JP2003177403A - 反射率向上のための液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
反射率向上のための液晶表示装置及びその製造方法Info
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射率の向上のための液晶表示装置及びその
製造方法を提供する。 【解決手段】 画素が形成された第1基板２５０に対向
して第２基板３００を形成し、第１基板２５０と第２基
板３００との間に液晶層２８０を形成し、第１基板２５
０上には、相対的に高低差が形成された複数の第１領域
部２１２と第２領域部２１４を含み、第１領域部２１２
の底辺４００に対する第２領域部２１４の接線が５〜１
５°の傾斜角をなす有機絶縁膜２１０を形成し、有機絶
縁膜２１０上には、有機絶縁膜２１０と同一の表面構造
を有する反射電極２２０を形成する。
製造方法を提供する。 【解決手段】 画素が形成された第1基板２５０に対向
して第２基板３００を形成し、第１基板２５０と第２基
板３００との間に液晶層２８０を形成し、第１基板２５
０上には、相対的に高低差が形成された複数の第１領域
部２１２と第２領域部２１４を含み、第１領域部２１２
の底辺４００に対する第２領域部２１４の接線が５〜１
５°の傾斜角をなす有機絶縁膜２１０を形成し、有機絶
縁膜２１０上には、有機絶縁膜２１０と同一の表面構造
を有する反射電極２２０を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びそ
の製造方法に関するものであり、より詳細には、反射電
極を含む液晶表示装置において反射率を向上させること
ができる液晶表示装置及びその製造方法に関するもので
ある。
の製造方法に関するものであり、より詳細には、反射電
極を含む液晶表示装置において反射率を向上させること
ができる液晶表示装置及びその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置はバックライトアセンブリ
のような光源を利用して画像を表示する透過型液晶表示
装置と、自然光を利用した反射型液晶表示装置、また、
室内とか外部光源が存在しない暗い所では表示素子自体
の内蔵光源を利用してディスプレーする透過表示モード
に動作し、室外の高調度環境では外部の入射光を反射さ
せディスプレーする反射表示モードに動作する反射−透
過型液晶表示装置に区分することができる。
のような光源を利用して画像を表示する透過型液晶表示
装置と、自然光を利用した反射型液晶表示装置、また、
室内とか外部光源が存在しない暗い所では表示素子自体
の内蔵光源を利用してディスプレーする透過表示モード
に動作し、室外の高調度環境では外部の入射光を反射さ
せディスプレーする反射表示モードに動作する反射−透
過型液晶表示装置に区分することができる。
【０００３】中小型液晶表示装置の場合、携帯が便利で
あり、電力消耗が小さくなるように設計することは顧客
にアピールできるので、外部光源を利用することができ
ることから透過型液晶表示装置に比べて電力消耗を最少
化することができる反射型液晶表示装置が主に用いられ
ている。しかし、反射型液晶表示装置は、ＬＣＤパネル
の表示品質に寄与する光の量が少ないという短所があ
り、このような短所を克服するために外部光源に対する
反射効率を極大化させることができる方法が開発されて
いる。この方法は、大きく分けて反射効率が高い反射膜
を使用する方法、上板（即ち、カラーフィルタ基板）に
ビーズ（ｂｅａｄｓ）を利用した拡散層を形成する方
法、下板（即ち、薄膜トランジスター基板）の反射電極
にエンボシング（ｅｍｂｏｓｓｉｎｇ）処理をして正面
から入る直射光に対して意図的に乱反射を起こして反射
効率を最大化させる方法に、分類することができる。特
に、光の反射率はエンボシングの形成角度にかなり依存
することから、エンボシング処理技術は表示品質の側面
で最も重要な要素に作用する。
あり、電力消耗が小さくなるように設計することは顧客
にアピールできるので、外部光源を利用することができ
ることから透過型液晶表示装置に比べて電力消耗を最少
化することができる反射型液晶表示装置が主に用いられ
ている。しかし、反射型液晶表示装置は、ＬＣＤパネル
の表示品質に寄与する光の量が少ないという短所があ
り、このような短所を克服するために外部光源に対する
反射効率を極大化させることができる方法が開発されて
いる。この方法は、大きく分けて反射効率が高い反射膜
を使用する方法、上板（即ち、カラーフィルタ基板）に
ビーズ（ｂｅａｄｓ）を利用した拡散層を形成する方
法、下板（即ち、薄膜トランジスター基板）の反射電極
にエンボシング（ｅｍｂｏｓｓｉｎｇ）処理をして正面
から入る直射光に対して意図的に乱反射を起こして反射
効率を最大化させる方法に、分類することができる。特
に、光の反射率はエンボシングの形成角度にかなり依存
することから、エンボシング処理技術は表示品質の側面
で最も重要な要素に作用する。
【０００４】このように、反射電極にエンボシングを形
成するためには、薄膜トランジスターが形成された基板
上に有機絶縁膜を塗布した後、パターンが形成されてい
るフォトマスクを利用して、有機絶縁膜を露光及び現像
しなければならない。有機絶縁膜を利用してエンボシン
グを形成する場合、感光性がある有機絶縁膜に照射する
露光量と後続熱処理を通じてエンボシングの傾斜（ｓｌ
ｏｐｅ）を調節することができる。しかし、エンボシン
グ処理を大型面積に適用する場合、熱処理工程は温度均
一性側面で弱点がある。従って、熱処理工程、たとえ
ば、有機絶縁膜のハード−ベーキング工程及びキュアリ
ング工程の条件を調節してエンボシングの傾きを決定す
る方法によると、温度の不均一性によりエンボシング均
一性が低下し、表示品質が低下する。
成するためには、薄膜トランジスターが形成された基板
上に有機絶縁膜を塗布した後、パターンが形成されてい
るフォトマスクを利用して、有機絶縁膜を露光及び現像
しなければならない。有機絶縁膜を利用してエンボシン
グを形成する場合、感光性がある有機絶縁膜に照射する
露光量と後続熱処理を通じてエンボシングの傾斜（ｓｌ
ｏｐｅ）を調節することができる。しかし、エンボシン
グ処理を大型面積に適用する場合、熱処理工程は温度均
一性側面で弱点がある。従って、熱処理工程、たとえ
ば、有機絶縁膜のハード−ベーキング工程及びキュアリ
ング工程の条件を調節してエンボシングの傾きを決定す
る方法によると、温度の不均一性によりエンボシング均
一性が低下し、表示品質が低下する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、均一
のパネル特性を有し、反射率を向上させることができる
液晶表示装置を提供することにある。
のパネル特性を有し、反射率を向上させることができる
液晶表示装置を提供することにある。
【０００６】本発明の他の目的は、入射光の方向に沿っ
て非等方的に反射率を示す液晶表示装置を提供すること
にある。
て非等方的に反射率を示す液晶表示装置を提供すること
にある。
【０００７】本発明のまた他の目的は、有機絶縁膜で照
射される露光量を調節して反射電極のエンボシング傾き
を正確に調節することができる液晶表示装置の製造方法
を提供することにある。
射される露光量を調節して反射電極のエンボシング傾き
を正確に調節することができる液晶表示装置の製造方法
を提供することにある。
【０００８】本発明のまた他の目的は、入射光の方向に
沿って非等方的に反射率を示す液晶表示装置の製造方法
を提供することにある。
沿って非等方的に反射率を示す液晶表示装置の製造方法
を提供することにある。
【０００９】
【発明の解決するための手段】上述した目的を達成する
ための本発明は、画素が形成された第1基板と、前記第1
基板に対向して形成された第２基板と、前記第１基板と
第２基板との間に形成された液晶層と、前記第１基板上
に形成され、光散乱のために相対的に高低差が形成され
た複数の第１領域部と第２領域部を含み、前記第１領域
部の底辺に対する前記第２領域部の接線が５〜１５°の
傾斜角をなす有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成さ
れ、前記有機絶縁膜と同一の表面構造を有する反射電極
とを備えることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
ための本発明は、画素が形成された第1基板と、前記第1
基板に対向して形成された第２基板と、前記第１基板と
第２基板との間に形成された液晶層と、前記第１基板上
に形成され、光散乱のために相対的に高低差が形成され
た複数の第１領域部と第２領域部を含み、前記第１領域
部の底辺に対する前記第２領域部の接線が５〜１５°の
傾斜角をなす有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成さ
れ、前記有機絶縁膜と同一の表面構造を有する反射電極
とを備えることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【００１０】上述した他の目的を達成するための本発明
の液晶表示装置は、画素が形成された第1基板と、前記
第1基板に対向して形成された第２基板と、前記第１基
板と第２基板との間に形成された液晶層と、前記第１基
板上に形成され、相対的に高低差が形成された複数の第
１領域部と第２領域部を含み、前記第１領域部の底辺に
対する前記第２領域部の接線が５〜１５°の傾斜角をな
す有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成され、前記有
機絶縁膜と同一の表面構造を有する反射電極とを備え、
前記有機絶縁膜の下部に少なくとも一つのエンボシング
調節パターンが形成され、前記エンボシング調節パター
ン上の第２領域部を非対称断面に形成することにより、
特定方向の反射率を増加させることを特徴とする。
の液晶表示装置は、画素が形成された第1基板と、前記
第1基板に対向して形成された第２基板と、前記第１基
板と第２基板との間に形成された液晶層と、前記第１基
板上に形成され、相対的に高低差が形成された複数の第
１領域部と第２領域部を含み、前記第１領域部の底辺に
対する前記第２領域部の接線が５〜１５°の傾斜角をな
す有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に形成され、前記有
機絶縁膜と同一の表面構造を有する反射電極とを備え、
前記有機絶縁膜の下部に少なくとも一つのエンボシング
調節パターンが形成され、前記エンボシング調節パター
ン上の第２領域部を非対称断面に形成することにより、
特定方向の反射率を増加させることを特徴とする。
【００１１】また、上述した目的を達成するための本発
明は、第1基板上に画素を形成する段階と、前記第１基
板上に有機絶縁膜を形成する段階と、前記有機絶縁膜を
露光及び現像して前記有機絶縁膜に光散乱のために相対
的に高低差が形成された複数の第１領域部と第２領域部
を形成して、露光量を調節して前記第１領域部の底辺に
対する前記第２領域部の接線をなす傾斜角が５〜１５°
になるように形成する段階と、前記有機絶縁膜上に前記
有機絶縁膜と同一の表面構造を有する反射電極を形成す
る段階と、前記第１基板に対向して第２基板を形成する
段階と、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を
形成する段階とを備えることを特徴とする。
明は、第1基板上に画素を形成する段階と、前記第１基
板上に有機絶縁膜を形成する段階と、前記有機絶縁膜を
露光及び現像して前記有機絶縁膜に光散乱のために相対
的に高低差が形成された複数の第１領域部と第２領域部
を形成して、露光量を調節して前記第１領域部の底辺に
対する前記第２領域部の接線をなす傾斜角が５〜１５°
になるように形成する段階と、前記有機絶縁膜上に前記
有機絶縁膜と同一の表面構造を有する反射電極を形成す
る段階と、前記第１基板に対向して第２基板を形成する
段階と、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を
形成する段階とを備えることを特徴とする。
【００１２】また、上述した他の目的を達成するための
本発明の液晶表示装置の製造方法は、前記第1基板上に
画素を形成する段階と、前記第１基板上に有機絶縁膜を
形成する段階と、前記有機絶縁膜を露光及び現像して前
記有機絶縁膜に光散乱のために相対的に高低差が形成さ
れた複数の第１領域部と第２領域部を形成して、露光量
を調節して前記第１領域部の底辺に対する前記第２領域
部の接線をなす傾斜角が５〜１５°になるように形成す
る段階と、前記有機絶縁膜上に前記有機絶縁膜と同一の
表面構造を有する反射電極を形成する段階と、前記第１
基板に対向して第２基板を形成する段階と、前記第１基
板と前記第２基板との間に液晶層を形成する段階とを備
え、前記有機絶縁膜を形成する段階前に少なくとも一つ
のエンボシング調節パターンを形成して前記エンボシン
グ調節パターン上の第２領域部を非対称断面に形成する
ことにより、特定方向の反射率を増加させることを特徴
とする。
本発明の液晶表示装置の製造方法は、前記第1基板上に
画素を形成する段階と、前記第１基板上に有機絶縁膜を
形成する段階と、前記有機絶縁膜を露光及び現像して前
記有機絶縁膜に光散乱のために相対的に高低差が形成さ
れた複数の第１領域部と第２領域部を形成して、露光量
を調節して前記第１領域部の底辺に対する前記第２領域
部の接線をなす傾斜角が５〜１５°になるように形成す
る段階と、前記有機絶縁膜上に前記有機絶縁膜と同一の
表面構造を有する反射電極を形成する段階と、前記第１
基板に対向して第２基板を形成する段階と、前記第１基
板と前記第２基板との間に液晶層を形成する段階とを備
え、前記有機絶縁膜を形成する段階前に少なくとも一つ
のエンボシング調節パターンを形成して前記エンボシン
グ調節パターン上の第２領域部を非対称断面に形成する
ことにより、特定方向の反射率を増加させることを特徴
とする。
【００１３】また、上述した他の目的を達成するための
本発明は、第1基板上に画素を形成する段階と、前記第
１基板上に有機絶縁膜を形成する段階と、スリットマス
クを利用して前記有機絶縁膜を露光及び現像することに
より、前記有機絶縁膜に光散乱のために相対的な高低差
により複数の第１領域部と第２領域部を形成し、前記第
２領域部は非対称断面を有するように形成する段階と、
前記有機絶縁膜上に前記有機絶縁膜と同一の表面構造を
有する反射電極を形成する段階と、前記第１基板に対向
して第２基板を形成する段階と、前記第１基板と前記第
２基板との間に液晶層を形成する段階とを備える。
本発明は、第1基板上に画素を形成する段階と、前記第
１基板上に有機絶縁膜を形成する段階と、スリットマス
クを利用して前記有機絶縁膜を露光及び現像することに
より、前記有機絶縁膜に光散乱のために相対的な高低差
により複数の第１領域部と第２領域部を形成し、前記第
２領域部は非対称断面を有するように形成する段階と、
前記有機絶縁膜上に前記有機絶縁膜と同一の表面構造を
有する反射電極を形成する段階と、前記第１基板に対向
して第２基板を形成する段階と、前記第１基板と前記第
２基板との間に液晶層を形成する段階とを備える。
【００１４】本発明によると、エンボシング処理のため
に、有機絶縁膜に照射される露光量を調節してエンボシ
ングの傾斜角を５〜１５°、望ましくは８〜１１°にな
るように形成することにより、反射効率を極大化しエン
ボシングの傾き分布を均一にすることができる。従っ
て、均一であり低い段差を有するエンボシングを形成す
ることにより、後続工程の安定性及び工程マージンを確
保し、均一のパネル特性が得られる。
に、有機絶縁膜に照射される露光量を調節してエンボシ
ングの傾斜角を５〜１５°、望ましくは８〜１１°にな
るように形成することにより、反射効率を極大化しエン
ボシングの傾き分布を均一にすることができる。従っ
て、均一であり低い段差を有するエンボシングを形成す
ることにより、後続工程の安定性及び工程マージンを確
保し、均一のパネル特性が得られる。
【００１５】また、本発明の一実施形態によると、有機
絶縁膜の下部に金属のような反射膜からなったエンボシ
ング調節パターンを形成することにより、前記エンボシ
ング調節パターン上に位置するエンボシングが非対称断
面を有するようにする。本発明の他の実施形態による
と、スリットマスクを利用して、傾きが緩慢な部分はス
リット露光をし、急激な傾きを有する部分は正常露光を
実施することにより、非対称断面を有するエンボシング
を形成することができる。このように、非対称エンボシ
ングを形成すると、入射方向に沿って非等方的な反射率
特性が示されて特定方向の視野角を確保し、反射率を増
加させることができる。
絶縁膜の下部に金属のような反射膜からなったエンボシ
ング調節パターンを形成することにより、前記エンボシ
ング調節パターン上に位置するエンボシングが非対称断
面を有するようにする。本発明の他の実施形態による
と、スリットマスクを利用して、傾きが緩慢な部分はス
リット露光をし、急激な傾きを有する部分は正常露光を
実施することにより、非対称断面を有するエンボシング
を形成することができる。このように、非対称エンボシ
ングを形成すると、入射方向に沿って非等方的な反射率
特性が示されて特定方向の視野角を確保し、反射率を増
加させることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の望
ましい一実施形態をより詳細に説明する。
ましい一実施形態をより詳細に説明する。
【００１７】フォトリソグラフィ工程に使用される露光
器は半導体技術の発展に伴って最も正確な設備に発展し
ている。従ってエンボシング処理工程で、このような露
光器を利用して有機絶縁膜に照射される露光量を調節す
ると、エンボシング傾きの熱に対する依存性を最少化し
てエンボシング均一性を向上させることができる。
器は半導体技術の発展に伴って最も正確な設備に発展し
ている。従ってエンボシング処理工程で、このような露
光器を利用して有機絶縁膜に照射される露光量を調節す
ると、エンボシング傾きの熱に対する依存性を最少化し
てエンボシング均一性を向上させることができる。
【００１８】通常に、有機絶縁膜の形成方法は次のとお
りである。
りである。
【００１９】まず、画素（即ち、薄膜トランジスター）
が形成されている絶縁基板上にアクリル系樹脂のような
感光性有機絶縁膜を塗布した後、ガラス電位温度周りの
低い温度で溶媒を蒸発させるためのソフト−ベーク（ｓ
ｏｆｔ−ｂａｋｅ）工程を実施する。続いて、マスクに
紫外線（ＵＶ）を照射して有機絶縁膜を露光した後、テ
トラメチル−水酸化アンモニウム（ｔｅｔｒａｍｅｔｈ
ｙｌ−ａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ；ＴＭＡ
Ｈ）現像液を利用して有機絶縁膜を現像することによ
り、画素の一部分を露出させるコンタクトホールを形成
する。これと同時に、有機絶縁膜の表面に光散乱のため
のエンボシングを形成する。
が形成されている絶縁基板上にアクリル系樹脂のような
感光性有機絶縁膜を塗布した後、ガラス電位温度周りの
低い温度で溶媒を蒸発させるためのソフト−ベーク（ｓ
ｏｆｔ−ｂａｋｅ）工程を実施する。続いて、マスクに
紫外線（ＵＶ）を照射して有機絶縁膜を露光した後、テ
トラメチル−水酸化アンモニウム（ｔｅｔｒａｍｅｔｈ
ｙｌ−ａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ；ＴＭＡ
Ｈ）現像液を利用して有機絶縁膜を現像することによ
り、画素の一部分を露出させるコンタクトホールを形成
する。これと同時に、有機絶縁膜の表面に光散乱のため
のエンボシングを形成する。
【００２０】続けて、有機絶縁膜のリフロー（ｒｅｆｌ
ｏｗ）、ガス抜き（ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）及び溶媒除
去を目的として有機絶縁膜をハード−ベーク工程させた
後、約２００℃以上の温度で１時間以上キュアリング
（ｃｕｒｉｎｇ）を実施して有機絶縁膜を硬化及び安定
化させる。前記キュアリング段階はハード−ベーキング
効果をさらに強化させるために実施する。
ｏｗ）、ガス抜き（ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）及び溶媒除
去を目的として有機絶縁膜をハード−ベーク工程させた
後、約２００℃以上の温度で１時間以上キュアリング
（ｃｕｒｉｎｇ）を実施して有機絶縁膜を硬化及び安定
化させる。前記キュアリング段階はハード−ベーキング
効果をさらに強化させるために実施する。
【００２１】図１乃至図３は有機絶縁膜の露光量による
エンボシング形状を示した断面図として、図１から図３
に行くほど有機絶縁膜１０に照射される露光量を減少さ
せたものである。
エンボシング形状を示した断面図として、図１から図３
に行くほど有機絶縁膜１０に照射される露光量を減少さ
せたものである。
【００２２】図１乃至図３に示すように、有機絶縁膜１
０に照射される露光量を増加させると、現像後の有機絶
縁膜１０に形成されるエンボシングの傾きが大きく形成
される。これと逆に、有機絶縁膜１０に照射される露光
量を減少させると、エンボシングの傾きが低く形成され
るだけでなく、傾き分布も均一に形成される。
０に照射される露光量を増加させると、現像後の有機絶
縁膜１０に形成されるエンボシングの傾きが大きく形成
される。これと逆に、有機絶縁膜１０に照射される露光
量を減少させると、エンボシングの傾きが低く形成され
るだけでなく、傾き分布も均一に形成される。
【００２３】従来では、有機絶縁膜に照射される露光量
を増加させてエンボシングの傾きを大きく形成した後、
ファーネス又はオーブンでハード−ベーク工程及びキュ
アリング工程を各々２００℃で１時間間実施して、有機
絶縁膜のリフローを通じてエンボシングの傾きを調節し
た。この時、ファーネス又はオーブンではガラス基板別
に温度偏差が激しいために、温度不均一性によりリフロ
ー量が不均一になり、これによりエンボシングの傾き分
布が不均一になるなどの問題が発生する。
を増加させてエンボシングの傾きを大きく形成した後、
ファーネス又はオーブンでハード−ベーク工程及びキュ
アリング工程を各々２００℃で１時間間実施して、有機
絶縁膜のリフローを通じてエンボシングの傾きを調節し
た。この時、ファーネス又はオーブンではガラス基板別
に温度偏差が激しいために、温度不均一性によりリフロ
ー量が不均一になり、これによりエンボシングの傾き分
布が不均一になるなどの問題が発生する。
【００２４】一方、本発明では有機絶縁膜に照射される
露光量を従来に比べて３０〜４０％程度減少させエンボ
シングの傾きを小さく作った後、後続のハード−ベーク
工程を約１００〜１２０℃の温度で３分間実施した後、
キュアリング工程を約２３０℃の温度で１００分間実施
する。ここで、ハード−ベーキング温度を６０分間徐々
に昇温してキュアリング温度まで上昇した後、４０分間
温度を維持しキュアリングを実施する。一般に、昇温速
度が速いと有機絶縁膜のリフロー量が大きくなり、昇温
速度が遅いとリフロー量が少なくなる。有機絶縁膜のリ
フロー量が大きくなると、その表面が完全に平坦化され
エンボシングが除去されることとなる。従って、上述し
たようにハード−ベーク温度を徐々に昇温させた後、キ
ュアリングを実施することで、リフロー量を少なくして
エンボシングプロファイルを維持することができる。
露光量を従来に比べて３０〜４０％程度減少させエンボ
シングの傾きを小さく作った後、後続のハード−ベーク
工程を約１００〜１２０℃の温度で３分間実施した後、
キュアリング工程を約２３０℃の温度で１００分間実施
する。ここで、ハード−ベーキング温度を６０分間徐々
に昇温してキュアリング温度まで上昇した後、４０分間
温度を維持しキュアリングを実施する。一般に、昇温速
度が速いと有機絶縁膜のリフロー量が大きくなり、昇温
速度が遅いとリフロー量が少なくなる。有機絶縁膜のリ
フロー量が大きくなると、その表面が完全に平坦化され
エンボシングが除去されることとなる。従って、上述し
たようにハード−ベーク温度を徐々に昇温させた後、キ
ュアリングを実施することで、リフロー量を少なくして
エンボシングプロファイルを維持することができる。
【００２５】本発明では、有機絶縁膜に照射される露光
量を調節してエンボシングの傾きを決定し、後続のハー
ド−ベーク及びキュアリング段階ではリフロー量を少な
くなるようにしており、有機絶縁膜の硬化のために実施
する熱処理工程によりエンボシングの傾きを調節する従
来方法に比べて熱依存性を最少化することができるの
で、温度不均一性による有機絶縁膜のリフロー量の不均
一性により発生する不均一なエンボシングを防止でき
る。
量を調節してエンボシングの傾きを決定し、後続のハー
ド−ベーク及びキュアリング段階ではリフロー量を少な
くなるようにしており、有機絶縁膜の硬化のために実施
する熱処理工程によりエンボシングの傾きを調節する従
来方法に比べて熱依存性を最少化することができるの
で、温度不均一性による有機絶縁膜のリフロー量の不均
一性により発生する不均一なエンボシングを防止でき
る。
【００２６】ここで、参照符号１０ａ、１０ｂ及び１０
ｃは有機絶縁膜の露光された領域を示し、参照符号１２
ａ、１２ｂ及び１２ｃはエンボシング傾きを示す。
ｃは有機絶縁膜の露光された領域を示し、参照符号１２
ａ、１２ｂ及び１２ｃはエンボシング傾きを示す。
【００２７】＜実施形態１＞図４は本発明の第１実施形
態による反射型液晶表示装置の断面図である。
態による反射型液晶表示装置の断面図である。
【００２８】図４に示すように、本実施形態による液晶
表示装置は映像を表示するＬＣＤパネル３５０と映像信
号を発生する駆動集積回路（図示せず）により構成され
る。
表示装置は映像を表示するＬＣＤパネル３５０と映像信
号を発生する駆動集積回路（図示せず）により構成され
る。
【００２９】前記ＬＣＤパネル３５０は第１基板２５
０、前記第１基板２５０に対向して配置された第２基板
３００、前記第１基板２５０と第２基板３００との間に
形成された液晶層２８０、また前記第１基板２５０と液
晶層２８０との間に形成された画素電極、即ち反射電極
２２０とを含む。
０、前記第１基板２５０に対向して配置された第２基板
３００、前記第１基板２５０と第２基板３００との間に
形成された液晶層２８０、また前記第１基板２５０と液
晶層２８０との間に形成された画素電極、即ち反射電極
２２０とを含む。
【００３０】前記第１基板２５０は第１絶縁基板１００
と前記第１絶縁基板１００に形成されたスイッチング素
子の薄膜トランジスター２００を含む。薄膜トランジス
ター２００はゲート電極１０５、ゲート絶縁膜１１０、
アクティブパターン１１５、オーミックコンタクト層パ
ターン１２０、ソース電極１２５及びドレーン電極１３
０とを含む。
と前記第１絶縁基板１００に形成されたスイッチング素
子の薄膜トランジスター２００を含む。薄膜トランジス
ター２００はゲート電極１０５、ゲート絶縁膜１１０、
アクティブパターン１１５、オーミックコンタクト層パ
ターン１２０、ソース電極１２５及びドレーン電極１３
０とを含む。
【００３１】ゲート電極１０５は第１絶縁基板１００上
の第１方向に延設されるゲートライン（図示せず）から
分岐されて形成される。
の第１方向に延設されるゲートライン（図示せず）から
分岐されて形成される。
【００３２】ゲート絶縁膜１１０はゲート電極１０５が
形成された第１絶縁基板１００の全面に積層される。そ
の下部にゲート電極１０５が位置するゲート絶縁膜１１
０上には、非晶質シリコンからなるアクティブパターン
１１５とドーピングされた非晶質シリコンからなるオー
ミックコンタクト層パターン１２０が順に積層される。
ここで、前記アクティブパターン１１５は多結晶シリコ
ンで形成することもできる。また、本実施形態では下部
−ゲート（ｂｏｔｔｏｍ−ｇａｔｅ）構造の液晶表示装
置を説明しているが、上部−ゲート（ｔｏｐ−ｇａｔ
ｅ）構造の液晶表示装置にも適用することができる。
形成された第１絶縁基板１００の全面に積層される。そ
の下部にゲート電極１０５が位置するゲート絶縁膜１１
０上には、非晶質シリコンからなるアクティブパターン
１１５とドーピングされた非晶質シリコンからなるオー
ミックコンタクト層パターン１２０が順に積層される。
ここで、前記アクティブパターン１１５は多結晶シリコ
ンで形成することもできる。また、本実施形態では下部
−ゲート（ｂｏｔｔｏｍ−ｇａｔｅ）構造の液晶表示装
置を説明しているが、上部−ゲート（ｔｏｐ−ｇａｔ
ｅ）構造の液晶表示装置にも適用することができる。
【００３３】ソース電極１２５とドレーン電極１３０
は、ゲート電極１０５を中心にオーミックコンタクト層
パターン１２０及びゲート絶縁膜１１０上に形成され、
薄膜トランジスター２００を構成する。
は、ゲート電極１０５を中心にオーミックコンタクト層
パターン１２０及びゲート絶縁膜１１０上に形成され、
薄膜トランジスター２００を構成する。
【００３４】前記薄膜トランジスター２００が形成され
た第１絶縁基板１００上には、保護膜の機能を有する無
機絶縁膜（図示せず）及び有機絶縁膜２１０が順に形成
される。前記無機絶縁膜はトランジスター及びパッドの
信頼性確保及びＣＯＧボンディングの接着力向上のため
に提供されるもので、このために有機絶縁膜２１０は表
示領域にのみ形成する。前記有機絶縁膜２１０及び無機
絶縁膜を貫通して薄膜トランジスター２００のドレーン
電極１３０又は場合によってソース電極１２５の一部分
を露出させるコンタクトホール２１５が形成される。
た第１絶縁基板１００上には、保護膜の機能を有する無
機絶縁膜（図示せず）及び有機絶縁膜２１０が順に形成
される。前記無機絶縁膜はトランジスター及びパッドの
信頼性確保及びＣＯＧボンディングの接着力向上のため
に提供されるもので、このために有機絶縁膜２１０は表
示領域にのみ形成する。前記有機絶縁膜２１０及び無機
絶縁膜を貫通して薄膜トランジスター２００のドレーン
電極１３０又は場合によってソース電極１２５の一部分
を露出させるコンタクトホール２１５が形成される。
【００３５】前記有機絶縁膜２１０は光散乱のために相
対的な高低差をもって形成された複数の第１領域部
（溝）２１２と第２領域部（突出部）２１４を含むエン
ボシングパターンを有する。また、前記有機絶縁膜２１
０には薄膜トランジスター２００のドレーン電極１３０
又は場合によりソース電極１２５の一部分を露出させる
コンタクトホール２１５が形成される。
対的な高低差をもって形成された複数の第１領域部
（溝）２１２と第２領域部（突出部）２１４を含むエン
ボシングパターンを有する。また、前記有機絶縁膜２１
０には薄膜トランジスター２００のドレーン電極１３０
又は場合によりソース電極１２５の一部分を露出させる
コンタクトホール２１５が形成される。
【００３６】図５は前記有機絶縁膜２１０の表面に形成
されたエンボシングパターンの拡大図である。
されたエンボシングパターンの拡大図である。
【００３７】図５に示すように、有機絶縁膜２１０のエ
ンボシングパターンは、前記第１領域部２１２の底辺４
００に対して、前記第２領域部２１４の接線４１０が構
成する傾斜角（θ）が約５〜１５°、望ましくは８〜１
１°になるように形成される。即ち、第１絶縁基板１０
０と平行に前記第１領域部２１２を基準に底辺４００を
作った後、前記第２領域部２１４の表面プロファイルに
対して接線４１０を引くと、前記底辺４００と接線４１
０とからなる角度がエンボシングの傾斜角（θ）、即
ち、傾きになる。望ましくは、前記底辺４００と接線４
１０となすエンボシングの傾斜角（θ）の最大値が約５
〜１５°になるように形成する。前記エンボシングの傾
斜角（θ）が５〜１５°の範囲に形成されると、反射率
が最大になり、均一であり低い段差を有するエンボシン
グが形成される。これに対する詳細な説明は後述する。
ンボシングパターンは、前記第１領域部２１２の底辺４
００に対して、前記第２領域部２１４の接線４１０が構
成する傾斜角（θ）が約５〜１５°、望ましくは８〜１
１°になるように形成される。即ち、第１絶縁基板１０
０と平行に前記第１領域部２１２を基準に底辺４００を
作った後、前記第２領域部２１４の表面プロファイルに
対して接線４１０を引くと、前記底辺４００と接線４１
０とからなる角度がエンボシングの傾斜角（θ）、即
ち、傾きになる。望ましくは、前記底辺４００と接線４
１０となすエンボシングの傾斜角（θ）の最大値が約５
〜１５°になるように形成する。前記エンボシングの傾
斜角（θ）が５〜１５°の範囲に形成されると、反射率
が最大になり、均一であり低い段差を有するエンボシン
グが形成される。これに対する詳細な説明は後述する。
【００３８】前記コンタクトホール２１５及び有機絶縁
膜２１０上には画素電極として提供される反射電極２２
０が形成される。前記反射電極２２０は反射率が高いア
ルミニウム（ＡＬ）や銀（Ａｇ）で形成され、前記コン
タクトホール２１５を通じてドレーン電極１３０に接続
される。前記反射電極２２０は有機絶縁膜２１０と同様
に複数の溝からなった第１領域部２１２と複数の突出部
からなったマイクロレンズ領域である第２領域部２１４
に区分される。
膜２１０上には画素電極として提供される反射電極２２
０が形成される。前記反射電極２２０は反射率が高いア
ルミニウム（ＡＬ）や銀（Ａｇ）で形成され、前記コン
タクトホール２１５を通じてドレーン電極１３０に接続
される。前記反射電極２２０は有機絶縁膜２１０と同様
に複数の溝からなった第１領域部２１２と複数の突出部
からなったマイクロレンズ領域である第２領域部２１４
に区分される。
【００３９】前記反射電極２２０上には、第１配向膜
（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）２６０が形成
される。前記第１基板２５０に対向する第２基板３００
は第２絶縁基板３０５、光が通過しながら所定の色が発
現されるＲＧＢ画素からなるカラーフィルタ基板３１
０、透明共通電極３１５及び第２配向膜３２０を備え
る。
（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）２６０が形成
される。前記第１基板２５０に対向する第２基板３００
は第２絶縁基板３０５、光が通過しながら所定の色が発
現されるＲＧＢ画素からなるカラーフィルタ基板３１
０、透明共通電極３１５及び第２配向膜３２０を備え
る。
【００４０】前記第２絶縁基板３０５は第１絶縁基板１
００と同一の物質、例えば、ガラス又はセラミックから
なる。前記カラーフィルタ基板３１０は第２絶縁基板３
０５の下部に配置され、第２絶縁基板３０５の下部には
透明共通電極３１５及び第２配向膜３２０が順に形成さ
れる。前記第２配向膜３２０は第１基板２５０の第１配
向膜２６０と共に液晶層２８０の液晶分子を所定角度に
プリティルティングさせる機能を実施する。
００と同一の物質、例えば、ガラス又はセラミックから
なる。前記カラーフィルタ基板３１０は第２絶縁基板３
０５の下部に配置され、第２絶縁基板３０５の下部には
透明共通電極３１５及び第２配向膜３２０が順に形成さ
れる。前記第２配向膜３２０は第１基板２５０の第１配
向膜２６０と共に液晶層２８０の液晶分子を所定角度に
プリティルティングさせる機能を実施する。
【００４１】前記第１基板２５０と第２基板３００との
間には、上・下部基板間の接着のためのスペーサ形態の
シールライン２７０が配置され、第１基板２５０と第２
基板３００との間に所定の空間が形成される。このよう
な、第１基板２５０と第２基板３００間の空間には、液
晶層２８０が形成され本実施形態による液晶表示装置を
構成する。
間には、上・下部基板間の接着のためのスペーサ形態の
シールライン２７０が配置され、第１基板２５０と第２
基板３００との間に所定の空間が形成される。このよう
な、第１基板２５０と第２基板３００間の空間には、液
晶層２８０が形成され本実施形態による液晶表示装置を
構成する。
【００４２】前記薄膜トランジスター２００のゲート電
極１０５は第１方向に延設されるゲートラインに連結さ
れ、前記ソース電極１２５は前記第１方向と直交する第
２方向に延設されるデータライン（図示せず）に連結さ
れ、前記ドレーン電極１３０は画素電極である反射電極
２２０に連結される。従って、ゲートラインを通じて照
射電圧がゲート電極１０５に印加されると、前記データ
ラインに流れる信号電圧がソース電極１２５でドレーン
電極１３０にアクティブパターン１１５を通じて印加さ
れる。信号電圧がドレーン電極１３０に印加されると、
前記ドレーン電極１３０に連結された反射電極２２０と
前記第２基板３００の透明共通電極３１５間に電圧差が
発生する。そうすると、反射電極２２０と透明共通電極
３１５間に注入された液晶層２８０の分子配列が変化
し、これにより液晶層２８０の光透過率が変わって、薄
膜トランジスター２００はＬＣＤパネル３５０の画素を
動作させるスイッチング素子としての役割を有する。
極１０５は第１方向に延設されるゲートラインに連結さ
れ、前記ソース電極１２５は前記第１方向と直交する第
２方向に延設されるデータライン（図示せず）に連結さ
れ、前記ドレーン電極１３０は画素電極である反射電極
２２０に連結される。従って、ゲートラインを通じて照
射電圧がゲート電極１０５に印加されると、前記データ
ラインに流れる信号電圧がソース電極１２５でドレーン
電極１３０にアクティブパターン１１５を通じて印加さ
れる。信号電圧がドレーン電極１３０に印加されると、
前記ドレーン電極１３０に連結された反射電極２２０と
前記第２基板３００の透明共通電極３１５間に電圧差が
発生する。そうすると、反射電極２２０と透明共通電極
３１５間に注入された液晶層２８０の分子配列が変化
し、これにより液晶層２８０の光透過率が変わって、薄
膜トランジスター２００はＬＣＤパネル３５０の画素を
動作させるスイッチング素子としての役割を有する。
【００４３】図６乃至図１０は、図４に示した反射型液
晶表示装置の製造方法を示すための断面図である。
晶表示装置の製造方法を示すための断面図である。
【００４４】図６に示すように、ガラス又はセラミック
のような絶縁物質からなる第１絶縁基板１００上に第１
金属膜として、例えば、約５００Åのクロム（Ｃｒ）及
び約２５００Åのアルミニウム−ネオジム（Ａｌ−Ｎ
ｄ）を順に蒸着した後、フォトリソグラフィ工程により
前記第１金属膜をパターニングして、第１方向に延設さ
れるゲートライン（図示せず）、前記ゲートラインから
分岐されるゲート電極１０５及びゲートラインの縁端に
連結され外部から信号が印加され、ゲートラインに伝達
するゲートパッド（図示せず）を含むゲート配線を形成
する。ここで、ゲート電極１０５はその側壁がテーパプ
ロファイル（ｔａｐｅｒｅｄ ｐｒｏｆｉｌｅ）を有す
るように形成することが望ましい。
のような絶縁物質からなる第１絶縁基板１００上に第１
金属膜として、例えば、約５００Åのクロム（Ｃｒ）及
び約２５００Åのアルミニウム−ネオジム（Ａｌ−Ｎ
ｄ）を順に蒸着した後、フォトリソグラフィ工程により
前記第１金属膜をパターニングして、第１方向に延設さ
れるゲートライン（図示せず）、前記ゲートラインから
分岐されるゲート電極１０５及びゲートラインの縁端に
連結され外部から信号が印加され、ゲートラインに伝達
するゲートパッド（図示せず）を含むゲート配線を形成
する。ここで、ゲート電極１０５はその側壁がテーパプ
ロファイル（ｔａｐｅｒｅｄ ｐｒｏｆｉｌｅ）を有す
るように形成することが望ましい。
【００４５】続いて、前記ゲート配線が形成された第１
絶縁基板１００の全面にシリコン窒化物をプラズマ化学
気相蒸着（ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＥＣ
ＶＤ）方法により約４５００Åの厚さに蒸着してゲート
絶縁膜１１０を形成する。
絶縁基板１００の全面にシリコン窒化物をプラズマ化学
気相蒸着（ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＥＣ
ＶＤ）方法により約４５００Åの厚さに蒸着してゲート
絶縁膜１１０を形成する。
【００４６】前記ゲート絶縁膜１１０上にアクティブ層
として、例えば、非晶質シリコン膜をＰＥＣＶＤ方法に
より約２０００Åの厚さに蒸着し、その上にオーミック
コンタクト層として、例えば、ｎ+ドーピングされた非
晶質シリコン膜をＰＥＣＶＤ方法により約５００Åの厚
さに蒸着する。ここで、前記非晶質シリコン膜及びｎ +
ドーピングされた非晶質シリコン膜はＰＥＣＶＤ設備の
同一チャンバ内でｉｎ−ｓｉｔｕに蒸着する。続いて、
フォトリソグラフィ工程によりオーミックコンタクト層
及びアクティブ層をパターニングしてゲート電極１０５
上部分のゲート絶縁膜１１０上に、非晶質シリコン膜か
らなるアクティブパターン１１５及びｎ +ドーピングさ
れた非晶質シリコン膜からなるオーミックコンタクト層
パターン１２０を形成する。
として、例えば、非晶質シリコン膜をＰＥＣＶＤ方法に
より約２０００Åの厚さに蒸着し、その上にオーミック
コンタクト層として、例えば、ｎ+ドーピングされた非
晶質シリコン膜をＰＥＣＶＤ方法により約５００Åの厚
さに蒸着する。ここで、前記非晶質シリコン膜及びｎ +
ドーピングされた非晶質シリコン膜はＰＥＣＶＤ設備の
同一チャンバ内でｉｎ−ｓｉｔｕに蒸着する。続いて、
フォトリソグラフィ工程によりオーミックコンタクト層
及びアクティブ層をパターニングしてゲート電極１０５
上部分のゲート絶縁膜１１０上に、非晶質シリコン膜か
らなるアクティブパターン１１５及びｎ +ドーピングさ
れた非晶質シリコン膜からなるオーミックコンタクト層
パターン１２０を形成する。
【００４７】前記結果物の全面にクロム（Ｃｒ）、クロ
ム−アルミニウム（Ｃｒ−Ａｌ）又はクロム−アルミニ
ウム−クロム（Ｃｒ−Ａｌ−Ｃｒ）のような第２金属膜
をスパッタリング方法により約１５００〜４０００Åの
厚さに蒸着した後、フォトリソグラフィ工程により第２
金属膜をパターニングしてゲートラインに直交する第２
方向に延びるデータライン（図示せず）、前記データラ
インから分岐されるソース電極１２５及びドレーン電極
１３０、また、データラインの縁端に連結され画像信号
を伝達するためのデータパッド（図示せず）を含むデー
タ配線を形成する。従って、前記ゲート電極１０５、ゲ
ート絶縁膜１１０、アクティブパターン１１５、オーミ
ックコンタクト層パターン１２０、ソース電極１２５及
びドレーン電極１３０を含む薄膜トランジスター２００
が完成される。この時、前記ゲートラインとデータライ
ンとの間にはゲート絶縁膜１１０が介されゲートライン
がデータラインと接触することを防止する。
ム−アルミニウム（Ｃｒ−Ａｌ）又はクロム−アルミニ
ウム−クロム（Ｃｒ−Ａｌ−Ｃｒ）のような第２金属膜
をスパッタリング方法により約１５００〜４０００Åの
厚さに蒸着した後、フォトリソグラフィ工程により第２
金属膜をパターニングしてゲートラインに直交する第２
方向に延びるデータライン（図示せず）、前記データラ
インから分岐されるソース電極１２５及びドレーン電極
１３０、また、データラインの縁端に連結され画像信号
を伝達するためのデータパッド（図示せず）を含むデー
タ配線を形成する。従って、前記ゲート電極１０５、ゲ
ート絶縁膜１１０、アクティブパターン１１５、オーミ
ックコンタクト層パターン１２０、ソース電極１２５及
びドレーン電極１３０を含む薄膜トランジスター２００
が完成される。この時、前記ゲートラインとデータライ
ンとの間にはゲート絶縁膜１１０が介されゲートライン
がデータラインと接触することを防止する。
【００４８】続けて、前記ソース電極１２５とドレーン
電極１３０との間の露出されたオーミックコンタクト層
パターン１２０を反応性イオンエッチング（ｒｅａｃｔ
ｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ；ＲＩＥ）方法により
除去する。そうすると、前記ソース／ドレーン電極１２
５、１３０間の露出されたアクティブパターン領域が薄
膜トランジスター２００のチャンネル領域に提供され
る。
電極１３０との間の露出されたオーミックコンタクト層
パターン１２０を反応性イオンエッチング（ｒｅａｃｔ
ｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ；ＲＩＥ）方法により
除去する。そうすると、前記ソース／ドレーン電極１２
５、１３０間の露出されたアクティブパターン領域が薄
膜トランジスター２００のチャンネル領域に提供され
る。
【００４９】本実施形態ではアクティブパターン１１
５、オーミックコンタクト層パターン１２０及びデータ
配線を二枚のマスクを利用して形成するために、下部−
ゲート構造の薄膜トランジスター−液晶表示装置を製造
するのに合計五枚のマスクを使用する。しかし、本出願
人は一つのマスクを利用してアクティブパターン１１
５、オーミックコンタクト層パターン１２０及びデータ
配線を形成することにより、下部−ゲート構造の薄膜ト
ランジスター−液晶表示装置を製造するのに使用するマ
スクの数を四枚に減少させることができる方法を発明し
て、韓国特許庁に出願番号１９９８−４９７１０号に出
願した。四枚のマスクを利用する製造方法を詳細に説明
すると、次のとおりである。
５、オーミックコンタクト層パターン１２０及びデータ
配線を二枚のマスクを利用して形成するために、下部−
ゲート構造の薄膜トランジスター−液晶表示装置を製造
するのに合計五枚のマスクを使用する。しかし、本出願
人は一つのマスクを利用してアクティブパターン１１
５、オーミックコンタクト層パターン１２０及びデータ
配線を形成することにより、下部−ゲート構造の薄膜ト
ランジスター−液晶表示装置を製造するのに使用するマ
スクの数を四枚に減少させることができる方法を発明し
て、韓国特許庁に出願番号１９９８−４９７１０号に出
願した。四枚のマスクを利用する製造方法を詳細に説明
すると、次のとおりである。
【００５０】まず、ゲート絶縁膜１１０上にアクティブ
層、オーミックコンタクト層及び第２金属膜を順に蒸着
する。前記第２金属膜上にフォトレジスト膜を塗布し、
これを露光及び現像して薄膜トランジスターのチャンネ
ル部上に位置し、第１厚さを有する第１部分、データ配
線部上に位置し、前記第１厚さより厚い厚さを有する第
２部分及びフォトレジスト膜が完全に除去された第３部
分を含むフォトレジストパターン（図示せず）を形成す
る。その後に、前記第３部分下の第２金属膜、オーミッ
クコンタクト層及びアクティブ層、前記第１部分下の第
２金属膜、また、前記第２部分の一部厚さをエッチング
して前記第２金属膜からなるデータ配線、ｎ+ドーピン
グされた非晶質シリコン膜からなるオーミックコンタク
ト層パターン１２０及び非晶質シリコンからなったアク
ティブパターン１１５を同時に形成する。続いて、残留
しているフォトレジストパターンを除去すると、一つの
マスクを利用してアクティブパターン１１５、オーミッ
クコンタクト層パターン１２０及びソース／ドレーン電
極１２５、１３０を含むデータが同時に形成される。
層、オーミックコンタクト層及び第２金属膜を順に蒸着
する。前記第２金属膜上にフォトレジスト膜を塗布し、
これを露光及び現像して薄膜トランジスターのチャンネ
ル部上に位置し、第１厚さを有する第１部分、データ配
線部上に位置し、前記第１厚さより厚い厚さを有する第
２部分及びフォトレジスト膜が完全に除去された第３部
分を含むフォトレジストパターン（図示せず）を形成す
る。その後に、前記第３部分下の第２金属膜、オーミッ
クコンタクト層及びアクティブ層、前記第１部分下の第
２金属膜、また、前記第２部分の一部厚さをエッチング
して前記第２金属膜からなるデータ配線、ｎ+ドーピン
グされた非晶質シリコン膜からなるオーミックコンタク
ト層パターン１２０及び非晶質シリコンからなったアク
ティブパターン１１５を同時に形成する。続いて、残留
しているフォトレジストパターンを除去すると、一つの
マスクを利用してアクティブパターン１１５、オーミッ
クコンタクト層パターン１２０及びソース／ドレーン電
極１２５、１３０を含むデータが同時に形成される。
【００５１】上述したように薄膜トランジスター２００
が形成された第１絶縁基板１００の全面に保護膜とし
て、シリコン窒化物のような透明無機絶縁膜（図示せ
ず）を形成した後、フォトリソグラフィ工程により前記
無機絶縁膜及びゲート絶縁膜１１０をエッチングして図
７に示すように薄膜トランジスター２００のドレーン電
極１３０を露出させる第１コンタクトホールを形成す
る。続いて、前記第１コンタクトホール及び無機絶縁膜
上にアクリル系樹脂のような感光性有機絶縁膜２１０を
スピンコーティング（ｓｐｉｎ−ｃｏａｔｉｎｇ）方法
とかスリットコーティング（ｓｌｉｔ−ｃｏａｔｉｎ
ｇ）方法を通じて約３〜５μｍ厚さに塗布する。
が形成された第１絶縁基板１００の全面に保護膜とし
て、シリコン窒化物のような透明無機絶縁膜（図示せ
ず）を形成した後、フォトリソグラフィ工程により前記
無機絶縁膜及びゲート絶縁膜１１０をエッチングして図
７に示すように薄膜トランジスター２００のドレーン電
極１３０を露出させる第１コンタクトホールを形成す
る。続いて、前記第１コンタクトホール及び無機絶縁膜
上にアクリル系樹脂のような感光性有機絶縁膜２１０を
スピンコーティング（ｓｐｉｎ−ｃｏａｔｉｎｇ）方法
とかスリットコーティング（ｓｌｉｔ−ｃｏａｔｉｎ
ｇ）方法を通じて約３〜５μｍ厚さに塗布する。
【００５２】その後に、ガラス電位温度（１００〜１２
０℃）周りの温度、例えば９０℃程度の温度で約３分間
溶媒を蒸発させるためのソフト−ベーク工程を実施した
後、紫外線露光及び現像工程を通じて前記有機絶縁膜２
１０に前記第１コンタクトホールから延びて、ドレーン
電極１３０を露出させるコンタクトホール２１５及び複
数のエンボシングを形成する。
０℃）周りの温度、例えば９０℃程度の温度で約３分間
溶媒を蒸発させるためのソフト−ベーク工程を実施した
後、紫外線露光及び現像工程を通じて前記有機絶縁膜２
１０に前記第１コンタクトホールから延びて、ドレーン
電極１３０を露出させるコンタクトホール２１５及び複
数のエンボシングを形成する。
【００５３】前記有機絶縁膜２１０にコンタクトホール
２１５及びエンボシングを形成する過程を図８に基づい
て詳細に説明すると次のとおりである。
２１５及びエンボシングを形成する過程を図８に基づい
て詳細に説明すると次のとおりである。
【００５４】図７に示すように、前記有機絶縁膜２１０
にコンタクトホール２１５を形成するためにコンタクト
ホール２１５に相応する第１パターンを有する第１フォ
トマスク４５０を有機絶縁膜２１０上に位置させる。続
いて、１次完全露光工程を通じてドレーン電極１３０上
部の有機絶縁膜２１０を露光する。また、ソース電極１
２５の一部分を露出される場合には、ソース電極１２５
上部の一部の領域における有機絶縁膜２１０を露光す
る。
にコンタクトホール２１５を形成するためにコンタクト
ホール２１５に相応する第１パターンを有する第１フォ
トマスク４５０を有機絶縁膜２１０上に位置させる。続
いて、１次完全露光工程を通じてドレーン電極１３０上
部の有機絶縁膜２１０を露光する。また、ソース電極１
２５の一部分を露出される場合には、ソース電極１２５
上部の一部の領域における有機絶縁膜２１０を露光す
る。
【００５５】続けて、有機絶縁膜２１０をエンボシング
処理するために、第１領域部（溝）又は第２領域部（突
出部）に相応する第２パターンを有するマイクロレンズ
形成用第２フォトマスク５００を有機絶縁膜２１０上に
位置させる。前記第２フォトマスク５００を利用したレ
ンズ露光工程を通じて望ましくは２００ｍｓ周りの露光
量にコンタクトホール２１５を除外した部分の有機絶縁
膜２１０を２次に露光させる。
処理するために、第１領域部（溝）又は第２領域部（突
出部）に相応する第２パターンを有するマイクロレンズ
形成用第２フォトマスク５００を有機絶縁膜２１０上に
位置させる。前記第２フォトマスク５００を利用したレ
ンズ露光工程を通じて望ましくは２００ｍｓ周りの露光
量にコンタクトホール２１５を除外した部分の有機絶縁
膜２１０を２次に露光させる。
【００５６】続いて、現像工程を実施すると、前記ドレ
ーン電極１３０の一部分を露出させるコンタクトホール
２１５及び有機絶縁膜２１０の表面に複数の第１領域部
２１２と第２領域部２１４を含むエンボシングパターン
が形成される。
ーン電極１３０の一部分を露出させるコンタクトホール
２１５及び有機絶縁膜２１０の表面に複数の第１領域部
２１２と第２領域部２１４を含むエンボシングパターン
が形成される。
【００５７】ここで、露光量を２００ｍｓ程度にする
と、エンボシングが約５〜１５°望ましくは約８〜１１
°の傾斜角に形成され、最大反射率が得られる。また、
エンボシングのくぼみ深さ、即ち、第１領域部２１２と
第２領域部２１４間の高低差が小さくなって、エンボシ
ングが均一であり低い段差に形成されるために、基板内
でエンボシングの段差偏差が少なくなって、均一のセル
ギャップを維持することができる。また、エンボシング
段差を低下しつつ、ラビング（ｒｕｂｂｉｎｇ）進行時
に配向力を均一に維持することができ、エンボシングの
くぼみが薄くなるために、エンボシングのくぼみに沿っ
て液晶が注入される現象が減少して液晶注入口の斑点発
生を防止することができる。
と、エンボシングが約５〜１５°望ましくは約８〜１１
°の傾斜角に形成され、最大反射率が得られる。また、
エンボシングのくぼみ深さ、即ち、第１領域部２１２と
第２領域部２１４間の高低差が小さくなって、エンボシ
ングが均一であり低い段差に形成されるために、基板内
でエンボシングの段差偏差が少なくなって、均一のセル
ギャップを維持することができる。また、エンボシング
段差を低下しつつ、ラビング（ｒｕｂｂｉｎｇ）進行時
に配向力を均一に維持することができ、エンボシングの
くぼみが薄くなるために、エンボシングのくぼみに沿っ
て液晶が注入される現象が減少して液晶注入口の斑点発
生を防止することができる。
【００５８】上述した現像工程が完了すると、有機絶縁
膜２１０のリフロー、ガス抜き及び溶媒除去の目的にフ
ァーネス又はオーブンで有機絶縁膜２１０を約１００〜
１２０℃の温度で３分間ハード−ベーキングする。続け
て、温度を約２３０℃まで６０分間徐々に昇温し、４０
分間約２３０℃の温度を維持し、キュアリングを実施す
ることにより有機絶縁膜２１０を硬化及び安定化させ
る。ここで、有機絶縁膜２１０の最終厚さは約２〜３μ
ｍになる。
膜２１０のリフロー、ガス抜き及び溶媒除去の目的にフ
ァーネス又はオーブンで有機絶縁膜２１０を約１００〜
１２０℃の温度で３分間ハード−ベーキングする。続け
て、温度を約２３０℃まで６０分間徐々に昇温し、４０
分間約２３０℃の温度を維持し、キュアリングを実施す
ることにより有機絶縁膜２１０を硬化及び安定化させ
る。ここで、有機絶縁膜２１０の最終厚さは約２〜３μ
ｍになる。
【００５９】図９では図示しなかったが、パッド領域の
ゲートパッド及びデータパッドを各々露出させるコンタ
クトホールを形成するために、パッド領域のゲート絶縁
膜１１０をドライエッチングする。
ゲートパッド及びデータパッドを各々露出させるコンタ
クトホールを形成するために、パッド領域のゲート絶縁
膜１１０をドライエッチングする。
【００６０】続いて、前記有機絶縁膜２１０及びコンタ
クトホール２１５上にアルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａ
ｇ）のように反射率の優れた第３金属膜を蒸着した後、
前記第３金属膜をフォトリソグラフィ工程によりパター
ニングして画素電極として提供される反射電極２２０を
形成する。前記反射電極２２０はコンタクトホール２１
５を通じて薄膜トランジスターのドレーン電極１３０と
接続される。続けて、前記反射電極２２０上にフォトレ
ジストを塗布し、ラビング処理などを通じて液晶層２８
０内の液晶分子を選択された角度にプリティルティング
させる第１配向膜２６０を形成する。
クトホール２１５上にアルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａ
ｇ）のように反射率の優れた第３金属膜を蒸着した後、
前記第３金属膜をフォトリソグラフィ工程によりパター
ニングして画素電極として提供される反射電極２２０を
形成する。前記反射電極２２０はコンタクトホール２１
５を通じて薄膜トランジスターのドレーン電極１３０と
接続される。続けて、前記反射電極２２０上にフォトレ
ジストを塗布し、ラビング処理などを通じて液晶層２８
０内の液晶分子を選択された角度にプリティルティング
させる第１配向膜２６０を形成する。
【００６１】前記反射電極２２０は有機絶縁膜２１０の
表面と同一の形状を有する。反射電極２２０は有機絶縁
膜２１０に形成された複数の溝からなった第１領域部２
１２と、複数の突出部からなったマイクロレンズ領域で
ある第２領域部２１４に区分される。
表面と同一の形状を有する。反射電極２２０は有機絶縁
膜２１０に形成された複数の溝からなった第１領域部２
１２と、複数の突出部からなったマイクロレンズ領域で
ある第２領域部２１４に区分される。
【００６２】図１０に示すように、前記第１絶縁基板１
００と同一の物質により構成された第２絶縁基板３０５
上にカラーフィルタ基板３１０、透明共通電極３１５及
び第２配向膜３２０を順に形成して第２基板３００を完
成する。続いて、第２基板３００が第１基板２５０に対
向するように配置した後に、第１基板２５０と第２基板
３００との間にスペーサ形態のシールライン２７０を挿
入して接合することにより、第１基板２５０と第２基板
３００との間に所定の空間が形成されるようにする。そ
の後に、第１基板２５０と第２基板３００との間の空間
に真空注入方法を利用して液晶物質を注入して液晶層２
８０を形成すると、本実施形態による反射型液晶表示装
置が完成する。この時、前記第２基板３００の全面に偏
光板３３０及び位相遮板３２５を形成することができ、
ここでは図示していないが、第２絶縁基板３０５とカラ
ーフィルタ基板３１０との間にブラックマトリックス
（ｂｌａｃｋ ｍａｔｒｉｘ）を配置することができ
る。
００と同一の物質により構成された第２絶縁基板３０５
上にカラーフィルタ基板３１０、透明共通電極３１５及
び第２配向膜３２０を順に形成して第２基板３００を完
成する。続いて、第２基板３００が第１基板２５０に対
向するように配置した後に、第１基板２５０と第２基板
３００との間にスペーサ形態のシールライン２７０を挿
入して接合することにより、第１基板２５０と第２基板
３００との間に所定の空間が形成されるようにする。そ
の後に、第１基板２５０と第２基板３００との間の空間
に真空注入方法を利用して液晶物質を注入して液晶層２
８０を形成すると、本実施形態による反射型液晶表示装
置が完成する。この時、前記第２基板３００の全面に偏
光板３３０及び位相遮板３２５を形成することができ、
ここでは図示していないが、第２絶縁基板３０５とカラ
ーフィルタ基板３１０との間にブラックマトリックス
（ｂｌａｃｋ ｍａｔｒｉｘ）を配置することができ
る。
【００６３】図１１は、有機絶縁膜の露光量による反射
率変化を示したグラフであり、図１２は有機絶縁膜の露
光量によるエンボシングの傾斜角変化を示したグラフで
ある。
率変化を示したグラフであり、図１２は有機絶縁膜の露
光量によるエンボシングの傾斜角変化を示したグラフで
ある。
【００６４】図１１及び図１２に示すように、有機絶縁
膜の露光量が２００ｍｓである時、エンボシングの傾斜
角が８〜１１°程度になり、この角度で２００以上の反
射率が得られる。しかし、露光量を２００ｍｓ以下に減
少させると、エンボシングの傾斜角が５°以下に形成さ
れ、反射率が減少することが分かる。
膜の露光量が２００ｍｓである時、エンボシングの傾斜
角が８〜１１°程度になり、この角度で２００以上の反
射率が得られる。しかし、露光量を２００ｍｓ以下に減
少させると、エンボシングの傾斜角が５°以下に形成さ
れ、反射率が減少することが分かる。
【００６５】図１３は、有機絶縁膜の露光量による白色
反射率及び黒色反射率変化を示すグラフであり、図１４
は有機絶縁膜の露光量によるコントラスト比（Ｃ／Ｒ）
変化を示したグラフである。図１３で、Ａは白色反射率
であり、Ｂは黒色反射率を示す。
反射率及び黒色反射率変化を示すグラフであり、図１４
は有機絶縁膜の露光量によるコントラスト比（Ｃ／Ｒ）
変化を示したグラフである。図１３で、Ａは白色反射率
であり、Ｂは黒色反射率を示す。
【００６６】図１３及び図１４に示すように、露光量が
２０００ｍｓである時、白色反射率及び黒色反射率が全
て最大になることが分かる。即ち、露光量を２０００ｍ
ｓに減少させることで、白色反射率が向上するために、
黒色反射率もともに増加するだけでなく、Ｃ／Ｒも３０
以上に高い値が得られた。
２０００ｍｓである時、白色反射率及び黒色反射率が全
て最大になることが分かる。即ち、露光量を２０００ｍ
ｓに減少させることで、白色反射率が向上するために、
黒色反射率もともに増加するだけでなく、Ｃ／Ｒも３０
以上に高い値が得られた。
【００６７】＜実施形態２＞図１５は、本発明の第２実
施形態による反射型液晶表示装置の断面図である。ここ
で、図４と同一の部材については同一の参照符号を使用
する。
施形態による反射型液晶表示装置の断面図である。ここ
で、図４と同一の部材については同一の参照符号を使用
する。
【００６８】図１５に示すように、上述した第１実施形
態と同様に第１基板２５０は第１絶縁基板１００、前記
第１絶縁基板１００上に互いに直交して形成されたゲー
トライン（図示せず）及びデータライン（図示せず）、
また、一つのゲートラインと一つのデータラインにより
限定される画素領域に形成されたスイッチング薄膜トラ
ンジスター２００を含む。薄膜トランジスター２００は
ゲート電極１０５、ゲート絶縁膜１１０、アクティブパ
ターン１１５、オーミックコンタクト層パターン１２
０、ソース電極１２５及びドレーン電極１３０とを含
む。本実施形態は下部−ゲート構造の液晶表示装置を説
明しているが、上部−ゲート構造の液晶表示装置にも適
用することができる。
態と同様に第１基板２５０は第１絶縁基板１００、前記
第１絶縁基板１００上に互いに直交して形成されたゲー
トライン（図示せず）及びデータライン（図示せず）、
また、一つのゲートラインと一つのデータラインにより
限定される画素領域に形成されたスイッチング薄膜トラ
ンジスター２００を含む。薄膜トランジスター２００は
ゲート電極１０５、ゲート絶縁膜１１０、アクティブパ
ターン１１５、オーミックコンタクト層パターン１２
０、ソース電極１２５及びドレーン電極１３０とを含
む。本実施形態は下部−ゲート構造の液晶表示装置を説
明しているが、上部−ゲート構造の液晶表示装置にも適
用することができる。
【００６９】また、前記ソース／ドレーン電極１２５、
１３０を含むデータラインと同一の金属層からなる少な
くとも一つのエンボシング調節パターン１３５が前記ゲ
ート絶縁膜１１０上に島形態に形成される。前記エンボ
シング調節パターン１３５はその上に積層される有機絶
縁膜２１０にエンボシングを形成するための露光工程時
に、露光効果を増進させる役割を有する。従って、エン
ボシング調節パターン１３５上に位置するエンボシング
は、一方は緩慢なプロファイル２１６ａに形成され、他
方は急激なプロファイル２１６ｂに形成されることによ
り、非対称断面を有する。
１３０を含むデータラインと同一の金属層からなる少な
くとも一つのエンボシング調節パターン１３５が前記ゲ
ート絶縁膜１１０上に島形態に形成される。前記エンボ
シング調節パターン１３５はその上に積層される有機絶
縁膜２１０にエンボシングを形成するための露光工程時
に、露光効果を増進させる役割を有する。従って、エン
ボシング調節パターン１３５上に位置するエンボシング
は、一方は緩慢なプロファイル２１６ａに形成され、他
方は急激なプロファイル２１６ｂに形成されることによ
り、非対称断面を有する。
【００７０】前記薄膜トランジスター２００及びエンボ
シング調節パターン１３５が形成された第１絶縁基板１
００上には、保護膜の機能を有する透明無機絶縁膜２０
５及び有機絶縁膜２１０が順に形成される。望ましく
は、前記無機絶縁膜２０５はＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ又はＳ
ｉＯｘＮｘの単一層とかＳｉＯｘとＳｉＮｘの複合層で
形成される。前記有機絶縁膜２１０及び無機絶縁膜２０
５を貫通して薄膜トランジスター２００のドレーン電極
１３０又は場合によって、ソース電極１２５の一部分を
露出させるコンタクトホール２１５が形成される。
シング調節パターン１３５が形成された第１絶縁基板１
００上には、保護膜の機能を有する透明無機絶縁膜２０
５及び有機絶縁膜２１０が順に形成される。望ましく
は、前記無機絶縁膜２０５はＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ又はＳ
ｉＯｘＮｘの単一層とかＳｉＯｘとＳｉＮｘの複合層で
形成される。前記有機絶縁膜２１０及び無機絶縁膜２０
５を貫通して薄膜トランジスター２００のドレーン電極
１３０又は場合によって、ソース電極１２５の一部分を
露出させるコンタクトホール２１５が形成される。
【００７１】前記有機絶縁膜２１０は、光散乱のために
相対的に高低差が形成された複数の第１領域部（溝）２
１２と第２領域部（突出部）２１４、２１６を含むエン
ボシングパターンを有する。ここで、前記エンボシング
調節パターン１３５上に位置する第２領域部２１６は図
１７に示したように非対称断面に形成される。
相対的に高低差が形成された複数の第１領域部（溝）２
１２と第２領域部（突出部）２１４、２１６を含むエン
ボシングパターンを有する。ここで、前記エンボシング
調節パターン１３５上に位置する第２領域部２１６は図
１７に示したように非対称断面に形成される。
【００７２】図１６及び図１７は、非対称断面を有する
第２領域部２１６の平面図及び断面図である。
第２領域部２１６の平面図及び断面図である。
【００７３】図１６及び図１７に示すように、有機絶縁
膜２１０の下部には通常にシリコン窒化物のような透明
無機絶縁膜２０５が形成されるが、有機絶縁膜２１０の
下部に光を反射させることができるパターンが形成され
る場合、その部分に対して露光効果が増進される。即
ち、有機絶縁膜２１０の下部に金属のような反射膜から
なったパターンが存在すると、透明無機絶縁膜２０５の
み形成されている場合より、露光効果が１０〜２０％程
度向上する。ここで、前記金属膜の反射度により露光量
が異なる。従って、本実施形態ではソース／ドレーン電
極１２５、１３０と同一の金属層からなったエンボシン
グ調節パターン１３５を有機絶縁膜２１０の下部に形成
することにより、前記エンボシング調節パターン１３５
上に位置する第２領域部２１６の一方傾斜角（θ１）を
反射率が最大になる角度で形成し、他方の傾斜角（θ
２）を前記傾斜角（θ１）より大きく、又は小さく形成
して反射率を最少化させる。
膜２１０の下部には通常にシリコン窒化物のような透明
無機絶縁膜２０５が形成されるが、有機絶縁膜２１０の
下部に光を反射させることができるパターンが形成され
る場合、その部分に対して露光効果が増進される。即
ち、有機絶縁膜２１０の下部に金属のような反射膜から
なったパターンが存在すると、透明無機絶縁膜２０５の
み形成されている場合より、露光効果が１０〜２０％程
度向上する。ここで、前記金属膜の反射度により露光量
が異なる。従って、本実施形態ではソース／ドレーン電
極１２５、１３０と同一の金属層からなったエンボシン
グ調節パターン１３５を有機絶縁膜２１０の下部に形成
することにより、前記エンボシング調節パターン１３５
上に位置する第２領域部２１６の一方傾斜角（θ１）を
反射率が最大になる角度で形成し、他方の傾斜角（θ
２）を前記傾斜角（θ１）より大きく、又は小さく形成
して反射率を最少化させる。
【００７４】望ましくは、前記第１領域部２１２の底辺
４００に対して前記非対称断面を有する第２領域部２１
６の接線４１０からなる一方傾斜角（θ１）は８〜１１
°の角度分布が１０％以上になり、他方の傾斜角（θ
２）は１１°以上の角度分布が１０％以上になるように
形成する。
４００に対して前記非対称断面を有する第２領域部２１
６の接線４１０からなる一方傾斜角（θ１）は８〜１１
°の角度分布が１０％以上になり、他方の傾斜角（θ
２）は１１°以上の角度分布が１０％以上になるように
形成する。
【００７５】また、前記エンボシング調節パターン１３
５は第１領域部２１２と第２領域部２１６にわたって形
成され、一方は緩慢な傾きを有し、他方は急激な傾きを
有する非対称形状の第２領域部２１６を具現する。
５は第１領域部２１２と第２領域部２１６にわたって形
成され、一方は緩慢な傾きを有し、他方は急激な傾きを
有する非対称形状の第２領域部２１６を具現する。
【００７６】一方、ソース／ドレーン電極１２５、１３
０上の第２領域部２１４は、一つのエンボシングに対し
て同一に下部金属層が位置することになるので、同一の
傾斜角を有する対称断面に形成される。ここで、ソース
／ドレーン電極１２５、１３０の境界部にエンボシン
グ、即ち第２領域部２１４の一部分のみがわたっている
場合には、その部分の傾斜角が大きくなる。
０上の第２領域部２１４は、一つのエンボシングに対し
て同一に下部金属層が位置することになるので、同一の
傾斜角を有する対称断面に形成される。ここで、ソース
／ドレーン電極１２５、１３０の境界部にエンボシン
グ、即ち第２領域部２１４の一部分のみがわたっている
場合には、その部分の傾斜角が大きくなる。
【００７７】前記コンタクトホール２１５及び有機絶縁
膜２１０上には、画素電極に提供される反射電極２２０
が形成される。前記反射電極２２０は反射率が高いアル
ミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）で形成され、前記コンタ
クトホール２１５を通じてドレーン電極１３０に接続さ
れる。前記反射電極２２０は有機絶縁膜２１０と同様に
複数の溝からなる第１領域部２１２と複数の突出部から
なるマイクロレンズ領域である第２領域部２１４、２１
６に区分される。
膜２１０上には、画素電極に提供される反射電極２２０
が形成される。前記反射電極２２０は反射率が高いアル
ミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）で形成され、前記コンタ
クトホール２１５を通じてドレーン電極１３０に接続さ
れる。前記反射電極２２０は有機絶縁膜２１０と同様に
複数の溝からなる第１領域部２１２と複数の突出部から
なるマイクロレンズ領域である第２領域部２１４、２１
６に区分される。
【００７８】前記反射電極２２０上には第１配向膜２６
０が形成される。前記第１基板２５０に対向する第２基
板３００は第２絶縁基板３０５、光が通過しながら所定
色が発現されるＲＧＢ画素からなるカラーフィルタ基板
３１０、透明共通電極３１５及び第２配向膜３２０を備
える。
０が形成される。前記第１基板２５０に対向する第２基
板３００は第２絶縁基板３０５、光が通過しながら所定
色が発現されるＲＧＢ画素からなるカラーフィルタ基板
３１０、透明共通電極３１５及び第２配向膜３２０を備
える。
【００７９】前記第１基板２５０と第２基板３００との
間には上・下部基板間の接着のためのスペーサ形態のシ
ールライン２７０が介され、第１基板２５０と第２基板
３００との間に所定の空間が形成される。このような、
第１基板２５０と第２基板３００間の空間には、液晶層
２８０が形成され、本実施形態による液晶表示装置を構
成する。
間には上・下部基板間の接着のためのスペーサ形態のシ
ールライン２７０が介され、第１基板２５０と第２基板
３００との間に所定の空間が形成される。このような、
第１基板２５０と第２基板３００間の空間には、液晶層
２８０が形成され、本実施形態による液晶表示装置を構
成する。
【００８０】図１８乃至図２０は、図１５に示した反射
型液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
型液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図であ
る。
【００８１】図１８に示すように、ガラス又はセラミッ
クのような絶縁物質からなる第１絶縁基板１００上に第
１金属膜として、例えば、約５００Åのクロム（Ｃｒ）
及び約２５００Åのアルミニウム−ネオジム（Ａｌ−Ｎ
ｄ）を順に蒸着した後、フォトリソグラフィ工程により
前記第１金属膜をパターニングして、第１方向に延設す
るゲートライン（図示せず）、前記ゲートラインから分
岐されるゲート電極１０５及びゲートラインの縁端に連
結され外部から信号が印加され、ゲートラインに伝達す
るゲートパッド（図示せず）を含むゲート配線を形成す
る。
クのような絶縁物質からなる第１絶縁基板１００上に第
１金属膜として、例えば、約５００Åのクロム（Ｃｒ）
及び約２５００Åのアルミニウム−ネオジム（Ａｌ−Ｎ
ｄ）を順に蒸着した後、フォトリソグラフィ工程により
前記第１金属膜をパターニングして、第１方向に延設す
るゲートライン（図示せず）、前記ゲートラインから分
岐されるゲート電極１０５及びゲートラインの縁端に連
結され外部から信号が印加され、ゲートラインに伝達す
るゲートパッド（図示せず）を含むゲート配線を形成す
る。
【００８２】続いて、前記ゲート配線が形成された第１
絶縁基板１００上に、約４５００Å厚さの非晶質シリコ
ン窒化物からなるゲート絶縁膜１１０、約２０００Å厚
さの非晶質シリコンからなるアクティブパターン１１５
及び約５００Åの厚さのｎ+ドーピングされた非晶質シ
リコンからなるオーミックコンタクト層パターン１２０
を手順に形成する。
絶縁基板１００上に、約４５００Å厚さの非晶質シリコ
ン窒化物からなるゲート絶縁膜１１０、約２０００Å厚
さの非晶質シリコンからなるアクティブパターン１１５
及び約５００Åの厚さのｎ+ドーピングされた非晶質シ
リコンからなるオーミックコンタクト層パターン１２０
を手順に形成する。
【００８３】前記結果物の全面にクロム（Ｃｒ）、クロ
ム−アルミニウム（Ｃｒ−Ａｌ）又はクロム−アルミニ
ウム−クロム（Ｃｒ−Ａｌ−Ｃｒ）のような第２金属膜
をスパッタリング方法により約１５００〜４０００Åの
厚さに蒸着した後、フォトリソグラフィ工程により第２
金属膜をパターニングしてゲートラインに直交する第２
方向に延設するデータライン（図示せず）、前記データ
ラインから分岐されるソース電極１２５及びドレーン電
極１３０、また、データラインの縁端に連結され画像信
号を伝達するためのデータパッド（図示せず）を含むデ
ータ配線を形成する。ここで、特定方向に対して視野角
を確保し、反射率を増加させるために第１絶縁基板１０
０上の所定領域に前記第２金属膜からなるエンボシング
調節パターン１３５を一つ以上形成する。
ム−アルミニウム（Ｃｒ−Ａｌ）又はクロム−アルミニ
ウム−クロム（Ｃｒ−Ａｌ−Ｃｒ）のような第２金属膜
をスパッタリング方法により約１５００〜４０００Åの
厚さに蒸着した後、フォトリソグラフィ工程により第２
金属膜をパターニングしてゲートラインに直交する第２
方向に延設するデータライン（図示せず）、前記データ
ラインから分岐されるソース電極１２５及びドレーン電
極１３０、また、データラインの縁端に連結され画像信
号を伝達するためのデータパッド（図示せず）を含むデ
ータ配線を形成する。ここで、特定方向に対して視野角
を確保し、反射率を増加させるために第１絶縁基板１０
０上の所定領域に前記第２金属膜からなるエンボシング
調節パターン１３５を一つ以上形成する。
【００８４】続けて、前記ソース電極１２５とドレーン
電極１３０との間の露出されたオーミックコンタクト層
パターン１２０を反応性イオンエッチング（ｒｅａｃｔ
ｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ；ＲＩＥ）方法により
除去することにより、ゲート電極１０５、ゲート絶縁膜
１１０、アクティブパターン１１５、オーミックコンタ
クト層パターン１２０、ソース電極１２５及びドレーン
電極１３０とを含む薄膜トランジスター２００が完成す
る。
電極１３０との間の露出されたオーミックコンタクト層
パターン１２０を反応性イオンエッチング（ｒｅａｃｔ
ｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ；ＲＩＥ）方法により
除去することにより、ゲート電極１０５、ゲート絶縁膜
１１０、アクティブパターン１１５、オーミックコンタ
クト層パターン１２０、ソース電極１２５及びドレーン
電極１３０とを含む薄膜トランジスター２００が完成す
る。
【００８５】図１９に示すように、薄膜トランジスター
２００が形成された第１絶縁基板１００の全面に保護膜
として、シリコン窒化物のような透明無機絶縁膜２０５
を形成した後、フォトリソグラフィ工程により前記無機
絶縁膜２０５及びゲート絶縁膜１１０をエッチングして
薄膜トランジスター２００のドレーン電極１３０を露出
させる第１コンタクトホールを形成する。続いて、前記
第１コンタクトホール及び無機絶縁膜２０５上にアクリ
ル系樹脂のような感光性有機絶縁膜２１０をスピンコー
ティング（ｓｐｉｎ−ｃｏａｔｉｎｇ）方法とかスリッ
トコーティング（ｓｌｉｔ−ｃｏａｔｉｎｇ）方法を通
じて約３〜５μｍ厚さに塗布する。
２００が形成された第１絶縁基板１００の全面に保護膜
として、シリコン窒化物のような透明無機絶縁膜２０５
を形成した後、フォトリソグラフィ工程により前記無機
絶縁膜２０５及びゲート絶縁膜１１０をエッチングして
薄膜トランジスター２００のドレーン電極１３０を露出
させる第１コンタクトホールを形成する。続いて、前記
第１コンタクトホール及び無機絶縁膜２０５上にアクリ
ル系樹脂のような感光性有機絶縁膜２１０をスピンコー
ティング（ｓｐｉｎ−ｃｏａｔｉｎｇ）方法とかスリッ
トコーティング（ｓｌｉｔ−ｃｏａｔｉｎｇ）方法を通
じて約３〜５μｍ厚さに塗布する。
【００８６】その後に、ガラス電位温度（１００〜１２
０℃）程度の温度、例えば９０℃程度の温度で約３分間
溶媒を蒸発させるためのソフト−ベーク工程を実施した
後、紫外線露光及び現像工程を通じて前記有機絶縁膜２
１０に前記第１コンタクトホールから延びてドレーン電
極１３０を露出させるコンタクトホール２１５及び複数
のエンボシングを形成する。即ち、コンタクトホール２
１５に相応するパターンを有する第１フォトマスクを利
用した第１完全露光工程によりドレーン電極１３０上部
の有機絶縁膜２１０を露光させた後、マイクロレンズパ
ターンを有する第２フォトマスクを利用したレンズ露光
工程を２０００ｍｓ程度の露光量で実施し、コンタクト
ホール２１５を除外した部分の有機絶縁膜２１０を２次
露光させる。その後に、現像工程を実施してドレーン電
極１３０の一部分を露出させるコンタクトホール２１５
及び複数の第１領域部２１２と第２領域部２１４、２１
６を含むエンボシングパターンを形成する。
０℃）程度の温度、例えば９０℃程度の温度で約３分間
溶媒を蒸発させるためのソフト−ベーク工程を実施した
後、紫外線露光及び現像工程を通じて前記有機絶縁膜２
１０に前記第１コンタクトホールから延びてドレーン電
極１３０を露出させるコンタクトホール２１５及び複数
のエンボシングを形成する。即ち、コンタクトホール２
１５に相応するパターンを有する第１フォトマスクを利
用した第１完全露光工程によりドレーン電極１３０上部
の有機絶縁膜２１０を露光させた後、マイクロレンズパ
ターンを有する第２フォトマスクを利用したレンズ露光
工程を２０００ｍｓ程度の露光量で実施し、コンタクト
ホール２１５を除外した部分の有機絶縁膜２１０を２次
露光させる。その後に、現像工程を実施してドレーン電
極１３０の一部分を露出させるコンタクトホール２１５
及び複数の第１領域部２１２と第２領域部２１４、２１
６を含むエンボシングパターンを形成する。
【００８７】前記２次露光工程時、金属膜からなったエ
ンボシング調節パターン１３５上で有機絶縁膜２１０の
露光効果が増大され、一方は緩慢なプロファイル２１６
ａを有し、他方は急激なプロファイル２１６ｂを有する
非対称形状の第２領域部２１６が形成される。このよう
に、本実施形態ではデータ配線用金属膜にエンボシング
調節パターン１３５を形成するので、特定領域のエンボ
シング角度を調節するための別途のマスクを必要としな
い。
ンボシング調節パターン１３５上で有機絶縁膜２１０の
露光効果が増大され、一方は緩慢なプロファイル２１６
ａを有し、他方は急激なプロファイル２１６ｂを有する
非対称形状の第２領域部２１６が形成される。このよう
に、本実施形態ではデータ配線用金属膜にエンボシング
調節パターン１３５を形成するので、特定領域のエンボ
シング角度を調節するための別途のマスクを必要としな
い。
【００８８】上述した現像工程が完了すると、有機絶縁
膜２１０のリフロー、ガス抜き及び溶媒除去の目的でフ
ァーネス又はオーブンにより有機絶縁膜２１０を約１０
０〜１２０℃の温度で３分間ハード−ベーキングする。
続けて、温度を約２３０℃まで６０分間徐々に昇温し、
４０分間約２３０℃の温度を維持し、キュアリングを実
施することにより有機絶縁膜２１０を硬化及び安定化さ
せる。ここで、有機絶縁膜２１０の最終厚さは約２〜３
μｍになる。
膜２１０のリフロー、ガス抜き及び溶媒除去の目的でフ
ァーネス又はオーブンにより有機絶縁膜２１０を約１０
０〜１２０℃の温度で３分間ハード−ベーキングする。
続けて、温度を約２３０℃まで６０分間徐々に昇温し、
４０分間約２３０℃の温度を維持し、キュアリングを実
施することにより有機絶縁膜２１０を硬化及び安定化さ
せる。ここで、有機絶縁膜２１０の最終厚さは約２〜３
μｍになる。
【００８９】図２０では図示しなかったが、パッド領域
のゲートパッド及びデータパッドを各々露出させるコン
タクトホールを形成するために、パッド領域のゲート絶
縁膜１１０をドライエッチングする。
のゲートパッド及びデータパッドを各々露出させるコン
タクトホールを形成するために、パッド領域のゲート絶
縁膜１１０をドライエッチングする。
【００９０】続いて、前記有機絶縁膜２１０及びコンタ
クトホール２１５上にアルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａ
ｇ）のように反射率が優れた第３金属膜を蒸着した後、
前記第３金属膜をフォトリソグラフィ工程によりパター
ニングして画素電極として提供される反射電極２２０を
形成する。前記反射電極２２０はコンタクトホール２１
５を通じて薄膜トランジスターのドレーン電極１３０と
接続される。続けて、前記反射電極２２０上にフォトレ
ジストを塗布し、ラビング処理などを通じて液晶層２８
０内の液晶分子を選択された角度にプリティルティング
させる第１配向膜２６０を形成する。
クトホール２１５上にアルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａ
ｇ）のように反射率が優れた第３金属膜を蒸着した後、
前記第３金属膜をフォトリソグラフィ工程によりパター
ニングして画素電極として提供される反射電極２２０を
形成する。前記反射電極２２０はコンタクトホール２１
５を通じて薄膜トランジスターのドレーン電極１３０と
接続される。続けて、前記反射電極２２０上にフォトレ
ジストを塗布し、ラビング処理などを通じて液晶層２８
０内の液晶分子を選択された角度にプリティルティング
させる第１配向膜２６０を形成する。
【００９１】前記反射電極２２０は有機絶縁膜２１０の
表面と同一の形状を有する。反射電極２２０は有機絶縁
膜２１０に形成された複数の溝からなる第１領域部２１
２と、複数の突出部からなるマイクロレンズ領域である
第２領域部２１４、２１６に区分される。従って、反射
電極２２０の特定部分を非対称レンズに形成することに
より、特定方向に対して反射率を増加させ、視野角を確
保することができる。
表面と同一の形状を有する。反射電極２２０は有機絶縁
膜２１０に形成された複数の溝からなる第１領域部２１
２と、複数の突出部からなるマイクロレンズ領域である
第２領域部２１４、２１６に区分される。従って、反射
電極２２０の特定部分を非対称レンズに形成することに
より、特定方向に対して反射率を増加させ、視野角を確
保することができる。
【００９２】前記第１絶縁基板１００と同一の物質によ
り構成された第２絶縁基板３０５上にカラーフィルタ基
板３１０、透明共通電極３１５及び第２配向膜３２０を
順に形成して第２基板３００を完成する。続いて、第２
基板３００が第１基板２５０に対向するように配置した
後に、第１基板２５０と第２基板３００との間にスペー
サ形態のシールライン２７０を介して接合することによ
り、第１基板２５０と第２基板３００との間に所定の空
間が形成されるようにする。その後に、第１基板２５０
と第２基板３００との間の空間には真空注入方法を利用
して液晶物質を注入して液晶層２８０を形成すると、本
実施形態による反射型液晶表示装置が完成される。
り構成された第２絶縁基板３０５上にカラーフィルタ基
板３１０、透明共通電極３１５及び第２配向膜３２０を
順に形成して第２基板３００を完成する。続いて、第２
基板３００が第１基板２５０に対向するように配置した
後に、第１基板２５０と第２基板３００との間にスペー
サ形態のシールライン２７０を介して接合することによ
り、第１基板２５０と第２基板３００との間に所定の空
間が形成されるようにする。その後に、第１基板２５０
と第２基板３００との間の空間には真空注入方法を利用
して液晶物質を注入して液晶層２８０を形成すると、本
実施形態による反射型液晶表示装置が完成される。
【００９３】＜実施形態３＞図２１は本発明の第３実施
形態による液晶表示装置のエンボシング形成方法を説明
するための断面図であって、エンボシング調節パターン
１３５の頂点（ｐｅａｋ）部分、即ち第２領域部２１４
の中心部に対応するように形成して、第２領域部２１４
内に一つ以上の溝２１７を形成することを除いては、上
述した第２実施形態と同一である。
形態による液晶表示装置のエンボシング形成方法を説明
するための断面図であって、エンボシング調節パターン
１３５の頂点（ｐｅａｋ）部分、即ち第２領域部２１４
の中心部に対応するように形成して、第２領域部２１４
内に一つ以上の溝２１７を形成することを除いては、上
述した第２実施形態と同一である。
【００９４】また、図示しなかったが、前記エンボシン
グ調節パターン１３５はエンボシングの溝、即ち第１領
域部２１２に対応するように形成して、第１領域部２１
２の深さを深く作ることができる。このように、エンボ
シング調節パターン１３５の位置を調節して露光効果を
変化させることにより、いろいろな形態のエンボシング
を具現することができる。
グ調節パターン１３５はエンボシングの溝、即ち第１領
域部２１２に対応するように形成して、第１領域部２１
２の深さを深く作ることができる。このように、エンボ
シング調節パターン１３５の位置を調節して露光効果を
変化させることにより、いろいろな形態のエンボシング
を具現することができる。
【００９５】＜実施形態４＞図２２は本発明の第４実施
形態による液晶表示装置のエンボシング形成方法を説明
するための断面図である。
形態による液晶表示装置のエンボシング形成方法を説明
するための断面図である。
【００９６】図２２に示すように、上述した第２実施形
態と同一の方法により薄膜トランジスターを製造した
後、薄膜トランジスター及び基板上に無機絶縁膜及び有
機絶縁膜２１０を順に形成する。続いて、コンタクトホ
ールパターンを有するフォトマスクを利用した完全露光
工程により薄膜トランジスターのドレーン電極上部の有
機絶縁膜２１０を露光した後、マイクロレンズパターン
を有するスリットマスク６００を利用したレンズ露光工
程にコンタクトホールを除外した部分の有機絶縁膜２１
０を２次露光する。
態と同一の方法により薄膜トランジスターを製造した
後、薄膜トランジスター及び基板上に無機絶縁膜及び有
機絶縁膜２１０を順に形成する。続いて、コンタクトホ
ールパターンを有するフォトマスクを利用した完全露光
工程により薄膜トランジスターのドレーン電極上部の有
機絶縁膜２１０を露光した後、マイクロレンズパターン
を有するスリットマスク６００を利用したレンズ露光工
程にコンタクトホールを除外した部分の有機絶縁膜２１
０を２次露光する。
【００９７】この時、前記スリットマスク６００は溝形
状の第１領域部２１２に対しては完全露光を実施し、突
出部形状の第２領域部２１６のうち、急激な傾きに形成
される部分２１６ｂは正常露光を実施し、緩慢な傾きに
形成される部分２１６ａはスリット露光を実施すること
ができるように、緩慢な傾き部分２１６ａに対応する領
域Ａ１内に一つ以上の微細マスクパターンＢが形成され
る。一方、急激な傾き部分２１６ｂに対応する領域Ａ２
内にはマスクパターンを形成しない。
状の第１領域部２１２に対しては完全露光を実施し、突
出部形状の第２領域部２１６のうち、急激な傾きに形成
される部分２１６ｂは正常露光を実施し、緩慢な傾きに
形成される部分２１６ａはスリット露光を実施すること
ができるように、緩慢な傾き部分２１６ａに対応する領
域Ａ１内に一つ以上の微細マスクパターンＢが形成され
る。一方、急激な傾き部分２１６ｂに対応する領域Ａ２
内にはマスクパターンを形成しない。
【００９８】このような構造を有するスリットマスク６
００を利用して有機絶縁膜２１０を露光した後、複数の
第１領域部及び第２領域部からなり、前記第２領域部が
非対称断面を有するエンボシングパターンを形成するこ
とができる。
００を利用して有機絶縁膜２１０を露光した後、複数の
第１領域部及び第２領域部からなり、前記第２領域部が
非対称断面を有するエンボシングパターンを形成するこ
とができる。
【００９９】＜実施形態５＞図２３及び図２４は、本発
明の第５実施形態による反射−透過型液晶表示装置の製
造方法を説明するための断面図である。
明の第５実施形態による反射−透過型液晶表示装置の製
造方法を説明するための断面図である。
【０１００】図２３に示すように、上述した第２実施形
態と同一の方法により相対的に高低差が形成された複数
の第１領域部（溝）２１２と第２領域部（突出部）２１
４、２１６を含むエンボシングパターンを有する有機絶
縁膜２１０を形成する。
態と同一の方法により相対的に高低差が形成された複数
の第１領域部（溝）２１２と第２領域部（突出部）２１
４、２１６を含むエンボシングパターンを有する有機絶
縁膜２１０を形成する。
【０１０１】具体的に、第１絶縁基板１００上にゲート
電極１０５、ゲート絶縁膜１１０、アクティブパターン
１１５、オーミックコンタクト層パターン１２０、ソー
ス電極１２５及びドレーン電極１３０を含む薄膜トラン
ジスター２００を形成する。前記ソース／ドレーン電極
１２５、１３０を形成する時、特定方向に対して視野角
を確保し、反射率を増加させるためのエンボシング調節
パターン１３５を一つ以上形成する。
電極１０５、ゲート絶縁膜１１０、アクティブパターン
１１５、オーミックコンタクト層パターン１２０、ソー
ス電極１２５及びドレーン電極１３０を含む薄膜トラン
ジスター２００を形成する。前記ソース／ドレーン電極
１２５、１３０を形成する時、特定方向に対して視野角
を確保し、反射率を増加させるためのエンボシング調節
パターン１３５を一つ以上形成する。
【０１０２】続いて、薄膜トランジスター２００及びエ
ンボシング調節パターン１３５が形成された第１絶縁基
板１００の全面に保護膜として、シリコン窒化物のよう
な透明無機絶縁膜２０５を形成した後、フォトリソグラ
フィ工程により前記無機絶縁膜２０５及びゲート絶縁膜
１１０をエッチングしてドレーン電極１３０を露出させ
る第１コンタクトホールを形成する。続いて、前記第１
コンタクトホール及び無機絶縁膜２０５上にアクリル系
樹脂のような感光性有機絶縁膜２１０をスピンコーティ
ング又はスリットコーティング方法に形成する。
ンボシング調節パターン１３５が形成された第１絶縁基
板１００の全面に保護膜として、シリコン窒化物のよう
な透明無機絶縁膜２０５を形成した後、フォトリソグラ
フィ工程により前記無機絶縁膜２０５及びゲート絶縁膜
１１０をエッチングしてドレーン電極１３０を露出させ
る第１コンタクトホールを形成する。続いて、前記第１
コンタクトホール及び無機絶縁膜２０５上にアクリル系
樹脂のような感光性有機絶縁膜２１０をスピンコーティ
ング又はスリットコーティング方法に形成する。
【０１０３】露光及び現像工程を通じて前記有機絶縁膜
２１０に前記第１コンタクトホールから延びて、ドレー
ン電極１３０を露出させるコンタクトホール２１５及び
複数のエンボシングを形成する。即ち、コンタクトホー
ル２１５に相応するパターンを有するフォトマスクを利
用した完全露光工程によりドレーン電極１３０上部の有
機絶縁膜２１０を露光した後、マイクロレンズパターン
を有するフォトマスクを利用したレンズ露光工程を２０
００ｍｓ程度の露光量で実施して、コンタクトホール２
１５を除外した部分の有機絶縁膜２１０を２次露光す
る。その後に、現像工程を実施して前記ドレーン電極１
３０の一部分を露出させるコンタクトホール２１５及び
第１領域部２１２と第２領域部２１４、２１６を含むエ
ンボシングパターンを形成する。
２１０に前記第１コンタクトホールから延びて、ドレー
ン電極１３０を露出させるコンタクトホール２１５及び
複数のエンボシングを形成する。即ち、コンタクトホー
ル２１５に相応するパターンを有するフォトマスクを利
用した完全露光工程によりドレーン電極１３０上部の有
機絶縁膜２１０を露光した後、マイクロレンズパターン
を有するフォトマスクを利用したレンズ露光工程を２０
００ｍｓ程度の露光量で実施して、コンタクトホール２
１５を除外した部分の有機絶縁膜２１０を２次露光す
る。その後に、現像工程を実施して前記ドレーン電極１
３０の一部分を露出させるコンタクトホール２１５及び
第１領域部２１２と第２領域部２１４、２１６を含むエ
ンボシングパターンを形成する。
【０１０４】前記２次露光時、金属膜からなったエンボ
シング調節パターン１３５上で、有機絶縁膜２１０の露
光効果が増大され、一方は緩慢なプロファイル２１６ａ
を有し、他方は急激なプロファイル２１６ｂを有する非
対称形状の第２領域部２１６が形成される。
シング調節パターン１３５上で、有機絶縁膜２１０の露
光効果が増大され、一方は緩慢なプロファイル２１６ａ
を有し、他方は急激なプロファイル２１６ｂを有する非
対称形状の第２領域部２１６が形成される。
【０１０５】続いて、図示しなかったが、パッド領域の
ゲートパッド及びデータパッドを各々露出させるコンタ
クトホールを形成するために、パッド領域のゲート絶縁
膜１１０をドライエッチングする。
ゲートパッド及びデータパッドを各々露出させるコンタ
クトホールを形成するために、パッド領域のゲート絶縁
膜１１０をドライエッチングする。
【０１０６】前記コンタクトホール２１５及び有機絶縁
膜２１０上にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎ−ｏｘｉｄ
ｅ）とかＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ−ｚｉｎｃ−ｏｘｉｄ
ｅ）のような透明導電膜を蒸着した後、フォトリソグラ
フィ工程により前記透明導電膜をパターニングしてコン
タクトホール２１５を通じてドレーン電極１３０と電気
的に連結される透明電極２３０を形成する。
膜２１０上にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎ−ｏｘｉｄ
ｅ）とかＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ−ｚｉｎｃ−ｏｘｉｄ
ｅ）のような透明導電膜を蒸着した後、フォトリソグラ
フィ工程により前記透明導電膜をパターニングしてコン
タクトホール２１５を通じてドレーン電極１３０と電気
的に連結される透明電極２３０を形成する。
【０１０７】図２４に示すように、前記ドレーン電極１
３０が形成された結果物の全面にアルミニウム（Ａｌ）
や銀（Ａｇ）のような反射導電膜を蒸着した後、フォト
リソグラフィ工程に前記反射導電膜をパターニングして
反射電極２２０を形成する。そうすると、前記透明電極
２３０上に反射電極２２０が残留している領域は反射板
として提供され、透明電極２３０のみ残留している領域
は透過窓（Ｔ）として提供される。
３０が形成された結果物の全面にアルミニウム（Ａｌ）
や銀（Ａｇ）のような反射導電膜を蒸着した後、フォト
リソグラフィ工程に前記反射導電膜をパターニングして
反射電極２２０を形成する。そうすると、前記透明電極
２３０上に反射電極２２０が残留している領域は反射板
として提供され、透明電極２３０のみ残留している領域
は透過窓（Ｔ）として提供される。
【０１０８】続いて、図示しなかったが、カラーフィル
タが形成された第２基板と薄膜トランジスター及び透明
電極と反射電極からなる多重膜画素電極が形成された第
１基板を接合させた後、第１基板と第２基板との間に液
晶層を形成することにより、反射−透過型液晶表示装置
を完成する。
タが形成された第２基板と薄膜トランジスター及び透明
電極と反射電極からなる多重膜画素電極が形成された第
１基板を接合させた後、第１基板と第２基板との間に液
晶層を形成することにより、反射−透過型液晶表示装置
を完成する。
【０１０９】上述した本発明の第５実施形態によると、
室内や外部光源が存在しない暗い所では、表示素子自体
の内蔵光源を利用してディスプレーする透過表示モード
に動作し、室外の高調度環境では外部の入射光を反射さ
せディスプレーする反射表示モードに動作する反射−透
過型液晶表示装置を具現することができる。また、別途
のマスクを追加せずに、非対称エンボシングを形成する
ことにより、反射表示モード時に特定方向の視野角を確
保し、反射率を増加させることができる。
室内や外部光源が存在しない暗い所では、表示素子自体
の内蔵光源を利用してディスプレーする透過表示モード
に動作し、室外の高調度環境では外部の入射光を反射さ
せディスプレーする反射表示モードに動作する反射−透
過型液晶表示装置を具現することができる。また、別途
のマスクを追加せずに、非対称エンボシングを形成する
ことにより、反射表示モード時に特定方向の視野角を確
保し、反射率を増加させることができる。
【０１１０】本実施形態では、反射−透過型液晶表示装
置の多重膜画素電極を透明電極２３０が下部層に位置す
る構造に形成したが、透明電極が上部層に位置する構造
にも本発明を適用することができる。
置の多重膜画素電極を透明電極２３０が下部層に位置す
る構造に形成したが、透明電極が上部層に位置する構造
にも本発明を適用することができる。
【０１１１】以上、本発明の実施例によって詳細に説明
したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技
術分野において通常の知識を有するものであれば本発明
の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変
更できるであろう。
したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技
術分野において通常の知識を有するものであれば本発明
の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変
更できるであろう。
【０１１２】
【発明の効果】本発明によると、エンボシング処理のた
めに有機絶縁膜に照射される露光量を調節してエンボシ
ングの傾斜角を５〜１５°、望ましくは８〜１１°にな
るように形成することにより、反射効率を極大化しエン
ボシング傾き分布を均一にすることができる。従って、
均一であり、低い段差を有するエンボシングを形成する
ことにより、後続工程の安定性及び工程マージンを確保
し、また均一のパネル特性が得られる。
めに有機絶縁膜に照射される露光量を調節してエンボシ
ングの傾斜角を５〜１５°、望ましくは８〜１１°にな
るように形成することにより、反射効率を極大化しエン
ボシング傾き分布を均一にすることができる。従って、
均一であり、低い段差を有するエンボシングを形成する
ことにより、後続工程の安定性及び工程マージンを確保
し、また均一のパネル特性が得られる。
【０１１３】本発明の一実施形態によると、有機絶縁膜
の下部に金属からなったエンボシングパターンを形成す
ることにより、エンボシング調節パターン上に位置する
エンボシングが非対称断面を有するようにする。本発明
の他の実施形態によると、スリットマスクを利用して傾
きが緩慢な部分はスリット露光し、急激な傾きを有する
部分は正常露光を実施することにより、非対称断面を有
するエンボシングを形成することができる。
の下部に金属からなったエンボシングパターンを形成す
ることにより、エンボシング調節パターン上に位置する
エンボシングが非対称断面を有するようにする。本発明
の他の実施形態によると、スリットマスクを利用して傾
きが緩慢な部分はスリット露光し、急激な傾きを有する
部分は正常露光を実施することにより、非対称断面を有
するエンボシングを形成することができる。
【０１１４】従って、別途のマスクを追加せずに非対称
エンボシングを形成して、特定方向の視野角を確保し、
反射率を増加させることができる。
エンボシングを形成して、特定方向の視野角を確保し、
反射率を増加させることができる。
【図１】有機絶縁膜の露光量によるエンボシング傾きの
変化を示した断面図である。
変化を示した断面図である。
【図２】有機絶縁膜の露光量によるエンボシング傾きの
変化を示した断面図である。
変化を示した断面図である。
【図３】有機絶縁膜の露光量によるエンボシング傾きの
変化を示した断面図である。
変化を示した断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による反射型液晶表示装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図５】図４に示したエンボシングパターンの拡大図で
ある。
ある。
【図６】図４に示した反射型液晶表示装置の製造方法を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図７】図４に示した反射型液晶表示装置の製造方法を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図８】図４に示した反射型液晶表示装置の製造方法を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図９】図４に示した反射型液晶表示装置の製造方法を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図１０】図４に示した反射型液晶表示装置の製造方法
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図１１】有機絶縁膜の露光量による反射率変化を示し
たグラフである。
たグラフである。
【図１２】有機絶縁膜の露光量によるエンボシングの傾
斜角変化を示したグラフである。
斜角変化を示したグラフである。
【図１３】有機絶縁膜の露光量による白色反射率及び黒
色反射率変化を示したグラフである。
色反射率変化を示したグラフである。
【図１４】有機絶縁膜の露光量によるＣ／Ｒ変化を示し
たグラフである。
たグラフである。
【図１５】本発明の第２実施形態による反射型液晶表示
装置の断面図である。
装置の断面図である。
【図１６】図１５に示したエンボシングパターンの平面
図である。
図である。
【図１７】図１５に示したエンボシングパターンの拡大
図である。
図である。
【図１８】図１５に示した反射型液晶表示装置の製造方
法を説明するための断面図である。
法を説明するための断面図である。
【図１９】図１５に示した反射型液晶表示装置の製造方
法を説明するための断面図である。
法を説明するための断面図である。
【図２０】図１５に示した反射型液晶表示装置の製造方
法を説明するための断面図である。
法を説明するための断面図である。
【図２１】本発明の第３実施形態による液晶表示装置の
エンボシング形成方法を説明するための断面図である。
エンボシング形成方法を説明するための断面図である。
【図２２】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の
エンボシング形成方法を説明するための断面図である。
エンボシング形成方法を説明するための断面図である。
【図２３】本発明の第５実施形態による反射−透過型液
晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２４】本発明の第５実施形態による反射−透過型液
晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
１００ 第１絶縁基板
１０５ ゲート電極
１１０ ゲート絶縁膜
１１５ アクティブパターン
１２０ オーミックコンタクト層パターン
１２５ ソース電極
１３０ ドレーン電極
２００ 薄膜トランジスター
２０５ 無機絶縁膜
２１０ 有機絶縁膜
２１２ 第１領域部
２１４、２１６ 第２領域部
２１５ コンタクトホール
２２０ 反射電極
２３０ 透明電極
２５０ 第１基板
３００ 第２基板
２８０ 液晶層
３０５ 第２絶縁基板
３１５ 透明共通電極
４００ 底辺
４１０ 接線
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１６Ｔ
Ｆターム(参考） 2H091 FA14Y FB08 FC10 FC22
FC25 GA03 GA07 GA13 KA10
LA16 LA19
2H092 GA17 GA29 HA04 HA05 JA24
JA46 JB56 KA18 MA12 MA22
NA01
5F110 AA30 BB01 CC07 DD01 DD02
EE04 EE06 EE23 EE43 FF03
FF30 GG02 GG15 GG24 GG45
HK04 HK06 HK09 HK14 HK33
HK35 HL02 HL03 HL07 HL22
HM02 NN03 NN04 NN22 NN23
NN24 NN27 NN33 NN36 NN40
NN72 QQ01 QQ09
Claims (41)
- 【請求項１】画素が形成された第1基板と、 前記第1基板に対向して形成された第２基板と、 前記第１基板と第２基板との間に形成された液晶層と、 前記第１基板上に形成され、相対的に高低差が形成され
た複数の第１領域部と第２領域部を含み、前記第１領域
部の底辺に対する前記第２領域部の接線が５〜１５°の
傾斜角をなす有機絶縁膜と、 前記有機絶縁膜上に形成され、前記有機絶縁膜と同一の
表面構造を有する反射電極と、 を備えることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】前記第２領域部の前記第１領域部の底辺に
対する接線の傾斜角の最大値が５〜１５°であることを
特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】前記第１領域部は前記第２領域部に比べて
相対的に低く形成された溝形状を有し、前記第２領域部
は相対的に高く形成された複数の突出部形状を有するこ
とを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】画素が形成された第1基板と、 前記第1基板に対向して形成された第２基板と、 前記第１基板と第２基板との間に形成された液晶層と、 前記第１基板上に形成され、相対的に高低差が形成され
た複数の第１領域部と第２領域部を含み、前記第１領域
部の底辺に対する前記第２領域部の接線が５〜１５°の
傾斜角をなす有機絶縁膜と、 前記有機絶縁膜上に形成され、前記有機絶縁膜と同一の
表面構造を有する反射電極とを備え、 前記有機絶縁膜の下部に少なくとも一つのエンボシング
調節パターンが形成され、前記エンボシング調節パター
ン上の第２領域部を非対称断面に形成することにより、
特定方向の反射率を増加させることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項５】前記第１領域部の底辺に対する前記第２領
域部の前記非対称断面の第１接線をなす一方傾斜角は８
〜１１°の角度分布が１０％以上であり、前記第１領域
部の底辺に対する前記第２領域部の前記非対称断面の第
２接線をなす傾斜角は１１°以上の角度分布が１０％以
上であることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項６】前記エンボシング調節パターンは島（ｉｓ
ｌａｎｄ）形態に形成されたことを特徴とする請求項４
に記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】前記エンボシング調節パターンは前記第１
領域部と第２領域部にわたって形成されたことを特徴と
する請求項４に記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】前記第１領域部は前記第２領域部に比べ
て、相対的に低く形成された溝形状を有し、前記第２領
域部は相対的に高く形成された複数の突出部形状を有す
ることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】前記エンボシング調節パターンは前記第１
領域部に対応して形成することにより、対応するエンボ
シング調節パターンを形成していない第１領域部より対
応するエンボシング調節パターンを形成した前記第１領
域部が深く形成されることを特徴とする請求項８に記載
の液晶表示装置。 - 【請求項１０】前記エンボシング調節パターンは前記第
２領域部に対応して形成することにより、前記第２領域
部内に少なくとも一つの溝を形成することを特徴とする
請求項８に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１１】前記第２領域部内に形成される少なくと
も一つの溝は、前記第１領域部内に形成された溝に比べ
て相対的に高く形成されることを特徴とする請求項１０
に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１２】前記エンボシング調節パターンは反射膜
からなることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項１３】前記画素はゲート電極、ゲート絶縁膜、
アクティブ層及びソース／ドレーン電極とを備えた薄膜
トランジスターを含むことを特徴とする請求項４に記載
の液晶表示装置。 - 【請求項１４】前記エンボシング調節パターンは、前記
ソース／ドレーン電極と同一の層で形成されたことを特
徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１５】画素が形成された第1基板と、 前記第1基板に対向して形成された第２基板と、 前記第１基板と第２基板との間に形成された液晶層と、 前記第１基板上に形成され、相対的に高低差が形成され
た複数の第１領域部と第２領域部を含み、前記第１領域
部の底辺に対する前記第２領域部の接線が５〜１５°の
傾斜角をなす有機絶縁膜と、 前記透明電極上に形成され、前記透明電極の一部分を露
出する透過窓を有する反射電極とを備え、 前記有機絶縁膜の下部に少なくとも一つのエンボシング
調節パターンが形成され、前記エンボシング調節パター
ン上の第２領域部を非対称断面に形成することにより、
特定方向の反射率を増加させることを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項１６】第1基板上に画素を形成する段階と、 前記第１基板上に有機絶縁膜を形成する段階と、 前記有機絶縁膜を露光及び現像して前記有機絶縁膜に光
散乱のために相対的に高低差が形成された複数の第１領
域部と第２領域部を形成して、露光量を調節して前記第
１領域部の底辺に対する前記第２領域部の接線をなす傾
斜角が５〜１５°になるように形成する段階と、 前記有機絶縁膜上に前記有機絶縁膜と同一の表面構造を
有する反射電極を形成する段階と、 前記第１基板に対向して第２基板を形成する段階と、 前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を形成する
段階とを備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項１７】前記露光量は露光時間及び／又は露光設
備の電力により調節することを特徴とする請求項１６に
記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１８】前記有機絶縁膜を現像する段階後、温度
を徐々に昇温させ、前記有機絶縁膜をキュアリングする
段階を備えることを特徴とする請求項１６に記載の液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項１９】第1基板上に画素を形成する段階と、 前記第１基板上に有機絶縁膜を形成する段階と、 前記有機絶縁膜を露光及び現像して前記有機絶縁膜に光
散乱のために相対的に高低差が形成された複数の第１領
域部と第２領域部を形成して、露光量を調節して前記第
１領域部の底辺に対する前記第２領域部の接線をなす傾
斜角が５〜１５°になるように形成する段階と、 前記有機絶縁膜上に前記有機絶縁膜と同一の表面構造を
有する反射電極を形成する段階と、 前記第１基板に対向して第２基板を形成する段階と、 前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を形成する
段階とを備え、 前記有機絶縁膜を形成する段階前に少なくとも一つのエ
ンボシング調節パターンを形成して前記エンボシング調
節パターン上の第２領域部を非対称断面に形成すること
により、特定方向の反射率を増加させることを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２０】前記エンボシング調節パターンは島形態
に形成することを特徴とする請求項１９に記載の液晶表
示装置の製造方法。 - 【請求項２１】前記エンボシング調節パターンは前記第
１領域部と第２領域部にわたって形成することを特徴と
する請求項１９に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２２】前記エンボシング調節パターンは前記第
１領域部に対応するように形成することにより、前記第
１領域部を深く形成することを特徴とする請求項１９に
記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２３】前記エンボシング調節パターンは前記第
２領域部に対応するように形成することにより、前記第
２領域部内に少なくとも一つの溝を形成することを特徴
とする請求項１９に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２４】前記エンボシング調節パターンは反射膜
に形成することを特徴とする請求項１９に記載の液晶表
示装置の製造方法。 - 【請求項２５】前記画素はゲート電極、ゲート絶縁膜、
アクティブ層及びソース／ドレーン電極とを備えた薄膜
トランジスターであることを特徴とする請求項１９に記
載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２６】前記エンボシング調節パターンは、前記
ソース／ドレーン電極と同一の層で形成されたことを特
徴とする請求項２５に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２７】第1基板上に画素を形成する段階と、 前記第１基板上に有機絶縁膜を形成する段階と、 スリットマスクを利用して前記有機絶縁膜を露光及び現
像することにより、前記有機絶縁膜に光散乱のために相
対的な高低差により複数の第１領域部と第２領域部を形
成し、前記第２領域部は非対称断面を有するように形成
する段階と、 前記有機絶縁膜上に前記有機絶縁膜と同一の表面構造を
有する反射電極を形成する段階と、 前記第１基板に対向して第２基板を形成する段階と、 前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を形成する
段階とを備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項２８】前記有機絶縁膜に複数の第１領域部及び
第２領域部を形成する段階と、 前記有機絶縁膜上にスリットマスクを位置させる段階
と、 前記第１領域部に対しては完全露光を実施し、前記第２
領域部のうちの急激な傾きに形成される部分は正常露光
を実施し、前記第２領域部のうちの緩慢な傾きに形成さ
れる部分はスリット露光を実施することにより、前記第
１領域部及び第２領域部を形成する段階とを含むことか
らなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２９】第1基板上に画素を形成する段階と、 前記第１基板上に有機絶縁膜を形成する段階と、 前記有機絶縁膜を露光及び現像して前記有機絶縁膜に光
散乱のために相対的に高低差が形成された複数の第１領
域部と第２領域部を形成して、露光量を調節して前記第
１領域部の底辺に対する前記第２領域部の接線をなす傾
斜角が５〜１５°になるように形成する段階と、 前記有機絶縁膜上に透明電極を形成する段階と、 前記透明電極上に前記透明電極の一部分を露出する透過
窓を有する反射電極を形成する段階と、 前記第１基板に対向して第２基板を形成する段階と、 前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を形成する
段階とを備え、 前記有機絶縁膜を形成する段階前に少なくとも一つのエ
ンボシング調節パターンを形成して前記エンボシング調
節パターン上の第２領域部を非対称断面に形成すること
により、特定方向の反射率を増加させることを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３０】画素が形成された絶縁基板と、 前記画素及び基板上に形成され、光散乱のために相対的
に高低差が形成された複数の第１領域部と第２領域部を
含み、前記第１領域部の底辺に対する前記第２領域部の
接線が５〜１５°の傾斜角をなす有機絶縁膜と、 前記有機絶縁膜上に前記画素と接続され形成され、前記
有機絶縁膜と同一の表面構造を有する反射手段と、 を備えることを特徴とする電子ディスプレー装置。 - 【請求項３１】画素が形成された絶縁基板と、 前記画素及び基板上に形成され、光散乱のために相対的
に高低差が形成された複数の第１領域部と第２領域部を
含み、前記第１領域部の底辺に対する前記第２領域部の
接線が５〜１５°の傾斜角をなす有機絶縁膜と、 前記有機絶縁膜上に前記画素と接続され形成され、前記
有機絶縁膜と同一の表面構造を有する反射手段とを備
え、 前記有機絶縁膜の下部に少なくとも一つのエンボシング
調節パターンを形成されて前記エンボシング調節パター
ン上の第２領域部を非対称断面に形成することにより、
特定方向の反射率を増加させることを特徴とする電子デ
ィスプレー装置。 - 【請求項３２】前記エンボシング調節パターンは島形態
に形成されたことを特徴とする請求項３１に記載の電子
ディスプレー装置。 - 【請求項３３】前記第１領域部の底辺に対する前記非対
称断面を有する第２領域部の接線をなす一方傾斜角は８
〜１１°の角度分布が１０％以上であり、他方の傾斜角
は１１°以上の角度分布が１０％以上であることを特徴
とする請求項３１に記載の電子ディスプレー装置。 - 【請求項３４】前記エンボシング調節パターンは反射膜
からなることを特徴とする請求項３１に記載の電子ディ
スプレー装置。 - 【請求項３５】絶縁基板上に画素を形成する段階と、 前記画素及び絶縁基板上に有機絶縁膜を形成する段階
と、 前記有機絶縁膜を露光及び現像して前記有機絶縁膜に光
散乱のために相対的に高低差が形成された複数の第１領
域部と第２領域部を形成し、露光量を調節して前記第１
領域部の底辺に対する前記第２領域部の接線をなす傾斜
角が５〜１５°になるように形成する段階と、 前記有機絶縁膜上に前記絶縁基板上の前記画素に接続さ
れ、前記有機絶縁膜と同一の表面構造を有する反射手段
を形成する段階と、 を備えることを特徴とする電子ディスプレー装置の製造
方法。 - 【請求項３６】前記露光量は露光時間及び／又は露光設
備の電力により調節することを特徴とする請求項３５に
記載の電子ディスプレー装置の製造方法。 - 【請求項３７】絶縁基板上に画素を形成する段階と、 前記画素及び絶縁基板上に有機絶縁膜を形成する段階
と、 前記有機絶縁膜を露光及び現像して前記有機絶縁膜に光
散乱のために相対的に高低差が形成された複数の第１領
域部と第２領域部を形成し、露光量を調節して前記第１
領域部の底辺に対する前記第２領域部の接線をなす傾斜
角が５〜１５°になるように形成する段階と、 前記有機絶縁膜上に前記有機絶縁膜と同一の表面構造を
有する反射手段を形成する段階を備え、 前記有機絶縁膜を形成する段階前に少なくとも一つのエ
ンボシング調節パターンを形成して前記エンボシング調
節パターン上の第２領域部を非対称断面に形成すること
により、特定方向の反射率を増加させることを特徴とす
る電子ディスプレー装置の製造方法。 - 【請求項３８】前記エンボシング調節パターンは島形態
に形成されることを特徴とする請求項３６に記載の電子
ディスプレー装置の製造方法。 - 【請求項３９】前記エンボシング調節パターンは反射膜
からなることを特徴とする請求項３７に記載の電子ディ
スプレー装置の製造方法。 - 【請求項４０】絶縁基板上に画素を形成する段階と、 前記画素及び絶縁基板上に有機絶縁膜を形成する段階
と、 スリットマスクを利用して前記有機絶縁膜を露光及び現
像することにより、前記有機絶縁膜に光散乱のために相
対的な高低差により複数の第１領域部と第２領域部を形
成し、前記第２領域部は非対称断面を有するように形成
する段階と、 前記有機絶縁膜上に前記有機絶縁膜と同一の表面構造を
有する反射手段とを備えることを特徴とする電子ディス
プレー装置の製造方法。 - 【請求項４１】前記有機絶縁膜の複数の第１領域部及び
第２領域部を形成する段階は、 前記有機絶縁膜上にスリットマスクを位置させる段階
と、 前記第１領域部に対して完全露光を実施し、前記第２領
域部のうちの急激な傾きに形成される部分は正常露光を
実施し、前記第２領域部のうちの緩慢な傾きに形成され
る部分はスリット露光を実施することにより、前記第１
領域部及び第２領域部を形成する段階とを含むことから
なることを特徴とする請求項４０に記載の電子ディスプ
レー装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (4)
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|---|---|---|---|
| KR20010065001 | 2001-10-22 | ||
| KR2001-065001 | 2001-10-22 | ||
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| KR2002-056565 | 2002-09-17 |
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| KR100796795B1 (ko) * | 2001-10-22 | 2008-01-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 접촉부 및 그 제조 방법과 이를 포함하는표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
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