CN1455291A - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种可提高显示质量的液晶显示装置及制造该装置的方法。该液晶显示装置包括具有形成在第一基底上的接触孔的绝缘层，在该第一基底上形成开关器件和第一电极，在第一电极上形成第一对准膜。接触孔由具有第一和第二侧壁的侧壁限定。第一侧壁相对第一基底成第一倾斜角，第二侧壁面对着第一侧壁。对准膜具有沿第一方向或从第一侧壁到第二侧壁对准的对准槽。这样在接触孔附近增强了磨擦力，从而提高了LCD装置的显示质量。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)装置及制造该液晶显示装置的方法，更具体地说，涉及一种可提高显示质量的LCD装置及制造该装置的方法。
背景技术
电子显示装置将从各种电子装置中输出的电子信号转换成使用者可视的光学信号。
最近，增加了对平板显示器的需求，这种显示器具有薄而轻的结构，并且使用较低的驱动电压和较低的电能。
由于LCD装置非常薄并且使用很低的电能和驱动电压，所以它广泛用作平板显示装置。
图1是普通LCD面板的剖视图，图2是表示用于在图1的TFT(薄膜晶体管)基底上形成对准层的方法的示意图。
参照图1，LCD面板90包括薄膜晶体管(TFT)基底60，面对TFT基底60的滤色基底70，以及位于TFT基底60和滤色基底70之间的液晶层80。
TFT基底60包括第一基底10、形成在第一基底10上的TFT 20、形成在具有TFT 20的第一基底10上的有机绝缘层30、形成在有机绝缘层30上的像素电极40及形成在像素电极40上的第一对准膜50。
每个TFT 20都包括门电极21、源电极25和漏电极26。利用门绝缘层22使门电极21与源电极25和漏电极26绝缘。在门绝缘层22上形成有源图案23和欧姆接触图案24，以根据施加给门电极21上的电源，通过有源图案23和欧姆接触图案24使源电极25与漏电极26电连接。源电极25和漏电极26形成在有源图案23和欧姆接触图案24上。
有机绝缘层30形成在TFT 20上。在有机绝缘层30上形成用于暴露漏电极26的接触孔35。像素电极40均匀地形成在有机绝缘层30、透过接触孔35暴露的漏电极26及接触孔35的侧壁上。第一对准膜50形成在像素电极40上，并具有多个沿预定方向或磨擦方向延伸的对准槽(图中未示出)。
滤色基底70包括第二基底71、滤色板72、共用电极73和第二对准膜74。共用电极73面向像素电极40，以与TFT基底60相对。滤色基底70与TFT基底60相互面对地配合，而液晶层80位于滤色基底70和TFT基底60之间。
液晶沿预定方向对准，以使光通过液晶层80。利用第一和第二对准膜(50，74)使液晶对准。下面将描述形成第一对准膜50的方法。
参照图2，聚酰亚胺薄膜51沉积在像素电极40上。利用磨擦工艺使薄膜51形成作为具有多个对准槽50a的第一对准膜50。具有许多摩擦绒毛56a的磨擦织物(或磨擦布)56接合在磨擦辊55的外表面上。当磨擦辊55设置在薄膜51上并沿预定方向或磨擦方向移动时，磨擦绒毛56a对薄膜51进行磨擦。因此在薄膜51上沿磨擦辊55移动的方向形成了对准槽50a。当在薄膜51上采用其它磨擦工艺时，可能不形成对准槽。
然而，沉积在接触孔35的薄膜51上可以不形成对准槽50a，这是由于接触孔35的台阶表面的存在使得接触孔35的侧壁上的对准不完整。由于液晶在靠近接触孔35附近对准不完整，所以在LCD装置的黑色模式下会产生漏光现象。这样就损害了LCD的显示质量。
发明内容
因此，本发明提供一种能提高显示质量的液晶显示装置。
本发明提供一种制造能提高显示质量的液晶显示装置的制造方法。
根据本发明的一个方面，提供了一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括：阵列基底，该阵列基底包括第一基底、具有接触孔的绝缘层和形成在绝缘层上的第一对准层，该接触孔具有第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁具有相对于第一基底成第一角的第一倾斜面，第二侧壁面对着第一侧壁，第一对准层从第一侧壁朝第二侧壁方向对准；滤色基底，包括第二基底和形成在第二基底上的第二对准层；以及位于阵列基底和滤色基底之间的液晶层。
根据本发明的第二个方面，提供了一种制造液晶显示装置的方法，包括：在阵列基底的第一基底上沉积绝缘层，形成接触孔，该接触孔具有第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁具有相对于第一基底成第一角的倾斜面，第二侧壁面对着第一侧壁，在所述绝缘层上沉积薄膜，通过沿第一方向磨擦该薄膜在绝缘层上形成第一对准层；在滤色基底的第二基底上沿第二方向形成第二对准层；使阵列基底与滤色基底配合；将液晶层设置在阵列基底和滤色基底之间。
根据这种液晶显示装置和制造该液晶显示装置的方法，绝缘层形成在第一基底上，该第一基底上形成多个开关器件，并在绝缘层上形成接触孔。接触孔由具有至少一个第一侧壁和一个第二侧壁的侧壁限定。第一侧壁相对第一基底成第一倾斜角(θ1)，第二侧壁面对着第一侧壁。沿第一方向，或从第一侧壁向第二侧壁方向对准所述对准膜。
因此，在接触孔附近磨擦力增强，从而可防止出现漏光现象。此外，还可提高LCD装置的显示质量。
附图说明
通过参照附图详细地描述了示例性的实施例，将使本发明的上述及其它优点变得更加明显，其中：
图1是常规LCD面板的剖视图；
图2是在图1的TFT基底上形成对准膜的工艺的示意图；
图3是根据本发明的第一示例性实施例的LCD面板的剖视图；
图4是关于磨擦方向的图3的接触孔的示意图；
图5A至5F是用于制造图3的TFT基底的工艺的剖视图；
图6是根据本发明的第二示例性实施例的LCD面板的剖视图；
图7是关于磨擦方向的图6的接触孔的示意图；
图8是根据本发明的第三示例性实施例的LCD面板的剖视图；
图9是关于磨擦方向的图8的接触孔的示意图；
图10A至10C用于制造图8的TFT基底的工艺的剖视图；
图11是根据本发明的第四示例性实施例的LCD面板的剖视图；
图12是关于磨擦方向的图11的接触孔的示意图。
具体实施方式
图3是根据本发明的第一示例性实施例的LCD面板的剖视图，图4是相对于磨擦方向的图3的接触孔的示意图。
参照图3，液晶显示装置的液晶显示板400包括TFT基底(或阵列基底)100、面对TFT基底100的滤色基底200和液晶层300。
TFT基底100包括第一基底110、形成在该第一基底110上的TFT 120、形成在其上构成TFT 120的第一基底110上的有机绝缘130、形成在该有机绝缘层130上的像素电极140及形成在该像素电极140上的第一对准膜150。
TFT 120包括门电极121、源电极125和漏电极126。利用门绝缘层122使门电极121与源电极125和漏电极126绝缘。有源图案123和欧姆接触图案124形成在门绝缘层122上。根据施加给门电极121的电源信号，源电极125通过有源图案123和欧姆接触图案124与漏电极126电连接。源电极125和漏电极126形成在有源图案123和欧姆接触图案124上。
有机绝缘层130形成在TFT 120上。在有机绝缘层130上形成接触孔135，以暴露漏电极126。接触孔135具有侧壁131。侧壁131包括第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁具有相对第一基底110成第一角(θ1)的第一倾斜面131a。第二侧壁面向第一侧壁。第二侧壁具有相对第一基底110成第二角(θ2)的第二倾斜面131b，并且第二角(θ2)大于第一角(θ1)。第一倾斜面131a和第二倾斜面131b基本上为曲面或平面，这取决于接触孔135的形状。
第一和第二倾角(θ1，θ2)为锐角，优选地，第一倾角(θ1)为约30°或更小，第二倾角(θ2)在约30°至约60°的范围内。
如图3和4所示，第一对准膜150具有沿第一方向(D1)对准的磨擦槽。当在第一对准膜150上采用其它磨擦工艺时，在第一对准膜150上可能不形成对准槽。图3的第一倾斜面131a和第二倾斜面131b示出沿图4的A-A’线将接触孔135剖开的情况。第一方向(D1)从第一倾斜面131a到第二倾斜面131b。例如，第一对准膜150具有沿第一方向(D1)，或从第一倾斜面131a到第二倾斜面131b对准的磨擦槽。对第一倾斜面131a进行磨擦，然后再磨擦第二倾斜面131b。这样，在接触孔135的侧壁131处可增强对准力。
像素电极140均匀地形成在漏电极126、侧壁131和有机绝缘层130上。具有沿预定方向对准的磨擦槽的第一对准膜150形成在像素电极140上。
滤色板220、共用电极230和第二对准膜240顺次形成在第二基底210上，从而形成滤色基底200。第二对准膜240具有沿大致与第一方向(D1)垂直的第二方向(D2)对准的磨擦槽。滤色基底200与TFT基底100配合，以面对TFT基底100。共用电极230面对着像素电极140。液晶层300设置在滤色基底200和TFT基底100之间。
下面将描述制造TFT基底100的方法。
图5A至5F是用于制造图3的TFT基底的方法的剖视图。
参照图5A，通过溅射工艺将第一金属(图中未示出)沉积在第一基底110上。第一金属包括铝(Al)、铬(Cr)或钨化钼(MoW)，第一基底110包括绝缘材料，如玻璃或陶瓷及类似材料。然后第一金属层用光刻工艺形成图案，从而形成门线(图中未示出)和从门线分支出的门电极121。门电极121的侧壁具有渐缩的剖面。
利用等离子强化化学气相沉积(PECVD)法将氮化硅沉积在形成门线和门电极121的第一基底110的整个表面上，以形成门绝缘层122。
利用PECVD法将有源层(图中未示出)，例如非晶硅层沉积在门绝缘层122上，然后再利用PECVD法将欧姆接触层(图中未示出)，如n+掺杂非晶硅层沉积在所述有源层上。利用现场工艺，将非晶硅层和n+掺杂非晶硅层沉积在PECVD设备腔内。然后利用光刻法顺次使欧姆接触层和有源层形成图案，从而分别在门电极121上方的门绝缘层122上形成有源图案123和欧姆接触图案124。有源图案123包括非晶硅层，欧姆接触图案124包括n+掺杂非晶硅层。
利用溅射法在所得到的结构的整个表面上沉积包括金属，如铬(Cr)的第二金属层(图中未示出)。利用光刻工艺使第二金属层形成图案，从而形成垂直于门线的数据线(图中未示出)、从数据线分支出来的源电极125和漏电极126，从而最终形成TFT 120。位于门线和数据线之间的门绝缘层122可防止门线与数据线电接触。
利用反应离子蚀刻(RIE)法将暴露于源电极125和漏电极126之间的欧姆接触图案124去除。因此，暴露在源电极125和漏电极126之间的有源图案区用作TFT(薄膜晶体管)120的通道区。
参照图5B，利用旋转涂敷法(spin coating)或狭缝涂敷法(slit coating)将绝缘层，如光敏有机绝缘层137形成在有TFT 120形成于其上的第一基底110的整个表面上。光敏有机绝缘层137包括丙烯酸树脂等，该层使源/漏电极125和126与像素电极140电绝缘。
具有与接触孔相对应的图案的掩膜137a沉积在有机绝缘层137上方，以便形成通过有机绝缘层137的接触孔135。例如，掩膜137a包括用于形成具有狭缝曝光区(A1)和全曝光区(A2)的接触孔135的区域(A)。狭缝曝光区(A1)的曝光部分的量小于全曝光区(A2)的曝光部分的量。狭缝曝光区(A1)对应于第一倾斜面131a。
例如，利用狭缝曝光工艺使对应于狭缝曝光区(A1)的有机绝缘层137曝光，并利用全曝光工艺使对应于全曝光区(A2)的有机绝缘层137曝光。
参照图5C，有机绝缘层137由包括羟化四甲基铵(TMAH，tetramethyl-ammonium hydroxide)的溶液进行显影，从而形成接触孔135。接触孔135将漏电极126暴露出来。相对于第一基底110成第一倾角(θ1)的第一倾斜面131a形成在与狭缝曝光区(A1)对应的侧壁131的一部分上。此外，第二倾斜面131b形成在与全曝光区(A2)对应的侧壁131的一部分上。
第一倾角(θ1)小于第二倾角(θ2)。例如，第一倾角(θ1)小于约30°，而第二倾角(θ2)在约30°到约60°的范围内。
参照图5D，在有机绝缘层130和接触孔135上沉积透明导电层。该透明导电层包括有导电材料，如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。利用光刻法使透明导电层形成图案，以形成像素电极140。像素电极140通过接触孔135与漏电极126相连。
参照图5E和图5F，在像素电极140上形成聚酰亚胺薄膜155。在该薄膜155上进行磨擦工艺，以形成具有多个对准槽151的第一对准膜150。
具有许多磨擦绒191a的磨擦织物(或磨擦布)191固定在磨擦辊190的外表面。当磨擦辊190定位在薄膜155上并沿预定方向或磨擦方向运动时，薄膜155被磨擦绒191a磨擦。这样就沿磨擦辊190运动的方向在薄膜155上形成对准槽151。磨擦辊190沿第一方向(D1)，或沿从第一倾斜面131a到第二倾斜面131b的方向运动并磨擦薄膜155。
参照图5F，第一倾斜面131a的坡度较缓，所以可在第一倾斜面131a上形成对准槽151。液晶180可在第一倾斜面131a附近对准，从而可防止在LCD装置的黑模式下发生漏光现象。
图6是根据本发明的第二示例性实施例的LCD面板的剖视图，图7是关于磨擦方向的图6的接触孔的示意图。
参照图6，有机绝缘层160形成在其上有TFT 120形成的第一基底110上。接触孔165形成在有机绝缘层160上，用以暴露漏电极126。接触孔165具有侧壁161。侧壁161包括第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁具有相对于第一基底110成第一倾角(θ1)的第一倾斜面161a。第二侧壁面对着第一侧壁。第二侧壁具有相对于第一基底110成第一倾角(θ1)的第二倾斜面161b。
第一倾角(θ1)是一个锐角，优选地，第一倾角(θ1)小于约30°。
如图6和图7所示，具有沿第一方向(D1)对准的磨擦槽的第一对准膜150形成在有机绝缘层160上。
图6的第一和第二倾斜面(161a，161b)示出了接触孔165沿图7的A-A’线剖开的情况。特别是，第一方向(D1)从第一倾斜面161a到第二倾斜面161b。例如，第一对准膜150具有沿第一方向(D1)或从第一倾斜面161a到第二倾斜面161b对准的磨擦槽。先对第一倾斜面161a进行磨擦，然后磨擦第二倾斜面161b。这样可增大接触孔165的侧壁161处的对准力。
下面将描述第三和第四示例性实施例，其中描述了在有机绝缘层的表面上形成的凸凹图案。在有机绝缘层的表面上形成凸凹图案的结构可采用反射式LCD装置或透射和反射式LCD装置。因此，图8至图12表示根据本发明的第三和第四示例性实施例，具有在有机绝缘层上形成凸凹图案的结构的反射式LCD装置。
图8是根据本发明的第三示例性实施例的LCD面板的剖视图，图9是关于磨擦方向的图8的接触孔的示意图。
参照图8，液晶显示装置的反射式LCD面板500包括TFT基底100、面对着该TFT基底100的滤色基底200及液晶层300。
TFT基底100包括第一基底110、形成在第一基底110上的TFT 120、形成在有TFT 120形成的第一基底110上的有机绝缘层170、形成在有机绝缘层170上的反射电极140及形成在该反射电极140上的对准膜150。多个像素在TFT基底110上以矩阵形式排布。
有机绝缘层170形成在有TFT 120形成的TFT基底110上。接触孔175形成在有机绝缘层170上，以暴露漏电极126。在有机绝缘层170的表面上形成凸凹图案177。凸凹图案177具有反复重复的成对的凹部分177a和凸部分177b。凹部分177a和凸部分177b的高度互不相同。由于在有机绝缘层170上形成凸凹图案177，所以增大了反射电极140的面积。这样便提高了反射效率，并调节了反射角，从而增大了视角。
接触孔175由侧壁171限定。侧壁171包括第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁具有多个第一倾斜面171a和平坦面171b，以形成台阶形状。每个第一倾斜面171a相对第一基底110成第一倾角(θ1)。平坦面171b形成在第一倾斜面171a之间，用于连接第一倾斜面171a。第二侧壁面向第一侧壁。第二侧壁具有相对第一基底110成第二倾斜角(θ2)的第二倾斜面171c，并且第二倾斜角(θ2)大于第一倾斜角(θ1)。第一倾斜角(θ1)是一个锐角，优选在约30°至约60°的范围内。
如图8和9所示，第一对准膜150具有沿第一方向(D1)对准的磨擦槽。图8的第一和第二倾斜面(171a，171c)示出了接触孔175沿图9的A-A’线剖开的情况。第一方向(D1)从第一倾斜面171a到第二倾斜面171c。沿第一方向(D1)或从第一倾斜面171a到第二倾斜面171c磨擦薄膜(图中未示出)而形成第一对准膜150。先对第一倾斜面171a进行磨擦，然后磨擦第二倾斜面171c。这样，侧壁171可具有平缓的坡度，可增大接触孔175的侧壁171处的对准力。
下面将详细描述TFT基底的制造方法。
图10A至10C是示出制造图8的TFT基底的工艺的剖视图。在图10A至10C中，进行两个曝光过程，以形成有机绝缘层。
参照图10A，利用旋转涂敷法或狭缝涂敷法将绝缘层，如包括丙烯酸树脂等的光敏有机绝缘层179形成在其上有TFT 120形成的第一基底110的整个表面上。光敏有机绝缘层179使数据线与反射电极140电绝缘。
使光敏有机绝缘层179曝光，以形成接触孔175。具有与接触孔175对应的图案的掩膜179a位于光敏有机绝缘层179的上方，然后使光敏有机绝缘层179曝光，以便形成接触孔175。例如，掩膜179a具有用于形成有狭缝曝光区(A1)和全曝光区(A2)的接触孔175的区域(A)。狭缝曝光区(A1)的曝光部分小于全曝光区(A2)的曝光部分。狭缝曝光区(A1)对应于侧壁171的第一倾斜面171a和第二倾斜面171c。
然后进行使光敏有机绝缘层179曝光的第二曝光过程，以在光敏有机绝缘层179上形成凸凹图案。
参照图10B，在光敏有机绝缘层179上形成第二掩膜179b，然后使所述层179曝光。第二掩膜179b具有与凸凹图案177对应的图案。例如，第二掩膜179b包括第一半曝光区(B1)和第二半曝光区(B2)。第一半曝光区(B1)与凸凹图案177的凹部分177a对应，第二半曝光区(B2)与侧壁171对应，特别是与位于第一倾斜面171a之间的平坦面171b对应。
参照图10C，光敏有机绝缘层179由包括羟化四甲基铵(TMAH)的溶液进行显影，并形成接触孔175和凸凹图案177，从而完成有机绝缘层170。接触孔175将漏电极126暴露出来。
如上所述，限定接触孔175的侧壁171对应于狭缝曝光区(A1)。侧壁171包括第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁具有第一倾斜面171a和平坦面171b，以形成台阶形状。每个第一倾斜面171a都相对第一基底110成第一倾斜角(θ1)。平坦面171b与第二半曝光区(B2)对应并形成在第一倾斜面171a之间，以连接第一倾斜面171a。第二侧壁面对着第一侧壁。第二侧壁对应于全曝光区(A2)的边缘。第二侧壁具有相对于第一基底110成第二倾斜角(θ2)的第二倾斜面171c，并且第二倾斜角(θ2)大于第一角(θ1)。第一倾斜角(θ1)小于约30°。第二倾斜角(θ2)优选地在约30°至约60°的范围内。
图11是根据本发明的第四典型实施例的LCD面板600的剖视图，图12是关于磨擦方向的图11的接触孔的示意图。
参照图11，有机绝缘层180形成在其上有TFT 120形成的TFT基底110上。接触孔185形成在有机绝缘层180上，以暴露漏电极126。凸凹图案187形成在有机绝缘层180的表面上。凸凹图案187具有反复重复的成对的凹部分187a和凸部分187b。凹部分187a和凸部分187b的高度互不相同。接触孔185由侧壁181限定。
例如，侧壁181包括第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁具有多个第一倾斜面181a和第一平坦面181b，以形成台阶形状。每个第一倾斜面181a相对第一基底110成第一倾角(θ1)。第一平坦面181b形成在第一倾斜面181a之间，用于连接第一倾斜面181a。第二侧壁面朝第一侧壁。第二侧壁具有多个第二倾斜面181c和第二平坦面181d，以形成台阶形状。每个倾斜面181c相对第一基底110成第一倾斜角(θ1)。第二平坦面181d形成在第二倾斜面181c之间，以连接第二倾斜面181c。第一倾斜角(θ1)优选小于约30°。
如图11和图12所示，第一对准膜150具有沿第一方向(D1)对准的磨擦槽。图8的第一倾斜面181a和第二倾斜面181c及第一平坦面181b和第二平坦面181d示出了接触孔185沿图12的A-A’线被剖开的情况。第一方向(D1)从第一倾斜面181a到第二倾斜面181c。第一对准膜150通过沿第一方向(D1)或从第一倾斜面181a到第二倾斜面181c磨擦薄膜(图中未示出)而形成。对第一倾斜面181a进行磨擦，然后磨擦第二倾斜面181c，并且侧壁181具有较缓的坡度。这样可在接触孔185的侧壁181处增强对准力。此外，第一平坦面181b和第二平坦面181d增大了接触孔185的侧壁181处的对准力。
上面已参照示例性实施例描述了本发明。然而很明显，根据上面的描述，许多其它的变型和改进对于领域的技术人员来说都是显而易见的。因此，本发明包括所有这些落入权利要求的精神和范围内的变型和改进。
Claims (23)
1.一种液晶显示装置，包括：
阵列基底，包括：
第一基底，
具有接触孔的绝缘层，该接触孔具有第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁具有相对于第一基底成第一角的第一倾斜面，第二侧壁面对着第一侧壁，
形成在绝缘层上的第一对准层，该第一对准层从第一侧壁朝第二侧壁方向对准；
滤色基底，包括：
第二基底，和
形成在第二基底上的第二对准层；以及
位于阵列基底和滤色基底之间的液晶层。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中第一角为锐角。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中第一角约为30°或更小。
4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中第二侧壁具有相对于第一基底成第二角的第二倾斜面，所述第二角大于所述第一角。
5.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其中第二角在约30°至约60°的范围内。
6.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中第一侧壁在摩擦第二侧壁之前被磨擦。
7.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中第二侧壁具有相对于第一基底成第一角的第二倾斜面。
8.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中第一侧壁具有多个第一倾斜面和平坦面，以形成台阶形状，每个第一倾斜面相对于第一基底成第一角，所述平坦面形成在第一倾斜面之间；及
其中第二侧壁具有相对于第一基底成第二角的第二倾斜面，并且第二角大于第一角。
9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其中第一侧壁在摩擦第二侧壁之前被磨擦。
10.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中第一侧壁具有多个第一倾斜面和第一平坦面，以形成第一台阶形状，每个第一倾斜面相对于第一基底成第一角，所述平坦面形成在第一倾斜面之间；及
其中第二侧壁具有多个第二倾斜面和第二平坦面，以形成第二台阶形状，每个第二倾斜面相对于第一基底成第一角，第二平坦面形成在第二倾斜面之间。
11.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中绝缘层包括光敏有机绝缘层。
12.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中绝缘层包括光敏有机绝缘层和非光敏有机绝缘层。
13.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中阵列基底还包括形成在绝缘层上的凸凹图案。
14.根据权利要求13所述的液晶显示装置，其中凸凹图案具有反复重复的成对的凹部分和凸部分，凹部分和凸部分的高度相互不同。
15.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中沿大致垂直于第一方向的第二方向磨擦所述第二对准层。
16.一种制造液晶显示装置的方法，包括：
在阵列基底的第一基底上沉积绝缘层；
在绝缘层中形成接触孔，该接触孔具有第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁具有相对于第一基底成第一角的第一倾斜面，第二侧壁面对着第一侧壁；
在具有接触孔的绝缘层上沉积薄膜；
通过沿第一方向磨擦该薄膜在绝缘层上形成第一对准层；
沿第二方向在滤色基底的第二基底上形成第二对准层；
使阵列基底与滤色基底配合；及
将液晶层设置在阵列基底和滤色基底之间。
17.根据权利要求16所述的制造液晶显示装置的方法，其中第一方向从第一侧壁到第二侧壁。
18.根据权利要求16所述的制造液晶显示装置的方法，还包括：
在阵列基底的第一基底上形成开关器件，其中在具有开关器件的第一基底上形成绝缘层，并利用接触孔暴露出开关器件的一部分；及
在开关器件和绝缘层上均匀地形成电极层，其中沿第一方向在该电极层上沉积并磨擦薄膜，以在电极层上形成第一对准层。
19.根据权利要求18所述的制造液晶显示装置的方法，其中在绝缘层中形成接触孔，以暴露出开关器件的一部分，所述方法包括：
在绝缘层上沉积具有全曝光区和狭缝曝光区的第一掩膜，全曝光区对应于接触孔，狭缝曝光区对应于第一和第二侧壁；
使其上沉积有第一掩膜的绝缘层曝光；及
使绝缘层显影，以在第一和第二侧壁上形成至少一个倾斜面。
20.根据权利要求19所述的制造液晶显示装置的方法，其中薄膜包括聚酰亚胺薄膜。
21.根据权利要求18所述的制造液晶显示装置的方法，还包括在形成电极层之前在绝缘层上形成凸凹图案，该凸凹图案具有反复重复的成对的凹部分和凸部分。
22.根据权利要求21所述的制造液晶显示装置的方法，其中形成所述凸凹图案包括：
在绝缘层上沉积第二掩膜，第二掩膜具有对应于第一侧壁、第二侧壁和凸凹图案的凹部分的第一半曝光区，及对应于第一和第二侧壁之间的平坦表面的第二半曝光区；
使其上沉积有第二掩膜的绝缘层曝光；及
使该绝缘层显影，以形成凸凹图案和至少一个平坦表面。
23.根据权利要求16所述的制造液晶显示装置的方法，其中第一角约为30°或更小。
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Publications (2)
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013056484A1 (zh) * | 2011-10-17 | 2013-04-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 控制液晶显示装置接触孔孔壁角度的制作方法 |
| CN104885007A (zh) * | 2012-12-27 | 2015-09-02 | 夏普株式会社 | 显示元件和显示装置 |
| WO2015192526A1 (zh) * | 2014-06-18 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法和显示装置 |
| CN106201103A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触摸屏、显示装置及其制作方法 |
| JP2018120110A (ja) * | 2017-01-26 | 2018-08-02 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置およびｔｆｔアレイ基板の製造方法 |
| CN108538856A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-09-14 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及阵列基板的制作方法 |
| CN110376778A (zh) * | 2018-04-13 | 2019-10-25 | 夏普株式会社 | 显示装置、以及显示装置的制造方法 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101009677B1 (ko) * | 2004-05-24 | 2011-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 |
| KR101116816B1 (ko) | 2004-06-05 | 2012-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101157977B1 (ko) * | 2005-11-29 | 2012-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시패널의 제조방법 |
| JP4869789B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2012-02-08 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
| JP5477612B2 (ja) * | 2008-04-17 | 2014-04-23 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置および電子機器 |
| US8953122B2 (en) * | 2009-06-18 | 2015-02-10 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device and manufacturing method for same |
| JP5507175B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2014-05-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| CN101930134B (zh) * | 2009-06-19 | 2013-08-07 | 台均科技（深圳）有限公司 | 电磁感应式液晶面板及其制造方法和液晶显示器 |
| TWI423391B (zh) * | 2010-07-08 | 2014-01-11 | Au Optronics Corp | 共通線結構與顯示面板及其製作方法 |
| US20130095431A1 (en) * | 2011-10-17 | 2013-04-18 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Fabricating method for controlling hole-wall angle of contact hole in lcd device |
| US20160048045A1 (en) * | 2012-12-27 | 2016-02-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display component, display device, and method of producing display component |
| JP6250364B2 (ja) * | 2013-11-06 | 2017-12-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| TWI571680B (zh) * | 2013-11-15 | 2017-02-21 | 群創光電股份有限公司 | 顯示面板與顯示裝置 |
| JP6208555B2 (ja) * | 2013-11-18 | 2017-10-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| TWI553881B (zh) * | 2014-06-06 | 2016-10-11 | 群創光電股份有限公司 | 薄膜電晶體基板 |
| KR102200338B1 (ko) * | 2014-10-29 | 2021-01-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 배향막 형성방법 및 이를 적용한 액정표시장치 제조방법 |
| JP6392957B2 (ja) * | 2017-09-07 | 2018-09-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| CN208937876U (zh) * | 2018-11-28 | 2019-06-04 | 北京京东方技术开发有限公司 | 显示基板、显示面板、显示装置 |
| JP6884839B2 (ja) * | 2019-10-21 | 2021-06-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
| KR20210142028A (ko) * | 2020-05-14 | 2021-11-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5249494A (en) * | 1975-10-16 | 1977-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Moisture-sensitive resistor |
| JP3332773B2 (ja) * | 1996-03-15 | 2002-10-07 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法 |
| JP3297591B2 (ja) * | 1996-04-17 | 2002-07-02 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板の製造方法並びに液晶表示装置 |
| US6057038A (en) * | 1996-08-02 | 2000-05-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for use in display element, method of manufacturing the same, and apparatus for manufacturing the same |
| TW373114B (en) * | 1996-08-05 | 1999-11-01 | Sharp Kk | Liquid crystal display device |
| JP3213242B2 (ja) * | 1996-10-23 | 2001-10-02 | シャープ株式会社 | 反射板、反射型液晶表示装置およびその製造方法 |
| US7342622B2 (en) * | 2001-10-22 | 2008-03-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display for enhancing reflection and method of manufacturing the same |
-
2003
- 2003-04-09 US US10/410,338 patent/US6876416B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-11 TW TW092108427A patent/TWI284238B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-04-16 JP JP2003111291A patent/JP4438928B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-29 CN CNB031250084A patent/CN1324369C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013056484A1 (zh) * | 2011-10-17 | 2013-04-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 控制液晶显示装置接触孔孔壁角度的制作方法 |
| CN104885007A (zh) * | 2012-12-27 | 2015-09-02 | 夏普株式会社 | 显示元件和显示装置 |
| CN104885007B (zh) * | 2012-12-27 | 2017-11-21 | 夏普株式会社 | 显示元件和显示装置 |
| US9966389B2 (en) | 2014-06-18 | 2018-05-08 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof and display device |
| WO2015192526A1 (zh) * | 2014-06-18 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法和显示装置 |
| US10310651B2 (en) | 2016-07-25 | 2019-06-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Touch screen, manufacturing method thereof and display device |
| CN106201103A (zh) * | 2016-07-25 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触摸屏、显示装置及其制作方法 |
| CN106201103B (zh) * | 2016-07-25 | 2019-09-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触摸屏、显示装置及其制作方法 |
| JP2018120110A (ja) * | 2017-01-26 | 2018-08-02 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置およびｔｆｔアレイ基板の製造方法 |
| CN108363252A (zh) * | 2017-01-26 | 2018-08-03 | 三菱电机株式会社 | 液晶显示装置及tft阵列基板的制造方法 |
| CN108363252B (zh) * | 2017-01-26 | 2021-10-15 | 三菱电机株式会社 | 液晶显示装置及tft阵列基板的制造方法 |
| CN108538856A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-09-14 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及阵列基板的制作方法 |
| WO2019184030A1 (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及阵列基板的制作方法 |
| CN108538856B (zh) * | 2018-03-30 | 2020-12-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及阵列基板的制作方法 |
| CN110376778A (zh) * | 2018-04-13 | 2019-10-25 | 夏普株式会社 | 显示装置、以及显示装置的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JP2003337338A (ja) | 2003-11-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG MONITOR CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. Effective date: 20121026 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
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Effective date of registration: 20121026 Address after: Gyeonggi Do, South Korea Patentee after: SAMSUNG DISPLAY Co.,Ltd. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Patentee before: Samsung Electronics Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220831 Address after: 9-2, Guangdong Province, Shenzhen Guangming Tang Ming Road Patentee after: TCL China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Patentee before: SAMSUNG DISPLAY Co.,Ltd. |
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20070704 |
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| CX01 | Expiry of patent term |