CN105070725A - 一种平板显示器中的面板结构及制作方法 - Google Patents

一种平板显示器中的面板结构及制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105070725A
CN105070725A CN201510432536.5A CN201510432536A CN105070725A CN 105070725 A CN105070725 A CN 105070725A CN 201510432536 A CN201510432536 A CN 201510432536A CN 105070725 A CN105070725 A CN 105070725A
Authority
CN
China
Prior art keywords
border areas
panel construction
holding wire
scan line
aiding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510432536.5A
Other languages
English (en)
Inventor
徐洪远
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201510432536.5A priority Critical patent/CN105070725A/zh
Priority to PCT/CN2015/088365 priority patent/WO2017012174A1/zh
Priority to US14/905,862 priority patent/US9799681B2/en
Publication of CN105070725A publication Critical patent/CN105070725A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/13606—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit having means for reducing parasitic capacitance
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/13629—Multilayer wirings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明公开了一种平板显示器中的面板结构及制作方法，包括：第一信号线11、第二信号线12、透明导电薄膜2以及扫描线3，其中，透明导电薄膜由第一支边21、第二支边22以及第三支边23组成，第一支边21的第一端与第二支边22的第一端以预先设定的第一角度相连，第二支边22的第二端与第三支边23的第一端以预先设定的第二角度相连，且第一支边21、第二支边22以及第三支边23构成拱形框架，第一信号线11与第一支边21的第二端相连，第二信号线12与第三支边23的第二端相连，扫描线3从拱形框架的第一方向穿过，且不与拱形框架相交。实施本发明实施例，可以降低信号线与扫描线在重叠处的寄生电容，以提高了面板显示品质。

Description

一种平板显示器中的面板结构及制作方法
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种平板显示器中的面板结构及制作方法。
背景技术
LCDs(Liquidcrystaldisplays)是一种被广泛应用的平板显示器，主要是通过液晶开关调制背光源光场强度来实现画面显示。通常LCDs主要由阵列板、色阻(ColorFilter，CF)板以及夹在二者之间的液晶层三部分组成。在实际应用中，为了提高LCDs的显示品质，主要是将LCDs中CF板上的RGB色阻直接涂布在阵列板透明导电薄膜的像素电极和第二层金属层之间的位置，以增加像素电极和信号线之间的距离，从而达到减小像素电极与信号线之间的寄生电容，进而减小整个面板的信号延迟，以提高面板显示品质。然而，上述方法虽然可以减小像素电极与信号线之间的寄生电容，但信号线与扫描线重叠处由于距离较小，所以仍存在较大的寄生电容，导致信号线和扫描线上的信号延迟，造成走线尾端信号变形，从而影响了面板显示品质。
发明内容
本发明实施例提供了一种平板显示器中的面板结构及制作方法，能够进一步完善平板显示器中的面板结构。
本发明实施例公开了一种平板显示器中的面板结构及制作方法，包括：第一信号线、第二信号线、透明导电薄膜以及扫描线，其特征在于：所述透明导电薄膜由第一支边、第二支边以及第三支边组成，其中，所述第一支边的第一端与所述第二支边的第一端以预先设定的第一角度相连，所述第二支边的第二端与所述第三支边的第一端以预先设定的第二角度相连，且所述第一支边、所述第二支边以及所述第三支边构成拱形框架，所述第一信号线与所述第一支边的第二端相连，所述第二信号线与所述第三支边的第二端相连，所述扫描线从所述拱形框架的第一方向穿过，且不与所述拱形框架相交。
在一个实施例中，所述面板结构还包括：栅绝缘层，其中，所述栅绝缘层沉积在包含所述扫描线的预设基板上。
在一个实施例中，所述面板结构还包括：钝化层，其中，所述钝化层沉积在所述栅绝缘层上。
在一个实施例中，所述面板结构还包括：色阻层，其中，所述色阻层沉积在所述钝化层上。
在一个实施例中，所述色阻层的厚度取值范围为1微米至1.5微米。
在一个实施例中，所述钝化层的厚度为300+n纳米或者300-n纳米，其中，所述n为大于0且小于50的实数。
在一个实施例中，所述栅绝缘层的厚度为500+n纳米或者500-n纳米，其中，所述n为大于0且小于50的实数。
在一个实施例中，所述预先设定的第一角度的取值范围为30度至60度以及所述预先设定的第二角度的取值范围为30度至60度。
本发明实施例中，该面板结构包括：第一信号线、第二信号线、透明导电薄膜以及扫描线，其特征在于：所述透明导电薄膜由第一支边、第二支边以及第三支边组成，其中，所述第一支边的第一端与所述第二支边的第一端以预先设定的第一角度相连，所述第二支边的第二端与所述第三支边的第一端以预先设定的第二角度相连，且所述第一支边、所述第二支边以及所述第三支边构成拱形框架，所述第一信号线与所述第一支边的第二端相连，所述第二信号线与所述第三支边的第二端相连，所述扫描线从所述拱形框架的第一方向穿过，且不与所述拱形框架相交。在本发明实施例中，在信号线与扫描线的重叠处，通过由透明导电薄膜构成的拱形框架将第一信号线与第二信号线相连，以增加了信号线与扫描线之间的距离，从而降低了信号线与扫描线在重叠处的寄生电容，以提高了面板显示品质。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例公开的一种平板显示器中的面板结构截面示意图；
图1a是本发明实施例公开的一种拱形框架的结构示意图；
图2是本发明实施例公开的另一种平板显示器中的面板结构截面示意图；
图3是图2所示的面板结构的俯视图；
图4是本发明实施例提供的一种平板显示器中面板结构的制作方法。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例公开了一种平板显示器中的面板结构及制作方法，在本发明实施例中，在信号线与扫描线的重叠处，通过由透明导电薄膜构成的拱形框架将第一信号线与第二信号线相连，以增加了信号线与扫描线之间的距离，从而降低了信号线与扫描线在重叠处的寄生电容，以提高了面板显示品质。
请参阅图1，图1是本发明实施例公开的一种平板显示器中的面板结构截面示意图。如图1所示，该平板显示器中的面板结构包括：第一信号线11、第二信号线12、透明导电薄膜2以及扫描线3，其特征在于：透明导电薄膜由第一支边21、第二支边22以及第三支边23组成，其中，第一支边21的第一端与第二支边22的第一端以预先设定的第一角度相连，第二支边22的第二端与第三支边23的第一端以预先设定的第二角度相连，且第一支边21、第二支边22以及第三支边23构成拱形框架，第一信号线11与第一支边21的第二端相连，第二信号线12与第三支边23的第二端相连，扫描线3从拱形框架的第一方向穿过，且不与拱形框架相交。
本发明实施例中，主要选取了在信号线与扫描线重叠处的面板结构。其中，如图1所示，在信号线与扫描线的重叠处，将第一信号线11与第二信号线12通过由材质为透明导电薄膜的拱形框架作为中间介质相连。其中，如图1a所示，图1a是本发明实施例公开的一种拱形框架的结构示意图。其中，该拱形框架是由透明导电薄膜2的第一支边21、第二支边22以及第三支边23构成。在本发明实施例中，第一支边21与第二支边22以预先设定的第一角度相连，第二支边22与第三支边23以预先设定的第二角度相连。其中，第一支边21、第二支边22以及第三支边23构成的拱形框架是一个完整的整体，也即如图1a所示的图，第一支边21与第二支边22的连接处并无裂缝，第二支边22与第三支边23的连接处并无裂缝。其中，第一支边21、第二支边22与第三支边23之间的关系也可以表述成如下：将第二支边22视为本体，其中，第一支边21与第三支边23是第二支边的两端的以一定角度的延伸。预先设定的第一角度与预先设定的第二角度的取值范围均为30度至60度，且预先设定的第一角度与预先设定的第二角度的取值不一定严格相同。由于图1a是截面图，因此角度在图1a中显示不明显，但在实际制作过程则以预先设定的角度相匹配。当在信号线与扫描线的重叠处，通过由透明导电薄膜2构成的拱形框架将第一信号线11与第二信号线12相连，以增加了信号线与扫描线之间的距离，从而降低了信号线与扫描线在重叠处的寄生电容，以提高了面板显示品质。
本发明实施例中，透明导电薄膜2是一种既能导电又在可见光范围内具有高透明率的一种薄膜，主要有金属膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、复合膜系等。其中，金属膜系导电性能好，但是透明率差。半导体薄膜系列刚好相反，导电性差，透明率高。目前，研究和应用最为广泛的是金属膜系和氧化物膜系。透明导电薄膜主要用于光电器件(如薄膜太阳能电池等)的窗口材料。常见的透明导电薄膜为ITO，其中，ITO的主要成份是氧化铟锡，在厚度只有几千埃的情况下，氧化铟透过率高，氧化锡导电能力强，平板显示器中所用的ITO玻璃正是一种具有高透过率的导电玻璃。由于ITO具有很强的吸水性，所以会吸收空气中的水份和二氧化碳并产生化学反应而变质，俗称“霉变”，因此在存放时要防潮。且ITO在150KHz～1GHz范围内有适宜的屏蔽效能，透光性较普通网栅材料屏蔽玻璃好很多，透光率可达到85％以上。
本发明实施例中，扫描线3主要从拱形框架的第一方向穿过，且不与拱形框架相交。如图1所示，该第一方向可以是拱形框架的下方，当将该图以不同的角度看时，第一方向可能不一样，因此，第一方向的确定均以实际图作为确定依据。在本发明实施例中，由于在信号线与扫描线的重叠处，通过由透明导电薄膜2构成的拱形框架将第一信号线11与第二信号线12相连，由此可以在一定范围增加信号线与扫描线的距离，从而降低了信号线与扫描线在重叠处的寄生电容，以提高了面板显示品质。
本发明实施例中，拱形框架可以是具有明显棱角的U型框架，也可以是具有圆弧的U型框架。
在图1中，面板结构主要包括：第一信号线11、第二信号线12、透明导电薄膜2以及扫描线3，其特征在于：透明导电薄膜由第一支边21、第二支边22以及第三支边23组成，其中，第一支边21的第一端与第二支边22的第一端以预先设定的第一角度相连，第二支边22的第二端与第三支边23的第一端以预先设定的第二角度相连，且第一支边21、第二支边22以及第三支边23构成拱形框架，第一信号线11与第一支边21的第二端相连，第二信号线12与第三支边23的第二端相连，扫描线3从拱形框架的第一方向穿过，且不与拱形框架相交。在本发明实施例中，在信号线与扫描线的重叠处，通过由透明导电薄膜构成的拱形框架将第一信号线11与第二信号线12相连，以增加了信号线与扫描线之间的距离，从而降低了信号线与扫描线在重叠处的寄生电容，以提高了面板显示品质。
请参阅图2，图2是本发明实施例公开的另一种平板显示器中的面板结构截面示意图。其中，图2是在图1的基础上进一步细化得到，除包括图1所示的第一信号线11、第二信号线12、透明导电薄膜2以及扫描线3以外，还可以包括栅绝缘层4、钝化层5以及色阻层6，其中，
栅绝缘层4沉积在包含扫描线3的预设基板上，钝化层5沉积在栅绝缘层4上，以及色阻层6沉积在钝化层5上；且色阻层6的厚度取值范围为1微米至1.5微米，钝化层5的厚度为300+n纳米或者300-n纳米，其中，n为大于0且小于50的实数，以及栅绝缘层4的厚度为500+n纳米或者500-n纳米，其中，n为大于0且小于50的实数。
本发明实施例中，色阻层6主要包括三原色(RedGreenBlue，RGB)色阻。
本发明实施例中，钝化层5是指在硅片或半导体器件芯片的表面淀积或生长特定的介质膜，以防止表面受环境沾污和以后的操作对硅片表面可能造成的损伤。且在本发明实施例中，钝化层5的厚度为300+n纳米或者300-n纳米，其中，n为大于0且小于50的实数。半导体表面层的性质对于环境或与半导体表面接触的介质的性质是很敏感的。表面沾污离子、界面态电荷、介质层内的可动电荷和固定电荷都会影响半导体的表面电势，从而引起表面层中载流子的积累，耗尽，或者使表面层反型，并引起金属-绝缘体-半导体结构电容-电压特性和半导体器件特性的变化。为了保证半导体器件工作的稳定性和可靠性，必须在半导体器件芯片表面覆盖某些经过选择的介质膜，使表面钝化。较早采用的钝化膜是热生长的二氧化硅，但是二氧化硅膜不能阻挡钠等碱金属离子的扩散。现在生产上更常用的是二氧化硅-磷硅玻璃复合膜、二氧化硅-氮化硅复合膜、二氧化硅-三氧化二铝复合膜或聚酰亚胺膜。上述与硅片直接接触的钝化膜通常称为一次钝化膜，为了改善钝化效果，有时芯片封装前还要再涂敷一次钝化膜，称为二次钝化膜。聚酰亚胺也可用于二次钝化。
本发明实施例中，栅绝缘层6主要是一层隔绝层，且其的厚度的取值范围为500+n纳米或者500-n纳米。其中，n为大于0且小于50的实数。
作为另一种可选的实施方式，由于透明导电薄膜2是由第一支边21、第二支边22以及第三支边23构成的拱形框架，且第一支边21的第一端与第二支边22第一端是以预先设定的第一角度相连，第二支边22的第二端与第三支边23的第一端以预先设定的第二角度值相连。其中预先设定的第一角度值的取值范围为30度至60度；且预先设定的第二角度的取值范围为30度至60度。
在图2中，平板显示器中的面板结构中，栅绝缘层4沉积在包含扫描线3的预设基板上，钝化层5沉积在栅绝缘层4上，以及色阻层6沉积在钝化层5上。且色阻层6的厚度取值范围为1微米至1.5微米，钝化层5的厚度为300+n纳米或者300-n纳米，其中，n为大于0且小于50的实数，以及栅绝缘层4的厚度为500+n纳米或者500-n纳米，其中，n为大于0且小于50的实数。在本发明实施例中，色阻层6、钝化层5以及栅绝缘层4的厚度都是选取了一个最佳的范围，从而构成了隔绝效果较好的隔绝层，以提高了面板显示品质。
请参阅图3，其中，图3是图2所示的面板结构的俯视图，因此，图2中包括的第一信号线11、第二信号线12、透明导电薄膜2、扫描线3、栅绝缘层4、钝化层5以及色阻6在图3中也都包括。由于图3是图2所示的面板结构的俯视图，因此部分色阻层6、钝化层5以及栅绝缘层4不在图中体现。如图3所示，在信号线与扫描线的重叠处，信号线并不直接跨过扫描线，而是通过由透明导电薄膜构成的拱形框架将第一信号线与第二信号线相连。由于透明导电薄膜2是由第一支边、第二支边以及第三支边构成的拱形框架，因此通过这样的搭桥方式可以增加了信号线与扫描线之间的距离，从而降低了信号线与扫描线在重叠处的寄生电容，以提高了面板显示品质。
请参阅图4，图4是本发明实施例提供的一种平板显示器中面板结构的制作方法。如图4所示，该平板显示器中面板结构的制作方法可以包括以下步骤：
S101、在预设基板上光刻扫描线；
S102、在完成步骤S101的基板上沉积栅绝缘层，并在该基板上光刻第一信号线与第二信号线；
S103、在完成步骤S102的基板上沉积钝化层；
S104、在完成步骤S103的基板上沉积色阻层；
S105、在完成步骤S104的基板上过孔，以得第一孔与第二孔；
S106、在完成步骤S105的基板上沉积透明导电薄膜。
本发明实施例中，透明导电薄膜是一种既能导电又在可见光范围内具有高透明率的一种薄膜，主要有金属膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、复合膜系等。其中，金属膜系导电性能好，但是透明率差。半导体薄膜系列刚好相反，导电性差，透明率高。目前，研究和应用最为广泛的是金属膜系和氧化物膜系。透明导电薄膜主要用于光电器件(如薄膜太阳能电池等)的窗口材料。常见的透明导电薄膜为ITO，其中，ITO的主要成份是氧化铟锡，在厚度只有几千埃的情况下，氧化铟透过率高，氧化锡导电能力强，平板显示器中所用的ITO玻璃正是一种具有高透过率的导电玻璃。由于ITO具有很强的吸水性，所以会吸收空气中的水份和二氧化碳并产生化学反应而变质，俗称“霉变”，因此在存放时要防潮。且ITO在150KHz～1GHz范围内有适宜的屏蔽效能，透光性较普通网栅材料屏蔽玻璃好很多，透光率可达到85％以上。
作为一种可选的实施方式，栅绝缘层的厚度应比扫描线的厚度大，也即，栅绝缘层应将扫描线完全覆盖；钝化层的厚度应比信号线的厚度大，也即钝化层应将信号线完成覆盖；色阻层的厚度应该与透明导电薄膜的第一支边、第二支边的长度相匹配。
在图4中，在信号线与扫描线的重叠处，通过由透明导电薄膜构成的拱形框架将第一信号线与第二信号线相连，由此可以在一定范围增加信号线与扫描线的距离，从而降低了信号线与扫描线在重叠处的寄生电容，以提高了面板显示品质。
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (9)

1.一种平板显示器中的面板结构，包括：第一信号线、第二信号线、透明导电薄膜以及扫描线，其特征在于：所述透明导电薄膜由第一支边、第二支边以及第三支边组成，其中，所述第一支边的第一端与所述第二支边的第一端以预先设定的第一角度相连，所述第二支边的第二端与所述第三支边的第一端以预先设定的第二角度相连，且所述第一支边、所述第二支边以及所述第三支边构成拱形框架，所述第一信号线与所述第一支边的第二端相连，所述第二信号线与所述第三支边的第二端相连，所述扫描线从所述拱形框架的第一方向穿过，且不与所述拱形框架相交。
2.根据权利要求1所述的面板结构，其特征在于，所述面板结构还包括：栅绝缘层，其中，所述栅绝缘层沉积在包含所述扫描线的预设基板上。
3.根据权利要求2所述的面板结构，其特征在于，所述面板结构还包括：钝化层，其中，所述钝化层沉积在所述栅绝缘层上。
4.根据权利要求3所述的面板结构，其特征在于，所述面板结构还包括：色阻层，其中，所述色阻层沉积在所述钝化层上。
5.根据权利要求4所述的面板结构，其特征在于，所述色阻层的厚度取值范围为1微米至1.5微米。
6.根据权利要求3所述的面板结构，其特征在于，所述钝化层的厚度为300+n纳米或者300-n纳米，其中，所述n为大于0且小于50的实数。
7.根据权利要求2所述的面板结构，其特征在于，所述栅绝缘层的厚度为500+n纳米或者500-n纳米，其中，所述n为大于0且小于50的实数。
8.根据权利要求1～7中任意一项所述的面板结构，其特征在于，所述预先设定的第一角度的取值范围为30度至60度，以及所述预先设定的第二角度的取值范围为30度至60度。
9.一种平板显示器中的面板结构的制作方法，其特征在于，包括：
步骤一，在预设基板上光刻扫描线；
步骤二，在完成所述步骤一的基板上沉积栅绝缘层，并在该基板上光刻第一信号线与第二信号线；
步骤三，在完成所述步骤二的基板上沉积钝化层；
步骤四，在完成所述步骤三的基板上沉积色阻层；
步骤五，在完成所述步骤四的基板上过孔，以得第一孔与第二孔；
步骤六、在完成所述步骤五的基板上沉积透明导电薄膜。
CN201510432536.5A 2015-07-21 2015-07-21 一种平板显示器中的面板结构及制作方法 Pending CN105070725A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510432536.5A CN105070725A (zh) 2015-07-21 2015-07-21 一种平板显示器中的面板结构及制作方法
PCT/CN2015/088365 WO2017012174A1 (zh) 2015-07-21 2015-08-28 一种平板显示器中的面板结构及制作方法
US14/905,862 US9799681B2 (en) 2015-07-21 2015-08-28 Panel structures of flat displays and manufacturing methods

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510432536.5A CN105070725A (zh) 2015-07-21 2015-07-21 一种平板显示器中的面板结构及制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105070725A true CN105070725A (zh) 2015-11-18

Family

ID=54500055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510432536.5A Pending CN105070725A (zh) 2015-07-21 2015-07-21 一种平板显示器中的面板结构及制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9799681B2 (zh)
CN (1) CN105070725A (zh)
WO (1) WO2017012174A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109254461A (zh) * 2018-10-22 2019-01-22 惠科股份有限公司 显示面板和显示器
US10761388B2 (en) 2018-10-22 2020-09-01 HKC Corporation Limited Display panel and display

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1693973A (zh) * 2004-04-30 2005-11-09 Lg.菲利浦Lcd株式会社 薄膜晶体管上滤色片型液晶显示器件及其制造方法
US20090167733A1 (en) * 2007-12-28 2009-07-02 Bong-Jun Lee Display substrate, method of manufacturing the display substrate and display apparatus having the display substrate
CN102866552A (zh) * 2012-09-26 2013-01-09 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板及其制造方法
CN104571720A (zh) * 2015-02-06 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、内嵌式触摸面板和显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100614322B1 (ko) 2004-12-30 2006-08-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
EP2397889A4 (en) * 2009-02-10 2013-01-23 Sharp Kk LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
CN103069334A (zh) * 2010-08-18 2013-04-24 夏普株式会社 显示装置用基板及其制造方法、显示装置
JP2013045971A (ja) * 2011-08-25 2013-03-04 Sony Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに電子機器
CN103985714B (zh) 2013-12-31 2017-02-01 上海天马微电子有限公司 阵列基板及其制造方法
JP6320782B2 (ja) * 2014-02-06 2018-05-09 株式会社ジャパンディスプレイ アレイ基板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1693973A (zh) * 2004-04-30 2005-11-09 Lg.菲利浦Lcd株式会社 薄膜晶体管上滤色片型液晶显示器件及其制造方法
US20090167733A1 (en) * 2007-12-28 2009-07-02 Bong-Jun Lee Display substrate, method of manufacturing the display substrate and display apparatus having the display substrate
CN102866552A (zh) * 2012-09-26 2013-01-09 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板及其制造方法
CN104571720A (zh) * 2015-02-06 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、内嵌式触摸面板和显示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109254461A (zh) * 2018-10-22 2019-01-22 惠科股份有限公司 显示面板和显示器
WO2020082438A1 (zh) * 2018-10-22 2020-04-30 惠科股份有限公司 一种显示面板和显示器
US10761388B2 (en) 2018-10-22 2020-09-01 HKC Corporation Limited Display panel and display

Also Published As

Publication number Publication date
US9799681B2 (en) 2017-10-24
WO2017012174A1 (zh) 2017-01-26
US20170229481A1 (en) 2017-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103472646B (zh) 一种阵列基板及其制备方法和显示装置
CN107293593B (zh) 一种显示面板和显示装置
CN101661174B (zh) 液晶显示面板及其制造方法
CN103676386B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN103268878B (zh) Tft阵列基板、tft阵列基板的制作方法及显示装置
CN104007574B (zh) 一种阵列基板、显示装置及其制造方法
CN103299429B (zh) 有源矩阵基板及其制造方法以及显示面板
CN104049430B (zh) 一种阵列基板、显示装置及其制造方法
WO2016086531A1 (zh) 阵列基板及其制作方法
CN108376688A (zh) 一种感光组件及其制备方法、阵列基板、显示装置
CN106057830A (zh) 一种阵列基板、显示面板及阵列基板制备方法
KR102314509B1 (ko) Tft 기판의 제조 방법 및 tft 기판
CN105247408A (zh) 液晶面板和绝缘膜的槽部形成方法
CN103236419A (zh) 阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示装置
KR20120107269A (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2014183420A1 (zh) 一种阵列基板及其制作方法和显示面板
CN103424925B (zh) 一种阵列基板及其制造方法、显示装置
WO2018131649A1 (ja) アクティブマトリクス基板、液晶表示パネルおよび液晶表示パネルの製造方法
CN107170757B (zh) 一种阵列基板及其制作方法
CN108535927A (zh) 液晶显示面板及其制造方法
CN100590854C (zh) 像素结构及其制造方法
CN105070725A (zh) 一种平板显示器中的面板结构及制作方法
CN110047850A (zh) 一种tft阵列基板、其制备方法及其显示面板
WO2016161700A1 (zh) 一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN107422559A (zh) 阵列基板和液晶显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20151118