KR20190139283A - 어레이 기판 구조체 및 어레이 기판의 제조방법 - Google Patents
어레이 기판 구조체 및 어레이 기판의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190139283A KR20190139283A KR1020197033812A KR20197033812A KR20190139283A KR 20190139283 A KR20190139283 A KR 20190139283A KR 1020197033812 A KR1020197033812 A KR 1020197033812A KR 20197033812 A KR20197033812 A KR 20197033812A KR 20190139283 A KR20190139283 A KR 20190139283A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- metal layer
- array substrate
- manufacturing
- layer
- pixel electrode
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 101
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 101
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 112
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13625—Patterning using multi-mask exposure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
-
- G02F2001/13625—
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Geometry (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 어레이 기판 구조체 및 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다. 상기 어레이 기판의 제조방법은: 기판(30) 상에 제1 금속층(31)을 제조하고, 제1 금속층(31)을 패터닝하고, 게이트 전극(32)을 제조하는, 단계 1; 기판(30) 상에 게이트 절연층(33)을 제조하고, 액티브층(34)을 제조하는, 단계 2; 상기 게이트 절연층(33) 상에 제1 금속층(31)에 대응하여 제1 스루홀(38)을 형성하는, 단계 3; 게이트 절연층(33) 상에 제2 금속층(35)을 제조하고, 제2 금속층(35)을 패터닝하고, 소스/드레인 전극(36)을 제조하고, 액티브층(34)에 대응하여 제2 스루홀(39)을 형성하고, 제1 금속층(31)과 제2 금속층(35)은 제1 스루홀(38)에서 연결되는, 단계 4; 픽셀 전극(37)을 제조하고, 픽셀 전극(37)과 소스/드레인 전극(36)은 제2 스루홀(39)에서 직접 연결되고, 제2 금속층(35)은 픽셀 전극(37)에 의해 커버되어 보호되는, 단계 5;를 포함한다. 또한, 이에 대응하는 어레이 기판 구조체를 더 제공한다. 상기 방안은 고해상도에서의 픽셀 개구율 및 액정 디스플레이의 디스플레이 효과 및 품질을 향상시키고, 패널의 전기적 특성을 개선한다.
Description
본 발명은 액정 디스플레이 분야에 관한 것으로, 특히 어레이 기판 구조체 및 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.
액정 디스플레이는 현재 가장 널리 사용되고 있는 패널 디스플레이로서, 휴대 전화, 개인 휴대 정보 단말기(PDA), 디지털 카메라, 컴퓨터 스크린 또는 노트북 스크린과 같은 다양한 전자장치에 광범위하게 사용되고 있는 고해상도 컬러 스크린 디스플레이이다. 현재 일반적으로 사용되는 액정 디스플레이는, 통상적으로 상부 및 하부 기판과 중간 액정층으로 구성되고, 기판은 유리와 전극 등으로 구성된다. 상부 및 하부 기판 모두가 전극을 갖는 경우, 종방향 전계 모드의 디스플레이를 형성할 수 있는데, 예를 들어 트위스트 네마틱(TN, Twist Nematic) 모드, 수직 배향(VA, Vertical Alignment) 모드, 및 시야각이 너무 좁은 문제를 해결하기 위해 개발한 다중-도메인 수직 배향(MVA, Multi-domain Vertical Alignment) 모드가 있다. 상술의 디스플레이과 달리, 다른 한 종류의 디스플레이에서 전극은 기판의 일측에만 위치하여, 횡방향 전계 모드의 디스플레이를 형성하는데, 예를 들어 인-플레인 스위칭(IPS, In-plane switching) 모드, 프린지 필드 스위칭(FFS, Fringe Field Switching) 모드 등이 있다.
박막 트랜지스터 디스플레이는 높은 개구율, 고해상도, 넓은 시야각 등 특징으로 액정 TV와 같은 큰 사이즈의 패널에 사용되고 있으나, 고해상도 패널에서, 종래의 제조 공정의 방법으로 설계된 경우, 픽셀 개구율이 낮고, 프레임 폭의 어레이 기판의 행 구동(GOA) 회로가 넓다.
도 1은 종래의 어레이 기판의 5 포토 마스크 제조 공정의 예시도이다. 종래의 5 포토 마스크 제조 공정은 주로: 기판(10)을 제공하고, 기판(10) 상에 제1 금속층(11)을 제조하고, 제1 포토 마스크를 통하여 제1 금속층(11)을 패터닝하고, 게이트(Gate) 전극(12)을 제조하고, 게이트 전극(12) 외의 제1 금속층(11)은 스캐닝 라인과 공통 전극 라인 등 구조를 형성할 수 있고; 기판(10) 상에 게이트 절연층(GI, 13)을 제조하고, 제2 포토 마스크를 통하여 액티브층(14)을 제조하고; 제2 금속층(15)을 제조하고, 제3 포토 마스크를 통하여 제2 금속층(15)을 패터닝하고, 소스/드레인(Source/Drain) 전극(16)을 제조하고, 소스/드레인 전극(16) 외의 제2 금속층(15)은 데이타 라인 등 구조를 형성할 수 있고; 보호층(17)을 제조하고, 제4 포토 마스크의 제조를 통하여 보호층(17) 상에 스루홀을 형성하고, 스루홀의 위치는 소스/드레인 전극(16), 액정 디스플레이 주변 구동회로 부분의 제1 금속층(11)과 제2 금속층(15)에 각각 대응되고; 제5 포토 마스크를 통하여 픽셀 전극(18)을 제조하고, 픽셀 전극의 재료는 인듐 주석 산화물(ITO)일 수 있는 것을 포함한다.
도 2는 종래의 5 포토 마스크 제조 공정에 따른 픽셀 구조의 예시도이고, 도면은 VA픽셀 구조를 나타냈으나, VA 픽셀 외에 IPS등 픽셀 구조일 수도 있다. 액티브층(Active layer)및 그 주변의 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극은 픽셀 전극(Pixel electrode)을 구동하는 박막 트랜지스터를 구성하고, 픽셀 전극과 소스/드레인 전극은 스루홀(VIA)을 통하여 서로 연결된다. 액정 디스플레이 주변 구동회로는 주로 스캐닝 라인(Gate line), 데이타 라인(Data line), 공통 전극 라인(Com line)을 포함한다.
상기 기술에 따라 제조된 고해상도 액정 디스플레이의 단점은 아래와 같다:
1. 픽셀 내의 소스/드레인(Source/Drain)전극과 픽셀 전극의 연결에 스루홀이 필요하는데, 고해상도 액정 디스플레이에서, 상기 스루홀은 액정 디스플레이의 개구율을 낮추고, 나아가 액정 디스플레이의 액정 효율에 영향을 준다.
2. 액정 디스플레이 주변 구동회로에서, 제1층 금속과 제2 층 금속의 연결에 ITO브리징이 필요하는데, 상기 브리징 구조는 프레임을 추가하고, 특히 GOA회로의 면적에 영향을 주고, 또한 ITO브리징 구조는 브리징의 저항을 증가시켜 패널의 전기적 특성에 영향을 준다.
본 발명의 목적은 고해상도 액정 디스플레이의 투과율을 향상시키고, 프레임의 폭을 줄이는 어레이 기판의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 액정 디스플레이의 투과율을 향상시키고, 프레임의 폭을 줄이는 어레이 기판 구조체를 제공하기 위한 것이다.
상기 목적을 실현하기 위하여, 본 발명은 어레이 기판의 제조방법을 제공하고,
기판을 제공하고, 기판 상에 제1 금속층을 제조하고, 제1 포토 마스크를 통하여 제1 금속층을 패터닝하고, 게이트 전극을 제조하는, 단계 1;
기판 상에 게이트 절연층을 제조하고, 제2 포토 마스크를 통하여 액티브층을 제조하는, 단계 2;
제3 포토 마스크를 통하여 상기 게이트 절연층 상에 제1 금속층에 대응하여 제1 스루홀을 형성하는, 단계 3;
게이트 절연층 상에 제2 금속층을 제조하고, 제4 포토 마스크를 통하여 제2 금속층을 패터닝하고, 소스/드레인 전극을 제조하고, 액티브층에 대응하여 제2 스루홀을 형성하고, 제1 금속층과 제2 금속층은 제1 스루홀에서 연결되는, 단계 4;
제5 포토 마스크를 통하여 픽셀 전극을 제조하고, 픽셀 전극과 소스/드레인 전극은 제2 스루홀에서 직접 연결되고, 제2 금속층은 픽셀 전극에 의해 커버되어 보호되는, 단계 5;를 포함한다.
상기 어레이 기판은 VA형 액정 디스플레이의 어레이 기판이다.
상기 어레이 기판은 IPS형 액정 디스플레이의 어레이 기판이다.
상기 픽셀 전극 재료는 인듐 주석 산화물이다.
상기 단계 1에서, 상기 제1 금속층을 패터닝한 후 스캐닝 라인과 공통 전극 라인을 더 형성한다.
상기 단계 4에서, 상기 제2 금속층을 패터닝한 후 데이타 라인을 더 형성한다.
본 발명은 이에 대응하는 어레이 기판 구조체를 더 제공하는데, 층별 순차적으로 제조된 기판, 제1 금속층과 게이트 전극, 게이트 절연층, 액티브층, 제2 금속층과 소스/드레인 전극, 및 픽셀 전극을 포함하고; 상기 게이트 절연층 상에 제1 금속층에 대응하여 제1 스루홀을 설치하고, 소스/드레인 전극은 액티브층의 위치에 대응하여 제2 스루홀을 형성하고, 제1 금속층과 제2 금속층은 제1 스루홀에서 연결되고, 픽셀 전극과 소스/드레인 전극은 제2 스루홀에서 직접 연결되고, 제2 금속층은 픽셀 전극에 의해 커버되어 보호된다.
상기 어레이 기판은 VA형 액정 디스플레이의 어레이 기판이다.
상기 어레이 기판은 IPS형 액정 디스플레이의 어레이 기판이다.
상기 픽셀 전극의 재료는 인듐 주석 산화물이다.
본 발명은 어레이 기판의 제조방법을 더 제공하고,
기판을 제공하고, 기판 상에 제1 금속층을 제조하고, 제1 포토 마스크를 통하여 제1 금속층을 패터닝하고, 게이트 전극을 제조하는, 단계 1;
기판 상에 게이트 절연층을 제조하고, 제2 포토 마스크를 통하여 액티브층을 제조하는, 단계 2;
제3 포토 마스크를 통하여 게이트 절연층 상에 제1 금속층에 대응하여 제1 스루홀을 형성하는, 단계 3;
게이트 절연층 상에 제2 금속층을 제조하고, 제4 포토 마스크를 통하여 제2 금속층을 패터닝하고, 소스/드레인 전극을 제조하고, 액티브층에 대응하여 제2 스루홀을 형성하고, 제1 금속층과 제2 금속층은 제1 스루홀에서 연결되는, 단계 4;
제5 포토 마스크를 통하여 픽셀 전극을 제조하고, 픽셀 전극과 소스/드레인 전극은 제2 스루홀에서 직접 연결되고, 제2 금속층은 픽셀 전극에 의해 커버되어 보호되는, 단계 5;를 포함하고,
상기 단계 1에서, 상기 제1 금속층을 패터닝한 후 스캐닝 라인과 공통 전극 라인을 더 형성하고;
상기 단계 4에서, 상기 제2 금속층을 패터닝한 후 데이타 라인을 더 형성한다.
이상과 같이, 본 발명의 어레이 기판 구조체 및 어레이 기판의 제조 방법은 고해상도에서의 픽셀 개구율과 액정 디스플레이의 디스플레이 효과 및 품질을 향상시키고, 패널의 전기적 특성을 개선한다.
이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예들을 자세히 설명하고, 본 발명의 기술 방안 및 기타 유익한 효과는 명백하게 설명될 것이다.
도면에서,
도 1은 종래의 어레이 기판의 5 포토 마스크 제조 공정의 예시도이다.
도 2는 종래의 5 포토 마스크 제조 공정에 따른 픽셀 구조의 예시도이다.
도 3은 본 발명의 어레이 기판의 제조방법의 제조 공정 예시도이다.
도 4는 본 발명의 어레이 기판의 픽셀 구조의 예시도이다.
도 5는 본 발명의 어레이 기판의 픽셀 구조의 층별 예시도이다.
도 6은 본 발명의 어레이 기판의 제조방법의 흐름도이다.
도면에서,
도 1은 종래의 어레이 기판의 5 포토 마스크 제조 공정의 예시도이다.
도 2는 종래의 5 포토 마스크 제조 공정에 따른 픽셀 구조의 예시도이다.
도 3은 본 발명의 어레이 기판의 제조방법의 제조 공정 예시도이다.
도 4는 본 발명의 어레이 기판의 픽셀 구조의 예시도이다.
도 5는 본 발명의 어레이 기판의 픽셀 구조의 층별 예시도이다.
도 6은 본 발명의 어레이 기판의 제조방법의 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 어레이 기판의 제조방법의 흐름도이고, 상기 방법은 주로 아래 단계를 포함한다:
단계 1, 기판을 제공하고, 기판 상에 제1 금속층을 제조하고, 제1 포토 마스크를 통하여 제1 금속층을 패터닝하고, 게이트 전극을 제조한다;
단계 2, 기판 상에 게이트 절연층을 제조하고, 제2 포토 마스크를 통하여 액티브층을 제조한다;
단계 3, 제3 포토 마스크를 통하여 게이트 절연층 상에 제1 금속층에 대응하여 제1 스루홀을 형성한다;
단계 4, 게이트 절연층 상에 제2 금속층을 제조하고, 제4 포토 마스크를 통하여 제2 금속층을 패터닝하고, 소스/드레인 전극을 제조하고, 액티브층에 대응하여 제2 스루홀을 형성하고, 제1 금속층과 제2 금속층은 제1 스루홀에서 연결된다;
단계 5, 제5 포토 마스크를 통하여 픽셀 전극을 제조하고, 픽셀 전극과 소스/드레인 전극은 제2 스루홀에서 직접 연결되고, 제2 금속층은 픽셀 전극에 의해 커버되어 보호된다.
본 발명은 새로운 액정 디스플레이 어레이 기판의 제조 공정을 제공하는데, 해당 공정에서, 제1 금속층과 제2 금속층은 스루홀을 통하여 직접 연결되고, 제2 금속층은 ITO를 사용하여 커버되어 보호되고, 상기 제조 공정에 따라 제조된 액정 디스플레이는 높은 픽셀 개구율과 협소 프레임 등 장점을 가지고 있다.
도 3은 본 발명의 어레이 기판의 제조방법의 제조 공정의 예시도이고, 본 발명의 어레이 기판의 제조방법을 더 설명하기 위한 것이다.
기판(30)을 제공하고, 기판(30) 상에 제1 금속층(31)을 제조하고, 제1 포토 마스크를 통하여 제1 금속층(31)을 패터닝하고, 게이트 전극(32)을 제조하고, 게이트 전극(32) 외의 제1 금속층(31)은 스캐닝 라인과 공통 전극 라인 등 구조를 형성할 수 있다;
다음으로, 기판(30) 상에 게이트 절연층(33)을 제조하고, 제2 포토 마스크를 통하여 액티브층(34)을 제조한다;
제3 포토 마스크를 통하여 게이트 절연층(33) 상에 제1 금속층(31)에 대응하여 제1 스루홀(38)을 형성하고, 제1 스루홀(38)의 위치는 액정 디스플레이 주변 구동회로 부분의 제1 금속층(31)에 대응한다;
게이트 절연층(33) 상에 제2 금속층(35)을 제조하고, 제4 포토 마스크를 통하여 제2 금속층(35)을 패터닝하고, 소스/드레인 전극(36)을 제조하고, 액티브층(34)의 위치에 대응하여 제2 스루홀(39)을 형성하고, 제1 금속층(31)과 제2 금속층(35)은 제1 스루홀(38)에서 연결되고, 소스/드레인 전극(36) 외의 제2 금속층(35)은 데이타 라인 등 구조를 형성할 수 있다;
제5 포토 마스크를 통하여 픽셀 전극(37)을 제조하고, 픽셀 전극(37)과 소스/드레인 전극(36)은 제2 스루홀(39)에서 직접 연결되고, 제2 금속층(35)은 픽셀 전극(37)에 의해 커버되어 보호되고, 픽셀 전극(37)의 재료는 인듐 주석 산화물(ITO)일 수 있다.
본 발명의 공정에서, 제1 금속층(31)과 제2 금속층(35)은 제1 스루홀(38)을 통하여 직접 연결되고, 제2 금속층(35)은 ITO를 사용하여 커버되어 보호된다.
본 발명의 어레이 기판의 제조방법에 따라, 본 발명은 이에 대응하는 어레이 기판 구조체를 제공하고, 도 3과 같이, 층별 순차적으로 제조된 기판(30), 제1 금속층(31)과 게이트 전극(32), 게이트 절연층(33), 액티브층(34), 제2 금속층(35)과 소스/드레인 전극(36), 및 픽셀 전극(37)을 포함하고; 게이트 절연층(33) 상에 제1 금속층(31)에 대응하여 제1 스루홀(38)을 설치하고, 소스/드레인 전극(36)은 액티브층(34)의 위치에 대응하여 제2 스루홀(39)을 형성하고, 제1 금속층(31)과 제2 금속층(35)은 제1 스루홀(38)에서 연결되고, 픽셀 전극(37)과 소스/드레인 전극(36)은 제2 스루홀(39)에서 직접 연결되고, 제2 금속층(35)은 픽셀 전극(37)에 의해 커버되어 보호된다.
도 4는 본 발명의 어레이 기판의 픽셀 구조의 예시도이다. 도면은 VA 픽셀 구조를 나타냈으나, VA 픽셀 외에 IPS 등 픽셀 구조일 수도 있다. 액티브층(Active layer) 및 그 주변의 게이트 전극, 소스 전극과 드레인 전극은 픽셀 전극(Pixel electrode)을 구동하는 박막 트랜지스터를 구성하고, 픽셀 전극과 소스/드레인 전극은 액티브층 위치의 스루홀에서 직접 연결된다. 액정 디스플레이 주변 구동회로는 주로 스캐닝 라인(Gate line), 데이타 라인(Data line), 공통 전극 라인(Com line)을 포함한다.
상기 기술에 따라 제조된 고해상도 액정 디스플레이의 장점은 아래와 같다:
1. 픽셀 내의 소스/드레인 전극과 픽셀 전극은 스루홀을 통하여 직접 연결되어, 고해상도 액정 디스플레이에서, 해당 스루홀을 통하여 액정 디스플레이의 개구율을 높이고, 나아가 액정 디스플레이의 액정 효율을 향상시킨다.
2. 액정 디스플레이 주변 구동회로에서, 제1 금속층과 제2 금속층의 연결에 ITO브리징을 사용하지 않으므로, 본 발명의 브리징 방식은 프레임의 폭을 줄이고, 특히 GOA회로의 면적을 감소시키고, 또한, 해당 브리징 방식은 브리징의 저항을 낮추어 패널의 전기적 특성을 개선한다.
도 5는 본 발명의 어레이 기판의 픽셀 구조의 층별 예시도이고, 도 4의 픽셀구조를 층별로 설명하였고, 5 포토 마스크 제조 공정에 대응할 수 있다. 제1 포토 마스크 제조 공정은, 게이트 전극 및 기타 제1 금속층의 패턴을 형성하고, 스캐닝 라인과 공통 전극 라인 등을 포함할 수 있고; 제2 포토 마스크 제조 공정은, 게이트 전극의 위치에 대응하여 액티브층을 형성하고; 제3 포토 마스크 제조 공정은, 나머지 제1 금속층 패턴에 대응하여 스루홀을 형성하고; 제4 포토 마스크 제조 공정은, 소스/드레인 전극을 형성하고; 제5 포토 마스크 제조 공정은, 픽셀 전극을 형성하고, 제2 금속층은 인듐 주석 산화물을 이용하여 커버되어 보호된다.
이상과 같이, 본 발명의 어레이 기판 구조체 및 어레이 기판의 제조방법은 고해상도에서의 픽셀 개구율과 액정 디스플레이의 디스플레이 효과 및 품질을 향상시키고, 패널의 전기적 특성을 개선한다.
상술한 내용에 있어서, 해당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술방안과 기술 구상으로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하고, 이러한 수정 및 변형도 후술되는 특허청구범위의 보호범위에 속한다.
Claims (14)
- 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
기판을 제공하고, 기판 상에 제1 금속층을 제조하고, 제1 포토 마스크를 통하여 제1 금속층을 패터닝하고, 게이트 전극을 제조하는, 단계 1;
기판 상에 게이트 절연층을 제조하고, 제2 포토 마스크를 통하여 액티브층을 제조하는, 단계 2;
제3 포토 마스크를 통하여 상기 게이트 절연층 상에 제1 금속층에 대응하여 제1 스루홀을 형성하는, 단계 3;
게이트 절연층 상에 제2 금속층을 제조하고, 제4 포토 마스크를 통하여 제2 금속층을 패터닝하고, 소스/드레인 전극을 제조하고, 액티브층에 대응하여 제2 스루홀을 형성하고, 제1 금속층과 제2 금속층은 제1 스루홀에서 연결되는, 단계 4;
제5 포토 마스크를 통하여 픽셀 전극을 제조하고, 픽셀 전극과 소스/드레인 전극은 제2 스루홀에서 직접 연결되고, 제2 금속층은 픽셀 전극에 의해 커버되어 보호되는, 단계 5;를 포함하는, 어레이 기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 어레이 기판은 VA형 액정 디스플레이의 어레이 기판인 것인, 어레이 기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 어레이 기판은 IPS형 액정 디스플레이의 어레이 기판인 것인, 어레이 기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 픽셀 전극 재료는 인듐 주석 산화물인 것인, 어레이 기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 단계 1에서, 상기 제1 금속층을 패터닝한 후 스캐닝 라인과 공통 전극 라인을 더 형성하는 것인, 어레이 기판의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 단계 4에서, 상기 제2 금속층을 패터닝한 후 데이타 라인을 더 형성하는 것인, 어레이 기판의 제조방법.
- 어레이 기판 구조체에 있어서,
층별 순차적으로 제조된, 기판, 제1 금속층과 게이트 전극, 게이트 절연층, 액티브층, 제2 금속층과 소스/드레인 전극, 및 픽셀 전극을 포함하고; 상기 게이트 절연층 상에 제1 금속층에 대응하여 제1 스루홀을 설치하고, 소스/드레인 전극은 액티브층의 위치에 대응하여 제2 스루홀을 형성하고, 제1 금속층과 제2 금속층은 제1 스루홀에서 연결되고, 픽셀 전극과 소스/드레인 전극은 제2 스루홀에서 직접 연결되고, 제2 금속층은 픽셀 전극에 의해 커버되어 보호되는 것인, 어레이 기판 구조체.
- 제7항에 있어서,
상기 어레이 기판은 VA형 액정 디스플레이의 어레이 기판인 것인, 어레이 기판 구조체.
- 제7항에 있어서,
상기 어레이 기판은 IPS형 액정 디스플레이의 어레이 기판인 것인, 어레이 기판 구조체.
- 제7항에 있어서,
상기 픽셀 전극의 재료는 인듐 주석 산화물인 것인, 어레이 기판 구조체.
- 어레이 기판의 제조방법에 있어서,
기판을 제공하고, 기판 상에 제1 금속층을 제조하고, 제1 포토 마스크를 통하여 제1 금속층을 패터닝하고, 게이트 전극을 제조하는, 단계 1;
기판 상에 게이트 절연층을 제조하고, 제2 포토 마스크를 통하여 액티브층을 제조하는, 단계 2;
제3 포토 마스크를 통하여 게이트 절연층 상에 제1 금속층에 대응하여 제1 스루홀을 형성하는, 단계 3;
게이트 절연층 상에 제2 금속층을 제조하고, 제4 포토 마스크를 통하여 제2 금속층을 패터닝하고, 소스/드레인 전극을 제조하고, 액티브층에 대응하여 제2 스루홀을 형성하고, 제1 금속층과 제2 금속층은 제1 스루홀에서 연결되는, 단계 4;
제5 포토 마스크를 통하여 픽셀 전극을 제조하고, 픽셀 전극과 소스/드레인 전극은 제2 스루홀에서 직접 연결되고, 제2 금속층은 픽셀 전극에 의해 커버되어 보호되는, 단계 5;를 포함하고,
상기 단계 1에서, 상기 제1 금속층을 패터닝한 후 스캐닝 라인과 공통 전극 라인을 더 형성하고;
상기 단계 4에서, 상기 제2 금속층을 패터닝한 후 데이타 라인을 더 형성하는 것인, 어레이 기판의 제조방법.
- 제11항에 있어서,
상기 어레이 기판은 VA형 액정 디스플레이의 어레이 기판인 것인, 어레이 기판의 제조방법.
- 제11항에 있어서,
상기 어레이 기판은 IPS형 액정 디스플레이의 어레이 기판인 것인, 어레이 기판의 제조방법.
- 제11항에 있어서,
상기 픽셀 전극의 재료는 인듐 주석 산화물인 것인, 어레이 기판의 제조방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710249966.2A CN106932986B (zh) | 2017-04-17 | 2017-04-17 | 阵列基板结构及阵列基板的制备方法 |
CN201710249966.2 | 2017-04-17 | ||
PCT/CN2017/084975 WO2018192052A1 (zh) | 2017-04-17 | 2017-05-18 | 阵列基板结构及阵列基板的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190139283A true KR20190139283A (ko) | 2019-12-17 |
KR102228827B1 KR102228827B1 (ko) | 2021-03-17 |
Family
ID=59438272
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020197033812A KR102228827B1 (ko) | 2017-04-17 | 2017-05-18 | 어레이 기판 구조체 및 어레이 기판의 제조방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3614201A4 (ko) |
JP (1) | JP6902110B2 (ko) |
KR (1) | KR102228827B1 (ko) |
CN (1) | CN106932986B (ko) |
WO (1) | WO2018192052A1 (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108828862A (zh) * | 2018-08-22 | 2018-11-16 | 惠科股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
CN109887883B (zh) * | 2019-02-14 | 2020-11-06 | 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
CN109739056A (zh) * | 2019-02-25 | 2019-05-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 液晶显示器的像素电极及制造方法 |
US11798959B2 (en) * | 2019-07-22 | 2023-10-24 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Manufacturing method of array substrate |
CN110600425B (zh) * | 2019-08-20 | 2023-07-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板的制备方法及阵列基板 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090129824A (ko) * | 2008-06-13 | 2009-12-17 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR20100130104A (ko) * | 2009-06-02 | 2010-12-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 박막트랜지스터를 구비한 표시소자 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4493744B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2010-06-30 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置用基板及びその製造方法 |
KR101146444B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2012-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치 제조방법 |
CN100570863C (zh) * | 2006-01-13 | 2009-12-16 | 中华映管股份有限公司 | 像素结构及其制造方法 |
CN101957529B (zh) * | 2009-07-16 | 2013-02-13 | 北京京东方光电科技有限公司 | Ffs型tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
CN102033343B (zh) * | 2009-09-25 | 2012-09-19 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
CN102299104A (zh) * | 2011-09-20 | 2011-12-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft阵列基板的制作方法及tft阵列基板 |
CN103227148B (zh) * | 2013-04-02 | 2015-12-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板制备方法及阵列基板和显示装置 |
CN103928469B (zh) * | 2013-04-23 | 2016-12-28 | 上海天马微电子有限公司 | 一种tft阵列基板及其制造方法、显示面板 |
-
2017
- 2017-04-17 CN CN201710249966.2A patent/CN106932986B/zh active Active
- 2017-05-18 EP EP17906674.1A patent/EP3614201A4/en not_active Withdrawn
- 2017-05-18 JP JP2019556356A patent/JP6902110B2/ja active Active
- 2017-05-18 KR KR1020197033812A patent/KR102228827B1/ko active IP Right Grant
- 2017-05-18 WO PCT/CN2017/084975 patent/WO2018192052A1/zh active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090129824A (ko) * | 2008-06-13 | 2009-12-17 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR20100130104A (ko) * | 2009-06-02 | 2010-12-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 박막트랜지스터를 구비한 표시소자 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6902110B2 (ja) | 2021-07-14 |
EP3614201A4 (en) | 2020-12-02 |
CN106932986A (zh) | 2017-07-07 |
CN106932986B (zh) | 2019-04-02 |
EP3614201A1 (en) | 2020-02-26 |
JP2020516956A (ja) | 2020-06-11 |
WO2018192052A1 (zh) | 2018-10-25 |
KR102228827B1 (ko) | 2021-03-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102228827B1 (ko) | 어레이 기판 구조체 및 어레이 기판의 제조방법 | |
US8610860B2 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof, and liquid crystal display | |
US8767158B2 (en) | Array substrate, liquid crystal panel, liquid crystal display and driving method thereof | |
TWI408476B (zh) | 薄膜電晶體陣列基板及液晶面板 | |
KR101212067B1 (ko) | 액정표시장치 및 이의 제조방법 | |
US9857620B2 (en) | Display device | |
WO2017054394A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
CN103163703A (zh) | 液晶显示设备及其制造方法 | |
JP2014077983A (ja) | 表示基板及びそれを含む液晶表示パネル | |
JP2005055896A (ja) | 薄膜トランジスタ表示板 | |
WO2016145978A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法以及显示装置 | |
KR20160072335A (ko) | 액정 표시 장치 | |
JP2012242497A (ja) | 液晶表示装置 | |
CN104730781A (zh) | Ads阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
US9524989B2 (en) | Array substrate and method of manufacturing the same, and liquid crystal display screen | |
KR101321172B1 (ko) | 컬러필터기판 및 그 제조방법 | |
KR101946927B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이기판 및 이의 제조방법 | |
US11378848B2 (en) | Pixel structure and manufacturing method thereof, array substrate and display device | |
JP2010286575A (ja) | 液晶表示パネル | |
US9864240B2 (en) | Liquid crystal display device | |
JP6943361B2 (ja) | Coa型液晶パネルの製造方法及びcoa型液晶パネル | |
US9348184B2 (en) | Liquid crystal display device, array substrate and method for manufacturing the same | |
US10192909B2 (en) | Array substrate structure and manufacturing method of array substrate | |
KR101903604B1 (ko) | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 | |
TWI599833B (zh) | 陣列基板及具有該陣列基板的液晶顯示面板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |