DE102004037013A1 - Flüssigkristallanzeigevorrichtung des Farbfilter-auf-Dünnschichttransistor-Typs und Verfahren zum Herstellen derselben - Google Patents

Flüssigkristallanzeigevorrichtung des Farbfilter-auf-Dünnschichttransistor-Typs und Verfahren zum Herstellen derselben Download PDF

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Abstract

Eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung enthält: ein erstes und ein zweites Substrat, die einander gegenüberliegen und in einem Abstand voneinander vorgesehen sind; eine Gate-Leitung und eine Daten-Leitung auf dem ersten Substrat, wobei die Gate-Leitung und die Daten-Leitung zum Definieren eines Pixelbereichs einander kreuzen; einen Dünnschichttransistor, der an die Gate-Leitung und an die Daten-Leitung angeschlossen ist, wobei der Dünnschichttransistor eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode aufweist; eine erste Abschirmschicht, die einen Raum zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode bedeckt; eine Farbfilterschicht auf der Abschirmschicht; eine Pixelelektrode auf der Farbfilterschicht; eine schwarze Matrix auf dem zweiten Substrat, wobei die zweite Matrix korrespondierend zu der Gate-Leitung und zu der Daten-Leitung vorgesehen ist; eine gemeinsame Elektrode auf der schwarzen Matrix; einen strukturierten Abstandhalter auf der gemeinsamen Elektrode, wobei der strukturierte Abstandhalter korrespondierend zu der schwarzen Matrix vorgesehen ist; und eine Flüssigkristallschicht zwischen der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung und betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung, insbesondere eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD, "liquid crystal display") des Farbfilter-auf-Dünnschichttransistor ("color filter on thin film transistor", COT) Typs und ein Verfahren zum Herstellen der LCD-Vorrichtung des COT-Typs.
  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der Koreanischen Patentanmeldung mit der Nummer 2004-0030602, eingereicht am 30. April 2004, welche hiermit durch Bezugnahme für alle Zwecke in diese Anmeldung mit einbezogen wird, wie im Weiteren beschrieben wird.
  • Im Allgemeinen verwenden Flüssigkristallanzeigevorrichtungen (LCD-Vorrichtungen) optische Anisotropie- und Polarisations-Eigenschaften von Flüssigkristallmolekülen zum Erzeugen von Bildern. Wenn ein elektrisches Feld an Flüssigkristallmoleküle angelegt wird, werden die Flüssigkristallmoleküle umgeordnet. Folglich wird die Durchlässigkeit der Flüssigkristallmoleküle gemäß einer Ausrichtungsrichtung der umgeordneten Flüssigkristallroleküle verändert.
  • Die LCD-Vorrichtung enthält zwei Substrate, die derart angeordnet sind, dass ihre jeweiligen Elektroden einander gegenüberliegen, und eine Flüssigkristallschicht ist zwischen den jeweiligen Elektroden angeordnet. Wenn eine elektrische Spannung an die Elektroden angelegt wird, wird ein elektrisches Feld zwischen den Elektroden erzeugt, zum Modulieren der Lichtdurchlässigkeit der Flüssigkristallschicht mittels Umordnens von Flüssigkristallmolekülen, dadurch werden Bilder angezeigt.
  • 1 ist eine perspektivische Explosionsansicht einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß dem Stand der Technik. In 1 enthält eine Flüssigkristallvorrichtung (LCD-Vorrichtung) 11 ein oberes Substrat 5, ein unteres Substrat 22 und eine Flüssigkristallschicht 14, die zwischen dem oberen Substrat 5 und dem unteren Substrat 22 angeordnet ist. Eine schwarze Matrix 6 ist auf dem oberen Substrat 5 gebildet, und eine Farbfilterschicht 8, die Sub-Farbfilter enthält, ist an der schwarzen Matrix 6 gebildet. Eine gemeinsame Elektrode 18 ist auf der Farbfilterschicht 8 gebildet. Eine Pixelelektrode 17 und ein Dünnschichttransistor (TFT) "T" als ein Schaltelement sind auf dem unteren Substrat 22 in einem Pixelbereich "P" gebildet. Die Pixelelektrode 17 ist aus einem transparenten leitfähigen Material wie zum Beispiel Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) gebildet. Der Pixelbereich "P" ist mittels einer Gate-Leitung 13 und einer Daten-Leitung 15 gebildet, und der TFT "T", der in einer Matrix angeordnet ist, ist an die Gate-Leitung 13 und an die Daten-Leitung 15 angeschlossen. Zusätzlich ist ein Speicherkondensator "C", der parallel an die Pixelelektrode 17 angeschlossen ist, an der Gate-Leitung 13 gebildet. Ein Abschnitt der Gate-Leitung 13 wird als eine erste Elektrode des Speicherkondensators "C" verwendet, und eine Metallstruktur 30 von inselförmiger Gestalt, welche aus derselben Schicht und aus demselben Material wie die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des TFT "T" gebildet ist, wird als eine zweite Elektrode des Speicherkondensators "C" verwendet. Da die Metallstruktur 30 an die Pixelelektrode 17 angeschlossen ist, wird dasselbe Signal an die Metallstruktur 30 und an die pixelelektrode 17 angelegt.
  • Das obere Substrat 5 und das untere Substrat 22 können als ein Farbfiltersubstrat und als ein Arraysubstrat bezeichnet werden. Da die LCD-Vorrichtung 11 mittels Befestigens des oberen Substrats 5, das die Farbfilterschicht 8 aufweist, mit der unteren Substratschicht 22, welche Arrayelemente wie zum Beispiel die Gate-Leitung 13, die Daten-Leitung 15 und den TFT "T" aufweist, erhalten wird, kann die Funktionalität der LCD-Vorrichtung 11 infolge einer Lichtleckage verschlechtert werden, die aus einem Ausrichtungsfehler resultiert. Um diese Nachteile zu beseitigen, ist ein Farbfilter-auf-TFT (COT) Typ vorgeschlagen worden, bei dem eine Farbfilterschicht auf dem Arraysubstrat gebildet ist.
  • 2 ist eine schematische Querschnittsansicht einer LCD-Vorrichtung des COT-Typs gemäß dem Stand der Technik. In 2 enthält eine COT-Typ LCD-Vorrichtung 40 ein erstes Substrat 50 mit einem TFT "T" und einer Farbfilterschicht 68 in einem Pixelbereich "P", wobei ein zweites Substrat 90 dem ersten Substrat 50 gegenüberliegend angeordnet ist und eine Flüssigkristallschicht 80 zwischen dem ersten Substrat 50 und dem zweiten Substrat 90 angeordnet ist. Das erste Substrat 50 und das zweite Substrat 90 enthalten einen Anzeigebereich "DR" mit dem Pixelbereich "P" und einem Nichtanzeigebereich "NDR", der den Anzeigebereich "DR" umgibt. In dem Anzeigebereich "DR" enthält der TFT "T" eine Gate-Elektrode 52, eine aktive Schicht 60, eine Source-Elektrode 62 und eine Drain-Elektrode 64. Eine Gate-Leitung 54 und eine Daten-Leitung (nicht gezeigt), die einander kreuzen, um den Pixelbereich "P" zu definieren, sind auf dem ersten Substrat 50 gebildet.
  • Eine Farbfilterschicht 68, die einen Rot-Subfarbfilter 68a, einen Grün-Subfarbfilter 68b und einen Blau-Subfarbfilter (nicht gezeigt) enthält, ist auf dem TFT "T", der Gate-Leitung 54 und der Daten-Leitung (nicht gezeigt) gebildet. Die Farbfilterschicht 68 ist korrespondierend zu dem Pixelbereich "P" vorgesehen. Zusätzlich sind eine schwarze Matrix 71 und eine Abschirmschicht 70 auf dem ersten Substrat 50 gebildet, das die Farbfilterschicht 68 aufweist. Die schwarze Matrix 71 ist in dem Nichtanzeigebereich "NDR" angeordnet, um dadurch den Anzeigebereich "DR" zu umgeben. Die Abschirmschicht 70 ist zwischen den Sub-Farbfiltern 68a und 68b in dem Anzeigebereich "DR" angeordnet. Die Abschirmschicht 70 ist korrespondierend zu einem Kanalbereich "CH" des TFT "T" vorgesehen. Eine Pixelelektrode 74, die an die Drain-Elektrode 64 durch ein Kontaktloch 77 angeschlossen ist, ist über der Farbfilterschicht 68 gebildet, und ein erster Orientierungsfilm 76 ist auf der Pixelelektrode 74 für eine anfängliche Ausrichtung von Flüssigkristallmolekülen gebildet. Ein zweiter Orientierungsfilm 94 und eine gemeinsame Elektrode 92 werden sequenziell auf dem zweiten Substrat 90 gebildet.
  • 3A bis 3E sind schematische Querschnittsansichten, in denen ein Herstellungsverfahren eines ersten Substrats für eine COT-Typ LCD-Vorrichtung gemäß dem Stand der Technik gezeigt ist.
  • In 3A ist ein Dünnschichttransistor (TFT) "T" in einem Anzeigebereich "DR" auf einem ersten Substrat 50 gebildet, wobei der TFT eine Gate-Elektrode 52, eine Gate isolierende Schicht 57, eine aktive Schicht 60, eine Source-Elektrode 62 und eine Drain-Elektrode 64 enthält. Das erste Substrat 50 enthält den Anzeigebereich "DR" und eine Nichtanzeigebereich "NDR". Die aktive Schicht 60 enthält eine intrinsische amorphe Siliziumschicht 60a und eine mit Störstellen dotierte amorphe Siliziumschicht 60b. Die aktive Schicht 60 unter der Source-Elektrode 62 und der Drain-Elektrode 64 hat eine Doppelschichtstruktur aus der intrinsischen amorphen Siliziumschicht 60a und der mit Störstellen dotierten amorphen Siliziumschicht 60b, wohingegen die aktive Schicht 60 in einem Kanalbereich "CH" zwischen der Source-Elektrode 62 und der Drain-Elektrode 64 eine Einzelschichtstruktur aus der intrinsischen amorphen Siliziumschicht 60a hat. Zusätzlich ist eine Gate-Leitung 54 auf dem ersten Substrat 50 in dem Anzeigebereich "DR" gebildet. Eine erste Passivierungsschicht 66 ist auf dem TFT "T" gebildet. Die erste Passivierungsschicht 66 kann bis auf den Nichtanzeigebereich "NDR" ausgeweitet werden.
  • In 3B ist eine Farbfilterschicht 68 mit einem Rot-Subfarbfilter 68a, einem Grün-Subfarbfilter 68b und einem Blau-Subfarbfilter (nicht gezeigt) auf der ersten Passivierungsschicht 66 in dem Anzeigebereich "DR" gebildet. Die Farbfilterschicht 68 ist mittels Wiederholens sequenzieller Prozesse des Bedeckens und Strukturierens eines Farb-Resists gebildet. Abschnitte der ersten Passivierungsschicht 66, die mit dem Kanalbereich "CH" und der Drain-Elektrode 64 korrespondieren, werden für eine Abschirmschicht und für eine Pixelelektrode eines nachfolgenden Schritts freigelegt.
  • In 3C werden eine Abschirmschicht 70 und eine schwarze Matrix 71 auf dem ersten Substrat, das die Farbfilterschicht 68 enthält, gebildet. Die Abschirmschicht 70 und die schwarze Matrix 71 werden aus einem lichtundurchlässigen Material wie zum Beispiel Chrom (Cr) oder aus einem organischen Material mit Kohlenstoff (C) gebildet. Die Abschirmschicht 70 wird über den Kanalbereich "CH" gebildet, um das Einfallen von externem Licht in den Kanalbereich "CH" des TFT "T" zu vermeiden. Die schwarze Matrix 71 wird in dem Nichtanzeigebereich "NDR", der den Anzeigebereich "DR" umgibt, gebildet, zum Vermeiden von Lichtleckage in Peripherieabschnitten des Anzeigebereichs "DR".
  • In 3D wird eine zweite Passivierungsschicht 73 auf der Abschirmschicht 70 und der scharzen Matrix 71 gebildet. Die zweite Passivierungsschicht 73 hat ein Drain-Kontaktloch 77, welches die Drain-Elektrode 64 durch die erste Passivierungsschicht 66 freilegt.
  • In 3E ist eine Pixelelektrode 74 auf der zweiten Passivierungsschicht 73 in dem Pixelbereich "P" mittels Abscheidens und Strukturierens eines transparenten leitfähigen Materials gebildet. Die Pixelelektrode 74 ist an die Drain-Elektrode 64 durch das Drain-Kontaktloch 77 angeschlossen.
  • Obwohl nicht in den Figuren gezeigt, wird eine gemeinsame Elektrode auf einem zweiten Substrat gebildet. Nachdem das erste Substrat und das zweite Substrat gebildet sind, wird eine Abdichtung an einem Grenzabschnitt von einem der ersten und zweiten Substrate gebildet, und es werden Abstandhalter auf eines der ersten und zweiten Substrate aufgesprüht. Dann werden das erste Substrat und das zweite Substrat zum Bilden eines Flüssigkristallpaneels befestigt, und Flüssigkristallmaterial wird in das Flüssigkristallpaneel injiziert, dadurch wird die COT-Typ LCD-Vorrichtung fertiggestellt.
  • In der COT-Typ LCD Vorrichtung ist jedoch, da eine Zellenlücke mittels Ball-Abstandhalter ("ball spacer") aufrechterhalten wird, die Gleichmäßigkeit der aufgesprühten Ball-Abstandhalter schlecht, und die Ball-Abstandhalter können konglomerieren. Dementsprechend kann eine Anzeigequalität aufgrund von Lichtleckage verschlechtert werden, die aus der Ungleichmäßigkeit der Ball-Abstandhalter resultiert.
  • Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung bereitzustellen, mit der eine verbesserte Bildqualität erreicht ist, mit moderaten Herstellungskosten.
  • Dieses Problem wird durch die Gegenstände mit den Merkmalen gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst.
  • Die vorliegende Erfindung ist auf eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung des Farbfilter-auf-Dünnschichttransistor-Typs ("color filter on thin film transistor type liquid crystal display device") und auf ein Verfahren zum Herstellen einer LCD-Vorrichtung des COT-Typs gerichtet, die eines oder mehrere der Probleme aufgrund der Beschränkungen und Nachteile gemäß dem Stand der Technik wesentlich überwindet.
  • Ferner ist die vorliegende Erfindung darauf gerichtet, eine LCD-Vorrichtung des COT-Typs bereitzustellen, die einen strukturierten Abstandhalter enthält, und ein Verfahren zum Herstellen derselben.
  • Darüber hinaus ist die vorliegende Erfindung darauf gerichtet, eine LCD-Vorrichtung des COT-Typs bereitzustellen, bei der auf einem zweiten Substrat eine schwarze Matrix und ein Ausrichtungsschlüssel ("Alignment Key", Ausrichtungsmarkierung) zur Befestigung gebildet sind, und ein Verfahren zum Herstellen derselben.
  • Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung beschrieben und werden teilweise aus der Beschreibung offensichtlich werden oder können mittels Praktizierens der Erfindung erlernt werden. Diese und andere Vorteile der Erfindung können mittels der Struktur realisiert und erreicht werden, auf die in der schriftlichen Beschreibung und in den Patentansprüchen hiervon insbesondere hingewiesen wird, genauso wie in den beigefügten Zeichnungen.
  • Um diese und andere Vorteile zu erreichen und in Übereinstimmung mit dem Zweck der vorliegenden Erfindung, wie dargestellt und ausführlich beschrieben, ist eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung bereitgestellt, die aufweist ein erstes Substrat und ein zweites Substrat, die einander gegenüber liegen, eine Gate-Leitung und eine Daten-Leitung auf dem ersten Substrat, wobei die Gate-Leitung und die Daten-Leitung einander kreuzen, womit ein Pixelbereich definiert ist, eine Abschirmschicht, eine Farbfilterschicht auf der Abschirmschicht, eine Pixelelektrode auf der Farbfilterschicht, eine schwarze Matrix, die auf dem zweiten Substrat gebildet ist, eine gemeinsame Elektrode auf der schwarzen Matrix, einen strukturierten Abstandhalter, der auf der gemeinsamen Elektrode gebildet ist, und eine Flüssigkristallschicht zwischen der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode.
  • Ferner ist eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung bereitgestellt, die aufweist ein erstes Substrat und ein zweites Substrat, die einander gegenüber liegen, eine Gate-Leitung und eine Daten-Leitung auf dem ersten Substrat, wobei die Gate-Leitung und die Daten-Leitung einander kreuzen, womit ein Pixelbereich definiert ist, eine Abschirmschicht, eine Farbfilterschicht auf der Abschirmschicht, eine Mehrzahl von Pixelelektroden in dem Pixelbereich, eine Mehrzahl von gemeinsamen Elektroden, alternierend mit der Mehrzahl von Pixelelektroden, einen strukturierten Abstandhalter, der auf dem zweiten Substrat gebildet ist, und eine Flüssigkristallschicht zwischen der Farbfilterschicht und dem zweiten Substrat.
  • Darüber hinaus ist ein Verfahren zum Bilden einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung bereitgestellt, bei dem eine Gate-Leitung und eine Daten-Leitung auf einem ersten Substrat gebildet werden, wobei die Gate-Leitung und die Daten-Leitung einander kreuzen, womit ein Pixelbereich definiert wird, eine Abschirmschicht gebildet wird, eine Farbfilterschicht auf der Abschirmschicht gebildet wird, eine Pixelelektrode auf der Farbfilterschicht gebildet wird, eine schwarze Matrix auf einem zweiten Substrat gebildet wird, eine gemeinsame Elektrode auf der schwarzen Matrix gebildet wird, ein strukturierter Abstandhalter auf der gemeinsamen Elektrode gebildet wird, das erste Substrats an dem zweiten Substrat befestigt wird, so dass die Pixelelektrode der gemeinsamen Elektrode gegenüberliegt, und eine Flüssigkristallschicht zwischen der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode gebildet wird.
  • Ferner ist ein Verfahren zum Bilden einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung bereitgestellt, bei dem eine Gate-Leitung und eine Daten-Leitung auf einem ersten Substrat gebildet werden, wobei die Daten-Leitung und die Gate-Leitung einander kreuzen, womit ein Pixelbereich definiert wird, eine Abschirmschicht gebildet wird, eine Farbfilterschicht auf der Abschirmschicht gebildet wird, eine Mehrzahl von pixelelektroden in dem Pixelbereich gebildet werden, eine Mehrzahl von gemeinsamen Elektroden gebildet wird, alternierend mit der Mehrzahl von Pixelelektroden, ein strukturierter Abstandhalter auf einem zweiten Substrat gebildet wird, das erste Substrat an dem zweiten Substrat befestigt wird, so dass die Farbfilterschicht dem zweiten Substrat gegenüberliegt, und eine Flüssigkristallschicht zwischen der Farbfilterschicht und dem zweiten Substrat gebildet wird.
  • Ein Hauptaspekt der Erfindung kann in der Tatsache gesehen werden, dass ein Abstandshalter-Elemente der Flüssigkristallanzeigevorrichtung auf einem zweiten Substrat/auf einer gemeinsamen Elektrode als ein strukturierter Abstandshalter vorgesehen wird, das heißt ein Abstandshalter (Spacer), der mittels Strukturierens einer Schicht (zum Beispiel in einem lithographischen Verfahren gebildet werden kann. Daher kann ein Abstand zwischen den beiden Substraten sicher aufrechterhalten werden, und der Aufwand zum Bilden des Abstandshalters als ein strukturierter Abstandshalter kann reduziert werden.
  • Ferner kann die Flüssigkristallanzeigevorrichtung einen Ausrichtungsschlüssel in einem Randbereich des zweiten Substrats aufweisen, wobei der Ausrichtungsschlüssel in derselben Schicht wie die schwarze Matrix angeordnet sein kann. Dadurch ist eine sehr effiziente Methode des Bereitstellens eines Ausrichtungsschlüssels geschaffen.
  • Darüber hinaus kann die Flüssigkristallanzeigevorrichtung eine Mehrzahl von strukturierten Abstandhaltern aufweisen, die in einem Abstand voneinander angeordnet sind. Mit dieser Konfiguration kann eine mechanisch sehr stabile Struktur erhalten werden, und der Abstand bzw. Raum zwischen den Substraten is auf einem sehr konstanten Wert gehalten.
  • Es ist selbstverständlich, dass sowohl die vorangehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende ausführliche Beschreibung exemplarisch und erklärend sind, und dass beabsichtigt ist, mit ihnen eine zusätzliche Beschreibung der Erfindung, wie beansprucht, bereitzustellen.
  • Die begleitenden Zeichnungen, die zum Bereitstellen eines zusätzlichen Verständnisses der Erfindung beigefügt sind, werden in diese Beschreibung mit einbezogen und bilden einen Teil dieser Beschreibung, veranschaulichen Ausführungsbeispiele der Erfindung und dienen gemeinsam mit der Beschreibung zum Erklären der Prinzipien der Erfindung.
  • In den Zeichnungen:
  • 1 ist eine perspektivische Explosionsdarstellung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung gemäß dem Stand der Technik;
  • 2 ist eine schematische Querschnittsansicht einer LCD-Vorrichtung des COT-Typs gemäß dem Stand der Technik;
  • 3A bis 3E sind schematische Querschnittsansichten, die ein Herstellungsverfahren eines ersten Substrats für eine LCD-Vorrichtung des COT-Typs gemäß dem Stand der Technik zeigen;
  • 4A ist eine schematische Draufsicht einer LCD-Vorrichtung des COT-Typs gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 4B ist eine schematische Querschnittsansicht, die entlang einer Linie "IVb – IVb" von 4A aufgenommen ist; 4B enthält ferner einen Querschnitt korrespondierend zu einem Begrenzungsabschnitt der COT-Typ LCD Vorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 5A bis 5D sind schematische Querschnittsansichten, die ein Herstellungsverfahren eines ersten Substrats für eine LCD-Vorrichtung des COT-Typs gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigen;
  • 6 A bis 6E sind schematische Querschnittsansichten, die ein Herstellungsverfahren eines zweiten Substrats für eine LCD-Vorrichtung des COT-Typs gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigen;
  • 7 ist eine schematische Querschnittsansicht einer LCD-Vorrichtung des COT-Typs gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
  • 8 ist eine schematische Draufsicht eines zweiten Substrats für eine LCD-Vorrichtung des COT-Typs gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und
  • 9A bis 9B sind schematische Querschnittsansichten, die ein Herstellungsverfahren eines zweiten Substrats für eine LCD-Vorrichtung des COT-Typs gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • Die Darstellungen in den Figuren sind schematisch und nicht maßstäblich.
  • Im Weiteren wird ausführlich auf Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung Bezug genommen, von welcher Beispiele in den begleitenden Zeichnungen dargestellt sind. Wo es möglich ist, sind entsprechende Bezugszeichen verwendet, um ähnliche oder gleiche Teile zu bezeichnen.
  • 4A ist eine schematische Draufsicht einer LCD-Vorrichtung des COT-Typs gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, und 4B ist eine schematische Querschnittsansicht, die entlang einer Linie "IVb – IVb" von 4A aufgenommen ist.
  • In 4A ist eine Gate-Leitung 114 entlang einer ersten Richtung verlaufend angeordnet, und eine Daten-Leitung 121 ist entlang einer zweiten Richtung, senkrecht zu der ersten Richtung, verlaufend angeordnet. Die Gate-Leitung 114 und die Daten-Leitung 121 kreuzen einander, wodurch ein Pixelbereich "P" definiert ist. Ein Dünnschichttransistor (TFT) "T", der eine Gate-Elektrode 112, eine aktive Schicht 120, eine Source- Elektrode 122 und eine Drain-Elektrode 124 enthält, ist an die Gate-Leitung 114 und an die Daten-Leitung 121 angeschlossen. Eine Mehrzahl von strukturierten Abstandhaltern 160 sind überlappend mit der Gate-Leitung 114 und mit der Daten-Leitung 121 angeordnet. Die Mehrzahl von strukturierten Abstandhaltern 160 haben eine vorbestimmte Querschnittsfläche und sind in einem Abstand voneinander vorgesehen. Die strukturierten Abstandshalter können in der Gestalt eines säulenförmigen Abstandhalters realisiert sein. Zusätzlich sind eine erste Abschirmschicht 128a und eine zweite Abschirmschicht 128b über dem TFT "T" gebildet.
  • In 4B enthält eine COT-Typ LCD-Vorrichtung 100 ein erstes Substrat 110 und ein zweites Substrat 150 und eine Flüssigkristallschicht 145 zwischen dem ersten Substrat 110 und dem zweiten Substrat 150. Das erste Substrat 110 und das zweite Substrat 150 enthalten einen Anzeigebereich "DR1" mit einem Pixelbereich "P" und einen Nichtanzeigebereich "NDR1", der den Anzeigebereich "DR1" umgibt. Der Nichtanzeigebereich "NDR1" korrespondiert zu dem Begrenzungsabschnitt der COT-Typ LCD Vorrichtung 100. Ein Dünnschichttransistor (TFT) "T", der eine Gate-Elektrode 114, eine aktive Schicht 120, eine Source-Elektrode 122 und eine Drain-Elektrode 124 enthält, ist in einem Pixelbereich "P" des ersten Substrats 110 gebildet. Eine erste Abschirmschicht 128a und eine zweite Abschirmschicht 128b sind auf einer Passivierungsschicht 126 über dem TFT "T" gebildet. Die zweite Abschirmschicht 128b kontaktiert die Drain-Elektrode 124, und eine Pixelelektrode 134 auf einer Farbfilterschicht 130 kontaktiert die zweite Abschirmschicht 128b durch ein Kontaktloch 132.
  • Ein schwarze Matrix 155 und ein Ausrichtungsschlüssel ("Alignment Key", Ausrichtungsmarkierung, nicht gezeigt) sind in dem Nichtanzeigebereich "NDR1" auf dem zweiten Substrat 150 gebildet. Der Ausrichtungsschlüssel kann in einem Randbereich (bzw. in einem Eckbereich) des zweiten Substrats 150 angeordnet sein. Das erste Substrat 110 und das zweite Substrat 150 können unter Verwendung des Ausrichtungsschlüssels als eine Referenz (bzw. als ein Bezugselement) aneinander befestigt werden. Eine gemeinsame Elektrode 157 ist auf dem zweiten Substrat 150 gebildet, das die schwarze Matrix 155 enthält, und ein strukturierter Abstandhalter 160 ist auf der gemeinsamen Elektrode 157 in dem Anzeigebereich "DR1" gebildet. Der strukturierte Abstandhalter 160 kann korrespondierend zu der Gate-Leitung 114 und/oder zu der Daten-Leitung 121 vorgesehen sein. Die gemeinsame Elektrode 157 kann aus einem transparenten elektrisch leitfähigen Material wie zum Beispiel Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) gebildet werden.
  • 5A bis 5D sind schematische Querschnittsansichten, die ein Herstellungsverfahren eines ersten Substrats für eine LCD-Vorrichtung des COT-Typs gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • In 5A ist ein Dünnschichttransistor (TFT) "T", der eine Gate-Elektrode 114, eine aktive Schicht 120, eine Source-Elektrode 122 und eine Drain-Elektrode 124 enthält, auf einem ersten Substrat 110 in einem Anzeigebereich "DR1" gebildet. Die aktive Schicht 120 enthält eine intrinsische amorphe Siliziumschicht 120a und eine mit Störstellen dotierte amorphe Siliziumschicht 120b. Zusätzlich werden eine Gate-Leitung 114 und eine Daten-Leitung 121 auf dem ersten Substrat 110 in dem Anzeigebereich "DR1" gebildet. Die Gate-Leitung 114 und die Daten-Leitung 121 kreuzen einander zum Definieren des Pixelbereichs "P". Die Gate-Elektrode 112 ist an die Gate-Leitung 114 angeschlossen, und die Source-Elektrode 122 ist an die Daten-Leitung 121 angeschlossen. Eine Gate-isolierende Schicht 117 wird zwischen der Gate-Elektrode 112 und der aktiven Schicht 120 gebildet. Die Gate-isolierende Schicht 117 kann auf den Nichtanzeigebereich "NDR1" ausgeweitet werden.
  • In 5B ist eine Passivierungsschicht 126 auf dem TFT "T" gebildet. Die Passivierungsschicht 126 kann auf den Nichtanzeigebereich "NDR1" ausgeweitet werden. Die Passivierungsschicht 126 kann aus einem anorganischen isolierenden Material oder aus einem organischen isolierenden Materials mittels eines Abscheideverfahrens ("deposition method") oder eines Beschichtungsverfahrens ("coating method") gebildet werden. Zusätzlich hat die Passivierungsschicht 126 ein erstes Kontaktloch 126a, das die Drain-Elektrode 124 frei legt. Eine erste Abschirmschicht 128a und eine zweite Abschirmschicht 128b sind in einem Abstand voneinander vorgesehen und werden auf der Passivierungsschicht 126 mittels Abscheidens und Strukturierens eines lichtundurchlässigen metallischen Materials gebildet. Beispielsweise kann Chrom (Cr) oder Chromoxid (CrOx) für die erste Abschirmschicht 128a bzw. für die zweite Abschirmschicht 128b verwendet werden. Die erste Abschirmschicht 128a bedeckt einen Kanalbereich "CH" des TFT "T", und die zweite Abschirmschicht 128b ist an die Drain-Elektrode 124 durch das erste Kontaktloch 126a angeschlossen.
  • In 5C ist ein Rot-Subfarbfilter 130a auf der ersten Abschirmschicht 128a und auf der zweiten Abschirmschicht 128b mittels eines Fotolithographieverfahrens gebildet, aufweisend einen Beschichtungsschritt, einen Belichtungsschritt und einen Entwicklungsschritt eines roten Resists. In ähnlicher Weise wird ein Grün-Subfarbfilter 128b und ein Blau-Subfarbfilter (nicht gezeigt) auf den entsprechenden ersten und zweiten Abschirmschichten 128a und 128b gebildet, dadurch wird eine Farbfilterschicht 130 fertiggestellt. Die Farbfilterschicht 130 ist in dem Anzeigebereich "DR1" angeordnet. Der Rot-Subfarbfilter 128a, der Grün-Subfarbfilter 128b und der Blau-Subfarhfilter (nicht gezeigt) alternieren miteinander und werden in den Pixelbereichen "P" wiederholt. Zusätzlich hat die Farbfilterschicht 130 ein zweites Kontaktloch 132, das die zweite Abschirmschicht 128b freilegt.
  • In 5D ist eine Pixelelektrode 134 auf der Farbfilterschicht 130 in dem Pixelbereich "P" gebildet. Die Pixelelektrode 134 kann aus einem transparenten elektrisch leitfähigen Material wie beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) gebildet werden, und ist an die zweite Abschirmschicht 128b durch das zweite Kontaktloch 132 angeschlossen. Obwohl in 5D nicht gezeigt, kann ferner eine andere Passivierungsschicht aus einem organischen Material, die als eine Planarisierungsschicht fungieren kann, zwischen der Pixelelektrode 134 und der Farbfilterschicht 130 gebildet werden.
  • 6A bis 6E sind schematische Querschnittsansichten, die ein Herstellungsverfahren eines zweiten Substrats für die LCD-Vorrichtung des COT-Typs gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • In 6A ist eine Abschirmmaterialschicht 154 auf einem zweiten Substrat 150 mit einem Anzeigebereich "DR1" und mit einem Nichtanzeigebereich "NDR1" gebildet. Beispielsweise kann die Abschirmmaterialschicht 154 aus einem organischen Material, das Kohlenstoff enthält, oder aus einem metallischen Material, das Chrom (Cr) enthält, gebildet werden. Eine erste Maske 180, die einen ersten übertragbaren Bereich "TA1" und einen ersten Blockier-Bereich "BA1" hat, wird über der Abschirmmaterialschicht 154 gebildet. Licht tritt durch den ersten übertragbaren Bereich "TA1" hindurch, wohingegen Licht durch den ersten Blockier-Bereich "BA1" nicht hindurch tritt. Der Anzeigebereich "DR1" korrespondiert zu dem ersten Blockier-Bereich "BA1", und der Nichtanzeigebereich "NDR1" korrespondiert zu dem ersten übertragbaren Bereich "TA1" und zu dem ersten Blockier-Bereich "BA1".
  • Ein Verfahren zum Strukturieren der Abschirmmaterialschicht 154 kann auf der Basis des Abschirmmaterials 154 bestimmt werden. Die Abschirmmaterialschicht 154 aus einem organischen Materials kann mittels eines fotolithographischen Verfahrens gebildet werden, aufweisend einen Beschichtungsschritt, einen Belichtungsschritt und einen Entwicklungsschritt des organischen Materials. Die Abschirmmaterialschicht 154 aus einem metallischen Material kann mittels eines fotolithographischen Verfahrens gebildet werden, aufweisend einen Beschichtungsschritt, einen Belichtungsschritt und einen Entwicklungsschritt eines Fotoresists (PR) auf der Abschirmmaterialschicht 154, und mittels eines Ätzverfahrens des Abschirmmaterials der Abschirmmaterialschicht 154, die durch den PR freigelegt ist. in 6A ist zum Beispiel die Abschirmmaterialsschicht 154 aus einem metallischen Material, das Chrom (Cr) aufweist, gebildet, und eine Fotoresist (PR) Schicht 170 wird auf der Abschirmmaterialschicht 154 gebildet. Nachdem die erste Maske 180 über der PR-Schicht 170 angeordnet ist, wird die PR-Schicht 170 durch die erste Maske 180 Licht ausgesetzt. Dementsprechend wird Licht auf einen ersten Abschnitt 154a, korrespondierend zu dem ersten übertragbaren Bereich "TA1" eingestrahlt, und Licht wird nicht auf einen zweiten Abschnitt 154b korrespondierend zu dem ersten Blockier-Bereich "BA1" eingestrahlt. Obwohl in 6A nicht gezeigt, wird die PR-Schicht 170 zum Bilden eines PR Patterns korrespondierend zu dem ersten übertragbaren Bereich "TA1" entwickelt.
  • In 6B wird die Abschirmmaterialschicht 154 von 6A geätzt, und dann wird das PR Pattern (nicht gezeigt) gestrippt, dadurch wird eine schwarze Matrix 155 korrespondierend zu dem ersten übertragbaren Bereich "TA1" gebildet. Obwohl in dem ersten Ausführungsbeispiel ein PR des negativen Typs verwendet wird, kann für die schwarze Matrix 155 in einem anderen Ausführungsbeispiel ein PR des positiven Typs verwendet werden. Wenn ein PR des positiven Typs verwendet wird, sind der erste übertragbare Bereich "TA" und der erste Blockier-Bereich "BA1" entgegengesetzt angeordnet.
  • Ferner wird ein Ausrichtungsschlüssel (nicht gezeigt) in dem Nicht-Anzeigebereich "NDR1" gebildet, umgebend den Anzeigebereich "DR1". In einem nachfolgenden Befestigungsschritt werden das erste Substrat 110 (von 5D) und das zweite Substrat 150 ausgerichtet, unter Verwendung des Ausrichtungsschlüssels als eine Referenz, und unter Verwendung eines Abdichtmittels aneinander befestigt. Der Ausrichtungsschlüssel kann in einem Randbereich des zweiten Substrats 150 angeordnet sein.
  • In 6C wird eine gemeinsame Elektrode 157 auf dem zweiten Substrat 150, aufweisend die schwarze Matrix 155, und dem Ausrichtungsschlüssel (nicht gezeigt) mittels Abscheidens eines transparenten elektrisch leitfähigen Materials wie beispielsweise Indium-Zinn-Oxid (ITO) und Indium-Zink-Oxid (IZO) gebildet. Die gemeinsame Elektrode 157 kann sowohl in dem Anzeigebereich "DR1" als auch in dem Nichtanzeigebereich "NDR1" angeordnet sein.
  • In 6D wird eine organische Materialschicht 159 auf der gemeinsamen Elektrode 157 mittels Beschichtens mit einem organischen Material wie zum Beispiel Benzocyclobuten (BCB), Fotoacryl, Cytop und Perfluorcyclobuten (PFCB, "perfluorocyclobutene") gebildet. Die organische Materialschicht 159 kann eine Dicke von ungefähr 2 μm bis ungefähr 8 μm haben. Eine zweite Maske 182, die einen zweiten übertragbaren Bereich "TA2" aufweist und die einen zweiten Blockier-Bereich "BA2" aufweist, wird über der organischen Materialschicht 159 angeordnet, und dann wird Licht auf die organische Materialschicht 159 durch die zweite Maske 182 hindurch eingestrahlt. Die zweite Maske 182 kann unter Verwendung des Ausrichtungsschlüssels (nicht gezeigt) als eine Referenz zu dem zweiten Substrat 150 ausgerichtet werden.
  • In 6E ist die organische Materialschicht 159 (von 6D) entwickelt, zum Bilden eines strukturierten Abstandhalters 160 korrespondierend zu dem zweiten übertragbaren Bereich "TA2" in dem Anzeigebereich "DR1". Obwohl ein organisches Material des negativen Typs in dem ersten Ausführungsbeispiel verwendet wird, kann in einem anderen Ausführungsbeispiel für den strukturierten Spacer 160 ein organisches Material des positiven Typs verwendet werden.
  • Wenn ein organisches Material des positiven Typs verwendet wird, sind der zweite übertragbare Bereich "TA2" und der zweite Blockier-Bereich "BA2" zueinander entgegengesetzt angeordnet.
  • Nachdem das erste Substrat 110 durch ein Verfahren gemäß 5A bis 5D hergestellt ist, und das zweite Substrat 150 durch ein Verfahren gemäß 6A bis 6E hergestellt ist, wird ein Abdichtmittel (nicht gezeigt) in einem Grenzbereich von einem der ersten und zweiten Substrate 110 und 150 gebildet. Das erste Substrat 110 und das zweite Substrat 150 werden ausgerichtet und befestigt, unter Verwendung des Ausrichtungsschlüssels (nicht gezeigt) als eine Referenz. Dann wird Flüssigkristallmaterial in einen Raum zwischen dem ersten Substrat 110 und dem zweiten Substrat 150 injiziert, und ein Injektionsloch wird zum Vervollständigen einer LCD-Vorrichtung des COT-Typs gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung abgedichtet.
  • 7 ist eine schematische Querschnittsansicht einer LCD-Vorrichtung des COT-Typs gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • Andererseits können die Flüssigkristallmaterialien direkt auf dem zweiten Substrat 150 angeordnet werden, welches durch das Verfahren gemäß 6A bis 6E hergestellt wird, mittels Verwendens eines Tropfen-Füll-Verfahrens ("drop-filling method"), und dann kann das zweite Substrat 150 an dem ersten Substrat 110 befestigt werden, welches durch das Verfahren gemäß 5A bis 5D hergestellt wird.
  • In 7 hat eine LCD-Vorrichtung des COT-Typs einen InPlane-Switching (IPS) Modus, wobei eine Pixelelektrode und eine gemeinsame Elektrode auf demselben Substrat gebildet sind. Ein Dünnschichttransistor (TFT) "T", der eine Gate-Elektrode 212, eine aktive Schicht 220, eine Source-Elektrode 222 und eine Drain-Elektrode 224 aufweist, ist auf einem ersten Substrat 210 in einem Anzeigebereich "DR2" gebildet. Die aktive Schicht 220 kann eine intrinsische amorphe Siliziumschicht 120a und eine mit Störstellen dotierte amorphe Siliziumschicht 120b enthalten. Ferner wird eine Gate-Leitung 214, die an die Gate-Elektrode 212 angeschlossen ist, und eine Daten-Leitung 221, die an die Source-Elektrode 222 angeschlossen ist, auf dem ersten Substrat 110 gebildet. Obwohl in 7 nicht gezeigt, kreuzen sich die Gate-Leitung 214 und die Daten-Leitung 121 zum Definieren eines Pixelbereichs "P". Eine Passivierungsschicht 226 wird auf dem TFT "T" gebildet, und eine Abschirmschicht 228 wird auf der Passivierungsschicht 226 gebildet. Die Passivierurgsschicht 226 kann auf einen Nichtanzeigebereich "NDR2" ausgedehnt werden, der den Anzeigebereich "DP2" umgibt. Die Abschirmschicht 228 bedeckt einen Kanalbereich "CH" des TFT "T" zwischen der Source-Elektrode 222 und der Drain-Elektrode 224. Eine Farbfilterschicht 230, die einen Rot-Subfarbfilter 230a, einen Grün-Subfarbfilter 230b und einen Blau-Subfarbfilter (nicht gezeigt) enthält, ist auf der Abschirmschicht 228 in dem Nichtanzeigebereich "NDR2" gebildet. Der Rot-Subfarbfilter 230a, der Grün-Subfarbfilter 230b und der Blau-Subfarbfilter (nicht gezeigt) sind alternierend in dem Pixelbereich "P" angeordnet. Obwohl in 7 nicht gezeigt, kann ferner eine andere Passivierungsschicht, die als eine Planarisierungsschicht fungieren kann, auf der Farbfilterschicht 230 gebildet werden.
  • In dem Pixelbereich "P" sind eine gemeinsame Elektrode 215 und eine Pixelelektrode 225 alternierend angeordnet. Die gemeinsame Elektrode 215 und die Pixelelektrode 225 können aus derselben Schicht oder aus unterschiedlichen Schichten gebildet werden. Beispielsweise kann die gemeinsame Elektrode 215 dieselbe Schicht wie die Gate-Leitung 214 haben, und die Pixelelektrode 225 kann dieselbe Schicht haben wie die Source-Elektrode 222 und die Drain-Elektrode 224, in dem zweiten Ausführungsbeispiel. Ferner können in einem anderen Ausführungsbeispiel die gemeinsame Elektrode 215 und die Pixelelektrode 225 aus einem transparenten leitfähigen Material wie zum Beispiel Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO) gebildet sein. Obwohl in 7 nicht gezeigt, ist die Pixelelektrode 225 an die Drain-Elektrode 224 angeschlossen. Die Pixelelektrode 225 und die Drain-Elektrode 224 können als ein Körper gebildet werden, Wenn eine elektrische Spannung an die gemeinsame Elektrode 215 und an die Pixelelektrode 225 angelegt wird, wird ein laterales elektrisches Feld zwischen der gemeinsamen Elektrode 215 und der Pixelelektrode 225 erzeugt, und Flüssigkristallmoleküle können gemäß dem lateralen elektrischen Feld umorientiert werden.
  • Ein strukturierter Spacer 260 und eine schwarze Matrix 263 werden auf einem zweiten Substrat 250 gebildet, das dem ersten Substrat 210 gegenüberliegt und in einem Abstand davon angeordnet ist. Da die gemeinsame Elektrode 215 auf dem ersten Substrat 210 gebildet ist, kann das zweite Substrat 250 den strukturierten Abstandhalter 260 und die schwarze Matrix 263 enthalten. Der strukturierte Abstandshalter 260 und die schwarze Matrix 263 werden aus demselben Material gebildet. Der strukturierte Abstandshalter 260 ist in dem Anzeigebereich "DR2" angeordnet, und die schwarze Matrix 263 ist in dem Nichtanzeigebereich "NDR2" angeordnet. Eine Flüssigkristallschicht 245 ist zwischen dem ersten Substrat 210 und dem zweiten Substrat 250 gebildet. Der strukturierte Spacer 260 erhält eine Zellenlücke aufrecht, das heißt eine Dicke der Flüssigkristallschicht 245. Der strukturierte Abstandshalter 260 korrespondiert zu der Gate-Leitung 214 und/oder zu der Daten-Leitung 221 auf dem ersten Substrat 210. 8 ist eine schematische Draufsicht eines zweiten Substrats für eine LCD-Vorrichtung des COT-Typs gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
  • In 8 enthält ein zweites Substrat 250 einen Anzeigebereich "DR2", der einen Pixelbereich "P" enthält, und einen Nicht-Anzeigebereich "NDR2", der den Anzeigebereich "DR2" umgibt. Ein strukturierter Abstandhalter 260 ist auf dem zweiten Substrat 250 in dem Anzeigebereich "DR2" gebildet, und eine schwarze Matrix 263 ist auf dem zweiten Substrat 250 in dem Nichtanzeigebereich "NDR2" gebildet, zum Umgeben des Anzeigebereichs "DR2". Der strukturierte Abstandhalter 260 und die schwarze Matrix 263 sind aus demselben Material gebildet. Ein Ausrichtungsschlüssel 267 wird auch auf dem zweiten Substrat 250 in dem Nicht-Anzeigebereich "NDR2" gebildet. Dementsprechend kann der Ausrichtungsschlüssel 267 in einem Randbereich (oder in einem Eckbereich) des zweiten Substrats 250 angeordnet sein. Der strukturierte Abstandhalter 260 des Anzeigebereichs "DR2" kann Strukturen aufweisen, die in einer matrixartigen Gestalt angeordnet sind, in Übereinstimmung mit der Gate-Leitung 214 (von 7) und mit der Daten-Leitung 221 (von 7) des ersten Substrats 210 (von 7). Da der strukturierte Abstandhalter 260 aus einem organischen Material gebildet ist, das Kohlenstoff und ein schwarzes Harz aufweist, kann der strukturierte Abstandhalter 260 (licht)undurchlässig sein. Der strukturierte Abstandhalter 260 kann ferner eine Dicke von ungefähr 2 μm bis ungefähr 8 μm aufweisen, um einen Zellzwischenraum aufrechtzuerhalten.
  • Der Ausrichtungsschlüssel 267 kann simultan mit dem strukturierten Abstandhalter 260 und der schwarzen Matrix 263 gebildet werden. Um den strukturierten Abstandhalter 260 des zweiten Substrats 250 mit der Gate-Leitung 214 (von 7) und der Daten-Leitung 221 (von 7) des ersten Substrats 210 (von 7) auszurichten, werden das erste und das zweite Substrat 210 und 250 unter Verwendung des Ausrichtungsschlüssels 267 als eine Referenz befestigt.
  • 9A bis 9B sind schematische Querschnittsansichten, die ein Herstellungsverfahren eines zweiten Substrats für eine LCD-Vorrichtung des COT-Typs gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • In 9A kann eine organische Materialschicht 257 auf einem zweiten Substrat 250 mittels Beschichtens mit einem organischen Material gebildet werden, das Kohlenstoff und ein schwarzes Harz aufweist. Die organische Materialschicht 257 kann eine vorbestimmte Dicke entsprechend einer Dicke einer Flüssigkristallschicht haben, das heißt eines Zellzwischenraums einer LCD-Vorrichtung des COT-Typs. Das zweite Substrat 250 hat einen Anzeigebereich "DR2" und einen Nicht-Anzeigebereich "NDR2" an einer Peripherie des Anzeigebereichs "DR2". Nachdem eine Maske 280, die einen übertragbaren Bereich "TA" und einen Blockier-Bereich "BA" hat, über der organischen Materialschicht 257 angeordnet ist, wird Licht auf die organische Materialschicht 257 durch die Maske 280 eingestrahlt. Da die organische Materialschicht 257 eine fotosensitive Eigenschaft hat, wird der bestrahlte Bereich oder der nicht bestrahlte Bereich nach der Entwicklung entfernt. Wenn die organische Materialschicht 257 des positiven Typs ist, wird ein bestrahlter Bereich entfernt und ein nicht bestrahlter Bereich bleibt zurück. Wenn die organische Materialschicht 257 des negativen Typs ist, bleibt ein bestrahlter Bereich zurück und ein nicht bestrahlter Bereich wird entfernt. Zum Beispiel ist eine organische Materialschicht 257 des positiven Typs in 9A dargestellt.
  • In 9B ist ein strukturierter Abstandhalter 260 in dem Anzeigebereich "DR" mittels Entwickelns der bestrahlten organischen Materialschicht 257 (von 9A) gebildet. Gleichzeitig wird eine schwarze Matrix 263 in dem Nicht-Anzeigebereich "NDR2" gebildet, das heißt in einem Randbereich (bzw. in einem Eckbereich) des zweiten Substrats 250. Der strukturierte Abstandhalter 260, die schwarze Matrix 263 und der Ausrichtungsschlüssel (nicht gezeigt) können zu einem Blockier-Bereich "BA" der Maske 280 (von 9A) korrespondierend vorgesehen sein. Der strukturierte Abstandhalter 260 hat eine matrixförmige Gestalt, die korrespondierend zu der Gate-Leitung 214 (von 7) und zu der Daten-Leitung 221 (von 7) des ersten Substrats 210 (von 7) vorgesehen ist.
  • In einem nachfolgenden Prozess wird ein Abdichtmittel (nicht gezeigt) an einem Grenzabschnitt von einem der ersten oder zweiten Substrate 210 und 250 gebildet. Dann werden Flüssigkristallmoleküle auf das erste Substrat 210 oder auf das zweite Substrat 250 dispensiert (bzw. darauf verteilt), zum Bilden einer Flüssigkristallschicht. Als nächstes werden das erste Substrat 110 und das zweite Substrat 250 zueinander ausgerichtet und aneinander befestigt, unter Verwendung des Ausrichtungsschlüssels 267 als eine Referenz, dadurch wird eine LCD-Vorrichtung des COT-Typs gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung fertiggestellt. Wie in 8 gezeigt, da der strukturierte Abstandhalter 260 eine Matrixgestalt eines Einzelkörpers hat, kann die Flüssigkristallschicht mittels eines Dispensierverfahrens gebildet werden. Falls der strukturierte Abstandhalter 260 einen geschnittenen Abschnitt hat, kann ein Injektionsverfahren für die Flüssigkristallschicht verwendet werden.
  • In einer LCD-Vorrichtung des COT-Typs gemäß der vorliegenden Erfindung kann, da ein strukturierter Abstandhalter und eine schwarze Matrix auf dem zweiten Substrat gebildet werden, eine Lichtleckage aufgrund einer Konglomeration von Abstandhaltern vermieden werden. Folglich ist eine Verschlechterung der Anzeigequalität vermieden. Zusätzlich kann ein Herstellungsverfahren vereinfacht werden und werden die Produktionskosten reduziert, mittels simultanen Bildens eines strukturierten Abstandhalters zum Aufrechterhalten eines Zellzwischenraums und zum Vermeiden einer Lichtleckage.
  • Es wird für den Fachmann auf dem technischen Gebiet offensichtlich sein, dass zahlreiche Modifikationen und Variationen in der vorliegenden Erfindung durchgeführt werden können, ohne von dem Geist oder dem Umfang der Erfindung abzukommen. Daher ist beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung die Modifikationen und Variationen dieser Erfindung abdeckt, vorausgesetzt dass diese in den Schutzumfang der beigefügten Patentansprüche und ihrer Äquivalente fällt.

Claims (47)

  1. Eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die aufweist: ein erstes Substrat (110) und ein zweites Substrat (150), die einander gegenüber liegen; eine Gate-Leitung (114) und eine Daten-Leitung (121) auf dem ersten Substrat (110), wobei die Gate-Leitung (114) und die Daten-Leitung (121) einander kreuzen, womit ein Pixelbereich definiert ist; eine Abschirmschicht (128a); eine Farbfilterschicht (130) auf der Abschirmschicht (128a); eine Pixelelektrode (134) auf der Farbfilterschicht (130); eine schwarze Matrix (155), die auf dem zweiten Substrat (150) gebildet ist; eine gemeinsame Elektrode (157) auf der schwarzen Matrix (155); einen strukturierten Abstandhalter (160), der auf der gemeinsamen Elektrode (157) gebildet ist; und eine Flüssigkristallschicht zwischen der Pixelelektrode (134) und der gemeinsamen Elektrode (157).
  2. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 1, ferner aufweisend einen Transistor, der an die Gate-Leitung (114) und an die Daten-Leitung (121) angeschlossen ist, wobei der Transistor eine Gate-Elektrode (112), eine Source-Elektrode (122) und eine Drain-Elektrode (124) aufweist.
  3. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 2, wobei der Transistor ein Dünnschichttransistor ist.
  4. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Abschirmschicht (128a) derart angeordnet ist, dass sie einen Raum zwischen der Source-Elektrode (122) und der Drain-Elektrode (124) des Transistors abdeckt.
  5. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der strukturierte Abstandshalter (160) korrespondierend zu der Gate-Leitung (114) angeordnet ist.
  6. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der strukturierte Abstandshalter (160) korrespondierend zu der Daten-Leitung (121) angeordnet ist.
  7. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, ferner aufweisend einen Ausrichtungsschlüssel in einem Randabschnitt des zweiten Substrats (150).
  8. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 7, wobei der Ausrichtungsschlüssel in derselben Schicht wie die schwarze Matrix (155) angeordnet ist.
  9. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 8, ferner aufweisend eine zusätzliche Abschirmschicht (128b), die an die Drain-Elektrode (124) des Transistors angeschlossen ist.
  10. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 9, wobei die Pixelelektrode (134) an die zusätzliche Abschirmschicht (128b) angeschlossen ist.
  11. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 2 bis 10, ferner aufweisend eine Passivierungsschicht zwischen dem Transistor und der Abschirmschicht (128a).
  12. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, ferner aufweisend eine Planarisierungsschicht zwischen der Farbfilterschicht (130) und der Pixelelektrode (134).
  13. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei die Farbfilterschicht (130) einen Rot-Subfarbfilter (130a), einen Grün-Subfarbfilter (130b) und einen Blau-Subfarbfilter aufweist, die jeweils zu dem Pixelbereich korrespondierend vorgesehen sind.
  14. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 13, aufweisend eine Mehrzahl von strukturierten Abstandhaltern (160), die in einem Abstand voneinander angeordnet sind.
  15. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei die schwarze Matrix (155) ein organisches Material mit Kohlenstoff oder ein schwarzes Harz aufweist.
  16. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei der strukturierte Abstandhalter (160) Benzocyclobuten, Fotoacryl, Cytop oder Perfluorocyclobuten aufweist.
  17. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 16, wobei eine Dicke des strukturierten Abstandhalters (160) im Wesentlichen dieselbe ist wie eine Dicke der Flüssigkristallschicht.
  18. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 17, wobei der strukturierte Abstandhalter (160) eine Dicke von ungefähr 2 μm bis ungefähr 8 μm aufweist.
  19. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 18, wobei die Abschirmschicht (128a) und die zusätzliche Abschirmschicht (128b) aus demselben Material gebildet sind.
  20. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 9, wobei die Abschirmschicht (128a) und/oder die zusätzliche Abschirmschicht (128b) Chrom oder Chromoxid aufweist/aufweisen.
  21. Eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung, die aufweist: ein erstes Substrat (210) und ein zweites Substrat (250), die einander gegenüber liegen; eine Gate-Leitung (214) und eine Daten-Leitung (221) auf dem ersten Substrat (210), wobei die Gate-Leitung (214) und die Daten-Leitung (221) einander kreuzen, womit ein Pixelbereich definiert ist; eine Abschirmschicht (228); eine Farbfilterschicht (230) auf der Abschirmschicht (228); eine Mehrzahl von Pixelelektroden (225) in dem Pixelbereich; eine Mehrzahl von gemeinsamen Elektroden (215), alternierend mit der Mehrzahl von Pixelelektroden (225); einen strukturierten Abstandhalter (260), der auf dem zweiten Substrat (250) gebildet ist; und eine Flüssigkristallschicht zwischen der Farbfilterschicht (230) und dem zweiten Substrat (250).
  22. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 21, ferner aufweisend einen Transistor, der an die Gate-Leitung (214) und an die Daten-Leitung (221) angeschlossen ist, wobei der Transistor eine Gate-Elektrode (212), eine Source-Elektrode (222) und eine Drain-Elektrode (224) aufweist.
  23. Die Füssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 22, wobei der Transistor ein Dünnschichttransistor ist.
  24. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 22 oder 23, wobei die Abschirmschicht (228) derart angeordnet ist, dass sie einen Raum zwischen der Source-Elektrode (222) und der Drain-Elektrode (224) des Transistors abdeckt.
  25. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 24, wobei der strukturierte Abstandshalter (260) korrespondierend zu der Gate-Leitung (214) angeordnet ist.
  26. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 25, wobei der strukturierte Abstandshalter (260) korrespondierend zu der Daten-Leitung (221) angeordnet ist.
  27. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 26, ferner aufweisend einen Ausrichtungsschlüssel in einem Randabschnitt des zweiten Substrats (250).
  28. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 27, ferner aufweisend eine schwarze Matrix (263), die aus derselben Material und in derselben Schicht gebildet ist wie der strukturierte Abstandhalter (260) und die in einer Peripherie des zweiten Substrats (250) angeordnet ist.
  29. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 28, wobei der Ausrichtungsschlüssel in derselben Schicht wie die schwarze Matrix angeordnet ist.
  30. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtunq nach einem der Ansprüche 21 bis 29, wobei die Mehrzahl von Pixelelektroden (134) an die Drain-Elektrode (224) angeschlossen ist.
  31. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 30, ferner aufweisend eine Planarisierungsschicht zwischen der Farbfilterschicht (230) und der Flüssigkristallschicht.
  32. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 31, wobei die Farbfilterschicht (230) einen Rot-Subfarbfilter (230a), einen Grün-Subfarbfilter (230b) und einen Blau-Subfarbfilter aufweist, die jeweils zu dem Pixelbereich korrespondierend vorgesehen sind.
  33. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 32, wobei der strukturierte Abstandshalter (260) ein organisches Material mit Kohlenstoff oder ein schwarzes Harz aufweist.
  34. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 33, wobei eine Dicke des strukturierten Abstandhalters (260) im Wesentlichen dieselbe ist wie eine Dicke der Flüssigkristallschicht.
  35. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 34, wobei der strukturierte Abstandhalter (260) eine Dicke von ungefähr 2 μm bis ungefähr 8 μm aufweist.
  36. Die Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 35, wobei die Abschirmschicht (228) Chrom oder Chromoxid aufweist.
  37. Ein Verfahren zum Bilden einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung, aufweisend: Bilden einer Gate-Leitung (114) und einer Daten-Leitung (121) auf einem ersten Substrat (110), wobei die Gate-Leitung (114) und die Daten-Leitung (121) einander kreuzen, womit ein Pixelbereich definiert wird; Bilden einer Abschirmschicht (128a); Bilden einer Farbfilterschicht (130) auf der Abschirmschicht (128a); Bilden einer Pixelelektrode (134) auf der Farbfilterschicht (130); Bilden einer schwarzen Matrix (155) auf einem zweiten Substrat (150); Bilden einer gemeinsamen Elektrode (157) auf der schwarzen Matrix (155); Bilden eines strukturierten Abstandhalters (160) auf der gemeinsamen Elektrode (157); Befestigen des ersten Substrats (110) an dem zweiten Substrat (150), so dass die Pixelelektrode (134) der gemeinsamen Elektrode (157) gegenüberliegt; und Bilden einer Flüssigkristallschicht zwischen der Pixelelektrode (134) und der gemeinsamen Elektrode (157).
  38. Das Verfahren nach Anspruch 37, wobei ein Ausrichtungsschlüssel auf dem zweiten Substrat (150) gebildet wird, wobei der Ausrichtungsschlüssel in einem Randbereich des zweiten Substrats (150) angeordnet wird.
  39. Das Verfahren nach Anspruch 37 oder 38, wobei der strukturierte Abstandshalter (160) korrespondierend zu der Gate-Leitung (114) angeordnet wird.
  40. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 37 bis 39, wobei der strukturierte Abstandshalter (160) korrespondierend zu der Daten-Leitung (121) angeordnet wird.
  41. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 38 bis 40, wobei bei dem Schritt des Bildens des strukturierten Abstandshalters (160) der Ausrichtungsschlüssel als eine Referenz verwendet wird.
  42. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 38 bis 41, wobei bei dem Schritt des Befestigens des ersten Substrats (110) an dem zweiten Substrat (150) der Ausrichtungsschlüssel als eine Referenz verwendet wird.
  43. Ein Verfahren zum Bilden einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung, aufweisend: Bilden einer Gate-Leitung (2l4) und einer Daten-Leitung (221) auf einem ersten Substrat (210), wobei die Daten-Leitung (221) und die Gate-Leitung (214) einander kreuzen, womit ein Pixelbereich definiert wird; Bilden einer Abschirmschicht (228); Bilden einer Farbfilterschicht (230) auf der Abschirmschicht (228); Bilden einer Mehrzahl von Pixelelektroden (225) in dem Pixelbereich; Bilden einer Mehrzahl von gemeinsamen Elektroden (215), alternierend mit der Mehrzahl von Pixelelektroden (225) ; Bilden eines strukturierten Abstandhalters (260) auf einem zweiten Substrat (250); Befestigen des ersten Substrats (210) an dem zweiten Substrat (250), so dass die Farbfilterschicht (230) dem zweiten Substrat (250) gegenüberliegt; und Bilden einer Flüssigkristallschicht zwischen der Farbfilterschicht (230) und dem zweiten Substrat (250).
  44. Das Verfahren nach Anspruch 43, ferner aufweisend den Schritt des Bildens eines Ausrichtungsschlüssels auf dem zweiten Substrat (250), wobei der Ausrichtungsschlüssel in einem Randbereich des zweiten Substrats (250) angeordnet wird.
  45. Das Verfahren nach Anspruch 43 oder 44, wobei der strukturierte Abstandshalter (260) korrespondierend zu der Gate-Leitung (214) angeordnet wird.
  46. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 43 bis 45, wobei der strukturierte Abstandshalter (260) korrespondierend zu der Daten-Leitung (221) angeordnet wird.
  47. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 43 bis 46, wobei bei dem Schritt des Befestigens des ersten Substrats (210) an dem zweiten Substrat (250) der Ausrichtungsschlüssel als eine Referenz verwendet wird.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7932972B2 (en) 2006-10-02 2011-04-26 Lg Display Co., Ltd. Substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same
DE102012108148B4 (de) * 2011-09-09 2020-08-27 Lg Display Co., Ltd. Stereoskopische bildanzeige und verfahren zum herstellen derselben

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101350430B1 (ko) * 2007-04-02 2014-01-14 엘지디스플레이 주식회사 씨오에이 구조 횡전계 방식 액정표시장치용 어레이기판
US20090098680A1 (en) * 2007-10-15 2009-04-16 E.I. Du Pont De Nemours And Company Backplane structures for solution processed electronic devices
KR101392276B1 (ko) * 2007-10-31 2014-05-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
US8772774B2 (en) 2007-12-14 2014-07-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Backplane structures for organic light emitting electronic devices using a TFT substrate
KR101474259B1 (ko) 2008-06-18 2014-12-18 엘지디스플레이 주식회사 프로세스 키를 포함하는 표시장치 및 그 포토 얼라인 방법
JP4844767B2 (ja) * 2008-10-03 2011-12-28 ソニー株式会社 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、および電子機器
KR101542394B1 (ko) * 2008-10-28 2015-08-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그를 포함하는 액정 표시 장치
TWI483038B (zh) 2008-11-28 2015-05-01 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置
KR101557817B1 (ko) * 2008-12-15 2015-10-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
TW201044081A (en) * 2009-06-11 2010-12-16 Chi Mei Optoelectronics Corp Liquid crystal panel, application and manufacturing method thereof
KR101602635B1 (ko) * 2009-11-30 2016-03-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR101323412B1 (ko) * 2009-12-30 2013-10-29 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
US8242503B2 (en) * 2010-05-21 2012-08-14 Chimei Innolux Corporation Multi-gate thin film transistor device
KR20120036109A (ko) * 2010-10-07 2012-04-17 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
CN102332452B (zh) * 2011-08-19 2013-12-25 深圳市华星光电技术有限公司 Tft阵列的结构及制造方法
US8759831B2 (en) 2011-08-19 2014-06-24 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Thin film transistor array structure and manufacturing method thereof
CN102736332B (zh) * 2012-02-22 2015-01-07 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器
KR101937771B1 (ko) * 2012-12-06 2019-01-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
CN103869518B (zh) * 2012-12-13 2017-05-24 京东方科技集团股份有限公司 液晶显示器的制造方法及其产品
US10170504B2 (en) * 2013-02-22 2019-01-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Manufacturing method of TFT array substrate, TFT array substrate and display device
CN103165530B (zh) * 2013-02-22 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 Tft阵列基板及其制造方法、显示装置
KR20140137922A (ko) 2013-05-24 2014-12-03 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR102129606B1 (ko) * 2013-10-14 2020-07-03 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR102130545B1 (ko) * 2013-11-27 2020-07-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN103984147A (zh) * 2014-05-04 2014-08-13 深圳市华星光电技术有限公司 阵列面板及其制作方法
KR20150137214A (ko) * 2014-05-28 2015-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN104122700A (zh) * 2014-05-29 2014-10-29 京东方科技集团股份有限公司 一种3d显示用基板及其制作方法、掩模板
CN104297989B (zh) * 2014-10-22 2017-06-27 京东方科技集团股份有限公司 基板、掩膜板及液晶显示装置
CN105842929B (zh) * 2015-01-12 2020-12-29 群创光电股份有限公司 显示装置
KR102342785B1 (ko) * 2015-07-10 2021-12-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 어레이 기판
CN104965365A (zh) 2015-07-14 2015-10-07 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其阵列基板
CN105070725A (zh) * 2015-07-21 2015-11-18 深圳市华星光电技术有限公司 一种平板显示器中的面板结构及制作方法
JP6700710B2 (ja) 2015-10-16 2020-05-27 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 ブラックカラムスペーサー用の感光性樹脂組成物、ブラックカラムスペーサー、液晶表示装置、ブラックカラムスペーサー用の感光性樹脂組成物の製造方法、ブラックカラムスペーサーの製造方法、および液晶表示装置の製造方法
CN105511189B (zh) * 2016-02-16 2018-10-26 深圳市华星光电技术有限公司 Va型coa液晶显示面板
JP2018066847A (ja) * 2016-10-19 2018-04-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
CN107045237B (zh) * 2017-02-04 2022-02-15 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法
JP7396786B2 (ja) 2017-02-24 2023-12-12 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 遮光膜用の感光性樹脂組成物、遮光膜、液晶表示装置、スペーサー機能を有する遮光膜の製造方法、および液晶表示装置の製造方法
JP7280017B2 (ja) 2017-03-31 2023-05-23 日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 感光性樹脂組成物、遮光膜、液晶表示装置、および液晶表示装置の製造方法
US10663817B2 (en) 2017-11-17 2020-05-26 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate comprising a blocking element stacked on a thin film transistor and first and second shielding electrodes on a side of a data line facing away from a first substrate
CN107918234B (zh) * 2017-11-17 2020-08-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板、液晶显示面板及液晶显示设备
CN113641028B (zh) * 2021-07-21 2024-04-19 湖南晶讯光电股份有限公司 一种彩色液晶显示器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020113935A1 (en) * 1999-02-05 2002-08-22 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display
JP2002350833A (ja) * 2001-05-30 2002-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
US20030076456A1 (en) * 2001-10-18 2003-04-24 Yun-Bok Lee Liquid crystal display devices using a plastic substrate
JP2003131240A (ja) * 2001-10-29 2003-05-08 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2003161948A (ja) * 2001-11-26 2003-06-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3307150B2 (ja) * 1995-03-20 2002-07-24 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JPH0322221U (de) * 1989-07-14 1991-03-07
DE69332142T2 (de) * 1992-12-25 2003-03-06 Sony Corp Substrat mit aktiver Matrix
JPH08122768A (ja) * 1994-10-19 1996-05-17 Sony Corp 表示装置
JP3240858B2 (ja) * 1994-10-19 2001-12-25 ソニー株式会社 カラー表示装置
JPH09127524A (ja) * 1995-11-06 1997-05-16 Sharp Corp 液晶表示素子
US6449024B1 (en) * 1996-01-26 2002-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Inc. Liquid crystal electro-optical device utilizing a polymer with an anisotropic refractive index
JPH1039292A (ja) * 1996-07-24 1998-02-13 Toshiba Electron Eng Corp 液晶表示素子
JP4069991B2 (ja) * 1998-08-10 2008-04-02 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
TW413844B (en) * 1998-11-26 2000-12-01 Samsung Electronics Co Ltd Manufacturing methods of thin film transistor array panels for liquid crystal displays and photolithography method of thin films
JP3512665B2 (ja) * 1999-03-03 2004-03-31 Nec液晶テクノロジー株式会社 カラー液晶パネル及びその製造方法
US6583846B1 (en) * 1999-04-14 2003-06-24 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device with spacer covered with an electrode
US6289080B1 (en) * 1999-11-22 2001-09-11 General Electric Company X-ray target
KR100603842B1 (ko) * 2000-02-18 2006-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 확인용 인식마크를 포함하는 컬러필터
KR100481593B1 (ko) * 2000-04-21 2005-04-08 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치
JP3936126B2 (ja) * 2000-08-30 2007-06-27 シャープ株式会社 透過反射両用型液晶表示装置
KR100778838B1 (ko) * 2000-12-30 2007-11-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP3750055B2 (ja) * 2001-02-28 2006-03-01 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR100803566B1 (ko) * 2001-07-25 2008-02-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
US7292304B2 (en) 2001-12-17 2007-11-06 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display panel and method for fabricating the same comprising a dummy column spacer to regulate a liquid crystal flow and a supplemental dummy column spacer formed substantially parallel and along the dummy column spacer
CN1189528C (zh) 2001-12-21 2005-02-16 中国科学院金属研究所 一种纳米光催化聚氨酯涂料及其制备方法
KR100855884B1 (ko) * 2001-12-24 2008-09-03 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 얼라인 키
KR20030067125A (ko) * 2002-02-07 2003-08-14 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 지주 스페이서 일체형 플라스틱 기판을 갖는 액정표시장치
KR100930919B1 (ko) 2003-06-30 2009-12-10 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치 및 그 제조방법
US7166383B2 (en) * 2004-12-07 2007-01-23 Astria Energi Inc. Electrode structure for stacked alkaline fuel cells

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020113935A1 (en) * 1999-02-05 2002-08-22 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display
JP2002350833A (ja) * 2001-05-30 2002-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
US20030076456A1 (en) * 2001-10-18 2003-04-24 Yun-Bok Lee Liquid crystal display devices using a plastic substrate
JP2003131240A (ja) * 2001-10-29 2003-05-08 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2003161948A (ja) * 2001-11-26 2003-06-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7932972B2 (en) 2006-10-02 2011-04-26 Lg Display Co., Ltd. Substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same
US8120745B2 (en) 2006-10-02 2012-02-21 Lg Display Co., Ltd. Substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same
DE102007023223A8 (de) * 2006-10-02 2015-07-30 Lg Display Co., Ltd. Flüssigkristalldisplay, Substrat für ein solches sowie Verfahren zum Herstellen des Substrats
DE102007023223B4 (de) * 2006-10-02 2016-08-18 Lg Display Co., Ltd. Flüssigkristalldisplay, Substrat für ein solches sowie Verfahren zum Herstellen des Substrats
DE102012108148B4 (de) * 2011-09-09 2020-08-27 Lg Display Co., Ltd. Stereoskopische bildanzeige und verfahren zum herstellen derselben

Also Published As

Publication number Publication date
US7973869B2 (en) 2011-07-05
KR101003829B1 (ko) 2010-12-23
US7586555B2 (en) 2009-09-08
KR20050105579A (ko) 2005-11-04
DE102004037013B4 (de) 2009-09-24
CN100383649C (zh) 2008-04-23
US20050243235A1 (en) 2005-11-03
CN1693973A (zh) 2005-11-09
US20090303407A1 (en) 2009-12-10

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