CN1637546A

CN1637546A - 透射反射型液晶显示器件的阵列基板及其制造方法

Info

Publication number: CN1637546A
Application number: CNA2004100887647A
Authority: CN
Inventors: 黄汉郁
Original assignee: LG Philips LCD Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2003-12-26
Filing date: 2004-11-01
Publication date: 2005-07-13
Anticipated expiration: 2024-11-01
Also published as: US20050140868A1; CN100370332C; US7206047B2; KR20050066591A; KR100993608B1

Abstract

一种透射反射型液晶显示器的阵列基板，包括：在基板上相互交叉从而限定像素区域的数据线和选通线，该像素区域包括反射区域、透明区域以及反射区域和透明区域之间的边界区域；位于选通线和数据线的交叉点附近的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极；位于反射区域中的钝化层，该钝化层在透明区域和边界区域中具有开口；位于反射区域和边界区域内的反射电极，该反射电极通过边界区域中的开口与漏极接触；以及与反射电极接触的透明电极。

Description

透射反射型液晶显示器件的阵列基板及其制造方法

本申请要求2003年12月26日提交的韩国专利申请No.2003-97899的优先权，在此以引用的方式并入其全部内容。

技术领域

本发明涉及液晶显示器件(LCD)，更具体地，涉及透射反射型LCD的阵列基板及其制造方法。

背景技术

直到最近，显示器件通常采用阴极射线管(CRT)。现在已进行了很多努力来研究和开发各种平板显示器(如液晶显示(LCD)器件、等离子体显示板(PDP)，场发射显示器以及电致发光显示器(ELD))作为CRT的替代品。在这些平板显示器中，LCD器件具有以下几大优点，如高分辨率图像、重量轻、外形薄、尺寸小以及电源电压要求低等。

通常，LCD器件包括相互分离且彼此面对的两个基板以及介于这两个基板之间的液晶材料层。这两个基板包括彼此面对的多个电极，其中提供给各电极的电压对液晶材料层感生出电场。相应地，液晶材料层的液晶分子的取向根据感生电场的强度和方向而变化，从而改变了LCD器件的透光率。因此，LCD器件通过改变感生电场来显示图像。

由于具有LCD板的LCD器件是非发光显示器件，因此LCD器件要使用光源，比如设置在LCD板下方的背光单元。从背光单元发出的光进入LCD板。使用背光单元作为光源的LCD是透射型LCD。虽然透射型LCD具有在外部环境较暗时也能显示明亮图像的优点，但是透射型LCD消耗大量电力。

为了改善透射型LCD的高耗电的问题，采用了反射型LCD。反射型LCD使用诸如自然光的外部光。由于反射型LCD使用外部光，所以反射型LCD比透射型LCD消耗更少的电力。在反射型LCD的阵列基板上形成的像素电极由反光的导电材料制成，以反射外部光，并且形成在反射型LCD的滤色器基板上的公共电极由透明的导电材料制成，以透射外部光。然而，反射型LCD具有以下缺点，即：需要外部光来显示图像并且所显示的图像的亮度较低。因此，采用了可根据光源而作为透射型LCD或反射型LCD的透射反射型LCD。

图1是根据现有技术的透射反射型LCD的平面图。

在图1中，选通线18和数据线35布置在基板上，彼此交叉而限定像素区域P。像素区域P包括透明区域TA和反射区域RA。薄膜晶体管Tr布置在选通线18和数据线35的交叉点附近。薄膜晶体管Tr包括栅极21、源极38、漏极41以及半导体层9。源极38被限定为与半导体层9交叠的一部分数据线35。源极38和漏极41分别通过半导体接触孔30a和30b与半导体层9接触。像素电极65通过漏极接触孔47与薄膜晶体管Tr接触。反射电极62位于像素电极65下方并且限定了反射区域RA。反射电极62之外的像素区域P是透明区域TA。存储线24平行于选通线18并且与之分开。半导体层9和存储线24彼此交叠的部分用作第一存储电极和第二存储电极，并且与栅绝缘层一起形成存储电容。与存储线24交叠的部分半导体层9为欧姆接触层。在反射区域RA中随机地形成有不平坦图案59。

图2是沿图1的线A-A所截取的剖面图。

在图2中，在基板3上形成有包括有源层9a、欧姆接触层9b以及存储层9c的半导体层9，在半导体层9上形成有栅绝缘层15，并且在该栅绝缘层15上形成有栅极21和与该栅极21相分离的存储线24。可以在形成半导体层9之前形成缓冲层6。存储层9b用作第一存储电极，与存储层9b交叠的存储线24用作第二存储电极，并且栅绝缘层用作存储电容StgC的介电材料。相应地，存储层9b、存储线24和栅绝缘层15限定了存储电容StgC。在栅极21和存储线24之上是隔层(interlayer)27。在隔层27上形成有源极38和漏极41，源极38和漏极41分别通过半导体接触孔30a和30b与半导体层9接触。

在反射区域RA中的源极38、漏极41和隔层27上形成有钝化层44。在透明区域TA中，去除钝化层44。钝化层44在透明区域TA和反射区域RA之间具有一台阶。钝化层44的表面具有不平坦图案59。在反射区域RA中的钝化层44上形成有反射电极62，并且反射电极62具有与钝化层44相同的不平坦图案59。对漏极41上的钝化层44和反射电极62进行构图，以形成露出漏极41的漏极接触孔47。在像素区域P中的反射电极62上形成像素电极65。像素电极65由透明的导电材料制成，并且通过漏极接触孔47与漏极41接触。

由于根据现有技术的透射反射型LCD具有在反射区域中随机形成的不平坦图案59，因此外部光会沿各个方向被均匀反射。因此，根据现有技术的透射反射型LCD有效地反射外部光。然而，由于将漏极接触孔形成在反射区域中，所以减小了反射区域中的不平坦图案59的面积。此外，难于在反射区域中随机地形成不平坦图案。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种透射反射型液晶显示器件的阵列基板及其制造方法，其基本上消除了由于现有技术的限制和不足而产生的一个或者多个问题。

本发明的一个优点在于提供了一种透射反射型液晶显示器件的阵列基板及其制造方法，其能够增加反射区域的形成不平坦图案的面积。

本发明的其他特征和优点将在随后的说明中进行阐述，一部分可以通过说明书而明了，或者可以通过本发明的实践而体验到。通过说明书、权利要求书和附图中具体指出的结构，可以实现或获得本发明的这些和其它优点。

为了达到这些和其他的优点并且根据本发明的目的，如具体实施和广义说明的，一种透射反射型LCD的阵列基板包括：在基板上彼此交叉而限定了像素区域的数据线和选通线，该像素区域包括反射区域、透明区域以及反射区域和透明区域之间的边界区域；位于选通线和数据线的交叉点附近的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极以及漏极；位于反射区域中的钝化层，该钝化层在透明区域和边界区域中具有开口；位于反射区域和边界区域中的反射电极，该反射电极通过边界区域中的开口与漏极接触；以及与反射电极接触的透明电极。

另一方面，一种透射反射型LCD的阵列基板的制造方法包括：在基板上形成半导体层；形成选通线和栅极；形成与选通线交叉而限定像素区域的数据线、以及源极和漏极，该像素区域包括反射区域、透明区域以及反射区域和透明区域之间的边界区域；在反射区域中形成钝化层，该钝化层在透明区域和边界区域中具有开口；在反射区域中形成反射电极，该反射电极通过边界区域中的开口与漏极接触；以及，形成与反射电极接触的透明电极。

可以理解，前面的概述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，旨在为权利要求所限定的本发明提供进一步的解释。

附图说明

所包括的附图用以提供对于本发明的进一步理解，附图包含在说明书中并且构成说明书的一部分，附图示出了本发明的实施例并且与说明书一起用于解释本发明的原理。

在附图中：

图1是根据现有技术的透射反射型LCD的平面图；

图2是沿图1中的线A-A所截取的剖面图；

图3是根据本发明的第一实施例的透射反射型LCD的平面图；

图4是沿图3的线B-B所截取的剖面图；

图5至图8分别是根据本发明的第二至第五实施例的透射反射型LCD的平面图；

图9A至9E是根据本发明的第一实施例的透射反射型LCD的制造方法的平面图；

图10A至10J是沿图3的线B-B所截取的根据本发明的第一实施例的透射反射型LCD的制造方法的剖面图。

图11是根据本发明的仅在透明区域中形成有像素电极的透射反射型LCD的平面图；并且

图12是根据本发明的在钝化层与源极及漏极之间具有无机层的透射反射型LCD的剖面图。

具体实施方式

现在对附图中示出的优选实施例进行具体说明。

图3是根据本发明的第一实施例的透射反射型LCD的平面图，而图4是沿图3的线B-B所截取的剖面图。

在图3中，选通线118和数据线135布置在基板上，彼此交叉而限定了像素区域P。薄膜晶体管Tr布置在选通线118和数据线135的交叉点附近。存储线124平行于选通线118且与之分开。

像素区域P包括透明区域TA和反射区域RA。在反射区域RA中形成有反射电极162，而在透明区域TA中不形成反射电极162。反射电极162具有不平坦图案159。像素电极165形成在像素区域P中。像素电极165与选通线118和数据线135交叠，并且形成在相邻像素区域P中的相邻像素电极165彼此分离。在透明区域TA和反射区域RA之间的边界中形成有边界区域。透明区域TA的形状为矩形，而边界区域可以包括位于透明区域TA的四边的第一边界部分CA1、第二边界部分CA2、第三边界部分CA3以及第四边界部分CA4。

薄膜晶体管Tr包括栅极121、源极138、漏极141以及半导体层109。源极138被限定为与半导体层109交叠的一部分数据线135。源极138和漏极141与半导体层109接触。半导体层109与栅极121和存储线124交叠。漏极141形成在反射区域RA中，与存储线124交叠并且延伸到第一边界部分CA1、第二边界部分CA2、第三边界部分CA3以及第四边界部分CA4。

在图4中，在基板103上形成有缓冲层106，并且在缓冲层106上形成有半导体层109。半导体层109可以由多晶硅制成。半导体层109包括位于半导体层109的中部的有源层109a、位于半导体层109的两侧外部的欧姆接触层109b，以及与存储线124对应的存储层109c。有源层109a和存储层109c未掺杂，而对欧姆接触层109b掺加了诸如n⁺和p⁺离子的杂质。

在具有半导体层109的整个基板103上形成有栅绝缘层115。在栅绝缘层115上形成有彼此分离的栅极121和存储线124。栅极121形成在有源层119a的正上方。存储层109c用作第一存储电极，而与存储层109c交叠的存储线124用作第二存储电极，并且栅绝缘层用作存储电容StgC的介电材料。因此，存储层109c、存储线124以及栅绝缘层115限定了存储电容StgC。在栅极121和存储线124之上是隔层127。隔层127具有露出欧姆接触层109b的半导体接触孔130a和130b。

源极138和漏极141彼此分离地形成在隔层127上，并且分别通过半导体接触孔130a和130b与欧姆接触层109b接触。漏极141与存储线124交叠，并且延伸到反射区域RA和第一边界部分CA1。如图3所示，漏极141还延伸至第二边界部分CA2、第三边界部分CA3以及第四边界部分CA4。

钝化层144形成在反射区域RA中的源极138、漏极141以及隔层127上。在透明区域TA中，去除钝化层144以形成开口101。开口101对应于透明区域TA。在第一边界部分CA1中漏极141的一个端部通过开口101露出。钝化层144在第一边界部分CA1中具有一倾斜的台阶。钝化层144的表面具有不平坦图案159。

在钝化层144上形成有反射电极162。反射电极162与漏极141的位于第一边界部分CA1中的端部直接接触。与钝化层144相同，反射电极162具有不平坦图案159。反射电极162由高反光性且导电的材料制成。像素电极165形成在像素区域P内的反射电极162上。像素电极165由透明的导电材料制成。

如图3和图4所示，根据本发明的第一实施例的透射反射型LCD在反射区域内不具有连接漏极与像素电极的漏极接触孔。但是，漏极延伸到在透明区域的边缘处限定的边界区域，反射电极在该边界区域处与漏极接触，并且像素电极通过形成在像素电极下方的反射电极与漏极电连接。因此，本发明的第一实施例中的反射区域的面积大于现有技术中的透射反射型LCD的反射区域的面积。此外，由于在反射区域中没有形成漏极接触孔，因此可以在反射区域中更加随机地形成不平坦图案。

图5至图8分别是根据本发明的第二至第五实施例的透射反射型LCD的平面图。由于图5至图8中的透射反射型LCD与图3中所示的透射反射型LCD相似，因此在下文中省略了相似部分的说明。

在图5中，根据本发明的第二实施例的透射反射型LCD具有形成在图3中的边界区域的第一边界部分CA1中的漏极210。

在图6中，根据本发明的第三实施例的透射反射型LCD具有形成在图3中的边界区域的第一边界部分CA1和第三边界部分CA3中的漏极212。

在图7中，根据本发明的第四实施例的透射反射型LCD具有形成在图3中的边界区域的第一边界部分CA1和第二边界部分CA2中的漏极214。

在图8中，根据本发明的第五实施例的透射反射型LCD具有形成在图3中的边界区域的第一边界部分CA1、第二边界部分CA2和第三边界部分CA3中的漏极216。

图9A至9E是根据本发明的第一实施例的透射反射型LCD的制造方法的平面图。图10A至10J是沿图3的线B-B截取的根据本发明的第一实施例的透射反射型LCD的制造方法的剖面图。

在图9A和10A中，在基板103上形成由无机绝缘材料制成的缓冲层106。在缓冲层106上淀积非晶硅材料并且使该非晶硅材料结晶以形成多晶硅层。在该多晶硅层上淀积光刻胶，然后通过光刻胶对多晶硅层进行构图以形成半导体层109。在具有半导体层109的基板103上形成由无机绝缘材料制成的栅绝缘层115。

在图9B和10B中，在栅绝缘层115上淀积金属材料，并且对其进行构图以形成选通线118、从选通线118伸出的栅极121以及与选通线118平行且分离开的存储线124。彼此交叠的半导体层109、存储线124以及栅绝缘层115限定了存储电容StgC。

在图10C中，栅极121和存储线124用作遮挡掩模，以对半导体层109掺加诸如n+和p+离子的杂质。栅极121和存储线124防止位于栅极121和存储线124正下方的半导体层被掺杂。通过栅极121和存储线124对半导体层109掺加了大量杂质，从而形成未掺杂的有源层109a和存储层109c以及经掺杂的欧姆接触层109b。有源层109a和存储层109c分别与栅极121和存储线124对应。存储层109c用作第一存储电极，与欧姆接触层109b交叠的存储线124用作第二存储电极，而栅绝缘层115用作存储电容StgC的介电材料。相应地，存储层109c、存储线124和栅绝缘层115限定了存储电容StgC。在图10B和10C的图示中，栅极121和存储线124被用作遮挡掩模。然而，应该理解，例如可以将光刻胶用作遮挡掩模。当使用光刻胶作为遮挡掩模时，可以在随后将形成栅极121的位置处形成光刻胶，可以通过该光刻胶对半导体层109掺加杂质，然后可以形成栅极121。此外，当使用光刻胶作为遮挡掩模时，由于该光刻胶与栅极121对应，因此可以对存储层109c掺加杂质。

在图9C和10D中，在具有栅极121和存储线124的基板上形成有由无机材料制成的隔层127，并且对其进行构图以形成露出欧姆接触层109b的半导体接触孔130a和130b。

在图9D和10E中，在隔层127上淀积金属材料并且对其进行构图以形成与选通线118交叉的数据线135、源极138和漏极141。将源极138限定为与半导体层109交叠的一部分数据线135。漏极141与存储线124、欧姆接触层109b和存储层109c交叠，并且延伸到反射区RA和第一边界部分CA1。如图9D所示，漏极141还延伸到第二边界部分CA2、第三边界部分CA3和第四边界部分CA4。

在图9E和10F中，在源极138和漏极141上形成有由诸如苯并环丁烯的无机材料制成的钝化层144。在钝化层144上淀积光刻胶154。在光刻胶154上设置具有透明部分TmA、遮挡部分BkA和半透明部分HTmA的光掩模157。光刻胶154可以是正性光刻胶。对于正性光刻胶，在显影过程中去除被曝光的光刻胶部分。透明部分TmA位于与透明区域TA对应的部分处，遮挡部分BkA位于与反射区域RA的不平坦图案159的凸出形状对应的部分处，并且半透明部分HTmA位于与反射区域RA中的不平坦图案159的凹进部分对应的部分处。通过光掩模157对光刻胶154进行曝光并且进行显影处理，从而去除与透明区域TA对应的光刻胶154，并且使与反射区域RA对应的光刻胶154变为具有图10G中的光刻胶图案155。

光刻胶图案155包括第一图案155a和第二图案155b，二者具有彼此不同的厚度。第一图案155a形成在与遮挡部分BkA对应的部分处，具有比第二图案155b更厚的凸起形状，而具有凹进形状的第二图案155b形成在与半透明部分HTmA对应的部分处。然后，利用光刻胶图案155对钝化层144进行干刻蚀。在这个示例中，使用光刻胶对钝化层144构图。然而应该理解，例如当对于钝化层144使用如光敏丙烯酸树脂(photo-acrylic)的光敏有机绝缘层时，由于光敏有机绝缘层自身用作为光刻胶，因此可以无需使用光刻胶而形成钝化层。因此，当在本发明的实施例中对钝化层使用光敏有机绝缘层时，可以在制造工艺中省略干刻蚀和光刻胶剥离的工序。

在图10H中，去除与透明区域TA对应的钝化层144以形成开口101。开口101暴露出与透明区域TA对应的隔层127。与第一边界部分CA1对应的钝化层144具有一倾斜的台阶，并且漏极的位于第一边界部分CA1中的端部通过开口101暴露出来。此外，由于光刻胶图案155(图10G)具有凸凹形状，因此钝化层144的与反射区域RA对应的表面具有不平坦图案159。由于通过热处理对钝化层144进行了处理，因此钝化层144的不平坦图案159是具有凸凹状的平滑表面。

在图10I中，在钝化层144上形成有由高反光性且导电的材料制成的反射电极162。反射电极162与漏极141的位于第一边界部分CA1中的端部直接接触。与钝化层144相同，反射电极162具有不平坦图案159。

在图10J中，在反射电极162上形成有由透明导电材料制成的像素电极165，像素电极165与反射电极162接触。在像素区域P中形成有图10J中的像素电极165。然而，应该理解，如图11所示，像素电极166可以仅形成在透明区域TA中并且与边界区域中的反射电极162接触。还应该理解，如图12所示，可以在钝化层354与源极338及漏极341之间形成由诸如氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料制成的无机层343。无机层343提高了钝化层354和源极338及漏极341之间的粘着性。与钝化层354相同，无机层343具有开口301。

除了漏极的形状(图5至图8中示出)不同之外，根据图5至图8中的本发明的第二至第五实施例的透射反射型LCD的制造方法与根据本发明的第一实施例的透射反射型LCD的上述制造方法相同。

对于本领域的技术人员，很显然在不违背本发明的精神和范围的情况下可以对上述显示器件及其制造方法进行各种改进和变化。因此，本发明涵盖落入所附权利要求及其等同物的范围内的所有改进和变化。

Claims

1.一种透射反射型液晶显示器的阵列基板，包括：

在基板上彼此交叉而限定像素区域的数据线和选通线，所述像素区域包括反射区域、透明区域以及所述反射区域和透明区域之间的边界区域；

位于所述选通线和数据线的交叉点附近的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极；

位于所述反射区域中的钝化层，所述钝化层在所述透明区域和所述边界区域中具有开口；

位于所述反射区域和边界区域内的反射电极，所述反射电极通过所述边界区域中的开口与所述漏极接触；以及

与所述反射电极接触的透明电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述钝化层包括位于所述边界区域中的倾斜台阶。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述透明区域的形状为矩形，并且所述边界区域包括第一边界部分、第二边界部分、第三边界部分和第四边界部分。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中所述反射电极在所述第一边界部分、第二边界部分、第三边界部分和第四边界部分中的至少一个中与所述漏极接触。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述透明电极位于所述反射电极上。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述反射电极具有第一不平坦图案。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其中所述钝化层的表面具有第二不平坦图案。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括所述钝化层和所述薄膜晶体管之间的无机绝缘层。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括所述薄膜晶体管和所述基板之间的缓冲层。

10.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括所述栅极和所述半导体层之间的栅绝缘层，以及所述栅极与所述源极及漏极之间的隔层，所述隔层具有分别将半导体层连接到源极和漏极的第一接触孔和第二接触孔。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其中所述半导体层包括与所述栅极对应的有源层和与所述源极和漏极连接的欧姆接触层，并且所述半导体层由多晶硅制成，所述欧姆接触层掺有杂质。

12.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括与所述选通线分离并且与所述半导体层交叠的存储线。

13.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述像素电极与所述像素区域和透明区域中的一个相对应。

14.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述反射电极由反光的导电材料制成，而所述透明电极由透明的导电材料制成。

15.一种透射反射型液晶显示器的阵列基板的制造方法，包括：

在基板上形成半导体层；

形成选通线和栅极；

形成与所述选通线交叉以限定像素区域的数据线以及源极和漏极，所述像素区域包括反射区域、透明区域以及位于所述反射区域和所述透明区域之间的边界区域；

在所述反射区域中形成钝化层，所述钝化层在所述透明区域和边界区域中具有开口；

在所述反射区域和边界区域中形成反射电极，所述反射电极通过所述边界区域中的开口与所述漏极接触；以及

形成与所述反射电极接触的透明电极。

16.根据权利要求15所述的制造方法，其中所述钝化层包括位于所述边界区域中的倾斜台阶。

17.根据权利要求15所述的制造方法，其中所述透明区域的形状为矩形，并且所述边界区域包括第一边界部分、第二边界部分、第三边界部分和第四边界部分。

18.根据权利要求17所述的制造方法，其中所述反射电极在所述第一边界部分、第二边界部分、第三边界部分和第四边界部分中的至少一个中与所述漏极接触。

19.根据权利要求15所述的制造方法，其中在所述反射电极上形成所述透明电极。

20.根据权利要求15所述的制造方法，其中形成所述钝化层的步骤包括：

在所述钝化层上淀积光刻胶；

在所述钝化层上设置光掩模，所述光掩模具有透明部分、遮挡部分和半透明部分；

通过所述光掩模对所述光刻胶进行曝光；

对所述光刻胶进行显影以形成光刻胶图案，其中去除了与所述透明部分对应的光刻胶图案，与所述遮挡部分和半透明部分对应的光刻胶图案是不平坦的；并且

通过所述光刻胶图案对所述钝化层进行刻蚀，以形成所述反射区域内的第一不平坦图案和所述透明区域和边界区域中的开口。

21.根据权利要求20所述的制造方法，其中所述反射电极具有第二不平坦图案。

22.根据权利要求15所述的制造方法，还包括在所述钝化层和所述薄膜晶体管之间形成无机绝缘层。

23.根据权利要求15所述的制造方法，还包括在所述薄膜晶体管和所述基板之间形成缓冲层。

24.根据权利要求15所述的制造方法，还包括在所述栅极和所述半导体层之间形成栅绝缘层，以及在所述栅极和所述源极及漏极之间形成隔层，所述隔层具有分别将所述半导体层连接到所述源极和漏极的第一接触孔和第二接触孔。

25.根据权利要求24所述的制造方法，其中所述半导体层包括与所述栅极对应的有源层和与所述源极和漏极连接的欧姆接触层，并且所述半导体层由多晶硅制成。

26.根据权利要求25所述的制造方法，其中形成有源层和欧姆接触层的步骤包括：

在所述栅绝缘层上淀积光刻胶并且进行构图，以形成与所述有源层对应的遮挡掩模；并且

通过所述遮挡掩模对所述半导体层进行掺杂。

27.根据权利要求15所述的制造方法，还包括形成与所述选通线分离并且与所述半导体层交叠的存储线。

28.根据权利要求15所述的制造方法，其中所述像素电极与所述像素区域和所述透明区域中的一个对应。

29.根据权利要求15所述的制造方法，其中所述反射电极由反光的导电材料制成，并且所述透明电极由透明的导电材料制成。

30.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述钝化层包括光敏有机材料。

31.根据权利要求30所述的阵列基板，其中所述光敏有机材料是光敏丙烯酸树脂。

32.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述漏极延伸到所述边界区域。

33.根据权利要求15所述的制造方法，其中所述漏极延伸到所述边界区域。

34.根据权利要求15所述的制造方法，其中所述钝化层包括光敏有机材料。

35.根据权利要求34所述的制造方法，其中所述光敏有机材料是光敏丙烯酸树脂。

36.根据权利要求8所述的阵列基板，其中所述无机绝缘层具有位于所述透明区域和所述边界区域中的开口。

37.根据权利要求15所述的制造方法，其中形成钝化层的步骤包括：

在钝化层上设置光掩模，所述光掩模具有透明部分、遮挡部分和半透明部分，其中所述钝化层是光敏有机绝缘层；

通过所述光学掩模对所述钝化层进行曝光；并且

对所述钝化层进行显影以形成反射区域中的第一不平坦图案，以及所述透明区域和边界区域中的开口，其中所述第一不平坦图案与所述半透明部分对应。