CN114695441A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置可以包括：设置在基板上的多个子像素；设置在多个子像素中的每一个中的存储电容器；设置在存储电容器上的缓冲层；设置在多个子像素中的每一个中且在缓冲层上的晶体管；以及设置在多个子像素中的每一个中且在晶体管上的发光元件，其中，多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一个被配置成发射不同颜色的光，多个子像素中的至少一个子像素包括设置在晶体管下方的金属层，以及金属层连接至存储电容器的一个电极。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年12月31日在大韩民国提交的韩国专利申请第10-2020-0189238号的优先权，该韩国专利申请的全部内容在此通过引用明确地并入本申请。
技术领域
本公开涉及显示装置，并且更具体地，涉及能够通过应用针对每个子像素优化的S因子(S-factor)来提高质量的显示装置。
背景技术
近来，随着我们的社会朝着面向信息的社会发展，用于视觉表达电信息信号的显示装置领域已经迅速发展。相应地正在开发在薄、轻和低功耗方面具有优异性能的各种显示装置。
这种显示装置的具体示例包括液晶显示器(LCD)和诸如有机发光显示器(OLED)和量子点发光显示器(QLED)的电致发光显示装置。特别地，电致发光显示装置是具有自发光特性的下一代显示装置(例如，不需要单独的背光单元)，并且与液晶显示器相比，在视角、对比度、响应速度、功耗等方面具有优异的特性。
电致发光显示装置包括用于显示图像的显示区域和与显示区域相邻地设置的非显示区域。另外，像素区域包括像素电路和发光元件。多个薄膜晶体管位于像素电路中以驱动设置在多个像素中的发光元件。
然而，对于给定的灰度值，用于显示不同颜色的各个发光元件可能具有不同的操作特性，并且这些差异可能导致某些灰度值的不均匀(mura)缺陷(例如，不均衡、不规则或瑕疵)(例如，诸如在低灰度范围内操作的情况下)。
发明内容
可以通过在晶体管的有源层下方设置与有源层交叠的金属层来调节晶体管的S因子。在这种情况下，S因子可以随着有源层与金属层之间的距离减小而增加。另一方面，当有源层与金属层之间的距离增加或有源层下方不存在金属层时，S因子可能降低。随着S因子增加，用于表示灰度的数据电压的范围可以增加。另一方面，随着S因子减小，用于表示灰度的数据电压的范围可能减小。
本公开的发明人已经认识到，用于表示灰度的数据电压的范围根据设置在子像素中的发光元件的效率而变化。特别地，已经认识到，在具有相对低效率的蓝色子像素的情况下，与红色子像素和绿色子像素的数据电压的范围相比，可以获得更宽的数据电压的范围。
另外，本公开的发明人已经认识到，当将相同的S因子应用于多个子像素时，可能在特定子像素中出现缺陷。例如，当对所有子像素应用高S因子时，红色子像素和绿色子像素的用于表示灰度的数据电压的范围可以满足数据驱动器的电压规格，但是蓝色子像素可能在数据驱动器的电压规格之外，这是因为蓝色子像素的数据电压的范围过宽(例如，因此，蓝色子像素可能不支持或正确表达某些灰度值)。在这种情况下，不可以实现蓝色子像素中的峰值亮度。另外，当将低S因子应用于多个子像素时，蓝色子像素可以具有满足数据驱动器的电压规格的适当的数据电压范围，但是红色子像素和绿色子像素的数据电压的范围过窄，造成低灰度处的不均匀(例如，不均衡、不规则或瑕疵)。
为了解决这个缺陷，本公开的发明人发明了一种显示装置，对于该显示装置，通过针对每个子像素应用不同的结构，可以应用优化的S因子。
本公开的一方面是通过将高S因子应用于第一子像素和第二子像素并且将低S因子应用于第三子像素来减少低灰度处的不均匀。
本公开的另一方面是通过使得多个子像素在表示灰度时能够尽可能地利用与数据驱动器的规格电压最好地对应的范围来容易地调节子像素的灰度。
本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员通过以下描述可以清楚地理解上面未提及的其他目的。
根据本公开的一方面，一种显示装置包括：基板，该基板包括多个子像素；在基板上且在多个子像素中的存储电容器；在存储电容器上的缓冲层；在缓冲层上且在多个子像素中的晶体管；以及在晶体管上的发光元件。多个子像素包括发射不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素。多个子像素中的至少一个包括设置在晶体管下方的金属层。金属层连接至存储电容器的电极之一。
根据本公开的另一方面，一种显示装置包括：基板，该基板包括多个子像素；在多个子像素中的每一个处的第一电容器电极；在第一电容器电极上的层间绝缘层；在层间绝缘层上以与第一电容器电极交叠的第二电容器电极；在第二电容器电极上的缓冲层；在缓冲层上并包括有源层的晶体管；以及在晶体管上的发光元件。多个子像素包括发射不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素。在第一子像素和第二子像素中，第二电容器电极被配置成从与第一电容器电极交叠的区域延伸至与有源层交叠的区域。
根据本公开的又一方面，一种显示装置包括：基板，该基板包括具有多个子像素的显示区域和围绕该显示区域的非显示区域；在基板上且在多个子像素中的存储电容器；在存储电容器上的缓冲层；在缓冲层上且在多个子像素中的晶体管；在显示区域的晶体管上的发光元件；以及设置在晶体管下方的金属层。多个子像素包括发射不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素。金属层设置在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一个中。第一子像素和第二子像素中的金属层与第三子像素中的金属层被设置在不同的层上。
示例性实施方式的其他详细事项包括在具体实施方式和附图中。
根据本公开，蓝色子像素可以具有低S因子，从而在表示灰度时确保了适当的数据电压范围。
根据本公开，红色子像素和绿色子像素可以具有高S因子，以用于在表示灰度时，在确保适当的数据电压范围的同时改善低灰度处的不均匀。
根据本公开的效果不限于上面例示的内容，并且本说明书中包括更多各种效果。
附图说明
根据下文给出的详细描述和附图将更全面地理解本公开，详细描述和附图仅作为说明给出，因此不限制本公开。
图1是根据本公开的实施方式的显示装置的示意性配置图。
图2和图3是根据本公开的实施方式的显示装置的截面图。
图4A和图4B是用于说明根据本公开的实施方式的S因子的图形。
图5是根据本公开的另外的示例性实施方式的显示装置的截面图。
具体实施方式
通过参照下面结合附图详细描述的示例性实施方式，本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。示例性实施方式仅作为示例提供，以使本领域技术人员能够充分理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围限定。
在附图中示出的用于描述本公开的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细说明以避免不必要地模糊本公开的主题。本文使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则任何对单数的引用都可以包括复数。
即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通的误差范围。
当使用“在……上”、“在……之上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……旁边”的术语来描述两个部分之间的位置关系时，一个或更多个部分可以位于这两个部分之间，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。
当元件或层设置在另一元件或层“上”时，该元件或层可以直接设置在另一元件或层上时，或者其他层或其他元件可以置于其间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开来，并且不限定顺序。因此，在本公开的技术构思中，下面要提到的第一部件可以是第二部件。
在整个说明书中，相似的附图标记通常表示相似的元件。
附图中所示出的每个部件的尺寸和厚度是为了便于描述而示出的，并且本公开不限于所示出的部件的尺寸和厚度。
本公开的各个实施方式的特征可以部分或全部地彼此依附或组合，并且可以在技术上以各种方式互锁和操作，并且这些实施方式可以彼此独立地或关联地执行。
在下文中，将参照附图详细地描述本公开。根据本公开的所有实施方式的每个显示装置的所有部件均可操作地耦接和配置。
图1是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的示意性配置图。在图1中，为了便于说明，仅示出了显示装置100的各种部件中的显示面板PN、栅极驱动器GD、数据驱动器DD和定时控制器TC。
参照图1，显示装置100包括具有多个子像素SP的显示面板PN、用于向显示面板PN提供各种信号的栅极驱动器GD和数据驱动器DD、以及用于控制栅极驱动器GD和数据驱动器DD的定时控制器TC。
栅极驱动器GD根据从定时控制器TC提供的多个栅极控制信号GCS向多条扫描线SL提供多个扫描信号。尽管图1中示出了栅极驱动器GD被设置成与显示面板PN的一侧间隔开，但是实际上栅极驱动器GD可以以面板内栅极(GIP)方式设置在显示面板PN中。也就是说，栅极驱动器GD可以设置在与显示面板PN的显示区域相邻的非显示区域中。此外，尽管图1中示出了一个栅极驱动器GD，但是栅极驱动器GD的数目不限于此。
数据驱动器DD根据从定时控制器TC提供的多个数据控制信号DCS使用参考伽马电压将从定时控制器TC输入的图像数据RGB转换为数据信号。另外，数据驱动器DD可以将转换后的数据信号提供至多条数据线DL。尽管在图1中将一个数据驱动器DD示出为与显示面板PN的上侧间隔开，但是数据驱动器DD的数目和布置不限于此。
定时控制器TC对从外部输入的图像数据RGB进行对准并将其提供至数据驱动器DD。定时控制器TC可以使用从外部输入的同步信号SYNC例如点时钟信号、数据使能信号和水平/垂直同步信号来生成栅极控制信号GCS和数据控制信号DCS。另外，定时控制器TC可以将所生成的栅极控制信号GCS和数据控制信号DCS分别提供至栅极驱动器GD和数据驱动器DD，从而控制栅极驱动器GD和数据驱动器DD。
显示面板PN包括显示区域和非显示区域。在这种情况下，显示区域和非显示区域可以是限定在显示面板PN的基板110上的区域，这将在稍后描述。显示区域可以是包括多个子像素SP以显示图像的区域。非显示区域可以是围绕显示区域并且不显示图像的区域。栅极驱动器GD和数据驱动器DD可以设置在非显示区域中。
显示区域是用于显示图像的区域。用于显示图像的多个子像素SP和用于驱动多个子像素SP的驱动电路可以设置在显示区域中。多条扫描线SL与多条数据线DL在显示面板PN的显示区域中彼此交叉，并且多个子像素SP中的每一个连接至扫描线SL与数据线DL。
多个子像素SP中的每一个是发射光的单独单元，并且发光元件140(参见图2和图3)可以设置在多个子像素SP中的每一个中。多个子像素SP可以包括作为红色子像素的第一子像素SP1、作为绿色子像素的第二子像素SP2以及作为蓝色子像素的第三子像素SP3。取决于显示面板PN的类型，可以不同地对多个发光元件140进行限定。例如，当显示面板PN是有机发光显示面板时，发光元件可以是包括阳极、有机层和阴极的有机发光元件。另外，还可以使用包括量子点(QD)的量子点发光二极管(QLED)作为发光元件。在下文中，假设发光元件140为有机发光元件，但是发光元件的类型不限于此。
驱动电路可以包括各种晶体管130a和130b、存储电容器120a和120b以及用于驱动多个子像素SP的布线。例如，驱动电路可以包括各种部件，例如驱动晶体管、开关晶体管、感测晶体管、存储电容器、栅极线GL和数据线DL，但是不限于此。
非显示区域是不显示图像并且被设置成围绕显示区域的区域。非显示区域是其中设置有用于驱动设置在显示区域中的多个子像素SP的各种布线、驱动器IC等的区域。例如，诸如栅极驱动器GD和数据驱动器DD的各种驱动器IC可以设置在非显示区域中。
在下文中，将参照图2和图3更详细地描述根据本公开的示例性实施方式的显示装置100的子像素SP1、SP2和SP3。
图2和图3是根据本公开的示例性实施方式的显示装置的截面图。特别地，图2是显示装置100的多个子像素SP中的第一子像素SP1和第二子像素SP2的截面图。图3是显示装置100的多个子像素SP中的第三子像素SP3的截面图。也就是说，在多个子像素SP中，第一子像素SP1和第二子像素SP2可以具有相同的结构。另外，在多个子像素SP中，第三子像素SP3可以具有与第一子像素SP1和第二子像素SP2的结构不同的结构。此外，图2和图3中所示出的晶体管130a和130b可以是驱动晶体管。为了便于说明，图2和图3仅示出了设置在多个子像素SP中的各种晶体管中的驱动晶体管。
此外，在根据本公开的示例性实施方式的显示装置100中，在同一基板110上形成至少两种类型的薄膜晶体管。在此，作为至少两种类型的薄膜晶体管，使用多晶硅材料作为有源层的LTPS(低温多晶硅)薄膜晶体管以及使用金属氧化物作为有源层的氧化物半导体薄膜晶体管被使用。根据本公开的显示装置100可以通过在同一基板100上设置LPTS薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管来提供最佳功能，尽管LPTS薄膜晶体管和氧化物半导体薄膜晶体管具有不同特性。
具体地，图2和图3中所示出的晶体管130a和130b可以是氧化物半导体薄膜晶体管。也就是说，设置在显示面板PN的显示区域中的晶体管可以由氧化物薄膜晶体管形成。氧化物半导体薄膜晶体管可以是使用氧化物半导体材料作为有源层的薄膜晶体管。由于氧化物半导体材料具有比硅材料的带隙大的带隙，因此电子在截止状态下不通过带隙，并且因此截止电流低。由于在截止电流低时可以减小辅助电容的尺寸，因此氧化物半导体薄膜晶体管适用于高分辨率显示装置。
设置在显示面板PN的非显示区域中的另外的类型的晶体管可以是LTPS薄膜晶体管。LTPS薄膜晶体管可以是使用低温多晶硅(LTPS)作为有源层的薄膜晶体管。由于多晶硅材料具有高迁移率(100cm2/Vs或更高)、低能耗和优异的可靠性，因此其可以应用于多路复用器MUX和/或用于驱动显示元件的薄膜晶体管的驱动元件的栅极驱动器GD。也就是说，构成栅极驱动器GD的晶体管可以是LTPS薄膜晶体管。
在下文中，为了便于说明，将基于显示区域的晶体管为氧化物半导体薄膜晶体管并且栅极驱动器的晶体管为LTPS薄膜晶体管来进行描述。然而，本公开不限于此，并且显示区域的晶体管可以由氧化物半导体薄膜晶体管和LTPS薄膜晶体管的组合形成。
首先，将参照图2描述第一子像素SPl和第二子像素SP2的结构。在此，第一子像素SP1可以是发射红光的红色子像素，并且第二子像素SP2可以是发射绿光的绿色子像素。
参照图2，显示装置100包括基板110、存储电容器120a、晶体管130a和发光元件140。
基板110可以支承显示装置100的各种部件。基板110可以由玻璃或具有柔性的塑料材料形成。当基板110由塑料材料形成时，它可以由例如聚酰亚胺(PI)形成。
在基板110上设置有第一缓冲层111。第一缓冲层111可以减少湿气或杂质通过基板110的渗透。此外，第一缓冲层111可以保护存储电容器120a和120b以及晶体管130a和130b免受从基板110泄漏的诸如碱离子的杂质的影响。另外，第一缓冲层111可以提高形成在其上的层与基板110之间的粘附。第一缓冲层111可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层或它们的多层形成，但是不限于此。
在第一缓冲层111上设置有第一栅极绝缘层112。第一栅极绝缘层112可以减少湿气或杂质通过基板110的渗透。第一栅极绝缘层112可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层或它们的多层形成，但是不限于此。
在第一栅极绝缘层112上设置有存储电容器120a。存储电容器120a包括彼此交叠的下电极121a和上电极122a。此外，下电极121a可以被称为第一电容器电极，而上电极122a可以被称为第二电容器电极。
下电极121a设置在第一栅极绝缘层112上。下电极121a可以不与晶体管130a交叠。也就是说，下电极121a可以被设置成与其中设置有晶体管130a的区域间隔开。下电极121a可以形成为由钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)和钕(Nd)中的任一种或它们的合金形成的单层或多层。
在下电极121a上设置有第一层间绝缘层113。第一层间绝缘层113可以是用于使下电极121a和上电极122a绝缘的绝缘层。第一层间绝缘层113可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层或它们的多层构成，但是不限于此。
上电极122a设置在第一层间绝缘层113上。上电极122a可以从与下电极121a交叠的区域延伸至与晶体管130a交叠的区域(例如，可以使上电极122a足够长以与下电极121a和晶体管130a两者交叠)。特别地，上电极122a可以与晶体管130a的有源层131a交叠。也就是说，上电极122a可以与下电极121a和有源层131a交叠。此外，上电极122a可以电连接至晶体管130a的源电极134a(例如，源电极134a可以连接至有源层131a和存储电容器120a的上电极122a两者)。上电极122a可以形成为由钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)和钕(Nd)中的任一种或它们的合金形成的单层或多层。在下文中，为了便于说明，与有源层131a交叠的上电极122a的区域被定义为金属层122a(例如，上电极122a的设置在晶体管130a下方或与晶体管130a交叠的金属层部分)。
存储电容器120a可以形成在上电极122a与下电极121a交叠的区域中。与有源层131a交叠的上电极122a，也就是说，金属层122a可以用作保护层。传输到晶体管130a的电磁波或外部光可以被金属层122a阻挡。此外，与有源层131a交叠的金属层122a可以用来调节晶体管130a的S因子。
具体地，在第一子像素SP1和第二子像素SP2的情况下，金属层122a和有源层131a可以彼此相邻地设置，其中仅在它们之间插入第二缓冲层114(例如，金属层122a和有源层131a可以在与基板110正交的垂直方向上彼此交叠)。另一方面，在稍后要描述的第三子像素SP3的情况下，上电极122b没有设置在有源层131b下方(例如，上电极122b与晶体管130b间隔开，并且上电极122b与晶体管130b在与基板110正交的垂直方向上彼此不交叠)。因此，第一子像素SP1和第二子像素SP2两者均可以具有比第三子像素SP3的S因子高的S因子。因此，可以在第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP2中确保适当的数据电压范围。这将在下面更详细地进行描述。
另外，构成栅极驱动器GD的LTPS薄膜晶体管可以设置在第一缓冲层111上。也就是说，第一缓冲层111可以是用于防止湿气或杂质通过基板110渗透到LTPS薄膜晶体管中的绝缘层。LTPS薄膜晶体管的有源层可以设置在第一缓冲层111上。LTPS薄膜晶体管的栅电极可以由与下电极121a相同的材料形成在第一栅极绝缘层112上。LTPS薄膜晶体管的源电极和漏电极可以与上电极122a、有源层131a、栅电极132a、源电极134a和漏电极133a中的任一者由相同的材料形成在同一层上。然而，本公开不限于此。
第二缓冲层114设置在存储电容器120a上。第二缓冲层114可以是用于使金属层122a和有源层131a绝缘的绝缘层。此外，第二缓冲层114可以是用于保护晶体管130a的有源层131a的缓冲层。第二缓冲层114可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层或它们的多层组成，但是不限于此。
晶体管130a设置在第二缓冲层114上。晶体管130a可以驱动发光元件140。晶体管130a包括有源层131a、栅电极132a、源电极134a和漏电极133a。另外，根据驱动电路的设计，源电极134a可以被配置为漏电极，并且漏电极133a可以被配置为源电极。
有源层131a设置在第二缓冲层114上。有源层131a是在驱动晶体管130a时形成沟道的区域。有源层131a可以包括沟道区、源极区和漏极区。有源层131a可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料形成，但是不限于此。在下文中，将基于有源层131a由氧化物半导体形成来进行描述。
在有源层131a上设置有第二栅极绝缘层115。第二栅极绝缘层115可以是用于使有源层131a和栅电极132a绝缘的绝缘层。在第二栅极绝缘层115中形成用于分别将源电极134a和漏电极133a连接至有源层131a的接触孔。第二栅极绝缘层115可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层或它们的多层组成，但是不限于此。
栅电极132a设置在第二栅极绝缘层115上。栅电极132a可以被设置成与有源层131a的沟道区交叠。栅电极132a可以形成为由钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)和钕(Nd)中的任一种或它们的合金形成的单层或多层。
在栅电极132a上设置有第二层间绝缘层116。在第二层间绝缘层116中形成用于分别将源电极134a和漏电极133a连接至有源层131a的接触孔。第二层间绝缘层116可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的单层或它们的多层组成，但是不限于此。
源电极134a和漏电极133a设置在第二层间绝缘层116上。源电极134a和漏电极133a可以分别通过形成在第二栅极绝缘层115和第二层间绝缘层116中的接触孔与有源层131a的源极区和漏极区接触。源电极134a和漏电极133a可以形成为由钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、镍(Ni)和钕(Nd)中的任一种或它们的合金形成的单层或多层。
在晶体管130a上设置有平坦化层117。平坦化层117是使基板110的上部平坦化的绝缘层。平坦化层117可以由例如聚酰亚胺或光亚克力的单层或多层的有机材料形成，但是不限于此。
发光元件140设置在平坦化层117上。发光元件140包括第一电极141、发光层142和第二电极143。在此，第一电极141可以是阳极电极，并且第二电极143可以是阴极电极。
另外，显示装置100可以以顶部发射方法或底部发射方法来实现。在顶部发射方法的情况下，用于将从发光层142发射的光朝向第二电极143反射的反射层可以设置在第一电极141下方。例如，反射层可以包括具有优异反射率的材料，例如铝(Al)或银(Ag)，但是不限于此。另一方面，在底部发射方法的情况下，第一电极141可以仅由透明导电材料形成。在下文中，假设根据本公开的示例性实施方式的显示装置100是顶部发射型。
第一电极141设置在平坦化层117上。第一电极141可以对应于多个子像素SP中的每一个。第一电极141可以通过形成在平坦化层117中的接触孔电连接至晶体管130a的源电极134a。第一电极141可以由具有高功函数的导电材料形成，以向发光层142提供空穴。第一电极141可以形成为包括具有高反射效率的不透明导电层和透明导电层的多层结构。透明导电层可以由具有相对大的功函数值的材料、例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)形成。不透明导电层可以形成为包括Al、Ag、Cu、Pb、Mo、Ti或它们的合金的单层或多层结构。然而，第一电极141的材料不限于此。
在第一电极141和平坦化层117上设置有堤部118。堤部118可以形成在平坦化层117上以覆盖第一电极141的边缘。堤部118是设置在多个子像素SP之间以使多个子像素SP分开的绝缘层。堤部118可以是有机绝缘材料。例如，堤部118可以由聚酰亚胺、亚克力或苯并环丁烯(BCB)基树脂形成，但是不限于此。
发光层142设置在第一电极141和堤部118上。发光层142可以形成在基板110的整个表面上方。也就是说，发光层142可以是公共地形成在多个子像素SP中的公共层。发光层142可以是用于发射特定颜色的光的有机层。例如，发光层142可以是红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层和白色发光层中的一者。当发光层142由白色发光层形成时，还可以在发光元件140上设置滤色器。发光层142还可以包括各种层，例如空穴传输层、空穴注入层、空穴阻挡层、电子注入层、电子阻挡层、电子传输层等。
第二电极143设置在发光层142上。第二电极143可以在基板110的整个表面上方形成为单层。也就是说，第二电极143可以是公共地形成在多个子像素SP中的公共层。由于第二电极143向发光层142提供电子，因此第二电极143可以由具有低功函数的导电材料形成。例如，第二电极143可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料、诸如MgAg或镱(Yb)合金的金属合金等形成，并且还可以包括金属掺杂层，但是本公开不限于此。
接下来，将参照图3描述第三子像素SP3的结构。在此，第三子像素SP3可以是发射蓝光的蓝色子像素。除了存储电容器120b和晶体管130b之外，第三子像素SP3中设置的配置与第一子像素SP1和第二子像素SP2的配置相同，并且因此将省略多余的描述或可以简要描述。
参照图3，存储电容器120b和晶体管130b设置在第三子像素SP3中。在这种情况下，存储电容器120b和晶体管130b彼此不交叠(存储电容器120b在水平方向上与晶体管130b间隔开)。
存储电容器120b设置在第一栅极绝缘层112上。存储电容器120b包括彼此交叠的下电极121b和上电极122b。在此，设置在第三子像素SP3中的下电极121b可以与设置在第一子像素SP1和第二子像素SP2中的下电极121a通过相同的工艺由相同的材料形成。此外，设置在第三子像素SP3中的上电极122b可以与设置在第一子像素SP1和第二子像素SP2中的上电极122a通过相同的工艺由相同的材料形成。
晶体管130b设置在第二缓冲层114上。晶体管130b包括有源层131b、栅电极132b、源电极134b和漏电极133b。在此，设置在第三子像素SP3中的有源层131b可以与设置在第一子像素SP1和第二子像素SP2中的有源层131a通过相同的工艺由相同的材料形成。设置在第三子像素SP3中的栅电极132b可以与设置在第一子像素SP1和第二子像素SP2中的栅电极132a通过相同的工艺由相同的材料形成。设置在第三子像素SP3中的源电极134b和漏电极133b可以与设置在第一子像素SP1和第二子像素SP2中的源电极134a和漏电极133a通过相同的工艺由相同的材料形成。
在第三子像素SP3的情况下，存储电容器120b的上电极122b不与晶体管130b交叠。也就是说，上电极122b不设置在晶体管130b的有源层131b下方(例如，上电极122b在水平方向上与有源层131b间隔开)。因此，第三子像素SP3可以具有比第一子像素SP1和第二子像素SP2低的S因子。因此，可以确保第三子像素SP3中适当的数据电压范围。
在下文中，将参照图4A和图4B描述S因子。
图4A和图4B是用于说明S因子的图形。特别地，图4A和图4B是根据用于表示灰度的数据电压的所需电流的图形。具体地，X轴可以优选地意指电压，并且Y轴可以优选地意指电流。此外，在图4A和图4B中的每一个中，第一图形为对应红色子像素的图形，第二图形为对应绿色子像素的图形，并且第三图形为对应蓝色子像素的图形。图4A示出了将具有相对低的S因子的结构应用于所有的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的情况。图4B示出了将具有相对高的S因子的结构应用于所有的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的情况。
参照图4A和图4B，P(R,G)是表示红色子像素和绿色子像素中对应于白色的所需电流的点。此外，P(B)是表示蓝色子像素中对应于白色的所需电流的点。Y轴的最低点是表示红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中对应于黑色的所需电流的点。
另外，R(R)表示用于在红色子像素中表示黑色到白色的数据电压的范围。R(G)表示用于在绿色子像素中表示黑色到白色的数据电压的范围。R(B)表示用于在蓝色子像素中表示黑色到白色的数据电压的范围。
通常，由于蓝色子像素使用荧光材料的发光层，蓝色子像素中的电流效率可能低于使用磷光材料的发光层的红色子像素和绿色子像素中的电流效率。因此，为了实现高亮度，蓝色子像素中对应于白色的电压值和电流值可以高于红色子像素和绿色子像素中对应于白色的电压值和电流值。也就是说，P(B)可以位于比P(R,G)高的点处。此外，蓝色子像素中的数据电压的范围可以宽于红色子像素和绿色子像素中的数据电压的范围。
通常，可以通过在晶体管的下部处设置金属层来调节晶体管的S因子。在这种情况下，金属层可以连接至晶体管的源电极。晶体管的有源层与设置在有源层下方的金属层之间的距离越小，S因子越大。也就是说，有源层与金属层之间的距离越小，干扰晶体管的栅电极中产生的场的分量越大，从而S因子增加。相反，有源层与金属层之间的距离越大，S因子减小。也就是说，有源层与金属层之间的距离越大，干扰晶体管的栅电极中产生的场的分量越小，并且S因子可以越小。另外，当有源层下方不存在金属层时，不存在干扰场的分量，因此S因子可以最低。
通常，随着S因子变高，用于表示灰度的数据电压的范围变宽，以及随着S因子变低，用于表示灰度的数据电压的范围变窄。具体地，当将应用了具有低S因子的结构的图4A的图形与应用了具有高S因子的结构的图4B的图形进行比较时，可以看出，S因子越低，数据电压的范围越窄，以及S因子越高，数据电压的范围越宽。
如图4A所示出的，当晶体管的S因子被配置成相对低时，数据电压的范围可以相对变窄。随着数据电压的范围变窄，图形的斜率增加，从而可以降低数据电压之间的区分度。也就是说，像素的灰度可以根据数据电压的小变化而快速变化，这可能导致低灰度处的不均匀。特别地，由于红色子像素和绿色子像素具有比蓝色子像素高的效率，因此它们的数据电压的范围小于蓝色子像素的数据电压的范围。因此，当S因子被配置成低时，红色子像素和绿色子像素中的数据电压的范围太窄，从而导致容易出现低灰度处的不均匀。
如图4B所示，当晶体管的S因子被配置成相对高时，数据电压的范围可以相对变宽。随着数据电压的范围变宽，图形的斜率更平缓，从而可以提高数据电压之间的区分度。也就是说，由于可以根据数据电压的变化来容易地调节像素的灰度，因此可以改善低灰度处的不均匀(例如，高S因子可以允许对电压的小变化不太敏感的灰度调整)。然而，当数据电压的范围太宽时，功耗增加，并且实现白色峰值亮度所需的电压可能超过数据驱动器的规格(例如，因为当像素的S因子设置得太高时，数据驱动器可能不能提供足够的功率)。在此，数据驱动器的规格可以意指数据驱动器可以提供的电压的范围。特别地，由于蓝色子像素具有比红色子像素和绿色子像素低的效率，因此它可以具有比红色子像素和绿色子像素的数据电压的范围宽的数据电压的范围。因此，当S因子被配置成高时，蓝色子像素中的数据电压的范围太宽，并且因此可能在数据驱动器的规格之外。
因此，随着S因子增加，可以改善低灰度处的不均匀，但是功耗可能增加，并且所需数据电压的范围可能超过数据驱动器的规格。另一方面，随着S因子变低，功耗可以降低，并且所需数据电压的范围可以满足数据驱动器的规格，但是可能导致容易出现低灰度处的不均匀。此外，由于发光元件的效率在每个子像素中不同，因此根据S因子的数据电压的范围对于每个子像素也可以不同。因此，当相同的结构应用于所有的多个子像素时，在特定的子像素中可能出现低灰度值处的不均匀，或者可能出现数据电压的范围在数据驱动器的规格之外的问题。
因此，在根据本公开的示例性实施方式的显示装置100中，可以在相应子像素SP中应用不同的结构(例如，不同颜色的子像素具有不同结构，以便在子像素之间提供更相似的S因子)。也就是说，在多个相应子像素SP中，有源层131a和131b与电极121a、122a、121b和122b之间的距离可以被不同地配置。具体地，在第一子像素SP1和第二子像素SP2中，从上电极122a延伸的金属层122a可以设置在有源层131a下方。换言之，在第一子像素SP1和第二子像素SP2中，金属层122a可以从上电极122a延伸以与有源层131a交叠。另一方面，在第三子像素SP3中，金属层没有设置在有源层131b下方。因此，第一子像素SP1和第二子像素SP2的S因子高于第三子像素SP3的S因子，而第三子像素SP3的S因子低于第一子像素SP1和第二子像素SP2的S因子。因此，可以通过应用针对每个子像素SP优化的S因子来提高每个子像素SP的效率。
更具体地，高S因子可以应用于作为红色子像素的第一子像素SP1和作为绿色子像素的第二子像素SP2。也就是说，在第一子像素SP1和第二子像素SP2中，金属层122a可以设置在有源层131a下方。金属层122a可以在第一层间绝缘层113与第二缓冲层114之间从存储电容器120a的上电极122a延伸。在这种情况下，在彼此交叠的有源层131a与金属层122a之间可以仅设置一个第二缓冲层114。因此，第一子像素SP1和第二子像素SP2的晶体管130a可以具有比第三子像素SP3高的S因子。因此，第一子像素SP1和第二子像素SP2可以利用宽数据电压范围。因此，可以改善第一子像素SP1和第二子像素SP2在低灰度处的不均匀。
低S因子可以应用于作为蓝色子像素的第三子像素SP3。也就是说，下电极121b或上电极122b不设置在第三子像素SP3的有源层131b下方。因此，第一栅极绝缘层112和第一层间绝缘层113可以彼此接触，并且第一层间绝缘层113和第二缓冲层114可以彼此接触。换言之，第三子像素SP3的有源层131b不与下电极121b或上电极122b交叠(例如，第三子像素SP3的有源层131b可以在水平方向上与上电极122b间隔开，参见图3)。因此，第三子像素SP3的晶体管130b可以具有比第一子像素SP1和第二子像素SP2低的S因子。因此，第三子像素SP3中的数据电压的范围可以保持在适当的水平处。因此，用于表示第三子像素SP3的灰度的数据电压的范围可以满足数据驱动器DD的规格。
另外，所有的第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以被配置成尽可能地利用能够由数据驱动器DD提供的电压的范围。也就是说，多个子像素SP中的数据电压的范围可以被设置得不会太宽或太窄，并且可以设置为适当的水平。因此，可以通过尽可能地利用数据驱动器DD的电压范围来容易地调节像素的灰度。因此，可以提高显示装置100的质量。
图5是根据本公开的另外的示例性实施方式的显示装置的截面图。与图2和图3的显示装置100相比，图5的显示装置500除了第三子像素SP3的存储电容器520b和晶体管530b之外具有相同或相似的配置。因此，将省略多余的描述或可以简要描述。
参照图5，存储电容器520b和晶体管530b与第三子像素SP3对应地设置在基板110上。
存储电容器520b设置在第一栅极绝缘层112上。存储电容器520b包括彼此交叠的下电极521b和上电极522b。在此，设置在第三子像素SP3中的下电极521b可以与设置在第一子像素SP1和第二子像素SP2中的下电极121a通过相同的工艺由相同的材料形成。此外，设置在第三子像素SP3中的上电极522b可以与设置在第一子像素SP1和第二子像素SP2中的上电极122a通过相同的工艺由相同的材料形成。
晶体管530b设置在第二缓冲层114上。晶体管530b包括有源层531b、栅电极532b、源电极534b和漏电极533b。在此，设置在第三子像素SP3中的有源层531b可以与设置在第一子像素SP1和第二子像素SP2中的有源层131a通过相同的工艺由相同的材料形成。设置在第三子像素SP3中的栅电极532b可以与设置在第一子像素SP1和第二子像素SP2中的栅电极132a通过相同的工艺由相同的材料形成。设置在第三子像素SP3中的源电极534b和漏电极533b可以与设置在第一子像素SP1和第二子像素SP2中的源电极134a和漏电极133a通过相同的工艺由相同的材料形成。
在第三子像素SP3中，存储电容器520b的下电极521b与晶体管530b交叠。在这种情况下，上电极522b不与晶体管530b交叠。也就是说，上电极522b可以与其中设置有晶体管530b的区域间隔开。然而，下电极521b可以从与上电极522b交叠的区域延伸至与晶体管530b交叠的区域。特别地，下电极521b可以与晶体管530b的有源层531b交叠(例如，下电极521b与有源层531b在与基板110正交的垂直方向上彼此交叠)。此外，下电极521b可以电连接至晶体管530b的源电极534b。在下文中，为了便于说明，与有源层531b交叠的下电极521b的区域被定义为金属层521b。
在第一子像素SPl和第二子像素SP2中，金属层122a与有源层131a交叠。在第一子像素SP1和第二子像素SP2中，金属层122a可以从上电极122a延伸以与有源层131a交叠。在这种情况下，第二缓冲层114可以设置在金属层122a与有源层131a之间。在第三子像素SP3中，金属层521b与有源层531b交叠。在第三子像素SP3中，金属层521b可以从下电极521b延伸以与有源层531b交叠。在这种情况下，第一层间绝缘层113和第二缓冲层114可以设置在金属层521b与有源层531b之间。也就是说，第一子像素SP1和第二子像素SP2中的金属层122a与有源层131a之间的距离小于第三子像素SP3中的金属层521b与有源层531b之间的距离(例如，第一子像素和第二子像素SP1、SP2可以在金属层122a和晶体管130a之间具有一层，而第三子像素SP3可以在金属层521b和晶体管530b之间具有两层)。因此，第一子像素SP1和第二子像素SP2的S因子可以大于第三子像素SP3的S因子。
在根据本公开的另外的示例性实施方式的显示装置500中，高S因子可以应用于作为红色子像素的第一子像素SP1和作为绿色子像素的第二子像素SP2。此外，低S因子可以应用于作为蓝色子像素的第三子像素SP3。因此，多个子像素SP可以通过确保适当的数据电压范围同时防止低灰度处的不均匀，来使得能够容易地调节像素的灰度。另外，由于金属层521b设置在晶体管530b下方，因此可以更好地保护晶体管530b免受电磁波或外部光的影响。因此，可以提高显示装置500的质量和可靠性。
本公开的示例性实施方式还可以描述如下：
根据本公开的一方面，一种显示装置包括：基板，该基板包括多个子像素；在基板上且在多个子像素中的存储电容器；在存储电容器上的缓冲层；在缓冲层上且在多个子像素中的晶体管；以及在晶体管上的发光元件。多个子像素包括发射不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素。多个子像素中的至少一个包括设置在晶体管下方的金属层。金属层连接至存储电容器的电极之一。
金属层可以与晶体管的有源层交叠。
金属层可以仅设置在第一子像素和第二子像素中。
晶体管可以是用于驱动发光元件的驱动晶体管。
存储电容器可以包括：在基板上的下电极；以及在下电极上并与下电极交叠的上电极。金属层可以从上电极延伸以与有源层交叠。
金属层可以不设置在第三子像素中。
第一子像素可以为红色子像素，第二子像素可以为绿色子像素，并且第三子像素可以为蓝色子像素。
金属层可以被设置在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一个中。第一子像素和第二子像素中的金属层与第三子像素中的金属层可以设置在不同的层上。
存储电容器可以包括：在基板上的下电极；以及在下电极上并与下电极交叠的上电极。第一子像素和第二子像素中的金属层可以从上电极延伸。第三子像素中的金属层可以从下电极延伸。
第一子像素可以为红色子像素，第二子像素可以为绿色子像素，并且第三子像素可以为蓝色子像素。
存储电容器可以包括彼此交叠的下电极和上电极。在下电极与上电极之间可以设置有层间绝缘层。在与第一子像素和第二子像素的晶体管交叠的区域中，金属层可以设置在层间绝缘层与缓冲层之间。层间绝缘层和缓冲层可以在与第三子像素的晶体管交叠的区域中彼此接触。
晶体管还可以包括连接至发光元件的源电极。金属层可以电连接至源电极。
晶体管可以是使用金属氧化物作为有源层的氧化物半导体薄膜晶体管。
根据本公开的另一方面，一种显示装置包括：基板，该基板包括多个子像素；在多个子像素中的每一个处的第一电容器电极；在第一电容器电极上的层间绝缘层；在层间绝缘层上以与第一电容器电极交叠的第二电容器电极；在第二电容器电极上的缓冲层；在缓冲层上并包括有源层的晶体管；以及在晶体管上的发光元件。多个子像素包括发射不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素。在第一子像素和第二子像素中，第二电容器电极被配置成从与第一电容器电极交叠的区域延伸至与有源层交叠的区域。
在第一子像素和第二子像素中，在与有源层交叠的区域中、第二电容器电极可以设置在层间绝缘层与缓冲层之间。在第三子像素中，层间绝缘层和缓冲层可以在与有源层交叠的区域中彼此直接接触。
晶体管还可以包括连接至发光元件的源电极。第一子像素和第二子像素中的第二电容器电极可以电连接至源电极。
在第三子像素中，第一电容器电极和第二电容器电极可以不与有源层交叠。
在第三子像素中，第一电容器电极可以被配置成从与第二电容器电极交叠的区域延伸至与有源层交叠的区域。
晶体管还可以包括连接至发光元件的源电极。第三子像素中的第一电容器电极可以电连接至源电极。
第一子像素和第二子像素中的第二电容器电极与有源层之间的距离可以小于第三子像素中的第一电容器电极与有源层之间的距离。
第一子像素可以为红色子像素，第二子像素可以为绿色子像素，并且第三子像素可以为蓝色子像素。
根据本公开的又一方面，一种显示装置包括：基板，该基板包括具有多个子像素的显示区域和围绕该显示区域的非显示区域；在基板上且在多个子像素中的存储电容器；在存储电容器上的缓冲层；在缓冲层上且在多个子像素中的晶体管；在显示区域的晶体管上的发光元件，以及设置在晶体管下方的金属层。多个子像素包括发射不同颜色的光的第一子像素、第二子像素和第三子像素。金属层设置在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一个中。第一子像素和第二子像素中的金属层与第三子像素中的金属层被设置在不同的层上。
尽管已经参照附图详细地描述了本公开的示例性实施方式，但是本公开不限于此并且可以在不脱离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此，提供本公开的示例性实施方式仅用于说明目的，而不旨在限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是说明性的，并且不限制本公开。本公开的保护范围应基于所附权利要求来解释，并且所附权利要求的等同范围中的所有技术构思均应被解释为落入本公开的范围内。

Claims (23)

1.一种显示装置，包括：
设置在基板上的多个子像素；
设置在所述多个子像素中的每一个中的存储电容器；
设置在所述多个子像素中的每一个中且在所述存储电容器上的缓冲层；
设置在所述多个子像素中的每一个中且在所述缓冲层上的晶体管；以及
设置在所述多个子像素中的每一个中且在所述晶体管上的发光元件，
其中，所述多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一个被配置成发射不同颜色的光，
其中，所述多个子像素中的至少一个子像素包括设置在所述晶体管下方的金属层，以及
其中，所述金属层连接至所述存储电容器的一个电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述多个子像素中的所述至少一个子像素中，所述金属层与所述晶体管的有源层交叠。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的所述至少一个子像素中的所述存储电容器包括：
设置在所述基板上的下电极；以及
与所述下电极交叠的上电极，
其中，在所述多个子像素中的所述至少一个子像素中，所述金属层从所述上电极延伸以与所述有源层交叠。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述金属层仅在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中设置在所述晶体管下方。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第三子像素中不存在设置在所述晶体管下方的所述金属层。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一子像素为红色子像素，所述第二子像素为绿色子像素，并且所述第三子像素为蓝色子像素。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述晶体管是用于驱动所述发光元件的驱动晶体管。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一个包括设置在所述晶体管下方的所述金属层，以及
其中，所述第三子像素中的设置在所述晶体管下方的所述金属层与所述第一子像素和所述第二子像素中的设置在所述晶体管下方的所述金属层设置在不同的层上。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一个中的所述存储电容器包括：
设置在所述基板上的下电极；以及
与所述下电极交叠的上电极，
其中，所述第一子像素和所述第二子像素中的所述金属层从相应的上电极延伸，
其中，所述第三子像素中的所述金属层从所述第三子像素中的下电极延伸。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一子像素为红色子像素，所述第二子像素为绿色子像素，并且所述第三子像素为蓝色子像素。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的所述至少一个子像素中的所述存储电容器包括彼此交叠的下电极和上电极，
其中，在所述下电极与所述上电极之间设置有层间绝缘层，
其中，所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个包括在与相应的晶体管交叠的区域中设置在所述层间绝缘层与所述缓冲层之间的所述金属层，以及
其中，所述层间绝缘层和所述缓冲层在与所述第三子像素的所述晶体管交叠的区域中彼此接触。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的所述至少一个子像素中的所述晶体管还包括连接至所述发光元件的源电极，以及
其中，设置在所述晶体管下方的所述金属层电连接至所述源电极。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个子像素中每一个中的所述晶体管是以金属氧化物作为有源层的氧化物半导体薄膜晶体管。
14.一种显示装置，包括：
设置在基板上的多个子像素；
设置在所述多个子像素中的每一个中的第一电容器电极；
设置在所述多个子像素中的每一个中且在所述第一电容器电极上的层间绝缘层；
设置在所述多个子像素中的每一个中且在所述层间绝缘层上的第二电容器电极，所述第二电容器电极与所述第一电容器电极交叠；
设置在所述多个子像素中的每一个中且在所述第二电容器电极上的缓冲层；
设置在所述多个子像素中的每一个中且在所述缓冲层上的晶体管，所述晶体管包括有源层；以及
设置在所述多个子像素中的每一个中且在所述晶体管上的发光元件，
其中，所述多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一个被配置成发射不同颜色的光，以及
其中，所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中的所述第二电容器电极从与相应的第一电容器电极交叠的区域延伸至与相应的有源层交叠的区域。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中的所述第二电容器电极在与相应的有源层交叠的区域中设置在所述层间绝缘层与所述缓冲层之间，
其中，在所述第三子像素中，所述层间绝缘层和所述缓冲层在与所述有源层交叠的区域中彼此直接接触。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的每一个中的所述晶体管还包括连接至所述发光元件的源电极，以及
其中，所述第一子像素与所述第二子像素中的所述第二电容器电极电连接至相应的源电极。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第三子像素中的所述第一电容器电极和所述第二电容器电极不与所述第三子像素中的所述有源层交叠。
18.根据权利要求14所述的显示装置，其中，在所述第三子像素中，所述第一电容器电极从与所述第三子像素中的所述第二电容器电极交叠的区域延伸至与所述第三子像素中的所述有源层交叠的区域。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的每一个中的所述晶体管还包括连接至相应的发光元件的源电极，以及
其中，所述第三子像素中的所述第一电容器电极电连接至所述第三子像素中的所述源电极。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中的所述第二电容器电极与所述有源层之间的距离小于所述第三子像素中的所述第一电容器电极与所述第三子像素中的所述有源层之间的距离。
21.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第一子像素为红色子像素，所述第二子像素为绿色子像素，并且所述第三子像素为蓝色子像素。
22.一种显示装置，包括：
基板，所述基板包括具有多个子像素的显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；
设置在所述多个子像素中的每一个中的存储电容器；
设置在所述多个子像素中的每一个中且在所述存储电容器上的缓冲层；
所述多个子像素中的每一个中的设置在所述缓冲层上的晶体管；
设置在所述多个子像素中的每一个中且在相应的晶体管上的发光元件；以及
设置在所述多个子像素中的每一个中且在所述晶体管下方的金属层，
其中，所述多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一个被配置成发射不同颜色的光的，以及
其中，所述第三子像素中的所述金属层与所述第一子像素和所述第二子像素中的所述金属层设置在不同的层上。
23.一种显示装置，包括：
设置在基板上的第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一个被配置为发射不同颜色的光；
分别设置在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的第一存储电容器、第二存储电容器和第三存储电容器；
分别设置在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管；
分别设置在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中且在所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管下方的第一金属层、第二金属层和第三金属层，
其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管分别是用于驱动所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的驱动晶体管。
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