱架橋反応により半硬化させて現像液
    に対して不溶化する工程と、前記有機膜パターンをマス
    クとして下地をドライエッチングする工程と、基板の少
    なくとも表側又は裏側からUV光を照射して前記レジス
    トをレジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、レジス
    トを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターンを
    完全に硬化する工程とから得られることを特徴とする請
    求項31に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
  37. 【請求項37】 熱硬化型樹脂を塗布した後に仮焼を行
    って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成
    及び露光を行なう工程と、前記レジストを現像してレジ
    ストパターンを形成する工程と、前記有機膜パターンを
    マスクとして下地をドライエッチングする工程と、基板
    の少なくとも表側又は裏側からUV光を照射して前記レ
    ジストをレジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前
    記有機膜が不溶となるように濃度調整したレジスト剥離
    剤を用いて前記レジストを除去する工程と、再焼成して
    前記有機撒くパターンを完全に硬化する工程とから得ら
    れることを特徴とする請求項31に記載のアクティブマ
    トリクス型液晶表示装置の製造方法。
  38. 【請求項38】 レジスト現像液を用いてレジストを除
    去して得られることを特徴とする請求項36又は請求項
    37に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  39. 【請求項39】 感光剤としてナフトキノンジアゾ化合
    物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記
    有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロ
    ピレングリコールモノアセチルアセテート又は2−ヘプ
    タノン又は3−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブ
    チル又はそれらの中から2種以上を選択して得られる混
    合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチ
    ルアンモニウムヒドロオキサイド(TMAH)溶液にて
    前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチング及
    び前記レジストの除去を行って得られることを特徴とす
    る請求項36〜38のいずれか一に記載のアクティブマ
    トリクス型液晶表示装置。
  40. 【請求項40】 感光基を含有せずかつアクリル及び光
    開始重合剤を含有する樹脂を塗布して80〜110℃の
    温度範囲において仮焼を行い、かつ220〜260℃の
    温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする請求項
    33又は請求項39に記載のアクティブマトリクス型液
    晶表示装置。
  41. 【請求項41】 i線又はそれよりも短波長の光に感応
    するUV硬化型樹脂を塗布した後に仮焼して有機膜を形
    成する工程と、レジストを塗布して焼成を行う工程と、
    g線で露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジ
    ストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェット
    エッチングして有機膜パターンを形成する工程と、基板
    の少なくとも表側又は裏側からUV光を照射して前記有
    機膜パターンを光架橋反応により半硬化させて現像液に
    対して不溶化すると同時に前記レジストを現像液に対し
    て可溶化する工程と、前記有機膜パターンをマスクとし
    て下地をドライエッチングする工程と、前記現像液を用
    いて前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有
    機膜パターンを完全に硬化する工程とから得られること
    を特徴とする請求項31に記載のアクティブマトリクス
    型液晶表示装置。
  42. 【請求項42】 感光剤としてナフトキノンジアゾ化合
    物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記
    有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロ
    ピレングリコールモノアセチルアセテート又は2−ヘプ
    タノン又は3−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブ
    チル又はそれらの中から2種以上を選択して得られる混
    合溶剤を用いたg線感応型のポジ型レジストを用い、か
    つテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド(TMA
    H)溶液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェット
    エッチング及び前記レジストの除去を行って得られるこ
    とを特徴とする請求項41に記載のアクティブマトリク
    ス型液晶表示装置。
  43. 【請求項43】 式1の構造式で表されるカルド型化合
    物と式2の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物
    との重合体及び光重合開始材を含有する樹脂を塗布して
    80〜150℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ2
    30〜280℃の温度範囲において再焼成を行って得ら
    れることを特徴とする請求項33又は請求項42に記載
    のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
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