JP2003337338A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
- G02F1/133784—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by rubbing
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示特性を向上させるための液晶表示装置及
びこれの製造方法を提供する。 【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板は第１基板上に形成さ
れたスイッチング素子と、第１電極との間に挿入される
絶縁膜及び第１電極上に形成された第１配向膜を備え
る。絶縁膜には、第１基板から第１傾斜角で傾いた一つ
以上の傾斜面を有する第１側壁及び第１側壁と向き合う
第２側壁を有する側壁部により定義されるコンタクトホ
ール１３５が形成される。第１配向膜は第１側壁から第
２側壁に向かう第１方向にラビング処理される。従っ
て、液晶表示装置の表示特性を向上させることができ
る。
びこれの製造方法を提供する。 【解決手段】 ＴＦＴアレイ基板は第１基板上に形成さ
れたスイッチング素子と、第１電極との間に挿入される
絶縁膜及び第１電極上に形成された第１配向膜を備え
る。絶縁膜には、第１基板から第１傾斜角で傾いた一つ
以上の傾斜面を有する第１側壁及び第１側壁と向き合う
第２側壁を有する側壁部により定義されるコンタクトホ
ール１３５が形成される。第１配向膜は第１側壁から第
２側壁に向かう第１方向にラビング処理される。従っ
て、液晶表示装置の表示特性を向上させることができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びそ
の製造方法に関するものであり、より詳細には、表示特
性を向上させるための液晶表示装置及びその製造方法に
関するものである。
の製造方法に関するものであり、より詳細には、表示特
性を向上させるための液晶表示装置及びその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、情報化社会において、電子ディス
プレー装置の役割はますます重要になり、各種電子ディ
スプレー装置が多様な産業分野に広範囲に使用されてい
る。
プレー装置の役割はますます重要になり、各種電子ディ
スプレー装置が多様な産業分野に広範囲に使用されてい
る。
【０００３】一般的に電子ディスプレー装置とは、各種
電子機器から出力される電気的な情報信号を人間の視覚
により認識可能である光情報信号へ変換する電子装置で
あり、人間と電子機器を連結する架橋的な役割を担当す
る装置と言える。
電子機器から出力される電気的な情報信号を人間の視覚
により認識可能である光情報信号へ変換する電子装置で
あり、人間と電子機器を連結する架橋的な役割を担当す
る装置と言える。
【０００４】最近、半導体技術の急速な進歩により各種
電子装置の低電圧化及び低電力化と共に、電子機器の小
型化及び軽量化により、多様化した情報化社会の要求に
適合する新しい機能の電子ディスプレー装置が続けて開
発されている。このような、フラットパネルディスプレ
ー装置のうち、液晶表示装置は他のディスプレー装置に
比べて薄くて軽く、消費電力及び駆動電圧が低いので、
広く使用されている。
電子装置の低電圧化及び低電力化と共に、電子機器の小
型化及び軽量化により、多様化した情報化社会の要求に
適合する新しい機能の電子ディスプレー装置が続けて開
発されている。このような、フラットパネルディスプレ
ー装置のうち、液晶表示装置は他のディスプレー装置に
比べて薄くて軽く、消費電力及び駆動電圧が低いので、
広く使用されている。
【０００５】図１は一般的な液晶表示装置の断面図であ
り、図２は図１に示したＴＦＴ基板に配向膜を形成する
工程を示す断面図である。
り、図２は図１に示したＴＦＴ基板に配向膜を形成する
工程を示す断面図である。
【０００６】図１に示すように、一般的な液晶表示装置
は薄膜トランジスター（以下、ＴＦＴと称する）アレイ
基板６０と、ＴＦＴ基板６０と対向して備えられるカラ
ーフィルタ（以下、Ｃ／Ｆと称する）基板７０と、ＴＦ
Ｔ基板６０とＣ／Ｆ基板７０との間に形成された液晶層
８０とを含む。
は薄膜トランジスター（以下、ＴＦＴと称する）アレイ
基板６０と、ＴＦＴ基板６０と対向して備えられるカラ
ーフィルタ（以下、Ｃ／Ｆと称する）基板７０と、ＴＦ
Ｔ基板６０とＣ／Ｆ基板７０との間に形成された液晶層
８０とを含む。
【０００７】ＴＦＴ基板６０は第１基板１０と、第１基
板１０上に形成されたＴＦＴ２０と、ＴＦＴ２０を含む
第１基板１０上に形成された有機絶縁膜３０と、有機絶
縁膜３０上に形成された画素電極４０と、画素電極４０
上に形成された第１配向膜（ａｌｉｇｎ ｆｌｉｍ）５
０とからなる。
板１０上に形成されたＴＦＴ２０と、ＴＦＴ２０を含む
第１基板１０上に形成された有機絶縁膜３０と、有機絶
縁膜３０上に形成された画素電極４０と、画素電極４０
上に形成された第１配向膜（ａｌｉｇｎ ｆｌｉｍ）５
０とからなる。
【０００８】ＴＦＴ２０はゲート電極２１、ソース電極
２５及びドレーン電極２６を有する。ここで、ゲート電
極２１はゲート絶縁膜２２によりソース電極２５及びド
レーン電極２６との絶縁状態を維持する。ゲート絶縁膜
２２上には、ゲート電極２１に電源電圧が印加されると
きにソース電極２５からドレーン電極２６に電源電圧を
印加するためのアクティブパターン２３及びオーミック
コンタクトパターン２４が形成される。その上にソース
電極及びドレーン電極２５、２６が形成される。
２５及びドレーン電極２６を有する。ここで、ゲート電
極２１はゲート絶縁膜２２によりソース電極２５及びド
レーン電極２６との絶縁状態を維持する。ゲート絶縁膜
２２上には、ゲート電極２１に電源電圧が印加されると
きにソース電極２５からドレーン電極２６に電源電圧を
印加するためのアクティブパターン２３及びオーミック
コンタクトパターン２４が形成される。その上にソース
電極及びドレーン電極２５、２６が形成される。
【０００９】この時、ＴＦＴ２０上には有機絶縁膜３０
が形成される。有機絶縁膜３０にはドレーン電極２６を
露出させるためのコンタクトホール３５が形成されてい
る。この後、有機絶縁膜３０、コンタクトホール３５に
より露出されたドレーン電極２６及びコンタクトホール
３５の側壁には画素電極４０が均一な厚さに塗布され
る。また、画素電極４０上には所定方向に延びる複数の
配向溝（図示せず）を有する第１配向膜５０が形成され
る。
が形成される。有機絶縁膜３０にはドレーン電極２６を
露出させるためのコンタクトホール３５が形成されてい
る。この後、有機絶縁膜３０、コンタクトホール３５に
より露出されたドレーン電極２６及びコンタクトホール
３５の側壁には画素電極４０が均一な厚さに塗布され
る。また、画素電極４０上には所定方向に延びる複数の
配向溝（図示せず）を有する第１配向膜５０が形成され
る。
【００１０】一方、Ｃ／Ｆ基板７０は、第２基板７１上
にカラーフィルタ７２、共通電極７３及び第２配向膜７
４が形成された基板として形成され、共通電極７３が画
素電極４０と向き合うようにＴＦＴ基板６０と対向して
備えられる。このように、Ｃ／Ｆ基板７０とＴＦＴ基板
６０とが対向して結合され、Ｃ／Ｆ基板７０とＴＦＴ基
板６０との間には液晶層８０が形成される。
にカラーフィルタ７２、共通電極７３及び第２配向膜７
４が形成された基板として形成され、共通電極７３が画
素電極４０と向き合うようにＴＦＴ基板６０と対向して
備えられる。このように、Ｃ／Ｆ基板７０とＴＦＴ基板
６０とが対向して結合され、Ｃ／Ｆ基板７０とＴＦＴ基
板６０との間には液晶層８０が形成される。
【００１１】液晶層８０を光が通過するようにするため
には、液晶層８０を一定の方向に配向させなければなら
ない。ここで、液晶層８０の配向は第１及び第２配向膜
５０、７４により実施される。ここで、第１配向膜５０
の形成工程を簡単に説明する。
には、液晶層８０を一定の方向に配向させなければなら
ない。ここで、液晶層８０の配向は第１及び第２配向膜
５０、７４により実施される。ここで、第１配向膜５０
の形成工程を簡単に説明する。
【００１２】図２に示すように、画素電極４０上にはポ
リイミド（ｐｏｌｙ−ｉｍｉｄｅ）薄膜５１が積層され
る。ポリイミド薄膜５１はラビング工程により複数の配
向溝５０ａを有する第１配向膜５０として形成される。
具体的に、ラビングローラ５５の外周面には、複数のパ
イル（ｐｉｌｅ）５６ａが突出しているラビング布５６
が取付けられている。ラビングローラ５５をポリイミド
薄膜５１上に配置させた後、所定の方向に移動させる
と、薄膜５１には、薄膜５１とパイル５６ａが互いに擦
れ合い、ラビングローラ５５が移動する方向に延びる複
数の配向溝５０ａが形成される。これにより、第１配向
膜５０が完成される。
リイミド（ｐｏｌｙ−ｉｍｉｄｅ）薄膜５１が積層され
る。ポリイミド薄膜５１はラビング工程により複数の配
向溝５０ａを有する第１配向膜５０として形成される。
具体的に、ラビングローラ５５の外周面には、複数のパ
イル（ｐｉｌｅ）５６ａが突出しているラビング布５６
が取付けられている。ラビングローラ５５をポリイミド
薄膜５１上に配置させた後、所定の方向に移動させる
と、薄膜５１には、薄膜５１とパイル５６ａが互いに擦
れ合い、ラビングローラ５５が移動する方向に延びる複
数の配向溝５０ａが形成される。これにより、第１配向
膜５０が完成される。
【００１３】しかし、ラビングローラ５５がコンタクト
ホール３５上を通過するとき、コンタクトホール３５の
段差により、コンタクトホール３５を定義する有機絶縁
膜の側壁で配向がよくならず、配向溝５０ａが浅く形成
され、または配向溝５０ａが形成されない部分が生じる
という問題が発生する。特に、ラビングローラが一番先
に通過する側壁部分では、ラビングローラのパイルが側
壁を擦らずに瞬間的にコンタクトホールの基底部に落ち
るので、先にラビングされる側の側壁上に位置する配向
膜には、配向溝が形成されない。これにより、コンタク
トホール３５部分では液晶が均一に配向されないので、
液晶表示装置のブラックモード時に光濡れ現象が発生す
る。従って、液晶表示装置の表示特性が低下する。
ホール３５上を通過するとき、コンタクトホール３５の
段差により、コンタクトホール３５を定義する有機絶縁
膜の側壁で配向がよくならず、配向溝５０ａが浅く形成
され、または配向溝５０ａが形成されない部分が生じる
という問題が発生する。特に、ラビングローラが一番先
に通過する側壁部分では、ラビングローラのパイルが側
壁を擦らずに瞬間的にコンタクトホールの基底部に落ち
るので、先にラビングされる側の側壁上に位置する配向
膜には、配向溝が形成されない。これにより、コンタク
トホール３５部分では液晶が均一に配向されないので、
液晶表示装置のブラックモード時に光濡れ現象が発生す
る。従って、液晶表示装置の表示特性が低下する。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、表示
特性を向上させるための液晶表示装置を提供することに
ある。
特性を向上させるための液晶表示装置を提供することに
ある。
【００１５】本発明の他の目的は、表示特性を向上させ
るための液晶表示装置の製造方法を提供することにあ
る。
るための液晶表示装置の製造方法を提供することにあ
る。
【００１６】
【発明の解決するための手段】上述した目的を達成する
ための本発明による液晶表示装置は、第１基板から第１
傾斜角で傾いた一つ以上の傾斜面を有する第１側壁及び
前記第１側壁と向き合う第２側壁からなる側壁部により
定義されるコンタクトホールを有する絶縁膜、及び前記
絶縁膜上に形成され、前記第２側壁に向かう第１方向に
ラビング処理された第１配向膜を有するアレイ基板と、
第２基板上に前記第１方向とは異なる第２方向にラビン
グ処理された第２配向膜を備えるカラーフィルタ基板
と、前記アレイ基板と前記カラーフィルタ基板との間に
形成された液晶層とを含む。
ための本発明による液晶表示装置は、第１基板から第１
傾斜角で傾いた一つ以上の傾斜面を有する第１側壁及び
前記第１側壁と向き合う第２側壁からなる側壁部により
定義されるコンタクトホールを有する絶縁膜、及び前記
絶縁膜上に形成され、前記第２側壁に向かう第１方向に
ラビング処理された第１配向膜を有するアレイ基板と、
第２基板上に前記第１方向とは異なる第２方向にラビン
グ処理された第２配向膜を備えるカラーフィルタ基板
と、前記アレイ基板と前記カラーフィルタ基板との間に
形成された液晶層とを含む。
【００１７】上述した他の目的を達成するための本発明
による液晶表示装置の製造方法は、第１基板から第１傾
斜角で傾いた一つ以上の傾斜面を有する第１側壁及び前
記第１側壁と向き合う第２側壁からなる側壁部により定
義されるコンタクトホールを有する絶縁膜、及び前記絶
縁膜上に形成され、前記第１側壁から前記第２側壁に向
かう第１方向にラビング処理された第１配向膜を有する
アレイ基板を製造する段階と、第２基板上に前記第１方
向と異なる第２方向にラビング処理された第２配向膜を
備えるカラーフィルタ基板を製造する段階と、前記アレ
イ基板及びカラーフィルタ基板を結合する段階と、前記
アレイ基板と前記カラーフィルタ基板との間に液晶層を
形成する段階とを含む。
による液晶表示装置の製造方法は、第１基板から第１傾
斜角で傾いた一つ以上の傾斜面を有する第１側壁及び前
記第１側壁と向き合う第２側壁からなる側壁部により定
義されるコンタクトホールを有する絶縁膜、及び前記絶
縁膜上に形成され、前記第１側壁から前記第２側壁に向
かう第１方向にラビング処理された第１配向膜を有する
アレイ基板を製造する段階と、第２基板上に前記第１方
向と異なる第２方向にラビング処理された第２配向膜を
備えるカラーフィルタ基板を製造する段階と、前記アレ
イ基板及びカラーフィルタ基板を結合する段階と、前記
アレイ基板と前記カラーフィルタ基板との間に液晶層を
形成する段階とを含む。
【００１８】このような、液晶表示装置及び液晶表示装
置の製造方法によると、アレイ基板には絶縁膜が形成さ
れ、絶縁膜には第１基板から第１傾斜角で傾いた一つ以
上の傾斜面を有する第１側壁及び第１側壁と向き合う第
２側壁からなる側壁部により定義されるコンタクトホー
ルが形成される。従って、液晶表示装置の表示特性を向
上させることができる。
置の製造方法によると、アレイ基板には絶縁膜が形成さ
れ、絶縁膜には第１基板から第１傾斜角で傾いた一つ以
上の傾斜面を有する第１側壁及び第１側壁と向き合う第
２側壁からなる側壁部により定義されるコンタクトホー
ルが形成される。従って、液晶表示装置の表示特性を向
上させることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の望
ましい一実施形態をより詳細に説明する。
ましい一実施形態をより詳細に説明する。
【００２０】図３は本発明の第１実施形態による液晶表
示装置を示す断面図であり、図４は図３に示したコンタ
クトホールをラビング方向と関連させて示した図面であ
る。
示装置を示す断面図であり、図４は図３に示したコンタ
クトホールをラビング方向と関連させて示した図面であ
る。
【００２１】図３に示すように、液晶表示装置４００は
ＴＦＴアレイ基板（以下「ＴＦＴ基板」という）１０
０、ＴＦＴ基板１００と対向して備えられるＣ／Ｆ基板
２００、及びＴＦＴ基板１００とＣ／Ｆ基板２００との
間に形成された液晶層３００を含む。
ＴＦＴアレイ基板（以下「ＴＦＴ基板」という）１０
０、ＴＦＴ基板１００と対向して備えられるＣ／Ｆ基板
２００、及びＴＦＴ基板１００とＣ／Ｆ基板２００との
間に形成された液晶層３００を含む。
【００２２】ＴＦＴ基板１００は、第１基板１１０、第
１基板１１０上に形成されたＴＦＴ１２０、ＴＦＴ１２
０が形成された第１基板１１０上に形成された有機絶縁
膜１３０、有機絶縁膜１３０上に形成された画素電極１
４０、及び画素電極１４０上に形成された第１配向膜１
５０を含む複数の画素がマトリックス状に形成された基
板である。
１基板１１０上に形成されたＴＦＴ１２０、ＴＦＴ１２
０が形成された第１基板１１０上に形成された有機絶縁
膜１３０、有機絶縁膜１３０上に形成された画素電極１
４０、及び画素電極１４０上に形成された第１配向膜１
５０を含む複数の画素がマトリックス状に形成された基
板である。
【００２３】具体的に、ＴＦＴ１２０はゲート電極１２
１、ソース電極１２５及びドレーン電極１２６を有す
る。この時、ゲート電極１２１はゲート絶縁膜１２２に
より、ソース電極１２５とドレーン電極１２６との絶縁
状態を維持する。ゲート絶縁膜１２２上には、ゲート電
極１２１に電源電圧が印加されるのに応じてソース電極
１２５からドレーン電極１２６に電源電圧を印加するた
めのアクティブパターン１２３及びオーミックコンタク
トパターン１２４が形成される。アクティブパターン１
２３及びオーミックコンタクトパターン１２４上には、
ソース及びドレーン電極１２５、１２６が形成される。
１、ソース電極１２５及びドレーン電極１２６を有す
る。この時、ゲート電極１２１はゲート絶縁膜１２２に
より、ソース電極１２５とドレーン電極１２６との絶縁
状態を維持する。ゲート絶縁膜１２２上には、ゲート電
極１２１に電源電圧が印加されるのに応じてソース電極
１２５からドレーン電極１２６に電源電圧を印加するた
めのアクティブパターン１２３及びオーミックコンタク
トパターン１２４が形成される。アクティブパターン１
２３及びオーミックコンタクトパターン１２４上には、
ソース及びドレーン電極１２５、１２６が形成される。
【００２４】ここで、ＴＦＴ１２０上にはドレーン電極
１２６を露出させるためのコンタクトホール１３５が形
成された有機絶縁膜１３０が形成される。ここで、コン
タクトホール１３５は、第１基板１１０に対して所定角
度で傾いた一つ以上の傾斜面を有する側壁部１３１によ
り定義される。側壁部１３１は第１傾斜角（θ1）で傾
いた第１傾斜面１３１ａを有する第１側壁、及び第１傾
斜面１３１ａと向き合い、第２傾斜角（θ2）で傾いた
第２傾斜面１３１ｂを有する第２側壁とを含む。
１２６を露出させるためのコンタクトホール１３５が形
成された有機絶縁膜１３０が形成される。ここで、コン
タクトホール１３５は、第１基板１１０に対して所定角
度で傾いた一つ以上の傾斜面を有する側壁部１３１によ
り定義される。側壁部１３１は第１傾斜角（θ1）で傾
いた第１傾斜面１３１ａを有する第１側壁、及び第１傾
斜面１３１ａと向き合い、第２傾斜角（θ2）で傾いた
第２傾斜面１３１ｂを有する第２側壁とを含む。
【００２５】ここで、第１及び第２傾斜角（θ1、θ2）
は鋭角であり、さらに望ましくは第１傾斜角（θ1）は
３０°以下であり、第２傾斜角（θ2）は３０°より大
きく６０°以下である。
は鋭角であり、さらに望ましくは第１傾斜角（θ1）は
３０°以下であり、第２傾斜角（θ2）は３０°より大
きく６０°以下である。
【００２６】図３及び図４に示したように、第１配向膜
１５０上には第１方向Ｄ１にラビング溝が形成される。
図３は、図４のＡ−Ａ′に沿ってコンタクトホールを切
断したときの断面を示している。第１方向Ｄ１は第１傾
斜面１３１ａから第２傾斜面１３１ｂに向かう方向であ
り、、第１配向膜１５０は、第１傾斜面１３１ａ及び第
２傾斜面１３１ｂを経て第１方向Ｄ１へラビング処理さ
れる。この時、第１傾斜面１３１ａは第２傾斜面１３１
ｂより先にラビング処理される。従って、側壁部１３１
で液晶をより均一に配向させることができる。
１５０上には第１方向Ｄ１にラビング溝が形成される。
図３は、図４のＡ−Ａ′に沿ってコンタクトホールを切
断したときの断面を示している。第１方向Ｄ１は第１傾
斜面１３１ａから第２傾斜面１３１ｂに向かう方向であ
り、、第１配向膜１５０は、第１傾斜面１３１ａ及び第
２傾斜面１３１ｂを経て第１方向Ｄ１へラビング処理さ
れる。この時、第１傾斜面１３１ａは第２傾斜面１３１
ｂより先にラビング処理される。従って、側壁部１３１
で液晶をより均一に配向させることができる。
【００２７】このようにして、有機絶縁膜１３０と、コ
ンタクトホール１３５により露出されたドレーン電極１
２６と、コンタクトホール１３５を定義する側壁部１３
１には画素電極１４０が均一な厚さに塗布される。ま
た、画素電極１４０上には一定の方向にラビング溝が形
成された第１配向膜１５０が形成される。
ンタクトホール１３５により露出されたドレーン電極１
２６と、コンタクトホール１３５を定義する側壁部１３
１には画素電極１４０が均一な厚さに塗布される。ま
た、画素電極１４０上には一定の方向にラビング溝が形
成された第１配向膜１５０が形成される。
【００２８】一方、Ｃ／Ｆ基板２００は第２基板２１０
上にカラーフィルタ２２０、共通電極２３０及び第２配
向膜２４０がこの順序で形成された基板である。第２配
向膜２４０は前記第１方向と実質的に垂直な方向である
第２方向にラビング処理される。Ｃ／Ｆ基板２００は共
通電極２３０が画素電極１４０と向き合うようにＴＦＴ
基板１００と対向して結合される。その後、Ｃ／Ｆ基板
２００とＴＦＴ基板１００との間には液晶層３００が形
成される。
上にカラーフィルタ２２０、共通電極２３０及び第２配
向膜２４０がこの順序で形成された基板である。第２配
向膜２４０は前記第１方向と実質的に垂直な方向である
第２方向にラビング処理される。Ｃ／Ｆ基板２００は共
通電極２３０が画素電極１４０と向き合うようにＴＦＴ
基板１００と対向して結合される。その後、Ｃ／Ｆ基板
２００とＴＦＴ基板１００との間には液晶層３００が形
成される。
【００２９】以下、図３に示したＴＦＴ基板の製造工程
を説明する。
を説明する。
【００３０】図５乃至図１０は図３に示したＴＦＴ基板
の製造工程を具体的に示す図面である。
の製造工程を具体的に示す図面である。
【００３１】図５に示すように、ガラスまたはセラミッ
クのような絶縁物質からなる第１基板１１０上にアルミ
ニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）またはモリブデンタン
グステン（ＭｏＷ）からなる第１金属膜（図示せず）を
スパッタリング方法により蒸着した後、第１金属膜をパ
ターニングしてゲートライン（図示せず）及びゲートラ
インから分岐するゲート電極１２１を形成する。ゲート
電極１２１はその側壁が傾斜して、テーパーしたプロフ
ァイル（ｔａｐｅｒｅｄ ｐｒｏｆｉｌｅ）を有するよ
うに形成される。
クのような絶縁物質からなる第１基板１１０上にアルミ
ニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）またはモリブデンタン
グステン（ＭｏＷ）からなる第１金属膜（図示せず）を
スパッタリング方法により蒸着した後、第１金属膜をパ
ターニングしてゲートライン（図示せず）及びゲートラ
インから分岐するゲート電極１２１を形成する。ゲート
電極１２１はその側壁が傾斜して、テーパーしたプロフ
ァイル（ｔａｐｅｒｅｄ ｐｒｏｆｉｌｅ）を有するよ
うに形成される。
【００３２】続いて、ゲートライン及びゲート電極１２
１が形成された第１基板１１０の全面にシリコン窒化物
をプラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）方法により蒸着
してゲート絶縁膜１２２を形成する。
１が形成された第１基板１１０の全面にシリコン窒化物
をプラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）方法により蒸着
してゲート絶縁膜１２２を形成する。
【００３３】ゲート絶縁膜１２２上にアクティブ層（図
示せず）として、例えば非晶質シリコン膜をプラズマ化
学気相蒸着方法により蒸着し、その上にオーミックコン
タクト層（図示せず）として、例えばｎ+ドーピングさ
れた非晶質シリコン膜をプラズマ化学気相蒸着方法によ
り蒸着する。ここで、非晶質シリコン膜及びｎ+ドーピ
ングされた非晶質シリコン膜をプラズマ化学気相蒸着設
備の同一チャンバ内でインサイチュー（ｉｎ−ｓｉｔ
ｕ）で蒸着する。続いて、オーミックコンタクト層及び
アクティブ層をこの順序でパターニングしてゲート電極
１２１上部分のゲート絶縁膜１２２上に非晶質シリコン
膜からなるアクティブパターン１２３及びｎ+ドーピン
グされた非晶質シリコン膜からなるオーミックコンタク
トパターン１２４を形成する。
示せず）として、例えば非晶質シリコン膜をプラズマ化
学気相蒸着方法により蒸着し、その上にオーミックコン
タクト層（図示せず）として、例えばｎ+ドーピングさ
れた非晶質シリコン膜をプラズマ化学気相蒸着方法によ
り蒸着する。ここで、非晶質シリコン膜及びｎ+ドーピ
ングされた非晶質シリコン膜をプラズマ化学気相蒸着設
備の同一チャンバ内でインサイチュー（ｉｎ−ｓｉｔ
ｕ）で蒸着する。続いて、オーミックコンタクト層及び
アクティブ層をこの順序でパターニングしてゲート電極
１２１上部分のゲート絶縁膜１２２上に非晶質シリコン
膜からなるアクティブパターン１２３及びｎ+ドーピン
グされた非晶質シリコン膜からなるオーミックコンタク
トパターン１２４を形成する。
【００３４】結果物の全面にクロム（Ｃｒ）のような第
２金属膜（図示せず）をスパッタリング方法により蒸着
した後、第２金属膜をパターニングしてゲートラインに
直交するデータライン（図示せず）、データラインから
分岐するソース電極１２５及びドレーン電極１２６を形
成する。
２金属膜（図示せず）をスパッタリング方法により蒸着
した後、第２金属膜をパターニングしてゲートラインに
直交するデータライン（図示せず）、データラインから
分岐するソース電極１２５及びドレーン電極１２６を形
成する。
【００３５】従って、ゲート電極１２１、アクティブパ
ターン１２３、オーミックコンタクトパターン１２４、
ソース電極１２５及びドレーン電極１２６を含むＴＦＴ
１２０が完成される。ゲートラインとデータラインとの
間に介されたゲート絶縁膜１２２はゲートラインとデー
タラインが接触することを防止する。
ターン１２３、オーミックコンタクトパターン１２４、
ソース電極１２５及びドレーン電極１２６を含むＴＦＴ
１２０が完成される。ゲートラインとデータラインとの
間に介されたゲート絶縁膜１２２はゲートラインとデー
タラインが接触することを防止する。
【００３６】続いて、ソース電極１２５とドレーン電極
１２６間の露出されたオーミックコンタクトパターン１
２４を反応性イオンエッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉ
ｏｎｅｔｃｈｉｎｇ；ＲＩＥ）方法により除去する。そ
うすると、ソース／ドレーン電極１２５、１２６間の露
出されたアクティブパターン領域がＴＦＴ１２０のチャ
ンネル領域に提供される。
１２６間の露出されたオーミックコンタクトパターン１
２４を反応性イオンエッチング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉ
ｏｎｅｔｃｈｉｎｇ；ＲＩＥ）方法により除去する。そ
うすると、ソース／ドレーン電極１２５、１２６間の露
出されたアクティブパターン領域がＴＦＴ１２０のチャ
ンネル領域に提供される。
【００３７】図６に示すように、ＴＦＴ１２０が形成さ
れた第１基板１１０の全面にはソース電極及びドレーン
電極と、その上に形成される画素電極１４０間を電気的
に絶縁させるための層間絶縁膜として、例えば、アクリ
ル系樹脂のような感光性有機絶縁層１３７をスピン−コ
ーティング方法やスリット−コーティング方法により塗
布する。
れた第１基板１１０の全面にはソース電極及びドレーン
電極と、その上に形成される画素電極１４０間を電気的
に絶縁させるための層間絶縁膜として、例えば、アクリ
ル系樹脂のような感光性有機絶縁層１３７をスピン−コ
ーティング方法やスリット−コーティング方法により塗
布する。
【００３８】感光性有機絶縁層１３７上にはコンタクト
ホールパターンが形成されているマスク１３７ａが形成
される。具体的に、マスク１３７ａはコンタクトホール
形成領域Ａを備え、コンタクトホール領域Ａは、相対的
に露光量が少ないスリット露光領域Ａ１と、相対的に露
光量が多いフル露光領域Ａ２に区分される。スリット露
光領域Ａ１は側壁部１３１の第１傾斜面１３１ａに対応
する。
ホールパターンが形成されているマスク１３７ａが形成
される。具体的に、マスク１３７ａはコンタクトホール
形成領域Ａを備え、コンタクトホール領域Ａは、相対的
に露光量が少ないスリット露光領域Ａ１と、相対的に露
光量が多いフル露光領域Ａ２に区分される。スリット露
光領域Ａ１は側壁部１３１の第１傾斜面１３１ａに対応
する。
【００３９】感光性有機絶縁層１３７を露光すると、ス
リット露光領域Ａ１に対応する感光性有機絶縁層１３７
はスリット露光され、フル露光領域Ａ２に対応する感光
性有機絶縁層１３７はフル露光される。
リット露光領域Ａ１に対応する感光性有機絶縁層１３７
はスリット露光され、フル露光領域Ａ２に対応する感光
性有機絶縁層１３７はフル露光される。
【００４０】図７に示すように、テトラメチル−水酸化
アンモニウム（ＴＭＡＨ）現像液を利用して感光性有機
絶縁層１３７を現像処理する。そうすると、感光性有機
絶縁層１３７の露光された領域が除去され、ドレーン電
極１２６の表面一部分が露出したコンタクトホール１３
５が形成される。即ち、スリット露光領域Ａ１と対応す
る側壁部１３１には第１基板１１０から第１傾斜角（θ
1）で傾いた第１傾斜面１３１ａが形成される。また、
フル露光領域Ａ２の境界部に対応して側壁部１３１には
第１基板１１０から第２傾斜角（θ2）で傾いた第２傾
斜面１３１ｂが形成される。
アンモニウム（ＴＭＡＨ）現像液を利用して感光性有機
絶縁層１３７を現像処理する。そうすると、感光性有機
絶縁層１３７の露光された領域が除去され、ドレーン電
極１２６の表面一部分が露出したコンタクトホール１３
５が形成される。即ち、スリット露光領域Ａ１と対応す
る側壁部１３１には第１基板１１０から第１傾斜角（θ
1）で傾いた第１傾斜面１３１ａが形成される。また、
フル露光領域Ａ２の境界部に対応して側壁部１３１には
第１基板１１０から第２傾斜角（θ2）で傾いた第２傾
斜面１３１ｂが形成される。
【００４１】ここで、第１傾斜角（θ1）は第２傾斜角
（θ2）より小さい。即ち、第１傾斜角（θ1）は３０°
以下であり、第２傾斜角（θ2）は３０°より大きく６
０°以下である。
（θ2）より小さい。即ち、第１傾斜角（θ1）は３０°
以下であり、第２傾斜角（θ2）は３０°より大きく６
０°以下である。
【００４２】図８に示すように、有機絶縁膜１３０とコ
ンタクトホール１３５上にインジウムティンオキサイド
（ＩＴＯ）またはインジウムジンクオキサイド（ＩＺ
Ｏ）のような透明な導電膜を蒸着した後、透明導電膜を
パターニングして画素電極１４０を形成する。ここで、
画素電極１４０はコンタクトホール１３５を通じてＴＦ
Ｔ１２０のドレーン電極１２６と接続される。
ンタクトホール１３５上にインジウムティンオキサイド
（ＩＴＯ）またはインジウムジンクオキサイド（ＩＺ
Ｏ）のような透明な導電膜を蒸着した後、透明導電膜を
パターニングして画素電極１４０を形成する。ここで、
画素電極１４０はコンタクトホール１３５を通じてＴＦ
Ｔ１２０のドレーン電極１２６と接続される。
【００４３】図９及び図１０に示すように、画素電極１
４０上にはポリイミド薄膜１５５が積層される。薄膜１
５５は、ラビング工程により複数の配向溝１５１が形成
された第１配向膜１５０として形成される。
４０上にはポリイミド薄膜１５５が積層される。薄膜１
５５は、ラビング工程により複数の配向溝１５１が形成
された第１配向膜１５０として形成される。
【００４４】具体的に、ラビングローラ９０の外面には
複数のパイル９１ａが形成されたラビング布９１が取付
けられている。ラビングローラ９０を薄膜１５５上に配
置した後、ラビングローラ９０を所定の方向に移動させ
ると、薄膜１５５と複数のパイル９１ａとが互いに擦れ
合い、薄膜１５５にはラビングローラ９０が移動する方
向に延びる複数の配向溝１５１が形成される。これによ
り、第１配向膜１５０が完成する。ラビングローラ９０
は、第１傾斜面１３１ａから第２傾斜面１３１ｂに向か
う第１方向Ｄ１に移動しながら薄膜１５５をラビングす
る。
複数のパイル９１ａが形成されたラビング布９１が取付
けられている。ラビングローラ９０を薄膜１５５上に配
置した後、ラビングローラ９０を所定の方向に移動させ
ると、薄膜１５５と複数のパイル９１ａとが互いに擦れ
合い、薄膜１５５にはラビングローラ９０が移動する方
向に延びる複数の配向溝１５１が形成される。これによ
り、第１配向膜１５０が完成する。ラビングローラ９０
は、第１傾斜面１３１ａから第２傾斜面１３１ｂに向か
う第１方向Ｄ１に移動しながら薄膜１５５をラビングす
る。
【００４５】図１０に示したように、第１傾斜面１３１
ａが緩やかに形成されることにより、第１傾斜面１３１
ａ上にも配向溝１５１を形成することができる。従っ
て、コンタクトホール１３５の第１傾斜面１３１ａ部分
においても液晶が均一に配向されることにより、光濡れ
現象を防止することができる。
ａが緩やかに形成されることにより、第１傾斜面１３１
ａ上にも配向溝１５１を形成することができる。従っ
て、コンタクトホール１３５の第１傾斜面１３１ａ部分
においても液晶が均一に配向されることにより、光濡れ
現象を防止することができる。
【００４６】図１１は本発明の第２実施形態による液晶
表示装置の断面図であり、図１２は図１１に示したコン
タクトホールをラビング方向と関連させて示した図面で
ある。
表示装置の断面図であり、図１２は図１１に示したコン
タクトホールをラビング方向と関連させて示した図面で
ある。
【００４７】図１１に示すように、ＴＦＴ１２０が形成
された第１基板１１０上にはドレーン電極１２６を露出
させるためのコンタクトホール１６５が形成された有機
絶縁膜１６０が形成される。ここで、コンタクトホール
１６５は、第１基板１１０から第１傾斜角（θ1）で傾
いた一つ以上の傾斜面を有する、第１側壁及び第１側壁
と向き合う第２側壁からなる側壁１６１により定義され
る。具体的に、第１側壁は第１傾斜角（θ1）で傾いた
第１傾斜面１６１ａからなり、第２側壁は第１傾斜角
（θ1）で傾いた第２傾斜面１６１ｂからなる。
された第１基板１１０上にはドレーン電極１２６を露出
させるためのコンタクトホール１６５が形成された有機
絶縁膜１６０が形成される。ここで、コンタクトホール
１６５は、第１基板１１０から第１傾斜角（θ1）で傾
いた一つ以上の傾斜面を有する、第１側壁及び第１側壁
と向き合う第２側壁からなる側壁１６１により定義され
る。具体的に、第１側壁は第１傾斜角（θ1）で傾いた
第１傾斜面１６１ａからなり、第２側壁は第１傾斜角
（θ1）で傾いた第２傾斜面１６１ｂからなる。
【００４８】ここで、第１傾斜角（θ1）は鋭角であ
り、さらに望ましく第１傾斜角（θ1）は３０°以下で
ある。
り、さらに望ましく第１傾斜角（θ1）は３０°以下で
ある。
【００４９】また、図１１及び図１２に示したように有
機絶縁膜１６０上には、第１方向Ｄ１にラビング処理さ
れた第１配向膜１５０が形成される。具体的に、第１方
向Ｄ１は第１傾斜面１６１ａから第２傾斜面１６１ｂに
向かう方向であり、第１配向膜１５０は第１傾斜面１６
１ａ及び第２傾斜面１６１ｂ上でもラビング処理される
ため、側壁部１６１で液晶をより均一に配向させること
ができる。
機絶縁膜１６０上には、第１方向Ｄ１にラビング処理さ
れた第１配向膜１５０が形成される。具体的に、第１方
向Ｄ１は第１傾斜面１６１ａから第２傾斜面１６１ｂに
向かう方向であり、第１配向膜１５０は第１傾斜面１６
１ａ及び第２傾斜面１６１ｂ上でもラビング処理される
ため、側壁部１６１で液晶をより均一に配向させること
ができる。
【００５０】以下、本発明の第３及び第４実施形態は、
有機絶縁膜の表面に凹凸を形成する構造を例として説明
する。一般に、有機絶縁膜の表面に凹凸を形成する構造
は、反射型または反射−透過型液晶表示装置に利用され
る。従って、図１３乃至図１９では、反射型液晶表示装
置で本発明を適用した構造を、本発明の第３及び第４実
施形態として示す。
有機絶縁膜の表面に凹凸を形成する構造を例として説明
する。一般に、有機絶縁膜の表面に凹凸を形成する構造
は、反射型または反射−透過型液晶表示装置に利用され
る。従って、図１３乃至図１９では、反射型液晶表示装
置で本発明を適用した構造を、本発明の第３及び第４実
施形態として示す。
【００５１】図１３は本発明の第３実施形態による反射
型液晶表示装置を示す断面図であり、図１４は図１３に
示したコンタクトホールをラビング方向と関連させて示
した図面である。
型液晶表示装置を示す断面図であり、図１４は図１３に
示したコンタクトホールをラビング方向と関連させて示
した図面である。
【００５２】図１３に示すように、本発明の第３実施形
態による反射型液晶表示装置５００は、第１基板１１０
上に形成されるＴＦＴ１２０、ＴＦＴ１２０上に形成さ
れた有機絶縁膜１７０、有機絶縁膜１７０上に均一な厚
さに積層された反射電極１９０、及び反射電極１９０上
に形成された第１配向膜１５０からなる、複数の画素が
マトリックス状に形成されたＴＦＴアレイ基板を含む。
態による反射型液晶表示装置５００は、第１基板１１０
上に形成されるＴＦＴ１２０、ＴＦＴ１２０上に形成さ
れた有機絶縁膜１７０、有機絶縁膜１７０上に均一な厚
さに積層された反射電極１９０、及び反射電極１９０上
に形成された第１配向膜１５０からなる、複数の画素が
マトリックス状に形成されたＴＦＴアレイ基板を含む。
【００５３】ＴＦＴ１２０が形成された第１基板１１０
上にはドレーン電極１２６を露出させるためのコンタク
トホール１７５が形成された有機絶縁膜１７０が形成さ
れる。有機絶縁膜１７０の表面には、第１基板１１０に
対して相対的な高低差をつけることによって凹部１７７
ａと凸部１７７ｂを反復的に形成することにより、凹凸
１７７が形成される。ここで、有機絶縁膜１７０の表面
に凹凸１７７が形成されることにより、反射電極１９０
の面積が増加する。したがって、反射効率が向上され、
反射角が調節され、これにより視野角が拡張される。
上にはドレーン電極１２６を露出させるためのコンタク
トホール１７５が形成された有機絶縁膜１７０が形成さ
れる。有機絶縁膜１７０の表面には、第１基板１１０に
対して相対的な高低差をつけることによって凹部１７７
ａと凸部１７７ｂを反復的に形成することにより、凹凸
１７７が形成される。ここで、有機絶縁膜１７０の表面
に凹凸１７７が形成されることにより、反射電極１９０
の面積が増加する。したがって、反射効率が向上され、
反射角が調節され、これにより視野角が拡張される。
【００５４】コンタクトホール１７５は有機絶縁膜に形
成された側壁部１７１により定義される。側壁部１７１
は、第１基板１１０から第１傾斜角（θ1）で傾いた複
数の第１傾斜面１７１ａ及び複数の第１傾斜面１７１ａ
の間に設けられて各第１傾斜面１７１ａを連結するフラ
ット面１７１ｂにより階段形状に形成された第１側壁を
含む。また、側壁部１７１は第１傾斜面１７１ａと向き
合い、第１傾斜角（θ 1）より大きい第２傾斜角（θ2）
で傾いた第２傾斜面１７１ｃを有する第２側壁を含む。
成された側壁部１７１により定義される。側壁部１７１
は、第１基板１１０から第１傾斜角（θ1）で傾いた複
数の第１傾斜面１７１ａ及び複数の第１傾斜面１７１ａ
の間に設けられて各第１傾斜面１７１ａを連結するフラ
ット面１７１ｂにより階段形状に形成された第１側壁を
含む。また、側壁部１７１は第１傾斜面１７１ａと向き
合い、第１傾斜角（θ 1）より大きい第２傾斜角（θ2）
で傾いた第２傾斜面１７１ｃを有する第２側壁を含む。
【００５５】図１３及び図１４に示したように、第１配
向膜１５０は第１方向Ｄ１にラビング処理されることに
より形成された配向溝を有する。具体的に、第１方向Ｄ
１は前記第１傾斜面１７１ａから前記第２傾斜面１７１
ｃに向かう方向であり、第１配向膜１５０は前記第１傾
斜面１７１ａ、フラット面１７１ｂ及び第２傾斜面１７
１ｃ上においてもラビング処理される。ここで、第１傾
斜面１７１ａは第２傾斜面１７１ｃより先にラビング処
理される。
向膜１５０は第１方向Ｄ１にラビング処理されることに
より形成された配向溝を有する。具体的に、第１方向Ｄ
１は前記第１傾斜面１７１ａから前記第２傾斜面１７１
ｃに向かう方向であり、第１配向膜１５０は前記第１傾
斜面１７１ａ、フラット面１７１ｂ及び第２傾斜面１７
１ｃ上においてもラビング処理される。ここで、第１傾
斜面１７１ａは第２傾斜面１７１ｃより先にラビング処
理される。
【００５６】このように、側壁部１７１を緩やかに形成
することにより、側壁部１７１上で液晶をより均一に配
向させることができる。
することにより、側壁部１７１上で液晶をより均一に配
向させることができる。
【００５７】以下、図１３に示したＴＦＴ基板の製造工
程を具体的に説明する。
程を具体的に説明する。
【００５８】図１５乃至図１７は、図１３に示したＴＦ
Ｔ基板の製造工程を示した断面図である。図１５乃至図
１７に示した製造工程は、有機絶縁膜を形成するための
二度の露光工程からなる。
Ｔ基板の製造工程を示した断面図である。図１５乃至図
１７に示した製造工程は、有機絶縁膜を形成するための
二度の露光工程からなる。
【００５９】図１５に示すように、ＴＦＴ１２０が形成
された第１基板１１０の全面に、データ配線とその上に
形成される反射電極１９０との間を絶縁させるための層
間絶縁膜として、たとえば、アクリル系樹脂のような感
光性有機絶縁層１７９が、スピン−コーティング方法や
スリット−コーティング方法により塗布される。
された第１基板１１０の全面に、データ配線とその上に
形成される反射電極１９０との間を絶縁させるための層
間絶縁膜として、たとえば、アクリル系樹脂のような感
光性有機絶縁層１７９が、スピン−コーティング方法や
スリット−コーティング方法により塗布される。
【００６０】そして、有機絶縁膜にコンタクトホールを
形成するために感光性有機絶縁層１７９を露光する第１
露光工程が行われる。即ち、感光性有機絶縁層１７９上
にはコンタクトホールパターンが形成されている第１マ
スク１７９ａが形成される。第１マスク１７９ａはコン
タクトホール形成領域Ａを備え、コンタクトホール領域
Ａは相対的に露光量が少ないスリット露光領域Ａ１と、
相対的に露光量が多いフル露光領域Ａ２に区分される。
スリット露光領域Ａ１は第１傾斜面１７１ａが形成され
る領域であり、フル露光領域Ａ２は第２傾斜面１７１ｃ
が形成される領域である。ここで、感光性有機絶縁層１
７９上に第１マスク１７９ａが形成された状態で感光性
有機絶縁層１７９が露光される。
形成するために感光性有機絶縁層１７９を露光する第１
露光工程が行われる。即ち、感光性有機絶縁層１７９上
にはコンタクトホールパターンが形成されている第１マ
スク１７９ａが形成される。第１マスク１７９ａはコン
タクトホール形成領域Ａを備え、コンタクトホール領域
Ａは相対的に露光量が少ないスリット露光領域Ａ１と、
相対的に露光量が多いフル露光領域Ａ２に区分される。
スリット露光領域Ａ１は第１傾斜面１７１ａが形成され
る領域であり、フル露光領域Ａ２は第２傾斜面１７１ｃ
が形成される領域である。ここで、感光性有機絶縁層１
７９上に第１マスク１７９ａが形成された状態で感光性
有機絶縁層１７９が露光される。
【００６１】その後、有機絶縁膜の表面に凹凸を形成す
るために感光性有機絶縁層１７９を露光する第２露光工
程が行われる。
るために感光性有機絶縁層１７９を露光する第２露光工
程が行われる。
【００６２】図１６に示すように、感光性有機絶縁層１
７９上には凹凸１７７と対応するパターンが形成されて
いる第２マスク１７９ｂが形成される。具体的には、第
２マスク１７９ｂは凹部１７７ａに対応して形成された
第１ハーフ露光領域Ｂ１と、前記コンタクトホール形成
領域Ａのうち、側壁部１７１に対応して形成された第２
ハーフ露光領域Ｂ２を含む。ここで、第２ハーフ露光領
域Ｂ２は、側壁部１７１の第１傾斜面１７１ａ間にフラ
ット面１７１ｂが形成される領域である。感光性有機絶
縁層１７９上に第２マスク１７９ｂが形成された状態で
感光性有機絶縁層１７９を再び露光する。
７９上には凹凸１７７と対応するパターンが形成されて
いる第２マスク１７９ｂが形成される。具体的には、第
２マスク１７９ｂは凹部１７７ａに対応して形成された
第１ハーフ露光領域Ｂ１と、前記コンタクトホール形成
領域Ａのうち、側壁部１７１に対応して形成された第２
ハーフ露光領域Ｂ２を含む。ここで、第２ハーフ露光領
域Ｂ２は、側壁部１７１の第１傾斜面１７１ａ間にフラ
ット面１７１ｂが形成される領域である。感光性有機絶
縁層１７９上に第２マスク１７９ｂが形成された状態で
感光性有機絶縁層１７９を再び露光する。
【００６３】そして、図１７に示すように、テトラメチ
ル−水酸化アンモニウム（ＴＭＡＨ）現像液を利用して
感光性有機絶縁層１７９を現像する。そうすると、感光
性有機絶縁層１７９の露光された領域が除去され、ドレ
ーン電極１２６の表面一部分を露出させるコンタクトホ
ール１７５と凹凸１７７とが形成されて有機絶縁膜１７
０が完成される。
ル−水酸化アンモニウム（ＴＭＡＨ）現像液を利用して
感光性有機絶縁層１７９を現像する。そうすると、感光
性有機絶縁層１７９の露光された領域が除去され、ドレ
ーン電極１２６の表面一部分を露出させるコンタクトホ
ール１７５と凹凸１７７とが形成されて有機絶縁膜１７
０が完成される。
【００６４】具体的には、スリット露光領域Ａ１に対応
して形成され、第１基板１１０から第１傾斜角（θ1）
で傾いた複数の第１傾斜面１７１ａと、第２ハーフ露光
領域Ｂ２に対応して形成され、前記第１傾斜面１７１ａ
を連結するフラット面１７１ｂとにより、側壁部１７１
の階段形状部分が形成される。また、フル露光領域Ａ２
の境界部に対応して、第１傾斜面１７１ａと向き合う第
２傾斜面１７１ｃが、第１傾斜角（θ1）より大きい第
２傾斜角（θ2）で傾いて形成される。ここで、第１傾
斜角（θ1）は第２傾斜角（θ2）より小さい。例えば、
第１傾斜角（θ1）は３０°以下であり、第２傾斜角
（θ2）は３０°より大きく６０°以下であることが望
ましい。
して形成され、第１基板１１０から第１傾斜角（θ1）
で傾いた複数の第１傾斜面１７１ａと、第２ハーフ露光
領域Ｂ２に対応して形成され、前記第１傾斜面１７１ａ
を連結するフラット面１７１ｂとにより、側壁部１７１
の階段形状部分が形成される。また、フル露光領域Ａ２
の境界部に対応して、第１傾斜面１７１ａと向き合う第
２傾斜面１７１ｃが、第１傾斜角（θ1）より大きい第
２傾斜角（θ2）で傾いて形成される。ここで、第１傾
斜角（θ1）は第２傾斜角（θ2）より小さい。例えば、
第１傾斜角（θ1）は３０°以下であり、第２傾斜角
（θ2）は３０°より大きく６０°以下であることが望
ましい。
【００６５】図１８は本発明の第４実施形態による液晶
表示装置を示す断面図であり、図１９は図１８に示した
コンタクトホールをラビング方向と関連させて示す図面
である。
表示装置を示す断面図であり、図１９は図１８に示した
コンタクトホールをラビング方向と関連させて示す図面
である。
【００６６】図１８に示すように、ＴＦＴ１２０が形成
された第１基板１１０上には、ドレーン電極１２６を露
出させるためのコンタクトホール１８５と、凹部１８７
ａ及び凸部１８７ｂからなる凹凸１８７とが形成された
有機絶縁膜１８０が形成される。コンタクトホール１８
５は、互いに向き合う第１及び第２側壁からなる側壁部
１８１により定義される。
された第１基板１１０上には、ドレーン電極１２６を露
出させるためのコンタクトホール１８５と、凹部１８７
ａ及び凸部１８７ｂからなる凹凸１８７とが形成された
有機絶縁膜１８０が形成される。コンタクトホール１８
５は、互いに向き合う第１及び第２側壁からなる側壁部
１８１により定義される。
【００６７】具体的には、側壁部１８１は、第１基板１
１０から第１傾斜角（θ1）で傾いた複数の第１傾斜面
１８１ａ及び複数の第１傾斜面１８１ａを連結する第１
フラット面１８１ｂにより形成された階段形状を有する
第１側壁を含む。また、側壁部１８１は、第１傾斜面１
８１ａと向き合い、第１傾斜角（θ1）で傾いた複数の
第２傾斜面１８１ｃ及び複数の第２傾斜面１８１ｃを連
結する第２フラット面１８１ｄにより形成された階段形
状を有する第２側壁を含む。ここで、第１傾斜角
（θ1）は３０°以下であることが望ましい。
１０から第１傾斜角（θ1）で傾いた複数の第１傾斜面
１８１ａ及び複数の第１傾斜面１８１ａを連結する第１
フラット面１８１ｂにより形成された階段形状を有する
第１側壁を含む。また、側壁部１８１は、第１傾斜面１
８１ａと向き合い、第１傾斜角（θ1）で傾いた複数の
第２傾斜面１８１ｃ及び複数の第２傾斜面１８１ｃを連
結する第２フラット面１８１ｄにより形成された階段形
状を有する第２側壁を含む。ここで、第１傾斜角
（θ1）は３０°以下であることが望ましい。
【００６８】図１８及び図１９に示したように、有機絶
縁膜１８０上には第１方向Ｄ１にラビング処理された第
１配向膜５０が形成される。具体的には、第１方向Ｄ１
は第１傾斜面１８１ａから第２傾斜面１８１ｃに向かう
方向であり、第１配向膜１５０は、第１傾斜面１８１ａ
及び第２傾斜面１８１ｃを経てラビング処理される。従
って、側壁部１８１上で液晶をより均一に配向させるこ
とができる。
縁膜１８０上には第１方向Ｄ１にラビング処理された第
１配向膜５０が形成される。具体的には、第１方向Ｄ１
は第１傾斜面１８１ａから第２傾斜面１８１ｃに向かう
方向であり、第１配向膜１５０は、第１傾斜面１８１ａ
及び第２傾斜面１８１ｃを経てラビング処理される。従
って、側壁部１８１上で液晶をより均一に配向させるこ
とができる。
【００６９】また、第１傾斜面１８１ａ間に備えられた
第１フラット面１８１ｂ及び第２傾斜面１８１ｃ間に備
えられた第２フラット面１８１ｄにより、側壁部１８１
で液晶をより均一に配向させることができる。
第１フラット面１８１ｂ及び第２傾斜面１８１ｃ間に備
えられた第２フラット面１８１ｄにより、側壁部１８１
で液晶をより均一に配向させることができる。
【００７０】以上、本発明の実施例によって詳細に説明
したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技
術分野において通常の知識を有するものであれば本発明
の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変
更できるであろう。
したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技
術分野において通常の知識を有するものであれば本発明
の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変
更できるであろう。
【００７１】
【発明の効果】本発明の目的は、有機絶縁膜には第１基
板から傾いた一つ以上の傾斜面を有する第１側壁及び第
１側壁と向き合う第２側壁を有する側壁部により定義さ
れるコンタクトホールが形成され、コンタクトホール領
域において、配向膜は第１側壁から第２側壁に向かう第
１方向にラビング処理される。
板から傾いた一つ以上の傾斜面を有する第１側壁及び第
１側壁と向き合う第２側壁を有する側壁部により定義さ
れるコンタクトホールが形成され、コンタクトホール領
域において、配向膜は第１側壁から第２側壁に向かう第
１方向にラビング処理される。
【００７２】従って、コンタクトホールの側壁部で液晶
をより均一に配向させることにより、コンタクトホール
領域での光濡れ現象を防止することができる。
をより均一に配向させることにより、コンタクトホール
領域での光濡れ現象を防止することができる。
【００７３】また、このような光濡れ現象を改善するこ
とにより液晶表示装置の表示特性を向上させることがで
きる。
とにより液晶表示装置の表示特性を向上させることがで
きる。
【図１】一般的な液晶表示装置を示す断面図である。
【図２】図１に示したＴＦＴ基板に配向膜を形成する工
程を示す図面である。
程を示す図面である。
【図３】本発明の第１実施形態による液晶表示装置を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】図３に示したコンタクトホールをラビング方向
と関連させて示す図面である。
と関連させて示す図面である。
【図５】図３に示したＴＦＴ基板の製造工程を示した図
面である。
面である。
【図６】図３に示したＴＦＴ基板の製造工程を示した図
面である。
面である。
【図７】図３に示したＴＦＴ基板の製造工程を示した図
面である。
面である。
【図８】図３に示したＴＦＴ基板の製造工程を示した図
面である。
面である。
【図９】図３に示したＴＦＴ基板の製造工程を示した図
面である。
面である。
【図１０】図３に示したＴＦＴ基板の製造工程を示した
図面である。
図面である。
【図１１】本発明の第２実施形態による液晶表示装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１２】図１１に示したコンタクトホールをラビング
方向と関連させて示す図面である。
方向と関連させて示す図面である。
【図１３】本発明の第３実施形態による液晶表示装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１４】図１３に示したコンタクトホールをラビング
方向と関連させて示す図面である。
方向と関連させて示す図面である。
【図１５】図１３に示したＴＦＴ基板の製造工程を示す
図面である。
図面である。
【図１６】図１３に示したＴＦＴ基板の製造工程を示す
図面である。
図面である。
【図１７】図１３に示したＴＦＴ基板の製造工程を示す
図面である。
図面である。
【図１８】本発明の第４実施形態による液晶表示装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１９】図１８に示したコンタクトホールをラビング
方向と関連させて示した図面である。
方向と関連させて示した図面である。
１００ ＴＦＴ基板
１３０ 有機絶縁膜
１３１ 側壁部
１３５ コンタクトホール
１４０ 画素電極
２００ カラーフィルタ基板
３００ 液晶層
４００ 液晶表示装置
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H090 HA14 HC12 HC18 HD14 MA04
MA07 MB02
2H092 JA26 JA46 JB13 JB38 JB57
JB58 PA02 QA07
Claims (23)
- 【請求項１】 第１基板から第１傾斜角で傾いた一つ以
上の傾斜面を有する第１側壁及び前記第１側壁と向き合
う第２側壁からなる側壁部により定義されるコンタクト
ホールを有する絶縁膜、及び前記絶縁膜上に形成され、
前記第１側壁から前記第２側壁に向かう第１方向にラビ
ング処理された第１配向膜を有するアレイ基板と、 第２基板上に前記第１方向と異なる第２方向にラビング
処理された第２配向膜を備えるカラーフィルタ基板と、 前記アレイ基板と前記カラーフィルタ基板との間に形成
された液晶層とを含むことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記第１傾斜角は鋭角であることを特徴
とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記第１傾斜角は３０°以下であること
を特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記第２側壁は前記第１基板から前記第
１傾斜角より大きい第２傾斜角で傾いた第２傾斜面を有
することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記第２傾斜角は３０°より大きく、６
０°以下であることを特徴とする請求項４に記載の液晶
表示装置。 - 【請求項６】 前記第１側壁は前記第２側壁より先にラ
ビング処理されることを特徴とする請求項１に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項７】 前記第２側壁は前記第１基板から前記第
１傾斜角で傾いた第２傾斜面を有することを特徴とする
請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記第１側壁は前記第１基板から前記第
１傾斜角で傾いた複数の第１傾斜面及び前記複数の第１
傾斜面を連結するフラット面により階段形状を有し、 前記第２側壁は前記第１基板から前記第１傾斜角より大
きい第２傾斜角で傾いた第２傾斜面を有することを特徴
とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 前記第１側壁は前記第２側壁より先にラ
ビング処理されることを特徴とする請求項８に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項１０】 前記第１側壁は前記第１基板から前記
第１傾斜角で傾いた複数の第１傾斜面及び前記複数の第
１傾斜面を連結する第１フラット面により形成される第
１階段形状を有し、 前記第２側壁は前記第１基板から前記第１傾斜角で傾い
た複数の第２傾斜面及び前記複数の第２傾斜面を連結す
る第２フラット面により形成される第２階段形状を有す
ることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１１】 前記絶縁膜は感光性有機絶縁膜である
ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１２】 前記絶縁膜は感光性有機絶縁膜と前記
感光性有機絶縁膜上に形成された非感光性有機絶縁膜と
からなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装
置。 - 【請求項１３】 前記アレイ基板は前記絶縁膜上に形成
された凹凸部をさらに含むことを特徴とする請求項１に
記載の液晶表示装置。 - 【請求項１４】 前記凹凸部は複数の凹部と複数の凸部
とからなり、前記凹部と前記凸部は、前記第１基板に対
して相異する高さを有することを特徴とする請求項１３
に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１５】 前記第２配向膜は前記第１方向と実質
的に垂直をなす第２方向にラビング処理されることを特
徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１６】 第１基板から第１傾斜角で傾いた一つ
以上の傾斜面を有する第１側壁及び前記第１側壁と向き
合う第２側壁からなる側壁部により定義されるコンタク
トホールを有する絶縁膜及び前記絶縁膜上に形成され、
第１方向にラビング処理された第１配向膜を有するアレ
イ基板を製造する段階と、 第２基板上に前記第１方向と異なる第２方向にラビング
処理された第２配向膜を備えるカラーフィルタ基板を製
造する段階と、 前記アレイ基板及びカラーフィルタ基板を結合する段階
と、 前記アレイ基板と前記カラーフィルタ基板との間に液晶
層を形成する段階とを含むことを特徴とする液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項１７】 前記第１方向は前記第１側壁から前記
第２側壁側へ向かう方向であることを特徴とする請求項
１６に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１８】 前記アレイ基板を製造する段階は、 前記第１基板上にスイッチング素子を形成する段階と、 前記スイッチング素子が形成された前記第１基板上に前
記絶縁膜を形成する段階と、 前記絶縁膜に前記コンタクトホールを形成する段階と、 前記コンタクトホールにより露出された前記スイッチン
グ素子と前記絶縁膜との上に電極を均一な厚さで形成す
る段階と、 前記電極上に前記第１方向にラビング処理された前記第
１配向膜を形成する段階とを含むことを特徴とする請求
項１６に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１９】 前記コンタクトホールを形成する段階
は、 前記絶縁膜上に前記コンタクトホールに対応するフル露
光領域と前記側壁部に対応するスリット露光領域を有す
る第１マスクを形成する段階と、 前記第１マスクが形成された状態で前記絶縁膜を露光す
る段階と、 前記絶縁膜を現像して前記側壁部に前記一つ以上の傾斜
面を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項１８
に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２０】 前記薄膜はポリイミド薄膜を含むこと
を特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項２１】 前記アレイ基板を製造する段階は、前
記電極を塗布する段階より前に、前記絶縁膜の表面に凹
部と凸部が反復的に示される凹凸を形成する段階をさら
に含むことを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項２２】 前記凹凸を形成する段階は、 前記絶縁膜上に前記凹部と前記側壁部とに対応するハー
フ露光領域を有する第２マスクを形成する段階と、 前記第２マスクが形成された状態で前記絶縁膜を露光す
る段階と、 前記絶縁膜を現像して前記凹凸を形成するとともに、前
記側壁部に対応してフラット面を形成する段階とを含む
ことを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項２３】 前記第１傾斜角は３０°以下であるこ
とを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置の製造
方法。
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|---|---|---|---|
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| KR2002-023771 | 2002-04-30 | ||
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| KR2002-054335 | 2002-09-09 |
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|---|---|
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