CN112582449A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置。显示装置可以包括：基板，其上设置有沿第一方向延伸的基准线；第一子像素，包括设置在基准线一侧的第一电路区域和另一侧的第一发光区域；第二子像素，包括设置在基准线一侧的第二发光区域和基准线另一侧的第二电路区域；第一数据线，沿第一方向延伸且设置为与基准线间隔开；第二数据线，沿第一方向延伸且设置为与基准线间隔开。因此，基准线和数据线设置在电路区域的两侧，从而基准线和数据线不重叠且可改善波纹现象和模糊现象。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年9月30日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2019-0121107的优先权益，其公开的全部内容通过引用明确地并入本申请中。
技术领域
本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种改善由寄生电容引起的波纹现象的显示装置。
背景技术
用于计算机、电视机或移动电话的显示屏的显示装置有机发光显示装置(OLED)和液晶显示装置(LCD)，有机发光显示装置是自发光装置，液晶显示装置需要单独光源。
显示装置可以广泛地应用于个人数字助理以及计算机、电视机的显示屏，并且正在研究显示面积大、体积小并且重量轻的显示装置。
目前，显示装置包括多个发光二极管和用于驱动多个发光二极管的驱动电路和多条布线。然而，随着分辨率变高，存在布线和驱动IC的数量增加的问题，从而导致制造成本增加。此外，随着在有限区域中设置的布线的数量增加，布线重叠并且引起了布线之间的寄生电容，从而导致波纹现象。
发明内容
本公开要实现的一个目的是提供一种显示装置，其使由数据线和公共线重叠引起的波纹现象最小化。
本公开要实现的另一个目的是提供一种显示装置，其使由于数据信号的极性以预定周期反转而产生亮度不均匀的模糊(dim)现象最小化。
本公开要实现的再一个目的是提供一种显示装置，其使从多个子像素中的每个子像素发出的光的漏光最小化。
本公开的目的不限于上述目的，本领域技术人员能够从如下描述中清楚地理解上文中没有提及的其它目的。
为了实现上述目的，根据本公开的一个方面，一种显示装置包括：基板，在基板上设置有沿第一方向延伸的多条基准线；多个第一子像素，包括设置在多条基准线一侧的第一电路区域和设置在多条基准线另一侧的第一发光区域；多个第二子像素，包括设置在多条基准线一侧的第二发光区域和设置在多条基准线另一侧的第二电路区域；多条第一数据线，沿第一方向延伸并且设置为与多条基准线间隔开；以及多条第二数据线，沿第一方向延伸并且设置为与多条基准线间隔开。在第一方向上，多个第一子像素和多个第二子像素交替设置。第一电路区域设置在多条第一数据线和多条基准线之间，并且第二电路区域设置在多条第二数据线和多条基准线之间。因此，基准线和数据线设置在电路区域的两侧，从而基准线和数据线不重叠并且可以改善波纹现象和模糊现象。
为了实现上述目的，根据本公开的另一个方面，一种显示装置包括：基板，在基板中限定了包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素以及白色子像素的多个子像素；多条基准线，沿第一方向延伸并且与多个子像素重叠；多条数据线，沿第一方向延伸并且设置在多个子像素之间；红色发光二极管，设置在多条基准线的一侧并在红色子像素中；蓝色发光二极管，设置在多条基准线的一侧并在蓝色子像素中；绿色发光二极管，设置在多条基准线的另一侧并在绿色子像素中；以及白色发光二极管，设置在多条基准线的另一侧并在白色子像素中。与多条基准线中的一条基准线相邻的红色发光二极管、蓝色发光二极管、绿色发光二极管以及白色发光二极管形成之字形图案。因此，多个发光二极管相对于基准线以之字形图案设置，从而可以使漏光和显示质量的变差最小化。
在具体实施方式和附图中包括了示例性实施例的其它详细内容。
根据本公开，多个发光区域彼此间隔开，以使漏光和颜色坐标失真最小化。
根据本公开，多个发光区域以之字形图案设置，以使识别的根据视角的亮度不均匀最小化。
根据本公开，修复单元与基准线和数据线交叉，以减小修复单元中的寄生电容。
根据本公开，基准线设置为不与多条数据线重叠，从而可以使由于基准线和数据线之间的寄生电容引起的亮度不均匀最小化。
根据本公开，基准线和数据线设置在电路区域的两侧，以除去基准线和数据线之间的交点，并且改善了波纹和模糊现象。
根据本公开的效果不限于上文例示的内容，在本说明书中包括更多种效果。
附图说明
从下文的详细描述以及附图中将更加清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和其它优点，在附图中：
图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置的平面图；
图2是根据本公开的示例性实施例的显示装置的多个子像素的电路图；
图3是图1的区域A的放大平面图；
图4是沿图3的IV-IV’的剖视图；
图5是沿图3的线V-V’的剖视图；并且
图6是根据比较例的显示装置的多个子像素的电路图。
具体实施方式
通过参照下文中详细描述的示例性实施例以及附图，本公开的优点和特性和实现该优点和特性的方法将是清楚的。然而，本公开不限于本文中公开的示例性实施例，而是将以各种形式实现。仅以示例的方式提供示例性实施例，使得本领域技术人员能够完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围来限定。
附图中示出的用于描述本公开的示例性实施例的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅是示例，本公开不限于此。在整个说明书中，类似的附图标记通常表示类似的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略已知的相关技术的详细说明，以避免不必要地使本公开的主题模糊。本文中使用的诸如“包括”、“具有”以及“由……组成”的术语通常旨在允许增加其他组件，除非该术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用均可以包括复数。
即使没有明确描述，组件也被解释为包括通常的误差范围。
当使用诸如“上”、“上方”“下方”以及“靠近”的术语描述两个部件之间的位置关系时，除非该术语与术语“立即”或“直接”一起使用，否则一个或多个部件可以位于两个部件之间。
当一个元件或层设置在另一个元件或层“上”时，再一个层或再一个元件可直接插入该另一个元件上或它们之间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种组件，然而这些组件不限于这些术语，并且可以不限定任何顺序。这些术语仅用于将一个组件与其它组件区分开。因此，在本公开的技术构思中，下面将要提及的第一组件可以是第二组件。
在整个说明书中，类似的附图标记通常表示类似的元件。
为了便于描述起见，示出了在附图中所示的每个部件的尺寸和厚度，本公开不限于所示的部件的尺寸和厚度。
本公开的各个实施例的特征可以部分地或整体地彼此粘合或结合，可以在技术上以各种方式连结和操作，并且实施例可以彼此独立地或关联地执行。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的示例性实施方式的显示装置。
图1是根据本公开的示例性实施例的显示装置的平面图。根据本公开的全部实施例的显示装置的所有组件均可选地耦接和配置。
在图1中，为了便于描述起见，在显示装置100的各个组件中，仅示出了基板110和多个子像素SP。
基板110是用于支撑显示装置100的其它组件的支撑构件，并且可以由绝缘材料构成。例如，基板100可以由玻璃、树脂等形成。此外，基板110可以被配置成包括塑料(例如聚合物或聚酰亚胺PC)，或者可以由具有柔性的材料形成。
基板110包括显示区域AA和非显示区域NA。
显示区域AA是显示图像的区域。在显示区域AA中，可以设置显示图像的多个子像素SP和驱动多个子像素SP的驱动电路。驱动电路可以包括用于驱动子像素SP的各个薄膜晶体管、存储电容器以及布线。例如，驱动电路可以包括例如驱动晶体管、开关晶体管、感测晶体管、存储晶体管、扫描线以及数据线的各个组件，但不限于此。
非显示区域NA是不显示图像的区域，并且设置有用于驱动设置在显示区域AA中的子像素SP的各种布线和驱动集成电路(IC)。例如，在非显示区域NA中，可以设置例如栅极驱动器IC和数据驱动器IC的各种驱动IC。
同时，即使在图1中使出了非显示区域NA包围显示区域AA，然而非显示区域NA可以是从显示区域AA的任一侧延伸的区域，但不限于此。
在显示区域AA中设置有多个子像素SP。多个子像素SP中的每个子像素SP为发光的单个单元，并且在多个子像素SP中的每个子像素SP中形成有发光二极管和驱动电路。例如，多个子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素以及白色子像素，但不限于此。
在下文在，将参照图2更详细地描述多个子像素SP的驱动电路。图2的子像素SP可以是图1中的子像素SP。
图2是根据本公开的示例性实施例的显示装置的多个子像素的电路图。参照图2，驱动多个子像素SP中的每个发光二极管160的驱动电路包括第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140以及存储电容器150。向驱动电路供应各个信号的多条布线包括多条扫描线SL、多条数据线DL、多条电源线VDD以及基准线RL。
参照图2，多个子像素SP包括第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3以及第四子像素SP4。例如，第一子像素SP1为绿色子像素，第二子像素SP2为红色子像素，第三子像素SP3为白色子像素，并且第四子像素SP4为蓝色子像素。在本说明书中，描述了多个子像素SP包括第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3以及第四子像素SP4。然而，多个子像素SP的数量和/或颜色组合可以根据设计进行各种方式的改变，但不限于此。
多个子像素SP中的每个子像素SP包括发光区域EA和电路区域CA。
发光区域EA是独立发出一种颜色的光并且其中可以设置有发光二极管160的区域。第一子像素SP1的第一发光区域EA1是多个发光二极管160中的第一发光二极管所设置的区域，例如，第一子像素SP1的第一发光区域EA1可以是设置有绿色发光二极管以发出绿光的绿色发光区域。第二子像素SP2的第二发光区域EA2是多个发光二极管160中的第二发光二极管所设置的区域，例如，第二子像素SP2的第二发光区域EA2可以是设置有红色发光二极管以发出红光的红色发光区域。第三子像素SP3的第三发光区域EA3是多个发光二极管160中的第三发光二极管所设置的区域，例如，第三子像素SP3的第三发光区域EA3可以是设置有白色发光二极管以发出白光的白色发光区域。第四子像素SP4的第四发光区域EA4是多个发光二极管160中的第四发光二极管所设置的区域，例如，第四子像素SP4的第四发光区域EA4可以是设置有蓝色发光二极管以发出蓝光的蓝色发光区域。
在电路区域CA中，设置有用于驱动多个发光二极管160的驱动电路。驱动电路包括第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140以及存储电容器150。与发光区域EA不同，由于在电路区域CA中不发出光，从而电路区域还可以被限定为非发光区域。在第一子像素SP1的第一电路区域CA1中，设置有多个驱动电路中的第一驱动电路，例如可以设置有驱动绿色发光二极管的绿色驱动电路。在第二子像素SP2的第二电路区域CA2中，设置有多个驱动电路中的第二驱动电路，例如可以设置有驱动红色发光二极管的红色驱动电路。在第三子像素SP3的第三电路区域CA3中，设置有多个驱动电路中的第三驱动电路，例如可以设置有驱动白色发光二极管的白色驱动电路。在第四子像素SP4的第四电路区域CA4中，设置有多个驱动电路中的第四驱动电路，例如可以设置有驱动蓝色发光二极管的蓝色驱动电路。
此外，设置在第一子像素SP1的第一电路区域CA1、第二子像素SP2的第二电路区域CA2、第三子像素SP3的第三电路区域CA3以及第四子像素SP4的第四电路区域CA4中的多个驱动电路中的每个驱动电路可以包括第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140以及存储电容器150。
第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3以及第四子像素SP4沿基准线RL延伸的第一方向交替设置。例如，基准线RL沿第一方向延伸，并且第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3以及第四子像素SP4沿第一方向按顺序重复设置。
此外，在第一方向上，多个子像素SP的发光区域EA和电路区域CA可以交替设置。在这种情况下，在本说明书中，第一方向可以被限定为基准线RL延伸的方向和列方向。第二方向可以被限定为扫描线SL延伸的方向和行方向，但不限于此。
在第一子像素SP1中，第一电路区域CA1设置在基准线RL的一侧，并且第一发光区域EA1设置在基准线RL的另一侧。在第二子像素SP2中，第二发光区域EA2设置在基准线RL的一侧，并且第二电路区域CA2设置在基准线RL的另一侧。在第三子像素SP3中，第三电路区域CA3设置在基准线RL的一侧，并且第三发光区域EA3设置在基准线RL的另一侧。在第四子像素SP4中，第四发光区域EA4设置在基准线RL的一侧，并且第四电路区域CA4设置在基准线RL的另一侧。
因此，在第一方向上，第二子像素SP2的第二发光区域EA2可以设置在第一子像素SP1的第一电路区域CA1和第三子像素SP3的第三电路区域CA3之间。此外，第三子像素SP3的第三发光区域EA3可以设置在第二子像素SP2的第二电路区域CA2和第四子像素SP4的第四电路区域CA4之间。
在这种情况下，在本说明书中，一侧可以被限定为右侧，另一侧(其它侧)可以被限定为左侧，但不限于此。例如，第一电路区域CA1设置在一侧，例如，该一侧为基准线RL的右侧，并且第一发光区域EA1设置在另一侧(其它侧)，例如，该另一侧为基准线RL的左侧。
在第一方向上，多个子像素SP中的每个子像素SP的发光区域EA可以设置为与另一个子像素SP的电路区域CA相邻。换言之，在第一方向上，多个子像素SP中的每个子像素SP的发光区域EA和另一个子像素SP的电路区域CA可以交替设置。例如，在第一方向上，第一发光区域EA1可以设置为与第二电路区域CA2相邻，并且第二发光区域EA2可以设置为与第一电路区域CA1相邻。
此外，在第一方向上，第二发光区域EA2设置在第一电路区域CA1和第三电路区域CA3之间，并且第三发光区域EA3设置在第二电路区域CA2和第四电路区域CA4之间。第一发光区域EA1、第二电路区域CA2、第三发光区域EA3、第四电路区域CA4在一列上设置。第一电路区域CA1、第二发光区域EA2、第三电路区域CA3、第四发光区域EA4可以设置在另一列(即，不同的列)上。
在第二方向上，多个子像素SP的发光区域EA和电路区域CA可以设置为彼此相邻。例如，在第二方向上，第一发光区域EA1可以设置为与第一电路区域CA1相邻，并且第二发光区域EA2可以设置为与第二电路区域CA2相邻。
因此，多个子像素SP的一个子像素SP的发光区域EA被其它子像素SP的电路区域CA包围。一个子像素SP的电路区域CA可以被其它子像素SP的发光区域EA包围。多个子像素SP的发光区域EA相对于基准线RL以之字形图案设置，并且多个子像素SP的电路区域CA可以相对于基准线RL以之字形图案设置。此外，多个子像素SP的发光区域EA可以设置为形成马赛克图案，并且多个子像素SP的电路区域CA可以设置为形成与由发光区域EA形成的马赛克图案不同的马赛克图案。
在多个子像素SP的电路区域CA中，设置有第一晶体管120、第二晶体管130以及第三晶体管140。第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140的每一个包括有源层、栅极、源极以及漏极。第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140可以为P型薄膜晶体管或N型薄膜晶体管。例如，在P型薄膜晶体管中，由于空穴从源极流到漏极，从而电流可以从源极流到漏极。在N型薄膜晶体管中，由于电子从源极流到漏极，从而电流可以从漏极流到源极。在下文中，将在第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140为电流从漏极流到源极的N型薄膜晶体管的假设下进行描述，但不限于此。
第一晶体管120包括第一有源层、第一栅极、第一源极以及第一漏极。第一栅极连接到第一节点N1，第一源极连接到发光二极管160的第一电极，并且第一漏极连接到电源线VDD。当第一节点N1的电压高于阈值电压时，第一晶体管120导通。当第一N1的电压低于阈值电压时，第一晶体管120截止。此外，当第一晶体管120导通时，第一晶体管120可以将电源信号从电源线VDD传输到发光二极管160。第一晶体管120可以被称为驱动晶体管。
第一子像素SP1和第三子像素SP3的第一晶体管120连接到多条电源线VDD中的第一电源线VDD1，并且第二子像素SP2和第四子像素SP4的第一晶体管120连接到多条电源线VDD中的第二电源线VDD2。例如，第一子像素SP1和第三子像素SP3共用同一条第一电源线VDD1，并且第二子像素SP2和第四子像素SP4共用同一条第二电源线VDD2。在这种情况下，第一电源线VDD1和第二电源线VDD2可以是传输高电位电源信号的高电位电源线VDD。
第二晶体管130包括第二有源层、第二栅极、第二源极以及第二漏极。第二栅极连接到扫描线SL，第二源极连接到第一节点N1，并且第二漏极连接到数据线DL。可以基于来自扫描线SL的扫描信号使第二晶体管130导通或截止。当第二晶体管130导通时，在第一节点N1中可以充入来自数据线DL的数据信号。第二晶体管130可以被称为开关晶体管。
第一子像素SP1和第二子像素SP2的第二晶体管130连接到多条扫描线SL中的第一扫描线SL1。第三子像素SP3和第四子像素SP4的第二晶体管130连接到多条扫描线SL中的第二扫描线SL2。第一子像素SP1和第二子像素SP2共用同一条第一扫描线SL1，并且第三子像素SP3和第四子像素SP4共用同一条第二扫描线SL2。
第一子像素SP1和第三子像素SP3的第二晶体管130连接到多条数据线DL中的第一数据线DL1，并且第二子像素SP2和第四子像素SP4的第二晶体管130连接到多条数据线DL中的第二数据线DL2。例如，第一子像素SP1和第三子像素SP3共用同一条第一数据线DL1，并且第二子像素SP2和第四子像素SP4共用同一条第二数据线DL2。
第三晶体管140包括第三有源层、第三栅极、第三源极以及第三漏极。第三栅极连接到扫描线SL，第三源极连接到第二节点N2，并且第三漏极连接到基准线RL。可以基于来自扫描线SL的扫描信号使第三晶体管140导通或截止。当第三晶体管140导通时，可以将来自基准线RL的基准信号传输到第二节点N2。第三晶体管140可以被称为感测晶体管。
第一子像素SP1和第二子像素SP2的第三晶体管140连接到第一扫描线SL1。第三子像素SP3和第四子像素SP4的第三晶体管140连接到第二扫描线SL2。在这种情况下，第一扫描线SL1连接到第一子像素SP1和第二子像素SP2的第二晶体管130，第二扫描线SL2连接到第三子像素SP3和第四子像素SP4的第二晶体管130。例如，多个子像素SP中的每个子像素SP的第二晶体管130和第三晶体管140电连接到同一条扫描线SL，以同时导通或截止。
同时，尽管在图2中示出了第二晶体管130和第三晶体管140连接到同一条扫描线SL，然而第二晶体管130和第三晶体管140可以连接到不同的扫描线SL，但不限于此。
存储电容器150包括第一电容电极、第二电容电极以及第三电容电极。第一电容电极、第二电容电极以及第三电容电极的一些电容电极连接到第一节点N1，其它电容电极连接到第二节点N2。存储电容器150保持第一晶体管120的第一栅极和第一源极之间的电位差，从而可以将恒定电流供应到发光二极管160以在一段预定时长内发光。
发光二极管160包括第一电极和第二电极。多个子像素SP中的每个子像素SP的发光二极管160的第一电极连接到第二节点N2，而第二电极连接到低电位电源线VSS。多个子像素SP中的每个子像素SP的发光二极管160被供应来自第一晶体管120的电流以发光。在这种情况下，来自低电位电源线VSS的低电位电源信号可以为地电压。
同时，在图2中描述了根据本公开的示例性实施例的显示装置100的子像素SP的驱动电路具有包括三个晶体管120、130和140以及一个存储电容器150的3T1C结构。然而，晶体管和存储电容器的数量和连接关系可以进行各种方式的改变，而不限于此。
在下文中，将参照图3和图4更详细地描述多个子像素SP。
图3是图1的区域A的放大平面图。图4是沿图3的IV-IV’的剖视图。图5是沿图3的线V-V’的剖视图。图3是第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3以及第四子像素SP4的平面图。
参照图3和图4，根据本公开的示例性实施例的显示装置100包括基板110、多条扫描线SL、多条数据线DL、多条电源线VDD、基准线RL、第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140、存储电容器150、缓冲层110、栅极绝缘层112、钝化层113、平坦化层14、堤115、发光二极管160以及多个滤色器CF。在图4中，为了便于描述，未示出发光二极管160的发光层163以及堤115的剖面线。
参照图3和图4，在基板110上设置有多条电源线VDD、多条数据线DL以及基准线RL。多条电源线VDD和多条数据线DL在多个子像素SP之间沿第一方向延伸。沿第一方向延伸的基准线RL设置为与多个子像素SP重叠。具体地，多条电源线VDD和多条数据线DL设置在多个子像素SP的两侧。此外，基准线RL设置为穿过多个子像素SP。例如，基准线RL可以设置为在多个子像素SP中的每个子像素SP的电路区域CA和发光区域EA之间沿第一方向延伸。
多条电源线VDD、多条数据线DL以及基准线RL设置在同一层上，并且有相同的导电材料形成。例如，多条电源线VDD、多条数据线DL以及基准线RL可以由例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)或铬(Cr)或前述材料的合金(这些材料中的任意一种的合金)的导电材料构成，但不限于此。
多条电源线VDD是将电源信号传输到多个子像素SP的线。多条电源线VDD包括第一电源线VDD1和第二电源线VDD2。第一电源线VDD1和第二电源线VDD2沿第一方向延伸并且设置为与基准线RL间隔开。第一电源线VDD1设置在多个子像素SP的一侧，以电连接到第一子像素SP1和第三子像素SP3的电路区域CA1和CA3的第一晶体管120。第二电源线VDD2设置在多个子像素SP的另一侧，以电连接到第二子像素SP2和第四子像素SP4的电路区域CA2和CA4的第一晶体管120。
多条数据线DL是将数据信号传输到多个子像素SP的线。多条数据线DL包括第一数据线DL1和第二数据线DL2。第一数据线DL1和第二数据线DL2沿第一方向延伸并且设置为与基准线RL间隔开。例如，第一数据线DL1可以设置为与基准线RL间隔开，并且第一电路区域CA1和第三电路区域CA3位于第一数据线DL1和基准线RL之间。此外，第二数据线DL2可以设置为与基准线RL间隔开，并且第二电路区域CA2和第四电路区域CA4位于第二数据线DL2和基准线RL之间。
第一数据线DL1设置在多个子像素SP的一侧，以电连接到第一子像素SP1和第三子像素SP3的电路区域CA1和CA3的第二晶体管130。第二数据线DL2设置在多个子像素SP的另一侧，以电连接到第二子像素SP2和第四子像素SP4的电路区域CA2和CA4的第二晶体管130。
第一子像素SP1(其为绿色子像素)和第三子像素SP3(其为白色子像素)共用第一数据线DL1，第二子像素SP2(其为红色子像素)和第四子像素SP4(其为蓝色子像素)共用第二数据线DL2。因此，根据本公开的示例性实施例的显示装置100可以是具有双倍其中发出具有不同颜色的光的子像素SP共用一条数据线DL。
具体地，DRD结构是发出具有不同颜色的光的子像素SP共用一条数据线DL的结构。因此，根据DRD结构，在保持相同分辨率的同时，数据驱动器IC和数据线DL的数量可以减小。例如，在多个子像素SP中，第一子像素SP1(其为绿色子像素)和第三子像素SP3(其为白色子像素)可以共用一条第一数据线DL1。
在这种情况下，为了减少发热和功耗，被供应到数据线DL的数据信号可以以每预定时段反转的极性供应到多个子像素SP。例如，在将具有正极性的绿色数据信号在预定时段通过第一数据线DL1供应到N个第一子像素SP1之后，可以将具有负极性的白色数据信号在预定时段通过第一数据线DL1供应到N个第三子像素SP3。例如，在将具有特定极性的数据信号在预定时段供应到发出具有相同颜色的光的子像素SP之后，数据信号的极性反转，以将数据信号供应到发出具有不同颜色的光的子像素SP。因此，根据DRD结构，通过一条数据线以每预定时段将数据信号的极性反转来将数据信号供应到不同颜色的子像素SP，从而可以减少发热和功耗。
同时，沿第一方向在多个子像素SP之间延伸的多条电源线VDD和多条数据线DL可以设置为彼此相邻。具体地，在多个子像素SP的一侧设置的第一电源线VDD1可以设置为与第一数据线DL1相邻。此外，在多个子像素SP的另一侧设置的第二电源线VDD2可以设置为与第二数据线DL2相邻。
基准线RL将基准信号传输到多个子像素SP中的每个子像素SP，并且设置为穿过多个子像素SP。基准线RL可以设置为与多个子像素SP重叠。基准线RL设置为在多个子像素SP中的每个子像素SP的电路区域CA和发光区域EA之间沿第一方向延伸。
基准线RL可以电连接到在多个子像素SP中的每个子像素SP的电路区域CA的一侧或另一侧处的驱动电路。例如，基准线RL设置在第一子像素SP1的第一电路区域CA1的另一侧，使得基准线RL和第一驱动电路可以在第一电路区域CA1的另一侧电连接。基准线RL设置在第二子像素SP2的第二电路区域CA2的一侧，使得基准线RL和第二驱动电路可以在第二电路区域CA2的一侧电连接。
与多条电源线VDD、多条数据线DL以及基准线RL由相同导电材料形成的第一电容电极151与基板110上的多条电源线VDD、多条数据线DL以及基准线RL设置在同一层上。例如，第一电容电极151可以由例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)或铬(Cr)或前述材料的合金(这些材料中的任意一种或几种的合金)的导电材料构成，但不限于此。存储电容器150包括第一电容电极151，并且电连接到第一晶体管120的第一源极123，在下文中将对其进行更详细的描述。
缓冲层111设置在多条电源线VDD、多条数据线DL、基准线RL以及第一电容电极151上。缓冲层111可以减少从基板110渗透的水分或杂质。缓冲层111可以由氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的单层或双层构成，但不限于此。然而，根据基板110的类型或薄膜晶体管的类型，可以省略缓冲层111，但不限于此。
第一晶体管120设置在多个子像素SP的电路区域CA中。第一晶体管120包括第一栅极121、第一有源层122、第一源极123以及第一漏极124。电连接到发光二极管160的第一电极161和电源线VDD的第一晶体管120可以是驱动晶体管。
首先，将第一有源层122设置在缓冲层111上。第一有源层122的至少一部分可以设置为与第一电容电极151重叠。第一有源层122可以由例如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料形成，但不限于此。例如，当第一有源层122由氧化物半导体形成时，第一有源层122由沟道区域、源极区域以及漏极区域形成，并且源极区域和漏极区域可以是导电区域，但不限于此。
同时，第一电容电极151可以用作阻挡光入射到第一有源层122上的遮光层。例如，当光照射在第一有源层122上时，产生漏电流，从而第一晶体管120的可靠性可能变差。在这种情况下，由不透明导电材料形成的第一电容电极151设置在第一有源层122下方，以阻挡从基板110的下部入射到第一有源层122上的光，从而可以提高第一晶体管120的可靠性。
栅极绝缘层112设置在第一有源层122上，以使第一有源层122和第一栅极121彼此绝缘。例如，栅极绝缘层112可以由氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的单层或双层构成，但不限于此。
第一漏极124设置在栅极绝缘层112上。第一漏极124电连接到多条电源线VDD和第一有源层122。具体地，第一漏极124可以通过形成在缓冲层111和栅极绝缘层112上的接触孔电连接到电源线VDD。例如，第一电路区域CA1的第一漏极124延伸到第一电路区域CA1的一侧，以电连接到第一电源线VDD1。第二电路区域CA2的第一漏极124延伸到第二电路区域CA2的另一侧，以电连接到第二电源线VDD2。例如，第一漏极124可以由例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)或铬(Cr)或前述材料的合金(这些材料中的任意一种或几种的合金)的导电材料构成，但不限于此。
此外，第一漏极124可以通过形成在栅极绝缘层112上的接触孔电连接到第一有源层122。因此，第一漏极124可以将电源信号从电源线VDD传输到第一有源层122和第一源极123。
在多个子像素SP中的每个子像素SP中，第一栅极121设置在栅极绝缘层112上，以与第一有源层122重叠。例如，第一栅极121可以由例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)或铬(Cr)或前述材料的合金(这些材料中的任意一种或几种的合金)的导电材料构成，但不限于此。
与第一栅极121和第一漏极124间隔开的第一源极123设置在栅极绝缘层112上。第一源极123可以通过形成在栅极绝缘层112上的接触孔电连接到第一有源层122。第一源极123可以与第一栅极121和第一漏极124设置在同一层上，并且可以由与第一栅极121和第一漏极124相同的导电材料形成，但不限于此。例如，第一源极123可以由例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)或铬(Cr)或前述材料的合金(这些材料中的任意一种或几种的合金)构成，但不限于此。
同时，第一有源层122可以通过形成在缓冲层111上的接触孔电连接到第一电容电极151。此外，电连接到第一有源层122的第一源极123还可以电连接到第一电容电极151。因此，第一电容电极151可以电连接到第一晶体管120和发光二极管160之间的第二节点N2。
第二晶体管130设置在多个子像素SP的电路区域CA中。第二晶体管130包括第二栅极131、第二有源层132、第二源极133以及第二漏极134。电连接到扫描线SL、数据线DL以及第一晶体管120的第一栅极121的第二晶体管130可以是开关晶体管。
第二有源层132设置在缓冲层111和栅极绝缘层112之间。第二有源层132可以通过形成在栅极绝缘层112上的接触孔电连接到第二漏极134。第二有源层132可以由例如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料形成，但不限于此。
第二源极133设置在缓冲层111和栅极绝缘层112之间。第二源极133可以与第二有源层132一体形成。例如，当扫描信号施加到第二栅极131上时，与第二有源层132一体形成并且导电的第二源极133可以将数据信号从数据线DL传输到第一晶体管120的第一栅极121。此外，第二源极133可以电连接到形成存储电容150的第二电容电极152，在下文中将对其进行描述。
第二漏极134设置在栅极绝缘层112上。第二漏极134电连接到多条数据线DL中的一条数据线DL。第二漏极134可以通过形成在缓冲层111上的接触孔电连接到数据线DL。例如，第一子像素SP1的第二漏极134电连接到设置在第一子像素SP1一侧的第一数据线DL1，并且第二子像素SP2的第二漏极134电连接到设置在第二子像素SP2另一侧的第二数据线DL2。例如，第二漏极134可以由例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)或铬(Cr)或前述材料的合金(这些材料中的任意一种或几种的合金)的导电材料构成，但不限于此。
第二栅极131设置在栅极绝缘层112上以与第二有源层132重叠。例如，第二栅极131可以由例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)或铬(Cr)或前述材料的合金(这些材料中的任意一种或几种的合金)的导电材料构成，但不限于此。
第二栅极131从多条扫描线SL中的一条扫描线SL延伸。第二栅极131可以与该扫描线SL一体形成。因此，第二栅极131和扫描线SL可以由相同导电材料形成。例如，扫描线SL可以由例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)或铬(Cr)或前述材料的合金(这些材料中的任意一种或几种的合金)的导电材料构成，但不限于此。
多条扫描线SL将扫描信号传输到多个子像素SP中的每个子像素SP并且设置在栅极绝缘层112上。多条扫描线SL在多个子像素SP之间沿第二方向延伸。多条扫描线SL可以电连接到多个子像素SP中的每个子像素SP的电路区域CA的上侧或下侧处的驱动电路。例如，第一扫描线SL1设置在第一子像素SP1的第一电路区域CA1与第二子像素SP2的第二电路区域CA2之间。第一电路区域CA1和第二电路区域CA2的第二晶体管130和第三晶体管140可以电连接到第一扫描线SL1。第二扫描线SL2设置在第三子像素SP3的第三电路区域CA3与第四子像素SP4的第四电路区域CA4之间。第三电路区域CA3和第四电路区域CA4的第二晶体管130和第三晶体管140可以同时电连接到第二扫描线SL2。例如，第一子像素SP1和第二子像素SP2共用第一扫描线SL1，第三子像素SP3和第四子像素SP4共用第二扫描线SL2。
第三晶体管140设置在多个子像素SP的电路区域CA中。第三晶体管140包括第三栅极141、第三有源层142、第三源极143以及第三漏极144。电连接到基准线RL、扫描线SL以及存储电容器150的第三晶体管140可以是感测晶体管。
首先，将第三有源层142设置在缓冲层111和栅极绝缘层112之间。第三有源层142可以通过形成在栅极绝缘层112上的接触孔电连接到第三漏极144和第三源极143。第三有源层142可以由例如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料形成，但不限于此。
第三漏极144设置在栅极绝缘层112上。第三漏极144电连接到基准线RL。第三漏极144可以通过形成在栅极绝缘层112和缓冲层111上的接触孔电连接到基准线RL。例如，第三漏极144可以由例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)或铬(Cr)或前述材料的合金(这些材料中的任意一种或几种的合金)的导电材料构成，但不限于此。
第三栅极141设置在栅极绝缘层112上以与第三有源层142重叠。例如，第三栅极141可以由例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)或铬(Cr)或前述材料的合金(这些材料中的任意一种或几种的合金)的导电材料构成，但不限于此。
第三栅极141从多条扫描线SL中的一条扫描线SL延伸。具体地，第三栅极141可以与该扫描线SL一体形成。在这种情况下，该扫描线SL也与第二栅极131一体形成，使得第二晶体管130和第三晶体管140可以共用一条扫描线SL。例如，当扫描信号被供应到扫描线SL时，第二晶体管130和第三晶体管140可以同时导通或截止。在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，描述了第二晶体管130和第三晶体管140共用一条扫描线SL。然而，第二晶体管130和第三晶体管140可以连接到不同的扫描线SL，以单独导通或截止，但不限于此。
第三源极143设置在栅极绝缘层112上，以与第三栅极141和第三漏极144间隔开。第三源极143可以通过形成在栅极绝缘层112上的接触孔电连接到第三有源层142。例如，第三源极143可以由例如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)或铬(Cr)或前述材料的合金(这些材料中的任意一种或几种的合金)的导电材料构成，但不限于此。
同时，第三源极143可以与第一源极123一体形成。第三源极143可以与第一源极123一体形成以电连接。在此情况下，如上文所述，第一源极123可以通过形成在缓冲层111和栅极绝缘层112上的接触孔电连接到第一电容电极151和第一有源层122。因此，第三源极143也可以通过第一源极123和第一有源层122电连接到第一电容电极151。
然后，在第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140、存储电容器150的第一电容电极151以及第二电容电极152、多条电源线VDD、多条数据线DL、基准线RL以及多条扫描线SL上设置钝化层113。钝化层113是用于保护钝化层113下方的组件的绝缘层。例如，钝化层113可以由氧化硅SiOx或氮化硅SiNx的单层或双层构成，但不限于此。此外，根据示例性实施例，可以省略钝化层113。
参照图4，多个滤色器CF设置在钝化层113上。具体地，多个滤色器CF设置为与多个子像素SP中的每个子像素SP的发光区域EA重叠。多个滤色器CF可以包括红色滤色器、蓝色滤色器以及绿色滤色器。例如，绿色滤色器可以设置在第一子像素SP1(其为绿色子像素)的第一发光区域EA1中的基板110和平坦化层114之间。红色滤色器可以设置在第二子像素SP2(其为红色子像素)的第二发光区域EA2中的基板110和平坦化层114之间。蓝色滤色器可以设置在第四子像素SP4(其为蓝色子像素)的第四发光区域EA4中的基板110和平坦化层114之间。
平坦化层114设置在钝化层113和多个滤色器CF上。平坦化层114是将其上设置有在第一晶体管120、第二晶体管130、第三晶体管140、第一电容电极151、第二电容电极152、多条电源线VDD、多条数据线DL、基准线RL以及多条扫描线SL的基板110的上部平坦化的绝缘层。平坦化层114可以由有机材料形成，例如，可以由聚酰亚胺或感光亚克力的单层或双层构成，但不限于此。
参照图3和图4，发光二极管160设置在多个子像素SP中的每个子像素SP中。发光二极管160设置在多个子像素SP中的每个子像素SP的发光区域EA中的平坦化层114上。发光二极管160包括第一电极161、修复单元162、发光层163以及第二电极164。
第一电极161设置在发光区域EA中的平坦化层114上。第一电极161将空穴供应到发光层163，从而第一电极161可以由具有高的功函数的导电材料形成，并且可以被称为阳极。例如，第一电极161可以由例如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明导电材料形成，但不限于此。
同时，当根据本公开的示例性实施例的显示装置100为顶部发光型时，可以在第一电极161的下方增加由具有极高反射效率的金属材料(例如铝(Al)或银(Ag))形成的反射层。因此，从发光层163发出的光被反射到第一电极161，以被向上引导，例如，朝向第二电极164引导。反之，当显示装置100为底部发光型时，第一电极161可以仅由透明导电材料形成。在下文中，将在根据本公开的示例性实施例的显示装置100为底部发光型的假设下进行描述。
堤部115设置在第一电极161和平坦化层114上。堤部115为将相邻子像素SP分隔的绝缘层。堤部115设置在多个子像素SP的电路区域CA中的第一电极161和平坦化层114上。堤部115可以设置为将与发光区域EA重叠的第一电极161的一部分开放。例如，堤部115可以由例如聚酰亚胺、亚克力或苯并环丁烯(BCB)基树脂的绝缘材料形成，但不限于此。
在发光区域EA和电路区域CA中，发光层163设置在第一电极161上。发光层163可以形成为多个子像素SP上方的一层。例如，多个子像素SP的发光层163相连以一体形成。发光层163可以构成为一个发光层163，或可以具有发出不同颜色的光的多个发光层163叠层的结构。发光层163还可以包括例如空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层的有机层，但不限于此。
在整个发光区域EA和电路区域CA中，第二电极164可以设置在发光层163上。第二电极164将电子供应到发光层163，因此第二电极164可以由具有低的功函数的导电材料形成，并且可以被称为阴极。第二电极164可以形成为多个子像素SP上方的一层。例如，多个子像素SP的第二电极164相连以一体形成。例如，第二电极164可以由例如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)或镱(Yb)合金的透明导电材料形成，并且还可以包括金属掺杂层，但不限于此。虽然在图3和图4中并未示出，然而发光二极管160的第二电极164可以电连接到低电位电源线VSS，以被供应低电位电源信号。
参照图3到图5，发光二极管160包括修复单元162，修复单元162从第一电极161延伸到相邻子像素SP的电路区域CA。修复单元162延伸到相邻子像素SP中发出相同颜色光的子像素的电路区域CA。例如，第一子像素SP1(多个第一子像素SP1之一)的修复单元162可以向在左侧或右侧与该一个第一子像素SP1相邻的另一个第一子像素SP1的第一电路区域CA1延伸。修复单元162可以向相邻子像素SP的电路区域CA的第一电容电极151延伸。
修复单元162的至少一部分可以与第一电容电极151重叠，同时平坦化层114、钝化层113以及缓冲层111位于修复单元162的该部分和第一电容电极151之间。修复单元162的该部分向相邻子像素SP的第一电容电极151延伸，并且可以与在多个子像素SP之间沿第一方向延伸的多条电源线VDD和多条数据线DL交叉(例如，重叠)。在这种情况下，修复单元162的该部分可以与多条电源线VDD和多条数据线DL交叉，同时平坦化层114、钝化层113以及缓冲层111位于修复单元162的该部分与多条电源线VDD和多条数据线DL之间。
如果电路区域CA的多个晶体管120、130、140以及存储电容器150中出现缺陷，则激光照射到向相邻子像素SP的第一电容电极151延伸的修复单元162上，以将修复单元162电连接到相邻子像素SP的第一电容电极151。此时，第一电容电极151电连接在第一晶体管120的第一源极123和发光二极管160的第一电极161之间，例如，连接到从第一晶体管120供应到发光二极管160的电流流过的点处。因此，即使在驱动电路中出现缺陷，第一晶体管120和修复单元162也可以通过相邻子像素SP的第一电容电极151电连接，并且可以通过一个驱动电路驱动两个发光二极管160。
存储电容器150设置在多个子像素SP的电路区域CA中。存储电容器150可以存储第一晶体管120的第一栅极121和第一源极123之间的电压，以使得发光二极管160能够在一帧内持续保持恒定状态。存储电容器150包括第一电容电极151、第二电容电极152以及第三电容电极153。
第一电容电极151设置在基板110和缓冲层111之间。第一电容电极151可以通过第一晶体管120的第一有源层122电连接到第一晶体管120的第一源极123和第三晶体管140的第三源极143。因此，第一电容电极151可以电连接到第一晶体管120、第三晶体管140与发光二极管160之间的第二节点N2。
第二电容电极152设置在第一电容电极151和缓冲层111上，以与第一电容电极151重叠。第一电容电极151和第二电容电极152可以与第一电容电极151和第二电容电极152之间的缓冲层111重叠。第二电容电极152可以与第二电源电极133和第二有源层132一体形成。第二电容电极152可以电连接到第一晶体管120的第一栅极121和第二源极133。因此，第二电容电极152可以电连接到第一晶体管120的第一栅极121和第二晶体管130的第二电源电极133之间的第一节点N1。
第三电容电极153设置在钝化层113和平坦化层14上，以与第一电容电极151和第二电容电极152重叠。第三电容电极153从发光二极管160的第一电极161延伸到电路区域CA，以与第一电容电极151和第二电容电极152重叠。第三电容电极153可以与发光二极管160的第一电极161一体形成并且可以通过第一电极161电连接到第一晶体管120的第一源极123。因此，第三电容电极153可以电连接到第一晶体管120、第三晶体管140与发光二极管160之间的第二节点N2。
总之，存储电容器150的第一电容电极151可以通过第一有源层122电连接到第一晶体管120的第一源极123。第二电容电极152可以与第二有源层132和第二源极133一体形成，以电连接到第一晶体管120的第一栅极121。第三电容电极153可以与第一电极161一体形成，以电连接到第一晶体管120的第一源极123。
在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，多个子像素SP的发光区域EA以之字形图案设置，以使根据视角的漏光问题可以被最小化。此外，在基准线RL延伸的第一方向上，多个子像素SP的发光区域EA和电路区域CA可以交替设置。例如，在基准线RL的另一侧，第二电路区域CA2设置在第一发光区域EA1和第三发光区域EA3之间，并且在基准线RL的一侧处，第三电路区域CA3可以设置在第二发光区域EA2和第四发光区域EA4之间。此外，在扫描线SL延伸的第二方向上，多个子像素SP的发光区域EA和电路区域CA可以交替设置。例如，第一电路区域CA1设置在一个第一子像素SP1的第一发光区域EA1的一侧，并且另一个第一子像素SP1的第一发光区域EA1可以设置在第一电路区域CA1的一侧。
总之，一个子像素SP的发光区域EA可以设置为与另一个子像素SP的发光区域EA间隔开，同时电路区域CA位于该一个子像素SP的发光区域EA和该另一个子像素SP的发光区域EA之间。因此，可以通过包围一个发光区域EA的多个电路区域CA使从该一个发光区域EA发出并且被引导到另一个发光区域EA的光最小化。因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，多个电路区域CA设置为包围多个发光区域EA，从而多个发光区域EA中的每个发光区域EA可以设置为与另一个发光区域EA间隔开。因此，可以使由于根据视角的漏光引起的混色和显示质量变差最小化。
同时，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，发出具有相同颜色的光的多个子像素SP沿第二方向设置，从而修复单元162可以沿第二方向延伸。此外，可以使修复单元162中的寄生电容最小化。当修复单元162沿第二方向延伸时，修复单元162可以与基准线RL和数据线DL交叉。在这种情况下，缓冲层111、钝化层113以及平坦化层114设置在基准线RL和修复单元162之间以及数据线DL和修复单元162之间。因此，保证基准线RL和修复单元162之间以及数据线DL和修复单元162之间的足够的距离，并且可以使寄生电容最小化。
此外，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，多个子像素SP中的每个子像素SP的电路区域CA设置为与基准线RL相邻，并且基准线RL设置为与数据线DL间隔开，同时电路区域CA位于基准线RL和数据线DL之间。因此，可以改善亮度的不均匀。当数据线DL和基准线RL重叠时，由于寄生电容，基准信号和数据信号可能会失真。此外，由于根据本公开的示例性实施例的显示装置100为DRD结构显示装置100，从而当被供应有具有周期性反转的极性的数据信号的数据线DL和基准线RL重叠时，基准信号的失真可能根据数据信号的极性变得更严重。此外，可能获得不规则的亮度。因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，基准线RL和数据线DL设置在多个子像素SP的电路区域CA的两侧，从而基准线RL和数据线DL可能不重叠。因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，基准线RL和数据线DL设置为彼此间隔开，同时电路区域CA位于基准线RL和数据线DL之间，从而提高亮度的均匀性并且提高显示质量。
在下文中，将参照图6更详细地描述使本公开的修复单元162的寄生电容最小化并且提高亮度的均匀性的效果。
图6是根据比较例的显示装置的多个子像素的电路图。参照图6，驱动根据比较例的驱动显示装置10的多个子像素SP中的每个像素SP的发光二极管60的驱动电路包括第一晶体管20、第二晶体管30、第三晶体管40、存储电容器50、多条扫描线SL、多条数据线DL、多条电源线VDD以及基准线RL。与图1至图5的显示装置100相比，在根据比较例的驱动显示装置10中，多个子像素SP连接到不同的数据线DL1、DL2、DL3以及DL4，并且发光区域EA和电路区域CA的布置不同。
参照图6，根据比较例的驱动显示装置10包括第一晶体管20、第二晶体管30、第三晶体管40、存储电容器50、以及电连接到第一晶体管20、第二晶体管30、第三晶体管40、存储电容器50的扫描线SL、数据线DL、基准线RL以及电源线VDD。
多个子像素SP沿第二方向在一条线上设置。具体地，第二子像素SP2设置在第一子像素SP1的一侧，第三子像素SP3设置在第二子像素SP2的一侧，并且第四子像素SP4设置在第三子像素SP3的一侧。
此外，多个子像素SP的电路区域CA和发光区域EA沿第二方向在一条线上设置。在第二方向上，多个子像素SP的电路区域CA可以设置为彼此相邻，并且在第二方向上，多个子像素SP的发光区域EA可以设置为彼此相邻。
基准线RL设置在多个子像素SP之间。基准线RL设置为在多个子像素SP中的第二子像素SP2和第三子像素SP3之间沿第一方向延伸。此外，多个子像素SP可以共用一条基准线RL。例如，第一子像素SP1、第二像素SP2、第三子像素SP3以及第四子像素SP4可以共用同一条基准线RL。
多条数据线DL设置在多个子像素SP之间。多条数据线DL的第一数据线DL1和第二数据线DL2设置为在第一子像素SP1和第二像素SP2之间沿第一方向延伸，以电连接到第一子像素SP1和第二像素SP2的第二晶体管30。多条数据线DL的第三数据线DL3和第四数据线DL4设置为在第三子像素SP3和第四子像素SP4之间沿第一方向延伸，以电连接到第三子像素SP3和第四子像素SP4的第二晶体管30。
在根据比较例的驱动显示装置10中，多个子像素SP的发光区域EA和电路区域CA沿第二方向在一条线上设置。沿第一方向延伸的基准线RL仅设置在多个子像素SP中的第二子像素SP2和第三子像素SP3之间。因此，为了将设置在第一子像素SP1和第四子像素SP4的电路区域CA中的第三晶体管40电连接到基准线RL，基准线RL的一部分可以沿第二方向延伸。然而，由于基准线RL的一部分沿第二方向延伸，所以基准线RL可以与多条数据线RL交叉。例如，在图6的X区域中，基准线RL和多条数据线DL可以交叉。例如，基准线RL的一部分可以与多条数据线DL中的每条数据线DL重叠。
同时，在数据线DL和基准线RL重叠的X区域中，可能产生寄生电容，从而引起基准信号的失真等。此外，寄生电容引起波纹现象(例如，噪声)，并且波纹现象引起亮度不均匀的模糊现象，从而使显示质量变差。
此外，在一对子像素SP共用一条数据线DL并且数据信号的极性周期性反转的DRD结构中，波纹现象和模糊现象可能变得更严重。具体地，在数据信号的极性变化时，数据信号的波动幅度明显，从而产生波纹现象和模糊现象，使得显示质量变差。
在根据比较例的驱动显示装置10中，多个子像素SP沿第二方向设置，并且四个子像素SP在四个子像素SP的中间点处共用沿第一方向延伸的一条基准线RL。因此，为了将基准信号供应到与基准线RL不相邻的第一子像素SP1和第四子像素SP4，基准线RL的一部分可以沿第二方向延伸。由于基准线RL的一部分沿第二方向延伸，基准线RL可以在X区域中与多条数据线DL交叉。在此情况下，如上文所述，当数据线DL和基准线RL重叠时，产生波纹现象和模糊现象，使得显示质量变差。
作为对比，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，多个子像素SP与基准线RL一样沿第一方向设置，并且多个子像素SP中的每个子像素SP的电路区域CA与基准线RL相邻。此外，多条数据线DL可以设置为与基准线RL间隔开，同时电路区域CA位于数据线DL和基准线RL之间。因此，多个子像素SP的全部电路区域CA设置为与基准线RL相邻，以连接到基准线RL，从而基准线RL不需要沿第二方向延伸，并且数据线DL可以不与基准线RL交叉。
因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，多个子像素SP的电路区域CA设置在基准线RL和多条数据线DL之间，以使得由波纹现象和模糊现象引起的显示质量的变差最小化。基准线RL设置为与多个子像素SP的全部电路区域CA相邻。例如，第一电路区域CA1设置为与第一电路区域CA1另一侧的基准线RL相邻，第二电路区域CA2设置为与第二电路区域CA2一侧的基准线RL相邻。此外，多条数据线DL可以设置为与基准线RL间隔开，其中多个子像素SP的电路区域CA位于多条数据线DL和基准线RL之间。例如，第一电路区域CA1设置在第一数据线DL1和基准线RL之间，并且第二电路区域CA2设置在第二数据线DL2和基准线RL之间。由于多条数据线DL和基准线RL设置为彼此间隔开，同时电路区域CA位于多条数据线DL和基准线RL之间，从而多条数据线DL和基准线RL可以彼此不重叠。当基准线RL和多条数据线DL重叠时，由于数据线和基准线之间的寄生电容可能导致亮度不均匀，从而显示质量可能变差。具体地，在根据本公开实施例的DRD结构(例如显示装置100)的情况下，由于数据信号具有周期性反转的极性，从而波纹现象和模糊现象变得更严重。因此，基准线RL可以设置为不与多条数据线DL重叠。因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，基准线RL和多条数据线DL设置在多个子像素SP的电路区域CA的两侧，从而基准线RL和多条数据线DL不重叠。此外，会使得基准线RL和多条数据线DL之间的寄生电容和由此引起的显示质量变差最小化。
同时，在根据比较例的显示装置10中，发出具有相同颜色的光的子像素SP设置为在第一方向上彼此相邻。在具有上述结构的显示装置10中，修复单元可以在第一方向上向相邻的多个子像素SP的电路区域CA延伸。例如，在根据比较例的显示装置10中，修复单元可以设置为沿第一方向延伸。
因此，在根据比较例的显示装置10中，修复单元可以沿第一方向延伸，使得修复单元的一部分可以与扫描线SL重叠。如前文参照图1至图5所述，扫描线SL设置在栅极绝缘层和钝化层之间，使得在根据比较例的显示装置10中，扫描线SL和修复单元可以设置为彼此间隔开，同时钝化层和平坦化层位于扫描线SL和修复单元之间。
同时，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，发出具有相同颜色的光的子像素SP沿第二方向设置。在具有上述结构的显示装置100中，修复单元162可以向在第二方向上相邻的子像素SP的电路区域CA延伸。例如，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，修复单元162可以设置为沿第二方向延伸。
因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，修复单元162可以设置为沿第二方向延伸，使得修复单元162的一部分可以与电源线VDD和数据线DL重叠。如前文参照图1至图5所述，电源线VDD和数据线DL设置在基板110和缓冲层111之间。因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，电源线VDD、数据线DL以及修复单元162可以设置为彼此间隔开，同时缓冲层111、钝化层113以及平坦化层114位于电源线VDD、数据线DL以及修复单元162之间。
因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，修复单元162沿第二方向延伸，以使得修复单元162的寄生电容最小化。具体地，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，多个子像素SP中发出具有相同颜色的光的多个子像素SP的发光区域EA和电路区域CA沿第二方向设置。例如，在第一子像素SP1(其为绿色子像素)中，第一电路区域CA1设置在第一发光区域EA1的一侧，并且另一个第一子像素SP1的第一发光区域EA1和第一电路区域CA1可以设置在第一电路区域CA1的一侧。此外，修复单元162延伸到在第二方向上相邻的子像素SP中发出具有相同颜色的光的子像素SP的电路区域CA。由于修复单元162沿第二方向延伸，从而修复单元162可以与基准线RL和数据线DL交叉。此外，即使修复单元162与基准线RL和数据线DL交叉重叠，然而缓冲层111、钝化层113以及平坦化层114设置在修复单元162和基准线RL之间以及修复单元162和数据线DL之间。因此，可以保证修复单元162与基准线RL之间以及修复单元162与数据线DL之间具有足够的距离。
作为对比，在根据比较例的显示装置10中，多个子像素SP中发出具有相同颜色的光的多个子像素SP的发光区域EA和电路区域CA沿第一方向设置。例如，在第一子像素SP1(其为绿色子像素)中，另一个第一子像素SP1的第一电路区域CA1可以设置在第一电路区域CA1下方。此外，修复单元可以延伸到在第一方向上相邻的子像素SP中发出具有相同颜色的光的子像素的电路区域CA。此外，由于修复单元沿第一方向延伸，从而修复单元可以与扫描线SL交叉。此外，修复单元可以设置为与扫描线SL间隔开，同时钝化层和平坦化层位于修复单元和扫描线SL之间。
总之，在根据比较例的显示装置10中，修复单元设置为与扫描线SL间隔开，同时钝化层和平坦化层位于修复单元和扫描线SL之间。然而，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，修复单元162设置为与数据线DL间隔开，同时缓冲层111、钝化层113以及平坦化层114位于修复单元162和数据线DL之间。在这种情况下，两个组件之间的距离越小，寄生电容越大。因此，与根据比较例的显示装置10相比较，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，缓冲层111除了设置在钝化层113和平坦化层114之间之外，还设置在修复单元162与基准线RL之间和修复单元162与数据线DL之间。因此，保证了修复单元162与基准线RL之间以及修复单元162与数据线DL之间具有足够的距离，从而可以减小寄生电容。
因此，在根据本公开的示例性实施例的显示装置100中，由于发出具有相同颜色的光的子像素SP沿第二方向设置，从而修复单元162可以在第二方向上延伸。此外，修复单元162与设置为与最接近基板110的电源线VDD和数据线DL而不是扫描线SL交叉，使得修复单元162可以与数据线DL和基准线RL之间的寄生电容和显示质量的变差最小化。
本公开的示例性实施例还可以如下进行描述：
根据本公开的一个方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括：基板，在基板上设置有沿第一方向延伸的多条基准线；多个第一子像素，包括设置在多条基准线一侧的第一电路区域和设置在多条基准线另一侧的第一发光区域；多个第二子像素，包括设置在多条基准线一侧的第二发光区域和设置在多条基准线另一侧的第二电路区域；多条第一数据线，沿第一方向延伸并且设置为与多条基准线间隔开；以及多条第二数据线，沿第一方向延伸并且设置为与多条基准线间隔开。在第一方向上，多个第一子像素和多个第二子像素交替设置。第一电路区域设置在多条第一数据线和多条基准线之间，并且第二电路区域设置在多条第二数据线和多条基准线之间。
在第一方向上，第一发光区域可以与第二电路区域相邻，第二发光区域可以与第一电路区域相邻，并且在与第一方向垂直的第二方向上，第一发光区域可以与第一电路区域相邻，第二发光区域可以与第二电路区域相邻。
第一电路区域和第二发光区域可以设置在多条第一数据线和多条基准线之间，并且第一发光区域和第二电路区域设置在多条基准线和多条第二数据线之间。
多条基准线可以不与多条第一数据线和多条第二数据线交叉。
显示装置还可以包括：多条第一电源线，多条第一电源线沿第一方向延伸，与多条基准线间隔开，并且与多条第一数据线相邻；多条第二电源线，多条第二电源线沿第一方向延伸，与多条基准线间隔开，并且与多条第二数据线相邻；第一驱动电路，设置在第一电路区域中并且电连接到多条第一数据线和多条第一电源线；以及第二驱动电路，设置在第二电路区域中并且电连接到多条第二数据线和多条第二电源线。多条基准线中的每条基准线可以同时电连接到最接近多条基准线的第一驱动电路和第二驱动电路。
显示装置还可以包括：第一发光二极管，设置在第一发光区域中并且电连接到第一驱动电路；以及第二发光二极管，设置在第二发光区域中并且电连接到第二驱动电路。
显示装置还可以包括：第一修复单元，从与多条基准线中的一条基准线相邻的第一发光二极管朝向设置在该一条基准线另一侧的另一条基准线延伸；以及第二修复单元，从与该一条基准线相邻的第二发光二极管朝向设置在该一条基准线一侧的另一条基准线延伸。第一修复单元的至少一部分可以与多条第二数据线中最接近的第二数据线重叠，并且第二修复单元的至少一部分可以与多条第一数据线中最接近的第一数据线重叠。
第一修复单元的端部可以与在一条基准线和设置在该一条基准线另一侧的另一条基准线之间设置的第一驱动电路重叠，并且第二修复单元的端部可以与在该一条基准线和该一条基准线一侧的另一条基准线之间设置的第二驱动电路重叠。
显示装置还可以包括：多条扫描线，沿与第一方向垂直的第二方向延伸并且设置在多条第一数据线和多条第二数据线上。第一修复单元和第二修复单元可以沿第二方向延伸，并且第一修复单元和第二修复单元可以与多条扫描线间隔开。
显示装置还可以包括：多个第三子像素，包括设置在多条基准线一侧的第三电路区域和设置在多条基准线另一侧的第三发光区域；以及多个第四子像素，包括设置在多条基准线一侧的第四发光区域和设置在多条基准线另一侧的第四电路区域。在第一方向上，多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素以及多个第四子像素可以交替设置。
在第一方向上，第二发光区域可以设置在第一电路区域和第三电路区域之间，并且在第一方向上，第三发光区域可以设置在第二电路区域和第四电路区域之间。
多个第一子像素可以为绿色子像素，多个第二子像素可以为红色子像素，多个第三子像素可以为白色子像素，多个第四子像素可以为蓝色子像素。
根据本公开的另一个方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括：基板，在基板中限定了包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素以及白色子像素的多个子像素；多条基准线，沿第一方向延伸并且与多个子像素重叠；多条数据线，沿第一方向延伸并且设置在多个子像素之间；红色发光二极管，设置在多条基准线的一侧并在红色子像素中；蓝色发光二极管，设置在多条基准线的一侧并在蓝色子像素中；绿色发光二极管，设置在多条基准线的另一侧并在绿色子像素中；以及白色发光二极管，设置在多条基准线的另一侧并在白色子像素中。与多条基准线中的一条基准线相邻的红色发光二极管、蓝色发光二极管、绿色发光二极管以及白色发光二极管形成之字形图案。
在第一方向上，绿色子像素或白色子像素可以设置在红色子像素和蓝色子像素之间，并且在第一方向上，红色子像素或蓝色子像素可以设置在绿色子像素和白色子像素之间。
红色子像素或绿色子像素可以设置在多条数据线和多条基准线之间，并且多条数据线和多条基准线可以不重叠。
显示装置还可以包括：红色驱动电路，设置在多条基准线的另一侧并且在红色子像素中；蓝色驱动电路，设置在多条基准线的另一侧并且在蓝色子像素中；绿色驱动电路，设置在多条基准线的一侧并且在绿色子像素中；以及白色驱动电路，设置在多条基准线的一侧并且在白色子像素中。与多条基准线中的一条基准线相邻的红色驱动电路、蓝色驱动电路、绿色驱动电路以及白色驱动电路可以同时电连接到该一条基准线，红色驱动电路和蓝色驱动电路可以电连接到多条数据线中设置在多条基准线的另一侧的数据线，并且，绿色驱动电路和白色驱动电路可以电连接到多条数据线中设置在多条基准线的一侧的数据线。
红色驱动电路和蓝色驱动电路可以共用多条数据线中的一条数据线，并且绿色驱动电路和白色驱动电路可以共用多条数据线中的另一条数据线。
红色发光二极管可以包括：阳极，电连接到红色驱动电路；以及红色修复单元，从阳极延伸到相邻红色子像素的红色驱动电路，并且红色修复单元的一部分可以与多条数据线重叠，并且红色修复单元可以与多条基准线间隔开。
尽管已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施例，然而本公开不限于此，并且在不脱离本公开的技术构思的情况下，可以以多种不同的形式实施。因此，提供本公开的示例性实施例仅出于示例性的目的，而不旨在限制本公开的技术概念。本公开的技术构思的范围不限于此。因此，应理解，上述示例性实施例在全部方面都是示例性的，而不限制本公开。本公开的保护范围应基于所附权利要求进行解释，并且在其等同范围内的全部技术构思应被解释为落入本公开的范围。

Claims (17)

1.一种显示装置，包括：
基板，在所述基板上设置有沿第一方向延伸的多条基准线；
多个第一子像素，所述多个第一子像素中的每一个包括设置在所述多条基准线中的对应的基准线的一侧的第一电路区域和设置在所述多条基准线中的对应的所述基准线的另一侧的第一发光区域；
多个第二子像素，所述多个第二子像素中的每一个包括设置在所述多条基准线中的对应的所述基准线的所述一侧的第二发光区域和设置在所述多条基准线中的对应的所述基准线的所述另一侧的第二电路区域；
多条第一数据线，沿所述第一方向延伸并且设置为与所述多条基准线间隔开；以及
多条第二数据线，沿所述第一方向延伸并且设置为与所述多条基准线间隔开，
其中，在所述第一方向上，所述多个第一子像素和所述多个第二子像素交替设置，并且
其中，在所述第一方向上交替设置的第一子像素和第二子像素中，所述第一电路区域和所述第二发光区域设置在所述多条第一数据线中的对应的第一数据线和所述多条基准线中的对应的基准线之间，并且所述第二电路区域和所述第一发光区域设置在所述多条第二数据线中的对应的第二数据线和所述多条基准线中的对应的所述基准线之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述第一方向上，所述第一发光区域与所述第二电路区域相邻，所述第二发光区域与所述第一电路区域相邻，并且
在与所述第一方向垂直的第二方向上，所述第一发光区域与所述第一电路区域相邻，所述第二发光区域与所述第二电路区域相邻。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一电路区域和所述第二发光区域设置在所述多条第一数据线和所述多条基准线之间。
4.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
多条第一电源线，所述多条第一电源线沿所述第一方向延伸，与所述多条基准线间隔开，并且与所述多条第一数据线相邻；
多条第二电源线，所述多条第二电源线沿所述第一方向延伸，与所述多条基准线间隔开，并且与所述多条第二数据线相邻；
第一驱动电路，设置在所述第一电路区域中并且电连接到所述多条第一数据线和所述多条第一电源线；以及
第二驱动电路，设置在所述第二电路区域中并且电连接到所述多条第二数据线和所述多条第二电源线，
其中，所述多条基准线中的每条基准线同时电连接到最接近所述多条基准线的所述第一驱动电路和所述第二驱动电路。
5.根据权利要求4所述的显示装置，还包括：
第一发光二极管，设置在所述第一发光区域中并且电连接到所述第一驱动电路；以及
第二发光二极管，设置在所述第二发光区域中并且电连接到所述第二驱动电路。
6.根据权利要求5所述的显示装置，还包括：
第一修复单元，从与所述多条基准线中的一条基准线相邻的所述第一发光二极管朝向设置在所述一条基准线另一侧的另一条基准线延伸；以及
第二修复单元，从与所述一条基准线相邻的所述第二发光二极管朝向设置在所述一条基准线一侧的另一条基准线延伸，
其中，所述第一修复单元的至少一部分与所述多条第二数据线中最接近的第二数据线重叠，并且所述第二修复单元的至少一部分与所述多条第一数据线中最接近的第一数据线重叠。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一修复单元的端部与在所述一条基准线和在所述一条基准线另一侧的另一条基准线之间设置的所述第一驱动电路重叠，并且
所述第二修复单元的端部与在所述一条基准线和在所述一条基准线一侧的另一条基准线之间设置的所述第二驱动电路重叠。
8.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：
多条扫描线，沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸并且设置在所述多条第一数据线和所述多条第二数据线上，
其中，所述第一修复单元和所述第二修复单元沿所述第二方向布置，并且所述第一修复单元和所述第二修复单元与所述多条扫描线间隔开。
9.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
多个第三子像素，包括设置在所述多条基准线的所述一侧的第三电路区域和设置在所述多条基准线另一侧的第三发光区域；以及
多个第四子像素，包括设置在所述多条基准线的所述一侧的第四发光区域和设置在所述多条基准线另一侧的第四电路区域，
其中，在所述第一方向上，所述多个第一子像素、所述多个第二子像素、所述多个第三子像素以及所述多个第四子像素交替设置。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，在所述第一方向上，所述第二发光区域设置在所述第一电路区域和所述第三电路区域之间，并且
在所述第一方向上，所述第三发光区域设置在所述第二电路区域和所述第四电路区域之间。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述多个第一子像素为绿色子像素，所述多个第二子像素为红色子像素，所述多个第三子像素为白色子像素，所述多个第四子像素为蓝色子像素。
12.一种显示装置，包括：
基板，在所述基板中限定了包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素以及白色子像素的多个子像素；
多条基准线，沿第一方向延伸并且与所述多个子像素重叠；
多条数据线，沿所述第一方向延伸并且设置在所述多个子像素之间；
红色发光二极管，在所述红色子像素中设置在所述多条基准线中的一条基准线的一侧；
蓝色发光二极管，在所述蓝色子像素中设置在所述多条基准线中的所述一条基准线的一侧；
绿色发光二极管，在所述绿色子像素中设置在所述多条基准线的中的所述一条基准线的另一侧；以及
白色发光二极管，在所述白色子像素中设置在所述多条基准线中的所述一条基准线的另一侧，
其中，在所述第一方向上设置在所述多条基准线中的所述一条基准线两侧的所述红色发光二极管、所述蓝色发光二极管、所述绿色发光二极管以及所述白色发光二极管形成之字形图案。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，在所述第一方向上，所述绿色子像素或所述白色子像素设置在所述红色子像素和所述蓝色子像素之间，并且在所述第一方向上，所述红色子像素或所述蓝色子像素设置在所述绿色子像素和所述白色子像素之间。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述红色发光二极管或所述绿色发光二极管设置在所述多条数据线和所述多条基准线之间，并且所述多条数据线和所述多条基准线不重叠。
15.根据权利要求12所述的显示装置，还包括：
红色驱动电路，在所述红色子像素中设置在所述多条基准线的另一侧；
蓝色驱动电路，在所述蓝色子像素中设置在所述多条基准线的另一侧；
绿色驱动电路，在所述绿色子像素中设置在所述多条基准线的一侧；以及
白色驱动电路，在所述白色子像素中设置在所述多条基准线的一侧，
其中，与所述多条基准线中的一条基准线相邻的所述红色驱动电路、所述蓝色驱动电路、所述绿色驱动电路以及所述白色驱动电路同时电连接到所述一条基准线，
所述红色驱动电路和所述蓝色驱动电路电连接到所述多条数据线中设置在所述多条基准线的另一侧的数据线，并且
所述绿色驱动电路和所述白色驱动电路电连接到所述多条数据线中设置在所述多条基准线的一侧的数据线。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述红色驱动电路和所述蓝色驱动电路共用所述多条数据线中的一条数据线，并且所述绿色驱动电路和所述白色驱动电路共用所述多条数据线中的另一条数据线。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述红色发光二极管包括：
阳极，电连接到所述红色驱动电路；以及
红色修复单元，从所述阳极延伸到相邻红色子像素的红色驱动电路，并且
所述红色修复单元的一部分与所述多条数据线重叠，并且所述红色修复单元与所述多条基准线间隔开。
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