CN101661174B - 液晶显示面板及其制造方法 - Google Patents
液晶显示面板及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101661174B CN101661174B CN2008101417628A CN200810141762A CN101661174B CN 101661174 B CN101661174 B CN 101661174B CN 2008101417628 A CN2008101417628 A CN 2008101417628A CN 200810141762 A CN200810141762 A CN 200810141762A CN 101661174 B CN101661174 B CN 101661174B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- signal
- line
- signal wire
- display panels
- many
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
Abstract
本发明提供一种液晶显示面板,其包括一基板、多条信号线、一公共电极和一像素电极。该多条信号线沿行列设置在该基板上,沿行向设置的信号线传输扫描信号,沿列向设置的信号线传输数据信号。该像素电极设置在该多条信号线远离该基板的一侧,并与该多条信号线绝缘。每两条互相垂直的信号线中,其中一信号线不连续,并设置在另一信号线的两侧。该液晶显示面板进一步包括一连接线,其设置在该信号线与该像素电极之间,连接该不连续的信号线。该公共电极与该连接线设置在同一层,其在垂直于基板平面的方向上覆盖该传输数据信号的信号线。本发明之液晶显示面板具有较高的开口率,本发明同时提供一种该液晶显示面板的制造方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶显示面板和该液晶显示面板的制造方法。
背景技术
目前,液晶显示装置广泛应用于台式电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant,PDA)、手提电话、电视及多种办公自动化与视听设备。液晶显示装置的亮度是判断其质量优劣的重要参数,而液晶显示面板是液晶显示装置的重要组成部分,液晶显示面板的开口率与液晶显示装置的亮度成正比。
请参阅图1,其是一种现有技术液晶显示面板的平面结构示意图。该液晶显示面板10包括多条互相平行的扫描线110、多条互相平行的数据线120和多条与该扫描线110平行间隔设置的公共线140。该多条扫描线110与该多条数据线120相绝缘相交,界定多个像素区域(未标示)。每一像素区域包括一薄膜晶体管130、一像素电极150及一存储电容160。该薄膜晶体管130设置在该扫描线110与该数据线120的交叉处,其包括一栅极131、一源极132和一漏极133。该栅极131连接该扫描线110,该源极132连接该数据线120,该漏极133经由一第一通孔134连接该像素电极150。该存储电容160形成在该像素区域内,其包括一上电极161、一与该上电极161对应设置的公共电极162,该公共线140连接相邻的两个公共电极162。
请一并参阅图2,其是图1所示液晶显示面板沿∏-∏线的剖面结构示意图。该存储电容160进一步包括一夹于该上电极161和公共电极162之间的栅极绝缘层164。该上电极161设置在该像素电极150之下,其与该像素电极150夹持一钝化层165,且该钝化层165包括一第二通孔163,该上电极161通过该第二通孔163与该像素电极150相连接。
该液晶显示面板10工作时,该数据线120上传输数据信号,该扫描线110传输扫描信号,该扫描信号包括导通信号和截止信号。当与该扫描线110输出导通信号将该薄膜晶体管130导通时,该数据线120上的数据信号通过该薄膜晶体管130输出到该像素电极150;当该扫描线110上输出截止信号使该薄膜晶体管130截止时,该数据信号存储在该存储电容160中,该存储电容160保持该像素电极150与该公共电极162之间的电压差,使该液晶显示面板10的显示画面稳定。
在该液晶显示面板10之制造过程中,该公共电极162、该薄膜晶体管130的栅极131和该扫描线110由一相同金属层图案化形成,该上电极161、该源极132、漏极133和该数据线120由另一相同金属层图案化形成。
然而,该液晶显示面板10显示动态画面时,该数据线120上传输变化的数据信号,且变化频率比较高。由于该数据线120与该像素电极150之间只间隔一钝化层165,则该数据线120上高频变化的图像信号会对该像素电极150上的电压造成干扰。所以该像素电极150的设置范围不能过于靠近该数据线120,使该液晶显示面板10的开口率较低。
发明内容
为了解决现有技术液晶显示面板存在开口率较低的问题,有必要提供一种开口率较高的液晶显示面板。
同时,也有必要提供一种上述液晶显示面板的制造方法。
一种液晶显示面板,其包括一基板、多条信号线、一公共电极和一像素电极。该多条信号线沿行列设置在该基板上,沿行向设置的信号线传输扫描信号,沿列向设置的信号线传输数据信号。该像素电极设置在该多条信号线远离该基板的一侧,并与该多条信号线绝缘。其中,每两条互相垂直的信号线中,其中一信号线不连续,并设置在另一信号线的两侧,与该另一信号线互不接触。该液晶显示面板进一步包括一连接线,该连接线设置在该不连续的信号线与该像素电极之间,连接该不连续的信号线,该公共电极与该连接线设置在同一层,该公共电极在垂直于基板平面的方向上覆盖该传输数据信号的信号线。
一种液晶显示面板,其包括依次设置的一基板、一第一导电金属层图案、一第一介电层、一第二导电金属层图案、一第二介电层和一像素电极。该第一导电金属层图案包括沿行列设置的多条信号线,沿行向设置的信号线传输扫描信号,沿列向设置的信号线传输数据信号。每两条互相垂直的信号线中,其中一条信号线不连续,并设置在另一条信号线的两侧,与该另一条信号线互不接触。该第二金属层包括多条连接线和多个公共电极,该连接线连接该不连续的信号线,该公共电极在垂直于基板平面的方向上覆盖该传输数据信号的信号线。
与现有技术相比较,本发明液晶显示面板的该多条信号线设置在该基板上,该公共电极间隔该第一介电层覆盖该传输数据信号的信号线,屏蔽该数据信号的电场对该像素电极的干扰。进一步地,该像素电极的设置范围可以扩大到该传输数据信号的信号线边缘,因此可提高该液晶显示面板的开口率。
一种液晶显示面板制造方法,其包括:
a)提供一基板;
b)在该基板上形成多条信号线,该多条信号线沿行列设置,沿行向设置的信号线传输扫描信号,沿列向设置的信号线传输数据信号,每两条互相垂直的信号线中,其中一条信号线不连续,并设置在另一条信号线的两侧,与该另一条信号线互不接触;
c)在该多条信号线上形成一第一介电层;
d)在该第一介电层上形成多条连接线和多个公共电极,该连接线连接该不连续的信号线,该公共电极在垂直于基板平面的方向上覆盖该传输数据信号的信号线;
e)在该多条连接线和该多个公共电极上形成一第二介电层;
f)在该第二介电层上形成一像素电极。
该液晶显示面板制造方法通过将该多条信号线设置在该基板上。使该公共电极间隔该第一介电层覆盖该传输数据信号的信号线,屏蔽该数据信号的电场对该像素电极的干扰。进一步地,该像素电极的设置范围可以扩大到该传输数据信号的信号线的边缘,因此可提高该液晶显示面板的开口率。
附图说明
图1是一种现有技术液晶显示面板的平面结构示意图。
图2是图1所示液晶显示面板沿II-II线的剖面结构示意图。
图3是本发明液晶显示面板第一实施方式的平面结构示意图。
图4是图3所示液晶显示面板V-V线的剖面结构示意图
图5是图3所示液晶显示面板VI-VI线的剖面结构示意图
图6是本发明液晶显示面板制造方法的流程图。
图7至图11是图6所示液晶显示面板制造方法各步骤的结构示意图。
图12是本发明液晶显示面板第二实施方式的平面结构示意图。
图13是本发明液晶显示面板替代实施方式的平面结构示意图。
具体实施方式
请参阅图3,其是本发明液晶显示面板第一实施方式的平面结构示意图。该液晶显示面板20包括多条信号线21、多条连接线225、多个公共电极262和多条公共线240。
该多条信号线21包括多条沿行向设置且互相平行的扫描线210和多条沿列向设置且互相平行的数据线220。其中,该扫描线210用于传输扫描信号,该数据线220用于传输数据信号。其中,每条数据线220为多个小段,每条数据线220的两个相邻的小段分别设置在该扫描线210的两侧,并与该扫描线210互不接触。
该连接线225设置在每条数据线220的两个相邻的小段之间,其与该扫描线210绝缘相交,并通过一第一通孔235连接该两段相邻的数据线220。
该公共电极262沿该数据线220沿长条状设置,其在垂直于像素平面的方向上覆盖部分数据线220,且其宽度大于该数据线220的宽度。
该多条公共线240与该多条扫描线210相互平行间隔设置,且其连接相邻的两个公共电极262。
该多条扫描线210、该多条数据线220与该连接线225界定多个像素区域(未标示),每一像素区域包括一薄膜晶体管230和一像素电极250。该薄膜晶体管230设置在该连接线225与该扫描线210相交处,其包括一栅极231、一源极232和一漏极233。该栅极231连接该扫描线210,该源极232连接该连接线225,该漏极233连接该像素电极250。该像素电极250的边缘分别与该公共电极262和该扫描线210部分重叠。
请一并参阅图4和图5,图4是图3所示液晶显示面板沿V-V线的剖面结构示意图,图5是图3所示液晶显示面板沿VI-VI线的剖面结构示意图。该液晶显示面板20进一步包括一基板270,该薄膜晶体管230的栅极231、该扫描线210和该数据线220设置在该基板270上。
该液晶显示面板20进一步包括一栅极绝缘层280,其设置在该栅极231、该扫描线、该数据线220和该基板270上。该栅极绝缘层280上定义该第一通孔235,该第一通孔235贯穿该栅极绝缘层280,且其对应该数据线220的两端设置。
该液晶显示面板20进一步包括一半导体图案层281,其设置在该栅极绝缘层280上,且其对应于该栅极231设置。
该连接线225、该薄膜晶体管230的源极232、漏极233和该公共电极262设置在该半导体图案层281和该栅极绝缘层280上。其中,该源极232、漏极233部分覆盖该半导体图案层281,该连接线225通过该第一通孔235连接该数据线220。
该液晶显示面板20进一步包括一钝化层290,其设置在该源极232、漏极233、该公共电极262、该连接线225和该栅极绝缘层280上。该钝化层290定义多个第二通孔236,该第二通孔236对应该漏极233设置。该像素电极250设置在该钝化层290上,并且通过该第二通孔236连接该漏极233。
与现有技术相比较,本发明液晶显示面板20的数据线220设置在该基板270上,该公共电极262间隔该栅极绝缘层280沿该数据线220设置,其在垂直于该基板270的方向上覆盖该数据线220,该像素电极250则间隔该钝化层290设置在该公共电极262之上。因此,该公共电极262可以屏蔽该数据线220的电场对该像素电极250的影响。进一步地,该像素电极250的设置范围可以扩大到该数据线220边缘,提高该液晶显示面板20的开口率。
请参阅图6,其是本发明液晶显示面板20的制造方法的流程图。该制造方法包括以下步骤:步骤S1,在一基板上形成多个栅极,多条扫描线和多条数据线;步骤S2,在该栅极,该扫描线,该数据线和该基板上依序形成一栅极绝缘层和一半导体图案层;步骤S3,在该栅极绝缘层上和该半导体图案层上形成多个源极,多个漏极,多个公共电极和多条连接线;步骤S4,在该公共电极,该连接线,该源极,该漏极和该栅极绝缘层上形成一钝化层图案;步骤S5,在该钝化层的表面上形成多个像素电极。
请参阅图7至图11,其是图6所示液晶显示面板制造方法各步骤的示意图,其包括以下步骤:
步骤S1如图7所示,首先提供该基板270,利用涂覆设备在该基板270表面上涂覆一层导电金属薄膜,从而形成一第一导电金属层(图未示)。对该第一导电金属层进行一第一道光刻工艺,形成该栅极231、该扫描线210、该数据线220。其中,同一列的该数据线220分成多个小段,每两段相邻的数据线220分别设置在该扫描线210的两侧,并与该扫描线210互不接触。
步骤S2如图8所示,首先在该第一导电金属及该基板270表面上沉积该栅极绝缘层280,其材料可以采用氮化硅。接着,采用连续化学气相沉积的方法,在该栅极绝缘层280上依序沉积一a-Si(非晶硅)本征层以及一n+Si(掺杂非晶硅)欧姆接触层。然后,进行一第二道光刻工艺,以形成该第一通孔235和该半导体图案层281,并在该第一通孔235处暴露该数据线220。
步骤S3如图9所示,在该半导体图案层281和该栅极绝缘层280上涂覆一层导电金属薄膜,以形成一第二导电金属层(图未示),对该第二导电金属层进行一第三道光刻工艺,形成该源极232、该漏极233、该公共电极262和该连接线225。使该公共电极262在垂直于该基板270的方向上覆盖该数据线220,并使该连接线225通过该第一通孔235与该数据线220相连。
步骤S4如图10所示,在该第二导电金属层及该栅极绝缘层280上形成一钝化层290,进行一第四道光刻工艺,在该钝化层290中形成该第二通孔236。
步骤S5如图11所示,通过溅射技术在该钝化层290的表面上镀上一层透明导电层,并使其通过该第二通孔236连接该漏极233。进行一第五道光刻工艺,在对应的像素区域内形成该像素电极250图案。其中,该透明导电层材料为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等透明物质。
请参阅图12,其是本发明液晶显示面板第二实施方式的平面结构示意图。该液晶显示面板30与该液晶显示面板20的结构基本相同,其主要区别在于:在沿行列设置的多条扫描线310与多条数据线320中,每条数据线320为连续结构,每条扫描线310为多个小段,每条扫描线310的两个相邻的小段分别设置在该数据线320的两侧,并与该数据线320互不接触;该连接线325设置在每两段相邻的扫描线310之间,其与该数据线320绝缘相交,并通过第一通孔335连接该两段相邻的扫描线310。
与现有技术相比较,在该液晶显示面板30的数据线320同样设置在基板上,该公共电极362沿该数据线320设置,其在垂直于基板的方向上覆盖该数据线320,该像素电极350则设置在该公共电极362的上方。因此,该公共电极362同样可以屏蔽该数据线320的电场对该像素电极350的影响。进一步地,该像素电极350的设置范围可以扩大到该数据线320边缘,提高该液晶显示面板30的开口率。
请参阅图13,其是本发明液晶显示面板替代实施方式的平面结构示意图。在该液晶显示面板40的结构与该液晶显示面板20的结构基本相同,其主要区别在于:每条数据线420的每一小段可以包括一数据线主体422和多个第一延伸部423。该连接线425可以包括一连接线主体426、两个连接部427和多个第二延伸部428。该多个第一延伸部423分别设置在该数据线主体422两个末端的两侧。该连接部427设置在该连接线主体426的两端,该多个第二延伸部428设置在该连接线主体426两个末端的两侧。该连接部427连接在该第一延伸部423处,使数据线420与该连接线425相连。该第一延伸部423和该第二延伸部428与该像素电极450的边缘重叠。
由于该液晶显示面板40的信号线420包括多个第一延伸部423,该连接线425包括多个第二延伸部428,该第一延伸部423和该第二延伸部428分别与该像素电极450的边缘重叠。该第一延伸部423和该第二延伸部428可消除该像素电极450与该数据线420或该连接线425之间的间隙,遮挡像素电极450边缘处泄露的光线,减少相邻像素之间的影响,提高该液晶显示面板40的对比度。
该液晶显示面板20制造方法中,该第一、第二导电金属薄膜可以使用钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钨(W)、铝(Al)以及铝合金所组成的族群或任意组合,或者根据需要也可制造多层。
Claims (10)
1.一种液晶显示面板,其包括一基板、多条信号线、一公共电极和一像素电极,该多条信号线沿行列设置在该基板上,沿行向设置的信号线传输扫描信号,沿列向设置的信号线传输数据信号,该像素电极设置在该多条信号线远离该基板的一侧,并与该多条信号线绝缘,其特征在于:每两条互相垂直的信号线中,其中一信号线不连续,并设置在另一信号线的两侧,与该另一信号线互不接触,该液晶显示面板进一步包括一连接线,该连接线设置在该不连续的信号线与该像素电极之间,连接该不连续的信号线,该公共电极与该连接线设置在同一层,该公共电极在垂直于基板平面的方向上覆盖该传输数据信号的信号线。
2.如权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于:该不连续的信号线为数据线。
3.如权利要求2所述的液晶显示面板,其特征在于:该数据线包括一数据线主体和一设置在该数据线主体两末端两侧的第一延伸部,该像素电极的边缘覆盖该第一延伸部。
4.如权利要求3所述的液晶显示面板,其特征在于:该连接线包括一连接线主体、一设置在该连接线主体两末端的连接部和一设置在该连接线主体两末端两侧的第二延伸部,该像素电极的边缘覆盖该第二延伸部。
5.如权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于:该不连续的信号线为扫描线。
6.如权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于:该液晶显示面板进一步包括一第一介电层,其设置在该信号线与该连接线之间,该第一介电层包括一通孔,该连接线通过该通孔与该不连续的信号线相连。
7.如权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于:该公共电极的宽度大于其覆盖的信号线的宽度。
8.一种液晶显示面板,其包括依次设置的一基板、一第一导电金属层图案、一第一介电层、一第二导电金属层图案、一第二介电层和一像素电极,该第一导电金属层图案包括沿行列设置的多条信号线,沿行向设置的信号线传输扫描信号,其特征在于:沿列向设置的信号线传输数据信号,并且每两条互相垂直的信号线中,其中一条信号线不连续,并设置在另一条信号线的两侧,与该另一条信号线互不接触,该第二金属层包括多条连接线和多个公共电极,该连接线连接该不连续的信号线,该公共电极在垂直于基板平面的方向上覆盖该传输数据信号的信号线。
9.一种液晶显示面板制造方法,其包括:
a)提供一基板;
b)在该基板上形成多条信号线,该多条信号线沿行列设置,沿行向设置的信号线传输扫描信号,沿列向设置的信号线传输数据信号,每两条互相垂直的信号线中,其中一条信号线不连续,并设置在另一条信号线的两侧,与该另一条信号线互不接触;
c)在该多条信号线上形成一第一介电层;
d)在该第一介电层上形成多条连接线和多个公共电极,该连接线连接该不连续的信号线,该公共电极在垂直于基板平面的方向上覆盖该传输数据信号的信号线;
e)在该多条连接线和该多个公共电极上形成一第二介电层;
f)在该第二介电层上形成一像素电极。
10.如权利要求9所述的液晶显示面板的制造方法,其特征在于:该公共电极的宽度大于其覆盖的信号线的宽度。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2008101417628A CN101661174B (zh) | 2008-08-29 | 2008-08-29 | 液晶显示面板及其制造方法 |
US12/583,467 US8107029B2 (en) | 2008-08-29 | 2009-08-21 | Thin film transistor substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2008101417628A CN101661174B (zh) | 2008-08-29 | 2008-08-29 | 液晶显示面板及其制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101661174A CN101661174A (zh) | 2010-03-03 |
CN101661174B true CN101661174B (zh) | 2011-04-27 |
Family
ID=41724922
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2008101417628A Active CN101661174B (zh) | 2008-08-29 | 2008-08-29 | 液晶显示面板及其制造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8107029B2 (zh) |
CN (1) | CN101661174B (zh) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102236179B (zh) * | 2010-05-07 | 2014-03-19 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
US9069202B2 (en) * | 2011-03-11 | 2015-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
TWI471643B (zh) * | 2011-07-12 | 2015-02-01 | Innolux Corp | 影像顯示系統及其製造方法 |
JP2013040981A (ja) * | 2011-08-11 | 2013-02-28 | Sony Corp | 表示装置および電子機器 |
CN102402086A (zh) * | 2011-11-18 | 2012-04-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示器 |
US20130128167A1 (en) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US9239502B2 (en) * | 2011-12-23 | 2016-01-19 | Au Optronics Corporation | Pixel structure with data line, scan line and gate electrode formed on the same layer and manufacturing method thereof |
KR101915754B1 (ko) | 2012-05-08 | 2018-11-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 표시 장치 |
CN102854683B (zh) * | 2012-09-26 | 2014-11-12 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板及其制造方法 |
CN102854686B (zh) * | 2012-09-26 | 2014-11-12 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种金属氧化物边缘场开关型液晶显示面板及其制造方法 |
CN102866553B (zh) * | 2012-09-26 | 2016-01-20 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种金属氧化物平面开关型液晶显示面板的制造方法 |
CN102981336B (zh) * | 2012-11-29 | 2015-07-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示模组及其制备方法 |
CN103681692A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-03-26 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN103730474B (zh) * | 2013-12-26 | 2016-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法、显示装置 |
CN103715206A (zh) * | 2013-12-31 | 2014-04-09 | 信利半导体有限公司 | 一种像素单元、阵列基板及显示面板 |
CN103824864A (zh) * | 2014-02-12 | 2014-05-28 | 北京京东方显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
KR102343411B1 (ko) * | 2015-05-15 | 2021-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US9871142B2 (en) * | 2015-06-18 | 2018-01-16 | Panasonic Liquid Crystal Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing display device |
CN105572996B (zh) * | 2016-02-02 | 2019-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种双栅极阵列基板及显示装置 |
US11442318B2 (en) | 2016-02-02 | 2022-09-13 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Dual-gate array substrate and display device |
US11906864B2 (en) | 2016-02-02 | 2024-02-20 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Dual-gate array substrate and display device |
KR102461634B1 (ko) * | 2016-05-26 | 2022-10-31 | 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 액정 표시 장치 및 그 제조방법 |
CN106526992A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-03-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种coa基板及液晶面板 |
CN106842741B (zh) * | 2017-01-18 | 2018-09-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Coa基板及液晶显示面板 |
CN109887885A (zh) * | 2019-03-01 | 2019-06-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板的制作方法及阵列基板 |
CN112684645B (zh) * | 2019-10-18 | 2023-02-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 双栅极阵列基板及显示装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100311214B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2001-11-02 | 박종섭 | 고개구율 및 고투과율 액정 표시 장치 |
US6646692B2 (en) * | 2000-01-26 | 2003-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal display device and method of fabricating the same |
TW498178B (en) * | 2000-05-02 | 2002-08-11 | Hannstar Display Corp | Manufacturing method and structure for in-plane switching mode liquid crystal display unit |
US7414264B2 (en) * | 2003-12-30 | 2008-08-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Poly crystalline silicon semiconductor device and method of fabricating the same |
-
2008
- 2008-08-29 CN CN2008101417628A patent/CN101661174B/zh active Active
-
2009
- 2009-08-21 US US12/583,467 patent/US8107029B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101661174A (zh) | 2010-03-03 |
US20100053530A1 (en) | 2010-03-04 |
US8107029B2 (en) | 2012-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101661174B (zh) | 液晶显示面板及其制造方法 | |
CN101211045B (zh) | 液晶显示装置及其制造方法 | |
CN103941488A (zh) | 一种边缘场型液晶显示装置、阵列基板及其制造方法 | |
US20020113934A1 (en) | Array substrate and display unit using it and production method for array substrate | |
CN102967977B (zh) | 像素阵列基板 | |
KR20080042294A (ko) | 터치 패널 일체형 액정 표시 장치 | |
CN108428705A (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置 | |
CN101241278A (zh) | 边缘场开关模式lcd | |
CN102495502B (zh) | 液晶显示装置及其像素修补方法 | |
CN103105711A (zh) | 布线构造和具备其的薄膜晶体管阵列基板以及显示装置 | |
CN103094069B (zh) | 像素结构 | |
CN102315165A (zh) | 边缘电场型液晶显示器阵列基板及其制作方法 | |
CN102645801B (zh) | 薄膜晶体管阵列基板、彩膜基板、制作方法和显示设备 | |
CN105652543A (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示器件 | |
CN104035228A (zh) | 液晶显示器及其制造方法 | |
CN104035250A (zh) | 主动元件阵列基板 | |
CN105185295A (zh) | 像素阵列 | |
CN201438464U (zh) | 一种顶栅结构薄膜晶体管 | |
CN107845644B (zh) | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
CN104730781A (zh) | Ads阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
CN100590854C (zh) | 像素结构及其制造方法 | |
CN109270754B (zh) | 阵列基板和显示装置 | |
JP2011017821A (ja) | 液晶表示パネル及びその製造方法 | |
CN103926761A (zh) | 一种用于阵列基板的测试结构及其制造方法 | |
CN101295114B (zh) | 液晶显示面板的像素结构及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |