CN1693973A - 薄膜晶体管上滤色片型液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

薄膜晶体管上滤色片型液晶显示器件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1693973A
CN1693973A CNA2004100866852A CN200410086685A CN1693973A CN 1693973 A CN1693973 A CN 1693973A CN A2004100866852 A CNA2004100866852 A CN A2004100866852A CN 200410086685 A CN200410086685 A CN 200410086685A CN 1693973 A CN1693973 A CN 1693973A
Authority
CN
China
Prior art keywords
liquid crystal
substrate
display device
crystal display
color filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004100866852A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100383649C (zh
Inventor
李东熏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Philips LCD Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Philips LCD Co Ltd filed Critical LG Philips LCD Co Ltd
Publication of CN1693973A publication Critical patent/CN1693973A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100383649C publication Critical patent/CN100383649C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
    • G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明公开了一种液晶显示器件，该器件包括：彼此相对并分隔开的第一基板和第二基板；在所述第一基板上的栅线和数据线，彼此交叉的栅线和数据线限定出像素区；与栅线和数据线相连接的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极；覆盖源极和漏极之间的间隙的第一遮蔽层；在第一遮蔽层上的滤色片层；在滤色片层上的像素电极；在第二基板上的黑矩阵，该黑矩阵与栅线和数据线相对应；在黑矩阵上的公共电极；在公共电极上的构图衬垫料，该构图衬垫料与黑矩阵相对应；以及在像素电极和公共电极之间的液晶层。

Description

薄膜晶体管上滤色片型液晶显示器件及其制造方法
本申请要求享有2004年4月30日递交的韩国专利申请P2004-0030602的权益，该申请结合在此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器件及其制造方法，特别是涉及一种薄膜晶体管上滤色片(COT)型液晶显示(LCD)器件及其制造方法。
背景技术
通常，液晶显示(LCD)器件利用液晶分子的光学各向异性和极化特性来产生图像。当向液晶分子施加电场时，液晶分子重新排列。以此，根据重新排列后的液晶分子的排列方向，改变液晶分子的光透射比。
LCD器件包括各自电极彼此面对设置的两个基板和设置于各自电极之间的液晶层。当向电极施加电压时，在电极之间产生电场以通过液晶分子的重新排列调节液晶层的光透射比，从而显示图像。
图1所示为按照现有技术液晶显示器件的分解透视图。在图1中，液晶显示(LCD)器件11包括上基板5、下基板22以及设置于上基板5和下基板22之间的液晶层14。在上基板5上形成黑矩阵6并且在黑矩阵6上形成包括子滤色片的滤色片层8。在滤色片层8上形成公共电极18。在下基板22的像素区“P”中形成像素电极17和用作开关元件的薄膜晶体管(TFT)“T”。像素电极17由诸如氧化铟锡(ITO)和氧化锌(IZO)的透明导电材料形成。像素区“P”由栅线13和数据线15限定，而且以矩阵方式设置的TFT“T”与栅线13和数据线15连接。另外，在栅线13上形成与像素电极17并行连接的存储电容“C”。部分栅线13用作存储电容“C”的第一电极，岛状金属图案30用作存储电容“C”的第二电极，其中所述金属图案30与TFT“T”的源极和漏极位于同一层上并由相同的材料构成。因为金属图案“30”与像素电极17相连接，因此向金属图案30和像素电极17施加相同的信号。
上基板5和下基板22可以被称作滤色片基板和阵列基板。由于LCD器件11通过粘接具有滤色片层8的上基板5和具有诸如栅线13、数据线15和TFT“T”的阵列元件的下基板22而得到，因此由对准误差所引起的漏光会使LCD器件11恶化。为了克服这些问题，提出了一种在阵列基板上形成滤色片层的TFT上滤色片(COT)型液晶显示器件。
图2所示为按照现有技术的COT型LCD器件的示意性截面图。在图2中，一种COT型LCD器件40包括在像素区“P”内具有TFT“T”和滤色片层68的第一基板50、与第一基板50相对的第二基板90和位于第一基板50和第二基板90之间的液晶层80。第一基板50和第二基板90包括具有像素区“P”的显示区“DR”和围绕显示区“DR”的非显示区“NDR”。在显示区“DR”中，TFT“T”包括栅极52、有源层60、源极62和漏极64。在第一基板50上形成彼此交叉以限定像素区“P”的栅线54和数据线(未示出)。
在TFT“T”上形成包括红子滤色片68a、绿子滤色片68b和蓝子滤色片(未示出)的滤色片层68。滤色片层68与像素区“P”相对应。另外，在包括滤色片层68的第一基板50上形成黑矩阵71和遮蔽层70。黑矩阵71设置在非显示区“NDR”以围绕显示区“DR”。遮蔽层70设置在显示区“DR”中子滤色片68a和68b之间。遮蔽层70与TFT“T”的沟道区“CH”相对应。在滤色片层68上形成通过接触孔77与漏极64连接的像素电极74，以及在像素电极74上形成用于液晶分子初始排列的第一定向膜76。在第二基板90上依次形成第二定向膜94和公共电极92。
图3A到图3E所示为按照现有技术的COT型LCD器件的第一基板制造工序的示意性截面图。
在图3A中，在第一基板50的显示区“DR”中形成包括栅极52、栅绝缘层57、有源层60、源极62和漏极64的薄膜晶体管(TFT)“T”。第一基板50包括显示区“DR”和非显示区“NDR”。有源层60包括本征非晶硅层60a和掺杂杂质的非晶硅层60b。在源极62和漏极64下方的有源层60具有由本征非晶硅层60a和掺杂杂质的非晶硅层60b形成的双层结构，而在源极62和漏极64之间的沟道区“CH”中的有源层60为具有只有本征非晶硅层60a的单层结构。另外，在第一基板50的显示区“DR”中形成栅线54。在TFT“T”上形成第一钝化层66。第一钝化层66延伸到非显示区“NDR”。
在图3B中，在显示区“DR”中的第一钝化层66上形成包括红子滤色片68a、绿子滤色片68b和蓝子滤色片(未示出)的滤色片层68。通过重复地顺序涂覆和构图彩色光阻形成滤色片层68。对应于沟道区“CH”和漏极64的部分第一钝化层66被暴露出以在后续的步骤中用于遮蔽层和像素电极。
在图3C中，在包括滤色片层68的第一基板50上形成遮蔽层70和黑矩阵71。遮蔽层70和黑矩阵71由例如铬(Cr)的不透明材料或者包括碳(C)的有机材料构成。在沟道区“CH”上形成遮蔽层70以防止外部的光进入TFT“T”的沟道区“CH”。在围绕显示区“DR”的非显示区“NDR”中形成黑矩阵71，以防止在显示区“DR”的周围部分漏光。
在图3D中，在遮蔽层70和黑矩阵71上形成第二钝化层73。第二钝化层73具有贯穿第一钝化层66暴露出漏极64的漏极接触孔77。
在图3E中，通过沉积并构图透明导电材料在像素区“P”中的第二钝化层73上形成像素电极74。像素电极74通过漏极接触孔77与漏极64连接。
虽然图中未示，在第二基板上形成公共电极。在形成第一基板和第二基板后，在第一基板和第二基板中的一个的边界部分形成密封剂并且在第一基板和第二基板中的一个上喷洒衬垫料。然后，将第一基板和第二基板粘接，以形成液晶面板并向液晶面板中注入液晶材料，从而完成COT型LCD器件。
然而，在COT型LCD器件中，由于用球状衬垫料固定盒间隙，因此喷洒的球状衬垫料很不均匀而且可能聚结成团。因此，由球状衬垫料的不均匀引起的漏光可能使显示质量变差。
发明内容
本发明的优点在于提供一种液晶显示器件以及在适中制造成本情况下可以提高质量的液晶显示器件的制造方法。
通过按照本发明的独立权利要求的主旨可以实现这些优点。
因此，本发明提供了一种薄膜晶体管上滤色片型液晶显示器件及其制造方法，可以基本避免由现有技术的限制和缺点所引起的一个或多个问题。
本发明提供一种具有构图衬垫料的COT型LCD器件及其制造方法。
本发明提供一种在第二基板上形成黑矩阵和用于粘接的对准标记(alignment key)的COT型LCD器件及其制造方法。
本发明的附加优点和特征将在后面的描述中得以阐明，通过以下描述，将使它们在某种程度上显而易见，或者可通过实践本发明来认识它们。本发明的这些目的和优点可通过书面描述及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和得到。
为了实现这些和其它优点，按照本发明的目的，作为具体和广义的描述，一种液晶显示器件包括：彼此面对的第一基板和第二基板、在第一基板上的栅线和数据线，彼此交叉的栅线和数据线限定出像素区、遮蔽层、在遮蔽层上的滤色片层、在滤色片层上的像素电极、在第二基板上形成的黑矩阵、在黑矩阵上的公共电极、在公共电极上的构图衬垫料以及在像素电极和公共电极之间的液晶层。
进一步，还提供了一种液晶显示器件，包括：彼此面对的第一基板和第二基板、在第一基板上的数据线和栅线，彼此交叉的栅线和数据线限定出像素区、遮蔽层、在遮蔽层上的滤色片层、在像素区中的多个像素电极、与多个像素电极交替的多个公共电极、在第二基板上形成的构图衬垫料以及在滤色片层和第二基板之间的液晶层。
此外，还提供了一种液晶显示器件的制造方法，包括：在第一基板上形成栅线和数据线，彼此交叉的栅线和数据线限定出像素区；形成遮蔽层；在遮蔽层上形成滤色片层；在滤色片层上形成像素电极；在第二基板上形成黑矩阵；在黑矩阵上形成公共电极；在公共电极上形成构图衬垫料；粘接第一基板和第二基板，使得像素电极和公共电极彼此相对；以及在像素电极和公共电极之间形成液晶层。
此外，还提供了一种液晶显示器件的制造方法，包括：在第一基板上形成栅线和数据线，彼此交叉的栅线和数据线限定出像素区；形成遮蔽层；在遮蔽层上形成滤色片层；在像素区中形成多个像素电极；形成与多个像素电极交替的多个公共电极；在第二基板上形成构图衬垫料；粘接第一和第二基板，使得滤色片层面对第二基板；以及在滤色片层和第二基板之间形成液晶层。
此外，液晶显示器件还包括在第二基板边缘部分的对准标记，其中所述对准标记可以与黑矩阵排列在同一层上。从而提供了一种设置对准标记非常有效的方法。
此外，液晶显示器件还包括多个彼此分隔开的构图衬垫料。具有这种结构，可以得到机械稳定的结构，而且在基板之间的间隙可以维持非常均匀的值。
可以理解，前述的概括性描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，其旨在对本发明的权利要求做进一步的解释。
附图说明
所包括用于提供对本发明的进一步理解，并结合构成说明书的一部分，示出本发明的各种实施方式，而且与说明书一起用于说明本发明的原理。
在附图中：
图1所示为按照现有技术的液晶显示器件的分解透视图；
图2所示为按照现有技术的COT型LCD器件的示意性截面图；
图3A到图3E所示为按照现有技术的COT型LCD器件第一基板的制造工序的示意性截面图；
图4A所示为按照本发明第一实施例的COT型LCD器件的示意性平面图；
图4B所示为沿图4A中“IVb-IVb”线提取的示意性截面图以及按照本发明第一实施例的COT型LCD器件的边界部分的截面图；
图5A到5D所示为按照本发明第一实施例的COT型LCD器件的第一基板的制造工序的示意性截面图；
图6A到6E所示为按照本发明第一实施例的COT型LCD器件的第二基板的制造工序的示意性截面图；
图7所示为按照本发明第二实施例的COT型LCD器件的示意性截面图；
图8所示为按照本发明第二实施例的COT型LCD器件的第二基板的示意性平面图；以及
图9A到图9B所示为按照本发明第二实施例的COT型LCD器件的第二基板的制造工序的示意性截面图。
具体实施方式
现在参照附图详细说明本发明的各种优选实施例。在整个附图中，相同的参考数字指代相同或类似的部分。
图4A所示为按照本发明第一实施例的COT型LCD器件的示意性平面图，而图4B所示为沿图4A中“IVb-IVb”线提取的示意性截面图。
在图4A中，栅线114沿第一方向设置，数据线121沿与第一方向垂直的第二方向设置。栅线114和数据线121彼此交叉以限定像素区“P”。包括栅极112、有源层120、源极122和漏极124的薄膜晶体管(TFT)“T”与栅线114和数据线121相连接。形成多个构图衬垫料160以与栅线114和数据线121重叠。多个构图衬垫料具有预定的横截面积并彼此分隔开。构图的衬垫料160可以为柱状衬垫料。另外，在TFT“T”上方形成第一和第二遮蔽层128a和128b。
在图4B中，COT型LCD器件100包括第一基板110和第二基板150以及设置在第一基板110和第二基板150之间的液晶层145。第一基板110和第二基板150包括具有像素区“P”的显示区“DR1”和围绕显示区“DR1”的非显示区“NDR1”。非显示区“NDR1”对应于COT型LCD器件100的边界部分。在第一基板110的像素区“P”内形成包括栅极112、有源层120、源极122和漏极124的薄膜晶体管(TFT)“T”。在栅极112和有源层120之间形成栅绝缘层117。栅绝缘层117延伸到非显示区“NDR1”。在TFT“T”上方的钝化层126上形成第一遮蔽层128a和第二遮蔽层128b。第二遮蔽层128b与漏极124接触，并且滤色片层130上的像素电极134通过接触孔132与第二遮蔽层128b相接触。
在第二基板150的非显示区“NDR1”中形成黑矩阵155和对准标记(未示出)。对准标记可以设置在第二基板150的边缘部分。可以使用对准标记作为基准粘接第一基板110和第二基板150。在包括黑矩阵155的第二基板150上形成公共电极157，以及在显示区“DR1”中的公共电极157上形成构图衬垫料160。构图衬垫料160与栅线114和/或数据线121相对应。公共电极157可以由诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电材料构成。
图5A到5D所示为按照本发明第一实施例的COT型LCD器件的第一基板的制造工序的示意性截面图。
在图5A中，在第一基板110的显示区“DR1”中形成包括栅极112、有源层120、源极122和漏极124的薄膜晶体管(TFT)“T”。有源层120包括本征非晶硅层120a和掺杂杂质的非晶硅层120b。另外，在第一基板110的显示区“DR1”中形成栅线114和数据线121。栅线114和数据线121彼此交叉以限定像素区“P”。栅极112与栅线114相连接，以及源极122与数据线相连接。在栅极112和有源层120之间形成栅绝缘层117。栅绝缘层117延伸到非显示区“NDR1”。
在图5B中，在TFT“T”上形成钝化层126。钝化层126延伸到非显示区“NDR1”。钝化层126由无机绝缘材料或者有机绝缘材料中的一种通过沉积法或者涂覆法构成。另外，钝化层126具有暴露出漏极124的第一接触孔126a。在钝化层126上通过沉积并构图不透明金属材料形成彼此分隔开的第一遮蔽层128a和第二遮蔽层128b。例如，第一和第二遮蔽层128a和128b可以采用铬(Cr)或者氧化铬(CrOx)形成。第一遮蔽层128a覆盖TFT“T”的沟道区“CH”而第二遮蔽层128b通过第一接触孔126a与漏极124接触。
在图5C中，通过对红色光阻进行包括涂覆、曝光以及显影步骤的光刻工序，在第一和第二遮蔽层128a和128b上形成红子滤色片130a。同样地，在相应的第一和第二遮蔽层128a和128b上形成绿子滤色片130b和蓝子滤色片(未示出)，从而完成滤色片层130。滤色片层130设置在显示区“DR1”中。红子滤色片130a、绿子滤色片130b和蓝子滤色片(未示出)彼此交替并重复穿过显示区。另外，滤色片层130具有暴露出第二遮蔽层128b的第二接触孔132。
在图5D中，在像素区“P”中的滤色片层130上形成像素电极134。像素电极134由诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电材料构成，并且通过第二接触孔132与第二遮蔽层128b相连接。虽然图5D中未示，在像素电极134和滤色片层130之间还形成有由有机材料构成的用作平整层的另一钝化层。
图6A到6E所示为按照本发明第一实施例的COT型LCD器件的第二基板的制造工序的示意性截面图。
在图6A中，在包括显示区“DR1”和非显示区“NDR1”的第二基板150上形成遮蔽材料层154。例如，遮蔽材料层154可由包括碳的有机材料和包括铬的金属材料中的一种构成。在遮蔽材料层154上方设置具有第一透光区“TA1”和第一遮光区“BA1”的第一掩模180。光可以透过第一透光区“TA1”但是不能透过第一遮光区“BA1”。显示区“DR1”与第一遮光区“BA1”相对应，非显示区“NDR1”与第一透光区“TA1”和第一遮光区“BA1”相对应。
遮蔽材料层154的构图方法取决于遮蔽材料层154。由有机材料构成的遮蔽材料层154通过对有机材料进行包括涂覆步骤、曝光步骤以及显影步骤的光刻工序形成。由金属材料构成的遮蔽材料层154通过对遮蔽材料层154上的光刻胶(PR)进行包括涂覆步骤、曝光步骤以及显影步骤的光刻工序以及对通过PR暴露出的遮蔽材料层154的蚀刻工序形成。例如，在图6A中，遮蔽材料层154是由包括铬的金属材料构成，并且在遮蔽层154上形成光刻胶层170。将第一掩模180设置在PR层170上方之后，通过第一掩模180对PR层170进行曝光。因此，光照射到与第一透光区“TA1”相对应的第一部分154a上，而没有照射到与第一遮光区“BA1”相对应的第二部分154b上。虽然图6A中未示，对PR层170进行显影以形成对应于第一透光区“TA1”的PR图案。
在图6B中，对图6A中的遮蔽材料层154进行蚀刻，然后剥离PR图案(未示出)，从而形成对应于第一透光区“TA1”的黑矩阵155。虽然在第一实施例中使用负型PR，但是在另一实施例中可以使用正型PR。当使用正型PR时，第一透光区“TA1”和第一遮光区“BA1”相反地设置。
此外，在围绕显示区“DR1”的非显示区“NDR1”上形成对准标记(未示出)。在接下来的粘接步骤中，第一基板110(图5D中)和第二基板150采用对准标记作为基准进行对准，并且用密封剂进行粘接。对准标记设置在第二基板150的边缘部分。
在图6C中，通过沉积诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电材料，在包括黑矩阵155和对准标记(未示出)的第二基板150上形成公共电极157。在显示区“DR1”和非显示区“NDR1”上都设置公共电极157。
在图6D中，通过涂覆诸如苯并环丁烯(BCB)、光学丙烯酸、全氟聚合物和全氟环丁烷(PFCB)等有机材料，在公共电极157上形成有机材料层159。有机材料层159的厚度约为2μm到8μm。在有机材料层159上方设置具有第二透光区“TA2”和第二遮光区“BA2”的第二掩模182，然后通过第二掩模182将光照射到有机材料层159。可以采用对准标记(未示出)作为基准使第二掩模182与第二基板150对准。
在图6E中，对有机材料层159(图6D所示的)进行显影，以在显示区“DR1”中形成对应于第二透光区“TA2”的构图衬垫料160。虽然在第一实施例中采用负型有机材料，但是在另一实施例中构图衬垫料可以采用正型有机材料。当采用正型有机材料时，第二透光区“TA2”和第二遮光区“BA2”可以相反地设置。
在通过图5A到图5D的工序制造完成第一基板110和用图6A到图6E所示的工序制造完成第二基板150后，在第一基板110和第二基板150中一个的边界部分形成密封剂(未示出)。使用对准标记(未示出)作基准将第一基板110和第二基板150对准并粘接。然后，在第一和第二基板110和150之间的间隙中填充液晶材料，并且密封注入口，以完成按照本明第一实施例的COT型LCD器件的制造。
另一方面，可以在由图6A到图6E所示的工序制造的第二基板150上用滴注法(drop-filling method)直接分配液晶材料，然后将第二基板150与通过图5A到图5D所示的工序制造的第一基板110粘接。
图7所示为按照本发明第二实施例的COT型LCD器件的示意性截面图。
在图7中，COT型LCD器件为在同一基板上形成像素电极和公共电极的共平面开关(IPS)模式。在第一基板210的显示区“DR2”中形成包括栅极212、有源层220、源极222和漏极224的薄膜晶体管(TFT)“T”。有源层220包括本征非晶硅层220a和掺杂杂质的非晶硅层220b。此外，在第一基板210上形成与栅极212相连接的栅线214和与源极222相连接的数据线221。虽然图7中未示，栅线214和数据线221彼此交叉以限定像素区“P”。在TFT“T”上形成钝化层226，以及在钝化层226上形成遮蔽层228。钝化层226可以延伸到围绕显示区“DR2”的非显示区“NDR2”。遮蔽层228覆盖TFT“T”的源极222和漏极224之间的沟道区“CH”。在显示区“DR2”中的遮蔽层228上形成包括红子滤色片230a、绿子滤色片230b和蓝子滤色片(未示出)的滤色片层230。在像素区“P”中，红子滤色片230a、绿子滤色片230b和蓝子滤色片(未示出)交替设置。虽然图7中未示，在滤色片层230还可以形成用作平整层的另一钝化层。
在像素区“P”中，交替设置公共电极215和像素电极225。公共电极215和像素电极225可以形成在同一层上或者不同的层上。例如，在第二实施例中，公共电极215与栅线214在同一层上，而像素电极225与源极222和漏极224在同一层上。此外，在另一实施例中，公共电极215和像素电极225可以由诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电材料构成。虽然图7未示，像素电极225与漏极224相连接。像素电极225和漏极224可以一体形成。当向公共电极215和像素电极225施加电压时，在公共电极215和像素电极225之间产生横向电场，而液晶分子根据横向电场重新排列。
在与第一基板210面对并分隔开的第二基板250上形成构图衬垫料260和黑矩阵263。由于在第一基板210上形成公共电极215，因此第二基板250可以包括构图衬垫料260和黑矩阵263。构图衬垫料260和黑矩阵263由相同的材料构成。构图衬垫料260设置在显示区“DR2”中而黑矩阵263设置在非显示区“NDR2”中。在第一基板210和第二基板250之间形成液晶层245。构图衬垫料260保持盒间隙，即，液晶层245的厚度。构图衬垫料260与第一基板210上的栅线214和/或者数据线221相对应。
图8所示为按照本发明第二实施例的COT型LCD器件的第二基板的示意性平面图。
在图8中，第二基板250包括具有像素区“P”的显示区“DR2”和围绕显示区“DR2”的非显示区“NDR2”。在第二基板250的显示区“DR2”中形成构图衬垫料260，以及在第二基板250的非显示区“NDR2”中形成黑矩阵层263以环绕显示区“DR2”。构图衬垫料260和黑矩阵263由相同的材料构成。在第二基板250的非显示区“NDR2”中还形成对准标记267。因此，对准标记267可以在第二基板250的边缘部分。显示区“DR2”中的构图衬垫料260包括以矩阵形排列的图案，以与第一基板210(图7中)的栅线214(图7中)和数据线221(图7中)相对应。由于构图衬垫料260由包括碳和黑色树脂的有机材料中的一种构成，因此构图衬垫料260是不透明的。构图衬垫料260的厚度约为2μm到8μm，以维持盒间隙。
对准标记267可以与构图衬垫料260和黑矩阵263同时形成。为了将第二基板250的构图衬垫料260与第一基板210(图7中)的栅线214(图7中的)和数据线221(图7中的)对准，采用对准标记267作为基准粘接第一和第二基板210和250。
图9A到图9B所示为按照本发明第二实施例的COT型LCD器件的第二基板的制造工序的示意性截面图。
在图9A中，通过涂覆包括碳或黑色树脂的有机材料，在第二基板上形成有机材料层257。有机材料层257具有与液晶层的厚度，即COT型LCD器件的盒间隙，相当的厚度。第二基板250具有显示区“DR2”和在显示区“DR2”周边的非显示区“NDR2”。在有机材料层257上方设置具有透光区“TA”和遮光区“BA”的掩模280后，透过掩模280将光照射到有机材料层257上。由于有机材料层257具有感光特性，在显影后照射部分和非照射部分中的一个会被去除掉。当有机材料层257为正型时，照射部分会被去除而非照射部分被保留下来。当有机材料层257为负型时，照射部分保留下来，而非照射部分会被去除。例如，在图9A中所示为正型有机材料层257。
在图9B中，通过对照射后的有机材料层257(图9A中)进行显影，在显示区“DR2”中形成构图衬垫料260。同时，在非显示区“NDR2”中形成黑矩阵263，即，第二基板250的边缘部分。虽然图中未示，在非显示区“NDR2”中还同时形成对准标记。构图衬垫料260、黑矩阵263和对准标记(未示出)与掩模280的遮光区“BA”(图9A)相对应。构图衬垫料260具有对应于第一基板210(图7中的)的栅线214(图7中的)和数据线221(图7中的)矩阵形式。
在接下来的工序中，在第一基板210和第二基板250中的一个的边界部分上形成密封剂(未示出)。然后，在第一基板210和第二基板250中的一个上分配液晶分子，以形成液晶层。接着，使用对准标记267作为基准，将第一基板210和第二基板250对准并粘接，从而完成按照本发明第二实施例的COT型LCD器件的制造。如图8所示，由于构图衬垫料260具有矩阵形状的单体，因此可以通过分配法形成液晶层。如果构图衬垫料260具有开口部分，则可以用注入法形成液晶层。
在按照本发明的COT型LCD器件中，由于在第二基板上形成构图衬垫料和黑矩阵，可以防止由于衬垫料聚结成团引起的漏光。因此，防止了显示质量降低。另外，通过同时形成维持盒间隙并防止漏光的构图衬垫料和黑矩阵，可以简化制造工序并且降低制造成本。
本领域普通技术人员来说显而易见的是，可在不脱离本发明的精神或范围的情况下对本发明作各种改进和变化。因此，本发明意欲覆盖落入所附权利要求的范围或其等效范围内的本发明的这些改进和变化。

Claims (47)

1、一种液晶显示器件，包括：
彼此面对的第一基板和第二基板，
在所述第一基板上的栅线和数据线，彼此交叉的所述栅线和数据线限定出像素区；
遮蔽层；
在所述遮蔽层上的滤色片层；
在所述滤色片层上的像素电极；
在所述第二基板上形成的黑矩阵；
在所述黑矩阵上的公共电极；
在所述公共电极上形成的构图衬垫料；以及
在所述像素电极和公共电极之间的液晶层。
2、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，还进一步包括与所述栅线和数据线相连接的晶体管，所述晶体管包括栅极、源极和漏极。
3、根据权利要求2所述的液晶显示器件，其特征在于，所述晶体管是薄膜晶体管。
4、根据权利要求2所述的液晶显示器件，其特征在于，所述遮蔽层覆盖所述晶体管的源极和漏极之间的空间。
5、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述构图衬垫料与所述栅线对应设置。
6、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述构图衬垫料与所述数据线对应设置。
7、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，还进一步包括在所述第二基板边缘部分上的对准标记。
8、根据权利要求7所述的液晶显示器件，其特征在于，所述对准标记与所述黑矩阵设置在同一层上。
9、根据权利要求2所述的液晶显示器件，其特征在于，还进一步包括与所述晶体管的漏极相连接的另一遮蔽层。
10、根据权利要求9所述的液晶显示器件，其特征在于，所述像素电极与所述另一遮蔽层相连接。
11、根据权利要求2所述的液晶显示器件，其特征在于，还进一步包括位于所述晶体管和遮蔽层之间的钝化层。
12、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，还进一步包括位于所述滤色片层和像素电极之间的平整层。
13、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述滤色片层包括对应于所述像素区的红子滤色片、绿子滤色片和蓝子滤色片。
14、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述构图衬垫料包括多个彼此分隔开的构图衬垫料。
15、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述黑矩阵包括含有碳和黑色树脂的有机材料中的一种。
16、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述构图衬垫料包括苯并环丁烯(BCB)、感光树脂、全氟聚合物和全氟环丁烷(PFCB)中的一种。
17、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述构图衬垫料的厚度与所述液晶层的厚度基本相同。
18、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述构图衬垫料的厚度约为2μm到8μm。
19、根据权利要求9所述的液晶显示器件，其特征在于，所述遮蔽层和另一遮蔽层由相同的材料构成。
20、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其特征在于，所述遮蔽层包括铬(Cr)和氧化铬(CrOx)中的一种。
21、根据权利要求9所述的液晶显示器件，其特征在于，所述遮蔽层和另一遮蔽层包括铬(Cr)和氧化铬(CrOx)中的一种。
22、一种液晶显示器件，包括：
彼此面对的第一基板和第二基板；
在所述第一基板上的数据线和栅线，彼此交叉的所述栅线和数据线限定出像素区；
遮蔽层；
在所述遮蔽层上的滤色片层；
在所述像素区中的多个像素电极；
与所述多个像素电极交替的多个公共电极；
在所述第二基板上形成的构图衬垫料；以及
在所述滤色片层和第二基板之间的液晶层。
23、根据权利要求21所述的液晶显示器件，其特征在于，还进一步包括与所述栅线和数据线相连接的晶体管，所述晶体管包括栅极、源极和漏极。
24、根据权利要求23所述的液晶显示器件，其特征在于，所述晶体管是薄膜晶体管。
25、根据权利要求22所述的液晶显示器件，其特征在于，所述遮蔽层覆盖所述晶体管的源极和漏极之间的空间。
26、根据权利要求21所述的液晶显示器件，其特征在于，所述构图衬垫料与所述栅线对应设置。
27、根据权利要求21所述的液晶显示器件，其特征在于，所述构图衬垫料与所述数据线对应设置。
28、根据权利要求21所述的液晶显示器件，其特征在于，还进一步包括在所述第二基板边缘部分上的对准标记。
29、根据权利要求28所述的液晶显示器件，其特征在于，所述对准标记与所述黑矩阵设置在同一层上。
30、根据权利要求21所述的液晶显示器件，其特征在于，所述多个像素电极与漏极相连接。
31、根据权利要求21所述的液晶显示器件，其特征在于，还进一步包括位于所述滤色片层和像素电极之间的平整层。
32、根据权利要求21所述的液晶显示器件，其特征在于，所述滤色片层包括对应于所述像素区的红子滤色片、绿子滤色片和蓝子滤色片。
33、根据权利要求21所述的液晶显示器件，其特征在于，所述构图衬垫料包括含有碳和黑色树脂的有机材料中的一种。
34、根据权利要求21所述的液晶显示器件，其特征在于，所述构图衬垫料的厚度与所述液晶层的厚度基本相同。
35、根据权利要求21所述的液晶显示器件，其特征在于，所述构图衬垫料厚度约为2μm到8μm。
36、根据权利要求21所述的液晶显示器件，其特征在于，所述遮蔽层包括铬(Cr)和氧化铬(CrOx)中的一种。
37、一种液晶显示器件的制造方法，包括：
在第一基板上形成栅线和数据线，彼此交叉的所述栅线和数据线限定出像素区；
形成遮蔽层；
在所述遮蔽层上形成滤色片层；
在所述滤色片层上形成像素电极；
在所述第二基板上形成黑矩阵；
在所述黑矩阵上形成公共电极；
在所述公共电极上形成构图衬垫料；
粘接所述第一基板和第二基板，使得所述像素电极和公共电极相互面对；以及
在所述像素电极和公共电极之间形成液晶层。
38、根据权利要求37所述的方法，其特征在于，还进一步包括在所述第二基板上形成对准标记的步骤，该对准标记设置于所述第二基板的边缘部分。
39、根据权利要求37所述的方法，其特征在于，所述构图衬垫料与所述栅线相对应设置。
40、根据权利要求37所述的方法，其特征在于，所述构图衬垫料与所述数据线相对应设置。
41、根据权利要求37所述的方法，其特征在于，所述形成构图衬垫料使用所述对准标记作为基准。
42、根据权利要求37所述的方法，其特征在于，所述粘接第一基板和第二基板的步骤使用所述对准标记作为基准。
43、一种液晶显示器件的制造方法，包括：
在第一基板上形成栅线和数据线，彼此交叉的所述栅线和数据线限定出像素区；
形成遮蔽层；
在所述遮蔽层上形成滤色片层；
在所述像素区中形成多个像素电极；
形成与所述多个像素电极交替的多个公共电极；
在第二基板上形成构图衬垫料；
粘接所述第一基板和第二基板，使得所述滤色片层面对第二基板；以及
在所述滤色片层和第二基板之间形成液晶层。
44、根据权利要求43所述的方法，其特征在于，还进一步包括在所述第二基板上形成对准标记的步骤，该对准标记设置在所述第二基板的边缘部分。
45、根据权利要求43所述的方法，其特征在于，所述构图衬垫料与所述栅线对应设置。
46、根据权利要求43所述的方法，其特征在于，所述构图衬垫料与所述数据线对应设置。
47、根据权利要求43所述的方法，其特征在于，所述粘接第一基板和第二基板的步骤使用所述对准标记作为基准。
CNB2004100866852A 2004-04-30 2004-12-10 薄膜晶体管上滤色片型液晶显示器件及其制造方法 Active CN100383649C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040030602 2004-04-30
KR1020040030602A KR101003829B1 (ko) 2004-04-30 2004-04-30 씨오티 구조 액정표시장치 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1693973A true CN1693973A (zh) 2005-11-09
CN100383649C CN100383649C (zh) 2008-04-23

Family

ID=35186673

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100866852A Active CN100383649C (zh) 2004-04-30 2004-12-10 薄膜晶体管上滤色片型液晶显示器件及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7586555B2 (zh)
KR (1) KR101003829B1 (zh)
CN (1) CN100383649C (zh)
DE (1) DE102004037013B4 (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101425543A (zh) * 2007-10-31 2009-05-06 三星电子株式会社 薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法
CN101666937B (zh) * 2007-04-02 2011-02-09 乐金显示有限公司 液晶显示装置的阵列基板及该阵列基板的制造方法
CN102736332A (zh) * 2012-02-22 2012-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器
WO2013026229A1 (zh) * 2011-08-19 2013-02-28 深圳市华星光电技术有限公司 Tft阵列的结构及制造方法
CN103869518A (zh) * 2012-12-13 2014-06-18 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示器的制造方法及其产品
US8759831B2 (en) 2011-08-19 2014-06-24 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Thin film transistor array structure and manufacturing method thereof
CN104122700A (zh) * 2014-05-29 2014-10-29 京东方科技集团股份有限公司 一种3d显示用基板及其制作方法、掩模板
CN104297989A (zh) * 2014-10-22 2015-01-21 京东方科技集团股份有限公司 基板、掩膜板及液晶显示装置
CN105070725A (zh) * 2015-07-21 2015-11-18 深圳市华星光电技术有限公司 一种平板显示器中的面板结构及制作方法
CN105511189A (zh) * 2016-02-16 2016-04-20 深圳市华星光电技术有限公司 Va型coa液晶显示面板
WO2017008364A1 (zh) * 2015-07-14 2017-01-19 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其阵列基板
CN113641028A (zh) * 2021-07-21 2021-11-12 郴州市晶讯光电有限公司 一种彩色液晶显示器

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7932972B2 (en) 2006-10-02 2011-04-26 Lg Display Co., Ltd. Substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same
US20090098680A1 (en) * 2007-10-15 2009-04-16 E.I. Du Pont De Nemours And Company Backplane structures for solution processed electronic devices
US8772774B2 (en) 2007-12-14 2014-07-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Backplane structures for organic light emitting electronic devices using a TFT substrate
KR101474259B1 (ko) 2008-06-18 2014-12-18 엘지디스플레이 주식회사 프로세스 키를 포함하는 표시장치 및 그 포토 얼라인 방법
JP4844767B2 (ja) * 2008-10-03 2011-12-28 ソニー株式会社 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、および電子機器
KR101542394B1 (ko) * 2008-10-28 2015-08-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그를 포함하는 액정 표시 장치
TWI483038B (zh) 2008-11-28 2015-05-01 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置
KR101557817B1 (ko) * 2008-12-15 2015-10-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
TW201044081A (en) * 2009-06-11 2010-12-16 Chi Mei Optoelectronics Corp Liquid crystal panel, application and manufacturing method thereof
KR101602635B1 (ko) * 2009-11-30 2016-03-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR101323412B1 (ko) * 2009-12-30 2013-10-29 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
US8242503B2 (en) * 2010-05-21 2012-08-14 Chimei Innolux Corporation Multi-gate thin film transistor device
KR20120036109A (ko) * 2010-10-07 2012-04-17 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
US9066090B2 (en) * 2011-09-09 2015-06-23 Lg Display Co., Ltd. Stereoscopic image display and method for manufacturing the same
KR101937771B1 (ko) * 2012-12-06 2019-01-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US10170504B2 (en) * 2013-02-22 2019-01-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Manufacturing method of TFT array substrate, TFT array substrate and display device
CN103165530B (zh) * 2013-02-22 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 Tft阵列基板及其制造方法、显示装置
KR20140137922A (ko) 2013-05-24 2014-12-03 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR102129606B1 (ko) * 2013-10-14 2020-07-03 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR102130545B1 (ko) * 2013-11-27 2020-07-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN103984147A (zh) * 2014-05-04 2014-08-13 深圳市华星光电技术有限公司 阵列面板及其制作方法
KR20150137214A (ko) * 2014-05-28 2015-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN105842929B (zh) * 2015-01-12 2020-12-29 群创光电股份有限公司 显示装置
KR102342785B1 (ko) * 2015-07-10 2021-12-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 어레이 기판
JP6700710B2 (ja) 2015-10-16 2020-05-27 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 ブラックカラムスペーサー用の感光性樹脂組成物、ブラックカラムスペーサー、液晶表示装置、ブラックカラムスペーサー用の感光性樹脂組成物の製造方法、ブラックカラムスペーサーの製造方法、および液晶表示装置の製造方法
JP2018066847A (ja) * 2016-10-19 2018-04-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
CN107045237B (zh) * 2017-02-04 2022-02-15 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法
JP7396786B2 (ja) 2017-02-24 2023-12-12 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 遮光膜用の感光性樹脂組成物、遮光膜、液晶表示装置、スペーサー機能を有する遮光膜の製造方法、および液晶表示装置の製造方法
JP7280017B2 (ja) 2017-03-31 2023-05-23 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 感光性樹脂組成物、遮光膜、液晶表示装置、および液晶表示装置の製造方法
US10663817B2 (en) 2017-11-17 2020-05-26 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate comprising a blocking element stacked on a thin film transistor and first and second shielding electrodes on a side of a data line facing away from a first substrate
CN107918234B (zh) * 2017-11-17 2020-08-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、液晶显示面板及液晶显示设备

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3307150B2 (ja) * 1995-03-20 2002-07-24 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JPH0322221U (zh) * 1989-07-14 1991-03-07
DE69332142T2 (de) * 1992-12-25 2003-03-06 Sony Corp Substrat mit aktiver Matrix
JPH08122768A (ja) * 1994-10-19 1996-05-17 Sony Corp 表示装置
JP3240858B2 (ja) * 1994-10-19 2001-12-25 ソニー株式会社 カラー表示装置
JPH09127524A (ja) * 1995-11-06 1997-05-16 Sharp Corp 液晶表示素子
US6449024B1 (en) * 1996-01-26 2002-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Inc. Liquid crystal electro-optical device utilizing a polymer with an anisotropic refractive index
JPH1039292A (ja) * 1996-07-24 1998-02-13 Toshiba Electron Eng Corp 液晶表示素子
JP4069991B2 (ja) * 1998-08-10 2008-04-02 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
TW413844B (en) * 1998-11-26 2000-12-01 Samsung Electronics Co Ltd Manufacturing methods of thin film transistor array panels for liquid crystal displays and photolithography method of thin films
JP4094759B2 (ja) * 1999-02-05 2008-06-04 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP3512665B2 (ja) * 1999-03-03 2004-03-31 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 カラー液晶パネル及びその製造方法
US6583846B1 (en) * 1999-04-14 2003-06-24 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device with spacer covered with an electrode
US6289080B1 (en) * 1999-11-22 2001-09-11 General Electric Company X-ray target
KR100603842B1 (ko) * 2000-02-18 2006-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 확인용 인식마크를 포함하는 컬러필터
KR100481593B1 (ko) * 2000-04-21 2005-04-08 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치
JP3936126B2 (ja) * 2000-08-30 2007-06-27 シャープ株式会社 透過反射両用型液晶表示装置
KR100778838B1 (ko) * 2000-12-30 2007-11-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP3750055B2 (ja) * 2001-02-28 2006-03-01 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2002350833A (ja) * 2001-05-30 2002-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
KR100803566B1 (ko) * 2001-07-25 2008-02-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
KR100811640B1 (ko) * 2001-10-18 2008-03-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치
JP2003131240A (ja) * 2001-10-29 2003-05-08 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2003161948A (ja) * 2001-11-26 2003-06-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
US7292304B2 (en) 2001-12-17 2007-11-06 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display panel and method for fabricating the same comprising a dummy column spacer to regulate a liquid crystal flow and a supplemental dummy column spacer formed substantially parallel and along the dummy column spacer
CN1189528C (zh) 2001-12-21 2005-02-16 中国科学院金属研究所 一种纳米光催化聚氨酯涂料及其制备方法
KR100855884B1 (ko) * 2001-12-24 2008-09-03 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 얼라인 키
KR20030067125A (ko) * 2002-02-07 2003-08-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 지주 스페이서 일체형 플라스틱 기판을 갖는 액정표시장치
KR100930919B1 (ko) 2003-06-30 2009-12-10 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치 및 그 제조방법
US7166383B2 (en) * 2004-12-07 2007-01-23 Astria Energi Inc. Electrode structure for stacked alkaline fuel cells

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101666937B (zh) * 2007-04-02 2011-02-09 乐金显示有限公司 液晶显示装置的阵列基板及该阵列基板的制造方法
US8183097B2 (en) 2007-10-31 2012-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin-film transistor substrate and method of manufacturing the same
CN101425543B (zh) * 2007-10-31 2013-05-08 三星显示有限公司 薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法
CN101425543A (zh) * 2007-10-31 2009-05-06 三星电子株式会社 薄膜晶体管基板和制造薄膜晶体管基板的方法
WO2013026229A1 (zh) * 2011-08-19 2013-02-28 深圳市华星光电技术有限公司 Tft阵列的结构及制造方法
US8759831B2 (en) 2011-08-19 2014-06-24 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Thin film transistor array structure and manufacturing method thereof
CN102736332B (zh) * 2012-02-22 2015-01-07 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器
CN102736332A (zh) * 2012-02-22 2012-10-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器
CN103869518B (zh) * 2012-12-13 2017-05-24 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示器的制造方法及其产品
CN103869518A (zh) * 2012-12-13 2014-06-18 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示器的制造方法及其产品
CN104122700A (zh) * 2014-05-29 2014-10-29 京东方科技集团股份有限公司 一种3d显示用基板及其制作方法、掩模板
CN104297989A (zh) * 2014-10-22 2015-01-21 京东方科技集团股份有限公司 基板、掩膜板及液晶显示装置
CN104297989B (zh) * 2014-10-22 2017-06-27 京东方科技集团股份有限公司 基板、掩膜板及液晶显示装置
US10146078B2 (en) 2015-07-14 2018-12-04 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Liquid crystal display panel and array substrate of the same
WO2017008364A1 (zh) * 2015-07-14 2017-01-19 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其阵列基板
CN105070725A (zh) * 2015-07-21 2015-11-18 深圳市华星光电技术有限公司 一种平板显示器中的面板结构及制作方法
WO2017012174A1 (zh) * 2015-07-21 2017-01-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种平板显示器中的面板结构及制作方法
US9799681B2 (en) 2015-07-21 2017-10-24 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Panel structures of flat displays and manufacturing methods
CN105511189A (zh) * 2016-02-16 2016-04-20 深圳市华星光电技术有限公司 Va型coa液晶显示面板
CN105511189B (zh) * 2016-02-16 2018-10-26 深圳市华星光电技术有限公司 Va型coa液晶显示面板
CN113641028A (zh) * 2021-07-21 2021-11-12 郴州市晶讯光电有限公司 一种彩色液晶显示器
CN113641028B (zh) * 2021-07-21 2024-04-19 湖南晶讯光电股份有限公司 一种彩色液晶显示器

Also Published As

Publication number Publication date
US7973869B2 (en) 2011-07-05
KR101003829B1 (ko) 2010-12-23
US7586555B2 (en) 2009-09-08
KR20050105579A (ko) 2005-11-04
DE102004037013B4 (de) 2009-09-24
CN100383649C (zh) 2008-04-23
US20050243235A1 (en) 2005-11-03
DE102004037013A1 (de) 2005-11-24
US20090303407A1 (en) 2009-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1693973A (zh) 薄膜晶体管上滤色片型液晶显示器件及其制造方法
CN1189776C (zh) 液晶显示器
KR100489763B1 (ko) 액정표시장치
CN1892394A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1624548A (zh) 薄膜晶体管上滤色器型液晶显示器件及其制造方法
CN1888962A (zh) 液晶显示设备及其制造方法
US20110156039A1 (en) Display apparatus and method for manufacturing the same
CN1707338A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
KR101031166B1 (ko) 액정 디스플레이 패널
CN1782838A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1794078A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1621917A (zh) 滤色器阵列基板及其制造方法
CN1716066A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1707343A (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN1797151A (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN1797150A (zh) 液晶显示器件及其制作方法
CN1514468A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN1619391A (zh) 液晶显示板及其制造方法
CN1797156A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1707341A (zh) 透反射式液晶显示器件及其制造方法
KR20170054598A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN1991544A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
US20090121232A1 (en) Array substrate, method for manufacturing the same and display panel having the same
CN1614473A (zh) 滤色器基片及其制造方法和液晶显示器
CN1991556A (zh) 用于面内切换型液晶显示器件的阵列基板及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: LG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME OR ADDRESS: LG. PHILIP LCD CO., LTD.

CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Seoul, South Kerean

Patentee after: LG Display Co., Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Patentee before: LG Philips LCD Co., Ltd.