TWI416232B - 半穿透半反射式畫素結構 - Google Patents

Description

半穿透半反射式畫素結構

本發明是有關於一種畫素結構及具有記憶功能的畫素結構，且特別是有關於一種半穿透半反射式畫素結構及具有記憶功能的半穿透半反射式畫素結構。

現今社會多媒體技術相當發達，多半受惠於半導體元件或顯示裝置的進步。就顯示器而言，具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性之液晶顯示器已逐漸成為市場之主流。一般液晶顯示器可分為穿透式、反射式，以及半穿透半反射式三大類。其中半穿透半反射式液晶顯示器可同時在光線充足與光線不足的情形下使用，因此可應用的範圍較廣。

就半穿透半反射式液晶顯示器而言，其可同時利用背光源以及外界光源進行顯示。一般而言，半穿透半反射式液晶顯示器包括畫素陣列基板、對向基板以及介於上述二基板之液晶層。畫素陣列基板上之畫素結構具有穿透區與反射區，且穿透區內是設置透明畫素電極，而反射區內則是設置反射畫素電極。通常，透明畫素電極會與反射畫素電極電性連接，且反射畫素電極藉由位於反射區之絕緣層中的接觸窗開口與汲極電性連接。然而，在現有技術中，為了降低液晶顯示器於畫面靜止運作的功率消耗，通常會在每一畫素結構的反射區內嵌入諸如靜態隨機存取記憶體 (Static Random Access Memory；SRAM)等記憶元件。此舉造成畫素結構之反射區的可利用空間縮小。因而部分半穿透半反射式畫素結構之元件將必須移往穿透區。但如何能確保此種畫素結構能保有足夠的穿透率以及良好的電特性是必須予以重視的。

本發明提供一種半穿透半反射式畫素結構以及具有記憶功能的半穿透半反射式畫素結構，其具有足夠的穿透率以及良好的電特性。

本發明提出一種半穿透半反射式畫素結構，其具有一穿透區以及一反射區。畫素結構包括一主動元件、一覆蓋層、一反射電極層、一反射電極圖案以及一穿透電極層。 覆蓋層位於穿透區以及反射區，且覆蓋主動元件，其中覆蓋層具有一接觸窗開口，接觸窗開口至少位於穿透區。反射電極層位於反射區內。反射電極圖案位於接觸窗開口內並延伸至接觸窗開口周圍的覆蓋層的一上表面上。穿透電極層位於穿透區之覆蓋層的表面上，其中穿透電極層與反射電極層電性連接且穿透電極層經由接觸窗開口與主動元件電性連接。

本發明另提出一種具有記憶功能的半穿透半反射式畫素結構，其具有一穿透區以及一反射區。畫素結構包括主動元件、記憶元件、覆蓋層、反射電極層、反射電極圖案以及穿透電極層。主動元件設置在反射區中。記憶元件設 置在反射區中，並且與主動元件電性連接。覆蓋層位於穿透區以及反射區，且覆蓋主動元件以及記憶元件，其中覆蓋層具有一接觸窗開口，接觸窗開口至少位於穿透區。反射電極層位於反射區內。反射電極圖案位於接觸窗開口內並延伸至接觸窗開口周圍的覆蓋層的一上表面上。穿透電極層位於穿透區之覆蓋層的表面上，其中穿透電極層與反射電極層電性連接且穿透電極層經由接觸窗開口與主動元件電性連接。

基於上述，本發明將接觸窗開口設置於穿透區中，且藉由在接觸窗開口內配置延伸至接觸窗開口周圍的覆蓋層上的反射電極圖案，使穿透電極層能經由接觸窗開口內的反射電極圖案而與主動元件具有良好的電性連接。換言之，當畫素結構之反射區已經無可利用空間之情況下，本發明之畫素結構是將接觸窗開口設置於穿透區中，且其仍具有足夠的穿透率以及良好的電特性。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

在半穿透半反射式畫素結構的製程中，會先在反射區與穿透區中形成絕緣層，此絕緣層具有位於穿透區的接觸窗開口。接著，於位於反射區與穿透區的絕緣層上沉積一層反射畫素電極材料層，此時反射畫素電極材料會填入接觸窗開口。然後，移除位於穿透區的反射畫素電極材料， 包括移除位於接觸窗開口中的反射畫素電極材料，再於穿透區的絕緣層上形成透明畫素電極材料層，使透明畫素電極藉由接觸窗開口與汲極電性連接。然而，在上述製程中，由於絕緣層通常具有較大的厚度，即接觸窗開口具有較大的深度，使得移除接觸窗開口中的反射畫素電極材料的步驟不易進行，造成反射畫素電極材料殘留於接觸窗開口中。這些殘留於接觸窗開口中的反射畫素電極材料會導致而後填入接觸窗開口中的透明畫素電極材料有爬坡斷線的問題，使得透明畫素電極與汲極之間的接觸阻抗偏高。因此，以下實施例所提出的畫素結構，可以解決因反射畫素電極材料殘留於接觸窗開口中導致透明畫素電極材料有爬坡斷線的問題，使得透明畫素電極與汲極之間的接觸阻抗偏高的問題。

圖1A是根據本發明一實施例之半穿透半反射式畫素結構的上視示意圖，以及圖1B是沿圖1A之I-I’的剖面示意圖。請同時參照圖1A及圖1B，本實施例之半穿透半反射式畫素結構100包括基板101、主動元件120、覆蓋層104、反射電極層106、反射電極圖案108以及穿透電極層110。其中，反射電極層106與穿透電極層110構成畫素結構100的畫素電極。

半穿透半反射式畫素結構100具有反射區R以及穿透區T。基板101可為玻璃基板、塑膠基板、矽基板或是其他適用的基板。基板上101包括設置有掃描線SL、資料線DL以及主動元件120。在本實施例中，主動元件120與掃 描線SL以及資料線DL電性連接。主動元件120例如是薄膜電晶體，其包括閘極122、通道層123、源極124以及汲極126。一般來說，由於主動元件120為遮光元件，因此主動元件120較佳的是設置於反射區R中。然而，在本實施例中，由於半穿透半反射式畫素結構100更包括設置於反射區R中的記憶元件130，使得反射區R的可用空間有限。因此，本實施例之主動元件120的汲極126例如是自反射區R延伸至穿透區T。特別說明的是，記憶元件130例如是與主動元件120電性連接，其可以是基於靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory；SRAM)之複雜架構而設計的結構，此可參照於2009年10月20日申請之中華民國專利申請號第98135396號名稱為「具畫素資料自我保持機能之液晶顯示裝置與其靜止模式運作方法」之申請案。再者，如圖1B所示，基板101上更配置有一覆蓋閘極122的閘絕緣層102。

覆蓋層104位於反射區R以及穿透區T的基板101上，並且覆蓋主動元件120、掃描線SL、資料線DL以及閘絕緣層102。其中，覆蓋層104具有一接觸窗開口H，接觸窗開口H至少位於穿透區T，且暴露出汲極126。換言之，在本實施例中，接觸窗開口H例如是位於穿透區T，但在另一實施例，接觸窗開口H也可以同時位於反射區R與穿透區T(將於另一實施例中詳述)。其中，覆蓋層104的材質例如是具有感光性質的有機材料。此外，覆蓋層104例如是在反射區R具有多個凸起結構105，以增加畫素結 構之反射區R的反射率。而凸起結構105可以利用微影的方式來形成。特別一提的是，本發明未限制覆蓋層104之材質、凸起結構105的形成方式、形狀、密度以及位置，本實施例之圖式所繪示的凸起結構105只是為了清楚說明。

反射電極層106配置於反射區R的覆蓋層104上，因此反射電極層106會覆蓋凸起結構105。反射電極層106之材質例如是金屬，且較佳是選用具有高反射率以及高導電性的金屬材料。

反射電極圖案108位於接觸窗開口H內並延伸至接觸窗開口H周圍的覆蓋層104的上表面104a上。在本實施例中，反射電極圖案108自接觸窗開口H的邊緣延伸至覆蓋層104的上表面104a的距離例如是d，且1.5微米≦d≦2.0微米。更進一步說明，為了避免反射電極圖案108影響半穿透半反射式畫素結構100的開口率，較佳是將反射電極圖案108的尺寸S1設計成不超過汲極126在穿透區T的尺寸S2。再者，在本實施例中，反射電極圖案108透過接觸窗開口H而與主動元件120的汲極126電性連接，且反射電極層106與反射電極圖案108例如是不接觸。 其中，反射電極圖案108之材質例如是與反射電極層106之材質相同，且較佳是選用具有高反射率以及高導電性的金屬材料。

穿透電極層110是位於穿透區T之覆蓋層104的上表面104a上，其中穿透電極層110與反射電極層106電性連 接且穿透電極層110經由接觸窗開口H與主動元件120電性連接。在本實施例中，穿透電極層110與反射電極層106例如是連接在一起。詳言之，穿透電極層110與主動元件120電性連接，且穿透電極層110又與反射電極層106電性連接，因此反射電極層106亦會與主動元件120電性連接。如此一來，當操作此畫素結構時，穿透電極層110與反射電極層106是處於共電位的狀態。另外，穿透電極層110之材質例如是透明導電材料，例如是金屬氧化物，如銦錫氧化物、銦鋅氧化物或是其他金屬氧化物。再者，在另一實施例中，如圖1C所示，穿透電極層110也可同時覆蓋位於反射區R的反射電極層106，以避免反射電極層106材料有剝離的現象發生。此外，雖然在本實施例中是以反射電極層106延伸至掃描線SL上方以及穿透電極層110延伸至資料線DL上方為例，但本發明未對反射電極層106及穿透電極層110之配置方式加以限制，換言之，在其他實施例中，反射電極層106及穿透電極層110可以有其他配置方式。

請同時參照圖1A、圖1B以及圖1C，一般來說，在覆蓋層104上形成一整層的反射電極材料層後，通常會移除位於穿透區T之覆蓋層104上的反射電極材料，而僅留下位於反射區R之覆蓋層104上的反射電極層106。然而，在本實施例之半穿透半反射式畫素結構100的製程中，更留下位於接觸窗開口H內並延伸至覆蓋層104的上表面104a的反射電極材料，以形成反射電極圖案108。換言之， 接觸窗開口H內具有結構連續且完整的反射電極圖案108。如此一來，在位於穿透區T之覆蓋層104上形成穿透電極材料層時，穿透電極材料層能完整地覆蓋在反射電極圖案108上，以形成穿透電極層110，而不會有前文所述的爬坡斷線問題。因此，穿透電極層110不會有異常斷線的問題，且由於其與反射電極圖案108之間具有良好的電性接觸，故穿透電極層110亦與主動元件120具有良好的電性連接。特別注意的是，雖然在本實施例中是以半穿透半反射式畫素結構100包括設置於反射區R中的記憶元件130為例，但上述的畫素結構設計也可以應用於不包括記憶元件的半穿透半反射式畫素結構中。換言之，可以根據實際情況與需求而應用本發明之半穿透半反射式畫素結構。

再者，在上述的實施例中，是以接觸窗開口H位於穿透區T為例，但在另一實施例，如圖2A所示，接觸窗開口H也可以同時位於反射區R與穿透區T。請同時參照圖2A與圖2B，半穿透半反射式畫素結構100a的構件及配置方式與圖1A及圖1B所示之半穿透半反射式畫素結構100的構件及配置方式大致相同，其主要不同處在於接觸窗開口H的位置。詳言之，在本實施例中，接觸窗開口H位於反射區R以及穿透區T的交界處，因此，反射電極圖案108例如是與反射電極層106連接而一體成形。穿透電極層110位於穿透區T之覆蓋層104的上表面104a上，且穿透電極層110與反射電極層106電性連接且穿透電極層110經 由接觸窗開口H與主動元件120電性連接。在本實施例中，反射電極圖案108自接觸窗開口H的邊緣延伸至覆蓋層104的上表面104a的距離例如是d，且1.5微米≦d≦2.0微米。更進一步說明，為了避免反射電極圖案108影響半穿透半反射式畫素結構100的開口率，較佳是將反射電極圖案108的尺寸S1設計成不超過汲極126在穿透區T的尺寸S2。此外，在本實施例中，是以穿透電極層110位於穿透區T為例，但在另一實施例中，如圖2C所示，穿透電極層110可以由穿透區T之覆蓋層104的上表面上延伸至反射區R的上表面上，以覆蓋位於反射區R的位於反射區R的反射電極層106，進而避免反射電極層106材料有剝離的現象發生。

再者，在上述之半穿透半反射式畫素結構中都是以反射電極層106與穿透電極層110分別佔據畫素區域的上半部與下半部為例，但在其他實施例中，反射電極層106與穿透電極層110也可以有多種配置方式。舉例來說，如圖3所示，在一實施例之半穿透半反射式畫素結構100b中，穿透電極層110例如是環繞反射電極層106，且穿透電極層110例如是覆蓋或未覆蓋反射電極層106。換言之，半穿透半反射式畫素結構中的反射電極層與穿透電極層可以具有多種配置方式，且反射電極層與穿透電極層在畫素區域中所佔的比例也可以根據實際情況與需求而調整。

特別說明的是，雖然在上述的實施例中，都是以半穿透半反射式畫素結構具有底閘極型態之非晶矽薄膜電晶體 (bottom gate type a-Si TFT)為例來進行說明，但本發明不限於此。換言之，本發明也可以應用於具有頂閘極型態之非晶矽薄膜電晶體(top gate type a-Si TFT)、頂閘極型態之低溫多晶矽薄膜電晶體(top gate type LTPS-TFT)、底閘極型態之低溫多晶矽薄膜電晶體(bottom gate type LTPS-TFT)等之半穿透半反射式畫素結構中。接下來將以頂閘極型態之多晶矽薄膜電晶體為例進行說明。

圖4A是根據本發明另一實施例之半穿透半反射式畫素結構的剖面示意圖。請參照圖4A，在本實施例中，半穿透半反射式畫素結構200包括基板201、主動元件、覆蓋層204、反射電極層206、反射電極圖案208以及穿透電極層210。半穿透半反射式畫素結構200具有反射區R以及穿透區T。基板201例如是玻璃基板。主動元件例如是低溫多晶矽薄膜電晶體結構，其包括依序配置於基板201上的介電層202、多晶矽層222、閘絕緣層203、閘極224、介電層226、源極層228、汲極層230以及導電圖案層223。其中，多晶矽層222配置在基板201上，且此多晶矽層222中包含有源極區222a、汲極區222b以及位於源極區222a與汲極區222b之間的通道區222c。其中，源極層228與源極區222a連接，汲極層230及導電圖案層223分別與汲極區222b連接，且導電圖案層223藉由汲極區222b與汲極層230電性連接。

覆蓋層204位於反射區R以及穿透區T的基板201上，並且覆蓋主動元件、掃描線(未繪示)、資料線(未繪示) 以及介電層226。覆蓋層204具有一接觸窗開口H，接觸窗開口H位於穿透區T，且暴露出導電圖案層223。覆蓋層204的材料、結構以及形成方式可以參照前文所述，於此不贅述。反射電極層206配置於反射區R的覆蓋層204上，反射電極圖案208位於接觸窗開口H內並延伸至接觸窗開口H周圍的覆蓋層204的上表面204a上。在本實施例中，反射電極圖案208自接觸窗開口H的邊緣延伸至覆蓋層204的上表面204a的距離例如是d，且1.5微米≦d≦2.0微米。更進一步說明，為了避免反射電極圖案208影響半穿透半反射式畫素結構200的開口率，較佳是將反射電極圖案208的尺寸S1設計成不超過導電圖案層223在穿透區T的尺寸S2。穿透電極層210是位於穿透區T之覆蓋層204的上表面204a上，其中穿透電極層210與反射電極層206電性連接且穿透電極層210經由接觸窗開口H與導電圖案層223電性連接，進而與主動元件的汲極層230電性連接。在本實施例中，源極層228、汲極層230以及導電圖案層223譬如是由同一導電材料層圖案化形成，其材質譬如為金屬或金屬氧化物等具導電性的材料。 反射電極層206與反射電極圖案208例如是不接觸，且反射電極層206與反射電極圖案208材質例如是相同，較佳是選用具有高反射率以及高導電性的金屬材料。穿透電極層210的材料例如是金屬氧化物，如銦錫氧化物、銦鋅氧化物或是其他金屬氧化物。順帶一提的是，雖然在本實施例中是以反射電極層206與反射電極圖案208不接觸為 例，但在另一實施例中，根據設計需求，反射電極層206也有可能與反射電極圖案208連接而一體成形。再者，在另一實施例中，如圖4B所示，穿透電極層210也可同時覆蓋位於反射區R的反射電極層206，以避免反射電極層206材料有剝離的現象發生。

請同時參照圖4A與圖4B，一般來說，在覆蓋層204上形成一整層的反射電極材料層後，通常會移除位於穿透區T之覆蓋層204上的反射電極材料，以形成位於反射區R之覆蓋層204上的反射電極層206。然而，在本實施例之半穿透半反射式畫素結構200的製程中，更留下位於接觸窗開口H內並延伸至覆蓋層204的上表面204a的反射電極材料，以形成反射電極圖案208。換言之，接觸窗開口H內具有結構連續且完整的反射電極圖案208。如此一來，在位於穿透區T之覆蓋層204上形成穿透電極材料層時，穿透電極材料層能完整地覆蓋在反射電極圖案208上，以形成穿透電極層210，而不會有前文所述的爬坡斷線問題。因此，穿透電極層210不會有異常斷線的問題，且由於其與反射電極圖案208之間具有良好的電性接觸，故穿透電極層210亦與主動元件具有良好的電性連接。

綜上所述，本發明藉由在接觸窗開口內配置延伸至接觸窗開口周圍的覆蓋層上的反射電極圖案，使穿透電極層能經由接觸窗開口內的反射電極圖案而與主動元件具有良好的電性連接。特別是，由於反射電極圖案是連續且完整的結構，而非移除不完全的殘留材料，因此而後形成於接 觸窗開口內的穿透電極層能完整地覆蓋在反射電極圖案上，而不會有爬坡斷線問題。故，本發明能避免穿透電極層與主動元件之間產生接觸阻抗偏高的問題。

此外，實務上，反射電極圖案與反射電極層是由同一反射電極材料層所形成，因此僅須依照設計移除一部分的反射電極材料層即可形成反射電極圖案與反射電極層。換言之，本發明之半穿透半反射式畫素結構與現有製程相容，且無需增加額外的步驟。再者，隨著畫素結構的複雜化，在畫素結構的反射區內所配置的元件漸增，當畫素結構之反射區已經無可利用空間之情況下，本發明之畫素結構是將接觸窗開口設置於穿透區中，且其仍具有足夠的穿透率以及良好的電特性。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、100’、100a、100a’、100b、200、200’‧‧‧半穿透半反射式畫素結構

101、201‧‧‧基板

102、203‧‧‧閘絕緣層

104、204‧‧‧覆蓋層

104a、204a‧‧‧表面

105‧‧‧凸起結構

106、206‧‧‧反射電極層

108、208‧‧‧反射電極圖案

110、210‧‧‧穿透電極層

120‧‧‧主動元件

122、224‧‧‧閘極

123‧‧‧通道層

124‧‧‧源極

126‧‧‧汲極

222‧‧‧多晶矽層

222a‧‧‧源極區

222b‧‧‧汲極區

222c‧‧‧通道區

223‧‧‧導電圖案層

202、226‧‧‧介電層

228‧‧‧源極層

230‧‧‧汲極層

d‧‧‧距離

DL‧‧‧資料線

H‧‧‧接觸窗開口

T‧‧‧穿透區

R‧‧‧反射區

S1、S2‧‧‧尺寸

SL‧‧‧掃描線

圖1A是根據本發明一實施例之半穿透半反射式畫素結構的上視示意圖。

圖1B是沿圖1A之I-I’的剖面示意圖。

圖1C是根據本發明另一實施例之半穿透半反射式畫素結構的剖面示意圖。

圖2A是根據本發明又一實施例之半穿透半反射式畫 素結構的上視示意圖。

圖2B是沿圖2A之I-I’的剖面示意圖。

圖2C是根據本發明再一實施例之半穿透半反射式畫素結構的剖面示意圖。

圖3是根據本發明另一實施例之半穿透半反射式畫素結構的上視示意圖。

圖4A是根據本發明一實施例之半穿透半反射式畫素結構的剖面示意圖。

圖4B是根據本發明另一實施例之半穿透半反射式畫素結構的剖面示意圖。

100‧‧‧半穿透半反射式畫素結構

101‧‧‧基板

102‧‧‧閘絕緣層

104‧‧‧覆蓋層

104a‧‧‧表面

105‧‧‧凸起結構

106‧‧‧反射畫素電極

108‧‧‧反射電極圖案

110‧‧‧穿透畫素電極

120‧‧‧主動元件

122‧‧‧閘極

123‧‧‧通道層

124‧‧‧源極

126‧‧‧汲極

d‧‧‧距離

H‧‧‧接觸窗開口

T‧‧‧穿透區

R‧‧‧反射區

S1、S2‧‧‧尺寸

Claims (15)

1. 一種半穿透半反射式畫素結構，其具有一穿透區以及一反射區，該畫素結構包括：一主動元件；一覆蓋層，位於該穿透區以及該反射區，且覆蓋該主動元件，其中該覆蓋層具有一接觸窗開口，該接觸窗開口至少位於該穿透區；一反射電極層，位於該反射區內；一反射電極圖案，位於該接觸窗開口內並延伸至該接觸窗開口周圍的該覆蓋層的一上表面上；以及一穿透電極層，位於該穿透區之該覆蓋層的表面上，其中該穿透電極層與該反射電極層電性連接且該穿透電極層經由該接觸窗開口與該主動元件電性連接，其中該穿透電極層配置於該反射電極圖案上且與該反射電極圖案直接接觸，且該穿透電極層的邊緣部分位於該反射電極層以及該反射電極圖案之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式畫素結構，其中該反射電極圖案自接觸窗開口的邊緣延伸至該覆蓋層的上表面的距離為d，且1.5微米≦d≦2.0微米。
3. 如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式畫素結構，其中該穿透電極層的邊緣部分更覆蓋位於該反射區之該反射電極層。
4. 如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式畫素結構，其中該接觸窗開口位於該反射區以及該穿透區的交 界處。
5. 如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式畫素結構，其中該主動元件具有一閘極、一源極以及一汲極，該汲極自該反射區延伸至該穿透區，且該接觸窗開口暴露出該汲極。
6. 如申請專利範圍第5項所述之半穿透半反射式畫素結構，其中該反射電極圖案的尺寸不超過該汲極在該穿透區的尺寸。
7. 如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式畫素結構，其中該穿透電極層覆蓋該反射電極圖案。
8. 一種具有記憶功能的半穿透半反射式畫素結構，其具有一穿透區以及一反射區，該畫素結構包括：一主動元件，設置在該反射區中；一記憶元件，設置在該反射區中，並且與該主動元件電性連接；一覆蓋層，位於該穿透區以及該反射區，且覆蓋該主動元件以及該記憶元件，其中該覆蓋層具有一接觸窗開口，該接觸窗開口至少位於該穿透區；一反射電極層，位於該反射區內；一反射電極圖案，位於該接觸窗開口內並延伸至該接觸窗開口周圍的該覆蓋層的一上表面上；以及一穿透電極層，位於該穿透區之該覆蓋層的表面上，其中該穿透電極層與該反射電極層電性連接且該穿透電極層經由該接觸窗開口與該主動元件電性連接，其中該穿透 電極層配置於該反射電極圖案上且與該反射電極圖案直接接觸，且該穿透電極層的邊緣部分位於該反射電極層以及該反射電極圖案之間。
9. 如申請專利範圍第8項所述之具有記憶功能的半穿透半反射式畫素結構，其中該反射電極圖案自接觸窗開口的邊緣延伸至該覆蓋層的上表面的距離為d，且1.5微米≦d≦2.0微米。
10. 如申請專利範圍第8項所述之具有記憶功能的半穿透半反射式畫素結構，其中該穿透電極層的邊緣部分更覆蓋位於該反射區之該反射電極層。
11. 如申請專利範圍第8項所述之具有記憶功能的半穿透半反射式畫素結構，其中該接觸窗開口位於該反射區以及該穿透區的交界處。
12. 如申請專利範圍第8項所述之具有記憶功能的半穿透半反射式畫素結構，其中該主動元件具有一閘極、一源極以及一汲極，該汲極自該反射區延伸至該穿透區，且該接觸窗開口暴露出該汲極。
13. 如申請專利範圍第12項所述之具有記憶功能的半穿透半反射式畫素結構，其中該反射電極圖案的尺寸不超過該汲極在該穿透區的尺寸。
14. 如申請專利範圍第8項所述之具有記憶功能的半穿透半反射式畫素結構，其中該記憶元件包括多個薄膜電晶體。
15. 如申請專利範圍第8項所述之具有記憶功能的半 穿透半反射式畫素結構，其中該穿透電極層覆蓋該反射電極圖案。