CN104730781A - Ads阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

Ads阵列基板及其制作方法、显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及液晶显示技术领域，公开了一种ADS阵列基板及其制作方法、显示装置。ADS阵列基板包括像素电极和公共电极，通过在至少部分相邻的两个子像素区域之间设置金属线，并将所述金属线与公共电极并联，以减小公共电极的电阻，从而能够减小公共电极的耦合电容，改善公共电极的电平漂移和信号失真问题，大大改善了画面泛绿现象。所述显示装置包括所述ADS阵列基板，提高了画面的显示品质。

Description

ADS阵列基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种ADS阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小，功耗低，无辐射等特点，近年来得到迅速发展，在当前的平板显示器市场中占据主导地位。TFT-LCD的主体结构为液晶面板，液晶面板包括对盒的薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板，液晶分子填充在阵列基板和彩膜基板之间。液晶面板通过控制公共电极和像素电极来形成驱动液晶分子偏转的电场，实现灰阶显示。彩膜基板上的滤光层用于实现彩色显示。
目前，TFT-LCD按照显示模式可以分为：扭曲向列(TN，Twisted Nematic)型、平面转换(IPS，In Plane Switching)型和高级超维场开关(ADS，AdvancedSuper Dimension Switch)型。其中，ADS型TFT-LCD主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。
由于ADS型TFT-LCD的公共电极和像素电极均形成在阵列基板上，公共电极与阵列基板上的信号线(尤其是数据线)耦合严重，导致公共电极信号严重失真，造成画面泛绿现象，影响了画面品质。
发明内容
本发明提供一种ADS阵列基板及其制作方法，用以解决由于公共电极信号严重失真，造成画面泛绿的问题。
本发明还提供一种显示装置，包括上述的ADS阵列基板，克服了公共电极信号严重失真造成的画面泛绿问题，提高了画面品质。
为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种ADS阵列基板，包括公共电极和多个子像素区域，其中，至少部分相邻的两个子像素区域之间设置有金属线，所述金属线与公共电极并联。
如上所述的ADS阵列基板，优选的是，所述金属线包括：
在至少部分相邻的两行子像素区域之间设置的、沿行方向延伸的第一金属线，和/或，
在至少部分相邻的两列子像素区域之间设置的、沿列方向延伸的第二金属线。
如上所述的ADS阵列基板，优选的是，还包括：
交叉分布的多条栅线组和多条数据线，限定多个像素区域，每个像素区域包括在行方向上相邻的两个所述子像素区域，每个子像素区域包括像素电极和薄膜晶体管，每条栅线组包括两条栅线；
同一行子像素区域中，奇数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至同一条栅线，偶数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至另一条栅线；
相邻两列像素区域中，相邻的两列子像素区域的薄膜晶体管连接至同一条数据线；
所述第二金属线设置在每列像素区域中的两列子像素区域之间，所述第二金属线与栅线组之间绝缘。
如上所述的ADS阵列基板，优选的是，所述第二金属线包括并联的源漏金属层和栅金属层。
如上所述的ADS阵列基板，优选的是，在所述第二金属线的延伸方向上，所述第二金属线的栅金属层对应栅线组的位置断开，使得所述第二金属线与栅线组之间绝缘。
如上所述的ADS阵列基板，优选的是，所述第一金属线设置在每条栅线组中的两条栅线之间，所述第一金属线与栅线组、数据线之间绝缘。
如上所述的ADS阵列基板，优选的是，所述第一金属线的材料为源漏金属，与所述栅线组不同层设置，使得所述第一金属线与栅线组之间绝缘。
如上所述的ADS阵列基板，优选的是，在所述第一金属线的延伸方向上，所述第一金属线对应数据线的位置断开，使得所述第一金属线与数据线之间绝缘。
本发明实施例中还提供一种如上所述的ADS阵列基板的制作方法，包括形成公共电极的步骤和形成多个子像素区域的步骤，还包括：
在至少部分相邻的两个子像素区域之间形成金属线的步骤，所述金属线与公共电极并联。
如上所述的制作方法，优选的是，形成金属线的步骤包括：
在至少部分相邻的两行子像素区域之间形成沿行方向延伸的第一金属线，和/或，
在至少部分相邻的两列子像素区域之间形成沿列方向延伸的第二金属线。
如上所述的制作方法，优选的是，所述制作方法具体包括：
形成栅金属薄膜，对所述栅金属薄膜进行构图工艺，形成多条栅线组和所述第二金属线的栅金属层，每条栅线组包括两条栅线；
形成源漏金属薄膜，对所述源漏金属薄膜进行构图工艺，形成多条数据线、所述第二金属线的源漏金属层和所述第一金属线，所述多条栅线组和多条数据线限定多个像素区域，每个像素区域包括在行方向上相邻的两个所述子像素区域；
在每个所述子像素区域形成像素电极和薄膜晶体管，同一行子像素区域中，奇数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至同一条栅线，偶数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至另一条栅线；相邻两列像素区域中，相邻的两列子像素区域的薄膜晶体管连接至同一条数据线；
具体在每列像素区域中的两列子像素区域之间形成所述第二金属线，在所述第二金属线的延伸方向上，所述第二金属层的栅金属层对应所述栅线组的位置断开，使得所述第二金属线与栅线组之间绝缘；
具体在所述栅线组的两条栅线之间形成所述第一金属线，在所述第一金属线的延伸方向上，所述第一金属线对应数据线的位置断开，使得所述第一金属线与数据线之间绝缘。
本发明实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的ADS阵列基板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
上述技术方案中，ADS阵列基板包括像素电极和公共电极，通过在至少部分相邻的两个子像素区域之间设置金属线，并将所述金属线与公共电极并联，以减小公共电极的电阻，从而能够减小公共电极的耦合电容，改善公共电极的电平漂移和信号失真问题，大大改善了画面泛绿现象，提高了显示器件的画面显示品质。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1-图4表示本发明实施例中ADS阵列基板的制作过程示意图。
具体实施方式
本发明提供一种ADS阵列基板及其制作方法，用以解决公共电极由于耦合电容导致电平漂移和信号严重失真，造成画面泛绿的问题。
所述ADS阵列基板包括公共电极和多个子像素区域，在至少部分相邻的两个子像素区域之间设置有金属线，并将所述金属线与公共电极并联，以减小公共电极的电阻，从而能够减小公共电极的耦合电容，改善公共电极的电平漂移和信号失真问题，大大改善了画面泛绿现象，提高了显示器件的画面显示品质。
其中，所述子像素区域由栅线和数据线界定，所述耦合电容主要由公共电极与数据线交叠产生。
本发明的具体工作原理为：
造成ADS型TFT-LCD画面泛绿的主要因素有两个：一个是公共电极的电平漂移，另一个是公共电极信号的失真衰减。影响电平漂移的因素可以表示为：C×V×r，其中，C为公共电极和数据线的耦合电容，V为数据线上电压的变化量，r为显示器件的分辨率。影响失真衰减的因素可以表示为R×C，R为公共电极的电阻，C为公共电极和数据线的耦合电容。据此可知，公共电极和数据线的耦合电容会造成公共电极的电平漂移和信号失真。
本发明就是通过减小公共电极的电阻，来减小公共电极的耦合电容，改善公共电极的电平漂移和信号失真，从而大大改善画面泛绿现象，提高画面显示品质。
下面将结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
结合图4所示，本发明实施例中的ADS阵列基板包括公共电极5和多个子像素区域，每个子像素区域包括像素电极4，公共电极5用于与像素电极4配合，形成驱动液晶分子偏转的电场，实现特定灰阶的显示。同时，公共电极5还用于为阵列基板提供基准电压，具体可以设置公共电极5覆盖阵列基板的整个显示区域。
在至少部分相邻的两个子像素区域之间设置有金属线，所述金属线与公共电极5并联，用于减小公共电极5的电阻，从而减小公共电极5与其他信号线(如数据线)之间的耦合电容，改善公共电极5的电平漂移和信号失真问题，从而大大改善画面泛绿现象，提高显示器件的画面显示品质。
所述金属线具体可以通过位于所述金属线与公共电极5之间的绝缘层中的过孔与公共电极5并联。
上述技术方案利用多个电阻并联的电阻值小于任何一个电阻的电阻值这个原理，通过在相邻的两个子像素区域之间设置金属线，并将所述金属线与公共电极并联的方式，来减小公共电极的电阻，从而减小公共电极的耦合电容，改善公共电极的电平漂移和信号失真问题，大大改善了由此造成的画面泛绿现象。由于金属线设置在相邻的两个子像素区域之间，也不会对开口率造成影响。
本发明实施例中ADS阵列基板的制作方法包括形成公共电极的步骤和形成多个子像素区域的步骤，还包括在至少部分相邻的两个子像素区域之间形成金属线的步骤，所述金属线与公共电极并联。
具体的，所述金属线包括：
在至少部分相邻的两行子像素区域之间设置的、沿行方向延伸的第一金属线30，和/或，
在至少部分相邻的两列子像素区域之间设置的、沿列方向延伸的第二金属线40。
则，形成金属线的制作方法包括：
在至少部分相邻的两行子像素区域之间形成沿行方向延伸的第一金属线30，和/或，
在至少部分相邻的两列子像素区域之间形成沿列方向延伸的第二金属线40。
本发明实施例中的ADS阵列基板还包括栅线和数据线，栅线和数据线横纵交叉分布，用于限定多个像素区域。
在一个具体的实施方式中，所述ADS阵列基板为双栅线型ADS阵列基板，包括横纵交叉分布的多条栅线组10和数据线20，用于限定多个像素区域，如图3所示。其中，栅线组10包括两条栅线，所述两条栅线用第一栅线11和第二栅线12表示，与数据线20横纵交叉分布。栅线组10和数据线20限定的每个像素区域包括在行方向上相邻的两个子像素区域，每个子像素区域包括像素电极4和薄膜晶体管。同一行子像素区域中，奇数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至同一条栅线，偶数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至另一条栅线，从而在相邻两列像素区域中，相邻的两列子像素区域的薄膜晶体管可以连接至同一条数据线20，共用一条数据线20。具体的工作原理为，逐行在每条第一栅线11和第二栅线12上输入有效信号，以打开对应的薄膜晶体管，当某行的奇数列的薄膜晶体管打开时，逐列向每列数据线20输入像素电压，像素电压经由薄膜晶体管传输至该行的奇数列子像素区域，进行对应灰阶的显示。而当该行的偶数列的薄膜晶体管打开时，逐列向每列数据线20输入像素电压，像素电压经由薄膜晶体管传输至该行的偶数列子像素区域，进行对应灰阶的显示，从而相邻两列的薄膜晶体管可以共用一条数据线20。
为了便于结构上的实现，同一行子像素区域中，奇数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至第一条栅线组10中的第二栅线12，偶数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至第二条栅线组10中的第一栅线11，其中，第一条栅线组10和第二条栅线组10相邻，第一条栅线组10的第二栅线12和第二条栅线组10的第一栅线11相邻，如图2所示。
需要说明的是，薄膜晶体管连接至栅线是指：薄膜晶体管的栅电极1与第一栅线11或第二栅线12电性连接。薄膜晶体管连接至数据线是指：薄膜晶体管的源电极2与数据线20电性连接。
在该实施方式中，所述金属线包括沿列方向延伸的第二金属线40。
对于双栅线型ADS阵列基板，栅线组10和数据线20限定的像素区域包括两个在行方向上相邻的子像素区域，且每个像素区域中的子像素区域之间的数据线缺省。优选地，新增的第二金属线40设置在缺省的数据线位置，具体的，每列像素区域中，在两列子像素区域之间设置沿列方向延伸的第二金属线40，且第二金属线40与栅线组10之间绝缘。则，所述子像素区域具体由栅线组10、数据线20和第二金属线40界定。
进一步地，设置第二金属线40包括并联的源漏金属层42和栅金属层41，以减小第二金属线40的电阻，从而进一步减小与第二金属线40并联的公共电极5的电阻。在实际制作工艺中，第二金属线40的栅金属层41与栅线组10和薄膜晶体管的栅电极1由同一栅金属薄膜形成，如图1所示。源漏金属层42与数据线20和薄膜晶体管的源电极2、漏电极3由同一源漏金属薄膜形成，如图2所示。
为了实现第二金属线40与栅线组10之间的绝缘，可以设置在第二金属线40的延伸方向上，第二金属线40的栅金属层41对应栅线组10的位置断开，如图1所示。当然，也可以通过其他方式来实现第二金属线40与栅线组10之间的绝缘，例如：不同层设置，并在两层之间设置绝缘层。
在实际应用过程中，可以在所有列像素区域中的两列子像素区域之间设置第二金属线40，也可以仅在部分列像素区域中的两列子像素区域之间设置第二金属线40。
作为一个优选的实施方式，与公共电极5并联的金属线不仅包括沿列方向延伸的第二金属线40，还包括沿行方向延伸的第一金属线30。
继续以双栅线型ADS阵列基板为例来进行说明，之前已经说明如何在双栅线型ADS阵列基板上新增沿列方向延伸的第二金属线40，在此不再赘述。
对于沿行方向延伸的第一金属线30，其可以设置在每条栅线组10中的第一栅线11和第二栅线12之间，且第一金属线30与栅线组10、数据线20之间绝缘设置。具体的，设置第一金属线30的材料为源漏金属，与栅线组10不同层设置，以实现第一金属线30与栅线组10之间的绝缘。并在第一金属线30的延伸方向上，第一金属线30对应数据线20的位置断开，以实现第一金属线30与数据线20之间的绝缘，如图2所示。在实际的制作工艺中，第一金属线30与数据线20和薄膜晶体管的源电极2、漏电极3由同一源漏金属薄膜形成。
本发明实施例中，也可以仅设置沿行方向延伸的第一金属线30，而不设置沿列方向延伸的第二金属线40。对于双栅线型ADS阵列基板，优选地设置第一金属线30位于栅线组10中的第一栅线11和第二栅线12之间，并与第一金属线30与栅线组10、数据线20之间绝缘设置。
需要说明的是，当设置沿行方向延伸的第一金属线30时，可以在所有栅线组10的第一栅线11和第二栅线12之间设置第一金属线30，也可以仅在部分栅线组10的第一栅线11和第二栅线12之间设置第一金属线30。
如图4所示，本发明实施例中ADS阵列基板具体包括：
横纵交叉分布的多条栅线组10和多条数据线20，用于限定多个像素区域，每个像素区域包括在行方向上相邻的两个子像素区域，每条栅线组10由第一栅线11和第二栅线12两条栅线组成；
每个子像素区域包括薄膜晶体管和板状像素电极4，同一行子像素区域中，奇数列子像素区域的薄膜晶体管的栅电极1与第一条栅线组10的第二栅线12为同层同材料设置的一体结构，奇数列子像素区域的薄膜晶体管的栅电极1与第二条栅线组10的第一栅线11为同层同材料设置的一体结构，第一条栅线组10和第二条栅线组10相邻，第一条栅线组10的第二栅线12和第二条栅线组10的第一栅线11相邻。从而相邻两列像素区域中，相邻的两列子像素区域的薄膜晶体管的源电极2与同一条数据线20为同层同材料设置的一体结构，共用一条数据线20。像素电极4搭接在薄膜晶体管的漏电极3上；
每列像素区域中，两列子像素区域之间设置有第二金属线40，第二金属线40包括并联的栅金属层41和源漏金属层42，在第二金属线40的延伸方向上，第二金属线40的栅金属层41对应栅线组10的位置断开，如图1所示，使得第二金属线40与栅线组10之间绝缘；
每条栅线组10中的第一栅线11和第二栅线12之间设置有第一金属线30，第一金属线30为源漏金属，与栅线组10不同层设置，使得第一金属线30与栅线组10之间绝缘。在第一金属线30的延伸方向上，第一金属线30对应数据线20的位置断开，如图3所示，使得第一金属线30与数据线20之间绝缘；
狭缝公共电极5，通过绝缘层过孔与第一金属线30和第二金属线40并联。
其中，像素电极4和公共电极5为透明导电材料。在相邻导电薄膜图案(如：栅金属薄膜图案和源漏金属薄膜图案，源漏金属薄膜图案和透明导电薄膜图案)之间设置有绝缘层，图中未示出。第一金属线30与数据线20、第二金属线40的源漏金属层42、薄膜晶体管的源电极2和漏电极3为同层同材料设置。第二金属线40的栅金属层41与栅线组10、薄膜晶体管的栅电极1为同层同材料设置。
结合图1-图4所示，本发明实施例中ADS阵列基板的制作方法具体包括：
形成栅金属薄膜，对所述栅金属薄膜进行构图工艺，形成多条栅线组10、第二金属线的栅金属层41、薄膜晶体的管栅电极1，如图1所示；
在栅金属薄膜图案上形成栅绝缘层，图中未示出；
在栅绝缘层上形成薄膜晶体管的有源层图案，图中未示出，有源层图案的材料为硅半导体或金属氧化物半导体；
在有源层图案上形成源漏金属薄膜，对所述源漏金属薄膜进行构图工艺，形成多条数据线20、第二金属线的源漏金属层42、第一金属线30、薄膜晶体管的源电极2和漏电极3，如图2所示，多条栅线组10和多条数据线20限定多个像素区域，每个像素区域包括在行方向上相邻的两个子像素区域，薄膜晶体管位于所述子像素区域，所述子像素区域由栅线组10、数据线20和第二金属线40限定。相邻两列像素区域中，相邻的两列子像素区域的薄膜晶体管连接至同一条数据线20。同一行子像素区域中，奇数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至第一条栅线组10的第二栅线12，偶数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至第二条栅线组10的第一条栅线11，第一条栅线组10和第二条栅线组10相邻。第二金属线40包括并联的栅金属层41和源漏金属层42，位于每列像素区域中的两列子像素区域之间，在第二金属线40的延伸方向上，第二金属层40的栅金属层41对应栅线组10的位置断开，使得第二金属线40与栅线组10之间绝缘。第一金属线30位于栅线组10的第一栅线11和第二栅线12之间，第一金属线30为源漏金属，与栅线组10不同层设置，使得第一金属线30与栅线组10之间绝缘，在第一金属线30的延伸方向上，第一金属线30对应数据线20的位置断开，使得第一金属线30与数据线20之间绝缘；
在每个子像素区域形成板状像素电极4，像素电极4搭接在薄膜晶体管漏电极3上，如图3所示；
在像素电极4上形成钝化层，图中未示出；
在钝化层上形成狭缝公共电极5，如图4所示，公共电极5通过钝化层中的过孔与第一金属线30并联，通过贯穿钝化层和栅绝缘层中的过孔与第二金属线40并联。
本发明实施例中以双栅线型ADS阵列基板为例，来具体介绍本发明的技术方案，但本发明的技术方案也适用于单栅线型ADS阵列基板，或其他类型的ADS阵列基板。
本发明实施例中还提供一种显示装置，包括本发明实施例中的ADS阵列基板，用以提高画面的显示品质。
所述显示装置为液晶显示装置，可以为：液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明的技术方案中，ADS阵列基板包括像素电极和公共电极，通过在至少部分相邻的两个子像素区域之间设置金属线，并将所述金属线与公共电极并联，以减小公共电极的电阻，从而能够减小公共电极的耦合电容，改善公共电极的电平漂移和信号失真问题，大大改善了画面泛绿现象，提高了显示器件的画面显示品质。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种ADS阵列基板，包括公共电极和多个子像素区域，其特征在于，至少部分相邻的两个子像素区域之间设置有金属线，所述金属线与公共电极并联。
2.根据权利要求1所述的ADS阵列基板，其特征在于，所述金属线包括：
在至少部分相邻的两行子像素区域之间设置的、沿行方向延伸的第一金属线，和/或，
在至少部分相邻的两列子像素区域之间设置的、沿列方向延伸的第二金属线。
3.根据权利要求2所述的ADS阵列基板，其特征在于，还包括：
交叉分布的多条栅线组和多条数据线，限定多个像素区域，每个像素区域包括在行方向上相邻的两个所述子像素区域，每个子像素区域包括像素电极和薄膜晶体管，每条栅线组包括两条栅线；
同一行子像素区域中，奇数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至同一条栅线，偶数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至另一条栅线；
相邻两列像素区域中，相邻的两列子像素区域的薄膜晶体管连接至同一条数据线；
所述第二金属线设置在每列像素区域中的两列子像素区域之间，所述第二金属线与栅线组之间绝缘。
4.根据权利要求3所述的ADS阵列基板，其特征在于，所述第二金属线包括并联的源漏金属层和栅金属层。
5.根据权利要求4所述的ADS阵列基板，其特征在于，在所述第二金属线的延伸方向上，所述第二金属线的栅金属层对应栅线组的位置断开，使得所述第二金属线与栅线组之间绝缘。
6.根据权利要求3所述的ADS阵列基板，其特征在于，所述第一金属线设置在每条栅线组中的两条栅线之间，所述第一金属线与栅线组、数据线之间绝缘。
7.根据权利要求6所述的ADS阵列基板，其特征在于，所述第一金属线的材料为源漏金属，与所述栅线组不同层设置，使得所述第一金属线与栅线组之间绝缘。
8.根据权利要求7所述的ADS阵列基板，其特征在于，在所述第一金属线的延伸方向上，所述第一金属线对应数据线的位置断开，使得所述第一金属线与数据线之间绝缘。
9.一种权利要求1-8任一项所述的ADS阵列基板的制作方法，包括形成公共电极的步骤和形成多个子像素区域的步骤，其特征在于，还包括：
在至少部分相邻的两个子像素区域之间形成金属线的步骤，所述金属线与公共电极并联。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成金属线的步骤包括：
在至少部分相邻的两行子像素区域之间形成沿行方向延伸的第一金属线，和/或，
在至少部分相邻的两列子像素区域之间形成沿列方向延伸的第二金属线。
11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体包括：
形成栅金属薄膜，对所述栅金属薄膜进行构图工艺，形成多条栅线组和所述第二金属线的栅金属层，每条栅线组包括两条栅线；
形成源漏金属薄膜，对所述源漏金属薄膜进行构图工艺，形成多条数据线、所述第二金属线的源漏金属层和所述第一金属线，所述多条栅线组和多条数据线限定多个像素区域，每个像素区域包括在行方向上相邻的两个所述子像素区域；
在每个所述子像素区域形成像素电极和薄膜晶体管，同一行子像素区域中，奇数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至同一条栅线，偶数列的子像素区域的薄膜晶体管连接至另一条栅线；相邻两列像素区域中，相邻的两列子像素区域的薄膜晶体管连接至同一条数据线；
具体在每列像素区域中的两列子像素区域之间形成所述第二金属线，在所述第二金属线的延伸方向上，所述第二金属层的栅金属层对应所述栅线组的位置断开，使得所述第二金属线与栅线组之间绝缘；
具体在所述栅线组的两条栅线之间形成所述第一金属线，在所述第一金属线的延伸方向上，所述第一金属线对应数据线的位置断开，使得所述第一金属线与数据线之间绝缘。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的ADS阵列基板。
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