JPH1031233A - 反射型ゲストホスト液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反射型ゲストホスト液晶表示装置のパネル内
に集積形成される四分の一波長板層のパタニングを安定
化する。 【解決手段】 先ず、一方の基板１の上に薄膜トランジ
スタ２及び光反射層１０を形成する。これらの上に一軸
配向した高分子液晶からなる四分の一波長板層１３を形
成すると共にその表面を処理して親和性を改善する。四
分の一波長板層１３の親和性を改善した表面に密着して
感光膜３０を塗工した後露光及び現像を行なって所定の
形状にパタニングする。パタニングされた感光膜３０を
マスクとして四分の一波長板層１３をエッチングして薄
膜トランジスタ２のドレイン電極９に通じるコンタクト
ホール１４を開口すると共に不要となった感光膜３０を
除去する。四分の一波長板層１３の上に画素電極１５を
形成しコンタクトホール１４を介して対応する薄膜トラ
ンジスタ２のドレイン電極９に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は反射型ゲストホスト
液晶表示装置の製造方法に関する。詳しくは、反射型ゲ
ストホスト液晶表示装置に偏光変換素子として内蔵され
る四分の一波長板層の形成方法に関する。さらに詳しく
は、一軸配向した高分子液晶からなる四分の一波長板層
のパタニング方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】偏光変換素子として四分の一波長板層を
内蔵した反射型ゲストホスト液晶表示装置が知られてお
り、例えば特開平６−２２２３５１号公報に開示されて
いる。図５に示す様に、この反射型ゲストホスト液晶表
示装置１０１は上下一対の基板１０２及び１０３を用い
て組立られている。これらの基板１０２及び１０３は例
えばガラスや石英あるいはプラスチック等の絶縁性を有
する材料で構成されている。少なくとも入射側に位置す
る上方の基板１０２は透明なものを用いる。一対の基板
１０２及び１０３の間にはゲストホスト液晶１０４が介
在している。このゲストホスト液晶１０４はネマティッ
ク液晶分子１０４ａを主体とし二色性色素１０５を含有
したものである。二色性色素１０５はその分子の長軸に
略平行な遷移双極子モーメントを有するｐ型色素であ
る。上側の基板１０２の内表面１０２ａには図示しない
が、例えばＭＩＭ等の二端子素子又はＴＦＴ等の三端子
素子で実現されるスイッチング素子と、ＩＴＯ等の透明
導電膜からなる画素電極１０６とが集積形成されてい
る。スイッチング素子と画素電極１０７とが形成された
上側の基板１０２の内表面１０２ａにはさらにポリイミ
ド樹脂等からなる配向層１０７が形成されている。この
配向層１０７はラビング処理を施されており液晶分子１
０４ａを水平配向させている。一方、下側の基板１０３
の内表面１０３ａには光反射層１０８と四分の一波長板
層１０９とがこの順に形成されている。四分の一波長板
層１０９は一軸配向した高分子液晶からなる。又、この
四分の一波長板層１０９の表面には対向電極１１０と配
向層１１１とがこの順に形成されている。配向層１１１
は上側の基板１０２に形成された配向層１０７と同様に
ポリイミド樹脂等で構成されており、その表面はラビン
グ処理が施されている。

【０００３】反射型ゲストホスト液晶表示装置１０１を
用いて白黒表示を行なう場合の動作を簡潔に説明する。
電圧無印加状態では、液晶分子１０４ａは上下一対の配
向層１０７及び１１１のラビング方向に沿って水平配向
している。これに応じて、二色性色素１０５も同様に水
平配向する。上側の基板１０２から入射した光がゲスト
ホスト液晶１０４を通過すると、入射光のうち二色性色
素１０５の分子の長軸方向と平行な振動面を持つ成分が
二色性色素１０５によって吸収される。又、二色性色素
１０５の分子の長軸方向に対して垂直な振動面を持つ他
の成分はゲストホスト液晶１０４を通過し、下側の基板
１０３の内表面１０３ａに形成された四分の一波長板層
１０９で円偏光とされ、光反射層１０８で反射する。こ
の時、反射光の偏光が逆回りとなり、再び四分の一波長
板層１０９を通過し、二色性色素１０５の分子の長軸方
向に対して平行な振動面を持つ光となる。この光は二色
性色素１０５によって吸収されるので黒色表示となる。
一方、電圧印加時には液晶分子１０４ａは電界方向に沿
って垂直配向する。二色性色素１０５も同様に配向す
る。上側の基板１０２側から入射した光は二色性色素１
０５によって吸収されずにゲストホスト液晶１０４を通
過し、四分の一波長板層１０９で偏光されずに光反射層
１０８で反射する。反射光は再び四分の一波長板層１０
９を通過しゲストホスト液晶１０４で吸収されずに出射
する。従って白色表示となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】図５に示した従来構造
では、画素電極１０６及びこれを駆動するスイッチング
素子が入射側の基板１０２に形成されている一方、四分
の一波長板層１０９は反射側の基板１０３に形成されて
いる。しかしながら、スイッチング素子を入射側の基板
に形成するとその分画素開口率が犠牲になる為明るい表
示画面が得られない。そこで、スイッチング素子及び画
素電極を反射側の基板に形成する事が考えられる。この
場合、基板に集積形成されるスイッチング素子と対応す
る画素電極とを互いに電気接続する為、両者の間に介在
する四分の一波長板層をパタニングしてコンタクトホー
ルを開口する必要がある。パタニングは通常フォトリソ
グラフィー及びエッチングを用いて行なわれる。この
為、四分の一波長板層の上に感光膜(フォトレジスト)を
塗工する必要がある。通常のフォトレジストは感光剤を
酢酸ブチル等の有機溶媒に溶解した溶液を用いてこれを
スピンコート等により塗工している。しかしながら、四
分の一波長板層は一軸配向した高分子液晶からなり、有
機溶剤に対して溶解もしくは膨潤する惧れがあり耐溶剤
性が問題になる。そこで、水溶性のフォトレジストを用
いて四分の一波長板層をパタニングする事が考えられ
る。しかしながら、水溶性のフォトレジストは四分の一
波長板層に対する密着性が悪い為フォトリソグラフィー
における現像の段階で剥離し、精度よく四分の一波長板
層にコンタクトホールを開口する事が困難であった。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題を解決する為に以下の手段を講じた。即ち本発明によ
れば反射型ゲストホスト液晶表示装置は以下の工程によ
り製造される。先ず一方の基板の上にスイッチング素子
を集積形成する第１工程を行なう。次に、該基板の上に
光反射層を形成する第２工程を行なう。続く第３工程
で、該スイッチング素子及び該反射層の上に一軸配向し
た高分子液晶からなる四分の一波長板層を形成する。第
４工程で、該四分の一波長板層の表面を処理してその親
和性を改善する。第５工程で、該四分の一波長板層の親
和性を改善した表面に密着して感光膜（フォトレジス
ト）を塗工した後露光及び現像（フォトリソグラフィ
ー）を行なって所定の形状にパタニングする。この後第
６工程を行ない、パタニングされた感光膜をマスクとし
て該四分の一波長板層をエッチングして該スイッチング
素子に通じるコンタクトホールを開口すると共に不要と
なった感光膜を除去する。さらに第７工程を行ない、該
四分の一波長板層の上に画素電極を形成し該コンタクト
ホールを介して対応するスイッチング素子に接続する。
さらに第８工程を行ない、少なくとも対向電極が形成さ
れた他方の基板を所定の間隙を介して該一方の基板に接
合する。最後に第９工程を行ない二色性色素を添加した
ゲストホスト液晶を間隙に注入して反射型ゲストホスト
液晶表示装置を完成する。

【０００６】好ましくは、前記第４工程は、該四分の一
波長板層の表面にカップリング剤をコーティングして表
面改質を行う。あるいは、前記第４工程は該四分の一波
長板層の表面に酸素プラズマを照射して表面改質を行な
うものであってもよい。又、前記第５工程は該四分の一
波長板層を構成する高分子液晶を溶解しない水溶性の感
光膜を用い純水で現像を行なう。さらに、前記第６工程
は、酸素プラズマを照射して該四分の一波長板層のエッ
チング及び感光膜の除去を同時に行なう。

【０００７】本発明によれば、反射型ゲストホスト液晶
表示装置においてパネル内に一軸配向した高分子液晶か
らなる四分の一波長板層を形成すると共に、その上に画
素電極を形成している。四分の一波長板層の上に位置す
る画素電極と四分の一波長板層の下に位置するスイッチ
ング素子とを互いに接続する為、四分の一波長板層にコ
ンタクトホールを開口するパタニングを行なう。この
際、四分の一波長板層の表面処理を予め行ないその親和
性を高める事で、パタニングの際における感光膜（フォ
トレジスト）の剥離を抑えている。これにより、精度よ
くコンタクトホールを開口する事ができる。表面処理と
しては四分の一波長板層の表面にカップリング剤をコー
ティングして表面改質を行なう方法と、四分の一波長板
層の表面に酸素プラズマを照射して表面改質を行なう方
法（ライトアッシング）とがある。これにより、四分の
一波長板層に対する水溶性フォトレジストの密着性を高
める事ができ、一軸配向した高分子液晶にダメージを与
える事なくパタニングを行なう事が可能になる。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の最良
な実施形態を詳細に説明する。図１は本発明にかかる反
射型ゲストホスト液晶表示装置の製造方法を示す工程図
である。先ず（Ａ）に示す様に、一方の基板１の上にス
イッチング素子を集積形成する。本実施形態ではスイッ
チング素子としてボトムゲート構造の薄膜トランジスタ
２を集積形成している。具体的には、ガラス又は石英等
からなる絶縁性基板１の表面に高融点金属等からなるゲ
ート電極３をパタニング形成する。その上にＣＶＤ等で
シリコン酸化物又はシリコン窒化物を堆積しゲート絶縁
膜４を形成する。この上に多結晶シリコン等からなる半
導体薄膜５をＣＶＤ等で成膜し、薄膜トランジスタ２の
素子領域に合わせて島状にパタニングする。その上にシ
リコン酸化物等からなるストッパ６をゲート電極２と整
合させてパタニング形成する。このストッパ６をマスク
としてイオンドーピング又はイオンインプランテーショ
ンにより不純物を半導体薄膜５に注入し、薄膜トランジ
スタ２を形成する。この薄膜トランジスタ２をＰＳＧ又
はシリコン酸化物等からなる層間絶縁膜７で被覆する。
層間絶縁膜７にコンタクトホールを開口した後、その上
にアルミニウム等をスパッタリングで堆積し所定の形状
にパタニングしてソース電極８及びドレイン電極９に加
工する。

【０００９】この時同時に層間絶縁膜７の上に光反射層
１０を形成する。光反射層１０は凹凸が形成された樹脂
膜１０ａとその表面に成膜されたアルミニウム等の金属
膜１０ｂとからなる。樹脂膜１０ａはフォトリソグラフ
ィーにより凹凸がパタニングされた感光性樹脂膜であ
る。感光性樹脂膜１０ａはフォトレジストからなり層間
絶縁膜７の表面に全面的に塗布される。これを所定のマ
スクを介して露光処理し例えば円柱状にパタニング加工
する。次いで加熱してリフローを施せば凹凸形状が安定
的に形成できる。この様にして形成された凹凸形状の表
面に所望の膜厚で良好な光反射率を有するアルミニウム
等の金属膜１０ｂを形成する。なお、この金属膜１０ｂ
はソース電極８及びドレイン電極９と同層の材料で構成
できる。この時、金属膜１０ｂはドレイン電極９と同電
位に接続される。凹凸の深さ寸法を数μｍに設定すれ
ば、良好な光散乱特性が得られ光反射層１０は白色を呈
する。

【００１０】次に（Ｂ）に示す様に、薄膜トランジスタ
２及び光反射層１０の凹凸を埋める様に平坦化層１１を
形成する。この平坦化層１１はアクリル樹脂等透明な有
機物を用いる事が好ましい。この上に下地配向層１２を
形成する。この下地配向層１２を所定の方向に沿ってラ
ビング処理する。この際、下地配向層１２は平らな平坦
化層１１の表面に形成されている為ラビング処理が安定
に行なえる。この上にラビング方向に沿って一軸配向し
た高分子液晶からなる四分の一波長板層１３を形成す
る。具体的には、下地配向層１２の上に高分子液晶材料
を塗布する。この高分子液晶は例えば安息香酸エルテル
系のメソゲンをペンダントとした側鎖型の高分子液晶で
ある。この高分子液晶をシクロヘキサンとメチルエチル
ケトンを８対２の割合で混合した溶液に溶解させる。こ
の溶液を例えば１０００rpm の回転速度でスピンコート
し、下地配向層１２の上に高分子液晶を成膜する。この
後基板加熱を行ない、一旦高分子液晶を光学的に等方性
状態まで加熱する。続いて加熱温度を徐々に降下しネマ
ティック相を経て室温状態まで戻す。ネマティック相に
おいて高分子液晶は下地配向層１２のラビング方向に沿
って配列し、所望の一軸配向性が得られる。この一軸配
向状態は基板１を室温に戻す事により固定される。この
様なアニール処理により、高分子液晶材料に含まれる液
晶分子は一軸配向し、所望の四分の一波長板層１３が得
られる。

【００１１】続いて（Ｃ）に示す様に、四分の一波長板
層１３の表面を処理してその親和性を改善する。例えば
四分の一波長板層１３の表面にシランカップリング剤を
コーティングして表面改質を行なう。あるいは四分の一
波長板層１３の表面に酸素プラズマを照射して表面改質
を行なう。後者の方法はライトアッシングと呼ばれる。
続いて、四分の一波長板層１３の親和性を改善した表面
に密着して感光膜３０を塗工した後露光現像を行なって
所定の形状にパタニングする。具体的には、四分の一波
長板層１３を構成する高分子液晶を溶解しない水溶性の
感光膜３０を用い純水で現像を行なう。四分の一波長板
層１３の表面は予め改質されているので水溶性の感光膜
３０を用いても十分な密着性を得る事ができる。例え
ば、水溶性の感光膜３０としてポリビニルアルコール
（ＰＶＡ）の水溶液（０．１〜５wt％）をスピンコート
する。この時水溶液にＰＶＡの光架橋反応を起させる為
例えば重クロム酸アンモンを微量添加しておく。次に所
望のマスク（図示せず）を用いて水銀ランプあるいはキ
セノンランプで露光処理を行なう。この後水洗処理を施
すと露光されなかった感光膜３０の部分が水に溶解し、
パターン化されたＰＶＡのポリマーからなるマスクが形
成される。なお、水溶性の感光膜３０としては上述した
ものに変えてＰＶＡに四級のアンモニウム塩（ＳＢＱ）
を加えた材料を用いてもよい。ＰＶＡ−ＳＢＱは現像性
に優れている。この様にしてパタニングされた感光膜３
０をマスクとして四分の一波長板層１３をエッチングし
て薄膜トランジスタ２に通じるコンタクトホール１４を
開口すると共に不要となった感光膜３０を除去する。な
お、本実施形態では四分の一波長板層１３及び下地配向
層１２と平坦化層１１を貫通してコンタクトホール１４
を設けている。これによりコンタクトホール１４は薄膜
トランジスタ２のドレイン電極９と連通する事になる。
なお、このエッチングでは酸素プラズマを照射して四分
の一波長板層１３のエッチング及び感光膜３０の除去を
同時に行なう事も可能である。

【００１２】最後に（Ｄ）に示す様に、四分の一波長板
層１３の上に画素電極１５を形成し、コンタクトホール
１４を介して対応する薄膜トランジスタ２のドレイン電
極９に電気接続する。具体的には、ＩＴＯ等の透明導電
膜をスパッタリングで堆積した後所定の形状にパタニン
グして画素電極１５に加工する。この画素電極１５を被
覆する様に配向層１６を成膜する。この後、少なくとも
対向電極が形成された他方の基板を所定の間隙を介して
一方の基板１に接合し、該間隙に二色性色素を添加した
ゲストホスト液晶を注入すると反射型ゲストホスト液晶
表示装置の完成となる。

【００１３】図２に完成状態の反射型ゲストホスト液晶
表示装置を示す。図示する様に、入射側の基板１７と反
射側の基板１との間にゲストホスト液晶１８が保持され
ている。このゲストホスト液晶１８はネマティック液晶
分子１９を主成分としこれに二色性色素２０を添加した
ものである。なお、基板１７の内表面には対向電極２１
及び配向層２２がこの順で形成されている。ゲストホス
ト液晶１８は上下の配向層２２及び１６により保持され
ており、本実施例ではネマティック液晶分子１９は垂直
配向している。但し、本発明はこれに限られるものでは
なく、図５に示した従来例と同様に水平配向を採用して
もよい。なお、二色性色素２０も液晶分子１９に倣って
垂直配向している。従って、電圧無印加状態では白色表
示となり、電圧印加状態では黒色表示となる。本発明に
よれば四分の一波長板層１３を精度よくパタニングでき
コンタクトホール１４を開口する事が可能になる。この
為、四分の一波長板層１３の上に画素電極１５を形成す
る事が可能となり、コンタクトホール１４を介して画素
電極１５を下方の薄膜トランジスタ２に電気接続でき
る。この構造ではゲストホスト液晶１８に対して画素電
極１５及び対向電極２１間で直接電界を印加する事が可
能となり動作特性が向上する共に、両電極１５，２１の
間に配向層及びゲストホスト液晶のほか何ら絶縁体層が
介在しない事になり分極等の悪影響がない。

【００１４】図３を参照して、本発明の要部となる四分
の一波長板層のパタニングプロセスを詳細に説明する。
先ず、(Ａ)に示す様に、基板５１の上に一軸配向した高
分子液晶からなる四分の一波長板層５２を形成する。な
お、本実施例では理解を容易にする為基板５１の上に直
接四分の一波長板層５２を形成する工程を表わしている
が、図１の(Ｃ)に示した工程に容易に応用可能な事は明
かである。次に（Ｂ）に示す様に四分の一波長板層５２
の上にフォトレジスト５３を塗工する。本実施例ではフ
ォトレジスト５３として水溶性のＰＶＡ又はＰＶＡ−Ｓ
ＢＱを用いている。通常の有機溶媒を用いたフォトレジ
ストを使用すると、酢酸ブチル等有機溶媒の影響を受け
て四分の一波長板層５２を構成する高分子液晶の一軸配
向性がダメージを受ける。但し、ＰＶＡやＰＶＡ−ＳＢ
Ｑ等の水溶性フォトレジストは四分の一波長板層５２に
対する密着性が悪い。そこで、本発明では四分の一波長
板層５２の表面を予め処理して水溶性フォトレジスト５
３に対する親和力を高めている。次に(Ｃ)に示す様に、
所定のマスクＭを用いて露光処理を行ないフォトレジス
ト５３を感光させる。このフォトレジスト５３はポジ型
であり、露光された部分が硬化すると共に露光されなか
った部分５３ａが未硬化の状態で残される。続いて
（Ｄ）に示す様に、純水を用いて現像処理を行ない、フ
ォトレジスト５３のうち未硬化の部分５３ａを洗い流
す。この時、フォトレジスト５３と四分の一波長板層５
２とは互いに密着している為硬化した部分が未硬化の部
分と同時に洗い流される事はない。最後（Ｅ）に示す様
に、現像処理されたフォトレジスト５３をマスクとして
エッチングを行なう事により、四分の一波長板層５２を
精度よくパタニングする事ができる。この場合ドライエ
ッチングを採用する事ができる。例えば、酸素プラズマ
を照射して四分の一波長板層５２をパタニングする。こ
の時、フォトレジストと四分の一波長板層のエッチング
レートに応じて四分の一波長板層に対するフォトレジス
トの厚みを予め制御しておく事で、四分の一波長板層５
２のエッチング及びフォトレジストの灰化除去を同時に
行なう事が可能である。

【００１５】最後に図４は四分の一波長板層５２に対す
る表面処理を具体的に表わしている。表面処理にはカッ
プリング剤コーティングとライトアッシングの２種類が
採用可能である。カップリング剤コーティングでは、例
えば一般的なシランカップリング剤(例えばシランを１
％程度アルコールに溶解した液体)をスピンコートし、
９０〜１００℃の温度で１時間程度ベーキングする。シ
ランカップリング剤としては二価〜三価のものを用いる
と効果が強い。この表面処理によって四分の一波長板層
５２の表面に水酸基（ＯＨ）が形成され、ＰＶＡやＰＶ
Ａ−ＳＢＱと良好な親和性を示す。一方、ライトアッシ
ングでは酸素プラズマを用いて表面処理を行なう。酸素
プラズマを１分程度照射すれば四分の一波長板層の表面
が薄く灰化（酸化）され、ＰＶＡやＰＶＡ−ＳＢＱとの
親和性が増す。

【００１６】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、四
分の一波長板層の表面を処理してその親和性を改善した
後、その上に密着して感光膜を塗工する。感光膜を露光
現像して所定の形状にパタニングする。パタニングされ
た感光膜をマスクとして四分の一波長板層をエッチング
し下方のスイッチング素子に通じるコンタクトホールを
開口する事ができる。この様にすれば四分の一波長板層
に対して精度よくコンタクトホールを形成する事が可能
になる為、上方の画素電極と下方のスイッチング素子を
電気接続できる。従って、画素電極とゲストホスト液晶
との間には配向層を除いて誘電体層が介在しなくなる為
パネル内における誘電分極が抑えられ、表示の焼付け等
を防ぐ事が可能になる。又、十分に高い電界をゲストホ
スト液晶に印加できるので表示が高コントラスト化す
る。さらに、四分の一波長板層をパタニングしてもダメ
ージを与える事がない為高信頼性が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる反射型ゲストホスト液晶表示装
置の製造方法を示す工程図である。

【図２】本発明に従って製造された反射型ゲストホスト
液晶表示装置の完成状態を示す断面図である。

【図３】本発明にかかる反射型ゲストホスト液晶表示装
置製造方法の要部をなす四分の一波長板層のパタニング
を示す工程図である。

【図４】四分の一波長板層の表面処理を示す工程図であ
る。

【図５】従来の反射型ゲストホスト液晶表示装置の一例
を示す断面図である。

【符号の説明】

１…基板、２…薄膜トランジスタ、８…ソース電極、９
…ドレイン電極、１０…光反射層、１１…平坦化層、１
２…下地配向層、１３…四分の一波長板層、１４…コン
タクトホール、１５…画素電極、１６…配向層、１７…
基板、１８…ゲストホスト液晶、１９…液晶分子、２０
…二色性色素、２１…対向電極、２２…配向層

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一方の基板の上にスイッチング素子を集
   積形成する第１工程と、 該基板の上に光反射層を形成する第２工程と、 該スイッチング素子及び該光反射層の上方に一軸配向し
   た高分子液晶からなる四分の一波長板層を形成する第３
   工程と、 該四分の一波長板層の表面を処理してその親和性を改善
   する第４工程と、 該四分の一波長板層の親和性を改善した表面に密着して
   感光膜を塗工した後露光及び現像を行なって所定の形状
   にパタニングする第５工程と、 パタニングされた感光膜をマスクとして該四分の一波長
   板層をエッチングして該スイッチング素子に通じるコン
   タクトホールを開口すると共に不要となった感光膜を除
   去する第６工程と、 該四分の一波長板層の上に画素電極を形成し該コンタク
   トホールを介して対応するスイッチング素子に接続する
   第７工程と、 少なくとも対向電極が形成された他方の基板を所定の間
   隙を介して該一方の基板に接合する第８工程と、 二色性色素を添加したゲストホスト液晶を該間隙に注入
   する第９工程とを行なう反射型ゲストホスト液晶表示装
   置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記第４工程は、該四分の一波長板層の
   表面にカップリング剤をコーティングして表面改質を行
   なう事を特徴とする請求項１記載の反射型ゲストホスト
   液晶表示装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記第４工程は、該四分の一波長板層の
   表面に酸素プラズマを照射して表面改質を行なう事を特
   徴とする請求項１記載の反射型ゲストホスト液晶表示装
   置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記第５工程は、該四分の一波長板層を
   構成する高分子液晶を溶解しない水溶性の感光膜を用い
   ると共に純水で現像を行なう事を特徴とする請求項１記
   載の反射型ゲストホスト液晶表示装置装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記第６工程は、酸素プラズマを照射し
   て該四分の一波長板層のエッチング及び感光膜の除去を
   同時に行なう事を特徴とする請求項１記載の反射型ゲス
   トホスト液晶表示装置の製造方法。