CN100346207C - 增强反射的液晶显示器及其制造方法 - Google Patents

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CN100346207C CNB021400032A CN02140003A CN100346207C CN 100346207 C CN100346207 C CN 100346207C CN B021400032 A CNB021400032 A CN B021400032A CN 02140003 A CN02140003 A CN 02140003A CN 100346207 C CN100346207 C CN 100346207C
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Abstract

本发明提供了一种增强反射的液晶显示器及其制造方法。在该显示器中，第二基板面对其上形成有像素阵列的第一基板；第一与第二基板之间设置液晶层；第一基板上的绝缘层包括第一区和第二区，其中每个第一区与每个第二区的高度不同，第一区的底线与第二区的切线构成约5度至约15度的角；通过调节加到有机绝缘层上的曝光量形成有均匀的和低台阶部分的浮凸图形，使反射率达到最大，且浮凸图形的斜度分布均匀；通过形成具有非对称外形的浮凸图形提高了特定方向上的反射率。

Description

增强反射的液晶显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示器(“LCD”)技术，特别涉及有增强的反射率的LCD器及其制造方法。
背景技术
液晶显示器分成透射型LCD，反射型LCD和反射透射型LCD。透射型LCD用外部光源显示图像，反射型LCD用诸如背面光的内部光源显示图像。反射透射型LCD在室内或无外部光源的暗处用内建光源按透射模式显示图像。反射透射型LCD通过反射户外或设有高照明的地方的外部光源以反射模式显示图像。
反射型LCD的优点是，由于反射型LCD用外部光源，所以，它的功耗小于透射型LCD的功耗，而且，反射型LCD广泛应用在有小尺寸至中等尺寸的荧光屏的LCD显示器中。然而，反射型LCD的缺点是，它使用比透射型LCD的光量小的光量来显示图像，且不能获得高显示质量。
为了克服反射型LCD的这些缺点，已开发了增强外部光源反射效率的各种技术。这些技术主要分成：i)采用具有高反射效率的反射层的方法；ii)在上基板(例如滤光镜基板)上借助珠子形成漫射层的方法；以及iii)在下基板(例如薄膜晶体管基板)的反射电极上形成浮凸图形的方法，使得从前面入射的直射光散射，以使反射效率最大。用浮凸图形的技术对提高显示质量很重要，因为反射率与浮凸图形的凸出外形的斜度密切相关。
首先，其上形成薄膜晶体管(“TFT”)的基板涂覆有机绝缘层，以在反射电极上形成浮凸图形。用带图形的光掩模对有机绝缘层进行曝光和显影。在有机绝缘层上形成浮凸图形时，通过辐射到光敏有机绝缘层上的曝光量和随后的热处理可调整浮凸图形中浮凸外形的斜度。但是，在采用浮凸图形的方法被应用到有大尺寸荧光屏的LCD上时，会出现固化有机绝缘层时温度分布的不均匀，导致不均匀或质量差的热处理。因此，按通过例如有机绝缘层坚膜烘烤工艺(hard-baking process)和固化工艺的热处理工艺的条件来调节浮凸外形的斜度的常规方法，由于温度分布的不均匀使浮凸图形中的浮凸外形的斜度均匀性下降，因此降低了显示质量。
发明内容
本发明的第一个目的是，提供液晶显示器(“LCD”)，以用LCD板的均匀特性增加反射率。
本发明的第二个目的是，提供按入射光的方向有各向异性的反射率的LCD。
本发明的第三个目的是，提供LCD的制造方法，以通过调整辐射到有机绝缘层上的曝光量来精确调整浮凸外形的斜度。
本发明的第四个目的是，提供按入射光的方向有各向异性反射率的LCD的制造方法。
为实现本发明的第一个目的，提供一种液晶显示器，包括：其上形成有像素阵列的第一基板；面对第一基板的第二基板；在第一与第二基板之间的液晶层；第一基板上形成的绝缘层，绝缘层表面上形成的多个第一区和多个第二区，每个第二区与每个第一区的高度不同，每个第一区的底线与每个第二区的切线形成约5度至约15度的角；以及绝缘层上形成的反射电极，反射电极有与绝缘层相同的表面结构。
为实现本发明的第二个目的，提供一种液晶显示器，包括：其上形成有像素阵列的第一基板；面对第一基板的第二基板；在第一与第二基板之间的液晶层；第一基板上形成的绝缘层，绝缘层表面上形成的多个第一区和多个第二区，每个第二区与每个第一区的高度不同，每个第一区的底线与每个第二区的切线形成约5度至约15度的角；绝缘层上形成的反射电极，反射电极有与绝缘层相同的表面结构；以及绝缘层下形成的浮凸规则图形，通过面对第二区的浮凸规则图形非对称地形成第二区的外形，以在特定方向上增加反射率。
为实现本发明的第三个目的，提供一种液晶显示器的制造方法，该方法包括步骤：在第一基板上形成像素阵列；在第一基板上形成绝缘层；通过对绝缘层进行曝光和显影，在绝缘层表面上形成多个第一区和多个第二区，使每个第二区与每个第一区有不同的高度，通过调节曝光量，使每个第一区的底线与每个第二区的切线之间形成约5度至约15度的角；形成与绝缘层有相同表面结构的反射电极；形成与第一基板相对的第二基板；以及在第一基板与第二基板之间形成液晶层。
为实现本发明的第四个目的，提供一种液晶显示器的制造方法，该方法包括步骤：在第一基板上形成像素阵列；在第一基板上形成一绝缘层；通过对绝缘层曝光和显影而在绝缘层的表面上形成多个第一区和多个第二区，使得每个第二区的高度与每个第一区的高度不同，通过调节曝光量，使每个第一区的底线与每个第二区的切线之间形成约5度至约15度的角；形成与绝缘层有相同表面结构的反射电极；形成与第一基板相对的第二基板；在第一基板与第二基板之间形成液晶层；以及在形成绝缘层之前通过形成面对第二区的浮凸规则图形在第二区的表面上形成非对称的外形，以在特定方向上增加反射率。
为实现本发明的第四个目的，还提供一种液晶显示器的制造方法，该方法包括：在第一基板上形成像素阵列；在第一基板上形成一绝缘层；通过借助狭缝掩模(slit mask)对绝缘层曝光和显影，在绝缘层的表面上形成多个第一区和多个第二区，使得每个第二区的高度与每个第一区的高度不同，而且，每个第二区有非对称的外形；形成与绝缘层有相同表面结构的反射电极；形成与第一基板相对的第二基板；以及在第一基板与第二基板之间形成液晶层。
按本发明的实施例，通过调节加到有机绝缘层上的曝光量，将有机绝缘层的浮凸图形的倾角形成为约5度至约15度，优选地是8至约11度，使得反射率可最大化，且浮凸图形的倾斜分布可均匀。
按本发明的实施例，在有机绝缘层下形成金属浮凸规则图形，使浮凸规则图形上的部分浮凸图形有非对称的外形。
按本发明的另一实施例，一部分浮凸外形经狭缝曝光(slit exposure)工艺而具有平缓的斜度；且一部分浮凸外形经正常曝光(normal exposure)工艺而具有陡峭斜度，使得形成有非对称外形的浮凸图形。
因此，通过形成具有非对称外形的浮凸图形，由于各向异性反射率，因此提高了反射率和保证在特定方向中的视场。
附图说明
通过以下参见附图对优选实施例的详细描述，本发明的上述的和其它的目的和优点将变得更清楚，其中：
图1A至图1C是说明有机绝缘层的浮凸外形随辐射到有机绝缘层上的曝光量变化的剖视图；
图2是按本发明第一实施例的反射型LCD的剖视图；
图3是图2中浮凸图形的放大图；
图4A-4E是说明图2所示反射型LCD的制造方法的剖视图；
图5是显示有机绝缘层的反射率随辐射到有机绝缘层上的曝光量变化的曲线图；
图6是显示有机绝缘层的浮凸外形的斜度随辐射到有机绝缘层上的曝光量变化的曲线图；
图7是显示有机绝缘层的白色和黑色反射率随辐射到有机绝缘层上的曝光量变化的曲线图；
图8是显示有机绝缘层的对比率随辐射到有机绝缘层上的曝光量变化的曲线图；
图9是按本发明第二实施例的反射型LCD的剖视图；
图10是图9中浮凸图形的平面图；
图11是图9中浮凸图形的放大剖视图；
图12A-12C是说明图9所示反射型LCD的制造方法的剖视图；
图13是说明按本发明第三实施例的LCD中的浮凸图形形成方法的剖视图；
图14是说明按本发明第四实施例的LCD中的浮凸图形形成方法的剖视图；以及
图15A-15B是说明按本发明第五实施例的反射透射型LCD的制造方法的剖视图。
具体实施方式
用本发明的优选实施例公开了增强反射的液晶显示器及其制造方法。以下将参见附图详细描述几个示例性实施例。
随着半导体技术的发展，光刻工艺中用的曝光设备变得高度精确。因此，通过在浮凸图形的形成工艺中借助曝光设备来调节辐射到有机绝缘层上的曝光量，浮凸外形的斜度与热量相关，使得提高浮凸图形的均匀性。
通常，通过以下工序形成有机绝缘层：首先，在其上形成有每个均具有一薄膜晶体管的多个像素的绝缘基板上涂覆丙烯酸树脂构成的光敏有机绝缘层。之后，对光敏有机绝缘层进行软烘烤工艺，以在玻璃转变温度附近的低温下蒸发掉溶剂。通过将紫外(“UV”)线加到有机绝缘层用的光掩模上，对有机绝缘层曝光；并通过用四甲基氢氧化铵(tetramethyl-ammoniumhydroxide)(“TMAH”)显影剂对有机绝缘层显影，形成露出各个像素的一部分的接触孔。同时，在有机绝缘层的表面上形成用于散射光的浮凸图形。
之后，对有机绝缘层进行坚膜烘烤(hard-bake)，以完成有机绝缘层的回流、除气和溶剂去除。然后，在约200℃以上的温度下对有机绝缘层进行约1小时以上的固化，以硬化和稳定有机绝缘层。固化步骤加强了坚膜烘烤的作用。
图1A至图1C是说明有机绝缘层的浮凸外形随辐射到有机绝缘层上的曝光量变化的剖视图，其中曝光量从图1A减小至图1C。如图1A至图1C所示，当照射到有机绝缘层上的曝光量增加时，有机绝缘层10上形成的浮凸外形的斜度加大。但是，当辐射到有机绝缘层上的曝光量减小时，浮凸外形的斜度减小，并均匀形成浮凸图形中浮凸外形的斜度分布。
常规工艺中，在辐射到有机绝缘层上的曝光量增加以使浮凸外形的斜度增大之后，在窑或炉内在200℃的温度下连续进行坚膜烘烤和固化处理1小时，这引起有机绝缘层回流，由此调整浮凸外形的斜度。每个玻璃基板的温差大到足够使回流量不均匀。因此，未均匀地形成浮凸图形中浮凸外形的斜度分布。
但是，按本发明的实施例，通过把曝光量减少常规曝光量的约30-40％来减小浮凸外形的斜度，在约100至约120℃的温度下进行坚膜烘烤工艺约3分钟，之后，在约230℃的温度下进行固化处理约100分钟。坚膜烘烤工艺的温度经约60分钟缓慢升高到固化温度，保持固化温度约40分钟，以进行固化处理。通常，在坚膜烘烤温度迅速增加时，回流量增大；在坚膜烘烤温度缓慢增加时，回流量减小。在有机绝缘层的回流量增大时，有机绝缘层的表面变得平坦，所以能消除浮凸图形。因此，在坚膜烘烤温度缓慢上升后，经固化工艺，能减小有机绝缘层的回流量并保持浮凸外形。
按本发明的实施例，通过调整辐射到有机绝缘层上的曝光量来确定浮凸外形的斜度，并在坚膜烘烤和固化工艺中减小回流量，使得与通过用于固化有机绝缘层的热处理工艺来调整浮凸外形的斜度的常规方法相比，本发明可使热相关性(heat dependency)减到最小。通过由于不均匀的温度分布引起的回流量不均匀，造成浮凸外形斜度的不均匀分布。因此，按本发明，能防止浮凸外形的斜度分布不均匀。
附图标记10a、10b和10c表示有机绝缘层的暴露区，附图标记12a、12b和12c表示浮凸外形的斜度。
图2是按本发明第一实施例的反射型LCD的剖视图。参见图2，反射型LCD包括用于显示图像的LCD板350和产生图像信号的驱动集成电路(未示出)。
LCD板350包括：第一基板250，与第一基板250相对设置的第二基板300，夹在第一基板250与第二基板300之间的液晶层280，和形成在第一基板250与液晶层280之间的诸如反射电极220的像素电极。
第一基板250包括：第一绝缘基板100和在第一绝缘基板100上形成的作为开关器件的薄膜晶体管(“TFT”)200。TFT 200包括：栅极电极105，栅极绝缘膜110，有源图形115，欧姆接触层120，源极电极125和漏极电极130。栅极电极105是从第一绝缘基板100上的按第一方向延长的栅极线(未示出)分枝形成的。
在其上形成有栅极电极105的第一绝缘膜100的整个表面上形成栅极绝缘膜110。栅极绝缘膜110在栅极电极105上方的部分上依次形成非晶硅有源层115和n+非晶硅欧姆接触层120。有源图形115可用多晶硅构成。第一实施例用于具有底栅结构的LCD，但第一实施例也可用于具有顶栅结构的LCD。
欧姆接触层120和栅极绝缘膜110上形成源极电极125和漏极电极130。栅极电极105设在源极电极125与漏极电极130之间，由此制成TFT200。
在其上形成有TFT 200的第一绝缘基板100上，依次沉积作为钝化层的无机绝缘膜(未示出)和有机绝缘层210。无机绝缘膜保证TFT和焊盘的可靠性，并增强玻璃上芯片(COG)接合的接合强度。只在显示区上形成有机绝缘层210。通过无机和有机绝缘膜形成接触孔215，以露出部分漏极电极130或源极电极125。
有机绝缘层210有浮凸图形，该浮凸图形包括多个第一区212和多个第二区214，这些区形成来使得第一区212有比第二区214的高度低的凹陷形状，且第二区214有比第一区212的高度高的突起形。而且在有机绝缘层210上形成接触孔215，以露出部分漏极电极130或源极电极125。
图3是图2所示浮凸图形的放大图。参见图3，形成有机绝缘层210的浮凸图形，使得第二区214的切线410与第一区212的底侧400形成约5度至约15度，优选是约8至约11度的斜角(“θ”)。具体地说，第一区212的底线400被限定为与第一绝缘基板100平行，使得底线400与第二区214的表面外形的切线410之间的角变成了倾角(θ)，即浮凸外形的斜度(θ)。斜度(θ)为约5至约15度，反射率变成最大，且形成具有均匀且低台阶部分的浮凸图形。
在接触孔215和有机绝缘层210上形成作为像素电极的反射电极220，其中，反射电极220与有机绝缘层20的表面形状或结构一致。反射电极220用有高反射率的铝(“Al“)或银(“Ag”)构成，并经接触孔215连接到漏极电极130。反射电极220有作为多个凹槽的多个第一区212，以及作为多个突起部分的多个第二区214，有作为与带有机绝缘层210的浮凸图形的表面相关的微透镜的功能。
反射电极220上形成第一取向膜260。面对第一基板250的第二基板300包括：第二绝缘基板305，具有显示颜色的红、绿和兰(RGB)像素的滤色片310，透明的公共电极315和第二取向膜320。
用与第一绝缘基板100的材料相同的玻璃或陶瓷材料构成第二绝缘基板305。滤色片310设在第二绝缘基板305下面，滤色片31下面依次形成公共电极315和第二取向膜320。第二取向膜320与第一基板250的第一取向膜260一起预倾斜液晶层280的液晶分子。
具有间隔壁形状的密封线270位于第一基板250与第二基板300之间，于是在第一基板250与第二基板300之间形成一定的间隔。液晶层280填充到间隔中，由此制成反射型LCD。
TFT 200的栅极电极105连接到按第一方向延伸的栅极线，源极电极125连接到按与第一方向垂直的第二方向延伸的数据线(未示出)，漏极电极130连接到反射电极220。因此，在扫描电压经栅极线施加到栅极电极105时，数据线上的数据信号经有源图形115从源极电极125加到漏极电极130。在数据信号加到漏极电极130上时，连接到漏极电极130的反射电极220与第二基板300的公共电极315之间有电压差。位于像素电极220与公共电极315之间的液晶层280的分子阵列变化，液晶层的透光率变化。而且，TFT 200用作开关器件以操作LCD板350的像素。
图4A-4E是说明图2所示反射型LCD的制造方法的剖视图。参见图4A，玻璃或陶瓷的第一绝缘基板100上沉积诸如约500埃(“”)厚的铬(“Cr”)和约2500厚的铝-钕(“Al-Nd”)构成的第一金属层。之后，用光刻工艺对沉积的金属层构图，形成具有按第一方向延伸的栅极线(未示出)的栅极布线、从栅极线分枝的栅极电极105、以及栅极焊盘(未示出)。栅极焊盘连接到栅极线的一端，接收外部信号，和把收到的信号传送到栅极线。优选地，栅极电极105有锥形侧壁。
之后，用等离子体增强化学气相沉积(“PECVD”)法，在包括栅极布线的第一绝缘基板100的整个表面上沉积约4500埃厚的氮化硅膜，因此形成栅极绝缘膜110。
用PECVD法在栅极绝缘膜110上形成约2000埃厚的非晶硅膜，和在其上用PECVD法沉积约500埃厚的n+掺杂非晶硅膜。在同一PEVCD设备中原位沉积非晶硅膜和n+掺杂非晶硅膜。之后，非晶硅膜和原位沉积的n+掺杂非晶硅膜用光刻工艺构图，以在其上设有栅极电极105的栅极绝缘膜110上形成非晶硅膜的有源图形115和n+掺杂非晶硅膜构成的欧姆接触层120。
之后，用溅射法在其上形成有合成结构的第一绝缘基板100上沉积厚度约为1500埃至约4000埃的金属构成的第二金属层，诸如铬(“Cr”)，铬-铝(“Cr-Al”)或铬-铝-铬(“Cr-Al-Cr”)。之后，对第二金属层构图，形成包括按与栅极线垂直的第二方向延伸的数据线(未示出)的数据布线、从数据线分枝的源极电极125、漏极电极130、以及连接到数据线的一端并传输图像信号到数据线上的数据焊盘。因此，制成包括栅极电极105、栅极绝缘层110、有源图形115、欧姆接触层120、源极电极125和漏极电极130的薄膜晶体管200。栅极绝缘膜110设在栅极线与数据线之间，以防止栅极线与数据线接触。
用反应离子蚀刻(“RIE”)法除去欧姆接触层120在源极电极125与漏极电极130之间的部分。有源图形115在源极电极125与漏极电极130之间的部分变成TFT 200的沟道区。
按第一实施例，用5个掩模制造底栅型TFT LCD，由于要用两个掩模来形成有源图形115、欧姆接触层120和数据布线。但是，本申请人已经提交了一个专利申请(韩国知识产权局(KIPO)专利申请号1998-049710，申请日1998年11月19日)，该申请中用4个掩模制造底栅型TFT LCD，其中只用1个掩模来形成有源图形115、欧姆接触层120和数据布线。以下将详细描述用4个掩模来制造TFT LCD的方法。首先，在栅极绝缘层110上顺序沉积有源层、欧姆接触层和第二金属层。在第二金属层上涂覆光致抗蚀剂膜，并通过对光致抗蚀剂膜曝光和显影来形成光致抗蚀剂图形(未示出)。光致抗蚀剂图形包括：沉积在TFT的沟道区上并有第一厚度的第一部分；沉积在数据布线上并有比第一厚度厚的第二厚度的第二部分；以及已除去了光致抗蚀剂膜的第三部分。然后，通过蚀刻第三部分下的第二金属层、欧姆接触层、有源层、第一部分下的第二金属膜和第二图形的部分厚度，同时形成第二金属层的数据布线、n+掺杂非晶硅膜的欧姆接触层120、以及非晶硅的有源图形115。除去剩余的光致抗蚀剂图形。于是，通过用一个掩模同时形成了有源图形115、欧姆接触层120、以及具有源极电极125和漏极电极130的数据布线。
参见图4B，在其上形成TFT 200的第一绝缘基板100的整个表面上形成作为钝化层的例如由氮化硅构成的透明无机绝缘膜(未示出)。通过蚀刻无机绝缘膜和栅极绝缘层110形成第一接触孔，以部分露出漏极电极130。通过旋涂法或狭缝(Slit)涂覆法，在第一接触孔和无机绝缘膜上涂覆约3-5μm厚的例如丙烯酸树脂制成的光敏有机绝缘层210。
之后，在约100-120℃范围内的玻璃转变温度附近的温度例如90℃下进行约3分钟软烘烤，以除去溶剂。通过UV曝光工艺和显影工艺在有机绝缘层210上形成接触孔215、以及多个凹槽和突起部。
以下将详细描述在有机绝缘层210上形成接触孔215、以及多个凹槽和突起部分的工艺。参见图4C，第一光掩模450在有机绝缘层210上对准，以形成接触孔215。第一光掩模450有与接触孔215对应的图形。之后，有机绝缘层210经第一全曝光工艺，从而对有机绝缘层210在源极电极125或漏极电极130上的部分进行曝光。
之后，为了形成多个凹槽和突起部分，具有与多个凹槽和突起部分对应的图形并用于形成微透镜的第二光掩模500在有机绝缘层210上对准。之后，进行用第二掩模500的透镜曝光工艺，曝光量为2000ms，从而对除接触孔215外的有机绝缘层210进行第二次曝光。
进行显影工艺，从而形成露出部分漏极电极130的接触孔215和有机绝缘层210表面上的有多个第一区212和第二区214的浮凸图形。
在曝光工艺中用的曝光量为2000ms时，浮凸图形的斜度(θ)是约5至约15度，优选地是约8至约11度，因此达到最大的反射率。由于因第一区212与第二区214之间的高度差引起的浮凸图形的中空部分的深度小，因此浮凸图形具有均匀且低的台阶部分。因此，浮凸图形的台阶偏差变小，从而保持均匀的单元间隔。此外，由于有小的台阶部分，所以能均匀地保持取向力；且由于因浮凸图形的中空部分的小深度导致沿浮凸图形的中空部分注入的液晶减少，所以能防止液晶注入部分上的斑点。
在完成显影工艺后，有机绝缘层210在炉内或烤箱内在约100至约120℃的温度下进行坚膜烘烤约3分钟，以完成有机绝缘层210的回流、除气和溶剂去除。之后温度经60分钟缓慢升高到230℃，然后在约230℃保温40分钟。此条件下，进行固化处理，以使有机绝缘层210硬化和稳定。有机绝缘层210的最终厚度是约2至约3μm。
参见图4D，对栅极绝缘膜110进行干蚀刻工艺以形成接触孔，从而露出焊盘区中的栅极焊盘和数据焊盘。之后，在有机绝缘层210和接触孔215上沉积用具有高反射率的金属如铝(“Al”)或银(“Ag”)制成的第三金属层。通过光刻工艺对第三金属层构图，形成用作像素电极的反射电极220。反射电极220经接触孔215连接到TFT 200的漏极电极130。反射电极220上涂光致抗蚀剂，并通过打磨工艺(rubbing process)形成第一取向膜260。第一取向膜260按预定的角度预倾斜液晶层280的液晶分子。
反射电极220与有机绝缘层210的表面形状相同。反射电极220具有与有机绝缘层210的表面和浮凸图形一致的多个第一区或凹槽212、以及多个第二区或突起部分214作为微透镜。
参见图4E，在用与第一绝缘基板100相同的材料构成的第二绝缘基板305上，依次形成滤色片310、公共电极315和第二取向膜320，从而制成第二基板300。第二基板300与第一基板250相对设置。间隔壁形的密封线270位于第一基板250与第二基板300之间，于是在第一基板250与第二基板300之间形成一定的间隔。液晶层280通过真空注入法填充到间隔中，由此制成按本发明第一示例性实施例的反射型LCD。偏光片330和相差板325可附着在第二基板300的正面。尽管图中未示出，但在第二绝缘基板305与滤色片310之间设有黑色矩阵。
图5中是有机绝缘层的反射率随辐射到有机绝缘层上的曝光量变化的曲线图，总体上用附图标记500指示。图6是有机绝缘层的浮凸外形的斜度随辐射到有机绝缘层上的曝光量变化的曲线图，总体上用附图标记600指示。
参见图5和6，在辐射到有机绝缘层210上的曝光量为约2000ms时，浮凸外形形成的斜度(θ)是约8至约11度，在该斜度下获得了大于200的反射率。但是，在辐射到有机绝缘层210上的曝光量降低到小于约2000ms时，浮凸外形的斜度变成比约5度小，且反射率下降。
图7是有机绝缘层的白色和黑色反射率随辐射到有机绝缘层上的曝光量变化的曲线图，总体上用附图标记700指示。图8是有机绝缘层的对比率随辐射到有机绝缘层上的曝光量变化的曲线图，总体上用附图标记800指示。如图7所示，‘A’表示白色反射率，‘B’表示黑色反射率。
参见图7和8，在曝光量为约2000ms时，白色和黑色各自的反射率均达到最大值。随着曝光量下降到约2000ms时，由于白色反射率增强，所以黑色反射率增大，且LCD有大于约30的高对比度(“C/R”)。
图9是按本发明按第二实施例的反射型LCD的剖视图。与图2相同的元件用相同的附图标记指示。
参见图9，第一基板250包括：第一绝缘基板100、在第一绝缘基板100上形成得相互垂直的栅极线(未示出)和数据线(未示出)、以及在由栅极线和数据线限定的像素上形成的作为开关器件的薄膜晶体管(“TFT”)200。TFT 200包括：栅极电极105，栅极绝缘膜110，有源图形115，欧姆接触层120，源极电极125和漏极电极130。第二实施例用于有底栅结构的LCD，但第二实施例也能用于有顶栅结构的LCD。
在栅极绝缘膜110上形成至少一个岛形的浮凸规则图形135。用与包括源极电极125和漏极电极130的数据线相同的金属层构成浮凸规则图形135。在用于在形成在浮凸规则图形135上的有机绝缘层210上形成浮凸图形的曝光工艺过程中，浮凸规则图形135能增强曝光作用。位于浮凸规则图形135上方的一个浮凸部分有平缓的浮凸外形216a，位于浮凸规则图形135上方的另一个浮凸部分有陡峭的浮凸外形216b，因此有非对称的浮凸外形。
在其上形成有TFT 200和浮凸规则图形135的第一绝缘基板100上，依次沉积透明无机绝缘膜205和有机绝缘层210作为钝化层。优选地，无机绝缘层205形成为SiOx、SiNx或SiOxNx的单层，或SiOx和SiNx的双层。穿过无机绝缘膜205和有机绝缘层210形成接触孔215，以露出部分漏极电极130或源极电极125。
有机绝缘层210有包括多个第一区或凹槽212、以及多个第二区或突起部分214、216的浮凸图形，该图形形成来使得第一区212具有高度上低于第二区214、216的凹陷形，且第二区214、216具有在高度上高于第一区212的凸起。如图11所示，位于浮凸规则图形135上方的第二区216有非对称的外形。
图10是图9中浮凸图形的平面图，图11是图9中浮凸图形的放大剖视图。参见图10和11，例如，在有机绝缘层210下方形成氮化硅构成的透明无机绝缘层205。当在有机绝缘层210下方形成反光图形时，在用于在有机绝缘层210上形成浮凸图形的曝光工艺中，有机绝缘层210在图形上方的部分比有机绝缘层210的其它部分受到更多的影响。换句话说，与有机绝缘层210下方只存在透明无机绝缘层205时相比，在有机绝缘层210下方存在诸如金属的反射层图形时，曝光效率增强约10-20％。曝光量与图形的反射率相关。因此，按本发明第二实施例，在有机绝缘层210下方形成由与源极电极125或漏极电极130相同的金属层构成的浮凸规则图形135，使得第二区216在浮凸规则图形135上方的一部分的外形形成得具有斜度(θ1)，通过此斜度(θ1)反射率达到最大，且使得第二区216在浮凸规则图形135上方的其它部分的外形形成得具有斜度(θ2)，通过此斜度(θ2)使反射率达到最小。
优选地，多于约10％的第二区216的第一切线与第一区212的底线形成约8度至约11度的斜度，且多于约10％的第二区216的第二切线与第一区212的底线形成大于约11度的斜度。
此外，在部分第一区212和部分第二区216两者下面均形成浮凸规则图形135，使第二区216有非对称的浮凸外形。具体地说，第二区216的其下面形成有浮凸规则图形135的部分有第一斜度的浮凸外形，第二区216的其下面未形成有浮凸规则图形135的其它部分具有的浮凸外形具有小于第一斜度的第二斜度。
源极电极125或漏极电极130上的第二区214有对称的浮凸外形，因为每个第二区214形成在诸如源极电极125或漏极电极130的金属层上方。在部分第二区216位于源极电极125或漏极电极130的一端上时，该部分第二区216有带陡峭斜度的浮凸外形。
在接触孔215和有机绝缘层210上形成反射电极220。用有高反射率的材料如Al或Ag构成反射电极220，它经接触孔215连接到漏极电极130。反射电极220有与有机绝缘层210的表面和浮凸图形一致的多个第一区或凹槽212、以及多个第二区或突起部分214、216作为微透镜。
在反射电极220上形成第一取向膜260。面对第一基板250的第二基板300包括：第二绝缘基板305，有显示颜色的RGB像素的滤色片310，透明公共电极315和第二取向膜320。
间隔壁形状的密封线270位于第一基板250与第二基板300之间，从而在第一基板250与第二基板300之间形成一定的间隔。液晶层280填充到间隔中，由此制成反射型LCD。
图12A-12C是说明图9所示反射型LCD的制造方法的剖视图。
参见图12A，在由诸如玻璃或陶瓷的绝缘材料形成的第一基板100上，沉积由诸如约500埃厚的铬(“Cr”)和约2500埃厚的铝-钕(“Al-Nd”)构成的第一金属层。之后，对沉积的金属层构图，形成有按第一方向延伸的栅极线(未示出)的栅极布线、从栅极线分枝的栅极电极105、以及栅极焊盘(未示出)。栅极焊盘连接到栅极线的一端，接收外部信号，和把收到的信号传送到栅极线。
之后，在其上形成有栅极布线的第一绝缘基板100上，依次形成约4500埃厚的氮化硅构成的栅极绝缘膜110，约2000埃厚的非晶硅构成的有源图形115和约500埃厚的n+掺杂非晶硅构成的欧姆接触层120。
之后，用溅射法在其上形成有所得结构的第一绝缘基板100上沉积厚度为约1500埃至约4000埃的金属制造的第二金属层，诸如铬(“Cr”)、铬-铝(“Cr-Al”)或铬-铝-铬(“Cr-Al-Cr”)金属层。之后，对第二金属层构图，形成包括按与栅极线垂直的第二方向延伸的数据线(未示出)的数据布线、从数据线分枝的源极电极125、漏极电极130、以及连接到数据线的一端并传输图像信号到数据线上的数据盘。在第一绝缘基板100的预定区上形成第二金属层的至少一个浮凸规则图形135，以增大反射率并保证规定方向上的视场。
用反应离子蚀刻法(“RIE”)除去欧姆接触层120在源极电极125与漏极电极130之间的部分。因此形成栅极电极105，栅极绝缘膜110，有源图形115，欧姆接触层120，源极电极125和漏极电极130，由此制成TFT 200。
参见图12B，在其上形成TFT 200的第一绝缘基板100的整个表面上形成作为钝化层的诸如氮化硅构成的透明无机绝缘膜。通过蚀刻无机绝缘膜205和栅极绝缘层110形成第一接触孔，以部分露出TFT 200的漏极电极130。用旋涂法或狭缝(Slit)涂覆法在第一接触孔和无机绝缘膜205上涂覆约3-5μm厚的诸如丙烯酸树脂制成的光敏有机绝缘层210。
然后，在玻璃转变温度附近，如90℃下进行约3分钟软烘烤工艺，以除去溶剂。通过UV曝光工艺和显影工艺在有机绝缘层210上形成露出漏极电极130的接触孔215、以及多个凹槽和突起部分。通过第一全曝光工艺，用有对应接触孔215的图形的第一光掩模来对有机绝缘层210的在漏极电极130上的部分曝光。之后，进行采用带微透镜图形的第二光掩模500的透镜曝光工艺，曝光量为约2000ms，从而对除接触孔215外的有机绝缘层210进行第二次曝光。
进行显影工艺，从而形成露出部分漏极电极130的接触孔215、以及有机绝缘层210表面上的有多个第一区212和第二区214、216的浮凸图形。
在第二曝光工艺中，第二区216有非对称外形。即，有非对称外形的第二区216包括：有平缓斜度外形的第一部分216a和有陡峭斜度外形的第二部分216b。按本发明，因为用数据布线的金属层形成浮凸规则图形135，所以不需要其它掩模来调整规定区中的浮凸图形的斜度。
完成显影工艺后，有机绝缘层210在炉内或烤箱内在约100至约120℃的温度下进行坚膜烘烤工艺约3分钟，以回流有机绝缘层210、对有机绝缘层210除气、以及除去溶剂。温度经约60分钟缓慢升高到约230℃，然后温度保持在约230℃持续约40分钟。在该条件下，有机绝缘层被固化，使得有机绝缘层210变硬和稳定。有机绝缘层210的最终厚度是约2-3μm。
参见图12C，首先，对栅极绝缘膜110进行干蚀刻工艺(虽然未在图12C中示出)以形成接触孔，以露出焊盘区中的栅极焊盘和数据焊盘。之后，在有机绝缘层210和接触孔215上沉积由高反射率金属如铝(“Al”)或银(“Ag”)构成的第三金属层。用光刻工艺对第三金属层构图，形成用作像素电极的反射电极220。反射电极220经接触孔215连接到TFT 200的漏极电极130。反射电极220上涂光致抗蚀剂，并通过打磨工艺形成第一取向膜260。第一取向膜260按预定的角度预倾斜液晶层280的液晶分子。
反射电极220与有机绝缘层210的表面形状相同。反射电极220有与有机绝缘层210的表面和浮凸图形一致的多个第一区或凹槽212、以及多个第二区或突起部分214、216用作微透镜。因此，反射电极220的规定部分有非对称的透镜，从而提高了反射率并保证了规定方向上的视场。
在用与第一绝缘基板100相同的材料构成的第二绝缘基板305上，依次形成滤色片310、公共电极315和第二取向膜320，以制成第二绝缘基板300。第二基板300与第一基板250相对设置。间隔壁形的密封线270位于第一基板250与第二基板300之间，从而在第一基板250与第二基板300之间形成一定的间隔。液晶层280通过真空注入方法填充到该间隔中，由此制成按本发明第二实施例的反射型LCD。
图13是说明按本发明第三实施例的LCD的浮凸图形形成方法的剖视图。图13的第三实施例与第二实施例相同，只是浮凸规则图形135形成在第二区214的中心处的突起部分的尖端下方，以在第二区214中形成至少一个凹槽217。
此外，浮凸规则图形135可形成在第一区212的凹槽下方，以加深第一区212的深度。因此，通过调节浮凸规则图形135的布置，能形成各种形状的浮凸外形。
图14是说明按本发明第四实施例的LCD的浮凸图形形成方法的剖视图。参见图14，用与第二实施例相同的工艺制造TFT，然后在TFT和第一绝缘基板上依次形成无机绝缘层和有机绝缘层210。用具有与接触孔对应的图形的光掩模，通过全曝光工艺对TFT的漏极电极上的有机绝缘层210曝光。之后，除有机绝缘层210的对应接触孔的部分外，部分有机绝缘层210用带微透镜图形的狭缝掩模通过透镜曝光工艺曝光。
在狭缝掩模600的对应有平缓斜度的部分216a的部分(“A1”)上至少形成一个微细掩模图形(“B”)，使得凹槽形第一区212经历全曝光工艺，第二区216的具有陡峭斜度的部分216b经历正常曝光工艺，且第二区216的具有平缓斜度的部分216a经历狭缝曝光工艺。但是，在狭缝掩模600的对应具有陡峭斜度的部分216b的部分(“A2”)上不形成微细掩模图形。
有机绝缘层210用有上述结构的狭缝掩模600进行曝光和显影。因此形成浮凸图形，它有多个第一区和多个第二区，其中第二区有非对称的浮凸外形。
图15A和15B是说明按本发明第五实施例的反射透射型LCD的制造方法的剖视图。参见图15A，用与第二实施例相同的工艺在有机绝缘层210上形成浮凸图形。浮凸图形包括多个具有凹形形状的第一区或凹槽212、以及多个具有凸起形状的第二区214、216，第一区或凹槽212在高度上低于第二区或凸起部分214、216，第二区在高度上高于第一区212。
具体地说，在第一绝缘基板100上形成TFT 200，该TFT包括栅极电极105、栅极绝缘膜110、有源图形115、欧姆接触层120、源极电极125和漏极电极130。形成至少一个浮凸规则图形135，以在分别形成源极电极125和漏极电极130时，增大反射率并保证特定方向中的视场。
在其上形成有TFT 200和浮凸规则图形135的第一绝缘基板100的整个表面上，形成作为钝化层的由诸如氮化硅构成的透明无机绝缘膜205。之后，通过蚀刻无机绝缘膜205和栅极绝缘层110形成第一接触孔，以部分露出TFT的漏极电极130。通过旋涂法或狭缝(Slit)涂覆法在第一接触孔和无机绝缘膜205上形成由诸如丙烯酸树脂构成的光敏有机绝缘层210。
通过曝光和显影工艺在有机绝缘层210上形成接触孔215，其露出漏极电极130、以及多个凹槽和突起部分。用有与接触孔215对应的图形的第一光掩模来通过第一全曝光工艺对有机绝缘层120的在漏极电极130上的部分曝光。通过采用有微透镜图形的第二掩模500的透镜曝光工艺，对有机绝缘层210的除接触孔215外的部分进行二次曝光，曝光量为约2000ms。进行显影工艺，从而在有机绝缘层210的表面上形成接触孔215，其露出部分漏极电极130和有多个第一区212和第二区214、216的浮凸图形。
在第二曝光工艺中，第二区216有非对称外形。即，有非对称外形的第二区216包括：具有平缓斜度外形的第一部分216a、以及具有陡峭斜度外形的第二部分216b。尽管图15A中未示出，但是对栅极绝缘膜110进行干蚀刻工艺，以形成接触孔来露出焊盘区中的栅极焊盘和数据焊盘。
之后，在有机绝缘层210和接触孔215上沉积由诸如氧化铟锡(“ITO”)或氧化铟锌(“IZO”)制成的透明导电层。透明导电层用光刻工艺构图，形成经接触孔215电连接到漏极电极130的透明电极230。
参见图15B，在其上形成透明电极230的有机绝缘层210的所得结构上沉积由诸如Al或Ag构成的反射导电层。反射导电层通过光刻工艺构图，以形成反射电极220。透明电极230的其上保留反射电极220的部分变成反射区，而透明电极230的其上除去了反射电极220的其它部分变成透射区。
其上形成有滤色片的第二基板与其上形成有TFT以及由透明电极和反射电极构成的多层像素电极的第一基板组合。之后，在第一基板与第二基板之间设置液晶层，从而完成反射透射型LCD。
按本发明第五实施例，在室内或没有足够外部光源的暗处，反射透射型LCD按透射模式工作，以借助内建光源显示图像。在室外或有高照明的地方，反射透射型LCD按反射模式工作，以通过反射由外部光源入射的光来显示图像。而且，不用其它的掩模即可形成非对称的浮凸图形，从而增加反射率并保证规定方向上的视场。
按本发明的实施例，透明电极230设在由透明电极和反射电极构成的多层像素电极中的反射电极220下方。但是，在其它实施例中，透明电极230设在多层像素电极中的反射电极220上方。
虽然已详细描述了本发明，但是需要注意的是，在不脱离所附权利要求书所界定的本发明的精神和范围的前提下，可对本发明作各种变化、替换和变更。

Claims (40)

1.一种液晶显示器，包括：
其上形成有像素阵列的第一基板；
与第一基板面对的第二基板；
第一与第二基板之间的液晶层；
第一基板上形成的绝缘层，在绝缘层表面上形成的多个第一区和多个第二区，每个第二区相对于每个第一区具有高度差，每个第一区的底线相对于每个第二区的延伸至相邻第一区的底部的切线成约5度至约15度的角；以及
在绝缘层上形成的反射电极，反射电极有与绝缘层一致的表面结构。
2.如权利要求1的液晶显示器，其中，每个第一区具有低于每个第二区的凹槽形状，且每个第二区具有高于每个第一区的凸起形状。
3.一种液晶显示器，包括：
其上形成有像素阵列的第一基板；
与第一基板面对的第二基板；
第一与第二基板之间的液晶层；
第一基板上形成的绝缘层，绝缘层表面上形成有多个第一区和多个第二区，每个第二区相对于每个第一区具有高度差，每个第一区的底线相对于每个第二区的延伸至相邻第一区的底部的切线成约5度至约15度的角；
绝缘层上形成的反射电极，反射电极有与绝缘层一致的表面结构；以及
绝缘层下方形成的浮凸规则图形，通过面对第二区的浮凸规则图形非对称地形成第二区的外形，以增加特定方向上的反射率。
4.如权利要求3的液晶显示器，其中，多于约10％的第二区的每条第一切线相对于第一区的每条底线形成约8度至约11度的角，且多于约10％的第二区的每条第二切线相对于第一区的每条底线形成大于约11度的角。
5.如权利要求3的液晶显示器，其中，浮凸规则图形为岛形。
6.如权利要求3的液晶显示器，其中，浮凸规则图形形成在绝缘层下以面对第一区，且第二区邻近第一区。
7.如权利要求3的液晶显示器，其中，每个第一区具有低于每个第二区的凹槽形状，且每个第二区具有高于每个第一区的突起形状。
8.如权利要求7的液晶显示器，其中，在第一区下方具有浮凸规则图形的第一区的凹槽比在第一区下方没有浮凸规则图形的第一区的凹槽深。
9.如权利要求7的液晶显示器，其中，至少一个凹槽通过位于第二区下方的浮凸规则图形形成在第二区上。
10.如权利要求9的液晶显示器，其中，第二区的至少一个凹槽高于第一区的凹槽。
11.如权利要求3的液晶显示器，其中，浮凸规则图形包括反射金属层。
12.如权利要求3的液晶显示器，其中，像素阵列包括具有栅极电极、栅极绝缘层、有源层、源极电极和漏极电极的薄膜晶体管。
13.如权利要求3的液晶显示器，其中，浮凸规则图形由与源极电极和漏极电极相同的层构成。
14.一种液晶显示器，包括：
其上形成有像素阵列的第一基板；
与第一基板面对的第二基板；
第一与第二基板之间的液晶层；
第一基板上形成的绝缘层，在绝缘层表面上形成有多个第一区和多个第二区，每个第二区相对于每个第一区具有高度差，第一区的底线相对于第二区的延伸至相邻第一区的底部的切线成约5度至约15度的角；
绝缘层上形成的透明电极；
透明电极上形成的反射电极，反射电极具有一开口，经由该开口露出部分透明电极；以及
绝缘层下方形成的浮凸规则图形，通过面对第二区的浮凸规则图形非对称地形成第二区的外形，以增加特定方向上的反射率。
15.一种制造液晶显示器的方法，该方法包括：
在第一基板上形成像素阵列；
在第一基板上形成绝缘层；
通过曝光和显影绝缘层而在绝缘层表面上形成多个第一区和多个第二区，使得每个第二区相对于每个第一区具有高度差，通过调节曝光量使每个第一区的底线相对于每个第二区的延伸至相邻第一区的底部的切线形成约5度至约15度的角；
形成具有与绝缘层一致的表面结构的反射电极；
形成与第一基板面对的第二基板；以及
在第一与第二基板之间形成液晶层。
16.如权利要求15的方法，其中，通过曝光时间和供给至曝光设备的功率水平中的至少一个来调节曝光量。
17.如权利要求15的方法，还包括通过在显影绝缘层后缓慢升高温度来固化绝缘层。
18.一种制造液晶显示器的方法，该方法包括：
在第一基板上形成像素阵列；
在第一基板上形成绝缘层；
通过对绝缘层曝光和显影，在绝缘层表面上形成多个第一区和多个第二区，使得每个第二区相对于每个第一区具有高度差，通过调整曝光量而使每个第一区的底线相对于每个第二区的延伸至相邻第一区的底部的切线形成约5度至约15度的角；
形成具有与绝缘层一致的表面结构的反射电极；
形成与第一基板面对的第二基板；
在第一与第二基板之间形成液晶层；以及
通过在形成绝缘层之前形成面对第二区的浮凸规则图形而在第二区的表面上形成非对称外形，以增加特定方向上的反射率。
19.如权利要求18的方法，其中，浮凸规则图形具有岛形形状。
20.如权利要求18的方法，其中，浮凸规则图形形成在绝缘层下方，以面对第一区，且第二区邻近第一区。
21.如权利要求18的方法，其中，在第一区下有浮凸规则图形的第一区的凹槽比在第一区下没有浮凸规则图形的第一区的凹槽更深。
22.如权利要求18的方法，其中，通过设置在第二区下方的浮凸规则图形，在第二区上形成至少一个凹槽。
23.如权利要求18的方法，其中，浮凸规则图形包括反射金属层。
24.如权利要求18的方法，其中，像素阵列包括具有栅极电极、栅极绝缘层、有源层、源极电极和漏极电极的薄膜晶体管。
25.如权利要求24的方法，其中，浮凸规则图形由与源极电极和漏极电极中相同的层构成。
26.一种制造液晶显示器的方法，该方法包括：
在第一基板上形成像素阵列；
在第一基板上形成绝缘层；
通过借助狭缝掩模对绝缘层曝光和显影，在绝缘层表面上形成多个第一区和多个第二区，使得每个第二区相对于每个第一区具有高度差，且每个第二区具有非对称外形，每个第一区的底线相对于每个第二区的延伸至相邻第一区的底部的切线形成约5度至约15度的角；
形成具有与绝缘层一致的表面结构的反射电极；
形成与第一基板面对的第二基板；以及
在第一与第二基板之间形成液晶层。
27.如权利要求26的方法，其中，第一区和第二区由以下方法形成：
在绝缘层上方设置狭缝掩模；以及
通过第一区上的全曝光工艺，通过第二区的具有陡峭斜度的第一部分上的正常曝光工艺，并通过第二区的具有平缓斜度的第二部分上的狭缝曝光工艺，形成第一和第二区。
28.一种制造液晶显示器的方法，该方法包括：
在第一基板上形成像素阵列；
在第一基板上形成绝缘层；
通过对绝缘层曝光和显影，在绝缘层表面上形成多个第一区和多个第二区，使得每个第二区相对于每个第一区具有高度差，通过调整曝光量而使每个第一区的底线相对于每个第二区的延伸至相邻第一区的底部的切线形成约5度至约15度的角；
在绝缘层上形成透明电极；
在透明电极上形成反射电极，反射电极具有开口，经该开口露出部分透明电极；
形成具有与绝缘层一致的表面结构的反射电极；
形成与第一基板面对的第二基板；
在第一与第二基板之间形成液晶层；以及
通过在形成绝缘层之前形成面对第二区的浮凸规则图形在第二区的表面上形成非对称外形，以增加特定方向上的反射率。
29.一种电子显示器，包括：
基板，其上形成有像素阵列；
第一基板上和像素阵列上形成的绝缘层，在绝缘层表面上形成有多个第一区和多个第二区，每个第二区相对于每个第一区具有高度差，每个第一区的底线相对于每个第二区的延伸至相邻第一区的底部的切线形成约5度至约15度的角；以及
形成在绝缘层上与像素阵列连接的反射部件，反射部件有与绝缘层一致的表面结构。
30.一种电子显示器，包括：
基板，其上形成有多个像素阵列；
第一基板和像素阵列上形成的绝缘层，绝缘层表面上形成有多个第一区和多个第二区，每个第二区相对于每个第一区具有高度差，每个第一区的底线相对于每个第二区的延伸至相邻第一区的底部的切线形成约5度至约15度的角；
形成在绝缘层上与像素阵列相连的反射部件，反射部件具有与绝缘层一致的表面结构；以及
绝缘层下方形成的浮凸规则图形，通过面对第二区的浮凸规则图形非对称地形成有第二区的外形，以增加特定方向上的反射率。
31.如权利要求30的电子显示器，其中，浮凸规则图形具有岛形形状。
32.如权利要求30的电子显示器，其中，多于约10％的第二区的每条第一切线相对于第一区的每条底线形成约8度至约11度的角，且多于约10％的第二区的每条第二切线相对于第一区的每条底线形成大于约11度的角。
33.如权利要求30的电子显示器，其中，浮凸规则图形包括反射金属层。
34.一种制造电子显示器的方法，该方法包括：
在一基板上形成多个像素阵列；
在该基板和像素阵列上形成绝缘层；
通过对绝缘层曝光和显影，在绝缘层的表面上形成多个第一区和多个第二区，使得每个第二区相对于每个第一区具有高度差，通过调整曝光量使每个第一区的底线相对于每个第二区的延伸至相邻第一区的底部的切线形成约5度至约15度的角；
在绝缘层上形成反射部件以与像素阵列连接，该反射部件具有与绝缘层一致的表面结构。
35.如权利要求34的方法，其中，通过曝光时间和供给至曝光设备的功率中的至少一个来调节曝光量。
36.一种制造电子显示器的方法，该方法包括：
在基板上形成多个像素阵列；
在该基板和像素阵列上形成绝缘层；
通过对绝缘层曝光和显影，在绝缘层表面上形成多个第一区和多个第二区，使得每个第二区相对于每个第一区具有高度差，通过调节曝光量使每个第一区的底线相对于每个第二区的延伸至相邻第一区的底部的切线形成约5度至约15度的角；
在绝缘层上形成反射部件以与像素阵列连接，该反射部件具有与绝缘层一致的表面结构；以及
通过在形成绝缘层之前形成面对第二区的浮凸规则图形在第二区的表面上形成非对称外形，以增加特定方向上的反射率。
37.如权利要求36的方法，其中，浮凸规则图形具有岛形形状。
38.如权利要求36的方法，其中，浮凸规则图形包括反射金属层。
39.一种制造电子显示器的方法，该方法包括：
在基板上形成多个像素阵列；
在该基板和像素阵列上形成绝缘层；
通过用狭缝掩模对绝缘层曝光和显影，在绝缘层表面上形成多个第一区和多个第二区，使得每个第二区相对于每个第一区具有高度差，且每个第二区有非对称外形，每个第一区的底线相对于每个第二区的延伸至相邻第一区的底部的切线形成约5度至约15度的角；以及
在绝缘层上形成反射部件以具有与绝缘层一致的表面结构。
40.如权利要求39的方法，其中，第一区和第二区用以下方法形成：
在绝缘层上方设置狭缝掩模；以及
通过第一区上的全曝光工艺，通过第二区的具有陡峭斜度的第一部分上的正常曝光工艺，并通过第二区的具有平缓斜度的第二部分上的狭缝曝光工艺，形成第一和第二区。
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